TWI639262B - 發光顯示裝置 - Google Patents
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 53
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 24
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 20
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 17
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 135
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 130
- 238000000034 method Methods 0.000 description 64
- 230000008569 process Effects 0.000 description 43
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 ITO) Chemical compound 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 description 1
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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Abstract
一種發光顯示裝置包含:基板;第一電極,設置於基板上的各像素區域中;絕緣膜,設置於基板上,其中顯露第一電極之第一孔洞係定義於絕緣膜中;阻擋膜,設置於定義第一孔洞之絕緣膜之側表面上;發光層,設置於第一孔洞中與第一電極上,其中發光層與阻擋膜接觸;以及第二電極,設置於發光層上。
Description
本發明之例示性實施例涉及一種發光顯示裝置及製造發光顯示裝置的方法。
一般來說,平面顯示裝置可分為發光型式(light emitting type)與光接收型式(light receiving type)。發光型式(light emitting type)顯示裝置可包含平面陰極射線管、電漿顯示面板、電致發光裝置、或發光二極體。光接收型式(light receiving type)顯示裝置可包含液晶顯示器。發光型式(light emitting type)顯示裝置中,電致發光裝置一般來說具有寬視角、高對比度、以及高反應速度,已經成為下一代受注目的顯示裝置。這樣的電致發光裝置基於發光層的發光材料而分為無機發光裝置與有機發光裝置。
有機發光裝置可包含含有有機材料的有機發光層,其係設置於陽極電極與陰極電極之間。當分別施加陽極電壓與陰極電壓於陽極電極與陰極電極時,陽極電極注入的電洞通過電洞注入層與電洞傳輸層移動到發光層,而電子通過電子注入層與電子傳輸層移動到發光層。電洞與電子於發光層中再結合,使得產生激子,而當激子由激發態轉換至基態時,發光層發光而顯示影像。
這樣的有機發光裝置一般而言包含具有孔洞而顯露陽極電極的絕緣層(例如,像素定義層)、以及一般而言配置於通過絕緣層之孔洞而顯露之陽極電極上的發光層。
於有機發光裝置中,絕緣膜包含用於光微影製程的親液性(lyophilic)絕緣材料,蝕刻溶液,其包含的氟(fluorine)可能滲入絕緣膜,因此絕緣膜可包含氟(fluorine)。於這樣的實施例中,有機發光裝置的絕緣膜包含含有氟(fluorine)的親液性(lyophilic)絕緣材料,因此絕緣膜可包含氟(fluorine)。
這樣的有機發光裝置中,絕緣膜所包含的氟(fluorine)具有高擴散係數,使得氟(fluorine)可能擴散進入設置於孔洞內側的發光層而因此污染發光層。當發光層被汙染,則發光層的發光率可能降低,因此發光裝置的顯示品質降低,且發光層可能退化,因此發光裝置的壽命為低。
因此,本發明之例示性實施例提供的發光顯示裝置透過有效防止氟(fluorine)由絕緣層擴散至發光層而藉此有效防止發光層的汙染,以提升顯示品質與壽命。
本發明之例式性實施例進一步提供一種製造發光顯示裝置之方法。
本發明的附加特徵將於下文中描述之部分所闡述,而使部分對於所屬領域具有通常知識者經檢視下文而將變得顯而易見,而或可由本發明的實踐而了解。
於本發明之例式性實施例中,一種發光顯示裝置包含:基板;第一電極,設置於基板上的複數個像素區域中;絕緣膜,設置於基板上,其中定義於絕緣膜中的第一孔洞顯露第一電極;阻擋膜,設置於定義第一孔洞之絕緣膜之側表面上;發光層,設置於第一孔洞中與第一電極上,其中發光層與阻擋膜接觸;以及第二電極,設置於發光層上。
於本發明之其他的例式性實施例中,製造發光顯示裝置之方法包含:提供第一電極於基板上的各像素區域中;提供絕緣膜與形成第一孔洞於絕緣膜中而顯露基板上的第一電極;提供於絕緣膜之側表面上的阻擋層;提供於通過第一孔洞顯露之第一電極上的發光層,其中發光層與阻擋膜接觸;以及提供於發光層上的第二電極。
