KR102498211B1 - 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프 - Google Patents

반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프에 관한 것으로, 상기 차량용 램프는 빛을 발광하는 광원부를 구비하며, 상기 광원부는, 배선전극이 형성되는 기판과, 상기 배선전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들, 및 상기 복수의 반도체 발광소자들의 상부에 배치되며, 빛의 파장을 변환하도록 형성되는 복수의 형광체부들을 구비하며, 상기 복수의 형광체부들은 기설정된 간격으로 이격되어 열과 행을 따라 배열되며, 주변의 반도체 발광소자들에 의하여 빛을 출력하도록 상기 복수의 반도체 발광소자들의 사이에 각각 배치되는 것을 특징으로 한다..

Description

반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프{CAR LAMP USING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 차량용 램프에 관한 것으로 특히, 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프에 관한 것이다.
차량은 조명 기능이나 신호 기능을 가지는 다양한 차량용 램프를 구비하고 있다. 일반적으로, 할로겐 램프나 가스 방전식 램프가 주로 사용되어 왔으나, 최근에는 발광다이오드(LED; Light Emitting Diode)가 차량용 램프의 광원으로 주목 받고 있다.
발광다이오드의 경우 사이즈를 최소화함으로서 램프의 디자인 자유도를 높여줄 뿐만 아니라 반영구적인 수명으로 인해 경제성도 갖추고 있으나, 현재 대부분 패키지 형태로 생산되고 있다. 패키지가 아닌 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED) 자체는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자로서, 정보 통신기기를 비롯한 전자장치의 표시 화상용 광원으로 개발 중이다.
현재까지 개발된 차량용 램프는 패키지 형태의 발광 다이오드를 이용하는 것이기에 양산 수율이 좋지 않고 비용이 많이 소요될 뿐 아니라, 플렉서블의 정도가 약하다는 약점이 존재한다. 따라서, 최근에는, 패키지가 아닌 반도체 발광 소자의 자체를 이용하여 점광원의 차량용 램프를 제조하려는 시도가 있다. 하지만, 불량 반도체 발광 소자가 존재하는 경우에, 외부에서 미점등 영역이 노출되는 문제가 있다. 이에 본 발명에서는 미점등 영역이 없으면서 점광원 형태로 빛을 출력하는 차량용 램프를 구현할 수 있는 새로운 메커니즘을 제시한다.
본 발명의 일 목적은 반도체 발광 소자가 대면적의 점광원이 될 수 있는 차량용 램프를 구현하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 일 목적은 불량 반도체 발광 소자가 존재하는 경우에도 미점등 영역이 없는 차량용 램프를 구현하기 위한 것이다.
본 발명의 목적들을 달성하기 위해 본 발명에 따른 차량용 램프는 도트 형태의 형광체를 반도체 발광소자의 사이에 배치하여, 미점등 영역이 없는 대면적의 점광원을 구현한다.
구체적으로, 본 발명에 따른 차량용 램프는 빛을 발광하는 광원부를 구비하며, 상기 광원부는, 배선전극이 형성되는 기판과, 상기 배선전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들, 및 상기 복수의 반도체 발광소자들의 상부에 배치되며, 빛의 파장을 변환하도록 형성되는 복수의 형광체부들을 구비하며, 상기 복수의 형광체부들은 기설정된 간격으로 이격되어 열과 행을 따라 배열되며, 주변의 반도체 발광소자들에 의하여 빛을 출력하도록 상기 복수의 반도체 발광소자들의 사이에 각각 배치된다.
실시예에 있어서, 상기 복수의 형광체부들은 각각 상기 주변의 반도체 발광소자들이 감싸는 영역의 내부에 배치된다. 상기 형광체부들의 중심은 상기 주변의 반도체 발광소자들이 감싸는 영역의 중앙에 배치될 수 있다. 상기 복수의 형광체부들과 상기 복수의 반도체 발광소자들은 상기 기판의 두께방향을 따라 서로 오버랩되지 않도록 배치될 수 있다.
실시예에 있어서, 상기 배선전극은 상기 복수의 반도체 발광소자들이 각각 오버랩되는 공통 전극면을 구비하며, 상기 공통전극면은 하부배선을 형성한다. 상기 복수의 반도체 발광소자들의 사이에는 절연물질이 충전되어 절연층을 형성하고, 상기 절연층에는 상기 복수의 반도체 발광소자에 연결되는 상부배선이 배치될 수 있다. 상기 하부배선은 상기 반도체 발광소자들의 p형 전극 및 n형 전극 중 어느 하나와 전기적으로 연결되며, 상기 상부배선은 상기 p형 전극 및 n형 전극 중 다른 하나와 연결되며, 라인 형태로 형성될 수 있다.
실시예에 있어서, 상기 형광체부들의 사이에는 광투과성 물질이 충전되고, 상기 형광체부들과 상기 광투과성 물질을 덮도록 컬러필터가 배치된다.
실시예에 있어서, 상기 차량용 램프는 상기 형광체부들의 사이에서 빛을 반사하도록 형성되는 반사부를 포함한다.
상기 반사부는 상기 복수의 반도체 발광소자들을 덮도록 평판으로 이루어지고, 상기 평판에는 상기 형광체부에 대응하는 관통홀이 형성될 수 있다. 상기 반사부의 하부에는 상기 복수의 반도체 발광소자들에서 출력되는 빛이 퍼지도록 돌출부가 형성될 수 있다. 상기 돌출부는 인접하는 형광체부로 빛을 반사하는 반사면을 구비할 수 있다. 상기 반사부의 면적은 상기 형광체부들의 면적보다 더 크도록 형성될 수 있다.
실시예에 있어서, 상기 복수의 반도체 발광소자들과 상기 형광체부의 사이에는 광학갭층이 형성된다. 상기 형광체부의 하부에는 상기 기판을 향하여 볼록한 형상으로 형성되는 렌즈가 배치될 수 있다.
