TWI636841B - Line tool with diamond abrasive grain and wire tools - Google Patents
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Abstract
本發明係在使研磨粒附著於芯線之前，對研磨粒表面施行鈀被覆。鈀被覆係對鑽石粒子表面形成為海狀。亦即，鈀被覆係對鑽石粒子表面作整體連續性被覆。又，鈀被覆並非完全被覆鑽石粒子，在一部分並未施行鈀被覆而設置有鑽石露出部。鑽石露出部係對研磨粒表面以島狀形成。亦即，鑽石露出部係以多數彼此互相隔開距離而形成島狀。
Description
本發明係有關於一種在表面被覆有最佳狀態的鈀之線工具用鑽石研磨粒及線工具，能夠將矽、藍寶石等的硬脆材料切斷。
發明背景 先前，為了將玻璃、陶瓷、石英、藍寶石、矽等的硬脆材料切斷，係使用線工具。例如邊供給含有研磨粒之漿料邊使用鋼線而將加工對象切片之方法，亦即所謂游離研磨粒加工。但是，此種方法，會有含大量研磨粒和被加工物切斷屑之磨削廢液產生。因而，必須進行其處理，同時還有環境負荷較大的問題。
相對於此，有一種使用線工具之固定研磨粒加工，該線工具係已藉由樹脂或鍍敷將鑽石研磨粒保持在鋼琴線等的外周部而成者。近年來，特別是以鍍敷來保持鑽石研磨粒而成之線工具因為鑽石研磨粒的固定力較高而被較大量使用。為了藉由鍍敷層覆蓋鑽石研磨粒以將鑽石研磨粒牢固地固定，此種線工具多半是使用表面已被覆有鎳或鈦等金屬之鑽石研磨粒(專利文獻1、專利文獻2)。
又，為了不至降低鑽石研磨粒原本的銳利度(sharpness)，係使用已使導電性粒子點狀分散在鑽石研磨粒表面且使鑽石研磨粒部分露出之狀態下以鍍敷來固定鑽石研磨粒而成之線工具(專利文獻3)。
而且，有一種線工具，其特徵在於具備：芯線，其為高強度且具有導電性；鑽石研磨粒，其設置在芯線的外周；及鍍敷層，其形成在芯線的外周而保持鑽石研磨粒；在鑽石研磨粒表面係散佈有金屬核，相對於芯線的直徑方向，在鑽石研磨粒前端部的鍍敷層之厚度，係比在鑽石研磨粒以外的部位之芯線表面的鍍敷層之厚度更薄(專利文獻4)。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特許第4724779號公報 專利文獻2：日本特許第4139810號公報 專利文獻3：日本特許第5066508號公報 專利文獻4：日本特許第5705813號公報
發明概要 發明欲解決之課題 但是，如專利文獻1，使用被覆有鎳之鑽石研磨粒時，在使鑽石研磨粒附著在芯線時，電場係集中在凸部。因此，其他鑽石研磨粒容易層積在已先行附著的鑽石研磨粒上，鑽石研磨粒之間容易以堆積的方式產生凝聚。如此，一旦鑽石研磨粒堆積，線工具的長度方向之線徑係成為不均勻。該結果，使用此種線工具從晶錠切取的晶圓會有晶圓內的厚度產生偏差、晶圓表面造成刮痕之問題。
而且，使鑽石研磨粒附著在具有導電性之芯線表面後，在施行將鑽石固定之鍍敷處理時，同樣地，電場係集中在凸部。因此，有鑽石研磨粒上的鍍敷層比芯線上的鍍敷層更厚之問題。一旦鑽石研磨粒上的鍍敷層變厚，因為需要時間使有助於加工之鑽石研磨粒的刀鋒露出，所以切斷初期的銳利度較差，而成為各晶圓的厚度偏差和晶圓翹曲之原因。
另一方面，為了讓使用初期的銳利度成為良好，有一種使用氧化鋁等的研磨石進行修整(dressing)以將鑽石研磨粒上的鍍敷層除去之方法。但是，一旦強力施行修整，有鑽石研磨粒在修整中脱落、或鑽石研磨粒的固著力變弱之虞。
又，如專利文獻2，使用被覆有鈦之鑽石研磨粒時，鑽石研磨粒表面的鈦與鍍敷層的密著性較差，在加工中有鑽石研磨粒脱落之虞。
而且，專利文獻3係因為研磨粒是處於僅被鍍敷層埋沒之狀態，所以研磨粒的固著力不充分而有鑽石研磨粒脱落之問題。一旦研磨粒產生脱落，線工具的直徑會產生變化，晶圓厚度產生偏差，而且有產生翹曲之虞。
又，專利文獻4，其電流只會優先地流通於研磨粒表面上有被金屬核點狀被覆的部分，就整體而言，通電時電流係不容易流通且在金屬核表面上流通之電流的偏差變大，其結果，形成在金屬核表面上之鍍敷層的被覆厚度容易產生偏差。
如此，專利文獻4之金屬核係被覆成為島狀，研磨粒對芯線之固著力不充分而研磨粒容易脱落。因而，有使用中的切削精確度之經時劣化較大之問題。
本發明係鑒於此種問題而進行，其目的係提供一種線工具用鑽石研磨粒及線工具，可確實地保持鑽石研磨粒，同時能夠抑制被切斷的晶圓產生厚度偏差或翹曲、瑕疵之。 用以解決課題之手段
用以達成前述目的之第1發明，係一種線工具用鑽石研磨粒，該鑽石研磨粒係鑽石粒子表面的一部分業經鈀所被覆而成者，其特徵在於：其由海部及露出部所構成，該海部係鈀以被覆厚度0.01μm起至0.5μm的厚度大致連續性被覆於前述鑽石粒子表面而成；該露出部係前述鑽石粒子表面未被鈀被覆而前述鑽石粒子表面露出而成；前述海部的面積率為前述鑽石粒子的表面積之70%以上且90%以下，剩餘部分為前述露出部。又，鈀亦可部分地散佈在未被鈀被覆之研磨粒表面露出之島狀部。
