CN107424896B - 腔室清洁系统 - Google Patents

腔室清洁系统 Download PDF

Info

Publication number
CN107424896B
CN107424896B CN201710332832.7A CN201710332832A CN107424896B CN 107424896 B CN107424896 B CN 107424896B CN 201710332832 A CN201710332832 A CN 201710332832A CN 107424896 B CN107424896 B CN 107424896B
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
tube
cleaning system
top surface
chamber cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201710332832.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107424896A (zh
Inventor
韩奎龙
刘大日
姜奉锡
金明珍
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sti Ltd
Original Assignee
Sti Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sti Ltd filed Critical Sti Ltd
Publication of CN107424896A publication Critical patent/CN107424896A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107424896B publication Critical patent/CN107424896B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Nozzles (AREA)

Abstract

提供了一种包括腔室和管的腔室清洁系统，所述管与腔室的主体的顶表面的内侧与主体的侧表面相遇的位置相邻安装，其中，所述管具有在所述管的长度方向上按照预定间隔形成在所述管的外周表面的面向顶表面和侧表面的位置处的多个喷孔。

Description

腔室清洁系统
技术领域
本发明的实施方式涉及腔室清洁系统。
背景技术
在制造诸如半导体装置和平板显示装置的集成电路装置时，至关重要的是管理诸如颗粒的污染源。具体地讲，在制造需要精细图案的现代集成电路装置时，需要彻底 地管理污染源。
在制造装置时，管理源自处理设备的污染源以及源自制造工艺的污染源。这是因为如果没有管理源自处理设备的上述污染源，它们会对制造工艺带来致命影响。即， 在等离子体蚀刻中，在蚀刻工艺中生成的蚀刻颗粒可被吸附到蚀刻腔室的内壁。当没 有执行用于去除蚀刻颗粒的清洁工艺时，在随后的蚀刻工艺期间蚀刻颗粒可从蚀刻腔 室的内壁脱离，从而充当污染源，因此在蚀刻工艺之后执行清洁工艺以去除蚀刻颗粒。
因此，工艺腔室的内部应该保持清洁以防止污染。为此，处理设备的腔室包括设备风扇单元(EFU)以用于从腔室的一个区域向其相对区域送风。优选的是，EFU形 成在腔室的上部以向其下部送风。这使得异物由于其重量而下落至下部从而被排出。 如图1和图2所示，使用这种EFU的腔室清洁系统具有未被清洁的死角区。
发明内容
本发明致力于提供一种可去除腔室的未被清洁的死角区的腔室清洁系统。
根据本发明的一方面，提供了一种包括腔室和管的腔室清洁系统，所述管与腔室的主体的顶表面的内侧与主体的侧表面相遇的位置相邻安装，其中，所述管具有在所 述管的长度方向上按照预定间隔形成在所述管的外周表面的面向顶表面和侧表面的 位置处的多个喷孔。
所述多个喷孔可在所述管的长度方向上按照预定间隔形成在相对于外周表面的面向顶表面的位置成30度至50度倾斜的位置处。
该腔室清洁系统还可包括与喷孔组合的喷嘴。
该腔室清洁系统还可包括作为一体形成在腔室的主体的上部的设备风扇单元。
所述管可包括沿着所述管的外周按照预定角间隔并且在所述管的长度方向上按照间隔形成的多个喷孔。
附图说明
对于本领域普通技术人员而言，通过参照附图详细描述其示例性实施方式，本发明的以上和其它目的、特征和优点将变得更显而易见，附图中：
图1和图2是示出一般腔室中的EFU所导致的气流的示图；
图3是示意性地示出根据本发明的实施方式的腔室清洁系统的示图；
图4是根据本发明的实施方式的顶表面被去除的腔室清洁系统的平面图；
图5是示出根据本发明的实施方式的清洁系统的管及其一部分的放大图；
图6是示出根据本发明的实施方式的安装有喷嘴的清洁系统的管的示图；以及
图7是示意性地示出根据本发明的实施方式的从清洁系统的管的喷嘴喷射的气体的方向的示图。
具体实施方式