본 발명에 따른 차량용 램프에서는, 반도체 발광소자들의 사이에서 도트 형태로 빛을 방출함에 따라, 불량 반도체 발광소자가 존재하는 경우에도 미점등이 없는 점광원의 발광을 구현한다.
또한, 점광원의 발광을 통하여, 본 발명은 새로운 형태의 차량용 램프를 제공할 수 있다.
또한, 형광체가 주변의 반도체 발광소자와 보간되는 공간에 위치함에 따라, 불량 반도체 발광소자가 존재하는 경우에도 주변부 밝기와 거의 차이가 없는 점광원이 구현된다. 또한, 이를 통하여 차량용 램프에서 위치별로 발생할 수 있는 발광 편차가 저감될 수 있다.
또한, 이러한 구조는 불량 반도체 발광소자에 대한 리페어가 필요하지 않으므로, 제조공정이 간단하며, 따라서 가격 및 공정 복잡성에서 장점을 가진다
도 1a는 차량용 램프의 일 실시 예로서 리어 램프를 도시하는 개념도이다.
도 1b는 도 1a의 리어 램프가 발광된 상태를 나타내는 확대도이다.
도 2는 도 1b의 A부분의 부분 확대도이다.
도 3a 및 도 3b는 도 2의 광원부의 평면도 및 단면도이다.
도 4는 도 3의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 리어 램프의 다른 실시예들들 나타내는 단면도들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 됨을 유의해야 한다.
또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 명세서에서 설명되는 차량용 램프에는 전조등(헤드 램프), 미등, 차폭등, 안개등, 방향지시등, 제동등(브레이크 램프), 비상등, 후진등(테일 램프) 등이 포함될 수 있다. 그러나, 본 명세서에 기재된 실시 예에 따른 구성은 추후 개발되는 새로운 제품형태이라도, 발광이 가능한 장치에는 적용될 수도 있음을 본 기술분야의 당업자라면 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1a는 차량용 램프의 일 실시 예로서 리어 램프를 도시하는 개념도이고, 도 1b는 도 1a의 리어 램프가 발광된 상태를 나타내는 확대도이다.
도 1a를 참조하면, 차량의 리어 램프(100)는 차량의 후면의 양측에 배치되며, 이를 통하여 차량의 후면 외관을 형성한다.
상기 리어 램프(100)는 미등, 방향지시등, 브레이크 램프, 비상등 및 테일 램프 등이 패키지 형태로 조합된 램프가 될 수 있다. 즉, 상기 리어 램프(100)는 차량의 제어에 따라 선택적으로 발광하는 복수의 램프들을 구비하게 된다.
이 경우에, 상기 복수의 램프들 중 적어도 하나는 기 설정된 모양(shape)을 발광하도록 형성될 수 있다. 이러한 예로서, 일 예로서, 브레이크 램프(100a)는 수평방향으로 길게 형성되며, 적어도 일부분에서 상하방향으로 커브드(curved)되도록 형성되어, 브레이크 램프(100a)의 형상에 대응되는 모양을 발광하도록 형성될 수 있다. 나아가, 상기 브레이크 램프는 상기 차량의 전방을 향하여 굽어질 수 있다. 이와 같은 3차원 형태의 복잡한 형상은 복수의 발광영역에 의하여 구현될 수 있다.
도 1b를 참조하면, 형상이 서로 다른 발광영역이 서로 조합되어, 상기 기설정된 모양을 구현하게 된다.
상기 발광영역에는 반도체 발광소자에 의하여 구현되는 광원부(1000)가 배치될 수 있다. 상기 광원부(1000)는 프레임을 통하여 차체에 고정될 수 있으며, 상기 프레임에는 광원부(1000)에 전원을 공급하기 위한 배선라인이 연결될 수 있다.
상기 광원부는 외력에 의하여 휘어질 수 있는, 구부러질 수 있는, 비틀어질 수 있는, 접힐 수 있는, 말려질 수 있는 플렉서블 광원부가 될 수 있다. 또한, 상기 광원부는 상기 발광영역에 해당하는 발광면을 가지는 면광원으로 구현될 수 있다.
이 경우에, 상기 광원부(1000)는 복수로 구비되어 상기 발광영역의 각각에 배치되거나, 하나의 광원부가 상기 모양 전체를 구현하도록 형성될 수 있다.
상기 광원부(1000)의 화소는 반도체 발광 소자에 의하여 구현될 수 있다. 본 발명에서는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자의 일 종류로서 발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)를 예시한다. 상기 발광 다이오드는 수 내지 수십 마이크로미터 크기로 구성되는 발광소자가 될 수 있으며, 이를 통하여 상기 3차원의 공간상에서도 화소의 역할을 할 수 있게 된다.
이하, 상기 발광 다이오드를 이용하여 구현된 상기 광원부에 대하여 보다 상세히 설명한다.
도 2는 도 1b의 A부분의 부분 확대도이고, 도 3a 및 도 3b는 도 2의 광원부의 평면도 및 단면도이며, 도 4는 도 3의 수직형 반도체 발광소자를 나타내는 개념도이다.
도 2, 도 3a, 도 3b 및 도 4의 도시에 의하면, 반도체 발광 소자를 이용한 광원부(100)로서 패시브 매트릭스(Passive Matrix, PM) 방식의 반도체 발광 소자를 이용한 경우를 예시한다. 다만, 이하 설명되는 예시는 액티브 매트릭스(Active Matrix, AM) 방식의 반도체 발광 소자에도 적용 가능하다.
상기 광원부(1000)는 베이스 기판(1010), 제1전극(1020), 절연층(1030), 제2전극(1040) 및 복수의 반도체 발광 소자(1050)를 포함한다.
베이스 기판(1010)은 전체 공정을 통해 구조가 형성되는 기본층(base layer)이며, 제1전극(1020)이 배치되는 배선기판이 될 수 있다. 상기 베이스 기판(1010)은 플렉서블(flexible) 광원부를 구현하기 위하여 유리나 폴리이미드(PI)를 포함할 수 있다. 또한, 베이스 기판(1010)은 박형 금속이 될 수 있다. 이외에도 절연성이 있고, 유연성 있는 재질이면 예를 들어 PEN(Polyethylene Naphthalate), PET(Polyethylene Terephthalate) 등 어느 것이라도 사용될 수 있다. 또한, 상기 기판(110)은 투명한 재질 또는 불투명한 재질 어느 것이나 될 수 있다.
한편, 상기 베이스 기판(1010)에는 방열 시트나 히트 싱크 등이 장착되어, 방열 기능이 구현될 수 있다. 이 경우에, 상기 제1전극(1020)이 배치되는 면의 반대면에 상기 방열 시트나 히트 싱크 등이 장착될 수 있다.
제1전극(1020)은 베이스 기판(1010) 상에 위치하며, 라인형태의 전극으로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제1전극(1020)은 상기 베이스 기판상에 배치되는 전극층이 될 수 있으며, 복수의 라인으로 구성되어 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다. 이와 같이, 상기 제1전극(1020)은 상기 반도체 발광소자의 배선이 되며, 따라서 상기 제1전극(1020)은 배선전극으로 지칭될 수 있다. 또한, 반도체 발광소자의 하부에 배치되므로, 상기 제1전극(1020)은 하부배선이 될 수 있다.
상기 제1전극(1020)과 상기 반도체 발광 소자(1050)는 솔더링 등에 의하여 결합될 수 있다. 이 경우에, 상기 절연층(1030)은 제1전극(1020)이 위치하는 베이스 기판(1010)상에 형성된다.
도시에 의하면, 반도체 발광소자의 사이 공간에 절연물질이 충전되어 상기 절연층(1030)을 형성하며, 절연성을 가진다. 또한, 상기 절연층(1030)은 연성을 가질 수 있으며, 이를 통하여 광원부에서 플렉서블이 가능하게 한다.
또한, 상기 절연층(1030)은 실리콘 옥사이드(SiOx) 등을 포함하는 투명 절연층이 될 수 있다. 다른 예로서, 상기 절연층(1030)에는 전극간의 short를 방지하기 위한 구조로 절연특성이 우수하고 광흡수가 적은 에폭시 혹은 methyl, phenyl 계열 실리콘 등의 고분자 물질 혹은, SiN, Al2O3 등의 무기 물질이 사용될 수 있다.
다른 예로서, 상기 절연층(1030)은 접착성 및 전도성을 가지는 층으로 대체될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연층(1030)은 이방성 전도성 필름(anistropy conductive film, ACF), 이방성 전도 페이스트(paste), 전도성 입자를 함유한 솔루션(solution) 등에 의하여 대체될 수 있다.
상기 이방성 전도성 필름은 이방성 전도매질(anisotropic conductive medium)이 절연성 베이스부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정 부분만 이방성 전도매질에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이하, 상기 이방성 전도성 필름에는 열 및 압력이 가해지는 것으로 설명하나, 상기 이방성 전도성 필름이 부분적으로 전도성을 가지기 위하여 다른 방법도 가능하다. 이러한 방법은, 예를 들어 상기 열 및 압력 중 어느 하나만이 가해지거나 UV 경화 등이 될 수 있다.
또한, 상기 이방성 전도매질은 예를 들어, 도전볼이나 전도성 입자가 될 수 있다. 도시에 의하면, 본 예시에서 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재에 혼합된 형태의 필름으로서, 열 및 압력이 가해지면 특정부분만 도전볼에 의하여 전도성을 가지게 된다. 이방성 전도성 필름은 전도성 물질의 코어가 폴리머 재질의 절연막에 의하여 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있으며, 이 경우에 열 및 압력이 가해진 부분이 절연막이 파괴되면서 코어에 의하여 도전성을 가지게 된다. 이때, 코어의 형태는 변형되어 필름의 두께방향으로 서로 접촉하는 층을 이룰 수 있다. 보다 구체적인 예로서, 열 및 압력은 이방성 전도성 필름에 전체적으로 가해지며, 이방성 전도성 필름에 의하여 접착되는 상대물의 높이차에 의하여 Z축 방향의 전기적 연결이 부분적으로 형성된다.
다른 예로서, 이방성 전도성 필름은 절연 코어에 전도성 물질이 피복된 복수의 입자가 함유된 상태가 될 수 있다. 이 경우에는 열 및 압력이 가해진 부분이 전도성 물질이 변형되어(눌러 붙어서) 필름의 두께방향으로 전도성을 가지게 된다. 또 다른 예로서, 전도성 물질이 Z축 방향으로 절연성 베이스 부재를 관통하여 필름의 두께방향으로 전도성을 가지는 형태도 가능하다. 이 경우에, 전도성 물질은 뽀족한 단부를 가질 수 있다.
도시에 의하면, 상기 이방성 전도성 필름은 도전볼이 절연성 베이스 부재의 일면에 삽입된 형태로 구성되는 고정배열 이방성 전도성 필름(fixed array ACF)가 될 수 있다. 보다 구체적으로, 절연성 베이스부재는 접착성을 가지는 물질로 형성되며, 도전볼은 상기 절연성 베이스부재의 바닥부분에 집중적으로 배치되며, 상기 베이스부재에서 열 및 압력이 가해지면 상기 도전볼과 함께 변형됨에 따라 수직방향으로 전도성을 가지게 된다.
다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 이방성 전도성 필름은 절연성 베이스부재에 도전볼이 랜덤하게 혼입된 형태나, 복수의 층으로 구성되며 어느 한 층에 도전볼이 배치되는 형태(double-ACF) 등이 모두 가능하다.