根據本發明之例式性實施例,阻擋膜設置於絕緣膜的側表面上,使得有效防止絕緣膜包含的氟(fluorine)擴散進入發光層,因而有效防止發光層被汙染。因此,於這樣的實施例中,可有效地防止發光層的發光率降低,因而改善發光裝置的顯示品質,且有效地防止發光層可能的退化,因而改善發光裝置的壽命。
於這樣實施例中,具有疏液性(lyophobic)特性之阻擋膜有效地侷限用於形成發光層之發光材料於絕緣膜的第一孔洞OP1中,使得提供發光層150的製程期間,於噴墨印刷製程或噴嘴印刷製程中可有效防止像素之第一孔洞中的發光材料進入鄰近像素之第一孔洞時,可能發生的發光層色彩混合(color mixing),因而可有效防止顯示品質的退化。
100、200‧‧‧發光顯示裝置
110‧‧‧基板
120‧‧‧第一電極
130、230‧‧‧絕緣膜
130a、230a‧‧‧絕緣材料
140、141、142、240、241、242‧‧‧阻擋膜
140a、240a‧‧‧石墨烯材料
150‧‧‧發光層
160、260‧‧‧第二電極
231‧‧‧第一部分
232‧‧‧第二部分
A、B‧‧‧部分
H1、H2‧‧‧高度
PX‧‧‧像素區域
NPX‧‧‧非像素區域
OP1‧‧‧第一孔洞
OP2‧‧‧第二孔洞
S10~S50‧‧‧步驟
本發明上述及其他特徵將經由下述結合附圖之詳細描述而變得更明顯,其中:第1圖係根據本發明之發光顯示裝置之例示性實施例的剖面圖;第2圖係第1圖中「A」部分的放大剖面圖;第3圖與第4圖係顯示第1圖之發光顯示裝置之阻擋膜之例示性實施例的剖面圖;第5圖係根據本發明之發光顯示裝置之替代的例示性實施例的剖面圖;第6圖係第5圖中「B」部分的放大剖面圖;第7圖與第8圖係顯示第5圖之發光顯示裝置之阻擋膜之例示性實施例的剖面圖;第9圖係根據本發明之用於製造發光顯示裝置之方法之例示性實施例的流程圖;第10圖至第16圖係顯示根據本發明之用於製造發光顯示裝置之方法之例示性實施例的剖面圖;以及第17圖至第21圖係顯示根據本發明之用於製造發光顯示裝置之方法之替代的例示性實施例的剖面圖。
下文中本發明將參考本發明之實施例顯示的附圖而使描述更完備。然而,本發明可以許多不同形式呈現,而不應該解釋為限制於本文所闡述的實施例。相反地,這些實施例的提供使得本公開是徹底且
完整,並將充分地傳達本發明之範圍至所屬領域具有通常知識者。文中相似的元件符號表示相同或相似的構件。
應了解的是當一元件或一層被指為在另一元件或另一層「上(on)」、「連接(connected to)」或「耦接(coupled to)」另一元件或另一層時,其可以是直接在其上、直接連接或耦接於另一元件或另一層,或者可能有中介元件或中介層存在。相反的,當一元件被指為「直接」在另一元件或另一層「上(on)」、「直接連接(directly connected to)」或「直接耦接(directly coupled to)」另一元件或另一層時,則無中介元件或層存在。文中相似的元件符號表示相同或相似的構件。在此,「及/或(and/or)」的用語係包含一或多個所列事項的任何及所有組合。
應理解的是,雖然在此可能使用第一、第二、第三等等用語描述各種元件、構件、區域、層、及/或部份,但這些元件、構件、區域、層、及/或部份不應該被這些用語所限制。這些用語僅用於分辨一元件、一構件、一區域、一層或一部份與另一區域、另一層或另一部份。
因此,以下討論的第一元件、第一構件、第一區域、第一層、或第一部份可改稱為第二元件、第二構件、第二區域、第二層、或第二部份而未脫離本發明之教示。
空間相關的用語,例如「之下(beneath)」、「下方(below)」、「下部(lower)」、「上方(above)」、「上部(upper)」以及其他相似用語,可用於本文中以便描述圖式中所繪示之元件或特徵與另一元件或特徵的關係。應理解的是,除了圖式中描繪的方位之外,空間相關的用語旨在包含使用或操作中裝置之不同方位。例如,如將圖式中的裝置翻轉,
描述在其他元件或特徵「下方(below)」或「之下(beneath)」的元件將被轉向為在其他元件或特徵的「之上(over)」或「上方(above)」。因此,例示性用語「下方(below)」可同時包含上方與下方的方向。裝置可轉向其他方位(旋轉90度或其他方位),而在此使用的空間相關的描述用語係據此做相對應的解釋。
在此所用之詞語係僅為描述特定實施例之目的而非用於限制本發明或任何特定實施例。當在此使用時,除非文中另行明確地表示,否則「一(a)」、「一(an)」、「該(the)」等單數型式亦旨在包含複數型式。更應理解的是,當用語「包含(includes)」及/或「包含(including)」用於說明書中時,係指明所述特性、整數、步驟、操作、元件及/或構件的存在,但是不排除一或更多其他特性、整數、步驟、操作、元件、構件及/或及其群組的存在或增添。
除非有其他定義,否則在此使用的所有用語(包含技術用語與科學用語)都有與此技術領域中的通常知識者的通常理解相同的意義。應更進一步理解的是,例如那些在通常使用之字典定義的用語應該解釋成具有與相關技術領域及/或本說明書之上下文中一致性的意義,且除非在此有明白地定義,否則不應做理想化或過度正式的解釋。
文中參照剖面圖所說明的實施例是描述理想實施例的示意圖。因此,例如製造技術與/或容許度可預期會導致其說明之形狀的變化。因此,本文所述實施例不應該被解釋為限制於本文所示之特定區域的形狀,而是包含,例如製造,所導致形狀的誤差。舉例來說,區域說明或描述為平坦時,一般而言可具有粗糙與/或非線性的特徵。此外,所
