TWI634234B - 鍍覆裝置及鍍覆方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種鍍覆裝置，可防止鍍覆液與空氣接觸，進一 步可使基板表面均勻接觸於鍍覆液。

鍍覆裝置具備：鍍覆槽24，其係用於將鍍覆液貯存於內 部；基板保持器8，其係保持基板W，並在鍍覆槽24內以垂直姿勢配置基板W；陽極33，其係與保持於基板保持器8之基板W相對而配置於鍍覆槽24內；電源35，其係在基板W與陽極33之間施加電壓；蓋機構46，其係關閉鍍覆槽24之上部開口部23，而在鍍覆槽24內形成密閉空間54；及淨化氣體供給機構56，其係在密閉空間54內供給淨化氣體，並以淨化氣體充滿該密閉空間54。

Description

鍍覆裝置及鍍覆方法

本發明係關於一種用於鍍覆晶圓等基板表面之鍍覆裝置及鍍覆方法。

TAB(捲帶式自動接合(Tape Automated Bonding))及滑動晶片(Slip Chip)中，廣泛進行在形成有配線之半導體晶片表面的指定部位(電極)形成金、銅、焊錫、或鎳，進一步多層堆疊此等之突起狀連接電極(凸塊)，並經由該凸塊而與基板電極或TAB電極電性連接。該凸塊之形成方法有電鍍法、蒸鍍法、印刷法、球凸塊(Ball Bump)法之各種方法。最近隨著半導體晶片之I/O(輸入/輸出)數量增加及窄間距化，而多使用可微細化且性能比較穩定之電鍍法。

電鍍法大致上區分為：噴注(Cup)式，其係將基板表面(被鍍覆面)向下水平放置，從下噴上鍍覆液而實施鍍覆；及浸漬式，其係在鍍覆槽內垂直豎立基板，使鍍覆液從鍍覆槽下方注入而溢流，並使基板浸漬於鍍覆液中而實施鍍覆。

使用於基板鍍覆之金屬種類，例如舉出鎳(Ni)、鈀(Pd)、金(Au)、鈷(Co)、銅(Cu)、錫(Sn)等。近年來，從環保角度考慮，強烈要求使用不含氰基之金鍍覆液。

但是，不含氰基之金鍍覆液的穩定性比含氰基之金鍍覆液的穩定性低。特別是不含氰基之金鍍覆液有容易被空氣中之氧氣氧化，結果導致鍍覆液性質惡化的問題。氧化後之鍍覆液必須加以更換，結果導致成本增加。

上述噴注式之鍍覆裝置係在將基板水平配置於鍍覆槽內指定位置之狀態下，藉由護蓋構件而在鍍覆槽內形成密閉空間。因此，使用噴注式之鍍覆裝置可防止鍍覆液與空氣接觸。但是，因為該噴注式鍍覆裝置係使水平配置之基板旋轉來攪拌鍍覆液，所以基板之中心部分不攪拌鍍覆液，而對基板表面之膜厚的均勻性造成不良影響。

【先前技術文獻】 【專利文獻】

[專利文獻1]日本特開平11-293487號公報

[專利文獻2]日本特開2000-169970號公報

[專利文獻3]日本特開2002-256445號公報

本發明係鑑於上述問題者，目的為提供一種可防止鍍覆液與空氣接觸，進一步可使基板表面均勻接觸於鍍覆液之鍍覆裝置及鍍覆方法。

本發明一種樣態之鍍覆裝置的特徵為具備：鍍覆槽，其係具有上部開口部，用於將鍍覆液貯存於內部；基板保持器，其係保持基板，並以垂直姿勢將前述基板配置於前述鍍覆槽內；陽極，其係與保持於前述 基板保持器之前述基板相對而配置於前述鍍覆槽內；電源，其係在前述基板與前述陽極之間施加電壓；蓋機構，其係關閉前述上部開口部，而在前述鍍覆槽內形成密閉空間；及淨化氣體供給機構，其係在前述密閉空間內供給不活潑氣體，並以不活潑氣體充滿該密閉空間；前述鍍覆槽具備：內槽，其係收容保持於前述基板保持器之前述基板；及溢流槽，其係接受從該內槽溢流之鍍覆液；前述淨化氣體供給機構具備淨化氣體供給埠，其係連接於前述溢流槽；前述淨化氣體供給埠係以朝向從前述內槽溢流而流入前述溢流槽之鍍覆液噴出前述不活潑氣體的方式配置。

本發明其他樣態之鍍覆裝置，其特徵為具備：鍍覆槽，其係具有上部開口部，用於將鍍覆液貯存於內部；基板保持器，其係保持基板，並以垂直姿勢將前述基板配置於前述鍍覆槽內；陽極，其係與保持於前述基板保持器之前述基板相對而配置於前述鍍覆槽內；電源，其係在前述基板與前述陽極之間施加電壓；蓋機構，其係關閉前述上部開口部，而在前述鍍覆槽內形成密閉空間；及淨化氣體供給機構，其係在前述密閉空間內供給不活潑氣體，並以不活潑氣體充滿該密閉空間；前述鍍覆槽具備：內槽，其係收容保持於前述基板保持器之前述基板；及溢流槽，其係接受從該內槽溢流之鍍覆液；前述淨化氣體供給機構具備淨化氣體供給埠，其係連接於前述溢流槽；其中前述淨化氣體供給埠位於比前述內槽中之鍍覆液的液面下方，且比前述溢流槽中之鍍覆液的液面上方。

在前述本發明一種態樣之鍍覆裝置或前述本發明其他態樣之鍍覆裝置中，進一步具備槳葉，其係攪拌前述鍍覆槽內之鍍覆液。

本發明其他樣態之鍍覆方法的特徵為：通過鍍覆槽之上部開 口部，將保持基板之基板保持器運送至前述鍍覆槽內，使前述基板以垂直姿勢浸漬於前述鍍覆槽內之鍍覆液，以蓋關閉前述鍍覆槽之上部開口部，在前述鍍覆槽內形成密閉空間，在前述密閉空間內供給不活潑氣體，並以不活潑氣體充滿前述密閉空間，在前述基板以及與該基板相對配置的陽極之間施加電壓，來鍍覆前述基板；其中使前述鍍覆液在構成前述鍍覆槽之內槽與溢流槽之間循環，而且使前述不活潑氣體朝向從前述內槽溢流而流入前述溢流槽之前述鍍覆液噴出。

在前述本發明其他態樣之鍍覆方法中，於前述基板鍍覆時供給不活潑氣體至前述密閉空間。

在前述本發明其他態樣之鍍覆方法中，以蓋關閉前述鍍覆槽之上部開口部後，以不活潑氣體充滿前述密閉空間時之不活潑氣體之流量，比前述基板鍍覆時供給至前述密閉空間之不活潑氣體之流量高。

在前述本發明其他態樣之鍍覆方法中，攪拌前述鍍覆液而且在前述基板與前述陽極之間施加電壓，來鍍覆前述基板。

採用本發明時，藉由蓋機構關閉鍍覆槽之上部開口部，而在鍍覆槽內形成密閉空間，並在密閉空間內供給不活潑氣體，可防止鍍覆槽內之鍍覆液氧化。因此，可防止鍍覆液惡化，而延長鍍覆液壽命。結果可降低鍍覆液之成本。再者，由於基板以垂直姿勢放置於鍍覆液中，因此鍍覆液中之氣泡不致滯留於基板表面上，可使整個基板表面均勻地接觸於鍍覆液。特別是藉由槳葉(Puddle)攪拌鍍覆液，可在基板整個表面形成鍍覆液之均勻流。

1‧‧‧裝置框架

2‧‧‧裝載埠

3‧‧‧控制部

4‧‧‧對準器

6‧‧‧自旋沖洗乾燥器(SRD)

8‧‧‧基板保持器

10‧‧‧工作台

12‧‧‧基板搬送機器人

14‧‧‧基板保持器開關機構

16‧‧‧基板保持器豎起倒下機構

20‧‧‧保管槽

22‧‧‧前洗淨槽

22a‧‧‧前洗淨單元

23‧‧‧上部開口部

24‧‧‧鍍覆槽

25‧‧‧內槽

26‧‧‧沖洗槽

26a‧‧‧沖洗單元

27‧‧‧溢流槽

27a‧‧‧側板

28‧‧‧噴吹槽

29‧‧‧鍍覆液循環管線

30‧‧‧槳葉馬達單元

31‧‧‧泵

32‧‧‧排氣導管

33‧‧‧陽極

34‧‧‧陽極保持器

35‧‧‧電源

36‧‧‧溫度調整器

37‧‧‧過濾器

38‧‧‧槳葉

39‧‧‧調整板

39a‧‧‧開口

40‧‧‧輸送機

41‧‧‧氣體除去裝置

42‧‧‧固定座

43‧‧‧升降機

44‧‧‧支臂

45‧‧‧夾爪

46‧‧‧蓋機構

47、48‧‧‧蓋

49、50‧‧‧支撐構件

51、52‧‧‧致動器

54‧‧‧密閉空間

56‧‧‧淨化氣體供給機構

57‧‧‧淨化氣體供給埠

58‧‧‧淨化氣體源

60‧‧‧淨化氣體傳送管線

60a、60b‧‧‧分歧管線

61‧‧‧越流堤

62、63‧‧‧流量調整閥

65‧‧‧發泡埠

70‧‧‧第一保持構件

70a‧‧‧通孔

71‧‧‧鉸鏈

72‧‧‧第二保持構件

73‧‧‧基部

74‧‧‧密封保持器

75‧‧‧壓環

75a‧‧‧凸部

75b‧‧‧突起部

76‧‧‧基板側密封構件

78‧‧‧保持器側密封構件

79a‧‧‧第一固定環

79b‧‧‧第二固定環

80a、80b‧‧‧旋緊器件

81‧‧‧間隔物

82‧‧‧扣片

83‧‧‧保持器吊架

84‧‧‧內側吊架部

85‧‧‧外側吊架部

86‧‧‧手柄

87‧‧‧突條部

88‧‧‧支撐面

89‧‧‧凹部

90‧‧‧導電體

91‧‧‧連接端子

92‧‧‧電接點

93‧‧‧旋緊器件

A‧‧‧記號

W‧‧‧基板

第一圖係模式顯示本發明一種實施形態之鍍覆裝置的俯視圖。

第二圖係構成鍍覆裝置之鍍覆槽的側視圖。

第三圖係鍍覆槽之前視圖。

第四圖係顯示第三圖所示之淨化氣體供給機構的變形例之水平剖面圖。

第五圖係顯示基板保持器之立體圖。

第六圖係第五圖所示之基板保持器的俯視圖。

第七圖係第五圖所示之基板保持器的右側視圖。

第八圖係顯示被第七圖所示之記號A所包圍的部分之放大圖。

以下，參照圖式說明本發明之實施形態。第一圖至第八圖中，對同一或相當之元件註記同一符號，並省略重複之說明。第一圖係模式顯示本發明一種實施形態之鍍覆裝置的俯視圖。如第一圖所示，該鍍覆裝置具備：裝置框架1；搭載收納晶圓等基板之匣盒的2台裝載埠2；及控制鍍覆裝置動作之控制部3。再者，鍍覆裝置具備：將基板之定向平面或缺口位置對準指定方向之對準器4；使鍍覆處理後之基板高速旋轉而乾燥的自旋沖洗乾燥器(SRD)6；水平裝載基板保持器8(參照第五圖至第八圖)之工作台10；及搬送基板之基板搬送機器人12。此等對準器4、自旋沖洗乾燥器6、工作台10及基板搬送機器人12配置於裝置框架1中。

位於工作台10上方配置有開啟關閉裝載於工作台10上之基 板保持器8，進行基板對該基板保持器8之裝卸的基板保持器開關機構14。再者，在工作台10之側方配置有使基板保持器8豎起倒下之基板保持器豎起倒下機構16。

在裝置框架1之內部配置有：進行基板保持器8之保管及臨時放置的保管槽20；以純水等前處理液前洗淨(前處理)基板保持器8所保持之基板的前洗淨槽22；對基板保持器8所保持之基板進行鍍覆之鍍覆槽24；以沖洗液與基板保持器8一起沖洗鍍覆後之基板的沖洗槽26；及進行沖洗後之基板除水的噴吹槽28。

保管槽20以鉛直且橫向保持複數個基板保持器8之方式構成。前洗淨槽22具備內部保持純水等前處理液之前洗淨單元22a。鍍覆裝置具備複數個(本例係3個)鍍覆槽24。本實施形態之此等鍍覆槽24係貯存不含氰基之金鍍覆液(以下，簡稱為鍍覆液)，不過亦可使用上述鍍覆液以外之鍍覆液。在此等鍍覆槽24之一側方設有驅動攪拌各鍍覆槽24內之鍍覆液的槳葉38(顯示於第二圖)之槳葉馬達單元30。在此等鍍覆槽24之另一側方設有排氣導管32。

沖洗槽26具備內部保持沖洗液之沖洗單元26a。噴吹槽28係以藉由將氮氣(N₂ Gas)或清潔空氣等氣體噴灑於基板，除去殘留於基板表面之液滴，並乾燥基板之方式構成。保管槽20、前洗淨槽22、鍍覆槽24、沖洗槽26、及噴吹槽28按照此順序直向排列。

如第一圖所示，在保管槽20、前洗淨槽22、鍍覆槽24、沖洗槽26、噴吹槽28、及基板保持器豎起倒下機構16之間設有將基板保持器8與基板一起搬送之輸送機40。該輸送機40具備：固定於裝置框架1而水平方向 延伸之固定座42；可在固定座42上水平方向移動而構成之升降機43；及連結於升降機43之支臂44。支臂44具有握持基板保持器8之夾爪45。支臂44與升降機43一體在水平方向移動，支臂44藉由升降機43而上升及下降。使升降機43在水平方向移動之驅動源，可採用線性馬達或齒條與小齒輪。

第二圖係構成鍍覆裝置之鍍覆槽24的側視圖，第三圖係鍍覆槽24之前視圖。第二圖及第三圖係顯示鍍覆槽24之縱剖面。第三圖為了圖式清晰，包含槳葉38之一些要素並未圖示。如第二圖所示，鍍覆裝置具備：用於在內部貯存鍍覆液之鍍覆槽24；陽極33；保持該陽極33並使其浸漬於鍍覆槽24內之鍍覆液的陽極保持器34；及裝卸自如地保持基板W，且以垂直姿勢使基板W浸漬於鍍覆槽24內之鍍覆液的基板保持器8。

如第三圖所示，鍍覆槽24具備：收容保持於基板保持器8之基板W的內槽25；及鄰接於內槽25而配置之溢流槽27。內槽25內之鍍覆液從內槽25之越流堤61溢流而流入溢流槽27內。陽極33及基板W在內槽25內鉛直放置，且彼此平行地，亦即彼此相對配置。

再者，如第二圖所示，鍍覆裝置具備：具有用於調整基板W上之電位分布的開口39a之調整板(Regulation Plate)39；及攪拌內槽25內之鍍覆液的槳葉38。調整板39配置於陽極33與基板W之間。槳葉38配置在保持於內槽25內之基板保持器8的基板W表面附近。槳葉38在鉛直方向延伸，藉由與基板W平行往返運動來攪拌鍍覆液。基板W在鍍覆中藉由槳葉38攪拌鍍覆液，可將充分之金屬離子均勻地供給於基板W表面。

保持於基板保持器8之基板W浸漬於內槽25內的鍍覆液中。保持於陽極保持器34之陽極33配置在與浸漬於鍍覆液中之基板W相對的位 置。陽極33經由陽極保持器34連接於電源35的正極，基板W經由基板保持器8連接於電源35的負極。藉由在陽極33與基板W之間施加電壓，而在基板W表面形成金屬膜。

如第三圖所示，在溢流槽27底部連接使鍍覆液循環之鍍覆液循環管線29的一端，鍍覆液循環管線29之另一端連接於內槽25的底部。鍍覆液循環管線29內安裝有：傳送鍍覆液之泵31；調整鍍覆液溫度之溫度調整器36；除去鍍覆液循環管線29內鍍覆液中之氣體的氣體除去裝置41；及除去鍍覆液中雜質之過濾器37。鍍覆液從內槽25之越流堤61溢流而流入溢流槽27，進一步從溢流槽27通過鍍覆液循環管線29而返回內槽25。如此，鍍覆液在內槽25與溢流槽27之間循環。

保持基板W之基板保持器8藉由輸送機40搬送至鍍覆槽24，並設於鍍覆槽24之內槽25內的指定位置。鍍覆槽24具有上部開口部23，基板保持器8向鍍覆槽24搬入及從鍍覆槽24搬出係通過該上部開口部23進行。如此，因為鍍覆槽24具有用於可搬入及搬出基板保持器8的上部開口部23,所以鍍覆槽24內之鍍覆液會與空氣接觸。此外，鍍覆液在從內槽25之越流堤61溢流時會與空氣接觸。

因此，本實施形態之鍍覆裝置具備：開關鍍覆槽24之上部開口部23的蓋機構46；及在鍍覆槽24內供給淨化氣體(例如氮氣等之不活潑氣體)之淨化氣體供給機構56。如第三圖所示，蓋機構46設於鍍覆槽24之上端。蓋機構46具備：開關上部開口部23之蓋47、48；可開關此等蓋47、48而支撐之支撐構件49、50；及驅動蓋47、48之致動器51、52。

本實施形態之支撐構件49、50係由鉸鏈構成，蓋47、48具有 從中央向左右分開之構造。亦即，蓋47、48以支撐構件49、50為中心，可旋轉地分別藉由支撐構件49、50而支撐。如第三圖之箭頭所示，致動器51、52係以藉由使蓋47、48旋轉，可開關上部開口部23之方式構成。致動器51、52可使用馬達或空氣汽缸等。致動器51、52使蓋47、48移動(旋轉)而關閉鍍覆槽24之上部開口部23時，在鍍覆槽24內形成密閉空間54。本實施形態之輸送機40即使在打開蓋47、48之狀態下，仍可搬送基板保持器8。

淨化氣體供給機構56係以在鍍覆槽24內之密閉空間54內供給淨化氣體，而以淨化氣體充滿密閉空間54之方式構成。淨化氣體供給機構56具備：用於在鍍覆槽24內之密閉空間54內供給淨化氣體的淨化氣體供給埠57；及用於將從淨化氣體源58供給之淨化氣體傳送至淨化氣體供給埠57的淨化氣體傳送管線60。淨化氣體供給埠57係以朝向從內槽25之越流堤61溢流而流入溢流槽27的鍍覆液噴出淨化氣體之方式固定於溢流槽27的側板27a。

淨化氣體通過淨化氣體傳送管線60送達淨化氣體供給埠57，進一步從淨化氣體供給埠57供給至鍍覆槽24內。從安全性與降低成本之觀點而言，淨化氣體宜使用氮氣(N₂ Gas)。藉由以淨化氣體充滿密閉空間54可防止鍍覆槽24之鍍覆液與空氣接觸。結果，可防止鍍覆液氧化，並可降低鍍覆液之成本。

如第三圖所示，溢流槽27內之鍍覆液的液面在比內槽25內之鍍覆液的液面低之位置。因為氮氣比空氣輕，所以使用氮氣作為淨化氣體時，應將淨化氣體供給埠57配置於比內槽25內之鍍覆液的液面下方，且比溢流槽27內之鍍覆液的液面上方。藉由如此配置，可使上升之淨化氣體接 觸於溢流的鍍覆液。再者，可有效防止內槽25之鍍覆液的液面及溢流槽27之鍍覆液的液面與空氣接觸。

淨化氣體供給埠57係對內槽25之越流堤61垂直延伸，不過如第四圖所示，淨化氣體供給埠57亦可與越流堤61平行延伸。任何一種配置均可將淨化氣體直接噴灑在溢流的鍍覆液上。內槽25內之鍍覆液溢流而流入溢流槽27時，鍍覆液容易與鍍覆槽24內之空氣接觸而進行鍍覆液的氧化。因此，特別藉由將淨化氣體直接噴灑在該溢流之鍍覆液上，可防止鍍覆液氧化。

淨化氣體供給機構56進一步具備調整通過淨化氣體供給埠57而供給至鍍覆槽24之淨化氣體流量的流量調整閥62。流量調整閥62設於淨化氣體傳送管線60中。為了從形成於鍍覆槽24內之密閉空間54迅速排除空氣，當蓋機構46關閉鍍覆槽24之上部開口部23後，淨化氣體供給機構56亦可以比基板W鍍覆時供給之淨化氣體流量高的流量供給淨化氣體。以淨化氣體充滿密閉空間54後，淨化氣體供給機構56將淨化氣體流量降低至與基板W鍍覆時之流量相等。

未鍍覆基板W時，亦可停止供給淨化氣體。即使停止供給淨化氣體，因為密閉空間54仍被淨化氣體充滿，所以可防止鍍覆液氧化。為了更確實防止鍍覆液氧化，亦可在並未鍍覆基板W時供給淨化氣體，不過從降低成本之觀點而言，亦可停止供給淨化氣體。

宜在藉由蓋機構46關閉鍍覆槽24之上部開口部23，以淨化氣體充滿密閉空間54後，藉由槳葉38開始攪拌鍍覆液。由於密閉空間54內不存在空氣，因此，即使槳葉38攪拌鍍覆液，鍍覆液仍不至於與空氣混合。

基板保持器8係以基板W以垂直姿勢(亦即鉛直地)放置於鍍覆液中之方式設於鍍覆槽24內。藉由槳葉38攪拌鍍覆液時，即使鍍覆液中產生氣泡，氣泡不致爬上直立之基板W表面上，氣泡迅速在鍍覆液中上升而消失於液面上。因此，可使鍍覆液均勻地接觸於基板W整個表面。

淨化氣體供給機構56亦可進一步具備在內槽25內之鍍覆液中供給氣體的發泡埠65(參照第三圖)。發泡埠65連接於內槽25之底部。上述之淨化氣體使用不活潑氣體時，亦可將該不活潑氣體通過發泡埠65而供給至內槽25內的鍍覆液中。此時，發泡埠65經由淨化氣體傳送管線60連接於淨化氣體源58。具體而言，淨化氣體傳送管線60分歧成2個分歧管線60a、60b，此等分歧管線60a、60b分別連接於淨化氣體供給埠57及發泡埠65。從淨化氣體源58送來之不活潑氣體通過淨化氣體傳送管線60及發泡埠65供給至內槽25內的鍍覆液中，在鍍覆液中形成不活潑氣體之氣泡。本例之淨化氣體傳送管線60亦發揮不活潑氣體傳送管線的功能。

設置發泡埠65時，亦可將調整供給至內槽25內之不活潑氣體流量的流量調整閥63設於淨化氣體傳送管線60中。此時，以流量調整閥62、63可分別獨立調整送至淨化氣體供給埠57及發泡埠65之不活潑氣體流量的方式，將流量調整閥62設於分歧管線60a，並將流量調整閥63設於分歧管線60b。

由於供給於鍍覆液中之不活潑氣體可除去溶解於鍍覆液中的氧，因此可更有效防止鍍覆液氧化。換言之，藉由供給至鍍覆槽24之密閉空間54的淨化氣體及供給至鍍覆槽24內之鍍覆液中的不活潑氣體之相乘效應，可更有效防止鍍覆液氧化。再者，形成於鍍覆液中之不活潑氣體的 氣泡亦可攪拌鍍覆液。即使此時，氣泡仍不致爬上直立之基板W表面上，氣泡迅速在鍍覆液中上升而消失於液面上。因此，可使鍍覆液均勻地接觸於基板W整個表面。

其次，參照第五圖至第八圖說明基板保持器8。如第五圖至第八圖所示，基板保持器8具有：矩形平板狀之第一保持構件70；及經由鉸鏈71開關自如地安裝於該第一保持構件70的第二保持構件72。其他構成例，亦可將第二保持構件72配置於與第一保持構件70對峙之位置，藉由使該第二保持構件72向第一保持構件70前進，或是從第一保持構件70離開，來開關第二保持構件72。

第一保持構件70例如係氯乙烯製。第二保持構件72具有：基部73、及環狀之密封保持器74。密封保持器74例如係氯乙烯製，且與下述之壓環75滑動良好。在密封保持器74之上部，突出於內方安裝有環狀之基板側密封構件76(參照第七圖及第八圖)。該基板側密封構件76係以當基板保持器8保持了基板W時，壓接於基板W的表面外周部，而密封第二保持構件72與基板W之間隙的方式構成。在密封保持器74與第一保持構件70相對之面安裝有環狀之保持器側密封構件78(參照第七圖及第八圖)。該保持器側密封構件78係以當基板保持器8保持了基板W時，壓接於第一保持構件70，而密封第一保持構件70與第二保持構件72之間隙的方式構成。保持器側密封構件78位於基板側密封構件76之外側。

如第八圖所示，基板側密封構件76夾在密封保持器74與第一固定環79a之間而安裝於密封保持器74上。第一固定環79a經由螺絲等旋緊器件80a而安裝於密封保持器74上。保持器側密封構件78夾在密封保持器74與 第二固定環79b之間而安裝於密封保持器74上。第二固定環79b經由螺絲等旋緊器件80b安裝於密封保持器74上。

在密封保持器74之外周部設有階部，在該階部經由間隔物81而旋轉自如地裝設有壓環75。壓環75藉由第一固定環79a之外周部無法脫出地裝設。該壓環75由對酸及鹼之耐腐蝕性優異，且具有充分剛性之材料構成。例如壓環75由鈦構成。間隔物81以壓環75可滑順地旋轉之方式，由摩擦係數低之材料，例如由聚四氟乙烯(PTFE)構成。

在壓環75之外側，沿著壓環75之圓周方向等間隔配置有複數個扣片82。此等扣片82固定於第一保持構件70。各扣片82具有突出於內方之突出部的倒L字狀的形狀。在壓環75之外周面設有突出於外方之複數個突起部75b。此等突起部75b配置於與扣片82之位置對應的位置。扣片82之內方突出部的下面及壓環75之突起部75b的上面成為沿著壓環75之旋轉方向而彼此反方向傾斜的錐形面。在沿著壓環75之圓周方向的複數處(例如3處)設有突出於上方之凸部75a。藉此，藉由使旋轉銷(無圖示)旋轉，從側方推轉凸部75a，可使壓環75旋轉。

在打開第二保持構件72之狀態下，於第一保持構件70之中央部插入基板W，並經由鉸鏈71關閉第二保持構件72。使壓環75順時鐘旋轉，藉由使壓環75之突起部75b滑入扣片82的內方突出部之內部，經由分別設於壓環75與扣片82之錐形面，將第一保持構件70與第二保持構件72彼此夾緊而鎖定第二保持構件72。此外，藉由使壓環75逆時鐘旋轉，從扣片82取出壓環75之突起部75b，可解除第二保持構件72之鎖定。

鎖定第二保持構件72時，基板側密封構件76之下方突出部壓 接於基板W的表面外周部。密封構件76均勻地按壓於基板W，藉此，密封基板W之表面外周部與第二保持構件72之間隙。同樣地，鎖定第二保持構件72時，保持器側密封構件78之下方突出部壓接於第一保持構件70的表面。密封構件78均勻地按壓於第一保持構件70，藉此密封第一保持構件70與第二保持構件72之間的間隙。

如第六圖所示，在第一保持構件70之端部突出於外方設有一對保持器吊架83。該保持器吊架83由內側吊架部84與外側吊架部85構成。手柄86延伸於兩側的內側吊架部84之間。在前洗淨槽22、鍍覆槽24、沖洗槽26、及噴吹槽28中，基板保持器8係經由保持器吊架83之內側吊架部84或外側吊架部85而垂掛於此等周壁上。

在第一保持構件70表面形成有與基板W大小大致相等之環狀突條部87。該突條部87具有抵接於基板W之周緣部，而支撐該基板W的環狀支撐面88。沿著該突條部87圓周方向之指定位置設有凹部89。

如第六圖所示，在凹部89內分別配置有複數個(圖示係12個)導電體(電接點)90。此等導電體90分別連接於從設於保持器吊架83之內側吊架部84的連接端子91延伸之複數條配線。在第一保持構件70之支撐面88上裝載基板W時，該導電體90之端部在基板W之側方彈出，可與第八圖所示之電接點92的下部彈性接觸。

電性連接於導電體90之電接點92經由螺絲等旋緊器件93而緊固於第二保持構件72的密封保持器74。該電接點92形成板簧形狀。電接點92具有位於基板側密封構件76外方而板簧狀突出於內方的接點部。電接點92在該接點部中，藉由其彈性力具有彈性而可輕易彎曲。構成以第一保 持構件70與第二保持構件72保持基板W時，電接點92之接點部彈性接觸於在第一保持構件70之支撐面88上支撐的基板W外周面。

第二保持構件72之開關藉由無圖示之空氣汽缸與第二保持構件72的自身重量來進行。換言之，在第一保持構件70上設有通孔70a，工作台10上裝載基板保持器8時，在與通孔70a相對之位置設有空氣汽缸(無圖示)。藉由該空氣汽缸之活塞桿通過通孔70a，將第二保持構件72之密封保持器74推上於上方而打開第二保持構件72，藉由使活塞桿收縮，可以其自身重量關閉第二保持構件72。

其次，說明如上述構成之鍍覆裝置的處理動作。首先，藉由輸送機40之支臂44從保管槽20取出鉛直姿勢的基板保持器8。握持基板保持器8之支臂44在水平方向移動，將基板保持器8送交基板保持器豎起倒下機構16。基板保持器豎起倒下機構16將基板保持器8從鉛直姿勢轉換成水平姿勢後裝載於工作台10上。而後，藉由基板保持器開關機構14打開裝載於工作台10之基板保持器8。

基板搬送機器人12從搭載於裝載埠2之匣盒取出1片基板W而放置於對準器4上。對準器4將定向平面或缺口位置對準指定方向。基板搬送機器人12從對準器4取出基板W，插入裝載於工作台10上的基板保持器8。在該狀態下，藉由基板保持器開關機構14關閉基板保持器8，並鎖定基板保持器8。

其次，基板保持器豎起倒下機構16將基板保持器8從水平姿勢轉換成鉛直姿勢。支臂44之夾爪45握持該豎立狀態之基板保持器8，在該狀態下，支臂44使基板保持器8水平方向移動至前洗淨槽22的上方位置。再 者，輸送機40之升降機43使支臂44與基板保持器8一起下降，而在前洗淨槽22內之指定位置設置基板保持器8。在該狀態下，進行基板W之前洗淨。基板W前洗淨結束後，支臂44之夾爪45握持基板保持器8，藉由升降機43使支臂44上升而從前洗淨槽22撈起基板保持器8。

其次，支臂44使基板保持器8在水平方向移動至鍍覆槽24的上方位置。打開蓋機構46之蓋47、48，其後，輸送機40之升降機43使支臂44與基板保持器8一起下降，通過鍍覆槽24之上部開口部23將基板保持器8搬進鍍覆槽24，其後，以基板W成為縱向姿勢的方式，將基板保持器8設置於內槽25內的指定位置。

基板保持器8設置完成後，藉由蓋機構46關閉鍍覆槽24之上部開口部23，而在鍍覆槽24內形成密閉空間54。淨化氣體供給機構56將比基板W鍍覆時供給之流量高的流量之淨化氣體供給至密閉空間54，迅速排除密閉空間54內之空氣。密閉空間54被淨化氣體充滿後，淨化氣體供給機構56使淨化氣體之流量降低至與基板W鍍覆時的流量相等。淨化氣體之流量控制藉由流量調整閥62來進行。

其後，槳葉38攪拌內槽25內之鍍覆液，而且在陽極33與基板W之間施加電壓來鍍覆基板W。基板W鍍覆結束後，停止槳葉38攪拌鍍覆液，並停止供給淨化氣體。打開蓋機構46之蓋47、48時，支臂44之夾爪45握持基板保持器8，藉由升降機43使支臂44上升，而將基板保持器8通過上部開口部23從內槽25撈起。

支臂44使基板保持器8在水平方向移動至沖洗槽26的上方位置。再者，輸送機40之升降機43使支臂44與基板保持器8一起下降，將基板 保持器8設置於沖洗槽26內的指定位置。在該狀態下，進行基板W鍍覆後之沖洗。沖洗結束後，支臂44之夾爪45握持基板保持器8，藉由升降機43使支臂44上升而從沖洗槽26中撈起基板保持器8。

支臂44使基板保持器8在水平方向移動至噴吹槽28的上方位置。再者，輸送機40之升降機43使支臂44與基板保持器8一起下降，而將基板保持器8設置於噴吹槽28內的指定位置。噴吹槽28藉由噴灑氮氣或清潔空氣等氣體，除去附著在基板保持器8所保持之基板W表面的液滴使其乾燥。噴吹處理結束後，支臂44之夾爪45握持基板保持器8，藉由升降機43使支臂44上升而從噴吹槽28中撈起基板保持器8。

支臂44在水平方向移動，將基板保持器8送交基板保持器豎起倒下機構16。基板保持器豎起倒下機構16與前述同樣地，將基板保持器8水平裝載於工作台10上，並藉由基板保持器開關機構14打開基板保持器8。基板搬送機器人12從基板保持器8取出處理後之基板W，將該基板W搬送至自旋沖洗乾燥器6。自旋沖洗乾燥器6藉由使基板W高速旋轉而使基板W乾燥。基板搬送機器人12從自旋沖洗乾燥器6取出乾燥後之基板W，並送回裝載埠2的匣盒。藉此，對1片基板的處理結束。

以上係說明本發明之實施形態，不過本發明不限定於上述實施形態，在其技術思想的範圍內當然可以各種不同形態實施。

Claims (7)

1. 一種鍍覆裝置，其特徵為具備：鍍覆槽，其係具有上部開口部，用於將鍍覆液貯存於內部；基板保持器，其係保持基板，並以垂直姿勢將前述基板配置於前述鍍覆槽內；陽極，其係與保持於前述基板保持器之前述基板相對而配置於前述鍍覆槽內；電源，其係在前述基板與前述陽極之間施加電壓；蓋機構，其係關閉前述上部開口部，而在前述鍍覆槽內形成密閉空間；及淨化氣體供給機構，其係在前述密閉空間內供給不活潑氣體，並以不活潑氣體充滿該密閉空間；前述鍍覆槽具備：內槽，其係收容保持於前述基板保持器之前述基板；及溢流槽，其係接受從該內槽溢流之鍍覆液；前述淨化氣體供給機構具備淨化氣體供給埠，其係連接於前述溢流槽；前述淨化氣體供給埠係以朝向從前述內槽溢流而流入前述溢流槽之鍍覆液噴出前述不活潑氣體的方式配置。
2. 一種鍍覆裝置，其特徵為具備：鍍覆槽，其係具有上部開口部，用於將鍍覆液貯存於內部；基板保持器，其係保持基板，並以垂直姿勢將前述基板配置於前述鍍覆槽內； 陽極，其係與保持於前述基板保持器之前述基板相對而配置於前述鍍覆槽內；電源，其係在前述基板與前述陽極之間施加電壓；蓋機構，其係關閉前述上部開口部，而在前述鍍覆槽內形成密閉空間；及淨化氣體供給機構，其係在前述密閉空間內供給不活潑氣體，並以不活潑氣體充滿該密閉空間；前述鍍覆槽具備：內槽，其係收容保持於前述基板保持器之前述基板；及溢流槽，其係接受從該內槽溢流之鍍覆液；前述淨化氣體供給機構具備淨化氣體供給埠，其係連接於前述溢流槽；其中前述淨化氣體供給埠位於比前述內槽中之鍍覆液的液面下方，且比前述溢流槽中之鍍覆液的液面上方。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項之鍍覆裝置，其中進一步具備槳葉，其係攪拌前述鍍覆槽內之鍍覆液。
4. 一種鍍覆方法，其特徵為：通過鍍覆槽之上部開口部，將保持基板之基板保持器運送至前述鍍覆槽內，使前述基板以垂直姿勢浸漬於前述鍍覆槽內之鍍覆液，以蓋關閉前述鍍覆槽之上部開口部，在前述鍍覆槽內形成密閉空間，在前述密閉空間內供給不活潑氣體，並以不活潑氣體充滿前述密閉空間， 在前述基板以及與該基板相對配置的陽極之間施加電壓，來鍍覆前述基板；其中使前述鍍覆液在構成前述鍍覆槽之內槽與溢流槽之間循環，而且使前述不活潑氣體朝向從前述內槽溢流而流入前述溢流槽之前述鍍覆液噴出。
5. 如申請專利範圍第4項之鍍覆方法，其中於前述基板鍍覆時，供給不活潑氣體至前述密閉空間。
6. 如申請專利範圍第5項之鍍覆方法，其中以蓋關閉前述鍍覆槽之上部開口部後，以不活潑氣體充滿前述密閉空間時之不活潑氣體之流量，比前述基板鍍覆時供給至前述密閉空間之不活潑氣體之流量高。
7. 如申請專利範圍第4項至第6項中任何一項之鍍覆方法，其中攪拌前述鍍覆液而且在前述基板與前述陽極之間施加電壓，來鍍覆前述基板。