KR102111460B1 - 반도체 발광소자를 이용한 차량용 램프 - Google Patents
반도체 발광소자를 이용한 차량용 램프 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102111460B1 KR102111460B1 KR1020180006733A KR20180006733A KR102111460B1 KR 102111460 B1 KR102111460 B1 KR 102111460B1 KR 1020180006733 A KR1020180006733 A KR 1020180006733A KR 20180006733 A KR20180006733 A KR 20180006733A KR 102111460 B1 KR102111460 B1 KR 102111460B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- insulating member
- semiconductor light
- electrode
- emitting device
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 region Substances 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AVMBSRQXOWNFTR-UHFFFAOYSA-N cobalt platinum Chemical compound [Pt][Co][Pt] AVMBSRQXOWNFTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000009131 signaling function Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
- F21S43/00—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights
- F21S43/10—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by the light source
- F21S43/13—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by the light source characterised by the type of light source
- F21S43/14—Light emitting diodes [LED]
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
- F21S43/00—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights
- F21S43/30—Signalling devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. brake lamps, direction indicator lights or reversing lights characterised by reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
Abstract
본 발명은 차량용 램프에 관한 것으로 특히, 반도체 발광소자를 이용한 차량용 램프에 관한 것이다. 본 발명에 따른 빛을 발광하는 광원부를 구비하는 차량용 램프에서, 상기 광원부는 자외선 영역의 광선을 투과하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 일면에 배치되는 제1전극, 상기 제1전극 일면에 배치되는 반도체 발광소자, 상기 반도체 발광소자를 감싸도록 형성되는 절연부재 및 상기 절연부재의 일면에 배치되는 제2전극을 구비한다. 상세하게 상기 절연부재는, 상기 반도체 발광소자가 삽입되도록 형성되는 제1절연부재 및 상기 반도체 발광소자와 상기 제1절연부재 사이에 배치되어 상기 반도체 발광소자를 감싸도록 형성되는 제2절연부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 차량용 램프에 관한 것으로 특히, 반도체 발광소자를 이용한 차량용 램프에 관한 것이다.
차량은 조명 기능이나 신호 기능을 가지는 다양한 차량용 램프를 구비하고 있다. 일반적으로, 할로겐 램프나 가스 방전식 램프가 주로 사용되어 왔으나, 최근에는 발광다이오드(LED; Light Emitting Diode)가 차량용 램프의 광원으로 주목 받고 있다.
발광다이오드의 경우 사이즈를 최소화함으로서 램프의 디자인 자유도를 높여줄 뿐만 아니라 반영구적인 수명으로 인해 경제성도 갖추고 있으나, 현재 대부분 패키지 형태로 생산되고 있다. 패키지가 아닌 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED) 자체는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광소자로서, 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 개발 중이다.
현재까지 개발된 차량용 램프는 패키지 형태의 발광 다이오드를 이용하는 것이기에 양산 수율이 좋지 않고 비용이 많이 소요될 뿐 아니라, 플렉서블의 정도가 약하다는 약점이 존재한다.
따라서, 최근에는, 패키지가 아닌 반도체 발광소자의 자체를 이용하여 면광원을 제조하여 차량용 램프에 적용하는 시도가 있다.
하지만, 반도체 발광소자를 이용하여 디스플레이 패널로 제작하기 위해서는 복잡한 후속 공정으로 인하여 높은 제조 비용이 발생하는 문제점이 있다. 또한, 디스플레이 패널이 넓을 경우에 반도체 발광소자의 조립에서 균일성 확보가 어려운 문제점이 있다.
이에, 본 발명에서는 반도체 발광소자를 포함하는 차량용 램프에서 대면적, 고수율로 제조 가능하고, 공정 비용을 절감할 수 있는 차량용 램프 및 차량용 램프의 제조 방법을 제시한다.
