TWI634335B - 同軸探針結構 - Google Patents

Abstract

一種同軸探針結構，包含探針本體及電阻器。探針本體由外而內依序包含同軸設置之外導體、介電層與內導體，且探針本體具有一周面、一金屬片接合面與一徑向切口。金屬片接合面為外導體與至少一金屬片接合或固定的面。徑向切口沿探針本體之徑向延伸入外導體與介電層中並將內導體分隔為第一區段與第二區段。電阻器設置於徑向切口中，其二端分別電性連接於第一區段與第二區段。

Description

同軸探針結構

本發明是關於一種同軸探針結構，特別是一種應用於四點探針測試之同軸探針結構。

近年來，積體電路（integrated circuit）的應用已逐漸普及，在積體電路製作完成後，為了能篩選出不良品，通常會透過測試裝置將測試訊號傳送至積體電路來測試其功能是否符合預期，以控管積體電路的出廠良率。於此，習知的測試技術可藉由探針裝置直接與待測積體電路上的銲墊或是輸出入墊（I/O pad）直接接觸，藉由測試裝置經探針發送測試訊號至積體電路進行檢測，再由探針將測試結果回送至測試裝置進行分析。在各種用來測試積體電路之探針結構中，又以同軸探針最適合用於需要以高頻訊號進行測試之積體電路，例如射頻晶片。

本發明所提出的同軸探針結構主要包含探針本體與電阻器。探針本體由外而內依序包含同軸設置之外導體、介電層與內導體，且探針本體具有一周面、一金屬片接合面與一徑向切口。金屬片接合面為外導體與至少一金屬片接合的面。徑向切口沿探針本體之徑向延伸入外導體與介電層中並將內導體分隔為第一區段與第二區段。電阻器設置於徑向切口中，其二端分別電性連接於第一區段與第二區段。

在半導體元件測試領域上，常利用四點量測方式（Kelvin measurement）來對半導體元件的電性進行量測。例如在進行有效靜電放電（ESD）防護能力測試時，便經常使用一種稱之為傳輸線脈衝(Transmission Line Pulse, TLP）或者是非常快速傳輸線脈衝（Very Fast Transmission Line Pulse, VF TLP）的測試方法來進行測試。在進行TLP或者VFTLP測試時，會同時使用四根同軸探針來對待測元件測試，其中一對同軸探針係用來提供訊號（例如電流），也就是訊號從一根同軸探針發出，然後進入另一根同軸探針。另外一對同軸探針則單純用來量測電性（例如電壓）。當進行測試時，一般均希望發出的訊號只會在用來提供訊號的該對同軸探針中進出，而不要進入用來量測電性的該對同軸探針中。

傳統上均是使用四根完全相同的同軸探針來進行四點量測，本發明則是提出一種內部串聯有電阻器的同軸探針，使其可以應用在四點量測中作為電性量測用之同軸探針。至於在四點量測中作為提供訊號用之同軸探針，則維持傳統設計即可。由於作為電性量測用之同軸探針的電阻增加，因此在四點量測測試過程中，因為電流分流而進入電性量測用之同軸探針中的訊號就會減少，進而提高四點量測的精度。以下將透過實施例與圖式詳細說明本發明之同軸探針結構。

請參照圖1與圖2，分別為本發明之同軸探針結構之探針本體的立體示意圖（一）與示意圖（二），其以立體圖的方式繪示出一探針本體11。探針本體11呈長圓棒狀，其由外而內依序包含同軸設置之外導體111、介電層112與內導體113，其中外導體111與內導體113之間藉由介電層112而彼此隔離。探針本體11具有一端面11a、一周面11b、一斜切面11c與一徑向切口114。端面11a位於探針本體11之一端，其法線方向大致平行於探針本體11之軸向（長度方向），且外導體111、介電層112及內導體113均裸露於端面11a。周面11b係由外導體111之外表面所定義，斜切面11c自端面11a朝周面11b延伸而斜切過外導體111、介電層112與內導體113，使外導體111、介電層112以及內導體113局部裸露於斜切面11c。換言之，斜切面11c實質上係包含外導體111之切面、介電層112之切面以及內導體113之切面。徑向切口114沿著探針本體11之徑向切入探針本體11中，其穿過外導體111與介電層112，進而將內導體113切斷。於本實施例中，斜切面11c係作為金屬片接合面，其至少可供外導體111與以下各實施例所述的第二金屬片13/23相互接合。在本實施例中，斜切面11c還可以供內導體113與以下各實施例所述的第一金屬片12/22接合。

