TWI640070B - 封裝中的堆疊整流器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種整流器封裝，該整流器封裝包括一第一整流器晶粒，該第一整流器晶粒具有一陽極及一陰極，該陰極以導電方式接合至一第一導電膜之一第一表面上。該整流器封裝亦包括一第二整流器晶粒，該第二整流器晶粒具有一陽極及一陰極，該陰極以導電方式接合至該第一導電膜之與該第一表面相對之一第二表面上。該第一導電膜與該第一整流器晶粒及該第二整流器晶粒之兩個陽極或兩個陰極接觸。

Description

封裝中的堆疊整流器
本發明一般而言係關於一種用於整流器之封裝結構，且特定而言係關於一封裝中之堆疊整流器。
一種用於電流整流之整流器已廣泛地用於電子裝置中。對於整流器，電流額定值係整流能力之一重要指標。為增強一越來越有限之晶粒區域中之電流額定值，將多個整流器晶粒堆疊在一單個封裝中。舉例而言，兩個整流器晶粒可並聯電連接在一整流器封裝之一陽極接針與一陰極接針之間以允許兩倍的電流量流動穿過封裝。在某些現有整流器封裝中，整流器晶粒中之每一者係安裝在一各別印刷電路板(PCB)上，且一額外PCB係放置在堆疊整流器晶粒上方。此等PCB上之導電跡線在整流器晶粒中為電流提供導電路徑。
在形成現有整流器封裝中，整流器晶粒藉由一「拾取與放置」過程放在其各別PCB上且晶粒相對於PCB及封裝面朝同一方向(例如，面向上或面向下)。
發明人已觀察到，熱管理正變得對於堆疊晶粒封裝之開發越來越關鍵。隨著堆疊晶粒之數目增加，更多熱將被累積且顯著影響整流器封裝之效能。發明人已進一步觀察到現有整流器封裝方案中之數個缺點。首先，與晶粒相關聯之導電路徑展現有差異熱效能，其中一個 晶粒產生比另一晶粒多的熱且可變得過熱。此外，一般用於PCB中之電絕緣材料(諸如FR4)係一不良熱導體，且因此不利地影響熱耗散之效能。
另外，該現有整流器封裝中之導電路徑係長的且因此消耗更多電力。此外，過多電力消耗將導致該整流器封裝中之更多熱。
PCB用於支撐該封裝之整流器晶粒。然而，PCB可必然地誘發雜散電容及/或雜散電感。此外，PCB之厚度引起該封裝之一過多厚度。因此，該現有封裝方案對於改良熱耗散及裝置微型化並非係有利的。
為克服以上缺點，發明人發明一種經改良堆疊晶粒整流器封裝。在一例示性雙晶粒封裝中，該新穎整流器封裝用兩個晶粒之間的一導電膜替換PCB且將該兩個晶粒之陽極(或陰極)放置於該導電膜之相對表面上，使得該兩個晶粒「面對面」或「背對背」地安置於該封裝中。
提供本發明以解決上文所提及之問題。
首先，由於該兩個晶粒「面對面」或「背對背」地放置，因此此配置改良導電路徑之間的熱分佈且降低一個晶粒產生比另一晶粒更多熱之風險。另外，此配置可減小一整流器晶粒在陽極側或陰極側處之一導電路徑之長度。
其次，該導電膜係由金屬製成，該金屬係比PCB更佳之一導熱材料。此外，該導電膜消除原本將發生於該PCB結構中之雜散電容及雜散電感之可能性。
此外，就裝置幾何形狀而言，該導電膜係由金屬製成且因此可製成為比導電跡線加上基於FR4之PCB之經求和厚度相對薄。因此，所得封裝大小可進一步縮小。
下文總結本發明之數個例示性實施方案。儘管下文僅詳細解釋 體現本發明之整流器封裝，但熟習現代封裝工程之此項技術者將明瞭，遵循本發明中所闡述之教示及實例，可廣泛地應用本發明。熟習此項技術者可藉由以下方式在諸多不同高電力應用之設計及構造方面應用本發明：分析封裝之組成晶粒以確認晶粒當中之電力分佈及其導電跡線之各別佈局；識別相關導電路徑當中之關係；及判定是否可做出某些改變以用於改良。舉例而言，一組成晶粒可經翻轉或重新定向使得總體封裝可達成一經改良熱效能。
100‧‧‧整流器封裝/封裝/雙晶粒封裝
100A‧‧‧第一側
100B‧‧‧第二側
102‧‧‧第一整流器晶粒/整流器晶粒/整流器
102-1‧‧‧陽極
102-2‧‧‧陰極
102A‧‧‧第一表面
102B‧‧‧第二表面
104‧‧‧第二整流器晶粒/整流器晶粒/整流器
104-1‧‧‧陽極
104-2‧‧‧陰極
104A‧‧‧第一表面
104B‧‧‧第二表面
106‧‧‧第一導電膜/導電膜
106A‧‧‧第一表面
106B‧‧‧導熱表面
108‧‧‧第二導電膜/導電膜
108A‧‧‧第一表面
108B‧‧‧第二表面
110‧‧‧第三導電膜/導電膜
110A‧‧‧第一表面
110B‧‧‧第二表面/導熱表面
122‧‧‧導電黏合劑
123‧‧‧導電黏合劑
124‧‧‧導電黏合劑
125‧‧‧導電黏合劑
126‧‧‧模製化合物
132‧‧‧導電導通體
134‧‧‧導電導通體
142‧‧‧焊料遮罩
144‧‧‧焊料遮罩
146‧‧‧焊料遮罩
150‧‧‧陽極接針
160‧‧‧陰極接針
170‧‧‧開口/凹部
200‧‧‧整流器封裝
202‧‧‧第三整流器晶粒/額外整流器/整流器晶粒
202-1‧‧‧陽極
202-2‧‧‧陰極
202A‧‧‧第一表面
202B‧‧‧第二表面
204‧‧‧第四整流器晶粒/額外整流器
204-1‧‧‧陽極
204-2‧‧‧陰極
204A‧‧‧第一表面
204B‧‧‧第二表面
206‧‧‧第四導電膜
206A‧‧‧第一表面
206B‧‧‧第二表面
208‧‧‧第五導電膜
300‧‧‧整流器封裝
A11‧‧‧子路徑
A21‧‧‧子路徑
A22‧‧‧子路徑
A31‧‧‧子路徑
A41‧‧‧子路徑
A42‧‧‧子路徑
C11‧‧‧子路徑
C21‧‧‧子路徑
C22‧‧‧子路徑
當藉助附圖閱讀時，自以下詳細說明最佳地理解本發明之態樣。應注意，根據工業中之標準實踐，各種特徵未按比例繪製。實際上，為論述清晰起見，可任意地增加或減小各種特徵之尺寸。
圖1A係根據本發明之一實施例之一整流器封裝之一方塊圖。
圖1B係根據本發明之另一實施例之一整流器封裝之一方塊圖。
圖2係根據本發明之又一實施例之一整流器封裝之一方塊圖。
為完全理解本發明，在以下說明中提供詳細步驟及結構。顯然地，本發明之實施方案不限制熟習此項技術者已知之特別細節。另外，未詳細闡述已知結構及步驟，以便不會不必要地限制本發明。下文將詳細闡述本發明之較佳實施例。然而，除詳細說明之外，本發明亦可廣泛地實施於其他實施例中。本發明之範疇不限於詳細實施例，且由申請專利範圍界定。本發明之以下說明伴隨併入此說明書中且構成此說明書之一部分且圖解說明本發明之實施例之圖式，但本發明不限於該等實施例。另外，以下實施例可經適當地整合以完成另一實施例。對「一項實施例」、「一實施例」、「其他實施例」、「另一實施例」等之提及指示如此闡述之本發明之實施例可包含一特定特徵、結構或特性，但並非每一實施例必要地包含該特定特徵、結構或特 性。此外，片語「在實施例中」之重複使用未必係指同一實施例，儘管其可如此。
貫穿本發明使用之術語「導電路徑」稱為流動穿過一佈線導體之電流之一路徑。導電路徑沿著佈線導體在兩個端點之間經量測，其中端點可為整流器封裝之一端子。另一選擇係，導電路徑之端點可為封裝中之一組件，諸如一整流器晶粒或一被動裝置。導電路徑之一典型實例係連接兩個元件或將一個封裝接針連接至一內部元件之一導電跡線或者連接封裝之兩個端子之一內跡線之一分段。
貫穿本發明使用之術語「平衡」表示就熱行為而言導電路徑當中之類似或近似程度。在某些情形中，類似熱行為係透過在各別整流器晶粒或導電跡線自身上量測之溫度來獲得。因此，可有效地降低一個晶粒比另一晶粒早得多地被燒毀的機會。兩個或兩個以上導電路徑可被視為針對一更類似溫度趨勢而在一個配置中比在另一配置中更「平衡」。在某些情形中，較佳平衡導電路徑可由跡線當中之較佳對稱性之一佈線產生。另一種選擇係，可藉由使有效電阻在不同導電路徑當中儘可能地接近而達成較佳平衡。用於達成平衡導電路徑之其他方法亦係可行的。
圖1係根據本發明之一實施例之一整流器封裝100之一方塊圖。參考圖1A，整流器封裝100包括一第一整流器晶粒102、一第二整流器晶粒104、一第一導電膜106、一第二導電膜108、一第三導電膜110、導電導通體132及134、導電黏合劑122、123、124及125以及一模製化合物126。
第一整流器晶粒102及第二整流器晶粒104經組態以執行電流整流。整流器晶粒102及104可各自包括一半導體二極體結構，且配置成一堆疊。堆疊晶粒整流器封裝100可支援比個別整流器晶粒102或104大的一電流額定值。在某些情形中，整流器封裝100可支援至少15安 培之一電流額定值。另一選擇係，整流器封裝100可支援至少20安培之一電流額定值。
第一整流器晶粒102安置於第一導電膜106與第二導電膜108之間。第一整流器晶粒102包括在一第一表面102A處之一陽極102-1及在與第一表面102A相對之一第二表面102B處之一陰極102-2。第一整流器晶粒102之第一表面102A及第二表面102B分別電接合至第二導電膜108及第一導電膜106。
第二整流器晶粒104安置於第二導電膜108與第三導電膜110之間。另外，第二整流器晶粒104包括在一第一表面104A處之一陽極104-1及在與第一表面104A相對之一第二表面104B處之一陰極104-2。第二整流器晶粒104之第一表面104A及第二表面104B分別電接合至第二導電膜108及第三導電膜110。
整流器封裝100進一步包括充當封裝端子之一陽極接針150及一陰極接針160。一電流可流動穿過並聯於陽極接針150與陰極接針160之間的整流器102及104中之每一者。陽極接針150可為導電膜106之部分，或電接合至導電膜106之一導電材料。類似地，陰極接針160可為導電膜106之部分，或電接合至導電膜106之一導電材料。陽極接針150及陰極接針160可安置於整流器封裝100之一同一側(諸如一第一側100A)上。然而，陽極接針150及陰極接針160亦可安置於整流器封裝100之不同側中。
導電膜106、108及110經組態以為整流器晶粒102或104提供實體支撐。另外，導電膜106、108及110將整流器102及104之陽極或陰極電耦合至陽極接針150或陰極接針160。導電膜通常由金屬材料(諸如銅、鋁、銀或其他適合金屬)製成。在某些情形中，導電膜可採用一引線框架結構。引線框架通常由金屬(諸如銅)製成，且包括配置成一向外輻射圖案之引線。
導電導通體132及134形成為導電膜106、108及110中之通孔導體。導電導通體132及134經組態以為水平延伸導電膜106、108及110提供垂直導電路徑。舉例而言，導電導通體132穿過第二導電膜108形成且與第一導電膜106及第三導電膜110接觸。另外，導電導通體132經組態以穿過第二導電膜108電耦合陽極接針150與陽極102-1及104-1。此外，導電導通體134穿過第三導電膜110形成且與第一導電膜106及第三導電膜110接觸。導電導通體134經組態以分別穿過第一導電膜106及第三導電膜110電耦合陰極接針160與陰極102-2及104-2。
導電黏合劑122至125經組態以提供整流器晶粒102或104與相關聯導電膜之間的導電黏合。具體而言，導電黏合劑122施配於第一導電膜106之一第一表面106A與第一整流器晶粒102之第二表面102B之間，使得第一整流器晶粒102之陰極102-2與陰極接針160透過第一導電膜106以導電方式接合。此外，導電黏合劑123施配於第二導電膜108之第二表面108B與第一整流器晶粒102之第一表面102A之間，使得第一整流器晶粒102之陽極102-1與陽極接針150透過第二導電膜108以導電方式接合。
類似地，導電黏合劑124施配於第二導電膜108之第一表面108A與第二整流器晶粒104之第一表面104A之間，使得第二整流器晶粒104之陽極104-1與陽極接針150透過第二導電膜108以導電方式接合。此外，導電黏合劑125施配於第二整流器晶粒104之第二表面104B與第三導電膜110之一第一表面110A之間，使得第二整流器晶粒104之陰極104-2與陰極接針160透過第三導電膜110以導電方式接合。導電黏合劑122至125可包括不同類型之焊料膏。導電黏合劑之一實例係銀焊料膏。
整流器封裝100進一步包含用於將陽極接針150與陰極接針160彼此電隔離之一焊料遮罩或阻銲劑。焊料遮罩142可在整流器封裝100之 第二側100B處施加至第三導電膜110。類似地，焊料遮罩144可在整流器封裝100之第一側100A處施加至第一導電膜106。焊料遮罩142及144可選自一環氧樹脂液體焊料遮罩、一液體光可成像焊料遮罩及一干膜焊料遮罩中之一者。
模製化合物126用於囊封封裝100且填充整流器封裝100中之剩餘空間。模製化合物126可有益於抵抗污染物(諸如灰塵及水分)或外來應力之封裝穩定性及穩健性。模製化合物126可包括液體環氧樹脂。
如先前所論述，第一整流器晶粒102之陽極102-1附接至第二導電膜108之第二表面108B。建立包括子路徑A11及A21(以箭頭展示，其指示電流方向)之一第一導電路徑。此外，第二整流器晶粒104之陽極104-1附接至第二導電膜108之第一表面108A。建立包括子路徑A11及A22之一第二導電路徑。因此，獲得一「共同陽極」組態，其中第一導電路徑及第二導電路徑共用子路徑A11。此共同陽極配置將使導電路徑比現有方案更平衡。此外，有效地減輕第一導電路徑與第二導電路徑之間的電阻差異。因此，顯著地消除兩個整流器晶粒102與104之間的所消耗電力及所得熱位準之效能差。
儘管圖1A之實施例圖解說明一共同陽極組態，但本發明不限於共同陽極結構。舉例而言，一「共同陰極」結構亦屬於本發明之預期範疇內。基於參考圖1A之共同陽極結構之實例及教示，熟習此項技術者將容易地開發具有與陰極102-2及104-2相關聯之平衡導電路徑之一共同陰極結構。
所提議之整流器封裝100亦擁有其他優點。由於由金屬材料製成之導電膜106及108用作整流器晶粒102及104之下伏基板，因此整流器封裝100之熱耗散效能增強。在現有方案中，安置於封裝100內之第一側100A及第二側100B上之基於FR4之PCB係熱絕緣的。相反，在本發明中，第一導電膜106及第三導電膜110分別接近於第一側100A及第 二側100B。因此，經由第一側100A及第二側100B之熱耗散是較有利的。由於顯著減輕熱耗散問題，因此可進一步增加封裝100之最大電流額定值。
此外，在現有方法中，藉由「拾取與放置」程序將第一整流器晶粒102及第二整流器晶粒104分別接合至一第一PCB及一第二PCB。因此，第二整流器晶粒104之陽極104-1面朝第二側100B之定向類似於第一整流器晶粒102之陽極102-1之定向。因此，此等陽極之一對應導電路徑將穿過導電導通體132、第三導電膜110及導電黏合劑125佈線。然而，在本發明中，給定類似「拾取與放置」程序，第一整流器晶粒102及第二整流器晶粒104分別接合至第一導電膜106及第三導電膜110。與第三導電膜110相關聯之第二整流器晶粒104經翻轉使得第二整流器晶粒104之陽極104-1與第一整流器晶粒102之陽極102-1一樣面朝第二導電膜108。整流器封裝100中之導電路徑穿過導電導通體132、第二導電膜108及導電黏合劑124佈線。顯然，第二整流器晶粒104之發明導電路徑不僅更平衡，且亦比現有方法中之導電路徑短。有效地，就此而言減少電力消耗及熱產生。
此外，整流器封裝100之幾何形狀由於導電膜之使用而減小，此乃因可在不會不利地影響導電功能之情況下將導電膜106、108及110製成為比PCB薄得多。相比而言，習用PCB在其厚度減小時可不能提供一穩健支撐及可靠跡線佈線。
在整流器封裝中使用PCB之另一問題係雜散(寄生)電容或雜散電感。不期望電容或電感可存在於圍繞封裝之電路之任何地方且其電行為係難以預測的。若利用PCB，那麼情況將變得更糟糕。可通過導電膜之使用緩解可原本存在於一PCB中之雜散電容或雜散電感。
在某些應用中，用於提供升高或步降電壓位準之電源供應裝置(諸如切換類型電源供應器)可使用整流器。當用於此等裝置中時，整 流器可以稱作切換頻率之交流頻率的交流電流操作。切換頻率之一範圍可高於10千赫，諸如50KHz。在某些進階應用中，切換頻率可高達數百萬赫茲(MHz)。整流器封裝之設計考量在交流電流操作下應顧及阻抗匹配。然而，在整流器封裝中利用PCB可使阻抗匹配之調諧程序複雜化。在本發明中，由於自整流器封裝100移除PCB，因此顯著減輕阻抗失配問題。
基於前述論述，與現有方法相比較，增強了電流整流及熱管理之效能。電流額定值與整流器封裝100之熱分佈密切相關。現有方法可不有效地提供一升高電流額定值，此乃因某些節點處之高溫可使整流器出故障。相比而言，本發明提供一優良熱管理方案，使得電流額定值可在不增加工作溫度之情況下設定為較高。在某些情形中，就均方根(RMS)電流值而言，雙晶粒封裝100之本發明實例之電流額定值可為30安培。在替代實例中，就RMS值而言，整流器封裝100可在40安培下操作。
圖1B係根據本發明之另一實施例之一整流器封裝200之一方塊圖。
參考圖1B，整流器封裝200類似於參考圖1A所闡述及所圖解說明之整流器封裝100，惟(舉例而言)整流器封裝200進一步包括焊料遮罩142中之一開口或凹部170除外。開口170在第二整流器晶粒104正上方形成。另一選擇係，開口170可在第二整流器晶粒104之陰極或陽極正上方形成。
開口170可曝露第三導電膜110。在某些應用中，一導熱部件(諸如一散熱片)可在第二整流器晶粒104之第二側100B或第二表面110B上耦合至整流器封裝100。因此，可進一步改良熱耗散效能。
在某些現有整流器封裝中，用於電絕緣之焊料遮罩施加於PCB上。由於焊料遮罩並非導熱的，因此其可阻止堆疊整流器晶粒進行熱 耗散。在圖1B之本發明實例中，焊料遮罩144毗鄰於第一導電膜106安置。另外，凹部170將第三導電膜110曝露於至外部環境。因此，導熱表面110B及106B之大部分不被焊料遮罩覆蓋。因此，可增強導熱效能。
下文簡略地論述一種製造整流器封裝100之方法。在操作中，提供一第一基板。第一基板可係一第一導電膜，諸如一引線框架。然後使用諸如焊料膏之導電黏合劑將一第一整流器晶粒接合至第一導電膜上。在一共同陽極結構中，將第一整流器晶粒之陰極接合至第一導電膜。
同樣地，提供一第二導電膜。然後使用導電黏合劑將一第二整流器晶粒接合至第二導電膜上。為形成共同陽極結構，將第二整流器晶粒之陰極接合至第二導電膜。隨後，提供一第三導電膜。使用導電黏合劑，將第一整流器晶粒之陽極附接至第三導電膜之一表面，同時將第二整流器晶粒之陽極附接至第三導電膜之一相對表面。因此，將第三導電膜安置於第一整流器晶粒與第二整流器晶粒之間，且「面對面」地固持第一整流器晶粒及第二整流器晶粒之陽極。
接下來，使用一模製化合物囊封第一整流器晶粒、第二整流器晶粒及導電膜。可藉由將封裝安置於一模具外殼中且將模製化合物注入至封裝中而執行囊封。模製化合物可包括一液體環氧樹脂。
然後在經模製封裝之周邊處穿過第一導電膜、第二導電膜及第三導電膜形成導通體。導通體可形成為鑽透孔。隨後，用導電材料填充導通體。導電材料可包括金屬，諸如銅、鎢、銀及金。藉由諸如一電鍍操作之任何適合過程形成導電導通體。導電導通體提供穿過導電膜連接之電路徑。
圖2係根據本發明之又一實施例之一整流器封裝300之一方塊圖。參考圖2，整流器封裝300類似於參考圖1A所闡述及所圖解說明 之整流器封裝100，惟(舉例而言)整流器封裝300進一步包括一第三整流器晶粒202、一第四整流器晶粒204、一第四導電膜206及一第五導電膜208除外。整流器封裝300可由於額外整流器202及204而支援兩倍於整流器封裝100之電流額定值。