본 발명의 일 목적은 반도체 발광소자의 조립 공정에서 불량률을 감소시키고, 수율이 향상된 차량용 램프 및 차량용 램프의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 반도체 발광소자를 배치 및 고정하기 위한 공정에서 제조 비용이 절감된 차량용 램프 및 차량용 램프의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 빛을 발광하는 광원부를 구비하는 차량용 램프에 있어서, 상기 광원부는 자외선 영역의 광선을 투과하는 베이스 기판, 상기 베이스 기판의 일면에 배치되는 제1전극, 상기 제1전극의 일면에 배치되는 반도체 발광소자, 상기 반도체 발광소자를 감싸도록 형성되는 절연부재 및 상기 절연부재의 일면에 배치되는 제2전극을 구비하고, 상기 절연부재는, 상기 반도체 발광소자가 삽입되도록 형성되는 제1절연부재 및 상기 반도체 발광소자와 상기 제1절연부재 사이에 배치되어 상기 반도체 발광소자를 감싸도록 형성되는 제2절연부재를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제1전극은 자외선 영역의 광선을 투과하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에서, 상기 제1절연부재와 상기 제2절연부재는 서로 상이한 소재로 형성되고, 상기 제1절연부재는 불투명한 소재이고, 상기 제2절연부재는 자외선 영역의 광선을 흡수하여 경화되는 소재로 형성되는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에서, 상기 베이스 기판 및 상기 제1절연부재 사이에 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 차량용 램프의 제조방법에 있어서, 자외선 영역의 광선을 투과하는 베이스 기판 상에 제1전극을 배치하는 단계, 상기 제1전극 상의 적어도 일부에 형성되고, 반도체 발광소자가 삽입되도록 형성되는 제1절연부재를 배치하는 단계, 상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자를 전기적으로 연결시키고, 상기 제1절연부재 사이에 상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계, 상기 제1절연부재 및 상기 반도체 발광소자 사이에 자외선 영역의 광선을 흡수하여 경화가 가능한 소재로 형성되는 제2절연부재를 충전하는 단계, 상기 베이스 기판 방향에서 자외선 영역을 포함하는 광선을 조사하여 상기 제2절연부재를 경화시키는 단계 및 상기 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되도록 형성된 제2전극을 배치하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제1전극 상에 제1절연부재의 타면과 오버랩되는 영역에 반사층을 배치하는 단계를 더 포함한다.
일 실시예에서, 상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계에서는, 상기 제1전극 상에 금속 페이스트 및 솔더를 배치하여, 상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자가 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에서, 상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계에서는, 상기 제1전극 상에 자성체를 배치하여, 상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자가 자기력으로 부착되어 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에서, 상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계에서는, 상기 제1전극 상에 유도 자기력을 생성하도록 형성된 배선을 배치하여, 상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자가 상기 배선에서 형성된 유도 자기력으로 부착되어 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에서, 상기 제1전극과 상기 배선 사이의 적어도 일부에 절연층을 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 차량용 램프에 의하면, 제1절연부재에 반도체 발광소자를 삽입하여 반도체 발광소자의 배치의 정밀도를 향상시켜 제조공정 상에서 불량률이 감소되어 수율이 향상된 차량용 램프 및 차량용 램프의 제조방법을 제공할 수 있다.
나아가, 반도체 발광소자를 배치 및 고정하기 위해서 제1절연부재와 반도체 발광소자 사이에 자외선 영역의 광선을 흡수하여 경화되는 소재로 형성되는 제2절연부재를 충전하고 자외선을 포함하는 광선을 조사하여 반도체 발광소자를 고정시키므로 반도체 발광소자의 배치에 별도의 마스크 공정이 필요로 하지 않으므로 제조원가가 절감됨 차량용 램프 및 차량용 램프의 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1a는 차량용 램프의 일 실시예로서 리어 램프를 도시하는 개념도이다.
도 1b는 도 1a의 리어 램프가 발광된 상태를 나타내는 확대도이다.
도 2는 본 발명에 따른 차량용 램프의 광원부를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3는 도 2에서 살펴본 차량용 램프의 광원부를 A-A 면에서 바라본 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7 내지 도 8은 본 발명의 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 다른 실시예의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
도 1b는 도 1a의 리어 램프가 발광된 상태를 나타내는 확대도이다.