在此，所謂海部(海狀部)係指整體在表面上互相連接之部位。相對於此，所謂島部(島狀部)係指各自在表面上互相分離之狀態。因而，本發明中，所謂被鈀大致連續性被覆之海部，係指鈀在鑽石粒子表面以整體大致連續性相連形成。亦即，本發明中，任一部位的鈀均作海狀相連，鑽石粒子上的任意部位彼此間的鈀為全部導通。又，鑽石研磨粒表面鈀未作被覆之非被覆部即所謂作島狀多數散在之鑽石粒子露出部，係指未被鈀被覆而鑽石粒子表面露出之部位彼此獨立形成。亦即，各個島狀鑽石粒子露出部彼此之間，係互相隔著距離而形成。另外，在島狀鑽石粒子露出部，亦可有一部分金屬核散佈。
又，所使用的鑽石之平均粒徑，可依照作為切斷對象之硬脆材料的種類而適當地選擇。具體而言，鑽石的平均粒徑係以5~70μm為佳，以10~60μm為較佳。
依照第1發明，因為鑽石研磨粒表面的大部分被鈀作海狀薄薄地覆蓋，所以在鍍敷處理時能夠在鑽石研磨粒表面整體通電，而能夠以充分的保持力固著鑽石研磨粒。
又，在鑽石研磨粒表面的一部分，形成有多數未被鈀被覆而鑽石粒子表面呈島狀露出之露出部。因此，相較於將研磨粒表面整體受被覆之情況，鑽石研磨粒上的鍍敷成長速度較緩慢，而能夠使在鑽石研磨粒前端部之鍍敷層厚度薄化。這是因為鈀膜在鑽石研磨粒表面係非常薄地形成海狀，而未被鈀被覆之鑽石研磨粒表面露出之露出部僅多數相隔存在形成島狀，所以將鑽石研磨粒進行電沈積於芯線時，即便研磨粒附著在芯線，電流亦不會瞬間流經鑽石研磨粒表面整體，僅海狀鈀被覆部會有電流流通。因此，能夠適當地抑制且控制鑽石研磨粒上的鍍敷之成長。
而且，因為鈀係在表面作海狀連續性形成，所以在鑽石研磨粒表面會形成與海狀部相同形狀之電流電路供電流流通，鍍敷層在鑽石研磨粒上成長。相對於此，若是鑽石研磨粒整體完全被鈀被覆的情況，因為鍍敷時的電場會集中在鑽石研磨粒的凸部，所以鑽石研磨粒的凸部之鍍敷厚度會變得比芯線的鍍敷厚度更厚。相對於使鈀金屬核呈海狀被覆在鑽石研磨粒表面之芯線上鍍敷層，這種作法可使鑽石研磨粒前端部的鍍敷成為較薄且均勻地形成。
又，藉由將上述鑽石研磨粒使用於線工具，線工具初期的銳利度良好，在剛開始切斷便可立即使線工具發揮切斷能力。該結果，切斷後的晶圓品質提升。而且，鑽石研磨粒附著於線上之際，因為鍍敷層在鑽石研磨粒上不是以覆蓋研磨粒整體之方式形成，所以不會立刻吸引其他鑽石研磨粒，研磨粒也不會產生凝聚。因此，可成為外徑一定的線工具，切斷後的晶圓品質提升。
又，因為鈀與鍍敷層的密著性較高且能夠堅固地被固定，所以能夠抑制鑽石研磨粒在加工中脱落。又，因為鎳和鈦係在表面產生鈍態膜，與用以將鑽石研磨粒固著之鍍敷層的密著性較小；而鈀由於不會鈍態化，所以與鍍敷層的密著性良好，在加工時能夠抑制研磨粒脱落。
第2發明係一種線工具，其特徵在於具備：第1發明相關的鑽石研磨粒、具有導電性的芯線、及形成在前述芯線外周以保持前述鑽石研磨粒之鍍敷層。前述鍍敷層係由覆蓋前述芯線表面之芯線鍍敷層及覆蓋前述鑽石研磨粒表面之研磨粒鍍敷層所構成，相對於前述芯線鍍敷層的平均厚度，前述研磨粒鍍敷層的平均厚度為0.2以上且0.8以下，該研磨粒鍍敷層位在從前述芯線鍍敷層突出之部位的前述鑽石研磨粒表面
又，一種線工具，其特徵在於具備：第1發明相關的鑽石研磨粒、具有導電性的芯線、及形成在前述芯線外周以保持前述鑽石研磨粒之鍍敷層。前述鍍敷層係由覆蓋前述芯線表面之芯線鍍敷層及覆蓋前述鑽石研磨粒表面之研磨粒鍍敷層所構成，前述鑽石研磨粒前端部之前述研磨粒鍍敷層的一部分被除去，至少一部分之前述鑽石研磨粒前端的一部分呈露出。
使用於線工具的鑽石研磨粒，係依照使用用途而使用不同直徑的研磨粒。因此，必須對不同大小的鑽石研磨粒，維持研磨粒的保持力及切削後的被削材之表面品質，在鍍敷厚度與鑽石研磨粒的大小之間亦存在預定的限制條件。例如前述芯線鍍敷層的平均厚度，係以前述鑽石研磨粒的平均粒徑之0.25倍以上且0.75倍以下為佳。
在此，前述芯線鍍敷層的厚度，以鑽石研磨粒經固著之部位而言，形成鑽石研磨粒下部被埋入至預定深度為止之鍍敷層基底部。進而，鍍敷層係以從該基底部起連續的狀態形成在鑽石研磨粒表面，研磨粒是在該狀態下受保持。因而，前述芯線鍍敷層的平均厚度係成為前述鑽石研磨粒的固著力的基底，而為了得到穩定的固著力用以抵抗切削時對鑽石研磨粒起作用之剪切應力，芯線鍍敷層厚度必須為前述鑽石研磨粒的平均粒徑的0.25倍以上。若芯線的鍍敷層厚度比此更低，則鑽石研磨粒容易脱落。若基底部的厚度E為0.75倍以上，則因為研磨粒的突出量變小而容易產生滑動，而且加工越進展研磨粒的突出量變越小，所以銳利度會低落。
在前述芯線表面，亦可具有觸擊電鍍(strike plating)鍍敷層。觸擊電鍍層可以由鎳或其合金形成。藉由具有觸擊電鍍層，鑽石研磨粒容易附著在芯線。
在第2發明，鑽石研磨粒的效果在鈀被覆率為70~90%時頗為顯著。又，藉由使從芯線表面鍍敷層即芯線鍍敷層突出之部位處的鑽石研磨粒表面上形成的研磨粒鍍敷層的平均厚度、與芯線鍍敷層的平均厚度之比成為0.2以上且0.8以下，能夠效率良好地兼顧線工具上鑽石研磨粒的高保持力、及切斷後的晶圓之品質提升。
