TWI621256B - 顯示裝置 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一種顯示裝置，包括多個電晶體；以及發光二極體晶片，對應至少兩個電晶體設置。

Description

顯示裝置

本揭露係有關於顯示裝置，且特別係有關於一種具有發光二極體晶片之顯示裝置。

隨著數位科技的發展，顯示裝置已被廣泛地應用在日常生活的各個層面中，例如其已廣泛應用於電視、筆記本、電腦、行動電話、智慧型手機等現代化資訊設備，且此顯示裝置不斷朝著輕、薄、短小及時尚化方向發展。而此顯示裝置包括發光二極體顯示裝置。

發光二極體(LEDs)係利用p-n接面中的電子-電洞對的再結合(recombination)來產生電磁輻射(例如光)。在例如GaAs或GaN之直接能隙材料(direct band gap material)形成的順向偏壓的P-N接面中，注入空乏區中的電子-電洞對的再結合產生電磁輻射。上述電磁輻射可位於可見光區或非可見光區，且具有不同能隙的材料會形成不同顏色的發光二極體。

在現今發光二極體顯示裝置產業皆朝大量生產之趨勢邁進的情況下，任何發光二極體顯示裝置之生產成本的減少皆可帶來巨大之經濟效益。然而，目前的顯示裝置並非各方面皆令人滿意。

