TWI627654B - Plasma processing device - Google Patents
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Abstract
提供一種具備有可輕易對應於高輸出化之高頻電源的電漿處理裝置。
第1高頻電源部(65)，係具備有電源控制部(130)、高頻電源(140)及整合器(150)。在整合器(150)，並聯地連接有複數個放大部(142)，且合成各放大部(142)所放大的高頻電力。又，整合器150，係被連接於匹配箱(63)，而整合器(150)所合成的高頻電力，係經由匹配箱(63)，被供電至作為上部電極作用的噴頭(31)。
Description
本發明，係關於藉由高頻電力使處理氣體電漿化，並藉由該電漿對被處理體實施蝕刻等之處理的電漿處理裝置。
在以液晶顯示裝置為代表之平面面板顯示器(FPD)等的製造工程中，係利用對玻璃基板等之被處理體實施蝕刻處理的電漿蝕刻裝置、或實施成膜處理之電漿CVD裝置等的電漿處理裝置。
已知例如對平行平板型的電極供給高頻電力，藉由形成於該電極間的電容耦合電漿來進行被處理體之蝕刻的蝕刻裝置，係在上下對向設置之電極的一方側，連接電漿形成用的高頻電源者。在像這樣的蝕刻裝置起動時，係藉由從高頻電源對電極供給高頻電力的方式，在平行平板型的電極間形成電漿。
近年來，FPD用之玻璃基板較大型化，其一邊的長度亦有超過2m者。隨著像這樣的被處理體之大型化，電漿處理裝置亦大型化，且使用的高頻電源亦需要高
輸出者。
隨著電漿處理裝置之大型化，對於必要之高頻電力從數kW增大至數十kW之傾向而言，藉由高頻電源之高輸出化而對應的將在技術門檻或成本面上受到限制。
因此，本發明之目的，係提供一種電漿處理裝置，該電漿處理裝置係具備有可輕易對應於高輸出化的高頻電源。
本發明之電漿處理裝置，係一種具備有處理容器與高頻電源部的電漿處理裝置，該處理容器係收容被處理體，該高頻電源部係輸出參與前述處理容器內所生成之電漿的高頻電力。在本發明之電漿處理裝置中，前述高頻電源部，係具備有：一個或複數個振盪部，生成高頻訊號；複數個電力放大部，根據前述振盪部所生成之高頻訊號，進行電力放大而得到高頻電力；電力合成部，並聯地連接有前述複數個電力放大部，且合成來自各電力放大部的高頻電力；複數個供電線，以相等的路徑長連接前述電力放大部與前述電力合成部；及第1控制部，控制前述振盪部。
在本發明之電漿處理裝置中，前述第1控制部，係亦可為進行控制以使從一個前述振盪部分別對複數個前述電力放大部送出的高頻訊號形成為同相位者。在該情況下，從一個前述振盪部發送高頻訊號到複數個前述電力放大部的複數個傳送路徑，係亦可以相等的路徑長來予以設置。
本發明之電漿處理裝置，係亦可對應前述電力放大部而各設置一個前述振盪部，前述第1控制部，係亦可為進行控制以使從複數個前述振盪部分別對前述複數個電力放大部送出的高頻訊號形成為同相位者。在該情況下，從複數個前述振盪部分別發送高頻訊號到複數個前述電力放大部的複數個傳送路徑，係亦可以相等的路徑長來予以設置。
本發明之電漿處理裝置，係亦可更具備有控制前述第1控制部的第2控制部。
根據本發明，由於高頻電源部係具備有複數個電力放大部與電力合成部，因此，可在電力合成部中將各電力放大部所放大的高頻電力合成為一個高頻電力。因此，即使來自各電力放大部的輸出不大，亦可得到大輸出，且能夠實現電漿處理裝置之大型化的對應。
又，由於在本發明之電漿處理裝置中，係具備有以相等的路徑長來連接電力放大部與電力合成部的複
數個供電線，因此，能夠使各電力放大部所放大的高頻電力相位相同而發送到電力合成部。因此，本發明之電漿處理裝置中，係能夠在電力合成部輕易執行整合成為單一高頻電力。
1‧‧‧處理容器
1a‧‧‧底壁
1b‧‧‧側壁
1c‧‧‧蓋體
11‧‧‧基座
12‧‧‧基材
13，14‧‧‧密封構件
15‧‧‧絕緣構件
31‧‧‧噴頭
33‧‧‧氣體擴散空間
35‧‧‧氣體吐出孔
37‧‧‧氣體導入口
39‧‧‧處理氣體供給管
41‧‧‧閥
43‧‧‧質流控制器(MFC)
45‧‧‧氣體供給源
51‧‧‧排氣用開口
53‧‧‧排氣管
53a‧‧‧凸緣部
55‧‧‧APC閥
57‧‧‧排氣裝置
61‧‧‧供電線
63‧‧‧匹配箱(M.B.)