尽管本发明易于进行各种修改和替代，本文中将详细描述其特定实施方式。然而，应该理解，并不旨在将本发明限于所公开的特定形式，而是相反，本发明将涵盖落入 本领域的精神和范围内的所有修改、等同物和替代。贯穿附图的描述，相似的标号指 代相似的元件。应该理解，尽管本文中可使用术语第一、第二等来描述各种元件，这 些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件相区分。本文所使 用的术语仅是为了描述特定实施方式，而非旨在限制本发明。如本文所使用的，除非 上下文清楚地另外指示，否则单数形式“一个”、“一种”和“该”旨在也包括复数形式。 还应该理解，术语“包括”和/或“包含”当用在本文中时指明存在所述的特征、整数、步 骤、操作、元件和/或组件，但不排除一个或更多个其它特征、整数、步骤、操作、 元件、组件和/或其组的存在或添加。
除非另外定义，否则本文所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本领域技术人员通常理解的含义相同的含义。还应该理解，诸如常用字典中所定义的那些 术语应该被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，而不应从理想 化或过于形式的意义上解释，除非本文中明确地如此定义。
以下，将参照附图详细描述本发明的实施方式。贯穿附图的描述，相似的标号指代相似的元件。
图3是示意性地示出根据本发明的实施方式的腔室清洁系统的示图。图4是根据本发明的实施方式的顶表面被去除的腔室清洁系统的平面图。图5是示出根据本发明 的实施方式的清洁系统的管及其一部分的放大图。图6是示出根据本发明的实施方式 的安装有喷嘴的清洁系统的管的示图。如图3所示，根据本发明的实施方式的腔室清 洁系统包括腔室100、靠近腔室100的顶表面安装的管200以及安装在腔室100上的 设备风扇单元300。
腔室100用于制造诸如半导体装置、平板显示装置等的装置，并且被应用于处理设备。即，根据本发明的实施方式的清洁系统不对基板而是对工艺腔室执行清洁工艺。 换言之，对诸如蚀刻腔室、薄膜沉积腔室等的工艺腔室执行清洁工艺。在使用本发明 的清洁系统的清洁工艺中，从其去除在工艺腔室中流动或者被吸附到工艺腔室的内壁 的工艺副产品。
管200向腔室100提供清洁流体。管200与腔室100的顶表面和侧表面的内侧相 邻安装。清洁流体可包括清洁气体，具体地讲，惰性气体。管200可与清洁流体供给 线(未示出)连接。清洁流体可从外部通过清洁流体供给线传送并被喷射到腔室100 中。
如图4和图5所示，沿着管200的外周形成多个喷孔。优选的是，喷孔210按照 预定间隔成一排布置在面向腔室100的顶表面和腔室100的侧表面的位置处。
喷孔210可被设置在相对于面向顶表面的位置成预定角度倾斜的位置处。优选地，多个喷孔可在管200的长度方向上按照预定间隔形成在相对于管200的外周表面 的面向顶表面的位置成30度或50度倾斜的位置处。
如图6所示，喷嘴220可与管200的喷孔210组合。如图7所示，使用按照上述 角度设置的喷孔210，清洁流体可如箭头a所指示被喷射到腔室100的顶表面，如箭 头b所指示被喷射到腔室100的侧表面，如箭头c所指示被喷射到腔室100的顶表面 与侧表面之间的空间。因此，清洁流体被喷射到图1和图2所示的死角区以减小死角 区的面积。图3至图7示出喷孔210沿着管200的外周按照预定间隔形成的实施方式。然而，喷孔210可通过考虑下述设备风扇单元300的气流方向和死角区来选择性地形 成。
根据本发明的实施方式的清洁系统可另外包括设备风扇单元300。设备风扇单元300可采用传统设备风扇单元(EFU)或过滤器风扇单元(FFU)。有效的是，设备风 扇单元300作为一体形成在腔室100的上部。设备风扇单元300可包括多个风扇并且 可被完全安装在腔室100的整个上部中。当多个风扇被启动时，设备风扇单元300 向腔室100的下部送风以执行清洁。
根据本发明的实施方式的具有上述配置的腔室清洁系统可单独地使用或者与设备风扇单元300一起使用以防止腔室100中未被喷射清洁流体的死角区的存在。
在根据本发明的实施方式的腔室清洁系统中，通过在喷管的顶表面和侧表面上以及在顶表面与侧表面之间形成喷孔并且通过喷孔将清洁气体喷射到腔室的主体的顶 表面的边缘和主体的侧表面的上部，可显著地减小腔室的未被喷射清洁气体的死角 区，因此改进清洁效率。
尽管参照附图描述了本发明的实施方式，本发明不限于上述实施方式，在本发明的范围内可进行各种修改。本领域技术人员应该理解，在不脱离本发明的技术精神或 基本特征的情况下，可按照不同的详细形式实现本发明。因此，本文所描述的实施方 式在所有方面均为例示性的，而不限于所述形式。
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年5月23日提交的韩国专利申请No.10-2016-0062992的优先 权和权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

Claims (7)