因此，業界仍須一種可更進一步降低製造成本之顯示裝置。

本揭露提供一種顯示裝置包括：多個電晶體；以及發光二極體晶片，對應至少兩個電晶體設置。

為讓本揭露之特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

100‧‧‧顯示裝置

102‧‧‧顯示區

104‧‧‧非顯示區

106‧‧‧外部接腳連接區

110‧‧‧發光二極體晶片

112‧‧‧電極

114‧‧‧第一基板

116‧‧‧電晶體

116A‧‧‧電晶體

116B‧‧‧電晶體

116C‧‧‧電晶體

118‧‧‧閘極電極

120‧‧‧閘極介電層

122‧‧‧半導體層

124‧‧‧源極電極

126‧‧‧汲極電極

128‧‧‧連接電極

130‧‧‧第二基板

130S1‧‧‧前側

130S2‧‧‧背側

132‧‧‧發光單元

132A‧‧‧發光單元

132B‧‧‧發光單元

132C‧‧‧發光單元

132D‧‧‧發光單元

132E‧‧‧發光單元

132F‧‧‧發光單元

134‧‧‧第一電極

136‧‧‧彩色濾光層

136A‧‧‧藍色濾光層

136B‧‧‧紅色濾光層

136C‧‧‧綠色濾光層

138‧‧‧螢光層

146‧‧‧量子點薄膜

146A‧‧‧第一量子點薄膜

146B‧‧‧第二量子點薄膜

146C‧‧‧第三量子點薄膜

148‧‧‧光致發光層

148A‧‧‧第一光致發光層

148B‧‧‧第二光致發光層

148C‧‧‧第三光致發光層

200‧‧‧顯示裝置

210‧‧‧發光二極體晶片

212‧‧‧第三電極

216‧‧‧電晶體

216A、216B、216C、216D、216E、216F‧‧‧電晶體

228‧‧‧連接電極

232‧‧‧發光單元

234‧‧‧第一電極

238‧‧‧第二電極

310‧‧‧發光二極體晶片

310A‧‧‧發光二極體晶片

310B‧‧‧發光二極體晶片

310C‧‧‧發光二極體晶片

316‧‧‧電晶體

400A‧‧‧顯示裝置

410A‧‧‧發光二極體晶片

412‧‧‧列共同電極

416‧‧‧電晶體

432‧‧‧發光單元

440A‧‧‧第一電晶體列

440B‧‧‧第二電晶體列

442A‧‧‧第一電晶體行

442B‧‧‧第二電晶體行

444A‧‧‧第一資料線

444B‧‧‧第二資料線

446A‧‧‧第一閘極線

446B‧‧‧第二閘極線

448‧‧‧行共同電極

500A‧‧‧顯示裝置

500B‧‧‧顯示裝置

516‧‧‧電晶體

510A‧‧‧發光二極體晶片

510B‧‧‧發光二極體晶片

540A‧‧‧第一電晶體列

540B‧‧‧第二電晶體列

600A‧‧‧顯示裝置

610A‧‧‧發光二極體晶片

610B‧‧‧發光二極體晶片

614‧‧‧第一基板

616A‧‧‧電晶體

616B‧‧‧電晶體

628A‧‧‧連接電極

628B‧‧‧連接電極

632A‧‧‧發光單元

632B‧‧‧發光單元

632C‧‧‧發光單元

632D‧‧‧發光單元

634A‧‧‧第一電極

634B‧‧‧第一電極

636‧‧‧彩色濾光層

638‧‧‧第二電極

646‧‧‧閘極線

648A‧‧‧資料線

648B‧‧‧資料線

650‧‧‧行共同電極

652A‧‧‧遮光層

652B‧‧‧遮光層

700A‧‧‧顯示裝置

710A‧‧‧發光二極體晶片

710B‧‧‧發光二極體晶片

716A‧‧‧電晶體

716B‧‧‧電晶體

716C‧‧‧電晶體

716D‧‧‧電晶體

726A‧‧‧連接電極

726B‧‧‧連接電極

726C‧‧‧連接電極

726D‧‧‧連接電極

732A‧‧‧發光單元

732B‧‧‧發光單元

732C‧‧‧發光單元

732D‧‧‧發光單元

746A‧‧‧閘極線

746B‧‧‧閘極線

748A‧‧‧資料線

748B‧‧‧資料線

750‧‧‧行共同電極

800A‧‧‧顯示裝置

810A‧‧‧發光二極體晶片

810B‧‧‧發光二極體晶片

816A‧‧‧電晶體

816B‧‧‧電晶體

826A‧‧‧連接電極

826B‧‧‧連接電極

832A‧‧‧發光單元

832B‧‧‧發光單元

846A‧‧‧閘極線

846B‧‧‧閘極線

848‧‧‧資料線

854‧‧‧列共同電極

900A‧‧‧顯示裝置

910A‧‧‧發光二極體晶片

910B‧‧‧發光二極體晶片

916A‧‧‧電晶體

916B‧‧‧電晶體

916C‧‧‧電晶體

916D‧‧‧電晶體

926A‧‧‧連接電極

926B‧‧‧連接電極

926C‧‧‧連接電極

926D‧‧‧連接電極

932A‧‧‧發光單元

932B‧‧‧發光單元

932C‧‧‧發光單元

932D‧‧‧發光單元

946A‧‧‧閘極線

946B‧‧‧閘極線

948A‧‧‧資料線

948B‧‧‧資料線

954‧‧‧列共同電極

1000A‧‧‧顯示裝置

1010A‧‧‧發光二極體晶片

1010B‧‧‧發光二極體晶片

1016A‧‧‧電晶體

1016B‧‧‧電晶體

1016C‧‧‧電晶體

1016D‧‧‧電晶體

1026A‧‧‧連接電極

1026B‧‧‧連接電極

1026C‧‧‧連接電極

1026D‧‧‧連接電極

1032A‧‧‧發光單元

1032B‧‧‧發光單元

1032C‧‧‧發光單元

1032D‧‧‧發光單元

1046A‧‧‧閘極線

1046B‧‧‧閘極線

1048A‧‧‧資料線

1048B‧‧‧資料線

1050‧‧‧行共同電極

1054‧‧‧列共同電極

1100A‧‧‧顯示裝置

1110A‧‧‧發光二極體晶片

1110B‧‧‧發光二極體晶片

1116A‧‧‧電晶體

1116B‧‧‧電晶體

1116C‧‧‧電晶體

1116D‧‧‧電晶體

1126B‧‧‧連接電極

1126C‧‧‧連接電極

1146‧‧‧閘極線

1148A‧‧‧資料線

1148B‧‧‧資料線

1148C‧‧‧資料線

1148D‧‧‧資料線

1150‧‧‧行共同電極

S1‧‧‧第一側

S2‧‧‧第二側

S3‧‧‧第一側

S4‧‧‧第二側

S5‧‧‧第一側

S6‧‧‧第二側

S7‧‧‧第三側

S8‧‧‧第四側

1B‧‧‧區域

1C-1C‧‧‧線段

2B-2B‧‧‧線段

6E-6E‧‧‧線段

A1‧‧‧方向

A2‧‧‧方向

1210‧‧‧發光二極體晶片

1232A‧‧‧發光單元

1232B‧‧‧發光單元

1232C‧‧‧發光單元

1232S1‧‧‧上表面

1232S2‧‧‧下表面

12A1‧‧‧電極

12A2‧‧‧電極

12B1‧‧‧電極

12B2‧‧‧電極

12C1‧‧‧電極

12C2‧‧‧電極

SB‧‧‧基板

1310‧‧‧發光二極體晶片

1332A‧‧‧發光單元

1332B‧‧‧發光單元

1332C‧‧‧發光單元

13A1‧‧‧電極

13B1‧‧‧電極

13C1‧‧‧電極

13E‧‧‧電極

1410‧‧‧發光二極體晶片

1432A‧‧‧發光單元

1432B‧‧‧發光單元

1432C‧‧‧發光單元

1432D‧‧‧發光單元

1432S2‧‧‧下表面

14A1‧‧‧電極

14A2‧‧‧電極

14B1‧‧‧電極

14B2‧‧‧電極

14C1‧‧‧電極

14C2‧‧‧電極

14D1‧‧‧電極

14D2‧‧‧電極

1510‧‧‧發光二極體晶片

1532A‧‧‧發光單元

1532B‧‧‧發光單元

1532C‧‧‧發光單元

1532D‧‧‧發光單元

1532S1‧‧‧上表面

1532S2‧‧‧下表面

15A1‧‧‧電極

15B1‧‧‧電極

15C1‧‧‧電極

15D1‧‧‧電極

15E‧‧‧電極

1610‧‧‧發光二極體晶片

1632A‧‧‧發光單元

1632B‧‧‧發光單元

16A1‧‧‧電極

16B1‧‧‧電極

16E‧‧‧電極

1710‧‧‧發光二極體晶片

1732A‧‧‧發光單元

1732B‧‧‧發光單元

1732C‧‧‧發光單元

1732S1‧‧‧上表面

1738‧‧‧波長轉換材料層

17A1‧‧‧電極

17B1‧‧‧電極

17C1‧‧‧電極

17E‧‧‧電極

1810‧‧‧發光二極體晶片

1832A‧‧‧發光單元

1832B‧‧‧發光單元

1832C‧‧‧發光單元

1838B‧‧‧波長轉換材料層

1838C‧‧‧波長轉換材料層

18A1‧‧‧電極

18B1‧‧‧電極

18C1‧‧‧電極

18E‧‧‧電極

1910‧‧‧發光二極體晶片

1932A‧‧‧發光單元

1932B‧‧‧發光單元

1932C‧‧‧發光單元

1932S1‧‧‧上表面

1932S2‧‧‧下表面

19A1‧‧‧電極

19A2‧‧‧電極

19B1‧‧‧電極

19B2‧‧‧電極

19C1‧‧‧電極

19C2‧‧‧電極

2010‧‧‧發光二極體晶片

2032A‧‧‧發光單元

2032B‧‧‧發光單元

2032C‧‧‧發光單元

2032S1‧‧‧上表面

2032S2‧‧‧下表面

20A1‧‧‧電極

20B1‧‧‧電極

20C1‧‧‧電極

20E‧‧‧電極

2110‧‧‧發光二極體晶片

2132A‧‧‧發光單元

2132B‧‧‧發光單元

2132S1‧‧‧上表面

2132S2‧‧‧下表面

21A1‧‧‧電極

21B1‧‧‧電極

21E‧‧‧電極

2210‧‧‧發光二極體晶片

2232A‧‧‧發光單元

2232B‧‧‧發光單元

2232C‧‧‧發光單元

2232D‧‧‧發光單元

2232S1‧‧‧上表面

2232S2‧‧‧下表面

22A1‧‧‧電極

22B1‧‧‧電極

22C1‧‧‧電極

22D1‧‧‧電極

22E‧‧‧電極

2310‧‧‧發光二極體晶片

2332A‧‧‧發光單元

2332B‧‧‧發光單元

2332C‧‧‧發光單元

2332D‧‧‧發光單元

2332S1‧‧‧上表面

2332S2‧‧‧下表面

23A1‧‧‧電極

23A2‧‧‧電極

23B1‧‧‧電極

23B2‧‧‧電極

23C1‧‧‧電極

23C2‧‧‧電極

23D1‧‧‧電極

23D2‧‧‧電極

2410A‧‧‧發光二極體晶片

2410B‧‧‧發光二極體晶片

2410C‧‧‧發光二極體晶片

2410D‧‧‧發光二極體晶片

2432A‧‧‧發光單元

2432B‧‧‧發光單元

2432C‧‧‧發光單元

2510A‧‧‧發光二極體晶片

2510B‧‧‧發光二極體晶片

2532A‧‧‧發光單元

2532B‧‧‧發光單元

2532C‧‧‧發光單元

第1A圖係本揭露實施例之顯示裝置之上視圖。

第1B圖係第1A圖之顯示裝置之區域1B的放大圖。

第1C圖係沿著第1B圖之線段1C-1C所繪製之剖面圖。

第1D圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之剖面圖。

第1E圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之剖面圖。

第1F圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之剖面圖。

第1G圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之剖面圖。

第1H圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之剖面圖。

第1I圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之剖面圖。

第1J圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之剖面圖。第2A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之上視圖。

第2B圖係沿著第2A圖之線段2B-2B所繪製之剖面圖。

第3圖係本揭露用以列舉的發光二極體晶片對應的電晶體數量的三種可能態樣之顯示裝置之上視圖。

第4A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之上視圖。

第4B圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之上視圖。

第5A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之上視圖。

第5B圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之上視圖。

第6A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第6B圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第6C圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第6D圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第6E圖係沿著第6D圖之線段6E-6E所繪製之剖面圖。

第6F圖係沿著第6D圖之實施例之發光二極體晶片及第一基板之分解圖。

第7A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第7B圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第7C圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第7D圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第8A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第8B圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第8C圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第8D圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第9A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第9B圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第9C圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第9D圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第10A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第10B圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第10C圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第10D圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第11A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第11B圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第11C圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第11D圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第11E圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之局部上視圖。

第12A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片及基板之剖面圖。

第12B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之下視圖。

第13A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片及基板之剖面圖。

第13B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之下視圖。

第14A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片及基板之剖面圖。

第14B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之下視圖。

第15A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片及基板之剖面圖。

第15B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之下視圖。

第16A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片及基板之剖面圖。

第16B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之下視圖。

第17A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片及基板之剖面圖。

第17B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之下視圖。

第18A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片及基板之剖面圖。

第18B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之下視圖。

第19A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片及基板之剖面圖。

第19B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之下視圖。

第20A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片及基板之剖面圖。

第20B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之下視圖。

第21A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片及基板之剖面圖。

第21B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之下視圖。

第22圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之側視圖。

第23圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之側視圖。

第24A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之上視圖。

第24B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之上視圖。

第24C圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之上視圖。

第24D圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之上視圖。

第25A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之上視圖。

第25B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片之上視圖。

以下針對本揭露之顯示裝置作詳細說明。應了解的是，以下之敘述提供許多不同的實施例或例子，用以實施本揭露之不同樣 態。以下所述特定的元件及排列方式僅為簡單清楚描述本揭露。當然，這些僅用以舉例而非本揭露之限定。此外，在不同實施例中可能使用重複的標號或標示。這些重複僅為了簡單清楚地敘述本揭露，不代表所討論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。再者，當述及一第一材料層位於一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸之情形。或者，亦可能間隔有一或更多其它材料層之情形，在此情形中，第一材料層與第二材料層之間可能不直接接觸。

必需了解的是，圖式之元件或裝置可以此技術人士所熟知之各種形式存在。此外，當某層在其它層或基板「上」時，有可能是指「直接」在其它層或基板上，或指某層在其它層或基板上，或指其它層或基板之間夾設其它層。

此外，實施例中可能使用相對性的用語，例如「較低」或「底部」及「較高」或「頂部」，以描述圖式的一個元件對於另一元件的相對關係。能理解的是，如果將圖式的裝置翻轉使其上下顛倒，則所敘述在「較低」側的元件將會成為在「較高」側的元件。

在此，「約」、「大約」、「大抵」之用語通常表示在一給定值或範圍的20%之內，較佳是10%之內，且更佳是5%之內，或3%之內，或2%之內，或1%之內，或0.5%之內。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明「約」、「大約」、「大抵」的情況下，仍可隱含「約」、「大約」、「大抵」之含義。

能理解的是，雖然在此可使用用語「第一」、「第二」、「第三」等來敘述各種元件、組成成分、區域、層、及/或部分，這些元件、組成成分、區域、層、及/或部分不應被這些用語限定，且這些用語僅是用來區別不同的元件、組成成分、區域、層、及/或部分。 因此，以下討論的一第一元件、組成成分、區域、層、及/或部分可在不偏離本揭露之教示的情況下被稱為一第二元件、組成成分、區域、層、及/或部分。

除非另外定義，在此使用的全部用語(包括技術及科學用語)具有與此篇揭露所屬之一般技藝者所通常理解的相同涵義。能理解的是這些用語，例如在通常使用的字典中定義的用語，應被解讀成具有一與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在此特別定義。

本揭露實施例可配合圖式一併理解，本揭露之圖式亦被視為揭露說明之一部分。需了解的是，本揭露之圖式並未以實際裝置及元件之比例繪示。在圖式中可能誇大實施例的形狀與厚度以便清楚表現出本揭露之特徵。此外，圖式中之結構及裝置係以示意之方式繪示，以便清楚表現出本揭露之特徵。

在本揭露中，相對性的用語例如「下」、「上」、「水平」、「垂直」、「之下」、「之上」、「頂部」、「底部」等等應被理解為該段以及相關圖式中所繪示的方位。此相對性的用語僅是為了方便說明之用，其並不代表其所敘述之裝置需以特定方位來製造或運作。而關於接合、連接之用語例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可指兩個結構係直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其它結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包括兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之情況。

應注意的是，在後文中「基底」一詞可包括半導體晶圓上已形成的元件與覆蓋在晶圓上的各種膜層，其上方可以已形成任何所需的半導體元件，不過此處為了簡化圖式，僅以平整的基底表示之 。此外，「基底表面」係包括半導體晶圓上最上方且暴露之膜層，例如一矽表面、一絕緣層及/或金屬線。