도 2는 본 발명에 따른 차량용 램프의 광원부를 설명하기 위한 사시도이다.
도 3는 도 2에서 살펴본 차량용 램프의 광원부를 A-A 면에서 바라본 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 7 내지 도 8은 본 발명의 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 다른 실시예의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 차량용 램프에는 전조등(헤드 램프), 미등, 차폭등, 안개등, 방향지시등, 제동등(브레이크 램프), 비상등, 후진등(테일 램프) 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시예에 따른 구성은 발광이 가능한 장치이기만 하면 추후 개발되는 새로운 제품형태에도 적용될 수도 있음은 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1a는 차량용 램프의 일 실시예로서 리어 램프를 도시하는 개념도이고, 도 1b는 도 1a의 리어 램프가 발광된 상태를 나타내는 확대도이다.
도 1a를 참조하면, 차량의 리어 램프(100)는 차량의 후면의 양측에 배치되며, 이를 통하여 차량의 후면 외관을 형성한다.
상기 리어 램프(100)는 미등, 방향지시등, 브레이크 램프, 비상등 및 테일 램프 등이 패키지 형태로 조합된 램프가 될 수 있다. 즉, 상기 리어 램프(100)는 차량의 제어에 따라 선택적으로 발광하는 복수의 램프들을 구비하게 된다.
이 경우에, 상기 복수의 램프들 중 적어도 하나는 기 설정된 모양(shape)을 발광하도록 형성될 수 있다. 이러한 예로서, 일 예로서, 브레이크 램프(100a)는 수평방향으로 길게 형성되며, 적어도 일부분에서 상하방향으로 커브드(curved)되도록 형성되어, 브레이크 램프(100a)의 형상에 대응되는 모양을 발광하도록 형성될 수 있다. 나아가, 상기 브레이크 램프는 상기 차량의 전방을 향하여 굽어질 수 있다. 이와 같은 3차원 형태의 복잡한 형상은 복수의 발광영역에 의하여 구현될 수 있다.
도 1b를 참조하면, 형상이 서로 다른 발광영역이 서로 조합되어, 상기 기설정된 모양을 구현하게 된다.
상기 발광영역에는 반도체 발광소자에 의하여 구현되는 광원부(1000)가 배치될 수 있다. 상기 광원부(1000)는 프레임을 통하여 차체에 고정될 수 있으며, 상기 프레임에는 광원부(1000)를 배치하기 위한 베이스 기판일 수 있다.
상기 광원부는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 플렉서블 광원부가 될 수 있다. 또한, 상기 광원부는 상기 발광영역에 해당하는 발광면을 가지는 면광원으로 구현될 수 있다.
이 경우에, 상기 광원부(1000)는 복수로 구비되어 상기 발광영역의 각각에 배치되거나, 하나의 광원부가 상기 모양 전체를 구현하도록 형성될 수 있다.
상기 광원부(1000)의 화소는 반도체 발광소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 수 내지 수십 마이크로미터 크기로 구성되는 발광소자가 될 수 있으며, 이를 통하여 상기 3차원의 공간상에서도 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 광원부에 대하여 살펴보면, 본 발명에 따른 광원부는 기판, 기판의 일면에 배치되는 복수의 반도체 발광소자들, 상기 반도체 발광소자를 감싸도록 형성되는 절연부재, 상기 반도체 발광소자들의 어느 일부와 전기적으로 연결되며 상기 절연부재의 일면에 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하도록 구성될 수 있다.
본 발명은, 차량용 램프에 있어서 반도체 발광소자의 조립 공정에서 불량률을 감소시키고, 반도체 발광소자를 배치 및 고정하기 위한 공정에서 제조 비용이 절감된 차량용 램프 및 차량용 램프의 제조방법을 제공하기 위한 것으로서, 이하, 첨부된 도면과 함께, 보다 구체적으로 살펴본다.
도 2는 본 발명에 따른 차량용 램프의 광원부를 설명하기 위한 사시도이고, 도 3은 도 2에서 살펴본 차량용 램프의 광원부를 A-A 면에서 바라본 단면도이다.
