TWI638240B - 曝光裝置、曝光方法，及設備製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示曝光裝置，其獲取關於在基板台沿第一方向的移動量與由投影光學系統投影於基板側參考標記上的遮罩側參考標記的圖像沿垂直於投影光學系統的光軸的第二方向相對於基板側參考標記的位置偏移量之間的關係的資訊。揭示控制器，其在基於該資訊共同沿第一方向和第二方向驅動基板台的同時，經由促使測量設備測量光量以基於測量結果確定焦點位置。

Description

曝光裝置、曝光方法，及設備製造方法
本發明涉及曝光裝置、曝光方法及設備製造方法。
當微設備(半導體元件、液晶顯示元件等)以光刻工藝處理來製造時，使用經由在基板上投影遮罩的圖案來對基板曝光的曝光裝置。為了在基板上精確地投影遮罩的圖案，需要曝光裝置在遮罩和基板之間準確地執行對焦(焦點校準)。焦點校準方法的一個示例包括TTL(透過鏡頭)方法，此種方法經由投影光學系統來測量基板相對於遮罩的相對位置以及遮罩圖案的焦點位置。
圖8是顯示在TTL方法中具有焦點校準功能的習知曝光裝置的一個示例的示意圖。在圖8所示的習知曝光裝置中將給出焦點校準的一個示例。為了由照明光學系統1照射佈置於遮罩2或遮罩台3上的遮罩側參考標記，主控制器7給遮罩台控制器8發出命令並移動遮罩台3。主控制器7給基板台控制器11發出命令並移動基板台6，使得在基板台6上的基板側參考標記9配置為與遮罩側參考 標記對應。主控制器7在Z方向上精細地驅動基板台6。處理器12計算出檢測到的光量達到其峰值的座標位置Z0。圖9示出了此時在檢測到的光量與Z方向上的座標位置之間的關係。當遮罩側參考標記和基板側參考標記9處於共軛位置關係時，獲得檢測到的光量達到其峰值的位置Z0。焦點位置經由尋找該光量的最大值而計算出。處理器12將計算出的焦點位置資訊傳輸給主控制器7。主控制器7能夠經由給基板台控制器11發出命令並且在Z方向上驅動基板台6達焦點位置的位移量而使遮罩2的圖案的焦點位置與基板5相匹配。
日本專利特開序號4-348019揭示經由照射基板側參考標記、以投影光學系統接收經由投影光學系統和基板側參考標記的遮罩側參考標記的圖像的反射光、並且檢測該光量的變化來計算焦點位置的方法。
但是，在測量焦點位置時，基板側參考標記9在X和Y方向上的位置與遮罩的測量圖案(遮罩側參考標記)在X和Y方向上的投影位置之間的位置偏移、以及投影光學系統4的基板側遠心性(telecentricity)兩者都存在。遠心性指的是關於物件的深度方向的倍率誤差。在這種情況下，焦點位置的測量值發生偏差。在圖10A中，100a至100c指示沒有任何位置偏移和遠心性的理想狀態A。在圖10B中，200a至200c指示位置偏移和遠心性兩者均存在的狀態B。圖10A的100a和圖10B的200a中的各者都指示其中遮罩側參考標記的焦點位置在Z方向上與基板側參 考標記9的位置a相匹配的狀態(最佳聚焦狀態)。圖10A的100b和圖10B的200b中的各者都指示其中基板側參考標記9在Z方向上的位置處於相對於遮罩側參考標記的焦點位置沿正方向偏移的位置b的狀態(+離焦狀態)。圖10A的100c和圖10B的200c各者都指示其中基板側參考標記9在Z方向上的位置處於相對於遮罩側參考標記的焦點位置沿負方向偏移的位置c的狀態(-離焦狀態)。如圖10B的200a所示，狀態B指示在最佳聚焦狀態下測量圖案於X方向上的投影位置在X方向上相對於基板側參考標記9的中心偏移，也就是，位置偏移存在。