又，藉由對線工具進行修整，使90%以上的鑽石研磨粒前端的一部分露出，在剛開始切斷立即就能夠發揮線工具的切斷能力。又，此時，因為鑽石研磨粒表面的鍍敷厚度較薄，所以使用研磨石的修整時間較短，不須強力施行修整即可。因此，能夠防止在修整步驟中鑽石研磨粒脱落和固著力低落，生產性可提升。
又，藉由使芯線鍍敷層的平均厚度為鑽石研磨粒的平均粒徑之0.25倍以上，能夠確保鑽石研磨粒的保持力，藉由使其在0.75倍以下，能夠確保在線工具之鑽石研磨粒的切削品質。
而且，藉由在芯線表面形成觸擊電鍍層，在將鑽石研磨粒進行電沈積時，流通於芯線表面的電流穩定，可使鑽石研磨粒穩定地附著；藉由使芯線表面或觸擊電鍍層面粗面化，能夠利用錨固效果而改善鍍敷層的密著性。 發明效果
依照本發明，能夠提供一種線工具用鑽石研磨粒及線工具，可確實地保持鑽石研磨粒並同時抑制被切斷的晶圓產生厚度偏差或瑕疵。
較佳實施例之詳細說明 (切斷裝置) 以下，邊參照圖式邊說明本發明的實施形態。圖1係顯示切斷裝置1之概略圖。切斷裝置1係將切斷對象物之晶錠3進行切片加工者。切斷裝置1係由下列等所構成：保持部5，其用以保持晶錠3；滾輪9，其具有用以使線工具7移動之多溝；及省略了圖示之馬達，其係用以驅動保持部5及滾輪9。
在切斷裝置1，係在經賦予預定張力的狀態下將線工具7多數次捲繞在滾輪9的外周。線工具7係從一側被輸送(圖中箭號A方向)，而從另一側被捲取(圖中箭號B方向)。藉由驅動馬達而將滾輪9進行可逆旋轉，能夠使線工具7在滾輪9之間往復移動。
將矽、藍寶石等硬脆材料亦即晶錠3，在藉由保持部5保持的狀態下，使其相對於線工具7的移動方向呈垂直移動(圖中箭號C方向)。藉由對保持部5賦予預定荷重且使晶錠3接觸線工具7，而使用線工具7將晶錠3切斷。亦即，能夠將晶錠3一次切片切斷成多數片加工物。又，本發明的切斷方法係不被圖示的例子限定，使用依照本發明之線工具而進行的切斷加工係全部能夠適用。
(線工具) 其次，說明線工具7。圖2係顯示對線工具7軸方向呈垂直方向的剖面圖。線工具7主要由芯線11、研磨粒13、鍍敷層15等所構成。
(芯線11) 芯線11係高強度且具有導電性之金屬線。作為芯線11，例如能夠使用鋼琴線、不鏽鋼線、鎢線、鉬線等。又，作為芯線11，亦能夠適用已在玻璃纖維、醯胺纖維(aramid fiber)、碳纖維、氧化鋁纖維、硼纖維等的非金屬線形成導電性被覆層而成者。
在本發明中，能夠在芯線11表面形成觸擊電鍍層。觸擊電鍍層所使用之金屬係與後續鎳鍍敷層之相容性良好，能夠選自鎳、銅、黃銅等。觸擊電鍍層係具有作為基底鍍敷層之任務，而且具有使鑽石研磨粒穩定均勻地進行電沈積之效果。
在此，若是使用非金屬線作為芯線的情況，為了對芯線的外周面賦予導電性，可藉由無電鍍來進行金屬鍍敷而在玻璃纖維和高分子纖維形成芯線的表面導電層。或者可在芯線外周面使用導電性高分子、或使高分子含有、分散有Ag等導電性材料而賦予導電性。
又，芯線11的外徑係以80μm~300μm為佳。若芯線11的外徑太小，芯線11的抗張力變小，在使用時有斷裂之虞。另一方面，若芯線11的外徑太大，因為切削損失(kurf loss)變多，因而切斷時的產率低落。
(研磨粒13) 在芯線11的外周固定有研磨粒13。研磨粒13為鑽石研磨粒。亦即，研磨粒13為線工具用鑽石研磨粒。研磨粒13的平均粒徑係以5μm~70μm為佳，以10~60μm為較佳。若研磨粒13的粒徑太小，切削能力低劣。又，若研磨粒13的粒徑太大，為了將其保持，必須將研磨粒保持層的厚度增厚，會致使線工具7的外徑變大而產率低落。
又，在本發明之研磨粒13的平均粒徑，係設為以一般雷射繞射式粒徑分布測定裝置(例如島津製作所製SALD-2300)所測得之分布平均粒徑(算術平均粒徑)。又，針對研磨粒13的表面性狀，將後述其詳細。
(鍍敷層15) 鍍敷層15係形成在芯線11外周，而作為研磨粒13的保持層之功能。作為鍍敷層15，只要能夠保持研磨粒13，任一種金屬均可以，以由鎳、或其合金所構成的鍍敷層為更佳。鍍敷層15的厚度係能夠按照研磨粒13的平均粒徑而設定。又，鍍敷層15係由覆蓋芯線11表面之芯線鍍敷層、及覆蓋研磨粒13表面之研磨粒鍍敷層所構成。
圖3係研磨粒13之擴大剖面圖。在研磨粒13以外的部位之芯線11表面的鍍敷層15的基底部(芯線鍍敷層15a)之平均厚度E，係以研磨粒13的平均粒徑之0.25倍以上且0.75倍以下為佳。在此，芯線鍍敷層15a的平均厚度，在鑽石研磨粒固著時係形成將鑽石研磨粒的下部埋入至預定深度為止之鍍敷層的基底部，但是若芯線鍍敷層15a的厚度E比研磨粒13的平均粒徑之0.25倍更小，則無法充分地保持研磨粒13，有因加工中的剪切力致使研磨粒13脱落之虞。又，芯線鍍敷層15a的厚度E若比研磨粒13的平均粒徑之0.75倍更大，雖然研磨粒13能夠堅固地保持，但是在加工初期容易產生滑動，且加工越進展，研磨粒13的突出量變越小，致使銳利度低落且有在晶圓產生翹曲之虞。
又，從芯線11表面的鍍敷層15(芯線鍍敷層15a)突出的部分之研磨粒13表面上所形成的鍍敷層15(研磨粒鍍敷層15b)，其厚度D對前述芯線鍍敷層15a的厚度E之比，係以0.2以上且0.8以下為佳。研磨粒的鍍敷層之厚度D若比芯線鍍敷層15a的厚度E之0.8倍更大時，線工具7的初期銳利度變差。因此，有使被切斷的晶圓產生厚度偏差之虞。又，若是預先對線工具7進行修整的情況，研磨粒13表面的鍍敷層15厚度較厚時，修整花費時間。又，研磨粒鍍敷層15b之厚度D若比芯線鍍敷層15a的厚度E之0.2倍更小時，研磨粒13上的鍍敷層15太薄，致使研磨粒13的固著有不充分之虞。
又，以預先對線工具7進行修整的情況而言，係以將研磨粒13的前端部之研磨粒鍍敷層的一部分除去，使至少一部分(較佳為研磨粒13的90%以上)的研磨粒13之前端的一部分露出為佳。藉由如此進行，能夠從使用初期起使線工具的切削能力發揮。研磨粒13的前端之露出狀態，係能夠藉由電子顯微鏡(SEM)+元素分析觀察預定區域且計算其個數來計算。
而且，鍍敷層15的厚度係能夠藉由觀察線工具7的剖面來計量，而且將多數個剖面(例如n=10)之計量結果平均而算出。
(研磨粒13的表面性狀) 圖4A~圖4C係研磨粒13的概念圖，圖4A係顯示處理前的鑽石粒子14之圖，圖4B係顯示已在鑽石粒子14表面施行海狀鈀被覆的狀態之圖，圖4C係顯示已在鑽石粒子14表面施行島狀鈀被覆的狀態之圖。在使研磨粒13附著在芯線11之前，係對研磨粒13表面施行鈀被覆17。又，形成在鑽石研磨粒表面之金屬膜，亦能夠使用鎳和鈦，但是因為鎳和鈦會在表面形成鈍態膜，所以與鍍敷層15的密著力低落，而有研磨粒13的保持力不充分之虞。相對於此，因為鈀係不形成鈍態膜，所以與鎳鍍敷層的密著性良好。因而，作為鑽石粒子的基底被覆，係以鈀被覆為佳。
在本發明，係如圖4B所顯示，鈀被覆17係對鑽石粒子14表面形成海狀。亦即，研磨粒13中，鑽石粒子14表面的一部分係被鈀被覆17所被覆，鈀被覆17整體而言係以大致連續的方式形成(海部)被覆。又，鈀被覆17不是完全將鑽石粒子14被覆，而是在一部分不施行鈀被覆17，而設置鑽石粒子14露出之鑽石露出部18。鑽石露出部18係對研磨粒13表面形成島狀。亦即，鑽石露出部18係以多數島狀互相隔開距離而形成。如此，研磨粒13係由在鑽石粒子14表面被鈀大致連續性被覆而成之海部；及鑽石粒子14表面未被鈀被覆且鑽石粒子14表面露出之鑽石露出部18所構成。
相對於此，圖4C係顯示習知鈀被覆17對鑽石粒子14表面形成島狀之例子。亦即，鈀被覆17對鑽石粒子14表面為互相隔開距離而被覆。亦即，鈀被覆17彼此之間是互相未連續。因而，鑽石露出部18係形成海狀。如此，一般推測鈀以島狀被覆的狀態應為鈀被覆17的較佳被覆狀態。
本發明群係著眼於在鑽石研磨粒表面之鈀金屬粒子的被覆狀態(被黏著狀態)，藉由將被覆狀態從島狀變更成海狀，而完成了本發明。具體而言，係發現藉由使鈀金屬核對鑽石研磨粒之被覆狀態呈海狀連續結構，來代替使鈀金屬核以島狀分布之習知鑽石研磨粒，芯線與鑽石研磨粒在固著鍍敷時的通電特性可獲改善，且使薄膜鍍敷層對鑽石研磨粒之形成化為可能，雖然是薄膜鍍敷層，但是被削材的表面特性和研磨粒的保持性能夠獲得顯著改善。
如此，藉由將鈀被覆17對鑽石粒子14表面作海狀形成，能夠提供一種線工具等，該線工具之鑽石研磨粒具有優異的保持性，同時從切斷初期就能夠發揮銳利度，而且所切斷之晶圓的厚度偏差較少，可抑制翹曲及攸關表面品質的瑕疵產生。特別是藉由使用鈀金屬核，不會使鍍敷厚度增厚，而實現能夠維持固著力且能夠維持線工具的切削性。
鈀被覆17(海部)對研磨粒13表面之被覆率(面積率)，係以鑽石粒子表面積的70~90%且剩餘部分為鑽石露出部18為佳。若鈀被覆率太小，研磨粒13表面的鍍敷層15之成長速度變得太小，鍍敷步驟的生產性亦較差，藉由鍍敷層15充分保持研磨粒13變得困難。又，若鈀被覆率太大，研磨粒13表面的鍍敷層15厚度變得太大，線工具7的初期銳利度變差。
又，形成在鑽石粒子14表面之鈀被覆17的被覆厚度之平均厚度，係以0.01μm起至0.5μm為佳。鈀被覆17的平均厚度若小於0.01μm，研磨粒13表面之鈀量不充分，鍍敷不容易在研磨粒13上成長，與鎳鍍敷層的密著變弱，研磨粒13在加工中有脱落之虞。該結果，有使晶圓表面品質變差之虞。又，鈀被覆17的平均厚度若大於0.5μm，鍍敷會厚厚地形成在研磨粒13上，而無法發揮初期銳利度。因此，有晶圓厚度偏差、切斷初期產生滑動等之虞。而且，因為鈀為貴金屬，在成本面亦不利。
(在研磨粒表面形成鈀金屬核被覆之方法) 以此種在研磨粒表面形成鈀被覆17之方法而言，例如能夠如以下進行。
調節步驟： 首先，調整鑽石粒子14表面的電位且賦予正電荷。具體而言，係使用胺鹽系化合物等通常被使用的陽離子界面活性劑來進行表面處理。 活化步驟： 其次，使鑽石粒子14表面吸附鈀粒子(化合物)。作為鈀化合物，係能夠使用眾所周知的物質，例如氯化鈀、硝酸鈀、硫酸鈀、乙酸鈀、氧化鈀等的水溶性鈀化合物。此時，藉由對鑽石粒子14表面，在後述的預定條件下重複進行調節步驟及活化步驟，而能夠使其吸附無數的鈀金屬化合物。藉由重複進行該處理、或提升處理液的鈀濃度，鈀的附著量逐漸增加，在鑽石研磨粒表面，鈀金屬核的被覆狀態係逐漸成長為島狀。 促進步驟： 最後，使已附著的鈀核往金屬皮膜化的方向成長。具體而言，係進行還原處理。藉由進行本步驟，將在活化步驟所吸附的鈀化合物進行還原處理，可取得鈀金屬核互相連續性配列之結構，而可容易地將鈀形成海狀。又，關於被覆率，係能夠藉由調整處理時間來調整。又，膜厚的調整可以變更處理溫度調整還原反應的速度來進行，反應速度快則會往膜變厚的方向進展。
在此，所謂鈀被覆17的平均厚度，係依據用來賦予鈀的處理所消耗的鈀量及將鑽石粒子14假設為球體時由表面積算出的平均厚度。又，圖3所顯示的研磨粒13表面之鍍敷層15厚度D係指鈀被覆17上的鍍敷層15厚度。
藉由將調節步驟及活化步驟重複一定次數，能夠使鈀被覆17在研磨粒表面作島狀被覆且使其成長。在此，之所以將調節步驟及活化步驟重複預定次數，係因為若不重複預定次數，在被覆成為島狀的部分之被覆狀態會產生偏差而難以均勻地被覆在鑽石表面。又，藉由重複預定次數，亦能夠使前述島狀被覆部的被覆率提升。
又，將鈀被覆17形成島狀，係重複進行調節步驟及活化步驟後，在預定條件下進行促進處理即可。因而，如此進行而形成的鈀被覆17，係對鑽石粒子14表面形成島狀。亦即，將鈀以被覆率50~70%形成在鑽石粒子14表面，係能夠藉由適當地變更調節步驟及活化步驟的重複次數及時間而進行。
本發明不利用重複進行調節步驟及活化步驟，而是藉由調整促進處理的溫度及時間，而使鈀被覆17得以從較低被覆率容易地成長為海狀。具體而言，係藉由使促進處理的溫度比通常的處理溫度更低溫且花費長時間進行鈀化合物的還原，來減慢鈀的還原反應進行，藉此可使鈀在鑽石表面成長成為海狀，進而使被覆率提升，並就被黏著狀態而言被覆成海狀。調整以上的條件便可調整鈀的被覆率。
又，可藉由調整促進處理的溫度以尋求以預定被覆率得到不同鈀被覆厚度。促進處理係藉由提升溫度使得反應速度提高，膜厚度方向的成長速度亦增加。因此，欲增大厚度時，係能夠藉由提升處理溫度而得到。
(線工具的製造方法) 其次，說明線工具7的製造步驟。圖5係顯示線工具製造裝置20之概略圖。首先，製造芯線11。芯線11係例如只要是鋼琴線等的金屬線，就能夠直接使用。又，若是玻璃線等的非金屬線，可預先在外周面設置導電性被覆層。又，使用鋼琴線時，亦如前述，係以預先將銅鍍敷等形成在外周面為佳。
其次，將芯線11輸送至脱脂槽21(圖中的箭號F方向)。脱脂槽21係例如積存有氫氧化鈉水溶液之槽，能夠將附著在芯線11外表面之油分等污染除去。在水洗槽23，附著在表面之脱脂槽21的藥液等可被洗淨。
鍍敷槽25係對芯線11進行電鍍，用以將研磨粒13進行電沈積之槽。鍍敷槽25係例如使研磨粒13分散在已溶解有鎳的溶液之鎳浴。在此，例如鍍敷槽中可使用已採用胺基磺酸鎳300g/l、氯化鎳5g/l、硼酸40g/l且調整成為PH4.0而成之電解浴。
又，如前述，研磨粒13表面可預先形成鈀被覆17。通過鍍敷槽25之芯線11上係連接陰極29。又，鍍敷槽25中係浸漬有陽極31。陰極29與陽極31係連接至省略圖示之電源。藉由以上，能夠形成所需厚度的鍍敷層15。
在研磨粒13被鍍敷層15保持的狀態下，使用水洗槽27將多餘的藥劑等洗淨，並以捲取裝置33捲取(圖中箭號G方向)，即可製造線工具7。
如以上說明，依照本實施形態，因為使用金屬鍍敷作為將研磨粒13固定在芯線11之研磨粒保持機構，所以能夠堅固地保持研磨粒13。此時，因為鈀被覆17在研磨粒13表面形成海狀，因此能夠使研磨粒13表面(前端部)的鍍敷層15厚度比芯線11表面的鍍敷層15厚度更薄，而成為預定比率。因此，從線工具7的使用初期便可立刻發揮切削能力。
又，因為鈀被覆17係形成海狀，所以研磨粒13表面的鈀被覆部，係能夠從芯線11起穩定地通電至研磨粒13表面的海狀鈀被覆17。其結果，能夠以大致均勻的速度在研磨粒13表面形成鍍敷層15。因此，即便保持研磨粒13之鍍敷層15厚度為較薄，亦能夠形成大致均勻厚度的鍍敷層，能夠確實地保持研磨粒13。特別是因為鈀被覆17與鎳鍍敷的密著性優異，所以藉由鍍敷層15而能夠確實地保持研磨粒13。
而且，因為鈀被覆17之海部的面積率為70%以上且90%以下，所以能夠良好地保持研磨粒13的保持力及被切削後的晶圓品質之兩者。又，因為鈀被覆17厚度為0.01μm起至0.5μm，所以能夠良好地保持與鍍敷層15的密著力提升及切削後的晶圓品質之兩者。
又，若芯線11表面的鍍敷層15厚度小於研磨粒13的平均粒徑之1/4時則保持力不足，而本發明因為芯線11表面的鍍敷層15厚度為研磨粒13的平均粒徑之1/4以上，所以能夠得到充分的研磨粒13保持力。因此，能夠抑制切削中的研磨粒13產生脱落。又，因為鍍敷層15厚度為研磨粒13的平均粒徑之3/4以下，所以鍍敷層15不會變得太厚。能夠確保研磨粒13從鍍敷層15的突出量。因此，能夠確保工具壽命。又，因為不必過度地增厚鍍敷層15，所以生產性良好。
又，因為相對於從芯線鍍敷層突出的部位之研磨粒13的鍍敷層15(研磨粒鍍敷層)厚度，研磨粒13以外的部位處之芯線11表面的鍍敷層15(芯線鍍敷層)厚度之比在0.2以上，所以能夠得到充分的研磨粒13保持力。又，因為研磨粒鍍敷層厚度對芯線鍍敷層厚度之比為0.8以下，所以在使用初期能夠使切削能力發揮，即便進行修整亦能夠縮短加工時間。 實施例
使鑽石研磨粒表面性狀、鍍敷厚度等變化而製造各種線工具，而且評價藉此被切片加工後的晶圓之品質等。
(實施例1) 本發明有關的線工具，係如以下製造。在被覆有約1μm的銅鍍敷之直徑180μm的鋼琴線，將鑽石研磨粒使用鎳鍍敷固著。鎳鍍敷係使用胺基磺酸鎳浴。鑽石研磨粒係使用平均粒徑35.2μm者。
鑽石研磨粒係能夠將下列3個步驟作為基準且組合而製得：調節步驟，其係使用陽離子系的調節劑，例如在50℃下處理20分鐘之步驟；活化步驟，其係在已溶解有鈀化合物之50℃溶液浸漬20分鐘之步驟；接著是促進步驟，其係在含有還原劑且溶解有鈀化合物之預定溫度的溶液，浸漬預定時間之步驟。設定如此3個步驟･處理次數･處理時間等，可在鑽石表面以被覆率50~70%的島狀被覆狀態、50~90%的海狀被覆狀態、被覆率100%的整面被覆狀態等各種形態下，形成鈀被覆。
例如，島狀被覆狀態係藉由將前述調節步驟、前述活化步驟的處理次數及時間適當地變更而重複進行，隨後進行預定溫度50℃×20分鐘的促進步驟而得到。相對於此，為了在鑽石研磨粒表面得到海狀被覆狀態，係藉由使促進處理的溫度比得到島狀被覆狀態的情況更低溫且長時間例如設定為40℃×60分鐘以上而得到各種海狀被覆狀態，又，得到整面被覆狀態係設定為最長時間。
其次，在形成有鈀被覆之鑽石表面，再次使用陽離子系界面活性劑而對鑽石表面賦予正電荷。將如此生成的鑽石研磨粒，添加至由胺基磺酸鎳、氯化鎳及硼酸所形成的胺基磺酸鎳浴內，邊進行鎳鍍敷邊將鑽石研磨粒引進至鋼琴線而將預定個數的鑽石研磨粒進行電沈積。隨後，在另外的胺基磺酸鎳浴，以芯線上的鍍敷厚度成為17μm之方式形成鎳鍍敷而將鑽石堅固地固定。以下，實施例、比較例之全部的線工具之研磨粒集中度(每單位之研磨粒個數)係設為一定。在此，所謂研磨粒集中度，係指已固著的研磨粒在每平均線預定長度所佔線表面投影面積的面積比率，將研磨粒集中度設為一定，係為了對提供試驗之各實施例材、比較例材進行對等的評價。
在本實施例，係將在研磨粒表面上將鈀被覆形成海狀者、形成島狀者、及在整面形成者進行比較。又，將鈀被覆形成海狀者，係使用將鈀被覆17形成島狀而成之研磨粒，而且不重複調節步驟及活化步驟，而是藉由使促進處理溫度低溫化且調整處理時間，使鈀被覆成長而將鈀被覆形成海狀(表2的No.1-No.5)。又，將鈀被覆在整面形成者，係藉由進一步將促進處理時間延伸而以膜將鑽石表面完全地被覆(表2的No.6)。又，將鈀被覆形成島狀者，係將、調節步驟及活化步驟重複而使研磨粒表面的鈀金屬核被覆成長為島狀者(表2的No.7-No.9)。
鈀被覆率，係從將鑽石研磨粒表面的鈀進行映像且二値化處理時的影像算出面積率。又，鈀被覆厚度係藉由原子吸光法而算出從所使用的液量吸附在研磨粒之鈀量，從將鑽石研磨粒假設為球體之表面積算出且使用前述鈀被覆率而得到之平均厚度。
又，在進行影像解析時，針對鈀係在鑽石研磨粒的整體範圍連續且成為海狀被覆狀態者，金屬核被覆構造係設作「海狀」；針對鈀的被覆狀態係成為島狀且相對於鑽石研磨粒表面整體，鈀的被覆狀態係被分割成為多數個的形態者，金屬核被覆構造係設作「島狀」；鈀係完全地將鑽石研磨粒表面覆蓋者，金屬核被覆構造係設作「整面」。
芯線部鍍敷厚度，係剖面觀察線工具而測定在鑽石研磨粒以外的部位之鍍敷厚度。同樣地進行測定研磨粒的鍍敷厚度。又，研磨粒的鍍敷厚度係在從芯線部鍍敷部的鍍敷厚度突出的部分之研磨粒表面所形成的鍍敷厚度(形成在研磨粒的鈀被覆上之鍍敷厚度)。
從所得到之各部的鍍敷厚度，算出研磨粒鍍敷厚度/芯線部鍍敷厚度。又，算出芯線部的鍍敷厚度/研磨粒徑。
測定如此進行而得到的線工具之直徑。作為被切削物，係進行藍寶石晶錠(Ф2英吋、長度約60mm)的切片實驗。切削條件係邊以線移動速度400m/分鐘使其往復運動、邊將被切削物以0.3mm/分鐘加壓接觸，而且線工具係以施加張力35N的狀態下邊施加水溶性的磨削液邊進行加工。
將邊緣材從所切取的晶圓除去且測定晶圓厚度偏差、TTV、翹曲、表面粗糙度Ra等。晶圓厚度偏差係算出各晶圓之中心與周圍4點合計5點厚度的平均値，來算出相對於將邊緣材除去後的全部晶圓之晶圓厚度偏差的標準偏差。
又，所謂TTV，係依據在日本水晶DEVICE工業會所規定的技術基準(QIAJ-B-007)之「3.7.4 TV5」者。亦即，TTV係表示切削結束後之表背之間的平行度。
圖6係表示TTV(TV5)的測定方法之圖。將對所得到之晶圓的定向平面(orientation flat)(圖中J)、及次平面(secondary flat)(圖中K)的各自為垂直之晶圓的中心線設作L、M。此時，在從晶圓的外周起算6mm內側的線(圖中I)與中心線L、M的交點之H1~H4、及晶圓之中心(中心線L、M之交點)的H5之合計5點，進行測定厚度。此時所測定的厚度之最大値與最小値之差係成為TTV(TV5)的測定値。將其為10μm以下者設作合格且進行評價其合格率(合格晶圓片數/測定晶圓片數)。
又，翹曲係從所切取的晶圓每5片使用平坦度測定器掃描晶圓面，而依照最大高度與最小高度之差進行評價且算出其平均値。又，表面粗糙度亦與翹曲同樣地，從所切取的晶圓每5片使用觸針式表面粗糙度測定器，而測定切斷方向(線工具咬入的方向)表面粗糙度Ra且設作其平均値。針對該等評價項目各自進行「良好(good)」、「差(bad)」的評價。將評價基準顯示在表1，將各評價結果顯示在表2。
[表1]
[表2]
表2中的「綜合評價」，係針對晶圓厚度偏差、TTV合格率、翹曲、表面粗糙度的4個項目，基於表1所顯示的基準進行評價。在此，作為線工具的切斷性，係以上述4個項目的任一者均優異為佳，因為該等4個項目之中，存在任一評價較低的項目時實用上成為問題之緣故，將各項目之各自的評價之中最低的評價，顯示在表2至表6的「綜合評價」欄。
就表2的評價而言，因為No.3~No.5之鈀被覆為海狀(鑽石露出部為島狀)，鈀被覆率為70%~90%，所以在研磨粒表面亦形成均勻的鍍敷。該結果，評價結果為「良好」。
另一方面，因為No.1及No.2儘管鈀被覆為海狀，但是鈀被覆率較低而不是70%~90%，所以評價結果成為「差」。又，因為No.6之鈀被覆係被覆在鑽石表面的整面範圍，鈀被覆率為100%之緣故，所以研磨粒表面的鍍敷厚度變厚且評價結果成為「差」。
這是如No.1及No.2，因為鈀被覆率小於70%時，研磨粒上的鍍敷變薄且與研磨粒的密著性變為較低。該結果，研磨粒容易脱落且研磨粒的集中度和線工具的直徑容易產生經時變化，致使切斷初期與切斷末期之晶圓厚度產生變化且晶圓品質為整體性變差。
又，如No.6，鈀被覆率大於90%、鈀將研磨粒表面完全地覆蓋(被覆率100%)時，研磨粒上的鍍敷變厚，雖然研磨粒係堅固地被固著，但是線工具的初期切削能力變差。該結果，特別是由於在切斷初期之線工具的滑動，致使晶圓厚度偏差變大且切削品質亦低落。如此，在本發明，鈀被覆率係以70%~90%為佳。
相對於此，因為No.7~No.9之鈀被覆不是海狀，而是被分割成為島狀被覆構造，所以在研磨粒表面未形成均勻的鍍敷且研磨粒與鍍敷層的密著力不足。該結果，因為研磨粒容易產生脱落，而且線工具的直徑容易產生經時變化且鍍敷厚度為不均勻，所以TTV和翹曲變差。
特別是No.9，儘管鈀被覆率為70%，但是因為具有將研磨粒被覆成為島狀之構造，所以評價結果為「差」。如此，在本發明係藉由將鈀被覆以預定被覆率連續性形成海狀，而能夠將鍍敷均勻且穩定地形成在研磨粒上，能夠抑制研磨粒上的鍍敷厚度之同時，亦將研磨粒堅固地抑制且能夠提高切斷後的晶圓之品質。
(實施例2) 其次，將實施例1的No.4作為基準，使研磨粒上的鈀被覆厚度變化而進行同樣的評價。將結果顯示在表3。又，關於鈀被覆厚度以外，係與實施例1的No.4同樣。又，實施例1的No.4與實施例2的No.16為相同試樣。
鈀被覆厚度係藉由變更促進處理的溫度，而能夠適當地變更。具體而言，係使用將鈀被覆在研磨粒表面上形成島狀而成研磨粒，藉由變更進行促進處理時的處理溫度，而將被覆厚度從0.002μm起調整至0.8μm為止(No.11~No.20)。
[表3]
從表3，鈀被覆厚度為0.01~0.5μm的範圍，研磨粒鍍敷厚度/芯線鍍敷厚度的範圍為0.2~0.8的範圍之No.13~No.18係評價為「良好」。又，如No.19、No.20，鈀被覆厚度為0.6μm以上，係評價為「差」。這是因為鈀被覆為較厚，雖然研磨粒係堅固地被固著，但是研磨粒上的鍍敷亦變厚，其結果，特別是由於在切斷初期之線工具的滑動，致使晶圓厚度偏差變大。
又，鈀被覆厚度小於0.01μm之No.11及No.12係評價為「差」。這是因為鈀被覆為較薄，所以研磨粒上的鍍敷變薄且研磨粒與鍍敷的密著力較低之緣故。該結果，研磨粒容易產生脱落且線工具的直徑容易產生經時變化，特別是TTV和翹曲變差。如此，在本發明之研磨粒的鈀被覆厚度，係以0.01~0.5μm為佳。
(實施例3) 其次，使芯線部的鍍敷厚度變化而進行同樣的評價。將結果顯示在表4。又，除了芯線部的鍍敷厚度以外，係與實施例1的No.4同樣。芯線部的鍍敷厚度係藉由施加電流及鍍敷時間而調整。
[表4]
芯線部的鍍敷厚度為10μm~26μm，芯線部鍍敷厚度/研磨粒徑為0.25~0.75的範圍(亦即，芯線部鍍敷厚度/研磨粒徑為0.25~0.75的範圍)之No.22~No.25係評價為「良好」。
相對於此，芯線部鍍敷厚度/研磨粒徑為0.20之No.21係評價為「差」。這是因為鍍敷厚度太薄，所以研磨粒的保持力不足之緣故。該結果，研磨粒容易產生脱落，而且線工具的直徑容易產生經時變化且TTV和翹曲變差。
又，芯線部鍍敷厚度/研磨粒徑大於0.75之No.26係評價為「差」。這是因為鍍敷太厚，所以晶圓厚度偏差變大之緣故。如此，在本發明之芯線部鍍敷厚度/研磨粒徑，係以0.25~0.75為佳。
(實施例4) 其次，使用研磨粒徑為9.8μm的鑽石研磨粒且使鈀被覆率變化而進行實施例1同樣的評價。將結果顯示在表5。又，芯線部的鍍敷厚度係設為6μm。針對鈀被覆厚度，係與實施例1同樣。又，按照研磨粒的尺寸而適當地變更切斷速度來進行實驗。
[表5]
如表5所顯示，因為No.31及No.32之鈀被覆為海狀(鑽石露出部為島狀)且鈀被覆率為70%~90%的範圍，所以在研磨粒表面亦形成均勻的鍍敷。該結果，評價結果為「良好」。
另一方面，儘管No.33、No.34之鈀被覆為海狀，但是因為鈀被覆率較低而為50~60%，所以研磨粒鍍敷厚度為較薄且與研磨粒的密著性變低，致使研磨粒容易脱落。因此，線工具的直徑為經時地變化且TTV和翹曲變差。該結果，評價結果為「差」。
又，No.35係因為鈀被覆率為100%及將鑽石表面完全地覆蓋，所以研磨粒上的鍍敷變為太厚。因此，線工具初期的切削能力變差且晶圓厚度偏差變大。該結果，評價結果為「差」。
而且，因為No.36之鈀的被覆率為70%且鈀被覆不是海狀而是隔開距離成為島狀而被覆，所以在研磨粒表面未形成均勻的鍍敷且研磨粒與鍍敷層的密著力不足。該結果，研磨粒容易產生脱落，而且線工具的直徑容易產生經時變化且TTV和翹曲變差。
(實施例5) 其次，使用研磨粒徑為58.7μm的鑽石研磨粒，使鈀被覆率變化而進行與實施例4同樣的評價。將結果顯示在表6。又，芯線部的鍍敷厚度係設作30μm。關於鈀被覆厚度，係與實施例1同樣。又，按照研磨粒的尺寸而適當地變更切斷速度來進行實驗。
[表6]
如表6所顯示，因為No.41及No.42之鈀被覆為海狀(鑽石露出部為島狀)且鈀被覆率為70%~90%的範圍，所以研磨粒表面亦形成均勻的鍍敷。該結果，評價結果為「良好」。
另一方面，因為儘管No.43、No.44之鈀被覆為海狀，但是鈀被覆率較低而為50~60%，所以與研磨粒的密著性較低且研磨粒多少容易脱落。因此，線工具的直徑產生經時變化且TTV和翹曲變差。該結果，評價結果為「差」。
又，No.45之鈀被覆率為100%時，因為將鑽石表面完全地覆蓋，所以研磨粒上的鍍敷變為太厚。因此，線工具的初期切削能力變差且晶圓厚度偏差變大。該結果，評價結果為「差」。
而且，No.46之鈀的被覆率為70%，因為鈀被覆不是海狀而是隔開距離成為島狀而被覆，所以未在研磨粒表面形成均勻的鍍敷且研磨粒與鍍敷的密著力不足。該結果，研磨粒容易產脱落，而且線工具的直徑容易產生經時變化且TTV和翹曲變差。
如此，除了將被覆研磨粒表面之金屬設作鈀、被覆率、被覆厚度以外，藉由限定被覆構造，不管研磨粒徑的大小如何，均能夠使研磨粒上鍍敷厚度對芯線上的鍍敷厚度成為適當的範圍。藉此，在將研磨粒堅固地固著之同時，能夠成為能夠發揮初期的銳利度之線工具且滿足全部的晶圓品質。
以上，邊參照附加圖示邊說明本發明的實施形態，但是本發明的技術範圍，係不被前述的實施形態支配。只要是該業者，應清楚明白在申請專利範圍所記載的技術思想之範疇內能夠想出各種變更例或修正例，而且能夠理解該等亦當然屬於本發明的技術範圍。
1‧‧‧切斷裝置
3‧‧‧晶錠
5‧‧‧保持部
7‧‧‧線工具
9‧‧‧滾輪
11‧‧‧芯線
13‧‧‧研磨粒
14‧‧‧鑽石粒子
15‧‧‧鍍敷層
15a‧‧‧芯線鍍敷層
15b‧‧‧研磨粒鍍敷層
17‧‧‧鈀被覆
18‧‧‧鑽石露出部
20‧‧‧線工具製造裝置
21‧‧‧脱脂槽
23‧‧‧水洗槽
25‧‧‧鍍敷槽
27‧‧‧水洗槽
29‧‧‧陰極
31‧‧‧陽極
33‧‧‧捲取裝置
A、B、C‧‧‧箭號
D、E‧‧‧厚度
H1~H4‧‧‧交點
I‧‧‧內側的線
J‧‧‧定向平面
K‧‧‧次平面
L、M‧‧‧中心線
圖1係顯示切斷裝置1之圖。 圖2係線工具7的剖面圖。 圖3係研磨粒13的擴大剖面圖。 圖4A係顯示鑽石粒子14之圖。 圖4B係顯示在研磨粒13的外周面將鈀被覆17設置成海狀狀態之圖。 圖4C係顯示在研磨粒13外周面將鈀被覆17設置成島狀狀態之圖。 圖5係顯示線工具製造裝置20之概略圖。 圖6係顯示TTV(TV5)測定方法之圖。
Claims (5)
- 一種線工具用鑽石研磨粒，該鑽石研磨粒係鑽石粒子表面的一部分經鈀被覆而成者，其特徵在於：其由海部及露出部所構成，該海部係鈀以被覆厚度0.01μm起至0.5μm的厚度大致連續性被覆於前述鑽石粒子表面而成；該露出部係前述鑽石粒子表面未被鈀被覆而前述鑽石粒子表面露出而成；前述海部的面積率為前述鑽石粒子的表面積之70%以上且90%以下，剩餘部分為前述露出部。
- 一種線工具，其特徵在於：具備如請求項1之鑽石研磨粒；具有導電性的芯線；及形成在前述芯線外周以保持前述鑽石研磨粒之鍍敷層；前述鍍敷層係由覆蓋前述芯線表面之芯線鍍敷層及覆蓋前述鑽石研磨粒表面之研磨粒鍍敷層所構成，前述研磨粒鍍敷層的平均厚度與前述芯線鍍敷層的平均厚度之比為0.2以上且0.8以下，該研磨粒鍍敷層係從前述芯線鍍敷層突出之部位的前述鑽石研磨粒表面。
- 一種線工具，其特徵在於具備：如請求項1之鑽石研磨粒；具有導電性的芯線；及形成在前述芯線外周以保持前述鑽石研磨粒之鍍敷層；前述鍍敷層係由覆蓋前述芯線表面之芯線鍍敷層及覆蓋前述鑽石研磨粒表面之研磨粒鍍敷層所構成，前述鑽石研磨粒前端部之前述研磨粒鍍敷層的一部分被除去，至少一部分之前述鑽石研磨粒前端的一部分呈露出。
- 如請求項2或3之線工具，其中前述芯線鍍敷層的平均厚度為前述鑽石研磨粒的平均粒徑之0.25倍以上且0.75倍以下。
- 如請求項2或3之線工具，其中前述芯線表面具有觸擊電鍍層。
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