說明的銳角可以是圓形。因此,在圖中所說明的區域實際上為示意性,它們的形狀意不在說明區域的準確形狀,且意不在限制本文所闡述之申請專利權利要求的範疇。
本文中所描述的所有方法可以適合的順序執行,除非文中另有指出而或上下文明顯矛盾者。任何與所有使用的例子而或示例性言語(例如,例如(such as)),僅是為了更好地說明本發明,而非構成本發明之範疇的限制,除非專利申請範圍另有要求。在說明書中沒有言語是應該被解釋為指出任何非申請範圍的構件是作為本發明之實施中必要之使用。
在下文中,本發明技術之實施例將參考附圖加以詳細解釋。
第1圖係根據本發明之發光顯示裝置之例示性實施例的剖面圖,而第2圖係第1圖中「A」部分的放大剖面圖。
參照第1圖與第2圖,根據本發明之發光顯示裝置100之例示性實施例係包含基板110、第一電極120、絕緣膜130、阻擋膜140、發光層150、以及第二電極160。
基板110可包含定義像素區域PX與非像素區域NPX的絕緣基板。於例示性實施例中,像素區域PX可定義在相對於基板110之發光層150的區域,而剩餘的區域可定義為非像素區域NPX。於例示性實施例中,絕緣基板可包含透明玻璃材料,例如二氧化矽(SiO2)。於替代的例示性實施例中,絕緣基板可包含不透明材料或塑膠材料。於例示性實施例中,絕緣基板可為可撓式基板。
於例示性實施例中,儘管未繪示,但基板110可進一步包含配置於絕緣基板上的其他結構。於這樣實施例中,舉例來說,其他結構可包含線路、電極、以及絕緣膜等。於例示性實施例中,基板110可包含設置於絕緣基板上的複數個薄膜電晶體。複數個薄膜電晶體中之至少一個的汲極電極可電性連接第一電極120。於例示性實施例中,舉例來說,薄膜電晶體可包含主動區,其包含非晶矽、多晶矽、或單晶矽。於替代的例示性實施例中,薄膜電晶體可包含主動區,其包含氧化物半導體。
第一電極120係配置於基板110上的各像素區域PX中。第一電極120可為接收施加至薄膜電晶體之汲極電極之訊號且提供發光層150電洞的陽極電極,或為接收訊號且提供發光層150電子之陰極電極。
第一電極120可作為透明電極或反射電極的功能。於例示性實施例中,第一電極120作為透明電極的功能,第一電極120可包含氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、或氧化銦(indium oxide,In2O3)。於例示性實施例中,第一電極120作為反射電極的功能,第一電極120可包含反射膜,其包含銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt,)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir,)、鉻(Cr)或其化合物之至少其中之一與於其上之氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鈦(ZnO)、或氧化銦(indium oxide,In2O3)。
於例示性實施例中,絕緣膜130係配置於基板110上的各非像素區域NPX中,且定義各像素區域PX中至少顯露第一電極120之部分的空隙(例如,孔洞)。於這樣實施例中,絕緣膜130係配置用以定義基板
110上顯露第一電極120的第一孔洞OP1,而發光層150係設置於第一電極120上的第一孔洞OP1中。
於例示性實施例中,絕緣膜130可包含親液性(lyophilic)絕緣材料,舉例來說,矽氧化物(silicon oxide)、矽氮化物(silicon nitride)、或氮氧化矽(silicon oxynitride)。於替代的例示性實施例中,絕緣膜130可包含疏液性(lyophobic)絕緣材料,舉例來說,包含氟的絕緣材料。於此,親液性(lyophilic)的特性可指絕緣膜130與發光層150之發光材料涉及的接觸角度係相等或小於約略10°,而疏液性(lyophobic)的特性可指絕緣膜130與發光層150之發光材料涉及的接觸角度係相等或大於約略50°。
於例示性實施例中,絕緣膜130包含親液性(lyophilic)絕緣材料,透過使用親液性(lyophilic)絕緣材料之光微影製程可提供的絕緣膜130,使得含有氟(F)蝕刻溶液可滲入絕緣膜130,而因此絕緣膜130可含有氟(F)。於例示性實施例中,絕緣膜130包含疏液性(lyophobic)絕緣材料,絕緣膜130可包含含有氟(F)的疏液性(lyophobic)絕緣材料,使得絕緣膜130可含有氟(F)。
於例示性實施例中,阻擋膜140設置於絕緣膜130的側表面上。阻擋膜140可包含阻擋大於氦(He)原子並小於氟(F)原子之原子通過的石墨烯材料。於這樣的例示性實施例中,阻擋膜140有效地防止於絕緣膜130的氟(F)擴散進入發光層150,而因此有效地防止發光層150被汙染,使得有效地防止發光層150的發光率由於發光層150的汙染而降低。
因此,於這樣的例示性實施例中,有效地防止發光顯示裝置100的顯示品
質退化,且有效地防止發光顯示裝置100的壽命縮短。於例示性實施例中,如第2圖所示,相對於第一電極120之阻擋膜140的高度H1實質上相等或高於涉及相對於第一電極120上之發光層150的高度H2。因此,阻擋膜140有效地防止絕緣膜130中的氟(F)擴散進入發光層150。