65‧‧‧第1高頻電源部
71‧‧‧供電線
73‧‧‧匹配箱(M.B.)
75‧‧‧第2高頻電源部
100‧‧‧電漿蝕刻裝置
130‧‧‧電源控制部
131‧‧‧振盪控制部
132‧‧‧電力控制部
140‧‧‧高頻電源
141‧‧‧振盪部
142‧‧‧放大部
150‧‧‧整合器
160‧‧‧信號纜線
170‧‧‧同軸纜線
[圖1]模式地表示本發明之第1實施形態之電漿蝕刻裝置之構成的剖面圖。
[圖2]表示圖1之控制部之硬體構成的方塊圖。
[圖3]說明關於第1實施形態中之第1高頻電源部之構成的方塊圖。
[圖4]說明關於第2實施形態中之第1高頻電源部之構成的方塊圖。
[圖5]說明關於第3實施形態中之第1高頻電源部之構成的方塊圖。
[圖6]說明關於第4實施形態中之第1高頻電源部之構成的方塊圖。
以下，參照圖面來詳細說明本發明之實施形態。
圖1係表示作為本發明之處理裝置之第1實施形態之電漿蝕刻裝置之概略構成的剖面圖。如圖1所示，電漿蝕刻裝置100，係構成為對被處理體例如FPD用玻璃基板(以下僅記述為「基板」)S進行蝕刻之電容耦合型平行平板型電漿蝕刻裝置。另外，FPD舉例有液晶顯示器(LCD)、電致發光(ElectroLuminescence；EL)顯示器、電漿顯示器面板(PDP)等。
該電漿蝕刻裝置100，係具有由內側經陽極氧化處理(耐酸鋁處理)之鋁所構成而形成為方筒狀的處理容器1。處理容器1之本體(容器本體)，係由底壁1a、4個側壁1b(僅圖示2個)而構成。又，在處理容器1之本體的上部，配置有蓋體1c。雖省略圖示，但在側壁1b設有基板搬送用開口與密封基板搬送用開口之閘閥。此外，處理容器1為接地。
蓋體1c，係藉由未圖示之開關機構而構成為可相對於側壁1b進行開關。在關閉蓋體1c的狀態下，蓋體1c與各側壁1b之接合部份係以O形環3來密封，進而維持處理容器1內的氣密性。
在處理容器1內的底部，係配置有框狀之絕緣構件10。在絕緣構件10上，係設有可載置基板S之載置台的基座11。亦為下部電極之基座11，係具備有基材12。基材12，係由例如鋁或不鏽鋼(SUS)等的導電性材料而形成。基材12係被配置於絕緣構件10上，在兩構件的接合部份配備有O形環等的密封構件13以維持氣密
性。絕緣構件10與處理容器1之底壁1a之間，亦藉由O形環等的密封構件14以維持氣密性。基材12之側部外周，係被絕緣構件15圍繞。藉此，可確保基座11之側面的絕緣性，且防止電漿處理時的異常放電。
在基座11的上方，設有與該基座11呈平行且對向而具有上部電極功能之噴頭31。噴頭31，係被支撐於處理容器1之上部的蓋體1c。噴頭31係形成中空狀，在其內部設有氣體擴散空間33。又，在噴頭31的下面(與基座11的相對面)，形成有吐出處理氣體之複數個氣體吐出孔35。該噴頭31，係與基座11一同構成一對平行平板電極。
在噴頭31之上部中央附近，設有氣體導入口37。在該氣體導入口37，係連接有處理氣體供給管39。在該處理氣體供給管39，係經由2個閥41，41及質流控制器(MFC)43，連接有供給用於蝕刻之處理氣體的氣體供給源45。處理氣體，係除了例如鹵素系氣體或O2氣體以外，可使用Ar氣體等之稀有氣體等。
在處理容器1內的底壁1a，形成有貫穿於複數個部位(例如8個地方)之排氣用開口51。在各排氣用開口51，連接有排氣管53。排氣管53係其端部具有凸緣部53a，而在該凸緣部53a與底壁1a之間介設有O形環(省略圖示)之狀態下被加以固定。在排氣管53，設有APC閥55，且排氣管53係與排氣裝置57連接。排氣裝置57係具備有例如渦輪分子泵等的真空泵，藉此，構
成為可將處理容器1內抽真空至預定的減壓環境。
在噴頭31，連接有供電線61。該供電線61，係經由匹配箱(M.B.)63，被連接於電漿形成用之第1高頻電源65。藉此，便能夠從第1高頻電源部65將例如13.56MHz之高頻電力供應至作為上部電極的噴頭31。
在基座11之基材12，連接有供電線71。該供電線71，係經由匹配箱(M.B.)73，被連接於偏壓用之第2高頻電源部75。藉此，便能夠從第2高頻電源部75將例如3.2MHz之高頻電力供應至作為下部電極的基座11。此外，供電線71係經由底壁1a所形成之作為貫穿開口部的供電用開口77而被導入至處理容器1內。
在匹配箱(M.B.)63內，設有一端側經由例如同軸纜線而與第1高頻電源部65連接的匹配電路(省略圖示)，該匹配電路之另一端側係連接於作為上部電極的噴頭31。匹配電路，係配合電漿的阻抗來進行負荷(電漿)與第1高頻電源部65之間的阻抗調整(匹配)，達成使電漿蝕刻裝置100之電路內所發生的反射波衰減的任務。
在匹配箱(M.B.)73內，設有一端側經由例如同軸纜線而與第2高頻電源部75連接的匹配電路(省略圖示)，該匹配電路之另一端側係連接於作為下部電極的基座11。匹配電路，係配合電漿的阻抗來進行負荷(電漿)與第2高頻電源部75之間的阻抗調整(匹配)，達成使電漿蝕刻裝置100之電路內所發生的反射波
衰減的任務。
電漿蝕刻裝置100之各構成部，係形成為被連接於作為第2控制部的控制部80，且藉由控制部80來統籌控制的構成。控制部80，係控制電漿蝕刻裝置100之各構成部的模組控制器(Module Controller)。控制部80，係被連接於未圖示的I/O模組。該I/O模組，係具有複數個I/O部，且被連接於電漿蝕刻裝置100之各終端設備。在I/O部，設有用於控制數位訊號、類比訊號及串聯訊號之輸出入的I/O板。相對於各終端設備的控制訊號，係分別從I/O部輸出。又，來自各終端設備之輸出訊號，係分別被輸出至I/O部。在電漿蝕刻裝置100中，舉出例如質流控制器(MFC)43、APC閥55、排氣裝置57、2個之匹配箱63，73、2個之高頻電源部(第1高頻電源部65、第2高頻電源部75)等來作為連接於I/O部的終端設備。
接下來，參閱圖2，說明控制部80之硬體構成的一例。控制部80，係具備有主控制部101、如鍵盤或滑鼠等的輸入裝置102、如印表機等的輸出裝置103、顯示裝置104、記憶裝置105、外部介面106及彼此連接該些裝置的匯流排107。主控制部101，係具有CPU(中央處理裝置)111、RAM(隨機存取記憶體)112及ROM(唯讀記憶體)113。記憶裝置105，係只要為可記憶資訊者，則不限於任何形態，例如可以是硬碟裝置或光碟裝置。又，記憶裝置105係對於電腦可讀取之記錄媒體115
記錄資訊，又可由記錄媒體115讀取資訊。若記錄媒體115為可記錄資訊者，則不限於任何形態，例如可以是硬碟、光碟、快閃記憶體等。記錄媒體115，係亦可為記錄了本實施形態之電漿蝕刻方法之處理程式的記錄媒體。
在控制部80中，CPU 111使用RAM 112作為工作區並執行儲存於ROM 113或記憶裝置105之程式，藉此，能夠在本實施形態之電漿蝕刻裝置100中對基板S執行電漿蝕刻處理。
接下來，參照圖3，說明第1高頻電源部65之構成。圖3，係表示第1高頻電源部65之詳細構成的方塊圖。第1高頻電源部65，係具備有作為第1控制部的電源控制部130、複數個高頻電源140及整合器150。在此，本實施形態之高頻電源140，係具備有：振盪部141，生成高頻訊號；及放大部142，根據各振盪部141所生成的高頻訊號，進行電力放大，進而得到高頻電力。在圖3中，係例示具有4個高頻電源140來作為第1高頻電源部65的情形。
振盪部141，係根據電源控制部130的指令訊號來生成高頻訊號。該高頻訊號之頻率，係可因應供給至電漿負載的高頻來進行設定。
放大部142，係根據電源控制部130的指令訊號來控制振盪部141所生成之高頻訊號的振幅，並使電力放大。另外，放大部142，係亦可具有感測器(省略圖示)，該感測器係檢測從放大部142送至負荷(電漿)的
進行波電力PF及從負荷(電漿)朝向放大部142的反射波電力REF。該感測部，係檢測進行波電力PF及反射波電力REF，且將進行波電力PF的檢測訊號及反射波電力REF的檢測訊號送至電源控制部130。
在整合器150，並聯地連接有複數個放大部142，且合成各放大部142所放大的高頻電力。亦即，各放大部142所放大至預定電力的高頻電力，係被送至整合器150，且被合成為一個高頻電力。又，整合器150，係被連接於匹配箱63。整合器150所合成的高頻電力，係經由匹配箱63，被供電至作為上部電極作用的噴頭31。
電源控制部130，係具有振盪控制部131與電力控制部132，且用以控制高頻電源140。電源控制部130，係下位之控制部，該下位之控制部係由上位之控制部80來予以控制。亦即，控制部80，係進行電漿蝕刻裝置100全體的控制，電源控制部130，係於上位之控制部80的控制下，進行高頻電源140的控制。電源控制部130之硬體構成，係與圖2所示之構成相同。因此，在下述的說明中，亦引用圖2之符號進行說明。振盪控制部131及電力控制部132的功能，係藉由CPU 111使用RAM 112作為工作區，而執行儲存於ROM 113或記憶裝置105之軟體(程式)來予以實現。
電源控制部130，係根據事先保存於記憶裝置105的處理程式或參數等，對高頻電源140之振盪部141或放大部142發送控制訊號，進而控制電力供給，以使在
電漿蝕刻裝置100中進行所期望的電漿蝕刻處理。例如，振盪控制部131，係以使複數個振盪部141所生成之高頻訊號的相位形成為同相位之方式，來控制振盪部141的振盪動作。又，電力控制部132，係從放大部142之前述感測部接收進行波電力PF作為反饋訊號，根據該反饋訊號與電力指令值的偏差進行反饋控制，且以使第1高頻電源部65之輸出電力分別成為電力指令值的方式來加以控制。在電力控制部132的反饋控制中，將電力指令值與進行波電力PF的差動訊號生成為控制輸出電力的指令訊號，輸入至放大部142。另一方面，從振盪部141亦向放大部142輸入形成為基準的高頻訊號。藉此，放大部142，係以使供給至負荷(電漿)之電力形成為電力指令值的方式予以控制。
又，第1高頻電源部65，係更具備有：複數個信號纜線160，連接電源控制部130與各高頻電源140；及複數個同軸纜線170，連接各高頻電源140與整合器150。作為供電線之同軸纜線170，係以相等的路徑長連接各放大部142與整合器150。如此一來，可藉由使複數個同軸纜線170之長度相等的方式，使各放大部142所放大的高頻電力相位相同而發送到整合器150。
另外，並聯連接於整合器150的高頻電源140的個數，係不限於4個，只要2個以上即可。又，雖省略說明，但第2高頻電源部75亦可構成為與第1高頻電源部65相同。
接下來，說明如上述所構成之電漿蝕刻裝置100的處理動作。首先，在未圖示之閘閥為開放的狀態下，經由基板搬送用開口，使作為被處理體之基板S藉由未圖示之搬送裝置的夾盤被搬入至處理容器1內且收授至基座11。然後，閘閥將被關閉，藉由排氣裝置57使處理容器1內被抽真空至預定真空度。
接下來，打開閥41，從氣體供給源45經由處理氣體供給管39、氣體導入口37，將處理氣體導入至噴頭31之氣體擴散空間33。此時，藉由質流控制器43進行處理氣體的流量控制。被導入至氣體擴散空間33的處理氣體會更進一步經由複數個氣體吐出孔35，被均勻地吐出至載置於基座11上的基板S，且處理容器1內的壓力會被維持於預定值。
在該情況下，高頻電力係從第1高頻電源部65經由匹配箱63被供給至噴頭31。藉此，在作為上部電極的噴頭31與作為下部電極的基座11之間會產生高頻電場，而使得處理氣體解離並電漿化。藉由該電漿，對基板S施予蝕刻處理。又，在進行電漿處理期間，偏壓用之高頻電力係從第2高頻電源部75經由匹配箱73被供給至基座11。藉此，電漿中的離子會被吸入到基板S。
施予蝕刻處理後，停止來自第1高頻電源部65及第2高頻電源部75之高頻電力的供加，而在停止氣體導入後，使處理容器1內減壓至預定壓力。接下來，打開閘閥，將基板S從基座11收授至未圖示之搬送裝置的
夾盤，並從處理容器1之基板搬送用開口搬出基板S。藉由以上之操作，使基板S進行之電漿蝕刻處理結束。
在本實施形態之電漿蝕刻裝置100中，第1高頻電源部65係具備有：複數個高頻電源140，個別具備有振盪部141與放大部142；及整合器150。藉此，能夠在整合器150中將各高頻電源140所放大的高頻電力合成為一個高頻電力。因此，即使各高頻電源140的額定輸出不大，亦可進行合成而得到大輸出，並能夠實現電漿蝕刻裝置100之大型化的對應。又，在電漿蝕刻裝置100中，不需要大輸出的高頻電力時，亦可於電源控制部130的控制下，以從各高頻電源140均等地進行高頻輸出的方式予以控制。
又，在本實施形態之電漿蝕刻裝置100中，係可藉由電源控制部130的振盪控制部131，使複數個振盪部141所生成之高頻訊號的相位相同。又，由於本實施形態之電漿蝕刻裝置100係具備有以相等的路徑長來連接各放大部142與整合器150的複數個同軸纜線170，因此，能夠使各放大部142所放大的高頻電力相位相同而發送到整合器150。因此，在本實施形態之電漿蝕刻裝置100中，係可藉由整合器150來輕易進行向單一高頻電力的輸出整合。
接下來，參閱圖4，說明關於本發明之第2實施形態
的電漿蝕刻裝置。本實施形態之電漿蝕刻裝置，係在第1高頻電源部具備有複數個整合器來作為電力合成部。下述，以與第1實施形態之電漿蝕刻裝置100的相異點為中心來進行說明，而關於與電漿蝕刻裝置100相同的構成將省略說明。
圖4，係表示第1高頻電源部65A之詳細構成的方塊圖。第1高頻電源部65A，係具備有作為第1控制部的電源控制部130、高頻電源140及複數個整合器150A1，150A2，150B。又，第1高頻電源部65A，係具備有：信號纜線160，連接電源控制部130與高頻電源140；同軸纜線171，連接高頻電源140與整合器150A1、150A2；及同軸纜線172，連接整合器150A1、150A2與整合器150B。
本實施形態之電源控制部130及高頻電源140的構成，係與第1實施形態相同。如圖4所示，整合器150A1、150A2、150B，係被配置成階層狀，且從放大部142之側，具有第1階層的整合器150A1、150A2與第2階層的整合器150B。第1階層之整合器150A1、150A2，係分別藉由等長的同軸纜線171、171，連接於2個高頻電源140。2個高頻電源140分別所生成的高頻電力，係在第1階層的整合器150A1或整合器150A2被合成。在此，由於等長的同軸纜線171、171係從各放大部142以相等的路徑長連接直至整合器150A1或整合器150A2，因此，能夠使各放大部142所放大的高頻電力相同相位，並
在整合器150A1或整合器150A2進行合成。
第2階層之整合器150B，係藉由等長的同軸纜線172、172，連接於第1階層之整合器150A1、150A2。因此，第1階層之整合器150A1、150A2所分別合成的高頻電力，係在第2階層之整合器150B被合成為一個高頻電力。在此，由於等長的同軸纜線172、172係從各整合器150A1、150A2以相等的路徑長連接直至整合器150B，因此，能夠使高頻電力相同相位，並在整合器150B進行合成。
整合器150B，係被連接於匹配箱63。整合器150B所合成的高頻電力，係經由匹配箱63，被供電至作為上部電極作用的噴頭31。
在本實施形態之電漿蝕刻裝置中，係構成為使從各高頻電源140起至整合器150B的路徑長相等。且，多階段地將複數個整合器150A1、150A2、150B配置成階層狀，且使並聯地連接於各整合器150A1、150A2、150B之供電線的長度一致，藉此，可使各放大部142所放大的高頻電力相同相位，而發送到整合器150B。
在本實施形態之電漿蝕刻裝置中，第1高頻電源部65A，係具備有：複數個高頻電源140，個別具備有振盪部141與放大部142；及複數個整合器150A1、150A2、150B，被配置成階層狀。藉此，可藉由複數個整合器150A1、150A2、150B，使各高頻電源140所放大的高頻電力最終合成為一個高頻電力。因此，即使各高頻電
源140的輸出不大，亦可得到大輸出，並能夠實現電漿蝕刻裝置之大型化的對應。又，在電漿蝕刻裝置中，不需要大輸出的高頻電力時，亦可於電源控制部130的控制下，以從各高頻電源140均等地進行高頻輸出的方式予以控制。
又，在本實施形態之電漿蝕刻裝置中，係可藉由電源控制部130之振盪控制部131，使複數個振盪部141所生成之高頻訊號的相位相同。且，由於在本實施形態之電漿蝕刻裝置中係從各放大部142以相等的路徑長來連接直至整合器150B，因此，能夠使各放大部142所放大的高頻電力相位相同而發送到整合器150B。因此，在本實施形態之電漿蝕刻裝置中，係可藉由複數個整合器150A1、150A2、150B來輕易進行向單一高頻電力的輸出整合。
本實施形態之電漿蝕刻裝置中的其他構成及效果，係與第1實施形態相同。另外，雖省略說明，但關於第2高頻電源部75，亦可構成為與第1高頻電源部65A相同。
接下來，參閱圖5，說明關於本發明之第3實施形態的電漿蝕刻裝置。本實施形態之電漿蝕刻裝置，係在第1高頻電源部具備有高頻電源140A，該高頻電源140A係具有一個振盪部141與並聯地連接於該振盪部142的複數個
放大部142。下述，以與第1實施形態之電漿蝕刻裝置100的相異點為中心來進行說明，而關於與電漿蝕刻裝置100相同的構成將省略說明。
圖5，係表示第1高頻電源部65B之詳細構成的方塊圖。第1高頻電源部65B，係具備有作為第1控制部的電源控制部130、高頻電源140A及整合器150。高頻電源140A，係具備有一個振盪部141與並聯地連接於該振盪部141的複數個放大部142。又，第1高頻電源部65B，係具備有：信號纜線161，連接電源控制部130與振盪部141；信號纜線162，連接振盪部141與各放大部142而分歧；及複數個同軸纜線170，連接各放大部142與整合器150。如圖5所示，信號纜線162，係連接於振盪部141之側且為1條，從那裡起在朝向各放大部142的中途分歧成2條，且藉由所分歧的2條各分別分歧成2條，最後分歧成4條進而連接於4個放大部142。
本實施形態之電源控制部130及整合器150的構成，係與第1實施形態相同。如圖5所示，本實施形態，係在高頻電源140A，具備有一個振盪部141。又，藉由所分歧的信號纜線162，以使各放大部142並聯且從振盪部141起至各放大部142之距離成為等長的方式，連接於振盪部141。因此，振盪部141所生成的高頻訊號被均等地配置於各放大部142，且以同相位發送。在各放大部142中，係放大高頻訊號，且作為高頻電力送出至整合器150。同軸纜線170，係以相等的路徑長連接各放大部142
與整合器150。如此一來，可藉由使複數個同軸纜線170之長度相等的方式，使各放大部142所放大的高頻電力相位相同而發送到整合器150。
在本實施形態之電漿蝕刻裝置中，第1高頻電源部65B係具備有：高頻電源140A，具備有一個振盪部141與複數個放大部142；及整合器150。藉此，能夠在整合器150中將各放大部142所放大的高頻電力合成為一個高頻電力。因此，即使各放大部142的輸出不大，亦可得到大輸出，並能夠實現電漿蝕刻裝置之大型化的對應。
又，在本實施形態之電漿蝕刻裝置中，高頻電源140A之一個振盪部141所生成的高頻訊號，係藉由振盪控制部131的控制，經由分歧的信號纜線162，均等地配置於各放大部142，且以同相位發送。在各放大部142中，係放大高頻訊號，並分別作為高頻電力而送出至整合器150。由於在本實施形態之電漿蝕刻裝置中係具備有以相等的路徑長來連接各放大部142與整合器150的複數個同軸纜線170，因此，能夠使各放大部142所放大的高頻電力相位相同而發送到整合器150。
本實施形態之電漿蝕刻裝置中的其他構成及效果，係與第1實施形態相同。另外，在本實施形態中，亦與第2實施形態相同，亦可設成為將複數個整合器配置成階層狀，且藉由複數個整合器將各放大部142所放大的高頻電力最終合成為一個高頻電力之構成。
接下來，參閱圖6，說明關於本發明之第4實施形態的電漿蝕刻裝置。本實施形態之電漿蝕刻裝置，係在電源控制部設置有振盪部。下述，以與第1實施形態之電漿蝕刻裝置100的相異點為中心來進行說明，而關於與電漿蝕刻裝置100相同的構成將省略說明。
圖6，係表示第1高頻電源部65C之詳細構成的方塊圖。第1高頻電源部65C，係具備有作為第1控制部的電源控制部130A、複數個放大部142及整合器150。電源控制部130A，係具有振盪控制部131、電力控制部132及一個振盪部133。又，第1高頻電源部65C，係具備有：信號纜線163，連接電源控制部130A的振盪部133與複數個放大部142而分歧；及同軸纜線170，連接放大部142與整合器150。如圖6所示，信號纜線163，係連接於振盪部133之側且為1條，從那裡起在朝向各放大部142的中途分歧成2條，且藉由所分歧的2條各分別分歧成2條，最後分歧成4條進而連接於4個放大部142。如此一來，在振盪部133中，藉由分歧的信號纜線163，並聯地連接有複數個放大部142。
本實施形態之放大部142及整合器150的構成，係與第1實施形態相同。如圖6所示，本實施形態，係在電源控制部130A中，具備有一個振盪部133。又，藉由分歧的信號纜線163，以使各放大部142並聯且從振
盪部133起至各放大部142之距離成為等長的方式，連接於振盪部133。因此，振盪部133所生成的高頻訊號被均等地配置於各放大部142，且以同相位發送。在各放大部142中，係放大高頻訊號，且作為高頻電力送出至整合器150。同軸纜線170，係以相等的路徑長連接各放大部142與整合器150。如此一來，可藉由使複數個同軸纜線170之長度相等的方式，使各放大部142所放大的高頻電力相位相同而發送到整合器150。
在本實施形態之電漿蝕刻裝置中，由於第1高頻電源部65C係具備有複數個放大部142與整合器150，因此，可在整合器150中將各放大部142所放大的高頻電力合成為一個高頻電力。因此，即使各放大部142的輸出不大，亦可得到大輸出，並能夠實現電漿蝕刻裝置之大型化的對應。
又，在本實施形態之電漿蝕刻裝置中，電源控制部130A之一個振盪部133所生成的高頻訊號，係藉由振盪控制部131的控制，經由分歧的信號纜線163，均等地配置於各放大部142，且以同相位發送。在各放大部142中，係放大高頻訊號，且作為高頻電力送出至整合器150。由於在本實施形態之電漿蝕刻裝置中係具備有以相等的路徑長來連接各放大部142與整合器150的複數個同軸纜線170，因此，能夠使各放大部142所放大的高頻電力相位相同而發送到整合器150。
本實施形態之電漿蝕刻裝置中的其他構成及
效果，係與第1實施形態相同。另外，在本實施形態中，亦與第2實施形態相同，亦可設成為將複數個整合器配置成階層狀，且藉由複數個整合器將各放大部142所放大的高頻電力最終合成為一個高頻電力之構成。
以上，雖以例示之目的詳細說明了本發明之實施形態，但本發明並不限於上述實施形態，亦可進行各種變形。例如，在上述實施形態中，雖然係以分別對上部電極與下部電極供給高頻電力的電漿處理裝置為對象，但本發明係亦同樣可適用於對上部電極或下部電極之任一方供給高頻電力的情況或對上部電極或下部電極供給2個系統以上之高頻電力的情況。
又，在上述實施形態中，雖係以平行平板型的電漿蝕刻裝置為例，但本發明係只要是對上部電極及/或下部電極供給高頻電力的電漿處理裝置，則不需特別限制而皆適用。例如，亦可適用於感應耦合電漿裝置等其他方式的電漿蝕刻裝置。又，不限於乾蝕刻裝置，亦可相同適用於成膜裝置或灰化裝置等。
又，本發明不限於以FPD用基板作為被處理體者，亦可應用於以例如半導體晶圓或太陽能電池用基板作為被處理體的情形。
Claims (4)
- 一種電漿處理裝置，係具備收容被處理體的處理容器與輸出參與前述處理容器內所生成之電漿之高頻電力的高頻電源部，其特徵係，前述高頻電源部，係具備有：複數個振盪部，生成高頻訊號；複數個電力放大部，根據前述振盪部所生成之高頻訊號，進行電力放大而得到高頻電力；電力合成部，並聯地連接有複數個前述電力放大部，將來自各電力放大部的高頻電力合成為單一高頻電力；複數個供電線，以相等的路徑長連接前述電力放大部與前述電力合成部；及第1控制部，控制前述振盪部，對應前述電力放大部而各設置一個前述振盪部，前述第1控制部，係進行控制以使從複數個前述振盪部分別對前述複數個電力放大部送出的高頻訊號形成為同相位。
- 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，前述電力合成部，係具有：複數個整合器，多階段地設成為階層狀；及複數個供電線，以相等的路徑長來連接階層不同的前述整合器之間，多階段地合成來自前述電力放大部的高頻電力。
- 如申請專利範圍第1項之電漿處理裝置，其中，從複數個前述振盪部分別發送高頻訊號到複數個前述電力放大部的複數個傳送路徑，係以相等的路徑長來予以設置。
- 如申請專利範圍第1~3項中任一項之電漿處理裝置，其中，更具備有控制前述第1控制部的第2控制部。
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