本揭露實施例係使顯示裝置中的發光二極體晶片對應至少兩個電晶體設置，以減少顯示裝置中所使用之發光二極體晶片之數量。因此可減少製程中貼合發光二極體晶片之次數，故可減少製程時間及製程成本，並提升良率。

參見第1A-1B圖，第1A圖係本揭露實施例之顯示裝置100之上視圖，而第1B圖係第1A圖之顯示裝置100之區域1B的放大圖。如第1A圖所示，顯示裝置100包括顯示區102及相鄰顯示區102之非顯示區104。在此實施例中，非顯示區104係包圍顯示區102。此顯示區102係指顯示裝置100中設有電晶體的顯示區域。更廣義的說，顯示區102指的是顯示裝置100扣除非顯示區的部分，而此電晶體例如可為薄膜電晶體。此外，此非顯示區104可包括一外部接腳連接區(Out Lead Bonding，OLB)106。

參見第1A-1B圖，顯示裝置100可為一發光二極體顯示裝置。此顯示裝置100包括多個電晶體116以及對應至少兩個電晶體116設置之發光二極體晶片110，在本揭露實施例為對應三個電晶體(例如116A、116B或116C)設置之發光二極體晶片110。顯示裝置100更包括一共同電極112。

本揭露實施例使顯示裝置中的一個發光二極體晶片對應三個電晶體設置，以減少顯示裝置中所使用之發光二極體晶片之數量，以及製程中接著發光二極體晶片之次數，故可減少製程成本及製程時間，並提升良率。

第1C圖係沿著第1B圖之線段1C-1C所繪製之剖面圖。參 見第1C圖，顯示裝置100包括第一基板114，此第一基板114可為一電晶體基板。此作為電晶體基板之第一基板114可為一透明基板，其材料例如可為玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或其它任何適合之透明基板。此外，第一基板114之上設有用以控制發光二極體晶片110發光之電晶體116，例如薄膜電晶體。

電晶體116的形式可為下閘極或上閘極。詳細而言，參見第1C圖，下閘極形式的電晶體116可包括閘極電極118、閘極介電層120、半導體層122、源極電極124和汲極電極126。此閘極電極118係設於第一基板114之上，而此閘極介電層120係覆蓋於此閘極電極118及第一基板114上，此半導體層122係設於此閘極介電層120上，且對應該閘極電極118設置。此源極電極124係設於半導體層122上，並與部分半導體層122重疊。此汲極電極126亦設於半導體層122上，並與另一部分半導體層122重疊。至於上閘極形式的電晶體116為本技術領域人員所熟知，故不再贅述其結構。

閘極電極118之材料可包括銅、鋁、鉬、鎢、金、鉻、鎳、鉑、鈦、銥、銠、上述之合金、上述之組合或其它導電性佳的金屬材料。於其它實施例中，上述閘極電極118之材料可為一非金屬材料，只要使用之材料具有導電性即可。閘極電極118可電性連接至閘極線。

閘極介電層120可為氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、矽甲烷、高介電常數(high-k)介電材料、或其它任何適合之介電材料、或上述之組合。此高介電常數(high-k)介電材料之材料可為金屬氧化物、金屬氮化物、金屬矽化物、過渡金屬氧化物、過渡金屬氮化物、過渡金屬矽化物、金屬的氮氧化物、金屬鋁酸鹽、鋯矽酸鹽、鋯鋁酸鹽。例如，此高介電常數(high-k)介電材料可為LaO、AlO、ZrO、TiO、Ta₂O₅ 、Y₂O₃、SrTiO₃(STO)、BaTiO₃(BTO)、BaZrO、HfO₂、HfO₃、HfZrO、HfLaO、HfSiO、HfSiON、LaSiO、AlSiO、HfTaO、HfTiO、HfTaTiO、HfAlON、(Ba,Sr)TiO₃(BST)、Al₂O₃、其它適當材料之其它高介電常數介電材料、或上述組合。此介電材料層可藉由化學氣相沉積法(CVD)或旋轉塗佈法形成，此化學氣相沉積法例如可為低壓化學氣相沉積法(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、低溫化學氣相沉積法(low temperature chemical vapor deposition，LTCVD)、快速升溫化學氣相沉積法(rapid thermal chemical vapor deposition，RTCVD)、電漿輔助化學氣相沉積法(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子層化學氣相沉積法之原子層沉積法(atomic layer deposition，ALD)或其它常用的方法。

半導體層122可包括可為元素半導體，包括非晶矽(amorphous-Si)、多晶矽(poly-Si)、鍺(germanium)；化合物半導體，包括氮化鎵(gallium nitride，GaN)、碳化矽(silicon carbide)、砷化鎵(gallium arsenide)、磷化鎵(gallium phosphide)、磷化銦(indium phosphide)、砷化銦(indium arsenide)及/或銻化銦(indium antimonide)；合金半導體，包括矽鍺合金(SiGe)、磷砷鎵合金(GaAsP)、砷鋁銦合金(AlInAs)、砷鋁鎵合金(AlGaAs)、砷銦鎵合金(GaInAs)、磷銦鎵合金(GaInP)及/或磷砷銦鎵合金(GaInAsP)；金屬氧化物，包括氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵錫鋅(IGZTO)； 有機半導體，包括多環芳族化合物，或上述材料之組合。

源極電極124和汲極電極126之材料可包括銅、鋁、鎢、金、鉻、鎳、鉑、鈦、銥、銠、上述之合金、上述之組合或其它導電性佳的金屬材料。於其它實施例中，上述源極電極124和汲極電極126之材料可為一非金屬材料，只要使用之材料具有導電性即可。源極電極124可電性連接至一資料線。

電晶體116可更包括設於第一基板114上之連接電極128，此連接電極128電性連接至汲極電極126。此外，汲極電極126也可直接作為連接電極128使用，如此即可不需另外製作連接電極128。

此連接電極128包括任何可導電的材料，例如為銅、鋁、鎢、金、鉻、鎳、鉑、鈦、銥、銠、上述之合金，或銦錫氧化物(ITO)氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化銻錫(ATO)、氧化銻鋅(AZO)、上述之組合或其它任何適合之透明導電氧化物材料。

顯示裝置100更包括與此第一基板114相對設置之第二基板130。此第二基板130可包括玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或其它任何適合之透明基板。此外，發光二極體晶片110與第二基板130之間具有一間隙，此間隙係藉由設置於顯示區102內的間隔物，或設置於非顯示區104的間隔物所造成，此間隔物可於顯示裝置100被按壓時防止發光二極體晶片110接觸第二基板130而損壞。在此揭露實施例中，該間隔物的材料為感光有機材料。

此外，此顯示裝置100之發光二極體晶片110係設於上述第一基板114與第二基板130之間。此發光二極體晶片110包括多個發光單元132。發光單元132可包括紫外光發光二極體發光單元、藍光發 光二極體發光單元、綠光發光二極體發光單元、紅光發光二極體發光單元或其它任何適合之發光二極體發光單元。

在第1B-1C圖所示之實施例中，發光二極體晶片110包括三個發光單元132A、132B及132C，分別電性連接三個電晶體116A、116B及116C。發光單元132A係藉由一第一電極134電性連接至連接電極128，並藉由一第二電極電性連接至共同電極112。此共同電極112包括任何可導電的材料，例如為銅、鋁、鎢、金、鉻、鎳、鉑、鈦、銥、銠、上述之合金，或銦錫氧化物(ITO)氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化銻錫(ATO)、氧化銻鋅(AZO)、上述之組合或其它任何適合之透明導電氧化物材料。

此外，電流係經由電晶體116A及第一電極134流入發光單元132A，並由第二電極流出發光單元132A，藉此讓發光單元132A發光。在本揭露實施例中，發光單元的材料可為任何已知或理論上可行的電致發光材料，例如無機發光二極體或有機發光二極體。

此外，在第1B-1C圖所示之實施例中，發光二極體晶片110係對應至多個電晶體116設置，且此發光二極體晶片110包括兩個分別發出不同顏色的發光單元，在本揭露中，發光單元可發出的顏色並不限制於紅綠藍三原色，其他在理論上或實際上可由電致發光元件產生的顏色皆可。例如，在一些實施例中，電晶體116A所電性連接發光單元132A係發出藍光，電晶體116B所電性連接之發光單元132B係發出紅光，電晶體116C所電性連接之發光單元132C係發出綠光。在其他實施例中，三個發光單元132A、132B及132C可具有不同於第1C圖所示的排列順序。

應注意的是，除上述第1C圖所示之實施例以外，在本揭露中，對應多個電晶體設置的發光二極體晶片亦可包括發出一種顏色之發光單元，如第1D-1E圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第1C圖所示之實施例為限。應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。

第1D圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之剖面圖。參見第1D圖，一個發光二極體晶片110對應多個電晶體116設置，且此發光二極體晶片110包括發出一種顏色之發光單元。易言之，第1D圖之發光二極體晶片110對應三個電晶體116A、116B及116C設置，而分別電性連接此三個電晶體116A、116B及116C之發光單元132D、132E、132F皆發出相同顏色的光，例如紅光、綠光、藍光、白光，但並不以此為限。

此外，在此實施例中，發光二極體晶片110包括發出白光之發光單元，顯示裝置100更包括設於第二基板130上之彩色濾光層136。在一實施例中，此彩色濾光層136可包括藍色濾光層136A、紅色濾光層136B、綠色濾光層136C，分別對應發光單元132D、132E、132F。

應注意的是，除上述第1D圖所示之實施例以外，本揭露之彩色濾光層亦可置換為其他膜層，如第1E圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第1D圖所示之實施例為限。

第1E圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之剖面圖。在此實施例中，顯示裝置100更包括設於第二基板130上之量子點薄膜146，此量子點薄膜146包括第一量子點薄膜146A、第二量子點薄膜146B 、及第三量子點薄膜146C，分別對應發光單元132D、132E、132F，且發光單元132D、132E、132F皆發出相同顏色的光，例如波長為380~500nm的藍光。

此量子點薄膜146之材料可包括混摻量子點(quantumdot)之有機層或無機層，此量子點係為一成分包含有鋅、鎘、硒、硫、或其組合的奈米三維結構。此量子點之粒徑約為1nm-10nm。藉由調整量子點之粒徑，可改變量子點薄膜146被光源(例如：波長為380~500nm的藍光)激發後所產生的光的頻譜。例如，混摻有第一粒徑的量子點的第一量子點薄膜146A被藍光激發後會產生第一顏色光，混摻有第二粒徑的量子點的第二量子點薄膜146B被藍光激發後會產生第二顏色光，混摻有第三粒徑的量子點的第三量子點薄膜146C被藍光激發後會產生第三顏色光，其中，第一顏色光、第二顏色光與第三顏色光分別具有不同的頻譜。

第1F圖係揭露另一實施例之顯示裝置之剖面圖。在此實施例中，此量子點薄膜146包括第二量子點薄膜146B與第三量子點薄膜146C，分別對應發光單元132E、132F。此量子點薄膜146可藉由省去對應發光單元132D的第一量子點薄膜146A來節省材料成本，且發光單元132D、132E、132F皆發出相同顏色的光，例如波長為380~500nm的藍光。

第1G圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之剖面圖。在此實施例中，發光單元132D、132E、132F皆發出相同顏色的光，例如藍光、紫外光、或任何其他適合之顏色的光。顯示裝置100包括設於第二基板130上之彩色濾光層136。在一實施例中，此彩色濾光層136可包括藍色濾光層136A、紅色濾光層136B、綠色濾光層136C，分別對 應發光單元132D、132E、132F。發光二極體晶片110上可形成有一光致發光層138。而發光單元132D、132E、132F發出之光經過光致發光層138後產生白光，白光再經過彩色濾光層136即可產生不同顏色的光。此光致發光層138可包括螢光層、磷光層、前述量子點薄膜、或其他任何適合之光致發光材料。上述螢光層之材料可為鋁酸鹽(Aluminate)、矽酸鹽(Silicate)、氮化物(Nitride)、氮氧化物(Oxynitride)、硫化物、鹵化物、上述之組合、或其它任何適合之螢光材料。

此外，第二基板130具有互為相反側之前側130S1與背側130S2。需注意的是，雖然第1G圖之彩色濾光層136係設於第二基板130之前側130S1，然而此彩色濾光層136亦可設於第二基板130之背側130S2。或者，在其它實施例中，此彩色濾光層136可設於發光二極體晶片110至第二基板130之背側130S2之間任何適合之位置，而此時第二基板130為顯示裝置100於出光方向上最外側之載體。

第1H圖係揭露另一實施例之顯示裝置之剖面圖。在此實施例中，此彩色濾光層136包括紅色濾光層136B與綠色濾光層136C，分別對應發光單元132E、132F。此彩色濾光層136可藉由省去對應發光單元132D的第一彩色濾光層136A來節省材料成本。此光致發光層138也可藉由省去對應發光單元132D的部分來進一步節省材料成本。且發光單元132D、132E、132F皆發出相同顏色的光，例如藍光或任何其他適合之顏色的光。

第1I圖係本揭露另一實施例之顯示裝置之剖面圖。在此實施例中，顯示裝置100包括設於發光二極體晶片110上之光致發光層148，此光致發光層148包括第一光致發光層148A、第二光致發光層148B、及第三光致發光層148C，分別對應發光單元132D、132E、132F ，且發光單元132D、132E、132F皆發出相同顏色的光，例如藍光、紫外光、或任何其他適合之顏色的光。

此光致發光層148可包括螢光層、磷光層、前述量子點薄膜、或其他任何適合之光致發光材料，且發光單元132D、132E、132F透過此三個光致發光層148(亦即第一光致發光層148A、第二光致發光層148B、及第三光致發光層148C)產生三種顏色的光(例如藍光、紅光及綠光)。

需注意的是，雖然第1I圖之光致發光層148係設於發光二極體晶片110上，然而此光致發光層148亦可設於發光二極體晶片110內。或者，在其它實施例中，可將此光致發光層之光致發光材料混合於陣列基板(包括第一基板114、電晶體116與發光二極體晶片110等元件)與第二基板130貼合時的膠材中。或者，在其它實施例中，第二基板130具有互為相反側之前側130S1與背側130S2，而此光致發光層148可設於第二基板130之前側130S1或背側130S2。或者，在其它實施例中，此彩色濾光層136可設於發光二極體晶片110至第二基板130之背側130S2之間任何適合之位置，而此時第二基板130為顯示裝置100於出光方向上最外側之載體。

第1J圖係揭露另一實施例之顯示裝置之剖面圖。在此實施例中，此光致發光層148包括第二光致發光層148B與第三光致發光層148C，分別對應發光單元132E、132F。此光致發光層148可藉由省去對應發光單元132D的第一光致發光層148A來節省材料成本，且發光單元132D、132E、132F皆發出相同顏色的光，例如藍光、或任何其他適合之顏色的光。

本揭露一些實施例係將發出不同顏色(例如紅色、藍色 、綠色)之發光二極體晶片設於陣列基板上。然而，由於生產過程中的變異，即使是相同顏色之發光二極體晶片之間仍存在有頻譜之差異。且在將發光二極體晶片接合於陣列基板前，需選擇具有適當發光頻譜之發光二極體晶片，且接合時需分別接合不同顏色之發光二極體晶片，故造成生產時間增加。因此，本揭露一些實施例藉由使用單一顏色之發光二極體晶片，並配合彩色濾光層及/或光致發光層，以達成全彩化且可大幅降低生產時間。

此外，如第1A-1B圖所示，發光二極體晶片110完全覆蓋顯示區。此外，此發光二極體晶片110係對應3N個電晶體116設置，其中N為1以上之正整數。由於白色係由三原色(紅色、藍色與綠色)所組成，因此將發光二極體晶片110對應的電晶體116的數目設定為3N，在理論上可最佳化發光二極體晶片110的使用數量，例如在第1B圖中，此發光二極體晶片110係對應三個電晶體116A、116B、116C設置。

第2A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置200之上視圖。如第2A圖所示，發光二極體晶片210係對應6個電晶體216A、216B、216C、216D、216E、216F設置。

此外，參見第2B圖，該圖係沿著第2A圖之線段2B-2B所繪製之剖面圖。發光單元232係藉由一第一電極234電性連接至連接電極228及電晶體216，並藉由另一第二電極238電性連接至共同電極212。此外，電流係經由電晶體216及第一電極234流入發光單元232，並由第二電極238流出發光單元232，並藉此讓發光單元232發光。

應注意的是，除上述第1A-2B圖所示之實施例以外，本揭露之發光二極體晶片亦可對應其它數量之電晶體設置，如第3圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第1A-2B圖所示之實施例為限。

第3圖係本揭露用以列舉的發光二極體晶片對應的電晶體數量的三種可能態樣之顯示裝置之上視圖，發光二極體晶片對應的電晶體數量可依照需求而變化，並不以上述三種為限。其中發光二極體晶片310係對應2N個電晶體316設置，其中N為1以上之正整數。例如，發光二極體晶片310A係對應16個電晶體316設置；發光二極體晶片310B係對應4個電晶體316設置；發光二極體晶片310C係對應4個電晶體316設置。發光二極體晶片310B與發光二極體晶片310C所對應的電晶體316的數量雖然相同，但發光二極體晶片310B包括發出一種顏色光的發光單元，發光二極體晶片310C則包括兩種以上可分別發出不同顏色光的發光單元。

應注意的是，除上述第1A-3圖所示之實施例以外，本揭露位於不同列的電晶體亦可共用一個共同電極，如第4A-4B圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第1A-3圖所示之實施例為限。

第4A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置400A之上視圖。顯示裝置400A包括第一電晶體列440A與第二電晶體列440B，且第一電晶體列440A與第二電晶體列440B分別包含多個電晶體416。第一電晶體列440A電性連接一第一閘極線446A。第二電晶體列440B電性連接一第二閘極線446B。

顯示裝置400A更包括設於第一閘極線446A與第二閘極線446B之間的列共同電極412，且發光二極體晶片410A係對應第一電晶體列440A及第二電晶體列440B設置。且發光二極體晶片410A包括多個發光單元432。而此多個發光單元432皆電性連接列共同電極412。詳細而言，此多個發光單元432之第二電極皆電性連接第一基板114上的列共同電極412。而此多個發光單元432之第一電極則分別電性連 接至相對應電晶體416的汲極電極。

例如，在一實施例中，如第4A圖所示，此發光二極體晶片410A係對應第一電晶體列440A及第二電晶體列440B中的其中四個電晶體416設置。且發光二極體晶片410A之四個發光單元432分別電性連接此四個電晶體416，且皆電性連接列共同電極412。詳細而言，此四個發光單元432之第二電極皆電性連接第一基板114上之列共同電極412。

應注意的是，除上述第4A圖所示之實施例以外，本揭露之電晶體與發光二極體晶片亦可有其它配置方式，如第4B圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第4A圖所示之實施例為限。

第4B圖係本揭露另一實施例之顯示裝置400A之上視圖。顯示裝置400A包括第一電晶體行442A與第二電晶體行442B，且第一電晶體行442A與第二電晶體行442B分別包含多個電晶體416。第一電晶體行442A電性連接一第一資料線444A，第二電晶體行442B電性連接一第二資料線444B。

顯示裝置400A更包括設於第一資料線444A與第二資料線444B之間的行共同電極448，在此實施例中，如第4B圖所示，此發光二極體晶片410A係對應第一電晶體行442A及第二電晶體行442B中的其中四個電晶體416設置。且發光二極體晶片410A之四個發光單元432分別電性連接此四個電晶體416設置，且皆電性連接行共同電極448。詳細而言，此四個發光單元432之第二電極皆電性連接第一基板114上之行共同電極448。

在本揭露中，「列」所指之方向係為與顯示裝置之閘極線平行之方向，而「行」所指之方向係為與顯示裝置之閘極線垂直之 方向。

應注意的是，除上述第4A-4B圖所示之實施例以外，本揭露之發光二極體晶片亦可有其它配置方式，如第5A圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第4A-4B圖所示之實施例為限。應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。

第5A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置500A之上視圖。第5A圖所示之實施例與前述第4A-4B圖之實施例之相同之處在於，一個發光二極體晶片510A係對應四個電晶體516設置，至於不同之處在於發光二極體晶片510A部分覆蓋顯示區102。

在本揭露中，發光二極體晶片510A部分覆蓋顯示區102，而發光二極體晶片510A覆蓋顯示區102的比例，可採用下面的計算方法求得：位於顯示區內的發光二極體晶片510A投影至第一基板114具有一晶片投影面積A，顯示區102投影至第一基板114具有一顯示投影面積B，而該比例即為晶片投影面積A與顯示投影面積B的比值A/B。

其中，晶片投影面積A為單一顆發光二極體晶片投影至第一基板114的面積乘上發光二極體晶片的顆數。至於顯示投影面積B即為本領域技術人員所熟知的顯示區102的面積(並未扣除顯示區102內的黑色矩陣所占去的面積)。

在本揭露中，晶片投影面積A與顯示投影面積B的比值A/B介於0~1之間。

第5B圖係本揭露另一實施例之顯示裝置500B之上視圖。 第5B圖所示之實施例與前述第5A圖之實施例之差別在於發光二極體晶片510B係對應整列第一電晶體列540A及整列第二電晶體列540B設置。

應注意的是，除上述第4A-4B圖所示之實施例以外，本揭露之電晶體與發光二極體晶片亦可有其它配置方式，如第6A-11E圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第4A-4B圖所示之實施例為限。應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。

第6A圖係本揭露另一實施例之顯示裝置600A之局部上視圖。如第6A圖所示，顯示裝置600A之多個電晶體包括第一電晶體616A及第二電晶體616B。

此外，顯示裝置600A包括閘極線646以及兩條資料線648A及648B，並藉此閘極線646以及兩條資料線648A及648B控制第一電晶體616A及第二電晶體616B。此閘極線646係沿著方向A1延伸，而兩條資料線648A、648B係沿著方向A2延伸。此外，顯示裝置600A包括一位於兩條資料線648A、648B之間的行共同電極650，同樣沿著方向A2延伸。

發光二極體晶片610A係對應第一電晶體616A及第二電晶體616B設置，且發光二極體晶片610A包括第一發光單元632A及第二發光單元632B，此第一發光單元632A及第二發光單元632B係分別電性連接至第一電晶體616A及第二電晶體616B，且第一發光單元632A及第二發光單元632B皆電性連接至行共同電極650。

此外，在第6A圖所示之實施例中，雖然發光二極體晶片 610A部分覆蓋顯示區102，但發光二極體晶片610A完全覆蓋其所對應之電晶體616A、616B。

應注意的是，除上述第6A圖所示之實施例以外，本揭露之電晶體亦可有其它配置方式，如第6B-6C圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第6A圖所示之實施例為限。

應注意的是，除上述第6A-6C圖所示之實施例以外，本揭露之發光二極體晶片亦可有其它配置方式，如第6D圖之實施例所示，發光二極體晶片610B部分覆蓋顯示區102，發光二極體晶片610B也部分覆蓋其所對應之電晶體616A、616B。更詳細的來說，發光二極體晶片610B覆蓋電晶體616A、616B的連接電極628A、628B。但在其他沒有連接電極628A、628B的實施例中，發光二極體晶片610B覆蓋電晶體616A、616B的汲極電極。

第6E圖係沿著第6D圖之線段6E-6E所繪製之剖面圖。如第6E圖之實施例所示，未被發光二極體晶片610B覆蓋之一部分的電晶體616A、616B係被遮光層652A及652B覆蓋。此遮光層652A及652B係設於彩色濾光層636上。此外，此發光二極體晶片610B之發光單元632C及632D皆藉由同一第二電極638電性連接至行共同電極650。但在其他實施例中，發光單元632C及632D也可有各自的第二電極638。

此遮光層652A及652B之材料可為黑色光阻、黑色印刷油墨、黑色樹脂或其它任何適合之遮光材料與顏色。

第6F圖係本揭露第6D圖之實施例之發光二極體晶片及第一基板之分解圖。第6F圖繪示發光二極體晶片610B之第一電極634A、634B及第二電極638。第6F圖亦繪示第一基板614上之電晶體616A 及616B、連接電極628A及628B、行共同電極650、閘極線646以及兩條資料線648A及648B。

應注意的是，除上述第6A-6F圖所示之實施例以外，本揭露之發光二極體晶片亦可有其它配置方式，如第7A-7D圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第6A-6F圖所示之實施例為限。第7A圖係本揭露實施例之顯示裝置700A之局部上視圖。如第7A圖所示，顯示裝置700A包括第一電晶體716A、第二電晶體716B、第三電晶體716C及第四電晶體716D。

此外，顯示裝置700A包括兩條閘極線746A、746B以及兩條資料線748A、748B，並藉此兩條閘極線746A、746B以及兩條資料線748A、748B控制第一電晶體716A、第二電晶體716B、第三電晶體716C及第四電晶體716D。

此外，顯示裝置700A包括行共同電極750，此行共同電極750具有互為相反側之第一側S1及第二側S2。第一電晶體716A及第二電晶體716B係位於行共同電極750之第一側S1，第三電晶體716C及第四電晶體716D係設於行共同電極750之第二側S2。

發光二極體晶片710A係對應第一電晶體716A、第二電晶體716B、第三電晶體716C及第四電晶體716D設置，且發光二極體晶片710A包括第一發光單元732A、第二發光單元732B、第三發光單元732C及第四發光單元732D，分別電性連接第一電晶體716A、第二電晶體716B、第三電晶體716C及第四電晶體716D。此第一發光單元732A、第二發光單元732B、第三發光單元732C及第四發光單元732D皆電性連接至行共同電極750。

此外，在第7A圖所示之實施例中，雖然發光二極體晶片 710A部分覆蓋顯示區102，但發光二極體晶片710A完全覆蓋其所對應之電晶體716A、716B、716C、716D。

應注意的是，除上述第7A圖所示之實施例以外，本揭露之電晶體亦可有其它配置方式，如第7B-7C圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第7A圖所示之實施例為限。

應注意的是，除上述第7A-7C圖所示之實施例以外，本揭露之發光二極體晶片亦可有其它配置方式，如第7D圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第7A-7C圖所示之實施例為限。

第7D圖所示之實施例與前述第7A-7C圖之實施例之差別在於發光二極體晶片710B部分覆蓋顯示區102，發光二極體晶片710B也部分覆蓋其所對應之電晶體716A、716B、716C、716D。更詳細的來說，發光二極體晶片710B覆蓋電晶體716A、716B、716C、716D的連接電極726A、726B、726C、726D。但在其他沒有連接電極726A、726B、726C、726D的實施例中，發光二極體晶片610B覆蓋電晶體716A、716B、716C、716D的汲極電極。

應注意的是，除上述第6A-7D圖所示之實施例以外，本揭露之共同電極亦可有其它配置方式，如第8A-8D圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第6A-7D圖所示之實施例為限。應注意的是，後文中與前文相同或相似的元件或膜層將以相同或相似之標號表示，其材料、製造方法與功能皆與前文所述相同或相似，故此部分在後文中將不再贅述。

第8A圖係本揭露實施例之顯示裝置800A之局部上視圖。如第8A圖所示，顯示裝置800A之多個電晶體包括第一電晶體816A及第二電晶體816B。

此外，顯示裝置800A包括兩個閘極線846A、846B以及資料線848，並藉此兩個閘極線846A、846B以及資料線848控制第一電晶體816A及第二電晶體816B。

此外，顯示裝置800A包括列共同電極854，且第一電晶體816A及第二電晶體816B係分別位於列共同電極854之相對側。而發光二極體晶片810A係對應第一電晶體816A及第二電晶體816B設置，且發光二極體晶片810A包括第一發光單元832A及第二發光單元832B，此第一發光單元832A及第二發光單元832B係分別電性連接第一電晶體816A及第二電晶體816B，且第一發光單元832A及第二發光單元832B皆電性連接至列共同電極854。

此外，在第8A圖所示之實施例中，雖然發光二極體晶片810A部分覆蓋顯示區102，但發光二極體晶片810A完全覆蓋其所對應之電晶體816A、816B。

應注意的是，除上述第8A圖所示之實施例以外，本揭露之電晶體的電晶體亦可有其它配置方式，如第8B-8C圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第8A圖所示之實施例為限。

應注意的是，除上述第8A-8C圖所示之實施例以外，本揭露之發光二極體晶片亦可有其它配置方式，如第8D圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第6A-8C圖所示之實施例為限。

第8D圖所示之實施例與前述第8A-8C圖之實施例之差別在於發光二極體晶片810B部分覆蓋顯示區102，發光二極體晶片810B也部分覆蓋其所對應之電晶體816A、816B。更詳細的來說，發光二極體晶片810B覆蓋電晶體816A、816B的連接電極826A、826B。但在其他沒有連接電極826A、826B的實施例中，發光二極體晶片810B覆蓋 電晶體816A、816B的汲極電極。

應注意的是，除上述第8A-8D圖所示之實施例以外，本揭露之發光二極體晶片亦可有其它配置方式，如第9A-9D圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第8A-8D圖所示之實施例為限。

第9A圖係本揭露實施例之顯示裝置900A之局部上視圖。如第9A圖所示，顯示裝置900A之多個電晶體包括第一電晶體916A、第二電晶體916B、第三電晶體916C及第四電晶體916D。

此外，顯示裝置900A包括兩條閘極線946A、946B以及兩條資料線948A、948B，並藉此兩條閘極線946A、946B以及兩條資料線948A、948B控制第一電晶體916A、第二電晶體916B、第三電晶體916C及第四電晶體916D。

此外，顯示裝置900A包括列共同電極954，此列共同電極954具有互為相反側之第一側S3及第二側S4。第一電晶體916A及第二電晶體916B係位於列共同電極954之第一側S3，第三電晶體916C及第四電晶體916D係位於列共同電極954之第二側S4。

發光二極體晶片910A係對應第一電晶體916A、第二電晶體916B、第三電晶體916C及第四電晶體916D設置，且發光二極體晶片910A包括第一發光單元932A、第二發光單元932B、第三發光單元932C及第四發光單元932D，分別電性連接第一電晶體916A、第二電晶體916B、第三電晶體916C及第四電晶體916D。此第一發光單元932A、第二發光單元932B、第三發光單元932C及第四發光單元932D皆電性連接至列共同電極954。

此外，在第9A圖所示之實施例中，雖然發光二極體晶片910A部分覆蓋顯示區102，但發光二極體晶片910A完全覆蓋其所對應 之電晶體916A、916B、916C、916D。

應注意的是，除上述第9A圖所示之實施例以外，本揭露之電晶體的電晶體亦可有其它配置方式，如第9B-9C圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第9A圖所示之實施例為限。

應注意的是，除上述第9A-9C圖所示之實施例以外，本揭露之發光二極體晶片亦可有其它配置方式，如第9D圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第9A-9C圖所示之實施例為限。

第9D圖所示之實施例與前述第9A-9C圖之實施例之差別在於發光二極體晶片910B部分覆蓋顯示區102，發光二極體晶片910B也部分覆蓋其所對應之電晶體916A、916B、916C、916D。詳細的來說，發光二極體晶片910B覆蓋電晶體916A、916B、916C、916D的連接電極926A、926B、926C、926D。但在其他沒有連接電極926A、926B、926C、926D的實施例中，發光二極體晶片910B覆蓋電晶體916A、916B、916C、916D的汲極電極。

應注意的是，除上述第9A-9D圖所示之實施例以外，本揭露之發光二極體晶片亦可有其它配置方式，如第10A-10D圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第9A-9D圖所示之實施例為限。

第10A圖係本揭露實施例之顯示裝置1000A之局部上視圖。如第10A圖所示，顯示裝置1000A之多個電晶體包括第一電晶體1016A、第二電晶體1016B、第三電晶體1016C及第四電晶體1016D。

此外，顯示裝置1000A包括兩條閘極線1046A、1046B以及兩條資料線1048A、1048B，並藉此兩條閘極線1046A、1046B以及兩條資料線1048A、1048B控制第一電晶體1016A、第二電晶體1016B、第三電晶體1016C及第四電晶體1016D。

此外，顯示裝置1000A包括行共同電極1050及列共同電極1054，此行共同電極1050具有互為相反側之第一側S5及第二側S6，此列共同電極1054具有互為相反側之第三側S7及第四側S8，且與行共同電極1050相交，行共同電極1054與列共同電極1054若為相等電位可彼此電性連接，若具有相異的電位則無電性連接。第一電晶體1016A及第二電晶體1016B係位於行共同電極1050之第一側S5，第三電晶體1016C及第四電晶體1016D係位於行共同電極1050之第二側S6。此外，第一電晶體716A及第三電晶體716C係位於列共同電極1054之第三側S7，第二電晶體716B及第四電晶體716D係位於列共同電極1054之第四側S8。

發光二極體晶片1010A係對應第一電晶體1016A、第二電晶體1016B、第三電晶體1016C及第四電晶體1016D設置，且發光二極體晶片1010A包括第一發光單元1032A、第二發光單元1032B、第三發光單元1032C及第四發光單元1032D，分別電性連接第一電晶體1016A、第二電晶體1016B、第三電晶體1016C及第四電晶體1016D。此第一發光單元1032A、第二發光單元1032B、第三發光單元1032C及第四發光單元1032D皆電性連接至行共同電極1050及列共同電極1054。

同時使用行共同電極1050及列共同電極1054可增加裝置中的電場均勻度，故可提升顯示品質。

此外，在第10A圖所示之實施例中，雖然發光二極體晶片1010A部分覆蓋顯示區102，但發光二極體晶片1010A完全覆蓋其所對應之電晶體1016A、1016B、1016C、1016D。

應注意的是，除上述第10A圖所示之實施例以外，本揭露之電晶體的電晶體亦可有其它配置方式，如第10B-10C圖之實施例 所示。本揭露之範圍並不以第10A圖所示之實施例為限。

應注意的是，除上述第10A-10C圖所示之實施例以外，本揭露之發光二極體晶片亦可有其它配置方式，如第10D圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第10A-10C圖所示之實施例為限。

第10D圖所示之實施例與前述第10A-10C圖之實施例之差別在於發光二極體晶片1010B部分覆蓋顯示區，發光二極體晶片1010B也部分覆蓋其所對應之電晶體1016A、1016B、1016C、1016D。更詳細的來說，發光二極體晶片1010B覆蓋電晶體1016A、1016B、1016C、1016D的連接電極1026A、1026B、1026C、1026D。但在其他沒有連接電極1026A、1026B、1026C、1026D的實施例中，發光二極體晶片1010B覆蓋電晶體1016A、1016B、1016C、1016D的汲極電極。

應注意的是，除上述第6A-10D圖所示之實施例以外，本揭露之閘極線與資料線亦可有其它配置方式，如第11A-11E圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第6A-10D圖所示之實施例為限。

第11A圖係本揭露實施例之顯示裝置1100A之局部上視圖。如第11A圖所示，顯示裝置1100A之多個電晶體包括第一電晶體1116A、第二電晶體1116B、第三電晶體1116C及第四電晶體1116D。

此顯示裝置1100A包括一條閘極線1146及四條資料線1148A、1148B、1148C、1148D，並藉此一條閘極線1146及四條資料線1148A、1148B、1148C、1148D控制第一電晶體1116A、第二電晶體1116B、第三電晶體1116C及第四電晶體1116D。

以一條閘極線1146及四條資料線1148A、1148B、1148C、1148D控制四個電晶體，可增加裝置之掃描頻率，或增加每一次之 掃描時間，並可藉此提升顯示品質。

應注意的是，除上述第11A圖所示之實施例以外，本揭露之電晶體的電晶體亦可有其它配置方式，如第11B-11D圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第11A圖所示之實施例為限。

應注意的是，除上述第11A-11D圖所示之實施例以外，本揭露之發光二極體晶片亦可有其它配置方式，如第11E圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第11A-11D圖所示之實施例為限。

第11E圖所示之實施例與前述第11A-11D圖之實施例之差別在於發光二極體晶片1110B部分覆蓋顯示區102，發光二極體晶片1110B也部分覆蓋其所對應之電晶體1116A、1116B、1116C、1116D。更詳細的來說，發光二極體晶片1110B覆蓋電晶體1116B、1116C的連接電極1126B、1126C。但在其他沒有連接電極1126B、1126C的實施例中，發光二極體晶片1110B覆蓋電晶體1116B、1116C的汲極電極。

第12A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片1210及基板SB之側視圖。第12B圖係此發光二極體晶片1210之下視圖。如第12A-12B圖所示，根據本發明一些實施例，基板SB上設有一個發光二極體晶片1210。在本發明之一些實施例中，基板SB可為一電晶體基板。

發光二極體晶片1210包括三個發光單元1232A、1232B及1232C，此發光單元1232A、1232B及1232C亦可稱為發光區。在此實施例中，發光單元1232A、1232B及1232C係設於同一個發光二極體晶片1210中。亦言之，此發光單元1232A、1232B及1232C分別為同一個發光二極體晶片1210之不同部分。

在本發明之一些實施例中，此發光二極體晶片1210之發光單元1232A、1232B及1232C可由同一個晶圓製得，且此發光二極體晶片1210係由發光單元1232A、1232B及1232C一體成形(formed in one piece)。

在本發明之一些實施例中，發光單元1232A係發出藍光，發光單元1232B係發出綠光，發光單元1232C係發出紅光。且發光二極體晶片1210可藉由控制此發光單元1232A、1232B及1232C而發出白光或其他任何顏色的光。

在本揭露中，發光單元可發出的顏色並不限制於紅綠藍三原色，其他在理論上或實際上可由電致發光元件產生的顏色皆可。

繼續參見第12A-12B圖所示，根據本發明之一些實施例，發光二極體晶片1210之發光單元包括上表面1232S1及下表面1232S2，且此發光二極體晶片1210可包括設於發光單元之下表面1232S2之多個電極。詳細而言，發光二極體晶片1210包括設於發光單元1232A之下表面1232S2的電極12A1及電極12A2，此電極12A1及電極12A2電性連接至發光單元1232A。此電極12A1及電極12A2可分別為P型電極與N型電極，且發光單元1232A可透過此電極12A1及電極12A2接合至基板SB，並電性連接至基板SB。

此外，發光二極體晶片1210更包括設於發光單元1232B之下表面1232S2的電極12B1及電極12B2，此電極12B1及電極12B2電性連接至發光單元1232B。此電極12B1及電極12B2可分別為P型電極與N型電極，且發光單元1232B可透過此電極12B1及電極12B2接合至基板SB，並電性連接至基板SB。

此外，發光二極體晶片1210更包括設於發光單元1232C之下表面1232S2的電極12C1及電極12C2，此電極12C1及電極12C2電性連接至發光單元1232C。此電極12C1及電極12C2可分別為P型電極與N型電極，且發光單元1232C可透過此電極12C1及電極12C2接合至基板SB，並電性連接至基板SB。

繼續參見第12A圖所示，根據本發明之一些實施例，電極12A1、電極12A2、電極12B1、電極12B2、電極12C1及電極12C2皆設於發光二極體晶片1210之發光單元的下表面1232S2上。易言之，電極12A1、電極12A2、電極12B1、電極12B2、電極12C1及電極12C2皆設於發光二極體晶片1210之同一側上，且此發光二極體晶片1210係透過覆晶(flip chip)之方式接合至基板SB上。

於本揭露實施例中，由於發光二極體晶片同時包括多個發光單元，且可單獨發出白光或其他任何顏色的光，故相較於使用僅能發出單一種顏色之發光二極體晶片的顯示裝置，本揭露實施例可減少顯示裝置中所使用之發光二極體晶片之數量。因此可減少製程中將發光二極體晶片接合至電晶體基板之次數，故可減少製程時間及製程成本，並提升良率。

此外，由於僅需使用一個發光二極體晶片來表達一個畫素之顏色，而非使用三個發光二極體晶片來表達一個畫素之顏色，故本揭露實施例可提高解析度。再者，由於不需使用波長轉換材料以轉換發光二極體晶片所發出之光的顏色，故本揭露實施例可減少裝置之厚度。

第13A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片 1310及基板SB之側視圖。第13B圖係此發光二極體晶片1310之下視圖。第13A-13B圖所示之實施例與前述第12A-12B圖之實施例之差別在於發光單元1332A、1332B及1332C係電性連接至一共同電極13E。詳細而言，發光單元1332A電性連接至電極13A1及共同電極13E，發光單元1332B電性連接至電極13B1及共同電極13E，而發光單元1332C電性連接至電極13C1及共同電極13E。

第14A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片1410及基板SB之側視圖。第14B圖係此發光二極體晶片1410之下視圖。第14A-14B圖所示之實施例與前述第12A-12B圖之實施例之差別在於發光二極體晶片1410包括四個發光單元1432A、1432B、1432C及1432D。

在本發明之一些實施例中，發光單元1432A係發出藍光，發光單元1432B係發出綠光，發光單元1432C係發出紅光，發光單元1432D係發出黃光。且發光二極體晶片1410可藉由此額外之發光單元1432D來增加其發光亮度。

繼續參見第14A-14B圖所示，根據本發明之一些實施例，發光二極體晶片1410可包括設於發光單元之下表面1432S2之多個電極。詳細而言，發光二極體晶片1410包括設於發光單元1432A之下表面1432S2的電極14A1及電極14A2，此電極14A1及電極14A2電性連接至發光單元1432A。此電極14A1及電極14A2可分別為P型電極與N型電極，且發光單元1432A可透過此電極14A1及電極14A2接合至基板SB，並電性連接至基板SB。

此外，發光二極體晶片1410更包括設於發光單元1432B之下表面1432S2的電極14B1及電極14B2，此電極14B1及電 極14B2電性連接至發光單元1432B。此電極14B1及電極14B2可分別為P型電極與N型電極，且發光單元1432B可透過此電極14B1及電極14B2接合至基板SB，並電性連接至基板SB。

此外，發光二極體晶片1410更包括設於發光單元1432C之下表面1432S2的電極14C1及電極14C2，此電極14C1及電極14C2電性連接至發光單元1432C。此電極14C1及電極14C2可分別為P型電極與N型電極，且發光單元1432C可透過此電極14C1及電極14C2接合至基板SB，並電性連接至基板SB。

此外，發光二極體晶片1410更包括設於發光單元1432D之下表面1432S2的電極14D1及電極14D2，此電極14D1及電極14D2電性連接至發光單元1432D。此電極14D1及電極14D2可分別為P型電極與N型電極，且發光單元1432D可透過此電極14D1及電極14D2接合至基板SB，並電性連接至基板SB。

第15A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片1510及基板SB之側視圖。第15B圖係此發光二極體晶片1510之下視圖。第15A-15B圖所示之實施例與前述第12A-12B圖之實施例之差別在於發光單元1532A、1532B、1532C及1532D係電性連接至一共同電極15E。詳細而言，發光單元1532A電性連接至電極15A1及共同電極15E，發光單元1532B電性連接至電極15B1及共同電極15E，發光單元1532C電性連接至電極15C1及共同電極15E，而發光單元1532D電性連接至電極15D1及共同電極15E。

第16A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片1610及基板SB之側視圖。第16B圖係此發光二極體晶片1610之下視圖。第16A-16B圖所示之實施例與前述第12A-12B圖之實施例之 差別在於發光二極體晶片1610包括兩個發光單元1632A及1632B。發光單元1632A及1632B電性連接至一共同電極16E。詳細而言，發光單元1632A電性連接至電極16A1及共同電極16E，發光單元1632B電性連接至電極16B1及共同電極16E。

此外，發光單元1632A係發出藍光，發光單元1632B係發出黃光。發光二極體晶片1610可藉由控制此發光單元1632A及1632B而發出白光或其他任何顏色的光。

第17A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片1710及基板SB之側視圖。第17B圖係此發光二極體晶片1710之下視圖。第17A-17B圖所示之實施例與前述第12A-12B圖之實施例之差別在於顯示裝置更包括一波長轉換材料層1738(或稱光致發光層1738)，設置於發光二極體晶片1710之上表面1732S1上。

在本發明之一些實施例中，發光單元1732A、1732B及1732C可發出藍光，且此波長轉換材料層1738可將此藍光轉換為白光。

此外，發光單元1732A電性連接至電極17A1及共同電極17E，發光單元1732B電性連接至電極17B1及共同電極17E，發光單元1732C電性連接至電極17C1及共同電極17E。

第18A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片1810及基板SB之側視圖。第18B圖係此發光二極體晶片1810之下視圖。第18A-18B圖所示之實施例與前述第17A-17B圖之實施例之差別在於發光二極體晶片1810之發光單元1832A上不設有波長轉換材料層，而發光單元1832B上設有波長轉換材料層1838B，發光單元1832C上設有波長轉換材料層1838C。

在本發明之一些實施例中，發光單元1832A、1832B及1832C可發出藍光，且此波長轉換材料層1838B可將發光單元1832B發出之藍光轉換為綠光，波長轉換材料層1838C可將發光單元1832C發出之藍光轉換為紅光。此紅光、綠光及發光單元1832A發出之藍光可混合為白光或其他任何顏色之光。

此外，發光單元1832A電性連接至電極18A1及共同電極18E，發光單元1832B電性連接至電極18B1及共同電極18E，發光單元1832C電性連接至電極18C1及共同電極18E。

第19A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片1910及基板SB之側視圖。第19B圖係此發光二極體晶片1910之下視圖。第19A-19B圖所示之實施例與前述第12A-12B圖之實施例之差別在於電極19A1及電極19A2分別設於發光單元1932A之下表面1932S2及上表面1932S1。電極19B1及電極19B2分別設於發光單元1932B之下表面1932S2及上表面1932S1。電極19C1及電極19C2分別設於發光單元1932C之下表面1932S2及上表面1932S1。

第20A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片2010及基板SB之側視圖。第20B圖係此發光二極體晶片2010之下視圖。第20A-20B圖所示之實施例與前述第13A-13B圖之實施例之差別在於共同電極20E係設於發光單元2032A、發光單元2032B及發光單元2032C之上表面2032S1上，而電極20A1、電極20B1及電極20C1係分別設於發光單元2032A、發光單元2032B及發光單元2032C之下表面2032S2上。

第21A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片2110及基板SB之側視圖。第21B圖係此發光二極體晶片2110之下 視圖。第21A-21B圖所示之實施例與前述第16A-16B圖之實施例之差別在於共同電極21E係設於發光單元2132A及發光單元2132B之上表面2132S1上，而電極21A1及電極21B1係分別設於發光單元2132A及發光單元2132B之下表面2132S2上。