1.一种腔室清洁系统，该腔室清洁系统包括：
管，所述管喷射清洁流体并且与腔室的主体的顶表面的内侧与所述主体的四个侧表面的内侧相遇的位置相邻安装，其中，
所述管具有在所述管的长度方向上按照预定间隔形成在所述管的外周表面的面向所述顶表面和所述侧表面的位置处的多个喷孔。
2.根据权利要求1所述的腔室清洁系统，其中，所述多个喷孔在所述管的所述长度方向上按照预定间隔形成在相对于所述外周表面的面向所述顶表面的位置成30度至50度倾斜的位置处。
3.根据权利要求1所述的腔室清洁系统，该腔室清洁系统还包括与所述喷孔组合的喷嘴。
4.根据权利要求1所述的腔室清洁系统，该腔室清洁系统还包括作为一体形成在所述腔室的所述主体的上部的设备风扇单元。
5.根据权利要求1所述的腔室清洁系统，其中，所述管包括沿着所述管的外周按照预定角间隔并且在所述管的所述长度方向上按照间隔形成的多个喷孔。
6.根据权利要求1所述的腔室清洁系统，其中，所述清洁流体包括清洁气体。
7.根据权利要求6所述的腔室清洁系统，其中，所述清洁气体是惰性气体。
CN201710332832.7A 2016-05-23 2017-05-12 腔室清洁系统 Expired - Fee Related CN107424896B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160062992A KR101812707B1 (ko) 2016-05-23 2016-05-23 챔버 세정 시스템
KR10-2016-0062992 2016-05-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107424896A CN107424896A (zh) 2017-12-01
CN107424896B true CN107424896B (zh) 2019-12-10

Family

ID=60425947

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710332832.7A Expired - Fee Related CN107424896B (zh) 2016-05-23 2017-05-12 腔室清洁系统

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101812707B1 (zh)
CN (1) CN107424896B (zh)
TW (1) TWI641025B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102104386B1 (ko) * 2019-01-03 2020-04-27 주식회사제4기한국 고효율 진공플라즈마 세정설비
CN111501024A (zh) * 2020-05-08 2020-08-07 Tcl华星光电技术有限公司 气相沉积装置
CN112139092A (zh) * 2020-07-29 2020-12-29 北京烁科精微电子装备有限公司 一种清洗装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980014102A (ko) * 1996-08-08 1998-05-15 임동현 저온 꽃게 세척 및 분리방법과 그 세척 및 분리장치
CN1375575A (zh) * 2001-03-19 2002-10-23 株式会社Apex 化学气相沉积设备
KR20050102966A (ko) * 2004-04-23 2005-10-27 이부락 반도체 부품 세척장치
KR20110107910A (ko) * 2010-03-26 2011-10-05 주식회사 케이씨텍 접촉식 세정장치
CN105489528A (zh) * 2014-10-07 2016-04-13 株式会社迪思科 清洗装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014176812A (ja) * 2013-03-15 2014-09-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd ノズル洗浄装置、塗布装置、ノズル洗浄方法、および塗布方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980014102A (ko) * 1996-08-08 1998-05-15 임동현 저온 꽃게 세척 및 분리방법과 그 세척 및 분리장치
CN1375575A (zh) * 2001-03-19 2002-10-23 株式会社Apex 化学气相沉积设备
KR20050102966A (ko) * 2004-04-23 2005-10-27 이부락 반도체 부품 세척장치
KR20110107910A (ko) * 2010-03-26 2011-10-05 주식회사 케이씨텍 접촉식 세정장치
CN105489528A (zh) * 2014-10-07 2016-04-13 株式会社迪思科 清洗装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN107424896A (zh) 2017-12-01
KR20170132027A (ko) 2017-12-01
KR101812707B1 (ko) 2017-12-27
TW201806000A (zh) 2018-02-16
TWI641025B (zh) 2018-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107424896B (zh) 腔室清洁系统
US6708903B2 (en) Two-fluid cleaning jet nozzle, cleaning equipment and method of fabricating semiconductor device employing the same
JP6692823B2 (ja) 高コンダクタンスのプロセスキット
US20150136185A1 (en) Apparatus of cleaning substrate
CN107534011B (zh) 基板斜边和背面保护装置
KR102063172B1 (ko) 제진 노즐 및 제진 장치
US20110272871A1 (en) Wafer Spin Chuck and an Etcher Using the Same
TWI661500B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP6800818B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US20020096195A1 (en) Method and apparatus for critical flow particle removal
KR100930579B1 (ko) 세정용 노즐
CN103639151B (zh) 清洁光掩模板的装置和方法
KR20210093500A (ko) 다중 흡입구를 갖는 드라이 타입 초음파 클리너
KR20100013651A (ko) 분사유닛 및 이를 포함하는 기판세정장치
CN107234099B (zh) 除尘系统
KR20100128424A (ko) 노트북 세정장치
CN215940927U (zh) 排气内部清洗系统
KR20200056045A (ko) 이류체 분사노즐
KR101358079B1 (ko) 송풍 장치
TWI524134B (zh) 化學清潔裝置
KR101410038B1 (ko) 유리기판 절단장치
JP2011054823A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN103645603A (zh) 清洁光掩模板的装置及方法
JP2002001240A (ja) スピン処理装置
KR101619811B1 (ko) 기판 세정 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20191210

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee