CN102574275A - 固定磨粒线及其制造方法以及用于该固定磨粒线的磨粒 - Google Patents

固定磨粒线及其制造方法以及用于该固定磨粒线的磨粒 Download PDF

Info

Publication number
CN102574275A
CN102574275A CN2009801616677A CN200980161667A CN102574275A CN 102574275 A CN102574275 A CN 102574275A CN 2009801616677 A CN2009801616677 A CN 2009801616677A CN 200980161667 A CN200980161667 A CN 200980161667A CN 102574275 A CN102574275 A CN 102574275A
Authority
CN
China
Prior art keywords
line
abrasive grain
metal
plating
diamond abrasive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2009801616677A
Other languages
English (en)
Inventor
尾崎则行
土桥一公
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Fine Steel Co Ltd
Original Assignee
Japan Fine Steel Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Fine Steel Co Ltd filed Critical Japan Fine Steel Co Ltd
Publication of CN102574275A publication Critical patent/CN102574275A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
    • B24D18/0018—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for by electrolytic deposition
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/06—Grinders for cutting-off
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/06—Grinders for cutting-off
    • B24B27/0633—Grinders for cutting-off using a cutting wire
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D11/00—Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)

Abstract

本发明提供一种可以稳定地制造覆盖有内藏多个磨粒的金属镀层的固定磨粒线的方法，该方法是通过将金属制的线浸渍于含有多个磨粒和要施镀的金属的阳离子的电解液中，将上述金属制的线作为阴极，通过在阳极和上述阴极之间赋予适当的电位差，将包含在电解液中的多个磨粒与从阳离子还原的金属一起在作为阴极的金属制的线的表面析出，从而制造出覆盖有含有多个磨粒的金属镀层的固定磨粒线。将包含在电解液中的磨粒的表面预先施镀有比银离子化倾向小的金属的磨粒作为磨粒使用。

Description

固定磨粒线及其制造方法以及用于该固定磨粒线的磨粒
技术领域
本发明涉及固定磨粒线及其制造方法以及用于该固定磨粒线的磨粒。
背景技术
固定磨粒线是特别在硅、石英、陶瓷等硬质材料的切割、切片、内表面研磨、切块、晶锭切割中使用的将磨粒固定在线上的器具。
为了容易理解本发明，下面说明固定磨粒线的使用例，例如，可以在线锯中使用该固定磨粒线。该线锯是使赋予张力的细线列运动，在向该线列吹送含有磨粒的浆液状的研磨材料的同时将被切削物（例如硅晶锭）按压至线列，通过游离磨粒的研磨作用将被切削物切割成晶片状的装置，由于可同时获得多片晶片，因此被称为多片切割法。在图58中，作为一例示出用于加工单晶硅的线锯装置的大概结构图。
简单说明图58，由放线线轴41供给的线42经由能引导线的多个导向辊43在具有多个槽的多个带槽辊44上形成具有一定间距的线列，在通过供给单元45将被切削物46按压至该线列的同时从喷嘴47向线列吹送浆液状的游离磨粒，以此将被切削物46切割成晶片状，之后，线列经由多个导向辊48后卷绕在收线线轴49上。线42通过设置在带槽辊44上的驱动马达50的驱动力而运动，此时，张力调节辊51、52的运动信息反馈到放线线轴41及收线线轴49的旋转上，从而保持一定的张力。通常，线42在其材料的有效利用以及改善切割面粗糙度等品质方面上有要求，因此以一定的双向运动或者单向运动同时前进，最终卷绕在收线线轴49上。
作为上述浆液状的游离磨粒，一般较多使用将碳化硅磨粒分散于油剂中的浆液。油剂使用矿物油类的油剂，但是因清洗需要有机溶剂等而存在环境上的问题，所以逐渐转换成将乙二醇类溶剂作为基底的水溶性物质。使用上述游离磨粒的线锯的特点是，（1）由于采用一次切割整个被切削物的方式，因此即使切割速度不快也可以大量进行处理，（2）由于工具是线，因此大口径被切削物的切割变得比较容易，（3）由于是利用游离磨粒的研磨作用进行切割，且工具为细线，因此虽然具有能切割薄的晶片的特点，但是因使用浆液状的游离磨粒，具有该磨粒在工作台上飞散、干燥而污染工作环境的缺点，还具有需要处理废液、清洗切割的晶片等缺点。
于是作为解决上述缺点的手段，提出了用热硬化性树脂粘合剂或光硬化性树脂粘合剂使金刚石磨粒等附着在线上，通过使该树脂热硬化或光硬化而将固定磨粒附着于线上。但是，由于用树脂使磨粒附着在线上的方法的固着力不充分，因而在通过线的激烈往复运动将被切削物切割成晶片状的过程中伴随着切割的摩擦动作，可能会使磨粒脱落。
于是，为了解决上述游离磨粒线锯及采用通过树脂使磨粒附着在线上的线锯的问题，在专利文献1至3中提出了使用将磨粒用电解法固着在线上的磨粒电沉积线的线锯。
如图59所示，专利文献1公开了具有在线或带材61上电沉积粗的金刚石磨粒62的第1电沉积层63、和在第1电沉积层63上电沉积比起前述磨粒细得多的金刚石磨粒64的第2电沉积层65的金刚石电沉积线或带。
如图60所示，专利文献2公开了在线71的表面施镀了使磨粒72附着的电镀层73、和在电镀层73的外侧施镀了使磨粒72的附着状态强化的无电解镀层74的磨粒覆盖线。
如图61所示，专利文献3公开了一种线锯，该线锯是在线81的表面覆盖有软质镀层82，在软质镀层82上进一步覆盖有硬质镀层83，通过两个镀层固着有超磨粒84的线锯，并且超磨粒84的内端85位于软质镀层82内，超磨粒84的外端86露出于硬质镀层83外并位于同一个圆筒面上。
现有技术文献：
专利文献1：日本特开昭63-22275号公报；
专利文献2：日本特开平9-1455号公报；
专利文献3：日本特开平9-150314号公报。
发明内容
发明要解决的课题：
本发明人意识到图59至图61中示出的磨粒电沉积线上磨粒对镀层的固着力与用树脂使磨粒附着在线上相比更为优越，但是利用线锯中线的激烈往复运动将被切削物切割成晶片状的过程中伴随着切割而产生的摩擦力极其大，因此如图59至图61所示，磨粒的头部从镀层露出的线的磨粒固着力并未达到充分耐于实际使用的程度，在比较短的时间内磨粒会脱落。
于是，本发明人通过电解法在线上固着了将磨粒（金刚石）用与镀层相同的金属成分（镍）覆盖而成的Ni覆盖金刚石磨粒，制造出了磨粒电沉积线。其结果是，获得了如图62所示的外形的磨粒电沉积线。在图62中，金刚石磨粒存在于突起部91的内侧。但是，该磨粒电沉积线从大致平坦部到曲面状突起部91的部分形成向内侧凹进的凹处，因此在该凹处产生应力集中，此时磨粒对镀层的固着力也并未达到耐于实际使用的程度，在比较短的时间内磨粒会脱落。
于是，本发明人提出了将磨粒固着在线上的固定磨粒线、其为具有优异固着力的固定磨粒线。本发明人提出的固定磨粒线是在线表面覆盖有内藏多个磨粒的金属镀层，金属镀层表面具有从大致平坦部突出的内藏磨粒的曲面状突起部的形状，且从大致平坦部至曲面状突起部的部分具有不容易产生应力集中的特征的形状，因此可以获得在切割被切削物的过程中，即使伴随切割而产生的大的摩擦力加载在线上，磨粒也不容易脱落的效果。
然而，覆盖在线表面的金属镀层中内藏的磨粒上预先较多覆盖有与构成镀层的部分或全部金属相同的金属或者与构成镀层的金属具有亲和性的金属。这是因为磨粒与金属镀层的融和性变好，可以期待提高磨粒对于金属镀层的固着力的效果。但是，在覆盖该磨粒表面的金属中具有根据条件进行氧化的金属。例如镍在空气、湿气中比铁稳定，但是会溶解于盐酸、硫酸等。在制造上述本发明人提出的固定磨粒线时，依照本发明人公开的制造方法，为了在线表面用电镀法形成内藏多个磨粒的金属镀膜，在酸性镀浴中保持其表面通过无电解镀形成有Ni-P的合金覆膜的金刚石磨粒和电解液，以适当的电镀条件将施镀金属与金刚石磨粒一起在线表面析出，从而在线表面形成内藏多个磨粒的金属镀膜。
然而，形成在金刚石磨粒上的Ni-P的合金覆膜在浸渍于酸性镀浴中的期间被氧化，磨粒的电阻增加。其结果是，即使想要将施镀金属与金刚石磨粒一起在线表面上析出，也因磨粒的电阻增加，而难以在金属镀膜中均匀分散多个磨粒的状态下在线表面析出，难以在线表面形成一样品质的金属镀膜。并且，无法长时间稳定地进行电镀作业。
本发明是鉴于现有技术的如上问题而构思的，目的在于提供能稳定地制造覆盖有内藏多个磨粒的金属镀层的固定磨粒线的方法和通过该方法制造的固定磨粒线以及用于上述固定磨粒线上的磨粒。
解决课题的手段：
为达到上述目的，本发明的固定磨粒线的制造方法是，将金属制的线浸渍于含有多个磨粒和要施镀的金属的阳离子的电解液中，将上述金属制的线作为阴极，通过在阳极和上述阴极之间赋予适当的电位差，将包含在电解液中的多个磨粒与从阳离子还原的金属一起在作为阴极的金属制的线的表面析出，从而制造出覆盖有含有多个磨粒的金属镀层的固定磨粒线的方法，其中，将包含在电解液中的磨粒的表面预先施镀有比银离子化倾向小的金属的磨粒作为磨粒使用。
并且，本发明的固定磨粒线是，将金属制的线浸渍于含有多个磨粒及要施镀的金属的阳离子的电解液中，将上述金属制的线作为阴极，通过在阳极和上述阴之间极赋予适当的电位差，将包含在电解液中的多个磨粒与从阳离子还原的金属一起在作为阴极的金属制的线的表面析出，从而获得的覆盖有含有多个磨粒的金属镀层的固定磨粒线，其中，将包含在电解液中的磨粒的表面预先施镀有比银离子化倾向小的金属的磨粒作为磨粒使用。
进一步地，本发明的固定磨粒线中使用的磨粒是，将金属制的线浸渍于含有多个磨粒和要施镀的金属的阳离子的电解液中，将上述金属制的线作为阴极，通过在阳极和上述阴极之间赋予适当的电位差，将包含在电解液中的多个磨粒与从阳离子还原的金属一起在作为阴极的金属制的线的表面析出，从而制造出覆盖有含有多个磨粒的金属镀层的固定磨粒线而使用的磨粒，其中，该磨粒是在表面预先施镀有比银离子化倾向小的金属的磨粒。
并且，根据需要，在金属制的线上进行施镀处理之前实施必要的处理，并可将实施了该必要的处理的金属制的线用于施镀处理。
发明的效果：
根据权利要求1所述的固定磨粒线的制造方法，由于包含在电解液中的磨粒的表面预先施镀了比银离子化倾向小的金属，因此电解液中的磨粒不容易氧化，不会增加磨粒的电阻，可以稳定地制造出覆盖有含有多个磨粒的金属镀层的固定磨粒线。
根据权利要求2所述的固定磨粒线，在线的表面稳定地覆盖有含有多个磨粒的金属镀层，因此磨粒对于金属镀层的固着力足够高，磨粒不容易脱落，可在长时间内维持良好的切割能力。
根据权利要求3所述的磨粒，可以提供适用于实现权利要求1所述的固定磨粒线的制造方法以及权利要求2所述的固定磨粒线的磨粒。
附图说明
图1是说明流平剂对镀膜表面的平滑化作用的图；
图2是说明在一般的电镀中镀膜的成长形态的图；
图3是说明在电镀的镀浴中含有流平剂的情况下的镀膜的成长形态的图，示出了在磨粒上预先覆盖有与施镀金属相同的金属的情况；
图4是适用于制造本发明的固定磨粒线的施镀装置的大概结构图；
图5是供测定镀膜组成的金刚石磨粒（在电镀中使用之前）表面的扫描电子显微镜照片（3000倍）；
图6是示出图5的金刚石磨粒表面的俄歇光谱的图；
图7是示出通过对图5的金刚石磨粒进行氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化的图；
图8是示出图5的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布与溅射时间的关系的图；
图9是示出图5的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布的图；
图10是供测定镀膜组成的金刚石磨粒（在电镀中使用之后）表面的扫描电子显微镜照片（3000倍）；
图11是示出图10的金刚石磨粒表面的俄歇光谱的图；
图12是示出通过对图10的金刚石磨粒进行氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化的图；
图13是示出图10的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布与溅射时间的关系的图；
图14是示出图10的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布的图；
图15（a）是放大了本发明固定磨粒线表面的一部分的照片（2200倍），图15（b）是放大示出本发明以外的另一固定磨粒线表面的一部分的模式图，图15（c）是放大示出本发明以外的又一固定磨粒线表面的一部分的模式图；
图16是供测定镀膜组成的另一金刚石磨粒（在电镀中使用之前）表面的扫描电子显微镜照片（4000倍）；
图17是示出图16的金刚石磨粒表面的俄歇光谱的图；
图18是示出通过对图16的金刚石磨粒进行氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化的图；
图19是示出图16的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布与溅射时间的关系的图；
图20是示出图16的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布的图；
图21是供测定镀膜组成的另一金刚石磨粒（在电镀中使用之后）表面的扫描电子显微镜照片（4500倍）；
图22是示出图21的金刚石磨粒表面的俄歇光谱的图；
图23是示出通过对图21的金刚石磨粒进行氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化的图；
图24是示出图21的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布与溅射时间的关系的图；
图25是示出图21的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布的图；
图26是供测定镀膜组成的又一金刚石磨粒（在电镀中使用之前）表面的扫描电子显微镜照片（4000倍）；
图27是示出图26的金刚石磨粒表面的俄歇光谱的图；
图28是示出通过对图26的金刚石磨粒进行氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化的图；
图29是示出图26的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布与溅射时间的关系的图；
图30是示出图26的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布的图；
图31是供测定镀膜组成的比较例的金刚石磨粒（在电镀中使用之前）表面的扫描电子显微镜照片（4500倍）；
图32是示出图31的金刚石磨粒表面的俄歇光谱的图；
图33是示出通过对图31的金刚石磨粒进行氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化的图；
图34是示出图31的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布与溅射时间的关系的图；
图35是示出图31的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布的图；
图36是供测定镀膜组成的另一比较例的金刚石磨粒（在电镀中使用之前）表面的扫描电子显微镜照片（3000倍）；
图37是示出图36的金刚石磨粒表面的俄歇光谱的图；
图38是示出通过对图36的金刚石磨粒进行氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化的图；
图39是示出图36的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布与溅射时间的关系的图；
图40是示出图36的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布的图；
图41是供测定镀膜组成的另一比较例的金刚石磨粒（在电镀中使用之后）表面的扫描电子显微镜照片（5000倍）；
图42是示出图41的金刚石磨粒表面的俄歇光谱的图；
图43是示出通过对图41的金刚石磨粒进行氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化的图；
图44是示出图41的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布与溅射时间的关系的图；
图45是示出图41的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布的图；
图46是供测定镀膜组成的又一比较例的金刚石磨粒（在电镀中使用之前）表面的扫描电子显微镜照片（4000倍）；
图47是示出图46的金刚石磨粒表面的俄歇光谱的图；
图48是示出通过对图46的金刚石磨粒进行氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化的图；
图49是示出图46的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布与溅射时间的关系的图；
图50是示出图46的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布的图；
图51是供测定镀膜组成的又一比较例的金刚石磨粒（在电镀中使用之后）表面的扫描电子显微镜照片（2000倍）；
图52是示出图51的金刚石磨粒表面的俄歇光谱的图；
图53是示出通过对图51的金刚石磨粒进行氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化的图；
图54是示出图51的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布与溅射时间的关系的图；
图55是示出图51的金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布的图；
图56是示出用本发明方法制造的固定磨粒线的从施镀开始时的线径的变化的图；
图57是示出比较例的固定磨粒线的从施镀开始时的线径的变化的图；
图58是一般的线锯装置的大概结构图；
图59是示出现有的磨粒电沉积线的剖面的图；
图60是示出现有的另一磨粒电沉积线的剖面的图；
图61是示出现有的又一磨粒电沉积线的剖面的图；
图62是放大了现有的磨粒电沉积线的表面的照片（2700倍）。
具体实施方式
本发明的固定磨粒线中使用的线，只要是可电镀并且其强度与弹性率能承受导向辊及带槽辊之间的张力的线即可，而无特别限制，作为这种线，例如可以包括长钢琴线等钢线、钨线、钼线等的金属线。
本发明中使用的线的直径可以根据被切削物的形状及特性适当选择，通常较多采用0.01-0.5mm左右，但是即使是0.1mm以下的细线，或是超过0.1mm的厚线，本发明的效果也是相同的。
在电镀之前最好将线的表面进行脱脂、清洗。脱脂方法没有特别限制，例如可以通过酸浸渍、溶剂脱脂、乳化剂脱脂、碱性脱脂等进行，又进一步根据需要可以通过电解脱脂完成。
经过碱性脱脂的线，最好使其通过酸洗槽进行中和，作为酸的种类无特别限制，例如，最好是使用硫酸、盐酸或硝酸。
通过酸洗槽的线，最好使其通过水洗槽进行水洗。
在电镀之前在线上最好实施前处理。前处理是为了提高镀层的紧贴性的处理，作为前处理，例如可以进行触击电镀（ストライクメッキ），但是并不限于此。
紧接着前处理在线表面进行电镀的方法并无特别限制，但是例如可以通过在线上连接阴极，在镀液上连接阳极而进行电镀，从而在线表面形成镀层。为制造本发明的固定磨粒线，例如可以使用含有含镍有机酸或含镍无机酸和磨粒的镀液。虽然并无特别限制，但是作为含镍的有机酸可以使用氨基磺酸镍系镀液。
金属接触液体、尤其是接触水的时候变成阳离子的倾向的现象称为离子化倾向，用以下的化学式1表示的离子化倾向大的金属一般容易氧化。
[化学式1]
Li，K，Ca，Na，Mg，Al，Zn，CrIII，FeII，Cd，CoII，Ni，SnII，Pb，FeIII，（H），CuII，HgI，Ag，Pd，Pt，Au。
在化学式1中示出的离子化列中越接近右方离子化倾向越小，因此难以氧化，可以作为在磨粒表面施镀的金属而适合使用。但是，位于氢（H）左侧的金属是容易氧化的金属，因此无法作为在磨粒表面上施镀的金属来使用。
于是，针对位于H右侧的金属中的Cu，本发明人进行了实验，该实验采用含有通过无电解镀覆盖有Cu的金刚石磨粒的镀浴在金属制的线上电镀金属，结果Cu在镀浴中溶出，镀浴中的Cu离子浓度达到200ppm，可见Cu无法使用。比Cu离子化倾向小的金属有Hg，但是不能使用Hg。又，Ag可溶于硝酸及硫酸，容易形成硝酸银及硫酸银，因此使用困难。
因此，最好将比Ag离子化倾向小的金属作为在磨粒表面施镀的金属来使用。Pt是自身为高价的覆膜，因此最好将Au或者Pd作为在磨粒表面施镀的金属来使用。将Au施镀在磨粒上时需要进行向磨粒施加导电性覆膜（例如，Ni-P无电解覆膜等）的基底处理，并应当利用与该基底覆膜的离子化倾向差异来析出Au，因此需要进行称为基底处理的多余处理。并且，通常，Au的镀膜容易形成称为微孔的小孔，从该小孔向基底覆膜浸透镀液，使基底覆膜腐蚀，从而在Au的覆膜与基底覆膜的界面上发生剥离。
Pd没有Pt及Au所具有的缺点，可以将Pd作为在磨粒表面施镀的最适合金属来使用。将磨粒与金属阳离子一起在金属制的线表面析出而在线表面形成金属镀膜时，为使固定磨粒线的长度方向的切削力没有极大差异，最好使磨粒不要凝集，而是均匀地分散在金属镀膜中。为此，最好使在线表面形成的金属镀膜的导电性和在磨粒表面预先施镀的金属的导电性达到同等程度。于是，在作为在磨粒表面预先施镀的金属使用Pd，且作为在线表面形成的金属镀膜使用Ni的情况下，由于Pd的比电阻为10.8×10-6Ωcm，Ni的比电阻为6.84×10-6Ωcm，两个金属的比电阻数值比较接近，因此可以期待在金属制的线表面析出的Ni覆膜中大致均匀地分散着被Pd覆盖的磨粒。
如上所述，作为磨粒最好使用预先施镀了比银离子化倾向小的金属的磨粒。磨粒与金属镀层的融和性变好，可以期待提高磨粒对于镀层的固着力的效果。作为磨粒，并无特别限制，但是可以使用直径为100μm以下的金刚石磨粒。
进一步地，镀液最好含有流平剂。如下所述，随着磨粒在镀层上的固着力的增加，切削作业开始后，迅速地发挥磨粒的一定的切削力，进而可以期待切削时生成的切屑不容易滞留在线表面的效果；
（通过流平剂使镀膜平滑化）
流平剂是为了促进镀膜的平滑化并赋予其光泽而添加的，可以通过如下所述方法实现镀膜表面的平滑化。
如作为电镀方法的概略图的图1所示，在镀液中含有流平剂的情况下，将1作为阳极，2作为施镀的目标金属（阴极）时，在靠近阳极1的目标金属2的表面的高电流部3上优先吸附如流平剂的添加剂4。其结果，吸附了添加剂4的目标金属2的表面，由于该添加剂4成为电阻，因此目标金属2的表面的高电流部3的电位与从表面向内侧凹进并远离阳极1的低电流部5的电位逆转，低电流部5的镀膜6的成长速度比高电流部3的快，直到最终镀膜6形成平滑的水平面7，按照该方法形成镀膜6；
（通过流平剂，提高磨粒对于镀膜的固着力，提前发挥磨粒的切削力，防止切屑的滞留）
通过在镀液中含有流平剂，巧妙利用了该流平剂的作用，按照如下说明的方法，可以形成对镀膜具有优异的固着力、不容易脱落的磨粒。
如图2所示，通常的电镀中，在将预先覆盖有与施镀金属相同的金属的磨粒11用电解法固着在目标金属2上的情况下，靠近阳极10的目标金属2的表面的高电流部12的镀膜13的成长速度比远离阳极10处的低电流部14的镀膜的成长速度快。但是，通过在电镀时的镀液中含有流平剂，如基于图1的说明，低电流部14的镀膜的成长速度比高电流部12的快。即，如图3所示，接近阳极10的磨粒11的顶点部15的镀膜的成长受到抑制，为使磨粒11固着在镀膜13上而有效地起作用的裙边部分16的镀膜13的成长得到促进，从而对于镀膜13的磨粒11的固着力变大。
但是，实际实施切削作业的是磨粒11，镀膜13是起到固定的作用，使该磨粒11在切削作业中不会脱落，因此如图3所示，如果比磨粒11位于上方并对切削作业没有起作用的部分的镀膜13的量少于裙边部分16，则该镀膜在切削开始后的比较早的时间内去除从而露出磨粒11的头部，因而可在切削作业后迅速地发挥磨粒11本来具有的锐利度。
进而，如图3所示，作为镀膜13的形状，通过使接近目标金属2的裙边部分16的镀膜13变厚并去除凹部，与图2的相比可以期待切削时生成的切屑不容易滞留在目标金属2的表面的效果。
流平剂是促进镀膜的平滑化，赋予其光泽的物质。如上所述，添加在镀液中的流平剂是与金属离子一起析出在目标金属2的表面，因此降低阴极电位的物质在适当的条件下，可作为流平剂起作用。由于根据流平剂的种类，其功能上有差异，因此通过并用多种类的流平剂，可以在复杂形状的物品上也能获得均匀地整平效果。作为流平剂，一般有称为第1种光泽剂的物质和称为第2种光泽剂的物质。如果使用第1种光泽剂，具有容易获得与基体的光泽相同的光泽的特点，第2种光泽剂具有优异的提高光泽的效果，但另一方面，如果单独使用，则镀膜会变脆，使镀膜的紧贴性差。因此，最好并用第1种光泽剂和第2种光泽剂。
第1种光泽剂是具有=C-SO2-的结构的有机化合物，例如可例举出1，5-萘-二磺酸钠、1，3，6萘-三磺酸钠、糖精等。
作为第2种光泽剂，可以使用具有C=O（各种醛）、C=C（明胶）、C≡C（2丁炔-1，4二醇）、C=N（喹哪啶、吡啶姆化合物）、C≡N（乙撑氰醇）、N-C=S（硫脲）、N=N（偶氮染料）等结构的有机化合物。
为发挥上述本发明的效果，在镀液中含有1～50毫升/升的第1种光泽剂，并在镀液中含有1～150毫升/升的第2种光泽剂，第1种光泽剂相对于第2种光泽剂的重量比最好是1（前者）比2～5（后者）。
实施了电镀的线最好使其通过水洗槽进行水洗。
进而，对实施电镀后的线最好实施修整（研磨），从而使其具有作为线锯用线适合的表面形态。
实施例
以下说明本发明的实施例，但是本发明并不限定于下述实施例，在不脱离本发明的技术范围下可以进行适当的变更和修改；
（1）通过电镀制造固定磨粒线
通过如图4所示大概结构的施镀装置可以制造固定磨粒线。即，从送线机21输送钢线22，将该钢线22在碱性脱脂槽（pH为11的碱性脱脂剂）23中碱性脱脂，在酸洗槽（pH为1的硫酸）24中酸洗，在水洗槽25中水洗，在前处理槽（氨基磺酸镍·4水合物600g/升，pH为4.2的浴组成）26中进行前处理，并在镀槽27中向钢线22的表面镀镍，之后，将形成有镍镀膜的钢线22在水洗槽28中水洗后，将镍镀膜中固着了金刚石磨粒的钢线22卷绕在卷绕机29上，以此可制造本发明的固定磨粒线。例如，作为镀槽27的镀浴的组成，可以使用含有600g/升的氨基磺酸镍·4水合物、55g/升的氯化镍·6水合物、30g/升的作为pH缓冲剂的硼酸、15毫升/升的第1种光泽剂（糖精）、50毫升/升的第2种光泽剂（2丁炔-1，4二醇）、10g/升的如下所说明预先覆盖有Pd、Au或Ni-P而构成的粒径为15～25μm的金刚石磨粒（金属覆盖的厚度为0.1～1.0μm），且施镀条件为pH为3.0、温度为55℃、电流密度为45A/dm2的镀浴；
（2）对金刚石磨粒施镀Pd
a.通过无电解镀在金刚石磨粒上形成Pd覆膜
通过如以下表1所示的组成的催化剂化处理液对粒径为15～20μm的金刚石粉碎物实施催化剂化处理，进而，对催化剂化处理后的金刚石粉碎物，通过如以下表2所示的组成的无电解镀浴实施Pd的无电解镀，从而获得形成有Pd覆膜的金刚石磨粒。
[表1]
Figure 629452DEST_PATH_IMAGE001
[表2]
Figure 546592DEST_PATH_IMAGE002
并且，对于该金刚石磨粒的表面部分的镀膜的组成，按照俄歇电子分光法进行了测定，因此对该内容进行说明。使用的装置是PHI制SMART 2000型的扫描型俄歇电子分光装置，测定条件是加压电压为20kV、样品电流为20nA、电子束探针直径为0.1μm以下，蚀刻中使用了氩离子枪（蚀刻速度以SiO2换算为100Å/分钟）。
图5中示出上述金刚石磨粒的表面的扫描电子显微镜照片（3000倍）。并且，将该金刚石磨粒在110℃下、减压下干燥3小时后，固定在In箔中，并用俄歇电子分光法进行测定。对于图5，用箭头示出的由矩形框围绕的部分为供测定的区域。
图6示出上述金刚石磨粒表面的俄歇光谱。如图6所示，镀膜表面含有作为构成元素的Pd、S、C以及Sn。对于图6，横轴为电子束的能量（eV）、纵轴为能量强度曲线的一次微分系数。图7示出通过氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化。图7的横轴和纵轴的意义与图6相同。
图8和图9示出上述金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布。图8的横轴表示溅射时间（分钟）、纵轴表示原子浓度（%）。图9的横轴表示从金刚石磨粒的表面起的厚度方向的距离（埃）、纵轴表示原子浓度（%）。对于图8和图9，粗点线表示Pd，短虚线表示氧，粗实线表示Ni，细实线表示C，短的单点划线表示S，双点划线表示Sn。
根据图6，在磨粒表面确认到了S和Sn的存在，但是根据图8和图9，S和Sn以及氧的存在量为测定界限水平。并且，认为Ni仅存在于表面附近，而在比从表面起约600Å的深度更深的部分是不存在的。又，从表面起约500Å的深度为止，Pd约占镀膜的95%以上的部分。
根据以上的俄歇电子分光结果，认为金属氧化物不存在于金刚石磨粒的Pd镀膜中，或者即使存在也仅有实质上能忽视的程度的存在量；
b．因电镀作业而对形成有Pd覆膜的金刚石磨粒的影响
将通过上述方法获得的无电解镀有Pd的金刚石磨粒，在图4所示的施镀装置的施镀层27的镀浴中保持，并根据上述条件进行电镀作业48小时后，对于施镀层27的镀浴中的金刚石磨粒的表面部分的镀膜的组成，按照俄歇电子分光法进行了测定，因此说明其内容。
图10示出上述金刚石磨粒的表面的扫描电子显微镜照片（3000倍）。并且，将该金刚石磨粒在在110℃下、减压下干燥3小时后，固定在In箔中，并用俄歇电子分光法进行测定。俄歇电子分光法中使用的装置和条件与上述相同。对于图10，用箭头示出的由矩形框围绕的部分为供测定的区域。
图11示出上述金刚石磨粒表面的俄歇光谱。如图11所示，镀膜表面含有作为构成元素的Pd、S、C、氧、Ni以及Al。对于图11，横轴为电子束的能量（eV）、纵轴为能量强度曲线的一次微分系数。图12示出通过氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化。图12的横轴和纵轴的意义与图11相同。
图13和图14示出上述金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布。图13的横轴表示溅射时间（分钟）、纵轴表示原子浓度（%）。图14的横轴表示从金刚石磨粒的表面起的厚度方向的距离（埃）、纵轴表示原子浓度（%）。对于图13和图14，粗点线表示Pd，短虚线表示氧，粗实线表示Ni，细实线表示C，短的单点划线表示S，长的单点划线表示Al。
根据图11，在磨粒表面确认到了S和氧以及Ni的存在，但是根据图13和图14，S和氧以及Ni的存在量为测定界限水平。并且，认为Al仅存在于表面附近，而在比从表面起约500Å的深度更深的部分是不存在的。又，从表面起约500Å的深度为止，Pd约占镀膜的95%以上的部分。
根据以上的俄歇电子分光结果，认为金属氧化物不存在于金刚石磨粒的Pd镀膜中，或者即使存在也仅有实质上能忽视的程度的存在量。因此，即使浸渍在酸性镀浴中，覆盖在金刚石磨粒表面的Pd也不会氧化，金刚石磨粒能保持被Pd的覆膜保护的状态；
c．固定磨粒线
图15（a）是放大了经过上述电镀作业而获得的本发明的固定磨粒线表面的一部分的照片（2200倍），由内藏金刚石磨粒的曲面状突起部30和其它大致平坦部构成，曲面状突起部30具有从大致平坦部突出的形状。在由大圆形标记的、从大致平坦部到达至曲面状突起部30的部分没有向内侧凹进的凹处，在从大致平坦部到达至曲面状突起部30的部分的切线连续地发生变化。
另一方面，在图15（b）示出的用现有的电沉积法获得的固定磨粒线的表面，在从大致平坦部31到达至曲面状突起部32的部分具有向内侧凹进的凹处34a，在图15（c）示出的用现有的电沉积法获得的又一固定磨粒线的表面，在从大致平坦部31到达至曲面状突起部33的部分具有向内侧凹进的凹处34b，在那些凹处34a和34b处容易发生应力集中。
但是，本发明的线的表面，在从大致平坦部到达至曲面状突起部30的部分，没有相当于34a及34b的向内侧凹进的凹处，而在从大致平坦部到达至曲面状突起部30的部分的切线连续地发生变化，因此是不容易发生应力集中的结构；
（3）对金刚石磨粒施镀Au
a.通过无电解镀在金刚石磨粒上形成Au覆膜
通过如上述表1所示的组成的催化剂化处理液对粒径为15～20μm的金刚石粉碎物实施催化剂化处理，接着，利用如表3所示的组成的Ni无电解镀浴，在该金刚石磨粒上首先设置导电性覆膜，利用与该覆膜的置换反应，并利用如以下表3所示的组成的Au无电解镀浴，对形成导电性覆膜后的金刚石粉碎物实施Au的无电解镀，从而获得形成有Au覆膜的金刚石磨粒。
[表3]
Figure 388646DEST_PATH_IMAGE003
又，对于该金刚石磨粒的表面部分的镀膜的组成，按照俄歇电子分光法进行了测定，因此说明该内容。
图16中示出上述金刚石磨粒的表面的扫描电子显微镜照片（4000倍）。又，将该金刚石磨粒在110℃下、减压下干燥3小时后，固定在In箔中，并用俄歇电子分光法进行测定。俄歇电子分光法中使用的装置和条件与上述相同。对于图16，用箭头示出的由矩形框围绕的部分为供测定的区域。
图17示出上述金刚石磨粒表面的俄歇光谱。如图17所示，镀膜表面含有作为构成元素的Au、Ni、C以及氧。对于图17，横轴为电子束的能量（eV）、纵轴为能量强度曲线的一次微分系数。图18示出通过氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化。图18的横轴和纵轴的意义与图17相同。
图19和图20示出上述金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布。图19的横轴表示溅射时间（分钟）、纵轴表示原子浓度（%）。图20的横轴表示从金刚石磨粒的表面起的厚度方向的距离（埃）、纵轴表示原子浓度（%）。对于图19和图20，粗的短虚线表示Au，粗实线表示Ni，短虚线表示氧，细实线表示C，长虚线表示P。
根据图17，在磨粒表面确认到了氧的存在，根据图20，确认到在比从表面起约900Å的深度更深的部分也存在氧。根据图20，在从表面起约250Å的深度至约2100Å的深度的部分存在P。并且，从表面起约500Å的深度至约1500Å的深度，Ni约占镀膜的90%以上。又，从表面起约200Å的深度为止，Au约占镀膜的95%以上的部分。
根据以上的俄歇电子分光结果，认为金属氧化物极少量地存在于金刚石磨粒的Au镀膜中，但是镀液从前面所述的微孔侵入，而腐蚀基底的导电性覆膜；
b．因电镀作业而对形成有Au覆膜的金刚石磨粒的影响
将通过上述方法获得的无电解镀有Au的金刚石磨粒，在图4所示的施镀层27的镀浴中保持，并根据上述条件进行电镀作业48小时后，对于施镀层27的镀浴中的金刚石磨粒的表面部分的镀膜的组成，按照俄歇电子分光法进行了测定，因此说明其内容。
图21示出上述金刚石磨粒的表面的扫描电子显微镜照片（4500倍）。并且，将该金刚石磨粒在110℃下、减压下干燥3小时后，固定在In箔中，并用俄歇电子分光法进行测定。俄歇电子分光法中使用的装置和条件与上述相同。对于图21，用箭头示出的由矩形框围绕的部分为供测定的区域。
图22示出上述金刚石磨粒表面的俄歇光谱。如图22所示，镀膜表面含有作为构成元素的S、C、氧、Ni以及Au。对于图22，横轴为电子束的能量（eV）、纵轴为能量强度曲线的一次微分系数。图23示出通过氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化。图23的横轴和纵轴的意义与图22相同。
图24和图25示出上述金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布。图24的横轴表示溅射时间（分钟）、纵轴表示原子浓度（%）。图25的横轴表示从金刚石磨粒的表面起的厚度方向的距离（埃）、纵轴表示原子浓度（%）。对于图24和图25，粗的短虚线表示Au，粗实线表示Ni，短虚线表示氧，细实线表示C，长虚线表示P，短的单点划线表示S。
根据图22，在磨粒表面确认到了氧的存在，根据图25，确认到在比从表面起约700Å的深度更深的部分也存在氧。根据图25，在从表面起约250Å的深度至约2100Å的深度的部分存在P。根据图24及图25，S的存在量为测定界限水平。并且，从表面起约500Å的深度至约1500Å的深度，Ni约占镀膜的80%以上。又，从表面起约200Å的深度为止，Au约占镀膜的95%以上的部分。
根据以上的俄歇电子分光结果，认为金属氧化物极少量地存在于金刚石磨粒的镀膜中。因此，认为Au的镀膜的耐酸性特别优于后述的Ni-P的镀膜的耐酸性，但是稍微劣于Pd的镀膜的耐酸性；
c.通过无电解镀在金刚石磨粒上形成Au覆膜
通过如上述表1所示的组成的催化剂化处理液对粒径为15～20μm的金刚石粉碎物实施催化剂化处理，接着，利用如表4所示的组成的Ni无电解镀浴，在该金刚石磨粒上首先设置导电性覆膜，利用与该覆膜的置换反应，并利用如以下表4所示的组成的Au无电解镀浴，对形成导电性覆膜后的金刚石粉碎物实施Au的无电解镀，从而获得形成有Au覆膜的金刚石磨粒。
[表4]
Figure 596905DEST_PATH_IMAGE004
又，对于该金刚石磨粒的表面部分的镀膜的组成，按照俄歇电子分光法进行了测定，因此说明该内容。
图26中示出上述金刚石磨粒的表面的扫描电子显微镜照片（4000倍）。又，将该金刚石磨粒在110℃下、减压下干燥3小时后，固定在In箔中，并用俄歇电子分光法进行测定。俄歇电子分光法中使用的装置和条件与上述相同。对于图26，用箭头示出的由矩形框围绕的部分为供测定的区域。
图27示出上述金刚石磨粒表面的俄歇光谱。如图27所示，镀膜表面含有作为构成元素的Au、Ni、S、Cl、C、N以及氧。对于图27，横轴为电子束的能量（eV）、纵轴为能量强度曲线的一次微分系数。图28示出通过氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化。图28的横轴和纵轴的意义与图27相同。
图29和图30示出上述金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布。图29的横轴表示溅射时间（分钟）、纵轴表示原子浓度（%）。图30的横轴表示从金刚石磨粒的表面起的厚度方向的距离（埃）、纵轴表示原子浓度（%）。对于图29和图30，粗的短虚线表示Au，粗实线表示Ni，短虚线表示氧，细实线表示C，长虚线表示P，短的单点划线表示S，点线表示Cl。
根据图27，在磨粒表面确认到了氧的存在，根据图30，确认到在从表面起约1000Å的深度至约1800Å的深度的部分明显地存在氧，其在约1100Å至约1700Å的深度约占镀膜的10%左右。
根据图30，在从表面起约1000Å的深度至约1800Å的深度的部分存在P及S。根据图27，虽然确认到Cl和N的存在，但是根据图29和图30，在深度方向上没有确认到N的存在，Cl的存在量为测定界限水平。根据图30，Ni存在于比从表面起约900Å的深度更深的部分。并且，在从表面起约900Å的深度为止，Au约占镀膜的95%以上的部分。
根据以上的俄歇电子分光结果，认为金属氧化物存在于金刚石磨粒的Au镀膜中；
（4）比较例之1（对金刚石磨粒施镀Ni-P）
a.通过无电解镀在金刚石磨粒上形成Ni-P覆膜
通过如以下表5所示的组成的催化剂化处理液对粒径为15～20μm的金刚石粉碎物实施催化剂化处理，接着，利用如以下表6所示的组成的无电解镀浴，对催化剂化处理后的金刚石粉碎物实施Ni-P的无电解镀，从而获得形成有Ni-P覆膜的比较例1的金刚石磨粒。
[表5]
Figure 411277DEST_PATH_IMAGE005
[表6]
Figure 296057DEST_PATH_IMAGE006
又，对于该金刚石磨粒的表面部分的镀膜的组成，按照俄歇电子分光法进行了测定，因此说明该内容。
图31中示出上述金刚石磨粒的表面的扫描电子显微镜照片（4500倍）。又，将该金刚石磨粒在110℃下、减压下干燥3小时后，固定在In箔中，并用俄歇电子分光法进行测定。俄歇电子分光法中使用的装置和条件与上述相同。对于图31，用箭头示出的由矩形框围绕的部分为供测定的区域。
图32示出上述金刚石磨粒表面的俄歇光谱。如图32所示，镀膜表面含有作为构成元素的Ni、S、Cl、C、N、氧以及P。对于图32，横轴为电子束的能量（eV）、纵轴为能量强度曲线的一次微分系数。图33示出通过氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化。图33的横轴和纵轴的意义与图32相同。
图34和图35示出上述金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布。图34的横轴表示溅射时间（分钟）、纵轴表示原子浓度（%）。图35的横轴表示从金刚石磨粒的表面起的厚度方向的距离（埃）、纵轴表示原子浓度（%）。对于图34和图35，粗的短虚线表示Au，粗实线表示Ni，短虚线表示氧，细实线表示C，长虚线表示P，短的单点划线表示S，点线表示Cl。
根据图32，在磨粒表面确认到了N的存在，但是，根据图34和图35，在深度方向上没有确认到其存在。并且，在图32中，在磨粒表面确认到存在S及Cl，根据图34及图35，其存在量为测定界限水平。并且，根据图35，从表面起约400Å的深度为止，P约占镀膜的12%至13%。并且，从表面起约3500Å的深度为止，Ni约占镀膜的95%以上，在从表面起约6000Å的深度为止的部分也确认到其存在。进一步获知，氧虽然为微量，但存在于从表面起约4000Å的深度为止的部分。
根据以上的俄歇电子分光结果，认为金属氧化物存在于金刚石磨粒的Ni-P镀膜中；
（5）比较例之2（对金刚石磨粒施镀Ni-P）
a.通过无电解镀在金刚石磨粒上形成Ni-P覆膜
通过如以上表5所示的组成的催化剂化处理液对粒径为15～20μm的金刚石粉碎物实施催化剂化处理，接着，利用如以下表7所示的组成的无电解镀浴，对催化剂化处理后的金刚石粉碎物实施Ni-P的无电解镀，从而获得形成有Ni-P覆膜的比较例2的金刚石磨粒。
[表7]
Figure 376139DEST_PATH_IMAGE007
又，对于该金刚石磨粒的表面部分的镀膜的组成，按照俄歇电子分光法进行了测定，因此说明该内容。
图36中示出上述金刚石磨粒的表面的扫描电子显微镜照片（3000倍）。又，将该金刚石磨粒在110℃下、减压下干燥3小时后，固定在In箔中，并用俄歇电子分光法进行测定。俄歇电子分光法中使用的装置和条件与上述相同。对于图36，用箭头示出的由矩形框围绕的部分为供测定的区域。
图37示出上述金刚石磨粒表面的俄歇光谱。如图37所示，镀膜表面含有作为构成元素的Ni、S、C、氧以及P。对于图37，横轴为电子束的能量（eV）、纵轴为能量强度曲线的一次微分系数。图38示出通过氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化。图38的横轴和纵轴的意义与图37相同。
图39和图40示出上述金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布。图39的横轴表示溅射时间（分钟）、纵轴表示原子浓度（%）。图40的横轴表示从金刚石磨粒的表面起的厚度方向的距离（埃）、纵轴表示原子浓度（%）。对于图39和图40，粗实线表示Ni，短虚线表示氧，细实线表示C。
根据图40，从磨粒表面起约800Å的深度为止确认到氧的存在，尤其是，从表面起200Å的深度为止，氧占镀膜的5原子%以上。因此，明显地获知金属氧化物存在于金刚石磨粒的Ni-P镀膜中；
b．因电镀作业而对形成有Ni-P覆膜的金刚石磨粒的影响
将通过上述方法获得的无电解镀有Ni-P的金刚石磨粒，在图4所示的施镀装置的施镀层27的镀浴中保持，并根据上述条件进行施镀作业48小时后，对于施镀层27的镀浴中的金刚石磨粒表面部分的镀膜的组成，按照俄歇电子分光法进行了测定，因此说明其内容。
图41示出上述金刚石磨粒的表面的扫描电子显微镜照片（5000倍）。并且，将该金刚石磨粒在110℃下、减压下干燥3小时后，固定在In箔中，并用俄歇电子分光法进行测定。俄歇电子分光法中使用的装置和条件与上述相同。对于图41，用箭头示出的由矩形框围绕的部分为供测定的区域。
图42示出上述金刚石磨粒表面的俄歇光谱。如图42所示，镀膜表面含有作为构成元素的Ni、C以及氧。对于图42，横轴为电子束的能量（eV）、纵轴为能量强度曲线的一次微分系数。图43示出通过氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化。图43的横轴和纵轴的意义与图42相同。
图44和图45示出上述金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布。图44的横轴表示溅射时间（分钟）、纵轴表示原子浓度（%）。图45的横轴表示从金刚石磨粒的表面起的厚度方向的距离（埃）、纵轴表示原子浓度（%）。对于图44和图45，粗实线表示Ni，短虚线表示氧，细实线表示C。
根据图45，确认到从磨粒表面起约600Å的深度为止存在氧，尤其是从表面起300Å的深度为止，氧占镀膜的5原子%以上。因此可知Ni-P的镀膜明显地含有金属氧化物，且Ni-P镀膜的耐酸性差；
（6）比较例之3（对金刚石磨粒施镀Ni-P）
a.通过无电解镀在金刚石磨粒上形成Ni-P覆膜
通过如以上表5所示的组成的催化剂化处理液对粒径为15～20μm的金刚石粉碎物实施催化剂化处理，接着，利用如以下表8所示的组成的无电解镀浴，对催化剂化处理后的金刚石粉碎物实施Ni-P的无电解镀，从而获得形成有Ni-P覆膜的比较例3的金刚石磨粒。
[表8]
又，对于该金刚石磨粒的表面部分的镀膜的组成，按照俄歇电子分光法进行了测定，因此说明该内容。
图46中示出上述金刚石磨粒的表面的扫描电子显微镜照片（4000倍）。又，将该金刚石磨粒在110℃下、减压下干燥3小时后，固定在In箔中，并用俄歇电子分光法进行测定。俄歇电子分光法中使用的装置和条件与上述相同。对于图46，用箭头示出的由矩形框围绕的部分为供测定的区域。
图47示出上述金刚石磨粒表面的俄歇光谱。如图47所示，镀膜表面含有作为构成元素的Ni、C、氧以及P。对于图47，横轴为电子束的能量（eV）、纵轴为能量强度曲线的一次微分系数。图48示出通过氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化。图48的横轴和纵轴的意义与图37相同。
图49和图50示出上述金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布。图49的横轴表示溅射时间（分钟）、纵轴表示原子浓度（%）。图50的横轴表示从金刚石磨粒的表面起的厚度方向的距离（埃）、纵轴表示原子浓度（%）。对于图49和图50，粗实线表示Ni，短虚线表示氧，细实线表示C。
根据图50，在从磨粒表面起约600Å的深度为止确认到氧的存在，尤其是，从表面起50Å的深度为止，氧占镀膜的5原子%以上。因此，明显地获知金属氧化物存在于金刚石磨粒的Ni-P镀膜中；
b．因电镀作业而对形成有Ni-P覆膜的金刚石磨粒的影响
将通过上述方法获得的无电解镀有Ni-P的金刚石磨粒，在图4所示的施镀装置的施镀层27的镀浴中保持，并根据上述条件进行施镀作业48小时后，对于施镀层27的镀浴中的金刚石磨粒表面部分的镀膜的组成，按照俄歇电子分光法进行了测定，因此说明其内容。
图51示出上述金刚石磨粒的表面的扫描电子显微镜照片（2000倍）。并且，将该金刚石磨粒在110℃下、减压下干燥3小时后，固定在In箔中，并用俄歇电子分光法进行测定。俄歇电子分光法中使用的装置和条件与上述相同。对于图51，用箭头示出的由矩形框围绕的部分为供测定的区域。
图52示出上述金刚石磨粒表面的俄歇光谱。如图52所示，镀膜表面含有作为构成元素的Ni、C以及氧。对于图52，横轴为电子束的能量（eV）、纵轴为能量强度曲线的一次微分系数。图53示出通过氩离子枪蚀刻的俄歇光谱的厚度方向的变化。图53的横轴和纵轴的意义与图52相同。
图54和图55示出上述金刚石磨粒的厚度方向的原子浓度分布。图54的横轴表示溅射时间（分钟）、纵轴表示原子浓度（%）。图55的横轴表示从金刚石磨粒的表面起的厚度方向的距离（埃）、纵轴表示原子浓度（%）。对于图54和图55，粗实线表示Ni，短虚线表示氧，细实线表示C。
根据图55，确认到从磨粒表面起约950Å的深度为止存在氧，尤其是从表面起500Å的深度为止，氧占镀膜的5原子%以上。因此可知Ni-P的镀膜明显地含有金属氧化物，且Ni-P镀膜的耐酸性差；
（7）施镀线径的变化
接着，对于使用图4所示的施镀装置通过上述电镀作业的结果而获得的固定磨粒线的从施镀作业开始时的线的线径变化进行了调查，因此说明其结果；
a． 本发明的固定磨粒线的线径的变化
将覆盖有Pd的金刚石磨粒保持在如图4所示的施镀装置的施镀层27的镀浴中，进行电镀作业，以此获得本发明的固定磨粒线。图56示出该固定磨粒线的从施镀作业开始时的线径的变化。图56的横轴表示从施镀作业开始时的时间（分钟），纵轴表示卷绕在卷绕机29上的线的线径（μm）。
如图56所示，卷绕在卷绕机29上的线的线径在约178μm至约186μm的范围内，并且施镀作业刚开始后不久的线径以及过了7200分钟后的线径也几乎没有区别。即，由于保持在施镀层27的镀浴中的、覆盖有Pd的金刚石磨粒没有氧化，因此在不会增加电阻的情况下能稳定地持续进行电镀作业，其结果是可以获得线径基本相同的品质稳定的线；
b．比较例的固定磨粒线的线径的变化
将覆盖有Ni-P的比较例2的金刚石磨粒保持在如图4所示的施镀装置的施镀层27的镀浴中，进行电镀作业，以此获得本发明的固定磨粒线。图57示出该固定磨粒线的从施镀作业开始时的线径的变化。图57的横轴表示从施镀作业开始时的时间（分钟），纵轴表示卷绕在卷绕机29上的线的线径（μm）。
如图57所示，卷绕在卷绕机29上的以四种标记示出的四根线的线径，在施镀作业开始时是，在约178μm到约183μm的范围内，但是从施镀作业开始在约2600分钟后的线径降低至约165μm到约170μm的范围。即，由于保持在施镀层27的镀浴中的、覆盖有Ni-P的金刚石磨粒进行氧化，因而金刚石磨粒的电阻随之增加，无法稳定地进行电镀作业，无法将金刚石磨粒与施镀金属一起均匀地析出在线表面，从而线的线径随着施镀作业进行的时间而逐渐降低。
工业应用性：
本发明的固定磨粒线可以应用于硅、石英、陶瓷等硬质材料的切割、切片、内表面研磨、切块、晶锭切割。
符号的说明：
1： 阳极；
2： 目标金属；
3： 高电流部；
4： 添加剂；
5： 低电流部；
6： 镀膜；
7： 平滑水平面；
10： 阳极；
11： 磨粒；
12： 高电流部；
13： 镀膜；
14： 低电流部；
15： 顶点部；
16： 裙边部分；
17： 磨粒；
21： 送线机；
22： 钢线；
23： 碱性脱脂槽；
24： 酸洗槽；
25： 水洗槽；
26： 前处理槽；
27： 镀槽；
28： 水洗槽；
29： 卷绕机；
30： 曲面状突起部；
31： 大致平坦部；
32： 曲面状突起部；
33： 曲面状突起部；
34a： 凹处；
34b： 凹处；
41： 放线线轴；
42： 线；
43： 导向辊；
44： 带槽辊；
45： 供给单元；
46： 被切削物；
47： 喷嘴；
48： 导向辊；
49： 收线线轴；
50： 驱动马达；
51： 张力调节辊；
52： 张力调节辊；
61： 线；
62： 粗的金刚石磨粒；
63： 第1电沉积层；
64： 细的金刚石磨粒；
65： 第2电沉积层；
71： 线；
72： 磨粒；
73： 电镀层；
74： 无电解镀层；
81： 线；
82： 软质镀层；
83： 硬质镀层；
84： 超磨粒；
85： 内端；
86： 外端；
91： 突起部。

Claims (3)

1.一种固定磨粒线的制造方法，该方法是通过将金属制的线浸渍于含有多个磨粒和要施镀的金属的阳离子的电解液中，将所述金属制的线作为阴极，通过在阳极和所述阴极之间赋予适当的电位差，将包含在电解液中的多个磨粒与从阳离子还原的金属一起在作为阴极的金属制的线的表面析出，从而制造出覆盖有含有多个磨粒的金属镀层的固定磨粒线的方法，其中，将包含在电解液中的磨粒的表面预先施镀有比银离子化倾向小的金属的磨粒作为磨粒使用。
2.一种固定磨粒线，该固定磨粒线是通过将金属制的线浸渍于含有多个磨粒及要施镀的金属的阳离子的电解液中，将所述金属制的线作为阴极，通过在阳极和所述阴极之间赋予适当的电位差，将包含在电解液中的多个磨粒与从阳离子还原的金属一起在作为阴极的金属制的线的表面析出，而获得的覆盖有含有多个磨粒的金属镀层的固定磨粒线，其中，将包含在电解液中的磨粒的表面预先施镀有比银离子化倾向小的金属的磨粒作为磨粒使用。
3.一种磨粒，该磨粒是，为了通过将金属制的线浸渍于含有多个磨粒和要施镀的金属的阳离子的电解液中，将所述金属制的线作为阴极，通过在阳极和所述阴极之间赋予适当的电位差，将包含在电解液中的多个磨粒与从阳离子还原的金属一起在作为阴极的金属制的线的表面析出，从而制造出覆盖有含有多个磨粒的金属镀层的固定磨粒线，而包含在所述电解液中的磨粒，其中，所述磨粒是在表面预先施镀有比银离子化倾向小的金属的磨粒。
CN2009801616677A 2009-10-06 2009-10-06 固定磨粒线及其制造方法以及用于该固定磨粒线的磨粒 Pending CN102574275A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2009/005169 WO2011042931A1 (ja) 2009-10-06 2009-10-06 固定砥粒ワイヤ及びその製造方法並びにその固定砥粒ワイヤに用いる砥粒

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102574275A true CN102574275A (zh) 2012-07-11

Family

ID=43856436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2009801616677A Pending CN102574275A (zh) 2009-10-06 2009-10-06 固定磨粒线及其制造方法以及用于该固定磨粒线的磨粒

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPWO2011042931A1 (zh)
KR (1) KR101322529B1 (zh)
CN (1) CN102574275A (zh)
WO (1) WO2011042931A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108136567A (zh) * 2015-09-30 2018-06-08 古河电气工业株式会社 线工具用金刚石磨粒以及线工具

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013039097A1 (ja) * 2011-09-14 2013-03-21 株式会社ファシリティ 固体微粒子付着ワイヤー及びその固体微粒子付着ワイヤーの製造方法
JP5705813B2 (ja) * 2011-12-02 2015-04-22 古河電気工業株式会社 ダイヤモンド砥粒の製造方法、ワイヤ工具の製造方法およびワイヤ工具
FR2988628B1 (fr) 2012-04-02 2015-02-27 Commissariat Energie Atomique Procede et appareil de fabrication d'un fil de decoupe
KR20170110174A (ko) * 2013-06-28 2017-10-10 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드 니켈 코팅된 다이아몬드 입자들 및 상기 입자들 제조 방법
JP6329796B2 (ja) * 2014-03-27 2018-05-23 古河電気工業株式会社 ワイヤ工具の製造方法
JP6698682B2 (ja) 2015-03-13 2020-05-27 べカルト ビンジャン スチール コード カンパニー．，リミテッドＢｅｋａｅｒｔ Ｂｉｎｊｉａｎｇ Ｓｔｅｅｌ Ｃｏｒｄ Ｃｏ．，Ｌｔｄ 金属合金固定層を有する固定砥粒ソーワイヤーの製造方法及びそれにより得られるワイヤー

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1386043A (zh) * 2001-05-14 2002-12-18 长春石油化学股份有限公司 积体电路铜内连线晶种层的沉积方法
JP2004027283A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Yasuhiro Tani めっき装置及びワイヤー工具
JP2004255519A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Noritake Super Abrasive:Kk 超砥粒研削砥石
JP2007203442A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Univ Kanagawa 金属被覆砥粒，金属被覆砥粒の製造方法，およびその金属被覆砥粒を使用した砥石

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE602005014019D1 (de) * 2005-12-27 2009-05-28 Japan Fine Steel Co Ltd Fester schleifdraht
JP2008126341A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Japan Fine Steel Co Ltd ワイヤソー用溝付きローラ及びその溝加工方法並びにその溝付きローラを用いたワイヤソー

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1386043A (zh) * 2001-05-14 2002-12-18 长春石油化学股份有限公司 积体电路铜内连线晶种层的沉积方法
JP2004027283A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Yasuhiro Tani めっき装置及びワイヤー工具
JP2004255519A (ja) * 2003-02-26 2004-09-16 Noritake Super Abrasive:Kk 超砥粒研削砥石
JP2007203442A (ja) * 2006-02-06 2007-08-16 Univ Kanagawa 金属被覆砥粒，金属被覆砥粒の製造方法，およびその金属被覆砥粒を使用した砥石

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108136567A (zh) * 2015-09-30 2018-06-08 古河电气工业株式会社 线工具用金刚石磨粒以及线工具

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011042931A1 (ja) 2011-04-14
KR20120080618A (ko) 2012-07-17
JPWO2011042931A1 (ja) 2013-02-28
KR101322529B1 (ko) 2013-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102574275A (zh) 固定磨粒线及其制造方法以及用于该固定磨粒线的磨粒
JP4139810B2 (ja) 電着ワイヤ工具
JP4538049B2 (ja) 砥粒電着ワイヤ
US20160172809A1 (en) Slip ring assembly and components thereof
JP6352176B2 (ja) 固定砥粒ワイヤーソーとその製造方法、及びそれを用いたワークの切断方法
US9623501B2 (en) Abrasive sawing wire, production method thereof and use of same
JP6452837B2 (ja) ワイヤ工具用ダイヤモンド砥粒およびワイヤ工具
JP2009066689A (ja) 固定砥粒ワイヤーソー
JP2006181701A (ja) 電着ワイヤ工具およびその製造方法
JP5066508B2 (ja) 固定砥粒ワイヤーソー
CN105142837A (zh) 磨料锯切线、其产生方法和其用途
JP2008126341A (ja) ワイヤソー用溝付きローラ及びその溝加工方法並びにその溝付きローラを用いたワイヤソー
CN106191968B (zh) 一种电镀超硬磨料切割线的制作方法
CN103189158B (zh) 具有电镀在衬底线上的磨料颗粒的锯线
KR101070976B1 (ko) 치환도금을 이용한 다이아몬드 부착 방법 및 이에 이용되는 다이아몬드 부착 장치
CN113061890A (zh) 一种铝合金表面恒压电沉积Ni-SiC复合镀层的方法
CN102168296B (zh) 废旧金刚石线锯的再生方法
CN104955601B (zh) 在镍亚层之间具有氧化镍界面的固定磨料锯线
JP2010052070A (ja) 電着固定砥粒工具及びその製造方法並びにその電着固定砥粒工具の製造に用いる砥粒
KR20140095205A (ko) 이종 연마 입자를 포함하는 와이어 절삭 공구 및 그 제조 방법
CN102729343A (zh) 线锯及其制作方法
KR100806371B1 (ko) 고정 연마입자 와이어
JP5665558B2 (ja) 固定砥粒ワイヤの製造方法
WO2016146343A1 (en) Method to produce a fixed abrasive saw wire with a metal alloy fixation layer and the wire resulting therefrom
TW201325781A (zh) 高耐磨線鋸的製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20120711