圖11是示出在Z方向上的位置與在圖10A和10B中的狀態A和狀態B下由感測器10檢測到的光量之間的關係的曲線圖。曲線A和C分別對應於狀態A和B。在圖11中，Z1和Z2分別指示在圖10A和10B的狀態A和狀態B下測得的焦點位置的測量值。在圖10A和10B的狀態A和狀態B之間，從圖11中計算出的焦點位置的不同測量值Z1和Z2被獲得，儘管焦點位置是相同的。也就是，據發現，焦點位置的測量值在位置偏移和遠心性兩者均存在的狀態B下發生偏差。只要位置偏移和遠心性中的至少一個能夠被設置為0，絕不發生測量值的偏差。但是，在實踐中，即使是位置偏移和遠心性中的一個也極難為0。此外，即使遠心性為0，如果驅動誤差在基板台6於Z方向上被驅動時存在於X和Y方向上，則焦點位置的測量偏差也類似地發生。
為了應對這種情況，本發明的目的是要提供用於精確地測量焦點位置的曝光裝置。
根據本發明的一個方面，提供了一種曝光裝置，該曝光裝置包含：配置用於將由遮罩台保持的遮罩的圖案投影於基板上的投影光學系統，可沿與投影光學系統的光軸平行的第一方向和與第一方向垂直的第二方向移動的且配置用於保持基板的基板台，配置用於測量透射穿過遮罩側參考標記、投影光學系統及佈置於基板台上的基板側參考標記的光量的測量設備，以及配置用於基於測量設備的測量結果確定投影光學系統的焦點位置的控制器。該裝置包含配置用於獲取關於基板台沿第一方向的移動量與由投影光學系統投影於基板側參考標記上的遮罩側參考標記的圖像在第二方向上相對於基板側參考標記的位置偏移量之間的關係的資訊的獲取單元，該位置偏移量在基板台沿著第一方向驅動時出現。其中，控制器在連同沿第一方向驅動基板台一起經由使用該資訊也沿第二方向驅動基板台達到與基板台沿第一方向的移動量對應的沿第二方向的位置偏移量的同時，經由促使測量設備測量光量以基於測量結果確定焦點位置。
根據本發明的另一個方面，曝光裝置包含配置用於將由遮罩台保持的遮罩的圖案投影於基板上的投影光學系統，可沿與投影光學系統的光軸平行的第一方向和與第一 方向垂直的第二方向移動的且配置用於保持基板的基板台，配置用於測量透射穿過遮罩側參考標記、投影光學系統及佈置於基板台上的基板側參考標記的光量的測量設備，以及配置用於基於測量設備的測量結果確定投影光學系統的焦點位置的控制器，其中，控制器在連同沿第一方向驅動基板台一起基於投影光學系統的遠心性也沿第二方向驅動驅動基板台達到與基板台沿第一方向的移動量對應的沿第二方向的移動量的同時，經由促使測量設備測量光量來基於測量結果確定焦點位置。
根據本發明的又一個方面，本發明提供了一種經由曝光裝置對基板進行曝光的曝光方法，該曝光裝置包含：配置用於將由遮罩台保持的遮罩的圖案投影於基板上的投影光學系統，可沿與投影光學系統的光軸平行的第一方向和與第一方向垂直的第二方向移動的且配置用於保持基板的基板台，以及配置用於測量透射穿過遮罩側參考標記、投影光學系統及佈置於基板台上的基板側參考標記的光量的測量設備。該方法包括獲取關於基板台沿第一方向的移動量與由投影光學系統投影於基板側參考標記上的遮罩側參考標記的圖像在第二方向上相對於基板側參考標記的位置偏移量之間的關係的資訊，該位置偏移量在基板台沿著第一方向驅動時出現，並且在連同沿第一方向驅動基板台一起經由使用該資訊也沿第二方向驅動基板台達到與基板台沿第一方向的移動量對應的沿第二方向的位置偏移量的同時，經由促使測量設備測量光量來基於測量結果確定投影 光學系統的焦點位置。
根據本發明的再一個方面，本發明提供了一種設備製造方法。該方法包括經由使用曝光裝置對基板進行曝光，並且對在該曝光中進行了曝光的基板進行顯影，其中該曝光裝置包含：配置用於將由遮罩台保持的遮罩的圖案投影於基板上的投影光學系統，可沿與投影光學系統的光軸平行的第一方向和與第一方向垂直的第二方向移動的且配置用於保持基板的基板台，配置用於測量透射穿過遮罩側參考標記、投影光學系統及佈置於基板台上的基板側參考標記的光量的測量設備，以及配置用於基於測量設備的測量結果確定投影光學系統的焦點位置的控制器；該裝置包含配置用於獲取關於基板台沿第一方向的移動量與由投影光學系統投影於基板側參考標記上的遮罩側參考標記的圖像在第二方向上相對於基板側參考標記的位置偏移量之間的關係的資訊的獲取單元，該位置偏移量在基板台沿著第一方向驅動時出現，並且，該控制器在連同沿第一方向驅動基板台一起經由使用該資訊也沿第二方向驅動基板台達到與基板台沿第一方向的移動量對應的沿第二方向的位置偏移量的同時，經由促使測量設備測量光量來基於測量結果確定焦點位置。
根據下面關於示例性實施例的描述(參照附圖)，本發明的更多特徵將會變得清晰。
1‧‧‧照明光學系統
2‧‧‧遮罩
3‧‧‧遮罩台
4‧‧‧投影光學系統
5‧‧‧基板
6‧‧‧基板台
7‧‧‧主控制器
8‧‧‧遮罩台控制器
9‧‧‧基板側參考標記
10‧‧‧感測器
11‧‧‧基板台控制器
12‧‧‧處理器
13‧‧‧獲取單元
14‧‧‧驅動量計算單元
圖1是根據第一實施例的掃描曝光裝置的視圖；圖2是用於焦點校準的遮罩側參考標記的一個示例的視圖；圖3是其中根據檢測到的光量來計算在X方向上的投影位置的示例的曲線圖；圖4是其中根據基板台的Z位置以及在X方向上的投影位置來計算在X方向上的遠心性的示例的曲線圖；圖5是用於解釋在根據第一實施例確定焦點位置時驅動基板台的方法的視圖；圖6描述用於示出在第一實施例和理想狀態中在光軸方向上的位置與檢測到的光量之間的關係的曲線圖；圖7是根據本發明的一種實施例的曝光方法的流程圖；圖8是在TTL方法中具有焦點校準功能的常規曝光裝置的視圖；圖9是其中根據檢測到的光量來確定焦點位置的示例的曲線圖；圖10A和10B是示出其中焦點位置在理想狀態以及位置偏移和遠心性兩者均存在的狀態下被獲取的情形的視圖；以及圖11描述用於示出在理想狀態以及位置偏移和遠心性兩者均存在的狀態下在光軸方向上的位置與檢測到的光量之間的關係的曲線圖。
本發明的各種示例性實施例、特徵及方面將在下文參照附圖來詳細描述。
[曝光裝置]
圖1顯示在本發明的TTL方法中具有焦點校準功能的掃描曝光裝置。首先，將描述掃描曝光被執行的模式。如圖1所示，從照明光學系統1發射出的光由遮罩台3保持，透射穿過實際設備圖案(圖案)於其上被繪製出的遮罩2，並且經由投影光學系統4達到基板5。遮罩2的圖案表面和基板5經由投影光學系統4處於共軛位置關係。因此，遮罩2的圖案由投影光學系統4投影於基板5上。能夠沿與投影光學系統4的光軸平行的第一方向(Z方向)以及與其垂直的第二方向(X方向和Y方向)移動的基板台6保持基板5。遮罩2的圖案經由沿圖1的Y方向同步掃描遮罩台3和基板台6來投影於基板5上並於其上曝光。
