TWI628308B - Ｃｖｄ反應器之加熱構件上的支撐件及連接件 - Google Patents

Ｃｖｄ反應器之加熱構件上的支撐件及連接件 Download PDF

Info

Publication number
TWI628308B
TWI628308B TW103115145A TW103115145A TWI628308B TW I628308 B TWI628308 B TW I628308B TW 103115145 A TW103115145 A TW 103115145A TW 103115145 A TW103115145 A TW 103115145A TW I628308 B TWI628308 B TW I628308B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
support
support plate
heating element
heating
opening
Prior art date
Application number
TW103115145A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201520365A (zh
Inventor
皮埃爾 阿爾諾 布汀
馬克 愛德芬 歐本
基思 愛倫
佛雷德 邁克 安德魯 克羅雷
Original Assignee
愛思強歐洲公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 愛思強歐洲公司 filed Critical 愛思強歐洲公司
Publication of TW201520365A publication Critical patent/TW201520365A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI628308B publication Critical patent/TWI628308B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Connection Of Plates (AREA)

Abstract

一種用於加熱CVD反應器(1)的基座(4)的裝置，具有至少一個加熱元件(9、19)，其中，加熱元件(9、19)的區段或者不同的加熱元件(9、19)並排延伸並且藉由支撐件(10、20)相對於支撐板而定位，其中，支撐件(10、20)分別具有形狀接合地插入支撐板(29)的固定開口內的支腳和與橫向於支撐板(29)的延伸面所延伸的柄部(14、24)相連接的頭部，加熱元件(9、19)則固定在頭部上。為了改進支撐件和連接件在加熱裝置上的固定，建議諸支腳為藉由形狀接合固定件固定在支撐板(29)的固定開口(38)內，諸形狀接合固定件則將支撐件(10、20)沿該柄部(14、24)的延伸方向束縛在支撐板(29)上。

Description

CVD反應器之加熱構件上的支撐件及連接件
本發明有關於一種尤其用於加熱CVD(化學氣相沉積)反應器的基座的裝置，具有至少一個加熱元件，其中，該加熱元件的區段或者不同的加熱元件並排延伸並且藉由支撐件相對於支撐板而定位，其中，該支撐件分別具有形狀接合地且牢固地插入該支撐板的固定開口內的支腳，並且其中與橫向於該支撐板的延伸面所延伸的柄部相連接的頭部固定在頸部件上。
本發明還有關於一種尤其用於加熱CVD反應器的基座的裝置，具有至少一個加熱元件，該加熱元件與至少一個接觸板相連接，該接觸板藉由連接件相對於支撐板而定位。
CVD反應器具有反應器殼體，處理室處於反應器殼體內。反應器殼體將處理室氣密地與周圍環境相隔絕。進氣構件處於反應器殼體內，氣體原料藉由進氣構件被導入處理室中。待塗覆的基板安置在基座上。基座構成處理室的底板，氣體原料被輸入到處理室內。為了在基板上沉澱層，基板表面必須被加熱到處理溫度，該處理溫度在1000℃範圍內。這藉由安置在基座下面的加熱裝置實現。位於基座幾釐米之上的進氣構件常常例如藉由冷卻液被冷卻。由此，在處理室內產出了變化劇烈的垂直溫度差，其導致從基座到進氣構件被加大的放熱。因此為了達到處理溫度，需要加熱裝 置以較大的導熱率進行輸入。加熱裝置的加熱元件必須將溫度加熱到約2000℃。此外還需要大面積的加熱。
US 7,645,342 B2描述了一種加熱裝置，具有圍繞中心圓弧形佈置的加熱絲。加熱絲藉由支撐件與支撐板相連接。
在DE 26 30 466 A1或US 3,345,498中描述了一種沿螺旋線延伸的加熱元件。US 7,573,004也示出一種在圓弧線上延伸的加熱元件。由US 3,567,906已知一種波紋形狀延伸的加熱元件。
例如DE 10 2009 043 960 A1、DE 10 2007 009 145 A1、DE 103 29 107 A1、DE 10 2005 056 536 A1、DE 10 2006 018 515 A1或DE 10 2007 027 704 A1示出一種用於加熱CVD反應器的基座的裝置。
依據本發明的裝置的加熱元件藉由接通電流進行加熱。各個加熱構件的兩個端部與接觸板相連接。加熱元件安置在至少一個平面內。但是也可行的是，加熱元件在相互不同的平行平面內安置。加熱元件在相應的平面上沿圓弧形或螺旋形的線延伸。尤其規定，加熱元件螺旋形地安置。這使得彼此不同的加熱器或同一個加熱器的不同的區段並排地延伸。為了如此固定並排延伸的加熱器的位置，使得即便在加熱或冷卻時加熱裝置的組件在劇烈移動的情況下，它們也不會相接觸，因此設置有支撐件，其將加熱元件在多個位置、尤其在相互均勻間隔的位置上與支撐板相連接。此外還設置有連接件，一個或多個接觸板藉由連接件與支撐板相連接。該連接件還具有的作用是，避免不同的接觸板在加熱裝置加熱和冷卻時彼此接觸。
本發明所要解決的技術問題是，改進支撐件或連接件在加熱裝置上的固定。
所述技術問題藉由依據本發明的尤其用於加熱CVD反應器的基座的裝置得以解決。
首先並且根本上建議，支撐件具有支腳，該支腳形狀接合地且牢固地插入支撐板的固定開口中。支撐件具有柄部，該柄部橫向於支撐板的延伸平面而延伸。在柄部的端部上具有頭部，加熱元件固定在該頭部上。設置有形狀接合固定件，支腳藉由該形狀接合固定件固定在支撐板上。該形狀接合固定件將支撐件沿柄部的延伸方向束縛在支撐板上。支撐件由此沿柄部的延伸方向具有最小化的、較佳地減小到零的移動間隙。在此，設置有從上面夾持支撐板的形狀接合固定件和從下面夾持支撐板的形狀接合固定件。該形狀接合固定件可以由從柄部上橫向於柄部的延伸方向所突起的固持凸起或固定凸起構成。較佳地如此設計至少一個固持凸起，使得該固持凸起可穿過支撐板的固定開口。藉由旋轉和/或彎曲操作，至少一個固定凸起可以被置入束縛位置中。例如將支撐件在插入固定開口後旋轉90°，由此可以實現上述操作。但還可行的是，僅彎曲至少一個固持凸起，使得固持凸起的區段可以支承在支撐板的底側上。固定凸起安置在支撐板的上側上。較佳地分別設置有兩個固持凸起和兩個固定凸起。兩個凸起對可以設計為從柄部的側面凸起的接片。在固持凸起和固定凸起之間延伸有頸部，該頸部在支撐件的固定狀態下位於固定開口中。固定凸起和/或固持凸起也可以支承在插入件上。插入件可以是絕緣體。在這種情況下，支撐板可以由金屬材料製造。尤其支撐板能夠由鎢或鉬構成。但還可規定，支撐板 由陶瓷材料製成。尤其支撐板是絕緣的。至少支撐件的支腳可以被設計為平板件。固定開口可以是長孔。該長孔可以具有窄孔段，該窄孔段的寬度等於支撐件或支腳的材料厚度。支撐件可以由例如鎢或鉬構成的金屬平板件製成。在此能夠是衝壓件。此外，固定開口具有寬孔段，該寬孔段的寬度等於頸部的寬度，使得頸部可以在較寬的固定孔區段的內部旋轉90°，以便側向突出的固定凸起可以從下面扣住支撐板的底側。支撐件的頭部可以具有至少一個弧形延伸的支承面。側面的臂於側面設置在該支承面的兩側。支承面可以被設計為弧形的凹穴(Mulde)。但也可規定，支承面由四周封閉的開口的邊緣構成。開口可以具有圓形的橫截面。支承面較佳地可以具有齒紋。加熱元件接觸地抵靠在支承面上。加熱元件可以是一種螺旋盤繞的加熱線。較佳地延伸有兩條並排的且設計為雙股螺旋線的加熱線。藉由固定線，設計為加熱元件的加熱線被固定在支撐件上。為了將固定線固定，支撐件和尤其支撐件的頭部具有至少一個凹槽。但也可以設置多個凹槽，在固定狀態下固定線置於凹槽中。
此外，本發明還有關於對連接件的改進，一個或多個接觸板藉由連接件與支撐板相連接。接觸板藉由連接件而定位。藉由連接件也可以將兩個平行平面安置的接觸板相互連接。由此，連接件也可以共同將在三個平行平面安置的板件(即支撐板和兩個接觸板)相互連接。在此也設置有形狀接合固定件，該形狀接合固定件將連接件的區段分別固持在支撐件的開口或接觸板的開口中。形狀接合固定件也可以嵌合在插入開口中的絕緣體上。當支撐板由金屬製成或者當兩個接觸板相互連接時，這尤其是有利的。形狀接合固定件如此設計，使得該形狀接合固定件將支撐板或至少一個接觸 板沿連接件的延伸方向(也就是沿橫向於接觸板或支撐板的延伸平面)束縛在連接件上。該連接件依據本發明以最小化的移動間隙被束縛在接觸板或支撐板上。為了將兩個接觸板相互連接至少設置有間隔物。在此這種間隔物能夠是一種套筒形狀的組件，其被連接件穿過。形狀接合固定件可以是支撐凸起，該支撐凸起嵌合在支撐板或接觸板上或者在插入開口內的絕緣體上。但是還可以規定，形狀接合固定件被設計為連接件的橫向開口，固定件的銷插入該橫向開口中。該固定件能夠是一種盤狀的組件，其藉由一個舌片形成插入連接件開口中的固定銷。尤其連接件的兩個端部分別具有橫向開口，該銷插入該橫向開口中。藉由插入或穿透該開口而實現連接件的裝配。該開口具有足夠的開口尺寸，使得支撐凸起可以在此穿過。然而為了可以實現支撐件的支承，支撐件可以支承在墊片上。墊片可以具有一條縫隙，使得墊片隨之可以安置在支撐凸起的下面。插入件(尤其絕緣體)可以被分為兩組件，使得該插入件同樣可以在穿過連接件之後能夠穿過開口裝配。尤其兩組件形式的絕緣體具有直徑較小的區段，該區段可以插入接觸板的開口中。插入件的直徑較大的區段支撐在接觸板的上表面上。
前述支撐件不僅可以由導電材料製造。還規定，支撐件或連接件由陶瓷材料製造或者該支撐件或連接件具有絕緣層，例如以30至40μm的層厚度被塗佈。即可以將絕緣的支撐件/連接件塗佈，也可以將導電的支撐件/連接件塗佈。使用絕緣的支撐件或連接件的優點是，支撐板可以由導電材料(如鉬)製成，並且為了連接接觸板而不需要設置絕緣體。
還建議，支撐板由金屬製造並且具有30至40μm的 塗層。在前述支撐板的塗層中，支撐件或連接件可以是一種碳化矽。金屬的支撐件或連接件較佳地被塗佈有碳化矽塗層，因為這種保護層阻止了由陶瓷材料(如氮化硼(Bohrnitrit))製成的支撐板與金屬的(可由鉬構成的)支撐件或連接件之間的反應。
1‧‧‧CVD反應器
2‧‧‧處理室
3‧‧‧進氣構件
4‧‧‧基座
5‧‧‧加熱裝置
6‧‧‧加熱器
7‧‧‧加熱器
8‧‧‧加熱器
9‧‧‧加熱元件
10‧‧‧支撐件
11‧‧‧臂
12‧‧‧臂
13‧‧‧支承面；凹穴
14‧‧‧柄部
15‧‧‧支撐凸起
16‧‧‧固持凸起
17‧‧‧頸部
18‧‧‧凹槽
18’‧‧‧凹槽
19‧‧‧加熱元件
20‧‧‧支撐件
21‧‧‧臂
22‧‧‧臂
23‧‧‧支承面；凹穴
24‧‧‧柄部
25‧‧‧支撐凸起
26‧‧‧固持凸起
27‧‧‧頸部
28‧‧‧凹槽
28’‧‧‧凹槽
29‧‧‧支撐板
30‧‧‧連接件
31‧‧‧支撐凸起
32‧‧‧側翼
33‧‧‧橫向開口
34‧‧‧橫向開口
35‧‧‧插入件；絕緣體
36‧‧‧固定件
37‧‧‧間隔物
38‧‧‧插入孔；固定孔；固定開口
38’‧‧‧窄區段
38”‧‧‧寬區段
39‧‧‧接觸板
40‧‧‧接觸板
41‧‧‧開口
42‧‧‧開口
43‧‧‧開口
44‧‧‧線
45‧‧‧接觸銷
46‧‧‧墊片
47‧‧‧蓋板
以下結合附圖對本發明的實施例進行說明。在附圖中：圖1示出CVD反應器的結構示意圖，圖2示出多區加熱器的側視圖，圖3示出多區加熱器的俯視圖，圖4示出沿剖面線IV-IV剖面支撐件的第一實施例所得的剖面圖，圖5示出在插入孔內置入的第一階段的第一支撐件的立體圖，圖6示出根據圖5的在插入孔內固定插入件的第二階段的示意圖，圖7示出根據圖5的支撐件10在支撐板29上形狀接合地束縛後的示意圖，圖8示出加熱元件9藉由固定線44在支撐件10上的固定，圖9示出支撐件10的第二實施例，圖10示出支撐件10的第三實施例，圖11示出支撐件10的第四實施例，圖12示出支撐件10的第五實施例，圖13示出在根據圖5的視圖內支撐件的固定，但是具有變化的插入孔38， 圖14示出支撐件10的第六實施例，圖15示出根據圖3的剖面線XV-XV剖面所得的視圖內，支撐件的第七實施例，圖16示出圖15所示支撐件20的立體圖，圖17示出沿圖3的剖面線XVII-XVII剖面所得的剖面圖，圖18示出圖17的剖面圖區域的立體圖，圖19示出根據圖18的視圖，但是具有完整的間隔物37、絕緣體35和固定件36，圖20示出沿圖17的剖面線XX-XX剖面所得的剖面圖，及圖21示出連接件30的第二實施例。
圖1示意性地示出CVD反應器的概略結構。該CVD反應器具有向外氣密的例如由不銹鋼製成的殼體，在殼體內接合未示出的供氣管道。供氣管道接合在進氣構件3的空腔內，進氣構件3具有排氣面，該排氣面構成處理室2的遮蓋面。處理氣體藉由排氣板內的出氣孔流入處理室2內。處理室2的底板由基座4構成，在該基座4上放置有待塗佈的基板、例如矽基板，但也能是由III和IV族元素構成的基板。由石墨製成的基座4藉由加熱裝置5從底側被加熱。
圖2示出根據本發明的加熱裝置的側視圖。圖3示出其俯視圖。加熱裝置5由三個相互分隔的加熱器6、7、8構成。中央的加熱器6位於中心並且構成第一加熱區域。第一加熱區域被圍繞中央加熱器6的環形的加熱器7所環繞，該加熱器7構成第二加熱區域。第三加熱區域由週邊環形構成，其形成外側的加熱器8。 加熱器6、7、8中的每一個都具有佈置為螺旋曲線的加熱元件9、19。在一條螺旋曲線上相繼安置有多個加熱元件。
加熱器6、7、8的加熱元件是電氣並聯的。每個加熱元件9、19藉由連接端與接觸板39、40相連接。在兩個內側加熱器6、7內，兩個接觸板39、40安置在同一個平面內。在外側的加熱器8內，接觸板39、40安置在兩個不同的水平面上，也就是安置在兩個彼此間隔的平面內。接觸板39、40或加熱元件9、19的通電藉由向下突起的接觸銷45實現。
加熱元件9、19出於簡要的原因在圖2至7中被顯示為在螺旋曲線上延伸的實心圓柱體。圖8示出加熱元件的詳細視圖。每個加熱元件9、19都由螺旋盤繞的加熱絲構成。這種絲由鎢構成。在圖8中示出的加熱元件9由單一的且螺旋盤繞的鎢絲製成。但也可以由兩條或多條加熱線形成螺旋線圈。這些加熱線並排延伸。
圖4示出支撐件10的第一實施例，加熱元件9(尤其是加熱螺旋線圈)藉由該支撐件10與支撐板29保持確定的間距。支撐板29由非導熱材料(如陶瓷)製成，並且在承載加熱器6、7、8的整個表面上延伸。中央加熱器6的支撐板具有圓盤形狀。兩個外側加熱器7、8的支撐板具有圓環形狀。支撐板29也可以由多個單獨的板件組合而成。
支撐件10具有由兩個臂11、12構成的頭部，在兩個臂之間延伸著弧形的支承面13。支撐件10由平坦的金屬件(如鎢件或鉬件)製成。支承面13具有齒紋，其藉由在弧形的支承面加工的刻槽製成。支承面13的弧線延伸走向與加熱元件9的螺旋線圈的 曲率變化相一致。
在頭部區域內設置鉤形的凹槽18、18’。這些凹槽設置用於藉由固定絲線將加熱元件9固定在支撐件10的頭部上。
支撐件10具有柄部14，其一個端部延伸至頭部內，並且其另一個端部延伸至支腳內。支撐件10的支腳形狀接合地與支撐板29相固定。為此設置有形狀接合固定件。該形狀接合固定件包括兩個彼此背向的支撐凸起15。該支撐凸起15橫向於柄部14的延伸方向從支撐件10上突出，用於自身支承在支撐板29的上側面上。支撐件10的與頭部相對置的端部由兩個彼此背向的固持凸起16構成。該固持凸起16同樣是橫向於柄部14的延伸方向從支撐件10上突出的接片。在兩個固持凸起16和支撐凸起15之間延伸著頸部17，該頸部17的長度與支撐板29的材料厚度一致，使得在裝配狀態下，支撐板29被固持凸起16從下端夾持並且被支撐凸起15從上端夾住。
由圖4還可以看到，支撐板29在與蓋板47和置於蓋板下的接觸板40平行的平面內延伸。
圖5至7示出插入孔38的第一變型方案，該插入孔38設置在支撐板29內，用於束縛支撐件10。在支撐板29內設置有多個這種插入孔38，每個插入孔相應地與一個支撐件10裝配，使得加熱元件9、19可以在多個圓周位置上被束縛在支撐板29上。
插入孔38具有窄區段38’和寬區段38”。窄區段38’具有大約等於支撐件10的支腳的材料厚度的縫隙寬度。插入孔38的長度被如此足夠地定尺寸，使得支撐件10的支腳連同支撐件的固持凸起16可以插進穿過插入孔38。這由圖5詳細示出。如果固 持凸起16插進穿過插入孔38，則支撐件10可以側向移入圖6所示的位置中，在該位置上頸部17位於插入孔38的較寬的且具有圓形輪廓的區段38”內。較寬的圓形區段38”的直徑等於頸部17的寬度，使得頸部17可以在孔區段38”內旋轉，直至達到圖7所示的位置，在該位置上支撐凸起15以及固持凸起16橫向於插入孔38的窄區段的延伸方向地延伸。插入孔38當前具有固定孔38的功能，因為插入孔位置固定地且橫向於柄部14的延伸方向地將支撐件10束縛在支撐板29上。支撐件10的轉動位置藉由被支撐件10支撐的加熱元件9所固定。
圖8示出線44形式的束縛件，加熱螺旋線圈9藉由該線44被拴在支撐件10的頭部上。支撐件10具有兩個不同長度的臂11、12。此外，較短的臂12被設計為比較長的臂11更窄。這種被減小的橫向延伸量使得兩個相鄰延伸的加熱元件9的徑向間距被最小化。
在圖9所示的實施例中，支承面13被設計為在支撐件10之頭部內的圓形封閉開口的環形開口邊緣表面。圖9還示出，藉由將支撐凸起15以及固持凸起16從支撐件10的延伸平面向外彎曲可以實現附加的形狀接合的束縛。
圖10示出支撐件10的第三實施例，其中兩個臂11被設計為具有相同長度。支承面13構成U型開口的底面，該支承面13在此也由被凹槽相互分割的肋板構成。
圖11示出支撐件的第四實施例，並且圖12示出支撐件的第五實施例。在此，支撐件也由平面組件構成，並且本質上藉由短臂12的結構設計與前述支撐件相區別。
圖13示出固定開口或插入孔38的變型方案。固定開口38在此具有兩個窄區段38’，它們相對於寬區段38”彼此對置。在此，支撐件10也可以實現與具有插入孔38的支撐板29的插接形式的連接。但是在此，在插入支撐件10後無需側向移位。
圖14示出支撐件的第六實施例，其中固持凸起16由彈簧臂構成，在支撐件10的支腳插入後，該彈簧臂可以在支撐位置中彈性夾緊。在該實施例中，支撐板29由金屬製成。在插入孔38中置入絕緣體35。絕緣體35分別具有凸緣，該凸緣抵靠在支撐板29的上側或底側上。在該凸緣上支承著支撐凸起15或固持凸起16。由金屬構成的支撐件10由此相對於支撐板29被絕緣。
圖15示出支撐件20的第七實施例和背景中的連接件30，支撐板29藉由連接件30與兩個接觸板39、40相連接。在圖1至14中示出的支撐件配屬於內側加熱器6、7，同時圖15所示的支撐件20配屬於外側加熱器8。加熱元件19在此也被顯示為圓柱體。然而，加熱元件實際的結構設計與圖8所示相一致。加熱元件可以是一種螺旋盤繞的鎢絲。在此，螺旋線圈也可以由鎢絲或多條相互平行延伸的加熱線構成。支撐件20在此總共支承著5個加熱元件19。加熱元件19可以相互接觸。加熱元件19位於不同的且相互間隔的平面內，這些平面平行於支撐板29的平面而延伸。由此，支撐件20的頭部被設計為多個相疊佈置的分別容納加熱元件19的凹穴23。在此，也可以藉由固定線實現加熱元件19在凹穴23內的固定。為了繫住固定線，該支撐件20具有凹槽28。
支撐件20的支腳在此也固定在支撐板29的孔38內，其可以依據上述實施例進行結構設計。從支撐件20的柄部24 上突出有支撐凸起25和固持凸起26。支撐凸起25與前述實施例中的支撐凸起15相一致。固持凸起26與前述實施例中的固持凸起16相一致，從而可引用上述相關的設計方案，實施支撐件20的支腳在插入孔38內的固定。在此也藉由插接-轉動操作來實現該固定。
圖17至20示出連接件30的第一實施例，支撐板29藉由該連接件30與接觸板39或40相連接。設置有多個在加熱器8的基礎面上的相互不同的位置上延伸的連接件30。外側加熱器8具有安置在兩個不同的平面上的接觸板39、40。為了使兩個接觸板39、40保持恒定的間距，設置有套筒形狀的且由陶瓷材料製成的間隔物37。在套筒形狀的間隔物37的空腔內，相應延伸有連接件30。連接件30在兩個接觸板39、40上的束縛藉由形狀接合固定件實現。兩個彼此背離指向的支撐凸起31支撐在絕緣體35上，該絕緣體35在與間隔物37相對置的一側上部分地插入接觸板39的開口42內。絕緣體35可以由兩個半組件構成，它們互補成圓柱體。支撐凸起31可以支撐在墊片46上，該墊片46不是側向在連接件30上隆起就是插入穿過開口42。
套筒狀的間隔物37的軸向長度限定了兩個接觸板39、40的間距。間隔物37的端部邊緣支撐在下部接觸板40的上側上。間隔物37的上端部邊緣支承著上部接觸板39。
從置於間隔物37的空腔內的連接件30的區段上突出有兩個側翼32，該等側翼32使間隔物定心在相對於開口42的同心位置上。
連接件30的端部區段穿過下部接觸板40的開口43。在接觸板40的開口43內插入絕緣體35。在此，該絕緣體35局部 從與間隔物37相對置的開口側突出。在絕緣體35的端側上安置有墊片46，固定件36支承在該墊片46上。固定件36具有設計為銷的舌片，其穿過連接件30的橫向開口34。藉由支撐凸起31和固定件36將連接件30軸向束縛在兩個接觸板40上。
支撐板29與上部接觸板39相間隔地延伸。支撐板29具有開口41，連接件30的端部區段穿過該開口41。在支撐板29的底側區域有連接件30的支撐凸起31，支撐板29在中間安置有墊片的情況下支承在該支撐凸起31上。
從支撐板29的上側突起的連接件30的端部藉由固定件36被束縛在支撐板29上。該固定件36構成舌片，其穿過連接件30的橫向開口33。在支撐板29的上側和固定件36之間具有墊片46。
藉由將插進入開口33或34的舌片的端部彎曲，從而實現固定件36的穩定的固定。
圖21示出連接件30的剖面圖，該連接件用於兩個內側加熱器6、7。因為在該實施例中兩個接觸板39、40在一個平面內延伸，所以為了將接觸板40與支撐板29相連接而設置有連接件30。在此，支撐板29的底側也支撐在支撐凸起31上，其中在此也設置有墊片46。在此也藉由固定件36的舌片實現連接件30與支撐板29的上側的固定，該固定件穿過連接件30的橫向開口。
向下指向的支撐凸起支撐在墊片46上，該墊片46安置在絕緣體35上，該絕緣體35嵌入蓋板47的開口中。插入蓋板開口中的絕緣體35也具有間隔物的功能，因為絕緣體35使蓋板47與接觸板40保持一定間距。另一個絕緣體35從底側插入接觸板40 的開口中，該另一個絕緣體藉由固定件36固定。在此，固定件36的舌片也穿過連接件30的橫向開口。
前述實施方式用於描述在本申請中整體包含的發明內容，其藉由以下技術特徵組合相對於現有技術相應獨立地進行改進，其特徵包括：一種裝置，其特徵在於：支腳藉由形狀接合固定件固定在支撐板29的固定開口38內，該形狀接合固定件將支撐件10、20沿柄部14、24的延伸方向束縛在支撐板29上。
一種裝置，其特徵在於：形狀接合固定件具有至少一個橫向於柄部14、24的延伸方向延伸的固持凸起16、26，在安裝支撐件10、20時，該固持凸起16、26能夠穿過固定開口38，且在轉動支撐件10、20和/或固持凸起16、26發生變形後，從下端扣住支撐板29或插入固定開口38內的插入件35，並且，形狀接合固定件還具有至少一個橫向於柄部14、24的延伸方向延伸的支撐凸起15、25。
一種裝置，其特徵在於：插入件35是絕緣體，而支撐板29係由金屬構成。
一種裝置，其特徵在於：支腳至少被設計為平面組件，而固定開口38至少被設計為長孔，該長孔具有窄區段38’和寬區段38”，該窄區段38’的寬度實質上等於固持凸起16的材料厚度，該寬區段38”實質上等於在支撐凸起15和固持凸起16之間延伸的頸部17的寬度。
一種裝置，其特徵在於：頭部具有至少一個弧形走向的支承面13、23，尤其由螺旋盤繞的加熱線構成的加熱元件9、19 抵靠在支承面13、23上，其中尤其規定，該支承面被設計為凹穴或環形封閉的孔，且尤其具有抵靠在加熱元件9、19上的齒紋表面。
一種裝置，其特徵在於：支撐件10、20具有至少一個凹槽18、18’、28、28’，線44設置在凹槽18、18’、28、28’內，加熱元件9、19藉由凹槽18、18’、28、28’固定在支撐件10、20上。
一種裝置，其特徵在於：支撐件10、20係由平坦的(尤其由鎢或鉬構成的)金屬件製成，且尤其被設計為衝壓件。
一種裝置，其特徵在於：連接件30分別插入支撐板29的開口41中和接觸板39、40的開口42、43中，且在此藉由形狀接合固定件31、32、34、36而固定。
一種裝置，其特徵在於：形狀接合固定件固定在插入開口42、43內的絕緣體35上。
一種裝置，其特徵在於：至少一個接觸板39、40、支撐板29和至少一個加熱元件9、19係在三個彼此平行延伸的平面內延伸，並且，支撐板29支撐著支撐件10、20，至少一個加熱元件9、19藉由支撐件10、20相對於支撐板29而定位。
一種裝置，其特徵在於：連接件30將兩個在平行平面內彼此間隔佈置的接觸板39、40相互連接，其中，尤其連接件30穿過由絕緣材料製成的間隔物37。
一種裝置，其特徵在於：連接件30是由金屬(尤其鎢或鉬)構成的扁平體，並且，形狀接合固定件係被設計為凸起，該凸起支承在支撐件29或接觸板39、40的表面上或插入開口42、43之一內的插入件35上，以及/或者，形狀接合固定件係由連接件30 的橫向開口33、34和插入其中的固定件36的銷所構成。
所有公開的特徵(本身及其相互組合)都有發明意義或發明價值。在本申請的公開文件中，所屬/附屬的優先權文件(在先申請文件)的公開內容也被完全包括在內，為此也將該優先權文件中的特徵納入本申請的申請專利範圍中。申請專利範圍之附屬項的特徵都是對於現有技術有獨立發明意義或價值的改進設計，尤其可以這些申請專利範圍之附屬項為基礎提出分案申請。

Claims (12)

  1. 一種尤其用於加熱CVD反應器的基座之裝置，具有至少一個加熱元件(9、19)，其中，該加熱元件(9、19)的區段或者不同的加熱元件(9、19)並排延伸並且藉由支撐件(10、20)相對於支撐板(29)而定位，其中，該支撐件(10、20)分別具有形狀接合地且牢固地插入該支撐板(29)的固定開口內的支腳和與橫向於該支撐板(29)的延伸面延伸的柄部(14、24)相連接的頭部，該加熱元件(9、19)則固定在該頭部上，其特徵在於：該支腳為藉由形狀接合固定件固定在該支撐板(29)的固定開口(38)內，該等形狀接合固定件將該支撐件(10、20)沿該柄部(14、24)的延伸方向束縛在該支撐板(29)上。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該形狀接合固定件具有至少一個橫向於該柄部(14、24)的延伸方向延伸的固持凸起(16、26)，在安裝該支撐件(10、20)時，該固持凸起(16、26)能夠穿過該固定開口(38)，且在轉動該支撐件(10、20)和/或該固持凸起(16、26)發生變形後，從下端夾持該支撐板(29)或插入該固定開口(38)內的插入件(35)，並且，該形狀接合固定件還具有至少一個橫向於該柄部(14、24)的延伸方向延伸的支撐凸起(15、25)。
  3. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中，該插入件(35)是絕緣體，而該支撐板(29)係由金屬構成。
  4. 如申請專利範圍第2項之裝置，其中，至少該支腳被設計為平面組件，並且，至少該固定開口(38)被設計為長孔，該長孔具有窄區段(38’)和寬區段(38”)，該窄區段(38’)的寬度實質上等於該固持凸起(16)的材料厚度，該寬區段(38”)實質上等於在該支撐凸起(15)和固持凸起(16)之間延伸的頸部(17)的寬度。
  5. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該頭部具有至少一個弧形走向的支承面(13、23)，尤其由螺旋盤繞的加熱線構成的該加熱元件(9、19)抵靠在該支承面(13、23)上，而其中尤其規定，該支承面係被設計為凹穴或環形封閉的孔，和/或具有抵靠在該加熱元件(9、19)上的齒紋表面。
  6. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該支撐件(10、20)具有至少一個凹槽(18、18’、28、28’)，線(44)設置在該凹槽(18、18’、28、28’)內，該加熱元件(9、19)藉由該線(44)固定在該支撐件(10、20)上。
  7. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，尤其該支撐件(10、20)係由平坦的且由鎢或鉬構成的金屬組件製成，且尤其被設計為衝壓件。
  8. 一種尤其用於加熱CVD反應器的基座之裝置，具有至少一個加熱元件(9、19)，該加熱元件(9、19)與至少一個接觸板(39、40)相連接，該接觸板(39、40)藉由連接件(30)相對於支撐板(29)而定位，其特徵在於：該連接件(30)是由金屬構成的扁平體，且分別插入該支撐板(29)的開口(41)中和該接觸板(39、40)的開口(42、43)中，並且在此藉由該連接件(30)的諸多支撐凸起(31)而固定，其中，該等支撐凸起(31)係支承在插入該開口(42、43)內的插入件(35)上。
  9. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中，該插入件(35)是絕緣體。
  10. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中，該至少一個接觸板(39、40)、該支撐板(29)和該至少一個加熱元件(9、19)係在三個彼此平行延伸的平面內延伸，並且，該支撐板(29)支撐著支撐件(10、20)，該至少一個加熱元件(9、19)藉由該支撐件(10、20)相對於該支 撐板(29)而定位。
  11. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中，該連接件(30)將兩個在平行平面內彼此間隔佈置的接觸板(39、40)相互連接，而其中，尤其該連接件(30)係穿過由絕緣材料製成的間隔物(37)。
  12. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中，該連接件(30)係由鎢或鉬構成，並且，該連接件(30)之其他的凸起係支承在該支撐板(29)或該接觸板(39、40)之表面上，以及/或者，一固定件(36)之銷係插入該連接件(30)之橫向開口(33、34)中。
TW103115145A 2013-11-26 2014-04-28 Ｃｖｄ反應器之加熱構件上的支撐件及連接件 TWI628308B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
??102013113046.1 2013-11-26
DE102013113046.1A DE102013113046A1 (de) 2013-11-26 2013-11-26 Stütz- bzw. Verbindungselemente an einem Heizorgan eines CVD-Reaktors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201520365A TW201520365A (zh) 2015-06-01
TWI628308B true TWI628308B (zh) 2018-07-01