於例示性實施例中,阻擋膜140包含具有疏液性(lyophobic)特性的石墨烯材料,使在提供發光層150的製程期間發光材料可有效地侷限在絕緣膜130的第一孔洞OP1中。因此,於提供發光層150的製程期間,於噴墨印刷製程或噴嘴印刷製程中可有效防止像素區域PX之第一孔洞OP1中的發光材料進入像素區域PX之第一孔洞OP1時,相鄰像素區域PX可能發生的發光層150色彩混合(color mixing)。
發光層150設置於絕緣膜130之第一孔洞OP1顯露的第一電極120上,且於絕緣膜130之第一孔洞OP1中接觸阻擋膜140。發光層150透過第一電極120提供之電洞與第二電極160提供之電子再結合而發光。於這樣實施例中,當提供電洞與電子至發光層150時,電洞與電子結合而形成激子,則在激子由激發態移動到基態時發光層150發光。於各像素區域PX中,發光層150可包含發出紅光的紅色發光層、發出綠光的綠色發光層、以及發出藍光的藍色發光層。發光層150可包含無機材料,其包含硒(Se)或鋅(Zn)、或低分子量或高分子量的有機材料。
第二電極160設置於發光層150上。於這樣實施例中,第二電極160可能為提供電子至發光層150的陰極電極或提供電洞至發光層150的陽極電極。於這樣實施例中,第二電極160可作為透明電極或反射電極的功能。
於例示性實施例中,發光顯示裝置100可進一步包含配置於第二電極160之上部上的封裝基板(未繪示)。封裝基板可為絕緣基板。
於這樣實施例中,可設置間隔於第二電極160與封裝基板之間。於替代的例示性實施例中,可省略封裝基板。於這樣實施例中,包含絕緣材料之封裝膜可覆蓋第二電極160之上部。
下文中,將描述第1圖顯示之發光顯示裝置之阻擋膜之替代的例示性實施例。
第3圖與第4圖係顯示第1圖之發光顯示裝置之阻擋膜之例示性實施例的剖面圖。
第3圖係顯示阻擋膜141由絕緣膜130之側表面向上部表面方向延伸的例示性實施例,用以覆蓋絕緣膜130之側表面與上部表面相互相交的角隅。於這樣實施例中,阻擋膜141有效地防止於絕緣膜130的氟(F)擴散進入發光層150,以致有效地防止發光層150被汙染。於這樣的例示性實施例中,噴墨印刷製程中或於提供發光層150的相似製程期間可有效防止像素區域PX之第一孔洞OP1中的發光材料進入相鄰像素區域PX之第一孔洞OP1時可能發生的發光層150色彩混合(color mixing)。
第4圖係顯示阻擋膜142由絕緣膜130之側表面向上部表面方向延伸之替代的例示性實施例,用以覆蓋實質上絕緣膜130之整個上部表面。於這樣實施例中,阻擋膜142有效地防止於絕緣膜130的氟(F)擴散進入發光層150,以致有效地防止發光層150被汙染。於這樣的例示性實施例中,在提供發光層150的製程期間,於噴墨印刷製程或噴嘴印刷製程中可有效防止像素區域PX之第一孔洞OP1中的發光材料進入發光材料進
入像素區域PX之第一孔洞OP1時,相鄰像素區域PX可能發生的發光層150色彩混合(color mixing)。
如上述所描述,發光顯示裝置100包含絕緣膜130之側表面上的阻擋膜140,有效地防止於絕緣膜130的氟(F)擴散進入發光層150,以致有效地防止發光層150被汙染。因此,於這樣的實施例中,有效地防止發光層150之發光率的降低,從而改善發光顯示裝置100的顯示品質,且有效地防止發光層150的退化,從而改善發光顯示裝置100的壽命。
於發光顯示裝置100的例示性實施例中,阻擋膜140本質上具有疏液性(lyophobic)特性且於提供發光層150於絕緣膜130之第一孔洞OP1中的製程期間係實質上且有效地侷限發光材料於絕緣膜130的第一孔洞OP1中,使得提供發光層150的製程期間,於噴墨印刷製程或噴嘴印刷製程中可有效防止像素區域PX之第一孔洞OP1中的發光材料進入相鄰像素區域PX之第一孔洞OP1時可能發生的發光層150色彩混合(color mixing),因而可有效防止顯示品質的退化。
接下來,將描述根據本發明之發光顯示裝置之替代的例示性實施例。
第5圖係根據本發明之發光顯示裝置之替代的例示性實施例的剖面圖,而第6圖係第5圖中「B」部分的放大剖面圖。
第5圖顯示之發光顯示裝置200的例示性實施例除絕緣膜230、阻擋膜240、以及第二電極260外其實質上係與第1圖之發光顯示裝置100的例示性實施例相同。於第7圖與上述第1圖所示之發光顯示裝置之
例示性實施例之描述之相同或相似的元件係標示為具有相同的特性,且任何重覆其之詳細描述可能被省略或簡化。
參照第5圖與第6圖,根據本發明之發光顯示裝置200之替代的例示性實施例係包含基板110、第一電極120、絕緣膜230、阻擋膜240、發光層150、以及第二電極260。
於這樣的實施例中,各非像素區域NPX中絕緣膜230之部分可分成相互間隔分開的兩個部分。於這樣的實施例中,絕緣膜230可包含設置於相鄰像素區域PX之間的第一部分231與第二部分232。於這樣的實施例中,絕緣膜230之第一部分231與第二部分232可相互間隔分開,使得可藉由各非像素區域NPX中第一部分231與第二部分232之間的間隔定義第二孔洞OP2。第二孔洞OP2可容納以噴墨印刷製程或用於提供發光層150之相似製程期間可能由第一孔洞OP1釋出的發光材料,因而有效防止像素區域PX之第一孔洞OP1的發光材料進入相鄰之像素區域PX的第一孔洞OP1。於這樣的實施例中,絕緣膜230可包含與第1圖所示之例示性實施例之絕緣膜130實質上相同的材料。
阻擋膜240實質上與第1圖所示之例示性實施例之阻擋膜140相同。於例示性實施例中,如第5圖與第6圖所示,阻擋膜240可設置於第一部分231之第一側表面上,係以定義第一孔洞OP1,與第二部分232之第一側表面上,係以定義第一孔洞OP1。於這樣的實施例中,阻擋膜240可不延伸至定義第二孔洞OP2之第一部分231之第二側表面上,或至定義第二孔洞OP2第二部分232之第二側表面上。
於這樣的實施例中,阻擋膜240有效地防止於絕緣膜230的氟(F)擴散進入發光層150,而因此有效地防止發光層150被汙染。因此,由於有效地防止發光層150的發光率由於發光層150的汙染而降低,發光顯示裝置200的顯示品質可有效地避免退化,且透過防止發光層150的退化而有效地防止發光顯示裝置100壽命的縮短。於例示性實施例,由於阻擋膜240在提供發光層150的製程期間係有效地侷限絕緣膜230之第一孔洞OP1中的發光材料,使得噴墨印刷製程或於提供發光層150的相似製程期間可有效防止像素區域PX之第一孔洞OP1中的發光材料進入相鄰像素區域PX之第一孔洞OP1時可能發生的發光層150色彩混合(color mixing)。於這樣的實施例中,由於配置的阻擋膜240係不延伸至第二孔洞OP2,即使在具有導電性的石墨烯材提供作為不具導電性之單層時,相鄰像素區域PX之間的發光層150係被有效地避免相互電性連接。
於這樣的實施例中,第二電極260實質上與第1圖所示之例示性實施例之第二電極160相同。於例示性實施例中,如第5圖與第6圖所示,藉由包含第一部分231與第二部分232之絕緣膜230所定義之第二孔洞OP2中的第二電極260具有於基板110之方向的凹槽狀。
接下來,將描述第5圖之發光顯示裝置之阻擋膜之替代的例示性實施例。
第7圖與第8圖係顯示第5圖之發光顯示裝置之阻擋膜之例示性實施例的剖面圖。
第7圖係顯示阻擋膜241之例示性實施例,其係由第一部分231之第一側表面向第一部分231之上部表面延伸,用以覆蓋第一部分
231之第一側表面與上部表面相互相交的角隅,且由第二部分232之第一側表面向第二部分232之上部表面延伸,用以覆蓋第二部分232之第一側表面與上部表面相互相交的角隅。於這樣的實施例中,阻擋膜241有效地防止於絕緣膜230的氟(F)擴散進入發光層150,而因此有效地防止發光層150被汙染。於這樣的例示性實施例中,像素區域PX之第一孔洞OP1中的發光材料可能發生以噴墨印刷製程或用於提供發光層150之相似製程而進入像素區域PX之第一孔洞OP1時,阻擋膜241可有效防止發光層150可能發生的色彩混合。於這樣的實施例中,由於所配置的阻擋膜241未與第二孔洞OP2連接,使得即使具有導電性的石墨烯材料提供做為不具導電性的單層時,也能有效防止相鄰像素區域PX之間之發光層150相互電性連接。
第8圖係顯示阻擋膜242之例示性實施例,其係由第一部分231之第一側表面向第一部分231之上部表面延伸以覆蓋實質上第一部分231之整個上部表面,以及由第二部分232之第一側表面向第二部分232之上部表面延伸,以覆蓋實質上第二部分232之整個上部表面。阻擋膜242可有效地防止於絕緣膜230的氟(F)擴散進入發光層150,而因此有效地防止發光層150被汙染。於這樣的例示性實施例中,像素區域PX之第一孔洞OP1中的發光材料可能發生以噴墨印刷製程或用於提供發光層150之相似製程而進入像素區域PX之第一孔洞OP1時,阻擋膜2423可有效防止發光層150可能發生的色彩混合。於這樣的實施例中,由於所配置的阻擋膜242未與第二孔洞OP2連接,使得即使具有導電性的石墨烯材料提供作
為不具有導電性的單層時,也能有效防止相鄰像素區域PX之間之發光層150相互電性連接。
如上述之描述,於這樣的例示性實施例中,由於發光顯示裝置200包含設置於絕緣膜230之側表面上或形成於第一部分231之第一側表面上與第二部分232之第一側表面的阻擋膜240,而使絕緣膜130的氟(F)有效地防止擴散進入發光層150,因此有效地防止發光層150被汙染。因此,有效地防止發光層150之發光率的降低,從而改善發光顯示裝置200的顯示品質,且有效地防止發光層150的退化,從而改善發光顯示裝置200的壽命。
於顯示裝置200這樣的例示性實施例中,在提供發光層150之製程期間,由於具有疏液性(lyophobic)特性之阻擋膜240有效地侷限發光材料於絕緣膜130的第一孔洞OP1中,使得提供發光層150的製程中,像素區域PX之第一孔洞OP1中的發光材料以噴墨印刷製程或噴嘴印刷製程進入像素區域PX之第一孔洞OP1時,可有效防止發光層150可能發生的色彩混合,因而可有效防止顯示品質的退化。
於顯示裝置200這樣的例示性實施例中,由於配置的阻擋膜240係不延伸至第二孔洞OP2,使得即使具有導電性的石墨烯材料提供作為不具有導電性的單層時,也能有效防止相鄰像素區域PX之間之發光層150相互電性連接
接下來,將描述根據本發明之製造發光顯示裝置100之方法的例示性實施例。
第9圖係根據本發明之用於製造發光顯示裝置之方法之例示性實施例的流程圖,而第10圖至第16圖係顯示根據本發明之用於製造發光顯示裝置之方法之例示性實施例的剖面圖。
參照第9圖,根據本發明之用於製造發光顯示裝置的方法包含提供第一電極(S10)、提供絕緣膜(S20)、提供阻擋膜(S30)、提供發光層(S40)、以及提供第二電極(S50)。
參照第10圖,第一電極120提供,例如形成,於各像素區域PX的基板110上。於這樣的例示性實施例中,可以透明電極材料或反射電極材料沉積於提供薄膜電晶體的基板110上,且可圖樣化沉積的透明電極材料或沉積的反射電極材料以提供第一電極120於基板110上。
參照第11圖與第12圖,絕緣膜130可提供於基板110上,且顯露第一電極120的第一孔洞OP1可形成於絕緣膜130中。
於這樣的例示性實施例中,如第11圖所繪示,絕緣材料130a實質上可使用沉積方法沉積於基板110之整個上部表面上,用以覆蓋第一電極120。於這樣的例示性實施例中,絕緣材料130a可能係絕緣膜130的材料,且其實質上與上述描述之絕緣材料相同,例如親液性(lyophilic)絕緣材料。
而後,如第12圖所繪示,藉由使用光微影製程圖樣化絕緣材料130a而形成第一孔洞OP1於絕緣膜130中。
參照第13圖與第14圖,於絕緣膜130之側表面上提供阻擋膜140。
於這樣的例示性實施例中,如第13圖所繪示,可施加石墨烯材料140a以覆蓋絕緣膜130與第一電極120。石墨烯材料140a可透過其上提供有絕緣膜130與第一電極120的基板110以熱浸法浸入,且接著從含有石墨烯材料140a之溶液的容器中取出而施加,但施加石墨烯材料140a的方法不以此方法所限制。
而後,如第14圖所繪示,使用光微影製程圖樣化石墨烯材料140a係以提供阻擋膜140。於這樣的例示性實施例中,絕緣膜130之側表面上對應於阻擋膜140之部分以外的區域之石墨烯材料140a,可由光微影製程中使用氧電漿(oxygen plasma)或臭氧電漿(ozone plasma)的蝕刻製程移除。
參照第15圖,發光層150係提供在透過第一孔洞OP1顯露的第一電極120上。於這樣的例示性實施例中,發光層150可藉由使用噴墨印刷之方法釋出發光材料於透過第一孔洞OP1顯露之第一電極120上而提供。發光材料包含用於提供發光層150的材料,且其實質上與上述描述之發光層150之例示性實施例的發光材料相同。
參照第16圖,第二電極160藉由使用沉積方法沉積透明電極材料或反射材料於發光層150上而提供。
儘管未繪示,但用於製造發光顯示裝置100之方法的例示性實施例可進一步包含於第二電極160之上部提供,例如配置,封裝基板。於這樣的例示性實施例中,用於製造發光顯示裝置100之方法可進一步包含於第二電極160與封裝基板之間提供,例如配置,間隔。
接下來,將參照第17圖與第21圖而描述根據本發明之製造發光顯示裝置200之方法之替代的例示性實施例。
第17圖至第21圖係顯示根據本發明之用於製造發光顯示裝置之方法之替代的例示性實施例的剖面圖。
於例示性實施例中,用於製造發光顯示裝置200之方法可包含第9圖中流程圖所示之方法。第17圖至第21圖中製造發光顯示裝置200之方法中除了提供絕緣膜之製程、提供阻擋膜之製程、以及提供第二電極之製程外,其實質上與上述描述之第10圖至第16圖中製造發光顯示裝置之方法相同。所示之第17圖至第21圖與上述第10圖至第16圖所示之發光顯示裝置之例示性實施例之描述之相同或相似的元件係標示為具有相同的特性,且任何重覆其之詳細描述可能被省略或簡化。
參照第17圖與第18圖,提供絕緣膜230於基板110上,其包含第一部分231與第二部分232,其中的第一孔洞OP1由相鄰像素區域PX之間顯露之第一電極120的間隔所定義,而第二孔洞OP2係定義在第一部分231與第二部分232之間。
於這樣的例示性實施例中,如第17圖所繪示,於提供,例如形成,第一電極120於各像素區域PX之基板110上後,使用沉積方法於基板110之整個表面上實質上沉積絕緣材料230a以覆蓋第一電極120。絕緣材料230a的材料實質上與上述描述之例示性實施例的絕緣材料相同。
接下來,如第18圖所繪示,絕緣膜230包含第一部分231與第二部分232,其係使用光微影製程圖樣化絕緣膜230而形成,其中定
義對應於第一電極120的第一孔洞OP1與位於相鄰之像素區域PX之間的第二孔洞OP2。
參照第19圖與第20圖,阻擋膜240是提供在絕緣膜230之側表面上。
於這樣實施例中,如第19圖所繪示,可施加石墨烯材料240a以覆蓋絕緣膜230與第一電極120。石墨烯材料240a可透過熱浸法而被施加,其中包含絕緣膜230與第一電極120設置於其上的基板110係先浸入包含石墨烯材料240a之溶液的容器中,而後取出,但施加石墨烯材料240a的方法不以此方法為限。
而後,如第20圖所繪示,藉由使用光微影製程圖樣化石墨烯材料240a而提供阻擋膜240。於這樣實施例中,對應於除了絕緣膜130之側表面以外之區域的石墨烯材料240a之部分,亦即,除了定義第一孔洞OP1之第一部分231之第一側表面的區域與定義第一孔洞之第二部分232之第一側表面的區域外,可於光微影製程中使用氧電漿(oxygen plasma)或臭氧電漿(ozone plasma)的蝕刻製程移除。
參照第21圖,發光層150係提供在透過第一孔洞OP1顯露的第一電極120上,而第二電極260是藉由使用沉積方法沉積透明電極材料或反射電極材料於發光層150上而提供。由絕緣膜230的第一部分231和第二部分232所定義之第二孔洞OP2中的第二電極260可具於基板110之方向有凹槽狀。
儘管本發明已具體地表示並參照其例示性實施例而描述,本國所屬技術領域中具有通常知識者應當理解,在不偏離本發明所定義
之下述申請專利範圍的精神和範疇下,可作出在形式和細節上的各種改變。
Claims (8)
- 一種發光顯示裝置,其包含:一基板;一第一電極,設置於該基板上之複數個像素區域之其中之一;一絕緣膜,設置於該基板上,其中顯露該第一電極之一第一孔洞係定義於該絕緣膜中;一阻擋膜,設置於定義該第一孔洞之該絕緣膜之至少一側表面上,該阻擋膜非連續地形成於相鄰的兩個該像素區域之間;一發光層,設置於該第一孔洞中與該第一電極上,其中該發光層接觸該阻擋膜;以及一第二電極,設置於該發光層上;其中該阻擋膜包含一石墨烯材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置,其中相對於該第一電極之該阻擋膜之一高度係實質上相等或高於相對於該第一電極之該發光層之一高度。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置,其中該阻擋膜從該絕緣膜之該側表面延伸至該絕緣膜之一上部表面,用以覆蓋該絕緣膜之該側表面與該上部表面相互相交之一角隅。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置,其中該絕緣膜包含一第一部分與一第二部分,其係相互間隔設置於相鄰之該複數個像素區域之間,以及一第二孔洞,定義於該絕緣膜之該第一孔洞與該第二部分之間。
- 如申請專利範圍第4項所述之發光顯示裝置,其中該阻擋膜係設置於該第一部分之一第一側表面上以定義該第一孔洞、以及該第二部分之一第一側表面上以定義該第一孔洞。
- 如申請專利範圍第5項所述之發光顯示裝置,其中該阻擋膜從該第一部分之該第一側表面延伸至該第一部分之一上部表面,用以覆蓋該第一部分之該第一側表面與該上部表面相互相交之一角隅,以及該阻擋膜從該第二部分之該第一側表面延伸至該第二部分之一上部表面,用以覆蓋該第二部分之該第一側表面與該上部表面相互相交之一角隅。
- 如申請專利範圍第5項所述之發光顯示裝置,其中該阻擋膜從該第一側表面延伸至該第一部分之一上部表面,以實質上覆蓋該第一部分之一整個上部表面,以及該阻擋膜從該第一側表面延伸至該第二部分之一上部表面,以實質上覆蓋該第二部分之一整個上部表面。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光顯示裝置,其中該絕緣膜包含一親液性(lyophilic)絕緣材料或一疏液性(lyophobic)絕緣材料,其係包含氟。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020130060516A KR102059014B1 (ko) | 2013-05-28 | 2013-05-28 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
??10-2013-0060516 | 2013-05-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201445787A TW201445787A (zh) | 2014-12-01 |
TWI639262B true TWI639262B (zh) | 2018-10-21 |
Family
ID=51964536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102137208A TWI639262B (zh) | 2013-05-28 | 2013-10-15 | 發光顯示裝置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8975811B2 (zh) |
KR (1) | KR102059014B1 (zh) |
CN (1) | CN104183616B (zh) |
TW (1) | TWI639262B (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108242452B (zh) * | 2016-12-27 | 2020-12-04 | 青岛翼晨镭硕科技有限公司 | 光子集成器件及其制作方法 |
CN108630728B (zh) * | 2017-03-24 | 2020-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层、有机电致发光器件及其制备方法和显示装置 |
CN106920828B (zh) * | 2017-03-29 | 2019-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示面板及制备方法 |
CN107275515B (zh) * | 2017-06-20 | 2019-12-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled器件封装方法、结构、oled器件及显示屏 |
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CN109698215A (zh) * | 2017-10-23 | 2019-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
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CN108511492B (zh) * | 2018-04-02 | 2021-06-04 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置 |
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CN109585518B (zh) * | 2018-12-17 | 2020-05-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板以及显示装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3705264B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2005-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
JP4857521B2 (ja) | 2004-01-09 | 2012-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
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KR100659757B1 (ko) | 2004-08-25 | 2006-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
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JP5258412B2 (ja) | 2008-06-24 | 2013-08-07 | キヤノン株式会社 | 発光素子、発光素子を用いた表示装置及び発光素子の製造方法 |
JP2010033931A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置 |
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KR101736462B1 (ko) | 2009-09-21 | 2017-05-16 | 한화테크윈 주식회사 | 그래핀의 제조 방법 |
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KR101244058B1 (ko) | 2010-04-15 | 2013-03-18 | 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 | 층상 자기조립법을 이용한 그래핀 투명 박막의 제조방법 |
KR101146991B1 (ko) * | 2010-05-07 | 2012-05-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR20120047541A (ko) | 2010-11-04 | 2012-05-14 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
-
2013
- 2013-05-28 KR KR1020130060516A patent/KR102059014B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-15 TW TW102137208A patent/TWI639262B/zh active
- 2013-10-21 US US14/058,715 patent/US8975811B2/en active Active
- 2013-12-04 CN CN201310646278.1A patent/CN104183616B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104183616B (zh) | 2018-10-02 |
TW201445787A (zh) | 2014-12-01 |
KR20140139864A (ko) | 2014-12-08 |
CN104183616A (zh) | 2014-12-03 |
US8975811B2 (en) | 2015-03-10 |
KR102059014B1 (ko) | 2019-12-26 |
US20140354139A1 (en) | 2014-12-04 |
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