TWI635369B - 檢測裝置、檢測方法、微影裝置、圖案化器件及製造方法 - Google Patents

檢測裝置、檢測方法、微影裝置、圖案化器件及製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明揭示一種在一微影程序期間監視一焦點參數之方法。該方法包含分別獲取第一目標及第二目標之第一量測及第二量測，其中該第一目標及該第二目標已以一相對最佳焦點偏移而曝光。該方法接著包含自第一量測及第二量測判定該焦點參數。亦揭示對應量測及微影裝置、一種電腦程式及一種製造器件之方法。

Description

檢測裝置、檢測方法、微影裝置、圖案化器件及製造方法
本發明係關於可用以(例如)在藉由微影技術進行器件製造中執行度量衡的檢測裝置及方法。本發明進一步係關於用於在微影程序中監視焦點及/或劑量參數之此等方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或比例光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
在微影程序中，頻繁地需要進行所產生結構之量測，例如以用於程序控制及驗證。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(器件中兩個層之對準準確度)之特殊化工具。近來，已開發供微影領域中使用的各種形式之散射計。此等器件將輻射光束導向至目標上且量 測散射輻射之一或多個屬性--例如，依據波長而變化的在單一反射角下之強度；依據反射角而變化的在一或多個波長下之強度；或依據反射角而變化的偏振--以獲得可供判定目標之所關注屬性之繞射「光譜(spectrum)」。
已知散射計之實例包括US2006033921A1及US2010201963A1中所描述之類型之角解析散射計。由此等散射計使用之目標為相對大(例如，40微米乘40微米)光柵，且量測光束產生小於光柵之光點(亦即，光柵填充不足)。可在國際專利申請案US20100328655A1及US2011069292A1中找到暗場成像度量衡之實例，該等專利申請案之文件之全文據此係以引用方式併入。已公佈專利公開案US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A及WO2013178422A1中已描述該技術之進一步開發。此等目標可小於照明光點且可由晶圓上之產品結構環繞。可使用一複合光柵目標而在一個影像中量測多個光柵。所有此等申請案之內容亦以引用方式併入本文中。
需要監視之微影程序之一個重要參數為焦點。需要將不斷增加數目個電子組件整合於IC中。為了實現此整合，有必要減低組件之大小，且因此增加投影系統之解析度，使得可將愈來愈小的細節或線寬投影於基板之目標部分上。隨著微影中之臨界尺寸(CD)收縮，橫越基板及基板之間的焦點之一致性變得愈來愈重要。CD為使變化將造成一或若干特徵之實體屬性之不理想變化之該特徵的尺寸(諸如，電晶體之閘寬度)。傳統地，最佳設定係藉由「提前發送晶圓」予以判定，亦即，在生產運作時間之前曝光、顯影及量測基板。在提前發送晶圓中，在所謂焦點能量矩陣(FEM)中曝光測試結構，且自彼等測試結構之檢查判定最佳焦點及能量設定。
當前測試結構設計及焦點量測方法具有數個缺陷。許多測試結構需要具有大節距之次解析度特徵或光柵結構。此等結構可違反微影裝置之使用者之設計規則。焦點量測技術可包含：量測由特定焦點相依的目標結構散射之相對高階(例如，一階)輻射中之不對稱性，及自此不對稱性判定焦點。對於EUV微影，抗蝕劑厚度及(因此)目標結構之厚度較小(例如，厚度為一半)。因此，焦點敏感度及信號強度可不足以將此不對稱性方法用於EUV微影中。另外，基於不對稱性之技術可需要目標幾何形狀之謹慎選擇以確保不對稱性與焦點之間的所要關係(例如，線性)。此選擇程序可為複雜的且需要相當大努力以找到合適目標幾何形狀。甚至可為不存在合適目標幾何形狀之狀況。
本發明旨在處理上文所識別之缺陷中之一或多者。
在一第一態樣中，本發明提供在一微影程序期間監視一焦點參數之方法，該方法包含：獲取一第一量測值，該第一量測值已自一第一目標之檢測而獲得；獲取一第二量測值，該第二量測值已自一第二目標之檢測而獲得，其中該第一目標及該第二目標已以一相對最佳焦點偏移而曝光；自該第一量測值及該第二量測值判定該焦點參數。
本發明又進一步提供一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括：- 使用該第一態樣之該方法以監視該焦點參數；及根據該經判定焦點參數針對稍後基板而控制該微影程序。
本發明又進一步提供一種包含機器可讀指令之電腦程式產品， 該等機器可讀指令用於使一處理器執行該第一態樣之該方法。
本發明又進一步提供一種圖案化器件，其經組態以根據一所要圖案而在一微影程序中圖案化一輻射光束，該圖案化器件包含：用於在該微影程序期間在基板上形成一第一目標之第一特徵，及用於在該微影程序期間在基板上形成一第二目標之第二特徵；其中該等第二特徵在橫向於該目標之平面之一方向上高於該等第一特徵且使得該第一目標與該第二目標具有一相對最佳焦點偏移。
本發明又進一步提供一種在一微影程序期間監視一劑量參數之方法，該方法包含：獲取一第一量測值，該第一量測值已自一第一目標之檢測而獲得；獲取一第二量測值，該第二量測值已自一第二目標之檢測而獲得，自該第一量測值及該第二量測值判定該劑量參數；其中該第一目標及該第二目標包含具有相同節距及反向作用時間循環的對應線及間隔目標。
本發明又進一步提供一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括：使用以上緊接之該態樣之該方法以監視該焦點參數；及根據該經判定焦點參數針對稍後基板而控制該微影程序。
本發明又進一步提供一種圖案化器件，其經組態以根據一所要圖案而在一微影程序中圖案化一輻射光束，該圖案化器件包含：用於在該微影程序期間在一基板上形成一第一目標之第一特徵，及用於在該微影程序期間在該基板上形成一第二目標之第二特徵；其中該等第一特徵經組態以形成具有具一實質上焦點獨立側壁角的線特徵之該第一目標，且該等第二特徵經組態以形成具有具一焦點相依側壁角的線特徵之該第二目標。
本發明又進一步提供一種圖案化器件，其經組態以根據一所要圖案而在一微影程序中圖案化一輻射光束，該圖案化器件包含：用於 在該微影程序期間在一基板上形成一第一目標之第一特徵，及用於在該微影程序期間在一基板上形成一第二目標之第二特徵；其中設計規則將目標特徵約束至一固定臨界尺寸且約束於具有固定節距之一柵格上，其中該第一目標及該第二目標各自由該等柵格之列形成，使得該等第一特徵及該等第二特徵中之每一者係由形成於該等柵格上的一個或複數個鄰近對應目標特徵形成。
下文參看隨附圖式來詳細地描述本發明之另外特徵及優點，以及本發明之各種實施例之結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將顯而易見。
0‧‧‧零階射線/繞射射線
+1‧‧‧一階射線/繞射射線
-1‧‧‧一階射線/繞射射線
+1(13N)‧‧‧+1繞射射線
-1(13S)‧‧‧-1繞射射線
2‧‧‧寬頻帶輻射投影儀
4‧‧‧光譜儀
6‧‧‧光譜
8‧‧‧結構或剖面
11‧‧‧輻射源
12‧‧‧照明系統
12a‧‧‧準直使用透鏡系統
12b‧‧‧彩色濾光片
12c‧‧‧偏光器
13‧‧‧孔徑器件
13'‧‧‧場光闌
13N‧‧‧孔徑
13S‧‧‧孔徑
14‧‧‧參考鏡面
15‧‧‧部分反射表面
16‧‧‧顯微鏡接物鏡/透鏡/光束分裂器/接物鏡
17‧‧‧第二光束分裂器
19‧‧‧偵測器/感測器
21‧‧‧孔徑光闌
21a‧‧‧孔徑光闌
21b‧‧‧稜鏡
22‧‧‧成像光學系統
23‧‧‧影像感測器/暗場成像感測器
615‧‧‧以繞射為基礎之焦點(DBF)目標成型設計
620‧‧‧以繞射為基礎之焦點(DBF)結構
625‧‧‧高解析度子結構
700‧‧‧第一Bossung曲線
710‧‧‧第二Bossung曲線
720‧‧‧目標重疊
740‧‧‧關係
750‧‧‧關係
800‧‧‧輻射阻擋結構
810‧‧‧透明比例光罩基板
820‧‧‧金屬蓋
900‧‧‧阻擋結構
910‧‧‧比例光罩基板
920a‧‧‧第一層/第一層材料
920b‧‧‧第二層/第二層材料
920c‧‧‧第三層/第三層材料
920d‧‧‧第四層
930‧‧‧第一目標
940‧‧‧第二目標
950‧‧‧阻擋結構
950a‧‧‧第一層
950b‧‧‧第二層
950c‧‧‧第三層
1000‧‧‧第一目標
1010‧‧‧結構
1020‧‧‧第二目標
1030‧‧‧分段線結構
1040‧‧‧高解析度子結構
1100‧‧‧步驟
1110‧‧‧步驟
1120‧‧‧步驟
1130‧‧‧步驟
1140‧‧‧步驟
1150‧‧‧步驟
1160‧‧‧步驟
1200‧‧‧第一目標
1210‧‧‧抗蝕劑特徵
1220‧‧‧第二目標
1230‧‧‧抗蝕劑特徵
1310‧‧‧曲線圖
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
CP‧‧‧收集路徑
DE‧‧‧顯影器
EXP‧‧‧曝光站
I‧‧‧照明射線/入射射線
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
I/O1‧‧‧輸入/輸出口
I/O2‧‧‧輸入/輸出口
IP‧‧‧照明路徑
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧位階感測器
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MEA‧‧‧量測站
MET‧‧‧度量衡系統
MT‧‧‧圖案化器件支撐件或支撐結構
O‧‧‧光軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
P‧‧‧背向投影式光瞳平面
P'‧‧‧共軛光瞳平面
P"‧‧‧平面
PS‧‧‧投影系統
PU‧‧‧處理單元/影像處理器及控制器
PW‧‧‧第二定位器
RF‧‧‧參考框架
RO‧‧‧基板處置器或機器人
RP‧‧‧參考路徑
S‧‧‧經聚焦光點
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
T‧‧‧度量衡目標/度量衡目標光柵
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中：圖1描繪微影裝置；圖2描繪其中可使用根據本發明之檢測裝置的微影製造單元或叢集；圖3說明作為檢測裝置之第一實例的光譜散射計之操作原理；圖4以示意形式說明作為檢測裝置之另一實例的角解析散射計；圖5之(a)至圖5之(b)示意性地說明經調適以執行角解析散射量測及暗場成像檢測方法的檢測裝置；圖6說明比例光罩上之目標成型元件，其適合於在基板上形成具有焦點相依不對稱性之光柵；圖7展示(a)針對具有相對最佳焦點偏移之兩個目標之用於目標參數之經量測值(y軸)相對於焦點的標繪圖；及(b)用於來自第一目標及第二目標之目標參數之經量測值(y軸)相對於焦點(x軸)之間的差之標繪圖； 圖8之(a)至圖8之(d)以橫截面示意性地展示比例光罩上之可能目標成型設計；圖9以橫截面示意性地展示(a)根據一實施例之比例光罩基底及(b)比例光罩上之一另外可能的目標成型設計；圖10以平面圖示意性地展示比例光罩上之又另外可能的目標成型設計；圖11為描繪根據本發明之一實施例的監視焦點之方法的流程圖；圖12以平面圖示意性地展示比例光罩上之用於執行劑量量測的可能目標成型設計；圖13展示針對諸如圖12中所說明之目標的目標之經量測強度(y軸)相對於CD(x軸)之標繪圖；及圖14之(a)至圖14之(f)各自展示在受到例示性以柵格為基礎之設計規則約束時之可能目標特徵成型設計的實例。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。該裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或DUV輻射)；圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件之第一定位器PM；兩個基板台(例如，晶圓台)WTa及WTb，其各自經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且各自連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。參考框架RF連接各種組件，且用作用於 設定及量測圖案化器件及基板之位置以及圖案化器件及基板上之特徵之位置的參考件。
照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可採取許多形式。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。
本文所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不會確切地對應於基板之目標部分中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。
如此處所描繪，裝置屬於透射類型(例如，使用透射圖案化器件)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。可認為本文對術語「比例光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般術語「圖案化器件」同義。術語「圖案化器件」亦可被解譯為係指以數位形式儲存用於控制此可程式化圖案化器件之圖案資訊的器件。
本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文對術語「投影透鏡」之 任何使用皆與更一般術語「投影系統」同義。
微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。
在操作中，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源及微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部件。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可(例如)包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD、積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件MT上之圖案化器件MA上，且係由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩)MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容性感測器)，可準確地移動基板台WTa或WTb，(例如)以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，比例光罩/光罩)MA。
可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，比例光罩/光罩)MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩)MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記亦可包括於晶粒內、在器件特徵當中，在此狀況下，需要使標記儘可能地小且無需與鄰近特徵不同的任何成像或程序條件。下文中進一步描述偵測對準標記之對準系統。
可在多種模式中使用所描繪裝置。在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。如在此項技術中為吾人所熟知，其他類型之微影裝置及操作模式係可能的。舉例而言，步進模式為吾人所知。在所謂「無光罩」微影中，可程式化圖案化器件保持靜止，但具有改變之圖案，且移動或掃描基板台WT。
亦可使用上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式。
微影裝置LA屬於所謂雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb以及兩個站--曝光站EXP及量測站MEA--在該兩個站之間可交換基板台。在曝光站處曝光一個基板台上之一基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。此情形實現裝置之產出率之相當大增加。該等預備步驟可包括使用位階感測器 LS來映射基板之表面高度輪廓，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記之位置。若位置感測器IF在其處於量測站以及處於曝光站時不能夠量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使能夠在兩個站處追蹤基板台相對於參考框架RF之位置。代替所展示之雙載物台配置，其他配置為吾人所知且可用。舉例而言，提供基板台及量測台之其他微影裝置為吾人所知。此等基板台及量測台在執行預備量測時銜接在一起，且接著在基板台經歷曝光時不銜接。
如圖2所展示，微影裝置LA形成微影製造單元LC(有時亦被稱作叢集)之部件，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。習知地，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出口I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序裝置之間移動基板，且接著將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
為了正確且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，需要檢測經曝光基板以量測諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)等之屬性。因此，經定位有微影製造單元LC之製造設施亦包括度量衡系統MET，度量衡系統MET收納已在微影製造單元中處理之基板W中的一些或全部。將度量衡結果直接或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光進行調整，尤其是在檢測可足夠迅速地且快速地進行而使得同一批量之其他基板仍待曝光的情況下。又，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良良率，或被捨 棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行進一步曝光。
在度量衡系統MET內，檢測裝置係用以判定基板之屬性，且詳言之，判定不同基板或同一基板之不同層之屬性如何在不同層間變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影製造單元LC中，或可為單機器件。為了實現最快速量測，需要使檢測裝置緊接在曝光之後量測經曝光抗蝕劑層中之屬性。然而，抗蝕劑中之潛影具有極低對比度(在已曝光至輻射的抗蝕劑之部分與尚未曝光至輻射的抗蝕劑之部分之間僅存在極小折射率差)，且並非所有檢測裝置皆具有足夠敏感度來進行潛影之有用量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後進行量測，曝光後烘烤步驟(PEB)通常為對經曝光基板進行之第一步驟且增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛影(semi-latent)。亦有可能進行對經顯影抗蝕劑影像之量測(此時，已移除抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分)，或在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後進行經顯影抗蝕劑影像之量測。後者可能性限制重工有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。
圖3描繪可用作上文所描述的類型之度量衡系統中之檢測裝置的已知光譜散射計。該散射計包含將輻射投影至基板W上之寬頻帶(白光)輻射投影儀2。反射輻射傳遞至光譜儀4，光譜儀4量測鏡面反射輻射之光譜6(依據波長而變化的強度)。自此資料，可藉由在處理單元PU內演算而重新建構引起經偵測光譜之結構或剖面8。舉例而言，可藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸抑或與經預量測光譜或經預計算經模擬光譜庫之比較來執行該重新建構。一般而言，對於重新建構，結構之一般形式為吾人所知，且自供製造結構之程序之知識來假定一些 參數，從而僅留下結構之幾個參數以自散射量測資料予以判定。此散射計可經組態為正入射散射計或斜入射散射計。
圖4展示代替光譜散射計或除了光譜散射計以外亦可使用的已知角度解析散射計之基本元件。在此類型之檢測裝置中，由輻射源11發射之輻射係由照明系統12調節。舉例而言，照明系統12可包括準直使用透鏡系統12a、彩色濾光片12b、偏光器12c及孔徑器件13。經調節輻射遵循照明路徑IP，在照明路徑IP中，經調節輻射係由部分反射表面15反射且經由顯微鏡接物鏡16聚焦至基板W上之光點S中。度量衡目標T可形成於基板W上。透鏡16具有高數值孔徑(NA)，較佳為至少0.9且更佳為至少0.95。可視需要使用浸潤流體以獲得大於1的數值孔徑。
與在微影裝置LA中一樣，可在量測操作期間提供一或多個基板台以固持基板W。該等基板台在形式上可相似於或相同於圖1之基板台WTa、WTb。(在檢測裝置與微影裝置整合之實例中，該等基板台可甚至為相同基板台)。粗略定位器及精細定位器可經組態以相對於量測光學系統來準確地定位基板。提供各種感測器及致動器(例如)以獲取所關注目標之位置，且將所關注目標帶入至接物鏡16下方之位置中。通常將對橫越基板W之不同部位處之目標進行許多量測。基板支撐件可在X及Y方向上移動以獲取不同目標，且在Z方向上移動以獲得光學系統在目標上之所要聚焦。當實務上光學系統保持實質上靜止且僅基板移動時，方便地將操作考慮並描述為好像接物鏡及光學系統被帶入至基板上之不同部位。倘若基板及光學系統之相對位置正確，原則上彼等基板及光學系統中之一或兩者在真實世界中是否移動就不重要。
當輻射光束入射於光束分裂器16上時，輻射光束之部分透射通過光束分裂器且朝向參考鏡面14遵循參考路徑RP。
由基板反射之輻射(包括由任何度量衡目標T繞射之輻射)係由透鏡16收集且遵循收集路徑CP，在收集路徑CP中，輻射通過部分反射表面15而傳遞至偵測器19中。偵測器可位於處於透鏡16之焦距F的背向投影式光瞳平面P中。實務上，光瞳平面自身可為不可近接的，且可替代地藉由輔助光學件(圖中未繪示)重新成像至位於所謂的共軛光瞳平面P'中之偵測器上。偵測器較佳為二維偵測器，使得可量測基板目標30之二維角散射光譜或繞射光譜。在光瞳平面或共軛光瞳平面中，輻射之徑向位置定義輻射在經聚焦光點S之平面中之入射角/出射角，且圍繞光軸O之角位置定義輻射之方位角。偵測器19可為(例如)CCD或CMOS感測器陣列，且可使用為(例如)每圖框40毫秒之積分時間。
參考路徑RP中之輻射被投影至同一偵測器19之不同部分上或替代地投影至不同偵測器(圖中未繪示)上。參考光束常常用以(例如)量測入射輻射之強度，以允許散射光譜中量測之強度值之正規化。
照明系統12之各種組件可調整以在同一裝置內實施不同度量衡「配方」。可(例如)由干涉濾光片之集合實施彩色濾光片12b以選擇在(比如)405奈米至790奈米或甚至更低(諸如，200奈米至300奈米)之範圍內的不同所關注波長。干涉濾光片可為可調諧的，而非包含不同濾光器集合。可使用光柵來代替干涉濾光器。偏光器12c可旋轉或可調換以便在輻射光點S中實施不同偏振狀態。孔徑器件13可經調整以實施不同照明剖面。孔徑器件13位於與接物鏡16之光瞳平面P及偵測器19之平面共軛的平面P"中。以此方式，由孔徑器件界定之照明剖面界定傳遞通過孔徑器件13上之不同部位的入射於基板輻射上之光之角分佈。
偵測器19可量測在單一波長(或窄波長範圍)下之散射光之強度、分離地在多個波長下之散射光之強度，或遍及一波長範圍而整合之散 射光之強度。此外，偵測器可分離地量測橫向磁偏振光及橫向電偏振光之強度，及/或橫向磁偏振光與橫向電偏振光之間的相位差。
在度量衡目標T提供於基板W上的情況下，此度量衡目標可為1-D光柵，其經印刷使得在顯影之後，長條係由固體抗蝕劑線形成。目標可為2-D光柵，其經印刷以使得在顯影之後，光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。長條、導柱或通孔可替代地經蝕刻至基板中。此圖案對微影投影裝置(特別是投影系統PS)中之色像差敏感。照明對稱性及此類像差之存在將顯現於印刷光柵之變化中。因此，經印刷光柵之散射量測資料係用以重新建構光柵。1-D光柵之參數(諸如，線寬及形狀)或2-D光柵之參數(諸如，導柱或通孔寬度或長度或形狀)可經輸入至藉由處理單元PU自印刷步驟及/或其他散射量測程序之知識而執行之重建構程序。
除了藉由重新建構進行參數之量測以外，角解析散射量測亦有用於產品及/或抗蝕劑圖案中之特徵之不對稱性之量測。不對稱性量測之一特定應用為用於自以焦點相依不對稱性而印刷之目標進行之焦點參數(例如，在目標之曝光期間之焦點設定)之量測。舉例而言，在上文所引用之已公佈專利申請案US2006066855A1中描述使用圖3或圖4之器具進行中不對稱性量測的概念。簡單而言，雖然目標之繞射光譜中之繞射階之位置係僅由目標之週期性予以判定，但繞射光譜中之強度位準之不對稱性指示構成該目標的個別特徵中之不對稱性。在圖4之器具中(其中偵測器19可為影像感測器)，繞射階之此不對稱性直接呈現為由偵測器19記錄之光瞳影像中的不對稱性。可藉由單元PU中之數位影像處理來量測此不對稱性，且自此不對稱性可判定焦點。
圖5之(a)更詳細地展示藉由相同於圖4之裝置的原理來實施角解析散射量測的檢測裝置，其具有額外調適以執行所謂暗場成像。裝置可為單機器件，或併入於(例如)量測站處之微影裝置LA中抑或微影製 造單元LC中。貫穿裝置具有若干分支之光軸係由點線O表示。圖5之(b)中更詳細地說明目標光柵T及繞射射線。
相同元件符號係用於已經在圖4之裝置中描述的組件。照明路徑被標註為IP，如前所述。為了清楚起見，省略參考路徑RP。相比於彼裝置，第二光束分裂器17將收集路徑劃分成兩個分支。在第一量測分支中，偵測器19確切地記錄目標之散射光譜或繞射光譜，如上文所描述。此偵測器19可被稱作光瞳影像偵測器。
在第二量測分支中，成像光學系統22在感測器23(例如，CCD或CMOS感測器)上形成基板W上之目標的影像。孔徑光闌21提供於在與光瞳平面共軛的平面中之在收集路徑中的平面中(其亦可被稱為光瞳光闌)。孔徑光闌21可採取不同形式，正如照明孔徑可採取不同形式一樣。通常，孔徑光闌21用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上之目標之影像係僅由一階光束形成。此影像為所謂暗場影像，其等效於暗場顯微法。將由感測器19及23捕捉之影像輸出至影像處理器及控制器PU，影像處理器及控制器PU之功能將取決於正被執行之量測之特定類型。
在此實例中之照明路徑中，展示額外光學件使得場光闌13'可置放於與目標及影像感測器23之平面共軛之平面中。此平面可被稱作場平面或共軛影像平面，且具有以下屬性：橫越場平面之每一空間位置對應於橫越目標之一位置。此場光闌可用以(例如)出於特定目的而對照明光點塑形，或僅用以避免照明在裝置之視場內但非所關注目標之部分的特徵。借助於實例，以下圖式及論述涉及用於實施孔徑器件13之功能的技術，但本發明亦涵蓋用以實施場光闌13'之功能之相同技術的使用。
如圖5之(b)更詳細所展示，目標光柵T經置放為基板W垂直於接物鏡16之光軸O。在離軸照明剖面之狀況下，與軸線O偏離一角度而 照射於光柵T上的照明射線I產生一個零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈線-1)。應記住，在運用填充過度之小目標光柵的情況下，此等射線僅僅為覆蓋包括度量衡目標光柵T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。因為板13中之環形孔徑具有有限寬度(為接納有用量之光所必要)，所以入射射線I事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數(point spread function)，每一階+1及-1將遍及一角度範圍而進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。
藉由使用不同孔徑，不同照明模式係可能的。孔徑13N(「北」)及13S(「南」)各自提供僅自特定窄角範圍之離軸照明。返回至圖5之(a)，藉由將環形孔徑之完全相反部分指定為北(N)及南(S)來說明此情形。來自照明之圓錐之北部分的+1繞射射線(其被標註為+1(13N))進入接物鏡16，且來自圓錐之南部分的-1繞射射線(其被標註為-1(13S))亦如此。如在引言中所提及的先前申請案中所描述，在於此類型之孔徑13N、13S之間切換時使用暗場成像感測器23為自多個小目標獲得不對稱性量測之一種方式。孔徑光闌21a可用以在使用離軸照明時阻擋零階輻射。
雖然展示離軸照明，但可代替地使用目標之同軸照明，且使用具有離軸孔徑之孔徑光闌以將實質上僅一個一階繞射光傳遞至感測器。在一項實例中，使用稜鏡21b來代替孔徑光闌21，該等稜鏡21b具有使+1階及-1階轉向至感測器23上之不同部位使得其可被偵測且被比較而不產生兩個影像的效應。上文所提及之已公佈專利申請案US2011102753A1中揭示此技術，該專利申請案之內容據此以引用方式併入。代替一階光束或除了一階光束以外，亦可將二階、三階及高階光束(圖5中未繪示)用於量測中。
當監視微影程序時，需要監視微影光束在基板上之聚焦。自經 印刷結構判定焦點設定之一種已知方法係藉由量測該經印刷結構之臨界尺寸(CD)而進行。CD為最小特徵(例如，元件之線寬)之量度。經印刷結構可為為了焦點監視而特定形成之目標，諸如，線-間隔光柵。吾人已知CD通常顯示對焦點之二階回應，從而在CD(y軸)相對於焦點(x軸)之標繪圖上形成被稱為「Bossung曲線」。Bossung曲線為圍繞表示最佳焦點之峰值實質上對稱的實質上對稱曲線。Bossung曲線在形狀上可為實質上拋物線的。此途徑存在幾個缺陷。一個缺陷為：該方法展示最佳焦點附近之低敏感度(歸因於曲線之拋物線形狀)。另一缺陷為：該方法對任何散焦之正負號不敏感(此係因為該曲線主要圍繞最佳焦點對稱)。又，此方法尤其對劑量及程序變化(串擾)敏感。
為了處理此等問題，設計以繞射為基礎之焦點(DBF)。以繞射為基礎之焦點可使用比例光罩上之目標成型特徵，目標成型特徵印刷具有取決於在印刷期間之焦點設定的不對稱度之目標。可接著使用以散射量測術為基礎之檢測方法(例如)藉由量測自目標繞射之+1階輻射與-1階輻射之強度之間的強度不對稱性來量測此不對稱度，以獲得焦點設定之量度。
圖6說明經組態以用於以繞射為基礎之焦點量測之DBF目標成型設計615。其包含複數個DBF結構620，複數個DBF結構620中之每一者包含高解析度子結構625。基節距(base pitch)之頂部上之高解析度子結構625產生用於每一DBF結構620之不對稱抗蝕劑剖面，其中不對稱度取決於焦點。因此，度量衡工具可自使用DBF目標成型設計615而形成之目標量測不對稱度，且將此不對稱度轉譯成掃描器焦點。
雖然DBF目標成型設計615實現以繞射為基礎之焦點量測，但其並不適合於在所有情形中使用。EUV抗蝕劑膜厚度顯著地低於用於浸潤微影中之EUV抗蝕劑膜厚度，此情形使難以自形成目標之部分之結構的不對稱剖面提取準確不對稱性資訊。另外，此等結構可能不遵照 適用於某些產品結構之嚴格設計約束。在晶片製造程序期間，比例光罩上之所有特徵必須印刷且經受後續處理步驟。半導體製造商使用作為用以限定特徵設計之方式之設計規則，以確保經印刷特徵符合其程序要求。此設計規則之實例係與結構或節距之可允許大小有關。另一實例設計規則與圖案密度有關，圖案密度可將所得抗蝕劑圖案之密度限定為處於特定範圍內。
因此，提議至少使用第一目標及第二目標來監視焦點，第一目標及第二目標已經形成為在該兩個目標之間具有最佳焦點偏移df。如前所述，針對第一目標及第二目標中之每一者，對用於目標參數(例如，CD或如下文將描述之其他量測)之量測值之焦點回應採取Bossung曲線之形式。焦點係依據自第一目標之量測獲得的目標參數之第一量測值及自第二目標之量測獲得的目標參數之第二量測值而變化。因此，提議獲得自第一及第二目標進行之參數之經量測值，且自此等經量測值導出用於焦點之值。下文參看圖7描述可如何導出焦點之特定實例。然而，熟習此項技術者將認識到，存在允許自第一及第二目標獲得之經量測值提取焦點之許多替代方法。雖然以下之描述具體論述使用兩個量測值(無論其為強度值或其他值)之差，但亦可使用其他數學運算及方法以提取焦點值。舉例而言，有可能將量測值中之一者(來自第一目標及第二目標中之一者)除以另一量測值(來自第一目標及第二目標中之另一者)。
圖7之(a)展示針對第一目標及第二目標兩者之目標參數Pt相對於焦點f的標繪圖。其展示對應於第一目標之第一Bossung曲線700及對應於第二目標之第二Bossung曲線710。亦展示最佳焦點偏移df(Bossung曲線700、710之兩個峰值之間的焦點偏移)。其中目標重疊720為使用於第一目標之目標參數與用於第二目標之目標參數之差具有與焦點之基本上線性關係之焦點範圍。圖7之(b)中說明此情形，圖 7之(b)為此差Pt2-Pt1(其中Pt1為用於第一目標之目標參數，且Pt2為用於第二目標之目標參數)相對於焦點的標繪圖。如可看到，關係740係線性的。Pt2-Pt1度量可對(例如)藉由劑量及/或程序之串擾敏感。較穩固度量可為Pt2-Pt1/PtAV，其中PtAV為Pt2與Pt1之平均值。圖7之(b)中亦展示Pt2-Pt1/PtAV與焦點之關係750(點線)。此關係仍充分線性，同時相對於串擾更穩固。
在所說明之特定實例中，關係740或關係750之斜率可藉由2*df*a來描述，其中df為最佳焦點偏移且a為Bossung曲率。因此，可自以下方程式(方程式1)獲得焦點：
其中分母中之PtAV係選用的。
為了增加焦點敏感度，有可能增加最佳焦點偏移，藉此增加關係740或關係750之斜率。
在以上論述中，應瞭解，可使用任何目標參數Pt，其限制條件為：其具有對焦點之Bossung曲線回應。雖然可使用CD，但提議相比於先前方法具有相當大優點的新以繞射為基礎之焦點方法。此方法包含使用自由第一目標及第二目標散射之輻射之繞射階獲得的強度信號以判定焦點。詳言之，提議使用來自第一目標及第二目標中之每一者的單一繞射階之強度值以判定焦點。所提議方法可使用來自第一目標及第二目標之對應繞射階之強度值。舉例而言，強度值可為來自第一目標及第二目標之+1(或-1)繞射階。替代地或組合地，強度值可為來自第一目標及第二目標之零繞射階之強度值。
在此方法之特定實例中，提議使用由第一目標散射之輻射之繞射階之經量測強度與由第二目標散射之輻射之對應繞射階之經量測強度的差dI。此差在下文中被稱作dI度量。然而，dI度量可為自來自第 一目標及第二目標之繞射強度值導出的任何度量(例如，藉由將該等強度值中之一者除以另一者)。
在一實施例中，dI度量可為對應一繞射階(或高繞射階)之差，一繞射階例如，由第一目標散射之輻射之+1繞射階及由第二目標散射之輻射之+1繞射階(明顯地同樣可使用負階)。在另一實施例中，dI度量可包含來自第一目標與第二目標之零階之強度量測之間的差。
如前所述，dI度量可除以強度量測之平均值Iav，以縮減串擾之效應。然而，用於dI度量之Bossung曲率僅較弱地取決於劑量，使得dI度量可已經展現足夠低劑量串擾。
以此方式使用dI度量會提供良好信號強度及信號對雜訊回應，即使在目標包含淺光柵(例如，供EUV微影中使用)時。
如上文所提及，dI度量可包含由第一目標與第二目標散射之輻射之零階的差。以此方式，可使用具有較小節距之目標。因此，用於第一目標及第二目標之目標節距可經選擇為與任何客戶設計規則一致。又，較小目標節距意謂可縮減總目標大小。多個節距亦係可能的。使用零階輻射意謂無需捕捉繞射輻射，且dI度量描述由具有相對最佳焦點偏移之目標吸收的光之差。零階之量測亦可增加信號強度及信號-雜訊特性。
在使用一階繞射輻射的情況下且自每量測僅需要單一一階以來，使用一階輻射光所需之節距在數值孔徑NA=1之限度中縮減至λ/2(其中λ為偵測波長)。目前此限度為λ。此將意謂線性目標尺寸可縮減為原先的二分之一且面積縮減為原先的四分之一。
可以數種方式引入第一目標與第二目標之間的最佳焦點偏移。在一項實施例中，用以印刷目標之微影裝置可具有故意受控制之散光。可經由包括於投影光學件內之數個操控器將散光引入至投影光學件。許多微影裝置中之投影透鏡實現充分大散光偏移以產生最佳焦點 偏移，而不具有非想要波前效應。在一實施例中，散光可在水平特徵與垂直特徵之間引入最佳焦點偏移。為了利用此散光，第一目標及第二目標可分別包含水平光柵及垂直光柵(或反之亦然)。
在一實施例中，可由比例光罩(亦被稱作圖案化器件或光罩)引入最佳焦點偏移。提議使目標對(例如，線-間隔光柵)併入於比例光罩上。比例光罩可含有大約為目標之大小(例如，20微米×20微米、8微米×8微米或5微米×5微米)之部位及基板經蝕刻至深度d之界限區帶。第一目標與第二目標對中之一者在正常光罩位階處經沈積，另一者在(較佳鄰近)經蝕刻位置處經沈積。
圖8說明用於達成此配置之數個替代比例光罩配置。圖8之a以橫截面展示可用以印刷該第一目標及該第二目標中之一者之參考目標。此參考目標為包含透明比例光罩基板810上之輻射阻擋結構800的比例光罩上之習知目標特徵。比例光罩可具有任何結構或材料。舉例而言，透明比例光罩基板810可包含石英玻璃，且輻射阻擋結構800可包含鉻、矽化鉬(任何不透明度)或氮化鉭硼。
提議此參考目標與圖8之(b)、圖8之(c)或圖8之(d)之目標配置中之一者一起使用。然而，可使用圖8中所展示之目標中之任一者的兩個(或兩個以上)之任何組合，其限制條件為：其引起相對最佳焦點偏移。
圖8之(b)展示透明比例光罩基板810，其在目標之區中已在添加輻射阻擋結構800之前經蝕刻至深度d。此配置提供簡單目標，但製造由於不能夠在「光罩間」中進行此操作而為複雜的。圖8之(c)展示相似於圖8之(a)之配置的配置，但其中比例光罩基板810已在輻射阻擋結構800之沈積之後經蝕刻達深度d。圖8之(d)展示如下配置：其中用額外金屬(例如，鉻)蓋820作輻射阻擋結構800之頂蓋。此配置相似於透射影像感測器(TIS)目標。此配置在EUV微影中係不可能的。
在以上之經蝕刻實例中，深度d可為(例如)0.1微米或更大，更具體言之，為大約0.1微米至5微米，或0.5微米至5微米，且(例如)為0.5微米至3微米。在一實施例中，深度d可為大約1微米。
圖9說明用於在第一(參考)目標中達成最佳焦點偏移的一另外比例光罩配置。此配置適合於(作為實例)玻璃上不透明MoSi(OMOG)且適合於衰減相移光罩(attPSM)比例光罩類型。詳言之，比例光罩之趨勢係用於Cr厚度之縮減。此將縮減上文所描述之圖8之(d)實施例之Cr頂蓋效應。比例光罩生產包含將一個(或多個)額外吸收劑堆疊沈積於基底上；其中該基底包含上方沈積有單一吸收劑堆疊之比例光罩基板。吸收劑堆疊可包含用金屬層(例如，Cr層)作頂蓋的不透明層(例如，MoSi層)。
圖9之(a)展示新比例光罩基底。該比例光罩基底包含用兩個吸收劑堆疊作頂蓋的比例光罩基板910。第一吸收劑堆疊包含第一層920a(例如，MoSi層)及第二層920b(例如，Cr層)。第二吸收劑層亦包含兩個層：第三層920c(例如，MoSi層)及第四層920d(例如，Cr層)。
圖9之(b)展示最終比例光罩配置。該最終比例光罩配置展示第一目標930及第二目標940。第一目標930係習知的，此係因為其包含阻擋結構900之單一不透明層(例如，由第一層材料920a形成)。第二目標940包含阻擋結構950，阻擋結構950各自具有三個層：第一層950a、第二層950b及第三層950c，其分別由第一層材料920a、第二層材料920b及第三層材料920c形成。第四層920d被完全移除。
用於生產此比例光罩之程序可包含以下步驟：‧將一或多個額外吸收劑堆疊沈積於基底上(此沈積可由基底供應者進行)；‧經由堆疊兩者而將目標層(含有目標930、940)蝕刻達基板910之深度； ‧移除用於第一目標及其對應層之額外堆疊。此層含有產品及參考目標(第一目標)，但不含有第二目標。抗蝕劑在此步驟期間覆蓋第二目標；‧以習知方式蝕刻參考層。抗蝕劑在此步驟期間覆蓋第二目標。
用於獲得在之間具有最佳焦點偏移的兩個目標之一另外方法包含：提供包含線-間隔目標之第一目標，線-間隔目標具有焦點不敏感側壁角(SWA)，使得第一目標之個別結構之SWA係焦點不敏感的；及具有焦點敏感SWA之第二目標。第二目標可包含分段線，該分段為關於微影裝置之次解析度。
圖10說明用於產生此等第一及第二目標之比例光罩配置。第一目標1000(部分地展示)包含具有結構1010之線-間隔目標，結構1010在基板上產生具有焦點不敏感之SWA的對應目標結構。在一實施例中，SWA係小的(亦即，接近垂直)。第二目標1020(部分地展示)包含具有分段線結構1030之線-間隔目標。分段線結構1030包含可相似於圖6之高解析度子結構625的高解析度子結構1040。第二目標1020係使得曝光於基板上之所得目標具有焦點相依SWA。
第一目標1000及第二目標1020各自具有描述具有最佳焦點偏移之Bossung曲線的對焦點之一目標參數回應，其相似於圖7中所說明之回應。此最佳焦點偏移係由於該等目標中之僅一者之焦點相依SWA所致。SWA隨著焦點線性地變化，此造成Bossung峰值移位。藉由此方法，可將不對稱目標(諸如，圖6中所說明之不對稱目標)分離成具有相似效能的兩個分離對稱目標。此情形實現更有效目標選擇及用於參數值之全節距之使用。
將最佳焦點偏移引入於比例光罩中(而非經由投影光學件中之散光)之優點在於：此情形允許產品上焦點監視及產品外焦點監視兩者。投影光學件中之散光之要求意謂此等方法可僅用於產品外監視。
圖11為根據例示性實施例的用於在微影程序期間監視焦點參數之方法之步驟的流程圖。該等步驟如下，且接著此後予以更詳細地描述：1100-開始；1110-印刷具有相對最佳焦點偏移之第一目標及第二目標；1120-自第一目標之檢測執行第一量測以獲得第一量測值；1130-自第二目標之檢測執行第二量測以獲得第二量測值；1140-自第一量測值與第二量測值之差演算焦點；1150-使用所演算焦點量測以用於後續曝光之焦點設定中；1160-結束。
在步驟1110處，將(至少)第一目標及第二目標印刷成具有如已經所描述之相對最佳焦點偏移。可(例如)經由比例光罩上之形成第一目標與第二目標之目標成型結構之間的相對深度偏移而引入相對最佳焦點偏移。替代地，可經由微影系統之投影光學件中之散光而引入相對最佳焦點偏移。藉由一另外替代實例，可使用圖10中所說明之比例光罩配置。在兩個目標之間引入相對最佳焦點偏移之其他方法亦係可能的，且設想其在本發明之範疇內。
在步驟1120處，自第一目標之檢測執行第一量測以獲得用於目標參數之第一量測值。在一實施例中，此第一量測可關於由第一目標散射之輻射之繞射階中的一者之強度(或相關參數)。舉例而言，可使用本文所描述之散射計器件中之任一者來獲得此第一量測。亦預期，在本發明之範疇內，第一量測為CD量測(不論是使用散射計、掃描電子顯微鏡抑或其他合適器件而獲得)或具有與焦點之Bossung曲線關係的參數之任何其他量測。
在步驟1130處，自第二目標之檢測執行第二量測以獲得用於目標參數之第二量測值。應使用與第一量測相同之方法來執行此第二量 測。在第一量測係關於由第一目標散射之輻射之繞射階中的一者之強度(或相關參數)的情況下，第二量測應具有與由第二目標散射之輻射相同的繞射階。該繞射階可為第一繞射階或零繞射階中之任一者。然而，亦可使用高繞射階且高繞射階係在本發明之範疇內。可在存在經印刷之兩個以上目標的情況下進行進一步量測。此等額外目標可各自包含不同於該第一目標及/或該第二目標之最佳焦點偏移的最佳焦點偏移。
應瞭解，可將步驟1120及步驟1130執行為單一步驟，使得在單次獲取中獲得第一量測值及第二量測值。另外，在存在經量測之兩個以上目標的情況下，可在單一獲取中量測所有目標以獲得對應數目個量測值。在一特定實例中，諸如圖5中所說明之量測器件可用以量測包含多個個別目標(個別週期性結構或光柵)之複合目標。複合目標之光柵可經定位成緊密在一起使得其將皆在由度量衡裝置之照明光束形成之影像場或量測光點內。以此方式，該等光柵可皆被同時地照明且同時地成像於偵測器上。此等影像可接著經處理以識別光柵之分離影像。此可藉由圖案匹配技術進行，使得並非必須在感測器框架內之特定部位處極精確地對準影像。一旦已識別光柵之分離影像，就可(例如)藉由對經識別區域內之選定像素強度值進行平均化或求和而量測彼等個別影像之強度。在另一實施例中，第一目標及第二目標可包含於一複合目標內，但在兩次分離獲取中分離地量測該第一目標及該第二目標。
在步驟1140處，自第一量測值及第二量測值(例如，自第一量測值與第二量測值之差)演算焦點。可使用方程式1或其他合適方程式或方法來執行此演算。
在步驟1150處，所演算焦點可接著在後續微影程序期間用於焦點參數監視中，以便在曝光期間維持焦點準確度及一致性。
以上論述描述用於判定焦點之方法。然而，亦揭示用於劑量量測之方法。當前以繞射為基礎之劑量度量衡係基於經參數化抗蝕劑圖案之繞射圖案之模擬。接著調整參數使得所得零階繞射效率(尤其是該等參數之角度相依性)與量測一致。使用CD及節距在所關注範圍內的線/空間(LS)目標。此方法被稱作CD重新建構(CDR)，且取決於經參數化模型之正確性。該模型必要地為對具有有限數目個參數之抗蝕劑圖案之示意性近似。該模型需要堆疊之幾何形狀及光學參數之知識。此通常為專屬資訊且因此難以獲得，且可不準確。
因此，提議用於判定劑量之較簡單方法，其包含：形成第一線-間隔目標及第二線-間隔目標，第一線-間隔目標及第二線-間隔目標具有具反向作用時間循環之抗蝕劑圖案或具匹配屬性之成對抗蝕劑圖案使得串擾(偏移及縮放兩者)得以最小化。在一實施例中，第一目標及第二目標各自具有相同節距，但其中第一目標為線目標，第二目標將為對應間隔目標，使得第一目標之線之寬度等於第二目標之間隔之寬度。圖12說明具有第一目標1200及第二目標1220之此目標配置，第一目標1200具有具CD a之個別抗蝕劑特徵1210，第二目標1220具有具CD b之個別抗蝕劑特徵1230，每一目標具有相同節距。
圖13展示針對節距為600奈米之線間隔目標之抗蝕劑(線)CD相對於一階強度I的曲線圖1310。可看到，針對對應線及間隔目標(例如，抗蝕劑CD為150奈米之第一目標及抗蝕劑CD為450奈米之第二目標)之經量測強度應大約相同。然而，抗蝕劑CD取決於劑量，使得劑量增加會引起抗蝕劑CD減低，且反之亦然。因此，針對第一目標及第二目標兩者，(例如)劑量增加將造成抗蝕劑CD減低。此將造成用於第一目標之一階強度減低及用於第二目標之一階強度增加。因此，可看到針對第一目標及第二目標之劑量敏感度相對。因此，對於第一目標及第二目標之強度量測之差可為用作劑量度量之目標參數。
可注意到，任何程序變化在某種範圍內可具有與劑量變化相同的效應。諸如曝光後烘烤(PEB)及次級電子模糊(SEB)變化以及底部抗反射塗層(BARC)及抗蝕劑厚度變化之程序變化變更薄抗蝕劑膜中之曝光強度。然而，BARC及抗蝕劑厚度變化影響經量測繞射強度：較厚BARC及抗蝕劑引起經量測一階強度增加。此效應並不取決於CD且針對目標兩者，所得強度改變相等。若該等目標具有匹配之標稱一階強度回應，則任何串擾誘發性信號偏移在自該兩個目標獲得量測之差時將相消。任何串擾誘發性縮放針對信號差及信號平均值將相等。因此，吾人預期差與平均經量測強度之比率將相對於程序串擾而穩固，但對劑量(包括程序誘發性劑量效應)敏感。
提議量測依據焦點而變化的劑量校準曲線。在假定焦點為吾人所知的情況下，可自劑量校準推斷實際劑量。可使用本文所揭示方法中之任一者藉由早先以繞射為基礎之焦點方法(例如，使用圖6中所展示的形式之結構)或任何其他合適方法來判定焦點。
雖然第一目標及第二目標被描述為線-間隔目標，但其可包含產生合適一階回應之任何劑量相依抗蝕劑目標。在一實施例中，可回應於目標與產品之間的程序誘發性劑量效應而判定校正以考量任何差。
所提議方法使能夠使用一階強度量測以判定劑量，而無需模型模擬或預測。該方法抑制對關於目標效能之程序變化之敏感度。照明及劑量條件對目標效能之影響小。該方法對掃描器劑量及類劑量程序效應敏感。使用一階信號比使用零階信號更準確，此係因為該等一階信號具有較佳散粒雜訊效能。
在上文將目標描述為線-間隔光柵目標，此係因為此等目標生產及量測起來簡單。然而，目標可包含引起可量測目標參數與焦點之間的Bossung曲線回應之任何結構。舉例而言，目標可包含組合之水平及垂直線-間隔光柵，以形成「接觸孔」配置。此目標可使得能夠捕 捉更多繞射階。目標配置可包含兩個以上目標。因此，本文所描述之方法可包含對兩個以上目標執行量測。
在一些情況下，強加引起對比例光罩特徵之某些參數之約束的設計規則。此等設計規則之一實例為提供用於線-間隔目標之具有間隔目標固定節距及/或CD(且因此對目標強加固定節距及/或CD)之設計柵格。可能的情況為：本文所描述之許多目標將違背此等設計規則。
作為特定實例，以設計柵格為基礎之設計規則可強加為100奈米之目標節距及為40奈米之CD；亦即，線可僅以40奈米之CD且在線-間隔光柵之方向上之具有100奈米節距的柵格上形成。然而，可需要使目標實際上具有600奈米之節距，使得可偵測及量測一階信號。提議可藉由在此等柵格之列中在對應柵格部位上提供1或2個此等線來獲得此線型目標。因此，每一柵格將界定單一目標特徵。可藉由在此等柵格之列中在對應柵格部位上提供4或5個此等線來獲得類似間隔型目標。
需要使此等圖案成像使得其在基板上具有經設計尺寸及充分大焦點深度。因此，可使線偏置(例如，以相似於光學近接校正方法之方式)，且(例如，20奈米)輔助特徵可視情況置放於每一柵格上之空部位上。以此方式，可使目標更穩定且更對稱(例如，依據SWA)。
圖14之(a)至圖14之(f)各自包含基於柵格之可能目標特徵之實例。詳言之，在按照先前給出之實例，CD為40奈米且柵格節距為100奈米的情況下，圖14之(e)之2線實例及圖14之(c)之4線實例分別仿真CD為約100奈米至150奈米且節距為600奈米之線及間隔目標的目標特徵。
可藉由以下操作改良使用微影程序來製造器件之方法：提供如本文中所揭示之檢測裝置；使用該檢測裝置以量測經處理基板以量測 微影程序之效能參數；及調整程序之參數(特別是焦點)以改良或維持微影程序之效能以用於後續基板之處理。
應理解，用於以上實例中之特定參數並非可被界定之僅有參數。可根據待用於度量衡之微影裝置及檢測裝置之限制而在實際設計程序中使用額外及/或替代參數。雖然上文所描述之目標結構為出於量測之目的而特定地設計及形成之度量衡目標，但在其他實施例中，可量測為形成於基板上之器件之功能部件的目標之屬性。許多器件具有規則的類光柵結構。本文所使用之術語「目標光柵」及「目標結構」無需已特定地針對所執行之量測來提供結構。
與如實現於基板及圖案化器件上之目標之實體光柵結構相關聯地，一實施例可包括電腦程式，該電腦程式含有機器可讀指令之一或多個序列，該等機器可讀指令描述設計度量衡配方及/或控制檢測裝置以實施照明模式及彼等度量衡配方之其他態樣之方法。此電腦程式可(例如)在用於設計/控制程序之分離電腦系統中予以執行。替代地，設計程序可在圖3、圖4或圖5之裝置中之單元PU及/或圖2之控制單元LACU內完全地或部分地予以執行。亦可提供經儲存有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體，磁碟或光碟)。
在以下編號條項中提供根據本發明之另外實施例：
1.一種在一微影程序期間監視一焦點參數之方法，該方法包含：獲取一第一量測值，該第一量測值已自一第一目標之檢測而獲得；獲取一第二量測值，該第二量測值已自一第二目標之檢測而獲得，其中該第一目標及該第二目標已以一相對最佳焦點偏移而曝光； 自該第一量測值及該第二量測值判定該焦點參數。
2.如條項1之方法，其中已自自該第一目標散射之輻射之一第一量測獲得該第一量測值，且已自自該第二目標散射之輻射之一第二量測獲得該第二量測值。
3.如條項2之方法，其中該第一量測為自該第一目標散射之輻射之一繞射階的一強度量測，且該第二量測為自該第二目標散射之輻射之一對應繞射階的一強度量測。
4.如條項3之方法，其中該繞射階為零繞射階。
5.如條項3之方法，其中該繞射階為一非零繞射階。
6.如前述條項中任一項方法，其包含如下步驟：執行該第一量測以獲得該第一量測值及執行該第二量測以獲得該第二量測值。
7.如條項1至5中任一項之方法，其包含在一單一量測中至少檢測該第一目標及該第二目標以獲得該第一量測值及該第二量測值。
8.如前述條項中任一項之方法，其中判定該焦點參數之該步驟包含自該第一量測值與該第二量測值之差判定該焦點參數。
9.如條項8之方法，其中將該第一量測值與該第二量測值之該差除以該第一量測值與該第二量測值之一平均值。
10.如條項8或9之方法，其中該第一量測值隨著焦點之變化及該第二量測值隨著焦點之變化各自界定具有一相對焦點偏移的對應Bossung曲線，且該第一量測值與該第二量測值之該差隨著焦點之變化係實質上線性的。
11.如條項10之方法，其中該第一量測值與該第二量測值之該差隨著焦點之該變化係藉由具有一斜率之一線而界定，該斜率取決於該等Bossung曲線之曲率及該相對最佳焦點偏移。
12.如前述條項中任一項之方法，其中該相對最佳焦點偏移係由在該第一目標及該第二目標之形成期間之該微影裝置中的散光引 起。
13.如條項12之方法，其中該散光引起水平結構與垂直結構之間的一相對最佳焦點偏移，且其中該第一目標包含實質上水平結構且該第二目標包含實質上垂直結構。
14.如條項1至12中任一項之方法，其中該相對最佳焦點偏移係由界定該第一目標及該第二目標之圖案化器件引起。
15.如條項14之方法，其中在界定該第一目標及該第二目標之該圖案化器件中存在圖案之深度之一偏移。
16.如條項14或15之方法，其中用於界定該第一目標或該第二目標中之一者之該等圖案中的一者包含在橫向於該目標之平面之一方向上相比於該第一目標或該第二目標中之該另一者更高的線特徵。
17.如條項16之方法，其具有吸收劑材料之至少一個額外層。
18.如條項17之方法，其中該額外層包含如下各者中之一者：一金屬、矽化鉬或氮化鉭硼。
19.如條項17之方法，其中該額外層包含吸收劑材料之一額外堆疊。
20.如條項14之方法，其中該第一目標包含具有一實質上焦點獨立側壁角之線特徵，且該第二目標包含具有一焦點相依側壁角之線特徵。
21.如條項20之方法，其中該第一目標及該第二目標中之每一者包含線-間隔光柵結構，且其中該圖案化器件上之界定該等第二目標之該圖案包含分段線特徵，每一分段線特徵具有低於該微影程序之成像解析度的一節距。
22.如前述條項中任一項之方法，其包含在一基板上形成具有該相對最佳焦點偏移的該第一目標及該第二目標。
23.如前述條項中任一項之方法，其中該第一目標及該第二目 標各自包含線-間隔光柵結構。
24.如前述條項中任一項之方法，其中設計規則將目標特徵約束至一固定臨界尺寸且約束於具有固定節距之一柵格上，其中該第一目標及該第二目標各自由該等柵格之列形成，使得該第一目標及該第二目標之每一線特徵係由形成於該等柵格上的一個或複數個鄰近對應目標特徵形成。
25.如前述條項中任一項之方法，其中界定該第一目標及該第二目標之圖案並不包含在該第一目標及該第二目標中故意引入焦點相依不對稱性之特徵。
26.如前述條項中任一項之方法，其包含：進行額外目標之額外量測，該等額外目標對於該第一目標及該第二目標而言係額外的，該等額外目標中之每一者具有與該第一目標及/或該第二目標之最佳焦點不同的一最佳焦點；及將該等額外量測用於判定該焦點參數之該步驟中。
27.一種在一微影程序期間監視一劑量參數之方法，該方法包含：獲取一第一量測值，該第一量測值已自一第一目標之檢測而獲得；獲取一第二量測值，該第二量測值已自一第二目標之檢測而獲得；自該第一量測值及該第二量測值判定該劑量參數；其中該第一目標及該第二目標包含具有相同節距及反向作用時間循環的對應線及間隔目標。
28.如條項26或27之方法，其中判定該劑量參數之該步驟包含自該第一量測值與該第二量測值之差判定該劑量參數。
29.如條項26至28中任一項之方法，其中判定該劑量參數之該 步驟包含：判定該微影程序之一焦點參數；及參考對應於該經判定焦點參數之一劑量校準曲線。
30.如條項29之方法，其中判定該劑量參數之該步驟包含執行該如條項1至26中任一項之方法。
31.一種用於量測一微影程序之一參數之度量衡裝置，該度量衡裝置可操作以執行該如條項1至30中任一項之方法。
32.如條項31之度量衡裝置，其包含：用於該基板之一支撐件，該基板上具有複數個目標；一光學系統，其用於量測每一目標；及一處理器。