이방성 전도 페이스트는 페이스트와 도전볼의 결합형태로서, 절연성 및 접착성의 베이스 물질에 도전볼이 혼합된 페이스트가 될 수 있다. 또한, 전도성 입자를 함유한 솔루션은 전도성 particle 혹은 nano 입자를 함유한 형태의 솔루션이 될 수 있다.
베이스 기판(1010) 상에 제1전극(1020)이 위치하는 상태에서, 예를 들어 이방성 전도성 필름을 위치시킨 후에, 반도체 발광 소자(1050)를 열 및 압력을 가하여 접속시키면, 상기 반도체 발광 소자(1050)가 제1전극(1020)과 전기적으로 연결된다. 이 때, 상기 반도체 발광 소자(1050)는 제1전극(1020) 상에 위치되도록 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 이방성 전도성 필름은 접착 성분을 함유하기 때문에, 접착층(1030)은 반도체 발광 소자(1050)와 제1전극(1020) 사이에서 전기적 연결뿐만 아니라 기계적 결합까지 구현한다.
또 다른 예로서, 상기 접착층은 Eutectic bonding을 위한 주석계열 alloy, Au, Al 또는 Pb 등을 구비하며, 상기 기판과 상기 반도체 발광소자는 Eutectic bonding에 의하여 결합될 수 있다.
반도체 발광 소자(1050)는 휘도가 우수하므로, 작은 크기로도 개별 단위 픽셀을 구성할 수 있다. 이와 같은 개별 반도체 발광 소자(1050)의 크기는 한 변의 길이가 80㎛ 이하일 수 있고, 직사각형 또는 정사각형 소자일 수 있다. 이 경우에, 단일 반도체 발광소자의 면적은 10-10~10-5m2 의 범위를 가지며, 발광소자 간 간격은 100um~10mm 의 범위를 가질 수 있다.
한편, 상기 반도체 발광 소자(1050)는 수직형 구조가 될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 반도체 발광 소자는 플립 칩 타입(flip chip type)의 발광 소자가 될 수 있다.
수직형 반도체 발광 소자들의 사이에는 복수의 제2전극(1040)이 위치하며, 상기 복수의 제2전극(1040)은 상기 반도체 발광 소자(1050)와 전기적으로 연결된다.
도 4를 참조하면, 이러한 수직형 반도체 발광 소자는 p형 전극(1156), p형 전극(1156) 상에 형성된 p형 반도체층(1155), p형 반도체층(1155) 상에 형성된 활성층(1154), 활성층(1154)상에 형성된 n형 반도체층(1153) 및 n형 반도체층(1153) 상에 형성된 n형 전극(1152)을 포함한다. 이 경우, 하부에 위치한 p형 전극(1156)은 제1전극(1020)과 접착층(1030)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있고, 상부에 위치한 n형 전극(1152)은 후술하는 제2전극(1040)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 수직형 반도체 발광 소자(1050)는 전극을 상/하로 배치할 수 있으므로, 칩 사이즈를 줄일 수 있다는 큰 강점을 가지고 있다.
상기 n형 전극(1152) 및 p형 전극(1156)은 스퍼터링 등의 증착 방법으로 형성될 수 있으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 이 때에, 상기 n형 전극(1152)은 제2도전형 전극이 되고, 상기 p형 전극(1156)은 제1도전형 전극이 될 수 있다. 또한, p형 반도체층은 제1도전형 반도체층이 되고, n형 반도체층은 제2도전형 반도체층이 될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 진성 또는 도핑된 반도체기판에 불순물을 주입하여, 상기 제1도전형 및 제2도전형 반도체층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 불순물 주입에 의하여 p-n 접합이 형성된 영역이 상기 활성층과 같은 역할을 할 수도 있다. 따라서, 이하 설명하는, p형 반도체층, n형 반도체층 및 활성층에 대한 열거 사항은 예시적일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
다시 도 2, 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 상기 절연층(1030)에는 상기 복수의 반도체 발광소자에 연결되는 상부배선이 배치된다. 예를 들어, 상기 제2전극(1040)은 반도체 발광 소자들(1050)과 전기적으로 연결되고, 상기 절연층(1030)의 일면에 배치될 수 있다.
이 경우에, 상기 하부배선은 상기 반도체 발광소자들의 p형 전극(1156) 및 n형 전극(1152) 중 어느 하나와 전기적으로 연결되며, 상기 상부배선은 상기 p형 전극(1156) 및 n형 전극(1152) 중 다른 하나와 연결될 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 n형 전극(1152)이 상기 제2전극(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 절연층(1030)이 이방성 전도필름 등으로 대체되는 경우에는 상기 제2전극(1040)은 상기 이방성 전도필름 상에 위치할 수 있다.
상기 제2전극(1040)은 반도체 발광 소자들(1050) 사이에 위치하는 복수의 라인이 될 수 있으며, 반도체 발광 소자들(1050)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(1050)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(1040)은 일 방향으로 긴 바(bar) 형태의 전극으로 형성되어, 상기 반도체 발광 소자들(1050)의 열들 사이에 위치할 수 있다. 이 경우에, 개별 화소를 이루는 반도체 발광 소자(1050) 사이의 거리가 충분히 크기 때문에 제2전극(1040)은 반도체 발광 소자들(1050) 사이에 위치될 수 있다.
도시에 의하면, 제2전극(1040)과 반도체 발광 소자(1050)는 제2전극(1040)에서 돌출된 연결 전극에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 연결 전극이 반도체 발광 소자(1050)의 n형 전극(1152)이 될 수 있다. 예를 들어, n형 전극(1152)은 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 전극으로 형성되며, 상기 제2전극(1040)은 인쇄 또는 증착에 의하여 오믹 전극의 적어도 일부를 덮게 된다. 이를 통하여 제2전극(1040)과 반도체 발광 소자(1050)의 n형 전극(1152)이 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 도시에 의하면, 상기 광원부는 복수의 형광체부들(1080)을 구비한다.