請進一步參照圖3，其為本發明之同軸探針結構之探針本體的剖面示意圖，如圖所示，探針本體11之徑向切口114已完全穿過內導體113，使內導體113分為獨立的二個區段，亦即圖中所標示的第一區段113a與第二區段113b。

請進一步參照圖4，其為本發明之同軸探針結構之第一實施例的剖面示意圖，繪示出一同軸探針結構10。本實施例之同軸探針結構10包含上述之探針本體11，且更包含一電阻器16（例如晶片電阻），電阻器16的二端透過銲錫17而分別銲接於第一區段113a與第二區段113b，也就是第一區段113a、電阻器16與第二區段113b構成串聯形式。

請進一步參照圖5，其為本發明之同軸探針結構之第二實施例的剖面示意圖，繪示出一同軸探針結構20。同軸探針結構20與第一實施例之主要差異在於徑向切口114中填充有高分子膠18（例如環氧樹脂），藉此保護電阻器16並隔絕外界的濕氣與空氣。此外，如圖3所示，徑向切口114沿探針本體11之徑向的深度H與探針本體11之直徑D的比值可以在0.55至0.75之範圍間，也就是探針本體11在徑向切口114處的截面積有超過一半的部分被切開。僅管實驗顯示探針本體11在形成有徑向切口114的情況下仍足以應付測試時的應力，但徑向切口114處仍無法避免地會形成應力集中處。本實施例透過在徑向切口114中填充高分子膠18除了可以保護其中的電阻器16外，也可以進一步提高探針本體11的整體強度。

請再參照圖3，考量加工便利性以及探針本體11的整體強度，斜切面11c遠離端面11a之一端與徑向切口114之間的距離L不為零，也就是徑向切口114沿著探針本體11之徑向的延伸方向上不會和斜切面11c交會。然而，當測試訊號通過電阻器16與第一區段113a之間以及電阻器16與第二區段113b之間時，會因為電阻器16與第一區段113a以及第二區段113b之間的阻抗不匹配而造成訊號反射，回傳至探針前端，干擾初始送入的脈衝波型。因此電阻器16也不宜離訊號輸出與輸入的斜切面11c太遠。實驗顯示，當斜切面11c遠離端面11a之一端與徑向切口114之間的距離L小於10mm時，電阻器16與第一區段113a以及第二區段113b之間的接觸阻抗所造成的訊號反射對測試結果已無可驗證的影響。但理論上斜切面11c遠離端面11a之一端與徑向切口114之間的距離L進一步小至5mm以下甚至2mm以下時，發生於電阻器16與第一區段113a以及第二區段113b之間的訊號反射所造成的影響將更低，也使同軸探針結構本身更能適用於高頻訊號測試。

請參照圖6，其為本發明之同軸探針結構之第三實施例的剖面示意圖，繪示出一同軸探針結構30。同軸探針結構30與第二實施例之主要差異在於徑向切口114外更包覆有銅箔19。由於探針本體11之外導體111的作用為接地，然而徑向切口114的存在局部地切斷了外導體111，因而徑向切口114的形成處會形成寄生電容，而透過在徑向切口114外包覆銅箔19可減少或避免寄生電容的產生。在本實施例中，銅箔19沿探針本體11之軸向的寬度係為徑向切口114沿探針本體11之軸向的寬度的2倍至4倍。也就是銅箔19不僅包覆徑向切口114，同時也包覆徑向切口114周圍。

請參照圖7與圖8，其分別為本發明之同軸探針結構之第四實施例的立體示意圖（一）與立體示意圖（二），繪示出一同軸探針結構40。同軸探針結構40相較於第一實施例的主要差異在於更包含第一金屬片12與第二金屬片13。第一金屬片12具有第一固定端121與第一凸出端122，第一固定端121可以以焊接的方式附著於探針本體11之斜切面11c且電性連接於內導體113裸露於斜切面11c的部分，第一凸出端122係凸出探針本體11之端面11a且具有第一凸塊1221。第二金屬片13具有第二固定端131與第二凸出端132，第二固定端131可以以焊接的方式附著於探針本體11之斜切面11c且電性連接於外導體111裸露於斜切面11c之部分，第二凸出端132係凸出探針本體11之端面11a且具有第二凸塊1321。第一金屬片12之第一凸塊1221與第二金屬片之第二凸塊1321係用以接觸一待測元件進行針測。本實施例之第一金屬片12與第二金屬片13可分別被定義為用來傳輸測試訊號與接地，或者分別被定義為用來接地與傳輸測試訊號，例如第一金屬片12用以傳輸測試訊號而第二金屬片13用以接地，因此第一金屬片12與第二金屬片13彼此不相連。此外，第一金屬片12之第一固定端121與第二金屬片13之第二固定端131均未凸出於探針本體11之斜切面11c外，以避免在進行針測時，相鄰的二同軸探針結構之間彼此干擾。但若實際進行針測時，相鄰的二同軸探針結構之間彼此的距離較遠，則第一固定端121與第二固定端131亦可凸出於探針本體11之斜切面11c外。

請進一步參照圖9，為本發明之同軸探針結構之第四實施例的立體示意圖（三）。第四實施例之同軸探針結構40之探針本體11之端面11a與斜切面11c相連結處定義了一交線L1，第一凸塊之根部1221a與探針本體11之端面11a之中心的連線L2與交線L1垂直，亦即交線L1與連線L2之間的夾角θ ₁為90度。第二凸塊之根部1321a與探針本體11之端面11a之中心的連線L3與交線L1不垂直，亦即交線L1與連線L3之間的夾角θ ₂不為90度。上述端面11a的中心相當於端面11a的形狀中心（形心），例如當端面11a為圓形或橢圓形時，端面11a的中心即為圓心；當端面11a為正多邊形時，端面11a的中心即為各對角線的交點。須特別說明的是，第四實施例之第一凸塊1221與第二凸塊1321之間的間距D1（邊緣至邊緣）係小於探針本體11之端面11a的中心至周面11b的垂直距離。

請參照圖10至圖12，分別為本發明之同軸探針結構之第五實施例的立體示意圖（一）、立體示意圖（二）及立體示意圖（三），繪示出一同軸探針結構50，其主要包含探針本體11、第一金屬片22及第二金屬片23。第一金屬片22包含一第一固定端221與一第一凸出端222。第一固定端221可以以焊接的方式固設於探針本體11之斜切面11c且電性連接於內導體113裸露於斜切面11c之部分；第一凸出端222凸出探針本體11之端面11a且具有一第一凸塊2221。第二金屬片23包含一第二固定端231與一第二凸出端232。第二固定端231可以以焊接的方式固設於探針本體11之斜切面11c且電性連接於外導體111裸露於斜切面11c之部分；第二凸出端232凸出探針本體11之端面11a且具有一第二凸塊2321。如前述第四實施例，第一金屬片22與第二金屬片23係可分別被定義為用以傳輸測試訊號與接地（或者相反），因此第一金屬片22與第二金屬片23彼此不相連。

第五實施例之同軸探針結構50與第四實施例之同軸探針結構40的主要差異在於其第一金屬片22之第一凸塊2221之根部2221a與探針本體11之端面11a之中心的連線L4與交線L1不垂直，亦即連線L4與交線L1之間的夾角θ ₃不為90度或者是大於90度。第二凸塊2321之根部2321a與探針本體11之端面11a之中心的連線L5與交線L1不垂直，亦即交線L1與連線L5之夾角θ ₄不為90度或者是小於90度。

須特別說明的是，第五實施例之第一凸塊2221與第二凸塊2321之間的間距D2（邊緣至邊緣）係大於探針本體11之端面11a的中心至周面11b的垂直距離。執行積體電路測試時，如果同軸探針結構之用來傳輸測試訊號的導體部位與相鄰之另一同軸探針結構之用來接地的導體部位過於接近，將會受到干擾。因此在傳統針測過程中，相鄰同軸探針結構之間會間隔一個以上的待測元件（DUT）的距離，使相鄰同軸探針結構之間不會相互干擾。以第五實施例來說，倘若第五實施例之第一金屬片22係定義為用來傳輸測試訊號，第二金屬片23係用來接地，則藉由讓第一金屬片22之第一凸塊2221之根部2221a與探針本體11之端面11a之中心的連線L4與交線L1不垂直，也就是讓第一凸塊2221偏離探針本體11(或內導體113)之軸向，亦可讓原先較遠離探針本體11(或內導體113)之軸向或位於外導體111長度延伸方向之第二凸塊2321的位置可以朝探針本體11之軸向靠近，同時還可以進一步縮小第二金屬片23的體積，從而避免用來接地的第二金屬片23的面積過大或離相鄰的另一第一金屬片22過近而干擾相鄰另一同軸探針結構的測試訊號。也就是說，第五實施例可以讓同軸探針結構間更加緊密排列，因此不須以間隔一個以上的待測元件（DUT）來進行針測，而可以做到連續測試，進而提高針測的產能。此外，需注意的是，上述偏軸的設計可以使第一凸塊2221與第二凸塊2321之間的距離大於、小於或等於同軸管線的半徑，可視所使用的同軸管線的大小及測試（墊）間距需求來進行選擇。

請再參照圖7與圖8，於第四實施例中，第一金屬片12之第一固定端121與第二金屬片13之第二固定端131均未凸出於探針本體11之斜切面11c外，以避免相鄰同軸探針結構之間彼此干擾。請再參照圖10與圖11，於第五實施例中，第一金屬片22之第一固定端221與第二金屬片23之第二固定端231同樣亦未凸出於探針本體11之斜切面11c外，以避免相鄰同軸探針結構之間彼此干擾。但在其他不同情況或者不需考慮相鄰同軸探針結構之間是否會彼此干擾的前提下，亦可以凸出於探針本體11之斜切面11c外，本發明並不以此為限。

請再參照圖8，第四實施例之第一金屬片12之第一凸出端122與第二金屬片13之第二凸出端132沿平行於斜切面11c之方向上相隔一間隙G1，其中間隙G1可以是等寬或者是不等寬。此外，當間隙G1不等寬時，間隙G1可以是隨著遠離探針本體11之端面11a而漸縮。需特別說明的是，間隙G1的大小取決於第一金屬片12與第二金屬片13之厚度，在一實施態樣中，無論間隙G1是否等寬，其寬度的最小值係在第一金屬片12與第二金屬片13之厚度的五分之一至十分之一之間。實驗發現，若是間隙G1之寬度的最小值大於第一金屬片12與第二金屬片13之厚度的五分之一且大於一特定之最小數值，則高頻特性將下降。然而若是間隙G1之寬度的最小值小於第一金屬片12與第二金屬片13之厚度的十分之一，則將導致製程難度上升而使良率或可靠度下降，亦即間隙G1的選擇係根據第一金屬片12與第二金屬片13之厚度、測試頻率需求與製程良率（或可靠度）作整體考量。同樣地，請再參照圖11，第五實施例之第一金屬片22之第一凸出端222與第二金屬片23之第二凸出端232沿平行於斜切面11c之方向上相隔一間隙G2，間隙G2的特徵如間隙G1，於此不再重複贅述。

請再參照圖9，於第四實施例中，第一凸塊1221相對於第一金屬片12之表面彎曲而與第一金屬片12之表面定義一第一夾角θ ₅，第二凸塊1321相對於第二金屬片13之表面彎曲而與第二金屬片13之表面定義一第二夾角θ ₆。第一夾角θ ₅實質上等於第二夾角θ ₆，且第一夾角θ ₅與第二夾角θ ₆係可在120度至135度之範圍間。請再參照圖12，於第五實施例中，第一凸塊2221相對於第一金屬片22之表面彎曲而與第一金屬片22之表面定義一第一夾角θ ₅，第二凸塊2321相對於第二金屬片23之表面彎曲而與第二金屬片23之表面定義一第二夾角θ ₆。同樣的，第一夾角θ ₅實質上等於第二夾角θ ₆，且第一夾角θ ₅與第二夾角θ ₆係可在120度至135度之範圍間。上述第一凸塊相對於第一金屬片彎曲以及第二凸塊相對於第二金屬片彎曲的原因在於進行針測時，必須透過操作員觀測第一凸塊與第二凸塊是否已經對準待測物之銲墊，倘若第一凸塊與第二凸塊未彎曲，則下針的時候攝影機的視野會被探針本體11所阻擋，導致操作員不易觀察到第一凸塊與第二凸塊是否已經對準待測物之銲墊。然而，倘若具有其他方式（例如安設具有不同觀測角度的攝影機）可以判斷或觀測第一凸塊與第二凸塊是否已對準待測物之銲墊，則第一凸塊與第二凸塊亦可不相對於第一金屬片與第二金屬片彎曲。此外第一凸塊2221或第二凸塊2321用以接觸待測物之端面亦可與待測物或第一金屬片22（或第二金屬片23）夾一角度，如0~10度，而可不與之完全平行。