第三整流器晶粒202安置於第三導電膜110與第四導電膜206之間。第三整流器晶粒202包括在一第一表面202A處之一陽極202-1及在與第一表面202A相對之一第二表面202B處之一陰極202-2。
第四整流器晶粒204安置於第四導電膜206與第五導電膜208之間。另外，第四整流器晶粒204包括在一第一表面204A處之一陽極204-1及在與第一表面204A相對之一第二表面204B處之一陰極204-2。
陽極202-1附接至第四導電膜206之第二表面206B。建立包括子路徑A31及A41之一第三導電路徑。此外，陽極204-1附接至第四導電膜206之第一表面206A。建立包括子路徑A31及A42之一第四導電路徑。因此，建立具有陽極202-1及204-1之平衡導電路徑之一額外「共同陽極」組態。
第三整流器晶粒202及第四整流器晶粒204以類似於整流器晶粒102及104之一方式來堆疊。第三整流器晶粒202及第四整流器晶粒204亦形成其兩個陽極之一「共同陽極」組態。另外，一焊料遮罩146安置於第五導電膜208上以提供陽極接針150與陰極接針160之間的電隔離。
此外，一「共同陰極」組態形成於整流器晶粒104及202處。參考圖2，陰極104-2附接至第三導電膜110之第一表面110A。建立包括子路徑C11及C21之一對應導電路徑。此外，陰極202-2附接至第三導電膜110之第二表面110B。建立包括子路徑C11及C22之一對應導電路徑。
在一類似方法中，可連同對遵循兩個陽極或陰極之一「面對 面」或「背對背」組態之堆疊整流器晶粒之添加一起建立更平衡導電路徑。

Claims (9)

  1. 一種整流器封裝，其包括：一第一整流器晶粒，其具有一陽極及一陰極，該陰極在一第一導電膜之一第一表面上以導電方式接合至該第一導電膜；及一第二整流器晶粒，其具有一陽極及一陰極，該陰極在該第一導電膜之與該第一表面相對之一第二表面上以導電方式接合至該第一導電膜，其中該第一導電膜與該第一整流器晶粒及該第二整流器晶粒之兩個陽極或兩個陰極接觸；一陽極接針，其以導電方式耦合至該第一整流器及該第二整流器之兩個陽極，以及一陰極接針，其以導電方式耦合至該第一整流器晶粒及該第二整流器晶粒之兩個陰極；及一導電導通體，其延伸穿過該第一導電膜且將該陽極接針及該陰極接針中之一者電耦合至該第一整流器晶粒及該第二整流器晶粒之該兩個陽極或該兩個陰極。
  2. 如請求項1之整流器封裝，其中該第一導電膜由銅製成。
  3. 如請求項1之整流器封裝，其中該第一導電膜包括一引線框架。
  4. 如請求項1之整流器封裝，其進一步包括囊封該第一整流器、該第二整流器及該第一導電膜之一模製化合物。
  5. 如請求項1之整流器封裝，其進一步包括經組態以電隔離該陽極接針與該陰極接針之一焊料遮罩。
  6. 如請求項1之整流器封裝，其中該陽極接針及該陰極接針安置於該整流器封裝之一第一側上。
  7. 如請求項1之整流器封裝，其進一步包括：一第三整流器晶粒，其具有一陽極及一陰極且在一第二導電膜之一第三表面上以導電方式接合至該第二導電膜；一第四整流器晶粒，其具有一陽極及一陰極且在該第二導電膜之與該第三表面相對之一第四表面上以導電方式接合至該第二導電膜，其中該第二導電膜與該第三整流器晶粒及該第四整流器晶粒之兩個陽極或兩個陰極接觸。
  8. 如請求項7之整流器封裝，其進一步包括一第三導電膜，其中該第二整流器晶粒在一第三導電膜之一第五表面上以導電方式接合至該第三導電膜，該第三整流器晶粒在該第三導電膜之與該第五表面相對之一第六表面上以導電方式接合至該第三導電膜，其中該第三導電膜與該第二整流器晶粒及該第三整流器晶粒之未接合至該第一導電膜及該第二導電膜之兩個陽極或兩個陰極接觸。
  9. 如請求項1之整流器封裝，其中該整流器封裝經組態以支援至少30安培之一輸入電流。
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