Family

ID=52536497

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103115145A TWI628308B (zh) 2013-11-26 2014-04-28 Ｃｖｄ反應器之加熱構件上的支撐件及連接件
TW103207352U TWM512201U (zh) 2013-11-26 2014-04-28 Ｃｖｄ反應器之加熱裝置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103207352U TWM512201U (zh) 2013-11-26 2014-04-28 Ｃｖｄ反應器之加熱裝置

Country Status (3)

Country Link
CN (2) CN104674194B (zh)
DE (1) DE102013113046A1 (zh)
TW (2) TWI628308B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013113046A1 (de) * 2013-11-26 2015-05-28 Aixtron Se Stütz- bzw. Verbindungselemente an einem Heizorgan eines CVD-Reaktors
DE102014112645A1 (de) 2014-09-03 2016-03-03 Aixtron Se Heizeinrichtung
CN104962881B (zh) * 2015-06-12 2018-08-03 北京中科优唯科技有限公司 高温化学气相沉积设备及其加热系统
DE202016103834U1 (de) * 2016-07-15 2017-10-19 Aixtron Se Vorrichtung zum Beheizen eines Suszeptors eines CVD-Reaktors
CN109136885B (zh) * 2017-06-19 2020-11-10 北京北方华创微电子装备有限公司 线圈调节机构、感应加热装置和气相沉积设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4864105A (en) * 1986-10-25 1989-09-05 Ceramaspeed Limited Radiant heaters
US20090078694A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate stage used therein
US7573004B1 (en) * 2006-02-21 2009-08-11 Structured Materials Inc. Filament support arrangement for substrate heating apparatus

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3345498A (en) 1965-02-01 1967-10-03 Gen Motors Corp Infrared surface heating unit
DE1565416A1 (de) * 1966-03-22 1970-03-05 Bbc Brown Boveri & Cie Keramischer Heizleitertraeger
US3567906A (en) 1969-04-14 1971-03-02 Gen Electric Planar surface heater with integral fasteners for heating element
US3991298A (en) 1975-07-28 1976-11-09 Gould Inc. Heating unit for a ceramic top electric range
US4458141A (en) * 1980-11-14 1984-07-03 Tutco, Inc. Electric heater and coil support insulator therefor
US5128515A (en) * 1990-05-21 1992-07-07 Tokyo Electron Sagami Limited Heating apparatus
JP2647799B2 (ja) * 1994-02-04 1997-08-27 日本碍子株式会社 セラミックスヒーター及びその製造方法
CA2276780C (en) * 1997-11-07 2007-01-09 Julius Blum Gesellschaft M.B.H. Fitting
US6740853B1 (en) * 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
JP4009100B2 (ja) * 2000-12-28 2007-11-14 東京エレクトロン株式会社 基板加熱装置および基板加熱方法
CN2578590Y (zh) * 2001-05-08 2003-10-08 雷永健 板与管的固定装置
DE10329107B4 (de) 2002-12-23 2015-05-28 Mattson Thermal Products Gmbh Verfahren zum Bestimmung wenigstens einer Zustandsvariablen aus einem Modell eines RTP-Systems
WO2006060134A2 (en) 2004-11-15 2006-06-08 Cree, Inc. Restricted radiated heating assembly for high temperature processing
DE102005056536A1 (de) 2005-11-28 2007-05-31 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit widerstandsbeheiztem Suszeptor
DE102006018515A1 (de) 2006-04-21 2007-10-25 Aixtron Ag CVD-Reaktor mit absenkbarer Prozesskammerdecke
DE102007009145A1 (de) 2007-02-24 2008-08-28 Aixtron Ag Vorrichtung zum Abscheiden kristalliner Schichten wahlweise mittels MOCVD oder HVPE
DE102007027704A1 (de) 2007-06-15 2008-12-18 Aixtron Ag Vorrichtung zum Beschichten von auf einem Suszeptor angeordneten Substraten
DE102009043960A1 (de) 2009-09-08 2011-03-10 Aixtron Ag CVD-Reaktor
CN202144514U (zh) * 2011-07-04 2012-02-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 加热器定位调整装置
CN202881385U (zh) * 2012-09-07 2013-04-17 富强半导体有限公司 晶圆加热装置
DE102013113046A1 (de) * 2013-11-26 2015-05-28 Aixtron Se Stütz- bzw. Verbindungselemente an einem Heizorgan eines CVD-Reaktors

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4864105A (en) * 1986-10-25 1989-09-05 Ceramaspeed Limited Radiant heaters
US7573004B1 (en) * 2006-02-21 2009-08-11 Structured Materials Inc. Filament support arrangement for substrate heating apparatus
US20090078694A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate stage used therein

Also Published As

Publication number Publication date
TW201520365A (zh) 2015-06-01
CN104674194B (zh) 2019-05-28
DE102013113046A1 (de) 2015-05-28
CN104674194A (zh) 2015-06-03
TWM512201U (zh) 2015-11-11
CN204162789U (zh) 2015-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI628308B (zh) Ｃｖｄ反應器之加熱構件上的支撐件及連接件
JP6161685B2 (ja) 電気的に加熱可能なハニカム体の複数の薄板金属層の電気的接続構造、及び関連するハニカム体
US9228669B2 (en) Fluid control valve
TWI805707B (zh) 多區域加熱器
TWI576952B (zh) Ｃｖｄ裝置的基板架
TWI619839B (zh) Heating device for the susceptor of the CVD reactor
TWI612177B (zh) 加熱裝置
JP7222633B2 (ja) 加熱装置、及び加熱装置を製造するための方法
KR20130073409A (ko) 증발히터 고정부재를 포함하는 증발원
US20120223069A1 (en) Resistance heater
TW202015169A (zh) 用於寬範圍溫度控制的加熱器基座組件
TWM522949U (zh) 加熱裝置
TWI690012B (zh) 具有加熱機制之晶圓座及包含該晶圓座的反應腔體
EP2829155B1 (en) Resistance heater
KR101888819B1 (ko) 히터 내장형 밸브
TWI646297B (zh) 加熱器支撐裝置
JP2008140647A (ja) ヒータ
US20220074048A1 (en) Reaction chamber for an epitaxial reactor of semiconductor material with non-uniform longitudinal section and reactor
US7573004B1 (en) Filament support arrangement for substrate heating apparatus
US20220279626A1 (en) Heated substrate support
KR20110064920A (ko) 반도체 공정용 히터 자켓
KR102161842B1 (ko) 배기 디파우더 모듈의 삼방향 밸브 가열장치
JP6129666B2 (ja) 気相成長装置及び気相成長用加熱装置
KR20200074870A (ko) 블록 히터 및 블록 히터 어셈블리
TWM562955U (zh) 加熱器支撐裝置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees