TWI631618B - Dry etching method, dry etchant, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
本發明係一種乾式蝕刻方法，其特徵在於：使用使實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體之乾式蝕刻劑電漿化而獲得之電漿氣體，對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽。
Description
本發明係關於一種用以選擇性地蝕刻氮化矽之乾式蝕刻方法。
於在晶圓上形成器件之情形時，有如下步驟：僅選擇性地對覆蓋光阻劑(以下稱為PR)、氧化矽(以下稱為SiO2)膜、多晶矽(以下稱為p-Si)膜之氮化矽(以下稱為SiN)膜進行乾式蝕刻；或SiO2、p-Si及SiN均露出，僅選擇性地對SiN進行乾式蝕刻。
於該蝕刻步驟中，廣泛採用使用電漿之蝕刻裝置，作為處理氣體，要求針對PR膜、SiO2膜及p-Si膜，僅高選擇性地、例如選擇比50以上且高速地、例如SiN蝕刻速度為15nm/min以上對SiN膜進行蝕刻。
先前，作為此種蝕刻氣體，例如已知有CHF3氣體、CH2F2氣體、C4H9F等含氟飽和烴。於專利文獻1中，作為選擇足夠低之電力偏壓、以SiO2膜等作為底層之選擇性蝕刻SiN膜之氮化物蝕刻製程中使用之處理氣體，記載有包含式：CHpF4-p(p表示2或3。以下相同)所表示之化合物之氣體及氧氣之蝕刻氣體。
專利文獻2中揭示可使用高純度2-氟丁烷，有效率地且高選擇性地蝕刻SiN。又，專利文獻3中揭示有一種電漿蝕刻方法，其特徵在於包含CxHyFz(式中，x表示3、4或5，y、z分別獨立地表示正整數，且y>z。以下相同)所表示之飽和氟化烴。
另一方面，已知1,3,3,3-四氟丙烯由於臭氧破壞係數為零，且為
低GWP(全球暖化係數)，故而與蝕刻劑中一般使用之全氟碳化合物類或氫氟碳化合物類相比，為地球環境負荷較小之材料，專利文獻4中揭示有使用1,3,3,3-四氟丙烯、添加氣體及惰性氣體之蝕刻方法。
專利文獻1：日本專利特開平8-059215號公報
專利文獻2：國際公開第2014/136877號
專利文獻3：國際公開第2009/123038號
專利文獻4：日本專利特開2012-114402號公報(日本專利5434970號公報)
於專利文獻1中，關於上述式：CHpF4-p所表示之化合物中之CHF3氣體，SiN膜相對於SiO2膜之選擇比(SiN膜之蝕刻速度/SiO2膜之蝕刻速度)為5以下。然而，近年來於器件製程之領域中，謀求所形成器件之小型化、薄膜化，上述CHF3或CH2F2、CH3F等式：CHpF4-p所表示之化合物之氣體於SiN膜相對於SiO2膜之選擇比及蝕刻速度方面不充分。
關於專利文獻2記載之2-氟丁烷(C4H9F)、專利文獻3記載之2,2-二氟丁烷(C4H8F2)，與專利文獻1中所使用之CH3F相比，選擇比、蝕刻速度均提昇，獲得相對於SiO2之實質無限大之選擇比。但是，不存在關於相對於p-Si或PR之SiN選擇性之記載。又，C4H9F之沸點為25℃，C4H8F2之沸點為31~32℃。因此，專利文獻2及3之蝕刻方法存在如下等問題：於蝕刻氣體之使用量較多之條件下，液化氣體之溫度因蒸發熱而降低，為了連續地獲得充足之蒸汽壓而必須有加熱裝置。
專利文獻4中記載作為SiO2或SiN之選擇性蝕刻劑，1,3,3,3-四氟
丙烯對抗蝕劑材料具有較高之選擇性。然而，專利文獻4之實施例中記載SiN與SiO2具有大致同等程度之蝕刻速率，藉由專利文獻4之方法難以實現相對於SiO2或p-Si之SiN選擇性較高之蝕刻。
基於上述背景，業界要求開發可進行相對於PR、SiO2及p-Si之SiN蝕刻選擇性較高之電漿蝕刻的蝕刻方法。
本發明者等人為了達成上述目的而進行各種研究，結果發現：藉由使用不含氧化性氣體之1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體之混合氣體作為乾式蝕刻劑進行電漿蝕刻，而相對於PR、SiO2及p-Si，SiN之蝕刻選擇比成為50以上之非常高之值，進而，與所熟知之作為SiN之高選擇性蝕刻氣體之C4H9F相比具有較高之蝕刻速度。
即，本發明提供以下之[發明1]~[發明8]所記載之發明。
[發明1]
一種乾式蝕刻方法，其係使用使乾式蝕刻劑電漿化而獲得之電漿氣體，對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽者，其特徵在於：上述乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體。
[發明2]
一種乾式蝕刻方法，其係使用使乾式蝕刻劑電漿化而獲得之電漿氣體，對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽者，其特徵在於：上述乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯、惰性氣體及添加氣體，上述添加氣體係選自由H2、HF、HI、HBr、HCl、NH3、CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、
C4F8、C4F6、C5F8及C5F10所組成之群中之至少1種添加氣體。
[發明3]
如發明1或2記載之乾式蝕刻方法，其特徵在於：氧化性氣體之含量相對於1,3,3,3-四氟丙烯未達1000體積ppm。
[發明4]
如發明1至3中任一項記載之乾式蝕刻方法，其特徵在於：上述惰性氣體係選自由N2、He、Ar、Ne、Kr及Xe所組成之群中之至少1種惰性氣體。
[發明5]
如發明1至4中任一項記載之乾式蝕刻方法，其特徵在於：1,3,3,3-四氟丙烯之含量相對於上述乾式蝕刻劑之總量為1體積%以上且50體積%以下。
[發明6]
一種乾式蝕刻劑，其特徵在於：其係對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽者，且該乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體。
[發明7]
一種乾式蝕刻劑，其特徵在於：其係對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽者，且該乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯、惰性氣體及添加氣體，上述添加氣體係選自由H2、HF、HI、HBr、HCl、NH3、CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8及C5F10所組成之群中之至少1種氣體。
[發明8]
如發明6或7記載之乾式蝕刻劑，其特徵在於：氧化性氣體之含量相對於1,3,3,3-四氟丙烯未達1000體積ppm。
[發明9]
一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於包括如下步驟：對具有光阻劑膜、氧化矽膜、多晶矽膜、氮化矽膜之矽基板應用如發明1至5中任一項記載之乾式蝕刻方法而選擇性地蝕刻上述氮化矽膜。
[發明10]
一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於包括如下步驟：於矽基板形成氧化矽膜與氮化矽膜之積層膜；於上述積層膜形成貫通孔；及對上述積層膜應用如發明1至5中任一項記載之乾式蝕刻方法，而對上述氧化矽膜選擇性地蝕刻上述氮化矽膜。
根據本發明，可於幾乎不蝕刻PR、SiO2及p-Si之情況下藉由乾式製程選擇性地去除SiN。
10‧‧‧反應裝置
11‧‧‧腔室
12‧‧‧壓力計
13‧‧‧高頻電源
14‧‧‧下部電極
15‧‧‧上部電極
16‧‧‧氣體導入口
17‧‧‧氣體排出管線
18‧‧‧試樣
圖1係實施例、比較例中所使用之反應裝置之概略圖。
以下對本發明之實施方法進行說明。再者，本發明之範圍並不限制於該等說明，除了以下之例示，亦可於無損本發明之主旨之範圍內適當變更而實施。
本發明之乾式蝕刻方法之特徵在於：藉由使用實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體之乾式蝕刻劑、或實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯、惰性氣體及添加氣體之乾式蝕刻劑進行電漿蝕刻，而對SiO2、p-Si及PR選擇性地蝕刻SiN。
本發明中使用之1,3,3,3-四氟丙烯可藉由先前公知之方法製造。例如，關於1,3,3,3-四氟丙烯之製造，本發明者等人可藉由使日本專
利第3465865號或日本專利第3821514號中以工業規模獲得之1-氯-3,3,3-三氟丙烯於氣相氟化觸媒之存在下與HF(hydrofluoric acid，氫氟酸)發生作用而獲得。又，揭示一種可於氣相下藉由觸媒而分解1,3,3,3-五氟丙烷之方法。
本發明之蝕刻方法可於各種乾式蝕刻條件下實施。可添加O2以外之添加氣體或惰性氣體以成為所需之蝕刻速率、蝕刻選擇比及蝕刻形狀。
作為添加氣體，可使用選自由H2、HF、HI、HBr、HCl、NH3、CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8及C5F10所組成之群中之至少1種氣體。又，為了獲得所需之蝕刻形狀或蝕刻速率，亦可添加1種以上之氟碳化合物、氫氟碳化合物、含鹵素化合物進行蝕刻。
作為惰性氣體，可列舉：N2、He、Ar、Ne、Kr及Xe。
於通常之使用氫氟碳化合物之乾式蝕刻中，為了促進蝕刻氣體之分解而添加O2等氧化性氣體。然而，1,3,3,3-四氟丙烯由於分子內具有雙鍵，而於電漿作用下容易分解、活化，且分子內具有氫，故容易按照以下之式1進行SiN之蝕刻。因此，認為即便不添加O2，亦不會於SiN上形成沈積膜而進行蝕刻。此處，CxHyFz係1,3,3,3-四氟丙烯之電漿分解產物，SiN代表Si3N4等SiNx，式1不調合左右之化學計量。
SiN+CxHyFz → SiF4+CF4+HCN (式1)
另一方面，已知藉由將1,3,3,3-四氟丙烯暴露於電漿下而產生之鏈段中包含較多之碳數為2以上者，該等碳數為2以上之鏈段自由基相較於SiN上容易堆積於SiO2上，有於SiO2上形成沈積膜之效果。認為尤其於不存在O2等氧化性氣體之情形時，與添加O2之情形相比，對SiO2、SiN中之任一者均有蝕刻量降低之傾向，故形成於SiO2上之沈
積膜發揮充分之保護效果，對SiO2之蝕刻反應不及對SiN之蝕刻反應。
本發明中使用之乾式蝕刻劑較佳為實質上不含氧化性氣體。雖容許混入來自使用氣體之微量氧化性氣體，但即便於此情形時，氧化性氣體之含量相對於1,3,3,3-四氟丙烯亦較佳為未達1000體積ppm，更佳為未達500體積ppm，進而較佳為未達100體積ppm。氧化性氣體之含量意指選自由O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、CF2(OF)2、CF3OF、NO2、NO、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整數，且1≦n≦7)所組成之群中之氣體之合計含量。
於本發明中，將所使用之包含1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體、或包含1,3,3,3-四氟丙烯、添加氣體及惰性氣體之蝕刻劑之較佳組成比示於以下。再者，各種氣體之體積%之總計為100體積%。
1,3,3,3-四氟丙烯之含量較佳為1體積%以上且50體積%以下，更佳為5體積%以上且40體積%以下，進而較佳為10體積%以上且30體積%以下。
又，添加氣體之含量較佳為50體積%以下，更佳為10體積%以下。
又，惰性氣體之含量較佳為5體積%以上且98體積%以下，更佳為15體積%以上且95體積%以下，進而較佳為60體積%以上且90體積%以下。
其次，對本案發明中之使用乾式蝕刻劑之蝕刻方法進行說明。
本發明中使用之蝕刻方法並無特別限定，可應用於電容耦合型電漿(CCP)蝕刻、反應性離子蝕刻(RIE)、電感耦合型電漿(ICP)蝕刻、電子迴旋共振(ECR)電漿蝕刻及微波蝕刻等各種蝕刻方法。
關於蝕刻氣體所含有之氣體成分，可分別獨立地導入至腔室內，或者亦可預先製成混合氣體後導入至腔室內。反應腔室內所導入
之乾式蝕刻劑之總流量可根據反應腔室之體積及排氣部之排氣能力，考慮到濃度條件與壓力條件而適當選擇。
為了獲得穩定之電漿，且為了提高離子之直線性而抑制旁側蝕刻，進行蝕刻時之壓力較佳為5Pa以下，尤佳為1Pa以下。另一方面，若腔室內之壓力過低，則游離離子變少，無法獲得充分之電漿密度，故較佳為0.05Pa以上。
又，進行蝕刻時之基板溫度較佳為50℃以下，尤其為了進行各向異性蝕刻，較理想為設為20℃以下。於超過50℃之高溫下，有未充分地於SiO2或p-Si、PR上形成保護膜，選擇性降低之情況。
又，關於進行蝕刻時使電極間產生之偏壓電壓，根據所需之蝕刻形狀進行選擇即可。例如，於進行各向異性蝕刻時，較理想為產生500V~10000V左右之電極間電壓而使離子高能量化。過高之偏壓電壓有放大離子之能量而導致選擇性降低之情況。另一方面，於進行各向同性蝕刻時，較理想為設為未達500V，於離子能量較低之條件下進行蝕刻。
關於蝕刻時間，若考慮到元件製造製程之效率，則較佳為30分鐘以內。此處，蝕刻時間係於腔室內產生電漿，使乾式蝕刻劑與試樣進行反應之時間。
如上所述，於在晶圓上形成器件之情形時，有進行如下步驟之情況：僅選擇性地對覆蓋PR膜、SiO2膜、p-Si膜之SiN膜進行乾式蝕刻；或SiO2、p-Si及SiN均露出，僅選擇性地對SiN進行乾式蝕刻。尤其於三維記憶體之製造製程中，於矽基板形成SiO2與SiN之積層膜，於該積層膜形成貫通孔，自貫通孔供給蝕刻氣體，應用本發明之乾式蝕刻方法，一面使SiO2殘留一面選擇性地蝕刻SiN，藉此可形成多個SiO2層空開間隔且平行地排列之構造。
實施例
以下，一併列舉本發明之實施例與比較例，但本發明並不限制於以下之實施例。
[實施例1]
(蝕刻步驟)
圖1係實施例、比較例中所使用之反應裝置10之概略圖。於腔室11內設置有下部電極14、上部電極15及壓力計12，該下部電極14具有保持晶圓之功能且亦發揮作為平台之作用。又，於腔室11上部連接有氣體導入口16。腔室11內可調整壓力，並且可藉由高頻電源(13.56MHz)13使乾式蝕刻劑獲得激發。藉此，可使經激發之乾式蝕刻劑與設置於下部電極14上之試樣18接觸，而蝕刻試樣18。腔室11係以如下方式構成：若於導入有乾式蝕刻劑之狀態下由高頻電源13施加高頻電力，則由於電漿中之離子與電子之遷移速度之差而可於上部電極15與下部電極14之間產生被稱為偏壓電壓之直流電壓。腔室11內之氣體經由氣體排出管線17排出。
將作為試樣18之具有p-Si層之矽晶圓A、具有SiO2層之矽晶圓B、具有SiN層之矽晶圓C、及具有PR層之矽晶圓D設置於冷卻至15℃之平台上。SiN層、p-Si層及SiO2層係藉由CVD(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)法製作。又，PR層係藉由塗佈而製作。
此處，以總流量100sccm流通作為蝕刻劑之使相對於總流量分別為10體積%、90體積%之1,3,3,3-四氟丙烯(HFO-1234ze(E))及Ar混合而成之氣體，於400W下施加高頻電力而使蝕刻劑實現電漿化，藉此進行蝕刻。
再者，所使用之1,3,3,3-四氟丙烯為純度99.9%以上之高純度品，O2、O3、CO、CO2、COCl2、COF2、CF2(OF)2、CF3OF、NO2、NO、F2、NF3、Cl2、Br2、I2、YFn(式中，Y表示Cl、Br或I，n表示整數，且1≦n≦7)等氧化性氣體之含量即使是合計也在100體積ppm以下。其
後使用之1,1,3,3,3-五氟丙烯(HFO-1225zc)亦相同。又，氬氣係使用純度99.99995體積%以上之高純度品，各氧化性氣體之含量即使是合計也在1體積ppm以下。
蝕刻後，根據矽晶圓A之p-Si層、矽晶圓B之SiO2層、矽晶圓C之SiN層、矽晶圓D之PR層於蝕刻前後之厚度變化而求出蝕刻速度。進而，用SiN蝕刻速度除以其他膜之蝕刻速度，將所得之值作為各蝕刻選擇比。
結果於實施例1中，SiN之蝕刻速度為15.3nm/min.，SiO2之蝕刻速度為0.1nm/min.。因此，SiO2相對於SiN之選擇比為153。再者，其以外之膜未見蝕刻之進行。因此，選擇比為無限大。
[實施例2~4]
改變1,3,3,3-四氟丙烯(HFO-1234ze(E))及Ar之比率，除此以外，於與實施例1相同之條件下進行蝕刻。將各實施例之條件及評價結果示於表1。
[實施例5]
關於蝕刻劑，使1,3,3,3-四氟丙烯(HFO-1234ze(E))、相對於總流量分別為1%、89%之作為添加氣體之1,1,3,3,3-五氟丙烯(HFO-1225zc)及作為惰性氣體之Ar進行混合，除此以外，於與實施例1相同之條件下進行蝕刻。結果SiN之蝕刻速度為16.1nm/min.，SiO2之蝕刻速度為0.3nm/min.。因此，SiO2相對於SiN之選擇比為53.7。再者，其以外之膜未見蝕刻之進行。因此，選擇比為無限大。
[實施例6]
關於蝕刻劑，使1,3,3,3-四氟丙烯(HFO-1234ze(E))、相對於總流量分別為1%、89%之作為添加氣體之氫氣及作為惰性氣體之Ar進行混合，除此以外，於與實施例1相同之條件下進行蝕刻。將其結果示於表1。
[比較例1]
關於蝕刻劑，使相對於總流量分別為10%、1%、89%之1,3,3,3-四氟丙烯(HFO-1234ze(E))、O2及Ar進行混合，除此以外，於與實施例1相同之條件下進行蝕刻。結果SiN之蝕刻速度為19.8nm/min.，SiO2之蝕刻速度為11.2nm/min.。因此，SiO2相對於SiN之選擇比為1.8。再者，其以外之膜未見蝕刻之進行。因此，選擇比為無限大。
[參考例1]
關於蝕刻劑，使相對於總流量分別為10%、10%及80%之2-氟丁烷、作為添加氣體之O2、作為惰性氣體之Ar進行混合，除此以外，於與實施例1相同之條件下進行蝕刻。結果SiN之蝕刻速度為9.8nm/min.，p-Si之蝕刻速度為0.2nm/min.，其以外之膜未見蝕刻之進行。因此，SiO2相對於SiN及PR之選擇比為無限大，相對於p-Si之選擇比為49。
[參考例2]
關於蝕刻劑，使相對於總流量分別為10%、3%及87%之氟甲烷、作為添加氣體之O2、作為惰性氣體之Ar進行混合，除此以外，於與實施例1相同之條件下進行蝕刻。結果SiN、SiO2、p-Si及PR之蝕刻速度分別為12.1nm/min.、10.5nm/min.、7.3nm/min.及46.1nm/min.。因此，SiO2、P-Si及PR相對於SiN之選擇比分別為1.1、1.7及0.3。
將以上之結果彙總於表1。於使用實質上不含O2之1,3,3,3-四氟丙烯或其混合氣體作為乾式蝕刻劑之各實施例中，SiN相對於p-Si、PR、尤其相對於SiO2之蝕刻選擇比為50以上。藉由該乾式蝕刻方法可選擇性地蝕刻SiN。尤其若包含10體積%以上之1,3,3,3-四氟丙烯，則SiN蝕刻速度成為高速。
另一方面，於比較例1中，由於包含1%以上之O2，故而SiO2之蝕刻進行，選擇比大幅降低。
於參考例1及2中，對所熟知之作為SiN蝕刻劑之各種氣體進行評價，參考例1中相對於p-Si之選擇比未達50，參考例2中相對於SiO2、p-Si、PR任一者之選擇比均較差，進而，參考例1、2任一例中之SiN之蝕刻速度均低於實施例1之結果。
本發明對半導體製造製程中之SiN之選擇性蝕刻步驟之效率化較為有效。
Claims (10)
- 一種乾式蝕刻方法，其係使用使乾式蝕刻劑電漿化而獲得之電漿氣體，對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽者，其特徵在於：上述乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體。
- 一種乾式蝕刻方法，其係使用使乾式蝕刻劑電漿化而獲得之電漿氣體，對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽者，其特徵在於：上述乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯、惰性氣體及添加氣體，上述添加氣體係選自由H2、HF、HI、HBr、HCl、NH3、CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8及C5F10所組成之群中之至少1種添加氣體，其中氮化矽相對於光阻劑、氧化矽、矽之蝕刻選擇比為50以上。
- 如請求項1或2之乾式蝕刻方法，其中氧化性氣體之含量相對於1,3,3,3-四氟丙烯未達1000體積ppm。
- 如請求項1或2之乾式蝕刻方法，其中上述惰性氣體係選自由N2、He、Ar、Ne、Kr及Xe所組成之群中之至少1種惰性氣體。
- 如請求項1或2之乾式蝕刻方法，其中1,3,3,3-四氟丙烯之含量相對於上述乾式蝕刻劑之總量為1體積%以上且50體積%以下。
- 一種乾式蝕刻劑，其特徵在於：其係對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽者，且 該乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯與惰性氣體。
- 一種乾式蝕刻劑，其特徵在於：其係對光阻劑、氧化矽、矽選擇性地蝕刻氮化矽者，且該乾式蝕刻劑實質上僅包含1,3,3,3-四氟丙烯、惰性氣體及添加氣體，上述添加氣體係選自由H2、HF、HI、HBr、HCl、NH3、CF4、CF3H、CF2H2、CFH3、C2F6、C2F4H2、C2F5H、C3F8、C3F7H、C3F6H2、C3F5H3、C3F4H4、C3F3H5、C3F5H、C3F3H、C3ClF3H、C4F8、C4F6、C5F8及C5F10所組成之群中之至少1種氣體，其中氮化矽相對於光阻劑、氧化矽、矽之蝕刻選擇比為50以上。
- 如請求項6或7之乾式蝕刻劑，其中氧化性氣體之含量相對於1,3,3,3-四氟丙烯未達1000體積ppm。
- 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於包括如下步驟：對具有光阻劑膜、氧化矽膜、多晶矽膜、氮化矽膜之矽基板應用如請求項1或2之乾式蝕刻方法而選擇性地蝕刻上述氮化矽膜。
- 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於包括如下步驟：於矽基板形成氧化矽膜與氮化矽膜之積層膜；於上述積層膜形成貫通孔；及對上述積層膜應用如請求項1或2之乾式蝕刻方法，而對上述氧化矽膜選擇性地蝕刻上述氮化矽膜。
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