33.一種微影系統，其包含：一微影裝置，該微影裝置包含：一照明光學系統，其經配置以照明一圖案；一投影光學系統，其經配置以將該圖案之一影像投影至一基板上；及一如條項31或32之度量衡裝置，其中該微影裝置經配置以使用由該度量衡裝置演算之該經判定焦點參數及/或劑量參數以將該圖案施加至另外基板。
34.一種包含處理器可讀指令之電腦程式，該等處理器可讀指令在執行於合適處理器控制之裝置上時，使該處理器控制之裝置執行該如條項1至26中任一項之方法。
35.一種電腦程式載體，其包含該如條項34之電腦程式。
36.一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括：- 使用該如條項1至26中任一項之方法以監視該焦點參數；及 - 根據該經判定焦點參數針對稍後基板而控制該微影程序。
37.一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括：- 使用該如條項27至30中任一項之方法以監視該劑量參數；及- 根據該經判定劑量參數針對稍後基板而控制該微影程序。
38.一種圖案化器件，其經組態以根據一所要圖案而在一微影程序中圖案化一輻射光束，該圖案化器件包含：用於在該微影程序期間在一基板上形成一第一目標之第一特徵，及用於在該微影程序期間在該基板上形成一第二目標之第二特徵；其中該等第二特徵在橫向於該目標之平面之一方向上高於該等第一特徵且使得該第一目標與該第二目標具有一相對最佳焦點偏移。
39.如條項38之圖案化器件，其中該等第一特徵及該等第二特徵沈積於一比例光罩基板上，且該等第二特徵沈積於該比例光罩基板之一區段上，該區段相比於已沈積有該等第一特徵之該比例光罩基板之一區段而在橫向於該目標之該平面的一方向上已經蝕刻至不同的一位階。
40.如條項38或39之圖案化器件，其中該等第二特徵相比於該等第一特徵包含一或多個額外層。
41.如條項40之圖案化器件，其中該一或多個額外層包含一吸收劑材料層。
42.如條項41之圖案化器件，其中吸收劑材料之該額外層包含如下各者中之一者：一金屬、矽化鉬或氮化鉭硼。
43.如條項40之圖案化器件，其中該一或多個額外層包含吸收劑材料之一額外堆疊，吸收劑材料之該額外堆疊包含吸收劑材料之一第一層及吸收劑材料之一第二層。
44.如條項43之圖案化器件，其中吸收劑材料之該第一層包含 矽化鉬或氮化鉭硼，且吸收劑材料之該第二層包含一金屬。
45.一種圖案化器件，其經組態以根據一所要圖案而在一微影程序中圖案化一輻射光束，該圖案化器件包含：用於在該微影程序期間在一基板上形成一第一目標之第一特徵，及用於在該微影程序期間在該基板上形成一第二目標之第二特徵；其中該等第一特徵經組態以形成具有具一實質上焦點獨立側壁角的線特徵之該第一目標，且該等第二特徵經組態以形成具有具一焦點相依側壁角的線特徵之該第二目標。
46.如條項45之圖案化器件，其中該第一目標及該第二目標中之每一者包含線-間隔光柵結構，且其中該等第二特徵包含分段線特徵，每一分段線特徵具有低於該微影程序之成像解析度的一節距。
47.一種圖案化器件，其經組態以根據一所要圖案而在一微影程序中圖案化一輻射光束，該圖案化器件包含：用於在該微影程序期間在一基板上形成一第一目標之第一特徵，及用於在該微影程序期間在該基板上形成一第二目標之第二特徵；其中設計規則將目標特徵約束至一固定臨界尺寸且約束於具有固定節距之一柵格上，其中該第一目標及該第二目標各自由該等柵格之列形成，使得該等第一特徵及該等第二特徵中之每一者係由形成於該等柵格上的一個或複數個鄰近對應目標特徵形成。
本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識、根據各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於藉由實例進行描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措辭應由熟習此項技術者鑒於該等教示及該指導進行解譯。
本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者來界定。

Claims (15)

  1. 一種在一微影程序期間基於繞射之監視一焦點參數之方法，該方法包含：獲取一第一量測值，該第一量測值已自一第一目標之檢測而獲得；獲取一第二量測值，該第二量測值已自一第二目標之檢測而獲得，其中該第一目標及該第二目標已以一相對最佳焦點偏移(focus offset)而曝光；自該第一量測值及該第二量測值判定該焦點參數。
  2. 如請求項1之方法，其中判定該焦點參數之該步驟包含：自該第一量測值與該第二量測值之差判定該焦點參數。
  3. 如請求項1或2之方法，其中該相對最佳焦點偏移係由在該第一目標及該第二目標之形成期間該微影裝置中的散光(astigmatism)引起。
  4. 如請求項1或2之方法，其包含在一基板上形成具有該相對最佳焦點偏移的該第一目標及該第二目標。
  5. 如請求項1或2之方法，其中該第一目標及該第二目標各自包含線-間隔光柵結構。
  6. 如請求項1或2之方法，其包含：進行額外目標之額外量測，該等額外目標對於該第一目標及該第二目標而言係額外的，該等額外目標中之每一者具有與該第一目標及/或該第二目標之最佳焦點不同的一最佳焦點；及將該等額外量測用於判定該焦點參數之該步驟中。
  7. 一種在一微影程序期間監視一劑量參數之方法，該方法包含：獲取一第一量測值，該第一量測值已自一第一目標之檢測而獲得；獲取一第二量測值，該第二量測值已自一第二目標之檢測而獲得；自該第一量測值及該第二量測值判定該劑量參數；其中該第一目標及該第二目標包含具有相同節距及反向作用時間循環的對應線及間隔目標。
  8. 一種用於量測一微影程序之一參數之度量衡裝置，該度量衡裝置可操作以執行如請求項1至7中任一項之方法。
  9. 如請求項8之度量衡裝置，其包含：用於該基板之一支撐件，該基板上具有複數個目標；一光學系統，其用於量測每一目標；及一處理器。
  10. 一種微影系統，其包含：一微影裝置，該微影裝置包含：一照明光學系統，其經配置以照明一圖案；一投影光學系統，其經配置以將該圖案之一影像投影至一基板上；及一如請求項8或9之度量衡裝置，其中該微影裝置經配置以使用由該度量衡裝置演算(calculate)之該經判定之焦點參數及/或劑量參數以將該圖案施加至另外基板。
  11. 一種包含處理器可讀指令之電腦程式，該等處理器可讀指令在執行於合適處理器控制之裝置上時，使該處理器控制之裝置執行如請求項1至6中任一項之方法。
  12. 一種製造器件之方法，其中使用一微影程序將一器件圖案施加至一系列基板，該方法包括：使用如請求項1至6中任一項之方法以監視該焦點參數，及/或使用如請求項7之方法以監視該劑量參數；根據該經判定焦點參數針對稍後基板而控制該微影程序。
  13. 一種圖案化器件，其經組態以根據一所要圖案而在一微影程序中圖案化一輻射光束，該圖案化器件包含：用於在該微影程序期間在一基板上形成一第一目標之第一特徵，及用於在該微影程序期間在該基板上形成一第二目標之第二特徵；其中該等第二特徵在橫向於該目標之平面之一方向上高於該等第一特徵且使得該第一目標與該第二目標具有一相對最佳焦點偏移。
  14. 一種圖案化器件，其經組態以根據一所要圖案而在一微影程序中圖案化一輻射光束，該圖案化器件包含：用於在該微影程序期間在一基板上形成一第一目標之第一特徵，及用於在該微影程序期間在該基板上形成一第二目標之第二特徵；其中該等第一特徵經組態以形成具有具一實質上焦點獨立側壁角(focus independent side wall angle)的線特徵之該第一目標，且該等第二特徵經組態以形成具有具一焦點相依側壁角的線特徵之該第二目標。
  15. 一種圖案化器件，其經組態以根據一所要圖案而在一微影程序中圖案化一輻射光束，該圖案化器件包含：用於在該微影程序期間在一基板上形成一第一目標之第一特徵，及用於在該微影程序期間在一基板上形成一第二目標之第二特徵；其中設計規則將目標特徵約束至一經設定(set)臨界尺寸且約束於經設定節距之一柵格上，其中該第一目標及該第二目標各自由該等柵格之列形成，使得該等第一特徵及該等第二特徵中之每一者係由形成於該等柵格上的一個或複數個鄰近對應目標特徵形成。
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