도 2와 도 3의 도시에 의하면, 차량용 램프의 광원부(1000)는 베이스 기판(1010), 베이스 기판(1010)의 일면에 배치되는 제1전극(1020), 제1전극(1020)의 일면에 배치되는 복수의 반도체 발광소자(1050), 반도체 발광소자(1050)를 감싸도록 형성되는 절연부재(1030), 절연부재(1030)의 일면에 형성된 제2전극(1040)을 포함할 수 있다.
베이스 기판(1010)은 다양한 재질로 이루어질 수 있으며, 플렉서블(flexible)하거나 또는 인플렉서블(inflexible)하게 이루어질 수 있다.
베이스 기판(1010)이 플렉서블하게 이루어지는 경우, 베이스 기판(1010)은 유리나 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면, 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 베이스 기판(1010)은 투명한 재질로 자외선 영역의 광선을 투과하는 것을 특징으로 한다.
베이스 기판(1010)의 일면에는 제1전극(1020)이 배치될 수 있다. 제1전극(1020)은 자외선 영역의 광선을 투과하는 것을 특징으로 한다. 이에, 제1전극(1020)은 투명 전극으로 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1전극(1020)은 ITO(Indium Tin Oxide 화합물), IZO(Indium Zinc Oxide 화합물) 및 AZO(Aluminum Zinc Oxide 화합물)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수도 있다.
또한, 제1전극(1020)과 반도체 발광소자(1050)의 제1도전형 전극(1056)은 서로 전기적인 결합을 가지도록 형성될 수 있다. 이에, 전도성 접착제(1060)를 사이에 두고 직접적으로 전기적으로 결합을 형성할 수 있다. 구체적으로, 전도성 접착제(1060)는 제1전극(1020) 상에 적층되어 반도체 발광소자(1050)와 제1전극(1020)을 물리적으로 접촉시킴으로써 전기적 연결을 형성할 수 있다. 전도성 접착제(1060)는배선 금속 페이스트(실버 페이스트, 주석 페이스트) 및 솔더로 형성할 수 있다. 전도성 접착제(1060)에 대한 열거 사항은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 제1전극(1020) 상에는 반도체 발광소자(1050)를 감싸도록 형성되는 절연성을 가지는 절연부재(1030)가 배치될 수 있다. 절연부재(1030)는 반도체 발광소자(1050)가 삽입되도록 형성되는 제1절연부재(1031) 및 반도체 발광소자(1050)와 제1절연부재(1031) 사이에 배치되어 상기 반도체 발광소자를 감싸도록 형성되는 제2절연부재(1032)를 포함한다. 제1절연부재(1031)와 제2절연부재(1032)는 서로 상이한 소재로 형성된다.
상세하게, 제1절연부재(1031)는 불투명한 소재로 특히 자외선 영역의 광선을 흡수 또는 차단하여 자외선 영역의 광선이 제1절연부재(1031)를 통과하지 않는 소재로 형성될 수 있다. 나아가 제1절연부재(1031)는 반사도가 높은 소재로 형성되어 반도체 발광소자(1050) 사이에서 격벽 역할을 수행하면서 광원부(1000)의 발광 효율을 개선할 수도 있다.
일 실시예에서, 제1절연부재(1031)는 광원부(1000)의 발광 효율을 개선하게 위하여 백색의 소재로 형성될 수도 있다. 제1절연부재(1031)가 백색의 소재로 형성되는 경우에는 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 빛을 발광면으로 효율적으로 방출될 수 있도록 할 수 있다.
제2절연부재(1032)는 자외선 영역의 광선을 흡수하여 경화되는 소재로 형성될 수 있다. 상세하게, 제2절연부재(1032)는 베이스 기판(1010)과 결합된 반도체 발광소자(1050)와 제1절연부재(1031) 사이에 채워질 수 있다.
한편, 제1전극(1020) 상에 제1전극(1020)의 일부와 오버랩되는 영역에 복수의 레이어(미도시)를 더 구비할 수도 있다. 제1전극(1020) 상에서 제2절연부재(1032)와 오버랩 되는 영역은 자외선 영역의 광선을 통과하는 소재로 복수의 레이어를 더 포함할 수 있다.