以下顯示焦點校準的一個示例。在本實施例中，配置獲得遠心性資訊的獲取單元13以及用於根據遠心性資訊來計算基板台6在X和Y方向上的驅動量的驅動量計算單元14，這兩者都不存在現有技術中。獲取單元13能夠經由在曝光裝置內部的測量或外部輸入來獲得遠心性資訊。也就是，獲取單元13可以包含用於儲存經由使用基板台6和感測器10預先獲得的遠心性資訊的儲存單元。 或者是，獲取單元13可以包含使用者將遠心性資訊輸入其中的輸入單元。在本實施例中，下文將描述其中獲得遠心性資訊並預先儲存於曝光裝置內並且所儲存的遠心性資訊被使用的模式。為了由照明光學系統1照射佈置於遮罩2上的測量圖案(遮罩側參考標記)，主控制器7給遮罩台控制器8發出命令並經由使用干涉儀(未示出)等在X和Y方向上移動遮罩台3。測量圖案可以不配置於遮罩2上，而是配置於遮罩台3上。圖2示出了測量圖案的一個示例。測量圖案由具有光透射穿過其中的預定行寬和間距的圖案部分以及用於遮罩光的週邊部分組成。
主控制器7給基板台控制器11發出命令，並且經由使用干涉儀(未示出)等在X和Y方向上移動基板台6，使得在基板台6上的基板側參考標記9與遮罩2上的測量圖案對應地配置。基板側參考標記9是與遮罩2上的測量圖案對應的透射圖案。感測器(測量設備)10配置於基板側參考標記9之下。感測器10測量透射穿過測量圖案和基板側參考標記9兩者的光的光量。
主控制器7給基板台控制器11發出命令，沿垂直於光軸的方向(例如，X方向)精細地驅動基板台6，並且經由處理器12來計算檢測到的光量達到其峰值的座標位置X0。主控制器7、處理器12、遮罩台控制器8、基板台控制器11及驅動量計算單元14形成控制器C。圖3示出了在檢測到的光量與基板台6的X方向位置之間的關係。檢測到的光量達到其峰值的位置X0變為測量圖案在X方 向上的投影位置。主控制器7沿光軸方向(Z方向)驅動基板台6達預定量並且類似地計算測量圖案在X方向上的投影位置。經由重複上述過程，可以獲取在測量圖案的投影圖像(投影位置)沿X方向的位置偏移量與基板台6沿Z方向的移動量之間的關係。圖4示出了在基板台6沿Z方向的移動量與測量圖案的投影圖像沿X方向的位置偏移量之間的關係。在X方向上的遠心性Tx能夠經由下式來表示：Xm=Tx×Zs...(1)其中Zs是基板台6沿Z方向的移動量，並且Xm是投影圖像沿X方向的位置偏移量。
也就是，投影圖像沿X方向的位置偏移量相對於基板台6沿Z方向的移動量的一階分量(primary component)變為在X方向上的遠心性。以同一種方法，同樣能夠測量在Y方向上的遠心性Ty。在本實施例中，在基板台6沿Z方向的移動量與投影圖像的位置偏移量之間的關係經由比例關係來表示。但是，當基板台6沿Z方向的移動量與投影圖像的位置偏移量不是處於簡單的比例關係時，在基板台6沿Z方向的移動量與投影圖像的位置偏移量之間的關係可以經由更高階多項式、三角多項式或別的函數關係來表示。在按照映射形式(例如，經由使其相互關聯而獲得的表格)來儲存兩種資料之後以諸如插值法之類的方法來計算投影圖像的位置偏移的方法同樣可被採用。在本實 施例中，遠心性甚至包括由在基板台6在Z方向上被驅動時獲得的基板台6的驅動誤差導致的在X和Y方向上的位置偏移。而且，在本實施例中，除了投影光學系統4的遠心性外，遠心性甚至還能夠包括照明光學系統1的遠心性。在本實施例中，遠心性經由測量焦點位置來測得。但是，遠心性可以經由別的方法來測量。以上所描述的在X方向和Y方向上的遠心性資訊從主控制器7輸入到獲取單元13。
現在將描述其中焦點校準在位置偏移和遠心性兩者均存在的狀態下被執行的模式。如同在遠心性被測量的模式中那樣，遮罩台3和基板台6每個都被移動到能夠測量焦點位置的位置。基板台6在光軸方向上精細地驅動，並且配置於基板側參考標記9之下的感測器10檢測透射穿過基板側參考標記9的光量。在本實施例中，光量經由在與光軸垂直的平面(X-Y平面)內與沿光軸方向精細地驅動基板台6同步地驅動基板台6來檢測。令Zf為在基板台6精細地驅動時獲得的沿Z方向的移動量。在基板台在Z方向上精細地驅動達Zf時獲得的在X方向和Y方向上的偏移量(位置偏移量)Sx和Sy能夠經由以下公式計算出：Sx=Tx×Zf...(2) Sy=Ty×Zf...(3)其中Tx和Ty代表輸入到獲取單元13的在X方向和Y方 向上的遠心性。
圖5是用於解釋根據本實施例的在焦點位置測量時驅動基板台6的方法的視圖。基板台6的驅動方向相對於光軸(Z軸)傾斜。如同在圖10A和10B中那樣，圖5的在Z方向上的位置a、b和c分別對應於最佳聚焦狀態、+離焦狀態和-離焦狀態。圖6是示出在基板台6的Z位置與由感測器10檢測到的光量之間的關係的曲線圖。曲線A指示當光量在沒有任何位置偏移和遠心性的理想狀態下檢測到時在基板台6的Z位置與由感測器10檢測到的光量之間的關係。曲線C指示在位置偏移和遠心性兩者均存在的狀態(本實施例)下經由驅動基板台6來檢測光量(如同在圖5中那樣)時在基板台6的Z位置與由感測器10檢測到的光量之間的關係。處理器12根據圖6來確定檢測到的光量達到其峰值的Z位置。檢測到的光量達到其峰值的Z位置在遮罩2的測量圖案與基板側參考標記9處於共軛位置關係時被獲得，並且它是焦點位置。分別令Z1和Z3為在圖6的曲線A和曲線C中的焦點位置的測量值，則Z1=Z3成立。與曲線A不同，在曲線C中存在位置偏移。因而，在曲線C中，在基板台的Z位置與由感測器10檢測到的光量之間的關係與曲線A中的關係不同。但是，焦點位置的測量值變為彼此相等。因此，由位置偏移和遠心性導致的焦點位置的測量值的偏差不會發生。即使使用曲線C。經由促使處理器12將關於所確定的焦點位置Z3的資訊傳輸給主控制器7、並且促使主控 制器7給基板台控制器11發出命令並沿Z方向驅動基板台6達所確定的焦點位置的位移量來調整焦點位置。根據本實施例，提供即使位置偏移和遠心性兩者均存在也可基於感測器的測量結果精確地確定焦點位置的曝光裝置成為可能。
[曝光方法]
根據本發明的一種實施例的曝光方法將根據圖7來描述。圖7是示出根據本發明的一種實施例的曝光方法的流程圖。在圖7的曝光方法中，使用在第一實施例中的圖1的曝光裝置。首先，在步驟S1中，主控制器7將在X方向和Y方向上的多條遠心性資訊輸入到獲取單元13。在此輸入的多條遠心性資訊可以針對在焦點位置被測量時的每種測量條件(例如，照明條件、投影光學系統的數值孔徑或測量點)來輸入。
在步驟S2中，主控制器7將遮罩2裝載到遮罩台3上。在步驟S3中，主控制器7將基板5裝載到基板台6上。在步驟S4中，主控制器7判斷是否要校正焦點位置。當不校正焦點位置時，過程前進到步驟S11，並且主控制器7執行曝光。為了經由照明光學系統1來照射配置於遮罩2上的測量圖案，主控制器7給遮罩台控制器8發出命令並且在步驟S5中經由使用干涉儀(未示出)等來移動遮罩台3。此外，主控制器7給基板台控制器11發出命令並且經由使用干涉儀(未示出)等在X和Y方向 上移動基板台6，使得基板側參考標記9與遮罩2上的測量圖案對應地配置。
在步驟S6中，驅動量計算單元14根據在步驟S1中輸入的多條遠心性資訊來計算在基板台6在Z方向上驅動時獲得的沿X方向和Y方向的位置偏移量。注意，位置偏移量像第一實施例的公式(2)和(3)那樣計算出。主控制器7在步驟S7中獲取焦點位置。基板台6在Z方向上精細地驅動並同時沿X方向和Y方向驅動達在步驟S6中計算出的位置偏移量，並且佈置於基板側參考標記9之下的感測器10檢測透射穿過基板側參考標記9的光量。處理器12獲取檢測到的光量達到其峰值的Z位置。
在步驟S8中，主控制器7判斷是否已完成了對所有測量點的焦點位置的測量。注意，如果每種測量條件都包括在焦點位置被測量時獲得的與該測量點不同的部分中的投影光學系統的數值孔徑或照明條件，則主控制器7在步驟S8中判斷在所有測量條件下對焦點位置的測量是否都已完成。如果測量還沒完成，則過程返回到步驟S5，並且測量下一測量點的焦點位置。如果測量已完成，則過程前進到步驟S9。在步驟S9中，處理器12確定焦點位置。在本實施例中，存在焦點位置的多個(例如，兩個)測量點，並且它們分別由測量點A和B指示。但是，測量點的數量並不限於此。分別令FA和FB為測量點A和B的焦點位置，則處理器12經由取得測量點A和B的焦點位置FA和FB的平均值來確定焦點位置CF，如下式所 示：CF=(FA+FB)/2...(4)
用於確定焦點位置CF的公式並不限於公式(4)，只要它是FA和FB的函數。在步驟S10中，經由促使處理器12將在步驟S9中確定的焦點位置CF傳輸到主控制器7，並且促使主控制器7給基板台控制器11發出命令並沿Z方向驅動基板台6達到距焦點位置CF的差異來調整焦點位置。在本實施例中，經由驅動基板台6來調整焦點位置。但是，調整焦點位置的方法並不限於此。
在步驟S11中，主控制器7給遮罩台控制器8和基板台控制器11兩者發出命令，並且沿X和Y方向驅動遮罩台3和基板台6，以使它們移動到曝光位置。在步驟S12中，在遮罩2上的圖案經由以來自照明光學系統1的光照射遮罩2並沿Y方向同步掃描遮罩台3和基板台6而經由投影光學系統4通過一次照射(shot)投影於基板5上並於其上曝光。在步驟S13中，主控制器7判斷所有照射的曝光操作是否都已完成。如果曝光操作尚未完成，則過程返回到步驟S11，並且下一次照射被曝光。如果曝光操作已完成，則過程前進到步驟S14，在該步驟S14中，主控制器7卸載基板。在步驟S14中，主控制器7在曝光操作已完成的情況下將基板5從基板台6卸載下來。在步驟S15中，主控制器7判斷是否所有基板5的圖案資訊都已完成。如果資訊已完成，則曝光完成。如果資訊尚未完 成，則重複步驟S3至步驟S14的步驟。根據本實施例，即使位置偏移和遠心性兩者均存在也可精確地執行焦點校準成為可能。
[設備製造方法]
下面將描述根據本發明的一種實施例用於製造設備(半導體設備、液晶顯示設備等)的方法。經由執行在晶圓上形成積體電路的預處理以及完成在由預處理形成的晶圓上的積體電路晶片(作為產品)的後處理來製造半導體設備。預處理包括使用上述曝光裝置對施加光致抗蝕劑於其上的晶圓進行曝光的步驟以及使晶圓顯影的步驟。後處理包括組裝步驟(劃片和鍵合)和封裝步驟(密封)。經由執行形成透明電極的步驟來製造液晶顯示設備。形成透明電極的步驟包括將光致抗蝕劑施加於透明導電膜沉積於其上的玻璃基板上的步驟，使用上述曝光裝置對施加光致抗蝕劑於其上的玻璃基板進行曝光的步驟，以及使玻璃基板顯影的步驟。根據本實施例的設備製造方法，可以製造出具有比以前更高的品質的設備。上文已經描述了本發明的實施例。但是，本發明並不限於本實施例，並且能夠在本發明的精神和範圍之內進行各種改動和修改。
其他實施例
本發明的實施例還能夠經由讀出並執行記錄於儲存介質(該儲存介質同樣可以更完整地稱為“非易失性電腦可 讀儲存介質”)上的電腦可執行指令(例如，一個或多個程式)來執行一種或多種上述實施例的功能和/或包含用於執行一種或多種上述實施例的功能的一個或多個電路(例如，專用積體電路(ASIC))的系統或裝置的電腦，以及由系統或裝置的電腦經由例如從儲存介質中讀出並執行電腦可執行指令來執行一種或多種上述實施例的功能和/或控制該一個或多個電路來執行一種或多種上述實施例的功能來執行的方法來實現。該電腦可以包含一個或多個處理器(例如，中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU))，並且可以包含獨立電腦或獨立處理器的網路，用於讀出並執行電腦可執行指令。電腦可執行指令可以由例如網路或儲存介質提供給電腦。儲存介質可以包括例如硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、分散式運算系統的記憶體、光碟(例如，壓縮碟片(CD)、數位通用盤(DVD)或藍光碟(BD)TM)、快閃記憶體設備、儲存卡等中的一個或多個。
其它實施例
本發明的實施例還可以經由如下的方法來實現，即，經由網路或者各種儲存介質將執行上述實施例的功能的軟體(程式)提供給系統或裝置，該系統或裝置的電腦或是中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU)讀出並執行程式的方法。
雖然本發明已經參考示例性的實施例進行了描述，但 是應當理解，本發明並不限於所公開的示例性實施例。所附申請專利範圍應被賦予最寬泛的解釋，以涵蓋所有此種修改以及等同的結構和功能。

Claims (14)

  1. 一種曝光裝置，該曝光裝置包含：配置用於將由遮罩台保持的遮罩的圖案投影於基板上的投影光學系統，能夠沿平行於該投影光學系統的光軸的第一方向與垂直於該第一方向的第二方向移動且配置用於保持該基板的基板台，配置用於測量透射穿過遮罩側參考標記、該投影光學系統和佈置於該基板台上的基板側參考標記的光量的測量設備，以及配置用於基於該測量設備的測量結果確定該投影光學系統的焦點位置的控制器，該曝光裝置包含：獲取單元，該獲取單元被配置用於獲取關於在該基板台沿該第一方向的移動量與由該投影光學系統投影於該基板側參考標記上的該遮罩側參考標記的圖像在該第二方向上相對於該基板側參考標記的位置偏移量之間的關係的資訊，該位置偏移量在該基板台沿著該第一方向驅動時出現，其中，該控制器在連同沿該第一方向驅動該基板台一起經由使用該資訊也沿該第二方向驅動該基板台達到與該基板台沿該第一方向的移動量對應的沿該第二方向的該位置偏移量的同時，經由使測量設備測量該光量來基於該測量結果確定焦點位置。
  2. 如申請專利範圍第1項的曝光裝置，其中，該獲取單元是使用者輸入該資訊的輸入單元。
  3. 如申請專利範圍第1項的曝光裝置，其中，該獲取單元包含：配置用於儲存經由使用該基板台和該測量設 備預先獲得的資訊的儲存單元。
  4. 如申請專利範圍第1項的曝光裝置，其中，該位置偏移包括由該投影光學系統的遠心性和該基板台的驅動誤差中的至少一個導致的位置偏移。
  5. 如申請專利範圍第4項的曝光裝置，還包含：配置用於照射該遮罩的照明光學系統，其中，該位置偏移還包括由該照明光學系統的遠心性導致的位置偏移。
  6. 如申請專利範圍第1項的曝光裝置，其中，該資訊由該位置偏移量與該基板台沿該第一方向的該移動量之間的關係表示。
  7. 如申請專利範圍第6項的曝光裝置，其中，該位置偏移量與該基板台沿該第一方向的該移動量成比例關係。
  8. 如申請專利範圍第1項的曝光裝置，其中，該資訊由經由使關於該位置偏移量的資料與關於該基板台沿該第一方向的該移動量的資料相互關聯而獲得的表格表示。
  9. 如申請專利範圍第1項的曝光裝置，其中，該遮罩側參考標記配置於該遮罩和該遮罩台之一者上。
  10. 如申請專利範圍第1項的曝光裝置，其中，該遮罩側參考標記包括配置於該遮罩和該遮罩台之一上的多個遮罩側參考標記，並且該控制器為該多個遮罩側參考標記中的每個遮罩側參考標記獲取該投影光學系統的焦點位置並且基於所獲得的 多個焦點位置來確定該焦點位置。
  11. 如申請專利範圍第10項的曝光裝置，其中，該控制器經由取所獲得的該多個焦點位置的平均值來確定該焦點位置。
  12. 一種用於經由曝光裝置對基板進行曝光的曝光方法，該曝光裝置包含配置用於將由遮罩台保持的遮罩的圖案投影於該基板上的投影光學系統，能夠沿平行於該投影光學系統的光軸的第一方向與垂直於該第一方向的第二方向移動的且配置用於保持該基板的基板台，以及配置用於測量透射穿過遮罩側參考標記、該投影光學系統以及佈置於該基板台上的基板側參考標記的光量的測量設備，該方法包括：獲取關於在該基板台沿該第一方向的移動量與由該投影光學系統投影於該基板側參考標記上的該遮罩側參考標記的圖像在該第二方向上相對於該基板側參考標記的位置偏移量之間的關係的資訊，該位置偏移量在該基板台被沿著該第一方向驅動時出現，並且在連同沿該第一方向驅動該基板台一起經由使用該資訊也沿該第二方向驅動該基板台達到與該基板台沿該第一方向的移動量對應的沿該第二方向的該位置偏移量的同時，經由使該測量設備測量該光量來基於測量結果確定該投影光學系統的焦點位置。
  13. 如申請專利範圍第12項的曝光方法，其中，該遮罩側參考標記包括佈置於該遮罩和該遮罩台之一者上的 多個遮罩側參考標記，並且該確定包括為該多個遮罩側參考標記中的每個遮罩側參考標記獲取該投影光學系統的該焦點位置，並且，基於所獲得的該多個焦點位置確定該焦點位置。
  14. 一種設備製造方法，包括：使用曝光裝置對基板進行曝光；以及對在該曝光中進行了曝光的該基板進行顯影，其中，該曝光裝置包含：配置用於將由遮罩台保持的遮罩的圖案投影於該基板上的投影光學系統，能夠沿平行於該投影光學系統的光軸的第一方向與垂直於該第一方向的第二方向移動的且配置用於保持該基板的基板台，配置用於測量透射穿過遮罩側參考標記、該投影光學系統和配置於該基板台上的基板側參考標記的光量的測量設備，以及配置用於基於該測量設備的測量結果確定該投影光學系統的焦點位置的控制器，該曝光裝置包含：獲取單元，該獲取單元配置用於獲取關於在該基板台沿該第一方向的移動量與由該投影光學系統投影於該基板側參考標記上的該遮罩側參考標記的圖像在該第二方向上相對於該基板側參考標記的位置偏移量之間的關係的資訊，該位置偏移量在該基板台沿著該第一方向驅動時出現，並且該控制器在連同沿該第一方向驅動該基板台一起經由使用該資訊也沿該第二方向驅動該基板台達到與該基板台沿該第一方向的移動量對應的沿該第二方向的該位置偏移 量的同時，經由使測量設備測量該光量來基於該測量結果確定焦點位置。
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