請參照圖13，為本發明之同軸探針結構之第六實施例的立體示意圖，其繪示一同軸探針結構60。同軸探針結構60與第四實施例的主要差異在於第二金屬片13包含有二第二凸塊1321，第一金屬片12之第一凸塊1221係位在二第二凸塊1321之間。藉此，第六實施例與前述第四實施例與第五實施例之同軸探針結構可分別用來對具有不同訊號出入口配置之待測元件進行針測。

上述各實施例之探針本體11的外導體111與內導體113的材質係為金屬，例如黃銅、鈹銅、鎢鋼、錸鎢等。至於介電層112的材質以低介電損耗之材料為佳，例如聚四氟乙烯（PTFE），也可以是有部分空氣層的複合結構。

需要注意的是，上述實施例係以幾何形狀較複雜之斜切面11c作為金屬片接合面來說明，並非限制本發明之金屬片接合面一定要是斜面。在本發明之另一實施例中，金屬片接合面也可以是位在探針本體11的端面11a。例如美國專利US4871964號專利所揭示的同軸探針結構，如其圖3所示，其中心導體42凸出於端面而發揮類似本發明上述實施例之第一金屬片的功用，其導電葉片彈簧48嵌設於外導體44之溝槽50中而發揮類似本發明上述實施例之第二金屬片的作用，整體而言其金屬片接合面可視為位在探針本體的端面。此外，在本發明之另一實施例中，金屬片接合面也可以是沿探針本體之軸向延伸的水平切面。例如美國專利US5506515號專利所揭示的同軸探針結構，如其圖4至圖6所示，其金屬片接合面便是沿探針本體之軸向延伸的水平切面。

雖然本發明已以實施例揭露如上然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之專利申請範圍所界定者為準。

10、20、30、40、50、60‧‧‧同軸探針結構

11‧‧‧探針本體

11a‧‧‧端面

11b‧‧‧周面

11c‧‧‧斜切面

111‧‧‧外導體

112‧‧‧介電層

113‧‧‧內導體

113a‧‧‧第一區段

113b‧‧‧第二區段

114‧‧‧徑向切口

12、22‧‧‧第一金屬片

13、23‧‧‧第二金屬片

121、221‧‧‧第一固定端

122、222‧‧‧第一凸出端

1221、2221‧‧‧第一凸塊

1221a、2221a‧‧‧第一凸塊之根部

131、231‧‧‧第二固定端

132、232‧‧‧第二凸出端

1321、2321‧‧‧第二凸塊

1321a、2321a‧‧‧第二凸塊之根部

16‧‧‧電阻器

17‧‧‧銲錫

18‧‧‧高分子膠

19‧‧‧銅箔

D‧‧‧探針本體之直徑

D1 、D2‧‧‧間距

G1 、G2‧‧‧間隙

H‧‧‧徑向切口沿探針本體之徑向的深度

L‧‧‧斜切面遠離端面之一端與徑向切口之間的距離

L1‧‧‧交線

L2 ~L5‧‧‧連線

θ1~θ4‧‧‧夾角

θ5‧‧‧第一夾角

θ6‧‧‧第二夾角

[圖1] 為本發明之同軸探針結構之探針本體的立體示意圖（一）。 [圖2] 為本發明之同軸探針結構之探針本體的立體示意圖（二）。 [圖3] 為本發明之同軸探針結構之探針本體的剖面示意圖。 [圖4] 為本發明之同軸探針結構之第一實施例的剖面示意圖。 [圖5] 為本發明之同軸探針結構之第二實施例的剖面示意圖。 [圖6] 為本發明之同軸探針結構之第三實施例的剖面示意圖。 [圖7] 為本發明之同軸探針結構之第四實施例的立體示意圖（一）。 [圖8] 為本發明之同軸探針結構之第四實施例的立體示意圖（二）。 [圖9] 為本發明之同軸探針結構之第四實施例的立體示意圖（三）。 [圖10] 為本發明之同軸探針結構之第五實施例的立體示意圖（一）。 [圖11] 為本發明之同軸探針結構之第五實施例的立體示意圖（二）。 [圖12] 為本發明之同軸探針結構之第五實施例的立體示意圖（三）。 [圖13] 為本發明之同軸探針結構之第六實施例的立體示意圖。

Claims (19)

1. 一種同軸探針結構，包含：一探針本體，由外而內依序包含同軸設置之一外導體、一介電層與一內導體，該探針本體具有一周面、一金屬片接合面與一徑向切口；該金屬片接合面為該外導體與至少一金屬片接合的面；該徑向切口沿該探針本體之徑向延伸入該外導體與該介電層中並將該內導體分隔為一第一區段與一第二區段；及一電阻器，設置於該徑向切口中，二端分別電性連接於該第一區段與該第二區段。
2. 如請求項1所述之同軸探針結構，更包含一高分子膠，填充於該徑向切口中以密封該徑向切口。
3. 如請求項2所述之同軸探針結構，更包含一銅箔，包覆該徑向切口。
4. 如請求項3所述之同軸探針結構，其中該銅箔沿該探針本體之軸向的寬度係為該徑向切口沿該探針本體之軸向的寬度的2倍至4倍。
5. 如請求項1所述之同軸探針結構，其中該金屬片接合面與該徑向切口之間的距離不為零且小於10mm。
6. 如請求項5所述之同軸探針結構，其中該金屬片接合面遠離該端面之一端與該徑向切口之間的距離小於5mm。
7. 如請求項6所述之同軸探針結構，其中該金屬片接合面遠離該端面之一端與該徑向切口之間的距離小於2mm。
8. 如請求項1至7任一項所述之同軸探針結構，其中該徑向切口沿該探針本體之徑向的深度與該探針本體之直徑的比值係在0.55至0.75之範圍間。
9. 如請求項8所述之同軸探針結構，更包含：一第一金屬片，包含一第一固定端與一第一凸出端，該第一固定端固設於該探針本體之金屬片接合面且電性連接於該內導體裸露於該金屬片接合面之部分，該第一凸出端凸出該探針本體之端面且具有一第一凸塊；及一第二金屬片，包含一第二固定端與一第二凸出端，該第二固定端固設於該探針本體之金屬片接合面且電性連接於該外導體裸露於該金屬片接合面之部分，該第二凸出端凸出該探針本體之端面且具有一第二凸塊，該第二金屬片與該第一金屬片彼此不相連。
10. 如請求項9所述之同軸探針結構，其中該探針本體之端面與該金屬片接合面相連處定義一交線，該第一凸塊之根部與該探針本體之端面之中心的連線與該交線垂直，該第二凸塊之根部與該探針本體之端面之中心的連線與該交線不垂直。
11. 如請求項9所述之同軸探針結構，其中該探針本體之端面與該金屬片接合面相連處定義一交線，該第一凸塊之根部與該探針本體之端面之中心的連線與該交線不垂直，該第二凸塊之根部與該探針本體之端面之中心的連線與該交線不垂直。
12. 如請求項11所述之同軸探針結構，其中該第一凸塊與該第二凸塊之間的間距係大於該探針本體之端面的中心至周面的垂直距離。
13. 如請求項10所述之同軸探針結構，其中該第一固定端與該第二固定端不凸出該探針本體之金屬片接合面外。
14. 如請求項13所述之同軸探針結構，其中該第一凸出端與該第二凸出端沿平行於該金屬片接合面之水平方向上相隔一間隙。
15. 如請求項14所述之同軸探針結構，其中該間隙不等寬。
16. 如請求項15所述之同軸探針結構，其中該間隙隨著遠離該探針本體之端面而漸縮。
17. 如請求項13所述之同軸探針結構，其中該第一凸塊相對於該第一金屬片之表面彎曲而與該第一金屬片之表面定義一第一夾角，該第二凸塊相對於該第二金屬片之表面彎曲而與該第二金屬片之表面定義一第二夾角，該第一夾角實質上等於該第二夾角。
18. 如請求項17所述之同軸探針結構，其中該第一夾角與該第二夾角係在120度至135度之範圍間。
19. 如請求項1所述之同軸探針結構，其中該外導體、該介電層以及該內導體局部裸露於該金屬片接合面。