第22圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片2210之側視圖。第22圖所示之實施例與前述第15A-15B圖之實施例之差別在於共同電極22E係設於發光單元2232A、發光單元2232B、發光單元2232C、發光單元2232D之上表面2232S1上，而電極22A1、電極22B1、電極22C1及電極22D1係分別設於發光單元2232A、發光單元2232B、發光單元2232C、發光單元2232D之下表面2232S2上。

第23圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片2310之側視圖。第23圖所示之實施例與前述第15A-15B圖之實施例之差別在於電極23A2、電極23B2、電極23C2及電極23D2係分別設於發光單元2332A、發光單元2332B、發光單元2332C、發光單元2332D之上表面2332S1上，而電極23A1、電極23B1、電極23C1及電極23D1係分別設於發光單元2332A、發光單元2332B、發光單元2332C、發光單元2332D之下表面2332S2上。

第24A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片2410A之上視圖。如第24A圖所示，根據本發明一些實施例，發光二極體晶片2410A為長方形，且每個發光單元2432A、發光單元2432B及發光單元2432C大抵為正方形。

第24B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片2410B之上視圖。如第24B圖所示，根據本發明一些實施例，發光 二極體晶片2410B為長方形，且每個發光單元2432A、發光單元2432B及發光單元2432C亦大抵為長方形。

第24C圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片2410C之上視圖。如第24C圖所示，根據本發明一些實施例，發光二極體晶片2410C為三角形，且發光二極體晶片2410C包括三個發光單元，分別為發光單元2432A、發光單元2432B及發光單元2432C。

第24D圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片2410D之上視圖。如第24D圖所示，根據本發明一些實施例，發光二極體晶片2410D為三角形，且發光二極體晶片2410D包括兩個發光單元，分別為發光單元2432A及發光單元2432B。

第25A圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片2510A之上視圖。如第25A圖所示，根據本發明一些實施例，發光二極體晶片2510A為圓形，且發光二極體晶片2510A包括兩個發光單元，分別為發光單元2532A及發光單元2532B。

第25B圖係本揭露另一實施例之發光二極體晶片2510B之上視圖。如第25B圖所示，根據本發明一些實施例，發光二極體晶片2510B為圓形，且發光二極體晶片2510B包括三個發光單元，分別為發光單元2532A、發光單元2532B及發光單元2532C。

本揭露之顯示裝置並不僅限於第1A-25B圖所圖示之狀態。本揭露可以僅包括第1A-25B圖之任何一或複數個實施例之任何一或複數項特徵。換言之，並非所有圖示之特徵均須同時實施於本揭露之顯示裝置中。

在本揭露實施例中，共同電極較佳包含有行共同電極、 列共同電極、或整面性的共同電極，但並不以此為限。

在本揭露實施例中，發光單元較佳包含有P型半導體層、N型半導體層、以及連接到P型半導體層的第一電極與連接到N型半導體層的第二電極，但並不以此為限。

在本揭露實施例中，一個發光二極體晶片包含多個發光單元，較佳指一個發光二極體晶片是由多組彼此獨立的P型半導體層、N型半導體層、第一電極、第二電極所組合而成的發光單位，但並不以此為限。

綜上所述，本揭露實施例係使顯示裝置中的一個發光二極體晶片對應至少兩個電晶體設置，以減少顯示裝置中所使用之發光二極體晶片之數量。因此可減少製程中將發光二極體晶片接合至陣列基板之次數，故可減少製程時間及製程成本，並提升良率。本揭露一些實施例係將發出不同顏色(例如紅色、藍色、綠色)之發光二極體晶片設於陣列基板上。然而，由於生產過程中的變異，即使是相同顏色之發光二極體晶片之間仍存在有頻譜之差異。且在將發光二極體晶片接合於陣列基板前，需選擇具有適當發光頻譜之發光二極體晶片，且接合時需分別接合不同顏色之發光二極體晶片，故造成生產時間增加。因此，本揭露一些實施例藉由使用單一顏色之發光二極體晶片，並配合彩色濾光層及/或光致發光層，以達成全彩化且可大幅降低生產時間。

雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、 裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露使用。因此，本揭露之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本揭露之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。

Claims (20)

1. 一種顯示裝置，包括：一第一基板；一第一電晶體與一第二電晶體，設置於該第一基板上；一共同電極，設置於該第一基板上；以及一發光二極體晶片，對應該第一電晶體與該第二電晶體設置於該第一基板上，該發光二極體晶片包含一第一發光單元與一第二發光單元；其中，該第一發光單元分別電性連接至該第一電晶體與該共同電極，而該第二發光單元分別電性連接至該第二電晶體與該共同電極，且該共用電極位於該第一發光單元和該第二發光單元下方。
2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該發光二極體晶片係對應2N個電晶體設置於該第一基板上，其中N為1以上之正整數。
3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包含一設置於該第一基板上的第三電晶體，且該發光二極體晶片更對應該第三電晶體設置於該第一基板上，該發光二極體晶片包含一第三發光單元，其中，該第三發光單元分別電性連接至該第三電晶體與該共同電極。
4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，其中該發光二極體晶片係對應3N個電晶體設置於該第一基板上，其中N為1以上之正整數。
5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包含： 一螢光層，設置於該發光二極體晶片的出光面。
6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，更包含：一第二基板，相對於該第一基板設置；以及一彩色濾光層，設置於該第一基板與該第二基板之間，其中，該彩色濾光層包含有一第一彩色濾光單元與一第二彩色濾光單元，其中，該第一彩色濾光單元位於該第一發光單元的出光路徑上，該第二彩色濾光單元位於該第二發光單元的出光路徑上。
7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包含：一第二基板，相對於該第一基板設置；以及一量子點薄膜，設置於該第一基板與該第二基板之間，其中，該量子點薄膜包含有一第一量子點薄膜與一第二量子點薄膜，其中，該第一量子點薄膜位於該第一發光單元的出光路徑上，該第二量子點薄膜位於該第二發光單元的出光路徑上。
8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包含：一第一掃描線，設置於該第一基板上，沿一第一方向延伸；一第二掃描線，設置於該第一基板上，沿該第一方向延伸；以及一資料線，設置於該第一基板上，沿一第二方向延伸，該第一方向大抵垂直於該第二方向；其中，該第一電晶體分別電性連接該第一掃描線與該資料線，該第二電晶體分別電性連接該第二掃描線與該資料線。
9. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包含：一掃描線，設置於該第一基板上，沿一第一方向延伸；一第一資料線，設置於該第一基板上，沿一第二方向延伸；以及一第二資料線，設置於該第一基板上，沿該第二方向延伸，該第一方向大抵垂直於該第二方向；其中，該第一電晶體分別電性連接該第一資料線與該掃描線，該第二電晶體分別電性連接該第二資料線與該掃描線。
10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包含：一第三電晶體與一第四電晶體，設置於該第一基板上；其中，該發光二極體晶片更對應該第三電晶體與該第四電晶體設置於該第一基板上，該發光二極體晶片更包含一第三發光單元與一第四發光單元，且該共同電極包含彼此交錯的一第一共同電極與一第二共同電極；其中，該第三發光單元分別電性連接至該第三電晶體與該共同電極，且該第四發光單元分別電性連接至該第四電晶體與該共同電極。
11. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包含：一掃描線，設置於該第一基板上；一第一資料線，設置於該第一基板上；一第二資料線，設置於該第一基板上；一第三資料線，設置於該第一基板上；一第四資料線，設置於該第一基板上；一第三電晶體與一第四電晶體，設置於該第一基板上； 其中，該發光二極體晶片更對應該第三電晶體與該第四電晶體設置於該第一基板上，該發光二極體晶片更包含一第三發光單元與一第四發光單元，其中，該第三發光單元分別電性連接至該第三電晶體與該共同電極，且該第四發光單元分別電性連接至該第四電晶體與該共同電極；其中，該第一電晶體分別電性連接該第一資料線與該掃描線，該第二電晶體分別電性連接該第二資料線與該掃描線，該第三電晶體分別電性連接該第三資料線與該掃描線，且該第四電晶體分別電性連接該第四資料線與該掃描線。
12. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中，該發光二極體晶片在該第一基板的法線方向上覆蓋該第一電晶體與該第二電晶體。
13. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中，該發光二極體晶片在該第一基板的法線方向上部分覆蓋該第一電晶體與該第二電晶體。
14. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，更包含：一第二基板，相對於該第一基板設置；以及一間隙物，設置於該第一基板與該第二基板之間。
15. 如申請專利範圍第14項所述之顯示裝置，其中，該間隙物係位於該顯示裝置的一非顯示區。
16. 如申請專利範圍第14項所述之顯示裝置，其中，該間隙物係位於該顯示裝置的一顯示區。
17. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中，該第一發光單元包含一電性連接至該第一電晶體的第一 電極，以及一電性連接至該共同電極的第二電極。
18. 如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置，其中，該第一電晶體係為一薄膜電晶體，該薄膜電晶體包含有一閘極電極、一源極電極、與一汲極電極。
19. 如申請專利範圍第18項所述之顯示裝置，其中，該薄膜電晶體更包含有一連接電極，分別電性連接該汲極電極與該第一電極。
20. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中，該第一發光單元與該第二發光單元分別包含一無機發光二極體。