상기 복수의 형광체부들(1080)은 상기 복수의 반도체 발광소자들의 상부에 배치되며, 빛의 파장을 변환하도록 이루어진다.
예를 들어, 반도체 발광 소자(1050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자(1151)이고, 이러한 청색(B) 광을 다른 색상으로 변환시키기 위한 형광체부들(1080)이 구비될 수 있다.
이 경우에, 형광체부들(1080)은 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체, 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체 또는 청색 광을 백색(W) 광으로 변환시킬 수 있는 황색 형광체 중 어느 하나를 구비할 수 있다. 다른 예로서, 또한, 적색 형광체 및 녹색 형광체를 전부 구비하여, 여러 파장의 광을 혼합하여, 백색 광을 구현할 수 있다.
본 실시예에서는, 적색 광을 출력하는 리어 램프(100)를 예시하므로, 상기 형광체부들(1080)은 적색 형광체를 구비한다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, GaAs 계열의 적색 반도체 발광소자를 사용할 경우 형광체가 아닌 광 확산 필름이 형광체부에 이용될 수 있다. 또한, 광추출 효율을 향상시키기 위해 패턴된 시트가 형광체부의 상부 또는 하부에 삽입될 수 있다.
이 경우에, 상기 반도체 발광소자(1050)와 상기 형광체부(1080)의 사이에는 광학갭층(1071)이 존재할 수 있다. 상기 광학갭층(1071)은 상기 반도체 발광소자(1050)와 상기 형광체층(1080)의 사이에서 갭을 형성하고, 빛의 추출 효율을 높이기 위한 재질로 채워지는 레이어가 될 수 있다. 이러한 예로서, 상기 광학갭층(1071)은 광흡수가 적고 bending 특성이 우수한 에폭시, 아크릴, 혹은 methyl, phenyl 계열 실리콘 등의 재질로 이루어질 수 있다. 또한, 광효율 최적화를 위해 패턴된 시트가 삽입되거나, 굴절률이 다른 입자가 혼합될 수 있다.
상기 반도체 발광소자(1050)와 상기 형광체부(1080)의 사이에 광학갭층이 형성됨에 따라, 굴절률 차이에 의하여 빛이 누수되는 것이 완화 또는 방지될 수 있다. 에어의 굴절률이 약 1 이고, 형광체부의 굴절률은 이보다 큰 값(예를 들어, 1.3 내지 1.5)으로 설정되므로, 빈 공간이 존재하는 경우에는 형광체부(1080)로 빛이 입사하는 량이 저감될 수 있다.
한편, 이 때에 컬러 필터(1072)가 상기 형광체부들(1080)에 적층되어 변환된 광의 색순도를 향상시키는 것도 가능하다. 이 경우에, 컬러 필터(1072)는 적색의 파장만 투과하고 나머지는 필터링하는 필터가 될 수 있다.
또한, 수분, 산소 및 외부충격으로부터 광원부를 보호하기 위하여 상기 컬러 필터(1072)를 보호층(미도시)이 덮도록 형성될 수 있다. 이 때에, 상기 보호층은 필름 접함 또는 레진 코팅을 통하여 구현될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 복수의 형광체부들(1080)은 기설정된 간격으로 이격되어 열과 행을 따라 배열되며, 주변의 반도체 발광소자들에 의하여 빛을 출력하도록 상기 복수의 반도체 발광소자들(1050)의 사이에 각각 배치된다. 즉, 상기 복수의 형광체부들(1080)과 상기 복수의 반도체 발광소자들(1050)은 상기 기판의 두께방향을 따라 서로 오버랩되지 않도록 배치된다.
예를 들어, 상기 복수의 형광체부들(1080)은 도트 형태로 반도체 발광소자의 사이에 배치되어, 미점등 영역이 없는 대면적의 점광원을 구현한다. 보다 구체적으로, 상기 복수의 형광체부들(1080)의 사이에는 광투과성 물질(1073)이 충전되며, 상기 복수의 형광체부들(1080)과 함께 파장변환시트(1070)를 형성할 수 있다.
상기 파장변환시트(1070)에서 광투과성 물질(1073)이 충전되는 영역은 주변의 반도체 발광소자들에 의하여 감싸지는 영역이 될 수 있다. 이 경우에, 상기 복수의 형광체부들은 각각 상기 주변의 반도체 발광소자들이 감싸는 영역의 내부에 배치될 수 있다. 이러한 구조에 의하면, 상기 파장변환시트(1070)에서 광투과성 물질(1073)이 충전되는 영역을 통과한 빛과, 형광체부들(1080)을 통과한 빛은 파장이 서로 달라지게 된다.
상기 형광체부들(1080)과 상기 광투과성 물질(1073)을 덮도록 컬러 필터(1072)가 배치되며, 따라서 다른 파장을 가지는 빛이 컬러 필터(1072)를 투과하면서, 육안으로 차이를 알 수 있는 제1적색과 제2적색이 생성된다. 상기 제1적색은 광투과성 물질이 충전되는 영역에서 발광되는 빛으로서 면광원으로서 빛을 출력하여, 리어 램프의 전체적인 빛 발광을 담당한다. 이와 달리, 제2적색은 형광체부들(1080)에서 발광되는 빛으로서 점광원으로서 빛을 출력하며, 도트 형태로 빛을 발광한다. 면광원과 점관원의 조합에 의하여, 제1적색을 출력하는 영역내에 제2적색이 도트 형태로 존재하는 새로운 형태의 리어 램프가 구현될 수 있다.
도시에 의하면, 상기 형광체부들(1080)의 중심은 상기 주변의 반도체 발광소자들(1050)이 감싸는 영역의 중앙에 배치될 수 있다. 보다 구체적으로, 형광체 도트의 중심과 주변부 반도체 발광소자의 거리가 동일하도록 상기 형광체부들(1080)이 위치하게 된다. 이를 통하여, 형광체 도트들 사이에서 밝기 편차가 저감될 수 있다.
상기에서 설명된 구조에 의하면, 형광체가 주변의 반도체 발광소자와 보간되는 공간에 위치함에 따라, 불량 반도체 발광소자가 존재하는 경우에도 주변부 밝기와 거의 차이가 없는 점광원이 구현된다.
한편, 상기 불량 반도체 발광소자가 존재하는 경우에도 주변부 밝기와 거의 차이가 없는 점광원은 여러가지 형태로 변형된 구조로 구현될 수 있다. 이하, 이러한 변형예에 대하여 설명한다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 리어 램프의 다른 실시예들들 나타내는 단면도들이다.
도 5의 도시에 의하면, 리어 램프는 도트 형태로 배치되며, 반도체 발광소자의 사이에 위치하는 복수의 형광체부들을 구비할 있다. 이 경우에, 리어 램프의 광원부는 전술한 예시와 마찬가지로, 베이스 기판(2010), 제1전극(2020), 절연층(2030), 파장변환시트(2070), 제2전극(2040) 및 복수의 반도체 발광 소자(2050)를 포함한다. 이 경우에, 상기 제1전극과 파장변환시트 이외의 구조는 전술한 예시와 동일한 구조가 될 수 있으며, 따라서 이에 대한 설명은 전술한 내용으로 갈음한다.
예를 들어, 제1전극(2020)은 베이스 기판(2010) 상에 위치하며, 상기 복수의 반도체 발광소자들이 각각 오버랩되는 공통 전극면(2021)을 구비한다. 상기 제1전극(2020)은 상기 베이스 기판상에 배치되는 면형태의 전극층이 될 수 있으며, 데이터 전극의 역할을 하도록 이루어질 수 있다. 상기 공통 전극면(2021)은 상기 반도체 발광소자의 공통전극이 되며, 배선전극으로 지칭될 수 있다. 또한, 반도체 발광소자의 하부에 배치되므로, 상기 공통 전극면(2021)은 하부배선이 될 수 있다.
상기 공통 전극면(2021)은 상기 복수의 반도체 발광소자(2050)의 사이에서 빛을 반사하도록 상기 복수의 반도체 발광소자(2050)의 사이를 덮게 되며, 이를 통하여 고반사 전극층의 구조가 구현되어 광효율을 높아질 수 있다. 상기 공통 전극면(2021)은 10 내지 100000 개의 반도체 발광소자들과 오버랩될 수 있으며, 상기 반도체 발광소자(2050)는 어레이 형태로 상기 공통 전극면(2021)을 덮게 된다.
예를 들어, 상기 복수의 반도체 발광소자(2050)는 매트릭스 형태를 이루며, 상기 공통 전극면(2021)은 상하좌우 방향을 따라 반도체 발광소자(2050)와 오버랩되는 구조를 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 상기 복수의 반도체 발광소자(2050)는 열과 행을 따라 배열되고, 상기 공통 전극면(2021)은 상기 열과 행을 따라 배열된 복수의 반도체 발광소자(2050)가 각각 오버랩되도록 형성될 수 있다.
다른 예로서, 상기 전극층은 복수의 단위 전극층들을 구비하며, 상기 단위 전극층들(미도시)은 각각 복수의 반도체 발광소자들에 대응하는 크기로 형성되는 단위 공통 전극면들(미도시)을 구비할 수 있다. 상기 단위 공통 전극면들이 서로 전기적으로 연결되어 용이하게 대면적의 면광원이 구현될 수 있다. 이 경우에, 구조상 다양한 제작크기 및 형태에 대응 가능하며 단위 면광원을 교체할 수 있어 제품수명 및 수리가 용이하게 될 수 있다. 상기 제1전극(2020)과 상기 반도체 발광 소자(2050)는 전술한 바와 같이 솔더링 등에 의하여 결합되거나 이방성 도전필름에 의하여 결합될 수 있다.
이와 달리, 상부배선인 제2전극(2040)은 반도체 발광 소자들(2050) 사이에 위치하고, 반도체 발광 소자들(2050)과 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 반도체 발광 소자들(2050)은 복수의 열로 배치되고, 제2전극(2040)은 반도체 발광 소자들(2050)의 열들 사이에 위치할 수 있다. 상기 제2전극(2040)에 대한 보다 상세한 설명은 도 2 내지 도 4를 참조하여 전술한 내용으로 갈음한다.
한편, 도시에 의하면, 상기 광원부는 복수의 형광체부들(2080)을 구비한다.
상기 복수의 형광체부들(2080)은 상기 복수의 반도체 발광소자들의 상부에 배치되며, 빛의 파장을 변환하도록 이루어진다.
예를 들어, 반도체 발광 소자(2050)는 청색(B) 광을 발광하는 청색 반도체 발광 소자이고, 이러한 청색(B) 광을 다른 색상으로 변환시키기 위한 형광체부들(2080)이 구비될 수 있다.
이 경우에, 형광체부들(2080)은 청색 광을 적색(R) 광으로 변환시킬 수 있는 적색 형광체, 청색 광을 녹색(G) 광으로 변환시킬 수 있는 녹색 형광체 또는 청색 광을 백색(W) 광으로 변환시킬 수 있는 황색 형광체 중 어느 하나를 구비할 수 있다. 다른 예로서, 또한, 적색 형광체 및 녹색 형광체를 전부 구비하여, 여러 파장의 광을 혼합하여, 백색 광을 구현할 수 있다.
전술한 예시와 마찬가지로, 상기 형광체부들(2080)은 적색 형광체를 구비한다. 다만, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, GaAs 계열의 적색 반도체 발광소자를 사용할 경우 형광체가 아닌 광 확산 필름이 형광체부에 이용될 수 있다. 또한, 광추출 효율을 향상시키기 위해 패턴된 시트가 형광체부의 상부 또는 하부에 삽입될 수 있다.
이 경우에, 상기 반도체 발광소자(2050)와 상기 형광체부(2080)의 사이에는 광학갭층(2071)이 존재할 수 있다. 상기 광학갭층(2071)에 대한 상세한 설명은 도 2 내지 도 4를 참조하여 전술한 내용으로 갈음한다. 또한, 컬러 필터(2072)가 상기 형광체부들(2080)에 적층되어 변환된 광의 색순도를 향상시키며, 상기 컬러 필터(2072)에 대한 설명도 도 2 내지 도 4를 참조하여 전술한 내용으로 갈음한다.
도시에 의하면, 상기 광원부(2000)는 상기 형광체부들(2080)의 사이에서 빛을 반사하도록 형성되는 반사부(2081)를 포함할 수 있다.
도시에 의하면, 상기 복수의 형광체부들(2080)은 기설정된 간격으로 이격되어 열과 행을 따라 배열되며, 주변의 반도체 발광소자들에 의하여 빛을 출력하도록 상기 복수의 반도체 발광소자들(2050)의 사이에 각각 배치된다. 이 때에, 상기 복수의 형광체부들(2080)과 상기 복수의 반도체 발광소자들(2050)은 상기 기판의 두께방향을 따라 서로 오버랩되지 않도록 배치되며, 상기 반사부(2081)가 상기 복수의 반도체 발광소자들(2050)과 서로 오버랩될 수 있다.
예를 들어, 상기 복수의 형광체부들(2080)은 도트 형태로 반도체 발광소자의 사이에 배치되어, 미점등 영역이 없는 대면적의 점광원을 구현한다. 보다 구체적으로, 상기 복수의 형광체부들(2080)의 사이에는 반사부(2081)가 형성되어, 상기 복수의 형광체부들(2080)과 함께 파장변환시트(2070)를 형성할 수 있다.
상기 반사부(2081)는 상기 복수의 반도체 발광소자들을 덮도록 평판으로 이루어지고, 상기 평판에는 상기 형광체부(2080)에 대응하는 관통홀(2082)이 형성될 수 있다. 상기 관통홀(2082)에 적색 형광체가 충전된다.
이러한 구조에 의하면, 상기 파장변환시트(2070)는 반사부(2081)가 배치되는 반사영역과 형광체부들이 배치되는 변환영역을 구비하며, 상기 변환영역은 주변의 반도체 발광소자들에 의하여 감싸지는 영역 내에 배치될 수 있다. 이러한 구조에 의하면, 상기 파장변환시트에서 반사영역에서는 빛이 반사되고, 변환영역에서는 빛이 형광체부들(2080)을 통과하게 된다.
이 경우에, 상기 반사부(2081)의 면적은 상기 형광체부들의 면적보다 더 크도록 형성된다. 이러한 구조에 의하면, 형광체 도트가 보다 잘 드러나게 되며, 형광체 도트의 휘도가 보다 증가하게 된다. 또한, 이를 통하여 점광원 형태로 발광하는 새로운 구조의 리어 램프가 구현될 수 있다.
이 경우에도, 상기 형광체부들(2080)의 중심은 상기 주변의 반도체 발광소자들이 감싸는 영역의 중앙에 배치될 수 있다. 보다 구체적으로, 형광체 도트의 중심과 주변부 반도체 발광소자의 거리가 동일하도록 상기 형광체부들(2080)이 위치하게 된다. 이를 통하여, 형광체 도트들 사이에서 밝기 편차가 저감될 수 있다.
이상에서 도 5를 참조하여 설명한 예시에서는 파장변환시트와 제1전극이 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 예시와 달라지는 부분이나, 파장변환시트와 제1전극 중 어느 하나만이 달라지는 것도 가능하다.
한편, 도 6의 도시에 의하면, 리어 램프의 광원부는 전술한 예시와 마찬가지로, 베이스 기판(3010), 제1전극(3020), 절연층(3030), 파장변환시트(3070), 제2전극(3040) 및 복수의 반도체 발광 소자(3050)를 포함한다. 이 경우에, 상기 파장변환시트(3070)의 반사부(3081) 이외의 구조는 전술한 예시와 동일한 구조가 될 수 있으며, 따라서 이에 대한 설명은 전술한 내용으로 갈음한다.
도시에 의하면, 상기 광원부(3000)는 전술한 예시와 마찬가지로 상기 형광체부들(3080)의 사이에서 빛을 반사하도록 형성되는 반사부(3081)를 포함할 수 있다.
도시에 의하면, 상기 복수의 형광체부들(3080)은 기설정된 간격으로 이격되어 열과 행을 따라 배열되며, 주변의 반도체 발광소자들에 의하여 빛을 출력하도록 상기 복수의 반도체 발광소자들(3050)의 사이에 각각 배치된다. 이 때에, 상기 복수의 형광체부들(3080)과 상기 복수의 반도체 발광소자들(3050)은 상기 기판의 두께방향을 따라 서로 오버랩되지 않도록 배치되며, 상기 반사부(3081)가 상기 복수의 반도체 발광소자들과 서로 오버랩될 수 있다.
예를 들어, 상기 복수의 형광체부들(3080)은 도트 형태로 반도체 발광소자의 사이에 배치되어, 미점등 영역이 없는 대면적의 점광원을 구현한다. 보다 구체적으로, 상기 복수의 형광체부들(3080)의 사이에는 반사부(3081)가 형성되어, 상기 복수의 형광체부들(3080)과 함께 파장변환시트(3070)를 형성할 수 있다.
상기 파장변환시트(3070)는 반사부(3081)가 배치되는 반사영역과 형광체부들(3080)이 배치되는 변환영역을 구비하며, 상기 변환영역은 주변의 반도체 발광소자들(3050)에 의하여 감싸지는 영역 내에 배치될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 반사부(3081)의 하부에는 상기 복수의 반도체 발광소자들에서 출력되는 빛이 퍼지도록 돌출부(3082)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사부(3081)의 적어도 일부에서 상기 반도체 발광소자를 향하여 돌출부(3082)가 돌출될 수 있다. 상기 돌출부(3082)는 인접하는 형광체부(3080)로 빛을 반사하는 반사면(3083)을 구비한다. 상기 반사면(3083)은 상기 광원부의 두께 방향에 대하여 경사지도록 형성되어, 반사부(3081)로 향하는 빛을 절연층(3030)을 향하여 반사시키게 된다. 절연층(3030)의 계면에서 다시 반사가 일어나 빛은 상기 형광체부들(3080)을 향하게 된다. 이를 통하여, 형광체부들(3080)로 입사하는 빛의 양이 증가하게 되며, 광원부의 휘도가 증가하게 된다.
한편, 도 7의 도시에 의하면, 리어 램프의 광원부(4000)는 전술한 예시들에 더하여 렌즈(4090)를 더 구비할 수 있다. 즉, 리어 램프의 광원부(4000)는 전술한 예시와 마찬가지로, 베이스 기판(4010), 제1전극(4020), 절연층(4030), 파장변환시트(4070), 제2전극(4040) 및 복수의 반도체 발광 소자(4050)를 포함하며, 이들의 구조는 전술한 예시들 중 어느 하나와 동일한 구조가 될 수 있으며, 따라서 이에 대한 설명은 전술한 내용으로 갈음한다.
다만, 본 예시에서는 상기 렌즈(4090)가 상기 형광체부(4080)의 하부에서 상기 기판을 향하여 볼록한 형상으로 형성될 수 있다.
상기 렌즈(4090)는 상기 파장변환시트(4070)의 하측에 형성되는 렌즈 형상이 될 수 있으며, 형광체부들(4080)의 하면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 렌즈(4090)는 상기 파장변환시트(4070)와 일체화 될 수 있다. 또한, 도시에 의하면, 상기 렌즈(4090)는 상기 형광체부들(4080)과 일대일의 비율로 매칭된다.
상기 렌즈(4090)는 볼록렌즈로 형성되며, 빛은 입사하면서 굴절되어 지향각을 가지게 될 수 있다. 볼록렌즈의 설계에 의하여 빛은 상기 광원부(4000)의 두께 방향과 평행한 방향으로 굴절되어 상기 형광체부들(4080)에 입사하게 되며, 이를 통하여 광효율이 향상될 수 있다.
이와 같이, 본 발명에서는 도트 형태의 형광체를 반도체 발광소자의 사이에 배치하여, 불량 반도체 발광소자가 존재하는 경우에도 미점등이 없는 점광원의 발광을 구현한다.
이상에서 설명한 반도체 발광 소자를 이용한 차량용 램프는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되는 것이 아니라, 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.

Claims (15)

  1. 빛을 발광하는 광원부를 구비하는 차량용 램프에 있어서,
    상기 광원부는,
    배선전극이 형성되는 기판;
    상기 배선전극과 전기적으로 연결되는 복수의 반도체 발광소자들; 및
    상기 복수의 반도체 발광소자들의 상부에 배치되며, 빛의 파장을 변환하도록 형성되는 복수의 형광체부들을 구비하며,
    상기 복수의 형광체부들은 기설정된 간격으로 이격되어 열과 행을 따라 배열되며, 주변의 반도체 발광소자들에 의하여 빛을 출력하도록 상기 복수의 반도체 발광소자들의 사이에 각각 배치되는 것으로,
    상기 복수의 형광체부들은 각각 상기 주변의 반도체 발광소자들이 감싸는 영역의 내부인 제2 영역에 배치되며,
    상기 형광체부들의 중심은 상기 주변의 반도체 발광소자들이 감싸는 영역의 중앙에 배치되고,
    광투과성 물질이 충전되는 상기 복수의 형광체부들의 사이의 제1 영역에서 발광되는 면 광원인 제1 적색 광이 출력되고, 상기 형광체부들이 배치된 상기 제2 영역에서 발광되는 제2 적색 광이 도트 형태인 점 광원으로 출력되어, 상기 제1 적색 광을 출력하는 영역 내에 상기 제2 적색 광이 도트 형태로 존재하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 형광체부들은 형광체 도트로 형성되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 형광체 도트의 중심과 주변부 반도체 발광소자의 거리가 동일하도록 위치하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 형광체부들과 상기 복수의 반도체 발광소자들은 상기 기판의 두께방향을 따라 서로 오버랩되지 않도록 배치되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 형광체부들의 사이에는 광투과성 물질이 충전되고,
    상기 형광체부들과 상기 광투과성 물질을 덮도록 컬러필터가 배치되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 형광체부들의 사이에서 빛을 반사하도록 형성되는 반사부를 더 포함하는 차량용 램프.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 반사부는 상기 복수의 반도체 발광소자들을 덮도록 평판으로 이루어지고, 상기 평판에는 상기 형광체부에 대응하는 관통홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 반사부의 하부에는 상기 복수의 반도체 발광소자들에서 출력되는 빛이 퍼지도록 돌출부가 형성되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 돌출부는 인접하는 형광체부로 빛을 반사하는 반사면을 구비하는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 반사부의 면적은 상기 형광체부들의 면적보다 더 크도록 형성되는 것을 특징으로 하는 차량용 램프.
  14. 삭제
  15. 삭제
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