제1절연부재(1031)와 오버랩되는 영역은 자외선 영역의 광선이 통과되지 않는 소재가 더 적층될 수 있다. 상기 복수의 레이어는 반도체 발광소자(1050)와 제1전극(1020) 사이에 전기적 결합이 형성될 수 있다면 그 형태에 제한이 있는 것은 아니다.
일 실시예에서, 제1전극(1020) 상의 적어도 일부에 절연성을 가지는 레이어가 적층되어도 관통홀과 같은 구조를 통하여 제1전극(1020)과 반도체 발광소자(1050)의 제1도전형 전극(1056)과 전기적 결합을 형성할 수도 있다.
반도체 발광소자(1050)는 제1도전형 전극(1056), 제1도전형 전극(1056)이 형성되는 제1도전형 반도체층(1055), 제1도전형 반도체층(1055) 상에 형성된 활성층(1054), 활성층(1054) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(1053) 및 제2도전형 반도체층(1053) 상에 형성된 제2도전형 전극(1052)를 포함한다.
제1도전형 전극(1056) 및 제1도전형 반도체층(1055)은 각각 p형 전극 및 p형 반도체층이 될 수 있으며, 상기 제2도전형 전극(1052) 및 제2도전형 반도체층(1053)은 각각 n형 전극 및 n형 반도체층이 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제1도전형이 n형이 되고 제2도전형이 p형이 되는 예시도 가능하다.
일 실시예에서, 반도체 발광소자(1050)는 제1도전형 반도체층(1055)과 제2도전형 반도체층(1053)의 외면들을 덮도록 형성되는 패시베이션층(1057)을 포함한다. 예를 들어, 패시베이션층(1057)은 제1도전형 반도체층(1055)과 제2도전형 반도체층(1053)의 측면들과 하면들을 감싸도록 형성될 수 있다.
상세하게, 패시베이션층(1057)은 상기 반도체 발광소자의 측면을 감싸서, 반도체 발광소자(1050) 특성의 안정화를 기하도록 이루어지며, 절연 재질로 형성된다. 이러한 예로서, 패시베이션층(1057)은 실리콘 합성물 또는 산화물로 이루어지는 절연 박막이 될 수 있다.
일 실시예에서, 제2도전형 전극(1052)는 제2도전형 반도체층(1053)의 일부와 오버랩되도록 형성될 수 있다. 나아가, 제2도전형 전극(1052)은 제2전극(1040)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에, 제2전극(1040)은 반도체 발광소자(1050)의 제2도전형 전극(1056)과 전기적으로 연결되어 광원부(1000)가 작동하도록 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 제1전극(1020)과 제2전극(1040)은 사이에 절연부재(1030)을 구비하여 서로 전기적으로 단락될 수 있으며, 이에, 광원부(1000)가 작동하도록 형성될 수 있다.
이와 같이 베이스 기판(1010) 상에 배치된 제1절연부재(1031) 사이에 반도체 발광소자(1050)를 삽입하여 배치하므로 반도체 발광소자(1050)의 위치 정밀도가 향상될 수 있다. 나아가, 반도체 발광소자(1050)의 위치 정밀도가 향상되므로 제조공정 상에서 불량률이 감소되어 수율이 향상된 차량용 램프의 광원부(1000)를 제조할 수 있다.
이하 설명되는 다른 실시예에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 4는 본 발명에 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 4를 참조하면, 차량용 램프의 광원부는 제1전극(1020)의 일면의 반도체 발광소자(1050)가 배치되는 영역에 자성체(1061)가 형성될 수 있다. 자성체(1061)는 박막자석으로 형성될 수 있으며, 시마늄 코발트(SmCo) 또는 코발트 백금(CoPt)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수도 있다.
일 실시예에서, 자성체(1061)와 반도체 발광소자(1050)가 결합되기 위해서, 반도체 발광소자(1050)의 제1도전형 전극(1056)은 강자성(ferromagneism)을 가지는 물질로 철(Fe), 코발트(Co) 및 니켈(Ni)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수도 있다.
도 5는 본 발명에 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 5를 참조하면, 차량용 램프의 광원부는 베이스 기판(1010)과 제1절연부재(1031) 사이에 반사층(1021)을 더 포함할 수 있다. 반사층(1021)은 반사도가 높은 알루미늄(Al), 은(Ag) 및 금(Au) 중 어느 하나 이상을 포함하는 층을 더 포함할 수 있다. 나아가, 반사도가 높은 무기 절연층 또는 유기층을 복수의 레이어로 형성할 수도 있다. 이에, 반사층(1021)에 의하여 반도체 발광소자(1050)에서 방출되는 광을 반사시켜 발광면으로 광을 방출할 수 있으므로 발광효율이 향상될 수도 있다.
도 6은 본 발명에 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 제조방법을 나타낸 단면도들이다.
도 6을 참조하면, 도 6의 (a) 내지 (h)의 단계를 따른다.
일 실시예에서, (a)단계에서 자외선 영역의 광선을 투과하는 베이스 기판(1010)에 자와선 영역의 광선을 투과할 수 있는 제1전극(1020)을 배치시킨다.
(b)단계에서는 절연성을 가지는 제1절연부재(1031)를 배치한다. 상세하게, 제1절연부재(1031)는 반도체 발광소자(1050)가 삽입되도록 제1전극(1020) 상의 적어도 일부에 배치될 수 있다. 나아가, (b)단계에서는 제1전극(1020) 상에 제1절연부재(1031)의 타면과 오버랩되는 영역에 반사층을 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다.
(c)단계에서는 제1전극(1020) 상의 제1절연부재(1031)가 배치되지 않은 영역에 전도성 접착제(1060) 배치하고, (d)단계에서는 반도체 발광소자(1050)를 물리적 및 전기적으로 제1전극(1020)과 연결되도록 배치할 수 있다.
(e)단계에서는 제1절연부재(1031) 및 반도체 발광소자(1050) 사이에 자외선 영역의 파장을 흡수하여 경화가 가능한 소재로 형성되는 미경화 제2절연부재(1032a)를 충전할 수 있다.
(f)단계에서는 베이스 기판(1010)의 타면에서 자외선 영역을 포함하는 광선을 조사하여 미경화 제2절연부재(1032a)를 경화시킬 수 있다. 상세하게, 자외선 영역의 광선을 통과시키지 못하는 제1절연부재(1031) 및 반도체 발광소자(1050) 상에 도포된 미경화 제2절연부재(1032a)는 경화되지 않고, 제1절연부재(1031) 및 반도체 발광소자(1050) 사이에 자외선 영역의 파장을 흡수한 미경화 제2절연부재(1032a)는 경화될 수 있다. 이에, 미경화 제2절연부재(1032a)는 경화되어 반도체 발광소자(1050)를 감싸도록 형성되는 제2절연부재(1032)로 변환될 수 있다.
(g)단계에서는 미경화된 제1절연부재(1031) 및 반도체 발광소자(1050) 상에 도포된 제2절연부재(1032a)를 제거할 수 있다.
(h)단계에서는 반도체 발광소자(1050)와 전기적으로 연결되도록 형성된 제2도전형 전극(1052)을 배치하는 단계를 포함하여 광원부를 구비하는 차량용 램프를 제조할 수 있다.
전술된 제조방법을 따르면, 반도체 발광소자(1050)를 베이스 기판(1010) 및 제1전극(1020) 상에 배치 및 고정하기 위해서 제1절연부재(1031)와 반도체 발광소자(1050) 사이에 자외선 영역의 광선을 흡수하여 경화될 수 있는 미경화 제2절연부재(1032a)를 충전한다. 이어서, 미경화 제2절연부재(1032a)에 자외선 영역의 광선을 조사하여 제2절연부재(1032)를 형성하여 반도체 발광소자를 고정시키므로 반도체 발광소자의 배치에 별도의 마스크 공정이 필요로 하지 않으므로 제조원가가 절감됨 차량용 램프 및 차량용 램프의 제조방법을 제공할 수 있다.
이하 설명되는 다른 실시예의 제조방법에서는 앞선 예와 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일, 유사한 참조번호가 부여되고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음된다.
도 7 내지 도 8은 본 발명의 따른 광원부를 구비하는 차량용 램프의 다른 실시예의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
도 7을 참조하면, (c)단계에서 제1전극(1020)의 일면의 반도체 발광소자(1050)가 배치되는 영역에 자성체(1061)가 패턴을 이루며 형성될 수 있다. 자성체(1061)는 박막자석으로 형성될 수 있으며, 시마늄 코발트(SmCo) 또는 코발트 백금(CoPt)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수도 있다.
(d)단계에서, 자성체(1061)와 반도체 발광소자(1050)가 결합되기 위해서, 반도체 발광소자(1050)의 제1도전형 전극(1056)은 강자성(ferromagneism)을 가지는 물질로 철(Fe), 코발트(Co) 및 니켈(Ni)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수도 있다. 이에, 제1전극(1020)과 반도체 발광소자(1050)가 자기력으로 부착되어 전기적으로 연결될 수 있다.
후속되는 제2절연부재(1032)를 형성하기 위한 (e)단계 내지 (g)단계를 통하여 반도체 발광소자(1050)는 영구적으로 제1전극(1020)에 결합될 수 있다. 이에, 광원부를 구비하는 차량용 램프를 제조할 수 있다.
한편, 도 8을 참조하면, (b)단계에서 절연층(1070)이 더 배치된다. 절연층(1070)은 자외선 영역을 광선을 투과할 수 있는 소재로 이루어 질 수 있다.
(c)단계에서는 절연층(1070) 상에 배선(1062)을 형성할 수 있다. 제1전극(1020)과 배선(1062)에 교류 또는 직류 전압이 인가되어 국부적으로 형성되는 전기장이 형성될 수 있다.
(d)단계에서는 상기 전기장에 의하여 유도 자기력이 형성되면서, 유도 자기력에 의해 부착될 수 있는 소재로 이루어지는 제1도전형 전극(1056)과 배선(1062)이 물리적 및 전기적으로 연결될 수 있다. 나아가, 반도체 발광소자(1050)가 배선(1062)에 배치된 다음 제1전극(1020)과 배선(1062)이 서로 전기적으로 연결될 수 있도록 비아 홀을 형성할 수 있다. 상세하게, 상기 비아 홀에 도전물질을 채움으로써 제1전극(1020)과 배선(1062)의 전기적인 결합이 형성될 수 있다.
후속되는 제2절연부재(1032)를 형성하기 위한 (e)단계 내지 (g)단계를 통하여 반도체 발광소자(1050)는 영구적으로 고정될 수 있다. 이에, 광원부를 구비하는 차량용 램프를 제조할 수 있다.
이상에서 설명한 반도체 발광소자를 이용한 차량용 램프는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.
Claims (10)
- 빛을 발광하는 광원부를 구비하는 차량용 램프에 있어서,
상기 광원부는,
자외선 영역의 광선을 투과하는 베이스 기판;
상기 베이스 기판의 일면에 배치되는 제1 전극;
상기 제1 전극의 일면에 배치되는 반도체 발광소자;
상기 반도체 발광소자를 감싸도록 형성되는 절연부재; 및
상기 절연부재의 일면에 배치되는 제2 전극을 구비하고,
상기 절연부재는,
상기 반도체 발광소자가 삽입되도록 형성되는 제1 절연부재 및 상기 반도체 발광소자와 상기 제1 절연부재 사이에 배치되어 상기 반도체 발광소자를 감싸도록 형성되는 제2 절연부재를 포함하며,
상기 제1 절연부재와 상기 제2 절연부재는 서로 상이한 소재로 형성되고,
상기 제1 절연부재는 불투명한 소재이고, 상기 제2 절연부재는 자외선 영역의 광선을 흡수하여 경화되는 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는, 차량용 램프. - 제1항에 있어서,
상기 제1전극은 자외선 영역의 광선을 투과하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 베이스 기판 및 상기 제1절연부재 사이에 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프. - 자외선 영역의 광선을 투과하는 베이스 기판 상에 제1전극을 배치하는 단계;
상기 제1전극 상의 적어도 일부에 형성되고, 반도체 발광소자가 삽입되도록 형성되는 제1절연부재를 배치하는 단계;
상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자를 전기적으로 연결시키고, 상기 제1절연부재 사이에 상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계;
상기 제1절연부재 및 상기 반도체 발광소자 사이에 자외선 영역의 광선을 흡수하여 경화가 가능한 소재로 형성되는 제2절연부재를 충전하는 단계;
상기 베이스 기판 방향에서 자외선 영역을 포함하는 광선을 조사하여 상기 제2절연부재를 경화시키는 단계; 및
상기 반도체 발광소자와 전기적으로 연결되도록 형성된 제2전극을 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프의 제조방법. - 제5항에 있어서,
상기 제1전극 상에 제1절연부재의 타면과 오버랩되는 영역에 반사층을 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프의 제조방법. - 제5항에 있어서,
상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계에서는,
상기 제1전극 상에 금속 페이스트 및 솔더를 배치하여, 상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자가 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프의 제조방법. - 제5항에 있어서,
상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계에서는,
상기 제1전극 상에 자성체를 배치하여, 상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자가 자기력으로 부착되어 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프의 제조방법. - 제5항에 있어서,
상기 반도체 발광소자를 배치하는 단계에서는,
상기 제1전극 상에 유도 자기력을 생성하도록 형성된 배선을 배치하여, 상기 제1전극과 상기 반도체 발광소자가 상기 배선에서 형성된 유도 자기력으로 부착되어 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프의 제조방법. - 제9항에 있어서,
상기 제1전극과 상기 배선 사이의 적어도 일부에 절연층을 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180006733A KR102111460B1 (ko) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | 반도체 발광소자를 이용한 차량용 램프 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180006733A KR102111460B1 (ko) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | 반도체 발광소자를 이용한 차량용 램프 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190088321A KR20190088321A (ko) | 2019-07-26 |
| KR102111460B1 true KR102111460B1 (ko) | 2020-05-15 |
Family
ID=67469807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180006733A KR102111460B1 (ko) | 2018-01-18 | 2018-01-18 | 반도체 발광소자를 이용한 차량용 램프 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102111460B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102190064B1 (ko) * | 2019-08-23 | 2020-12-11 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102059014B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2019-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101803874B1 (ko) * | 2016-05-03 | 2017-12-04 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프 및 이의 제조방법 |
-
2018
- 2018-01-18 KR KR1020180006733A patent/KR102111460B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20190088321A (ko) | 2019-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107924962B (zh) | 发光器件 | |
| KR102029802B1 (ko) | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 | |
| US10914445B2 (en) | Vehicle lamp using semiconductor light emitting device | |
| KR101994440B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프 | |
| KR102498211B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프 | |
| US10400979B2 (en) | Vehicle lamp using semiconductor light emitting device | |
| WO2016047133A1 (ja) | 発光モジュール | |
| US10788182B2 (en) | Vehicle lamp using semiconductor light emitting device and method for controlling the same | |
| KR102111460B1 (ko) | 반도체 발광소자를 이용한 차량용 램프 | |
| KR102486969B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프 | |
| CN108461043B (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
| US10121940B1 (en) | Vehicle lamp using semiconductor light emitting device | |
| KR20200010890A (ko) | 반도체 발광소자를 이용한 차량용 램프 | |
| KR102142718B1 (ko) | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 | |
| KR102345250B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프 | |
| KR102526036B1 (ko) | 반도체 발광소자를 이용한 차량용 램프 | |
| KR101693868B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛 | |
| KR20190083567A (ko) | 반도체 발광소자를 이용한 차량용 램프 | |
| KR102420917B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프 | |
| KR200456087Y1 (ko) | 발광 다이오드의 개량된 패키지 | |
| KR20180095465A (ko) | 체적 감소형 광 모듈 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |