CN109273574B - 发光装置封装件和使用发光装置封装件的显示装置 - Google Patents

发光装置封装件和使用发光装置封装件的显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109273574B
CN109273574B CN201810233940.3A CN201810233940A CN109273574B CN 109273574 B CN109273574 B CN 109273574B CN 201810233940 A CN201810233940 A CN 201810233940A CN 109273574 B CN109273574 B CN 109273574B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light emitting
emitting device
diode chips
emitting diode
device package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810233940.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109273574A (zh
Inventor
权容旻
金炅俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN109273574A publication Critical patent/CN109273574A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109273574B publication Critical patent/CN109273574B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/12—Overvoltage protection resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/20—Resistors
    • H01L28/26—Resistors with an active material comprising an organic conducting material, e.g. conducting polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/866—Zener diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

提供了一种发光装置封装件和显示装置。所述发光装置封装件包括：三个发光二极管芯片，其被构造为发射具有不同波长的光，所述三个发光二极管芯片中的每一个包括发光结构，所述发光结构具有第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及位于所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；贯通电极部分，其与所述三个发光二极管芯片相邻设置；模制部分，其封装所述三个发光二极管芯片和所述贯通电极部分的各侧表面；透明电极层，其设置在所述模制部分的第一表面、所述三个发光二极管芯片和所述贯通电极部分上；以及三个独立电极，其通过所述模制部分的第二表面暴露出来并分别设置在所述三个发光二极管芯片上。

Description

发光装置封装件和使用发光装置封装件的显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年7月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0088400的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
与示例实施例一致的方法和设备涉及发光装置封装件和使用发光装置封装件的显示装置。
背景技术
半导体发光二极管(LED)已用作照明设备的光源以及各种电子产品的光源。具体而言，在诸如电视机、移动电话、个人计算机、膝上型计算机、个人数字助理(PDA)等各种设备的显示面板中已通常使用半导体LED作为光源。
显示设备经常包括液晶显示器(LCD)和背光。近来，已经开发了不需要单独背光的显示装置。这些显示装置可以使用LED装置作为单独的像素。这样的显示装置不仅可以是紧凑的，并且还可以以更高的效率发射相对高的亮度。另外，由于显示屏幕的高宽比可以自由地改变并且显示屏幕可以被实现为具有大的面积，因此可以将这样的显示装置提供为大型显示器。
发明内容
一个或多个示例实施例提供了一种要求降低了制造成本并且能够容易地小型化的发光装置封装件以及显示装置。
根据示例实施例的一个方面，提供了一种发光装置封装件，其包括：三个发光二极管(LED)芯片，其被构造为发射具有不同波长的光，所述三个LED芯片中的每一个包括发光结构，所述发光结构具有第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及位于所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；贯通电极部分，其与所述三个LED芯片相邻设置；模制部分，其封装所述三个LED芯片和所述贯通电极部分的各侧表面，以将所述三个LED芯片与所述贯通电极部分彼此连接；透明电极层，其设置在所述模制部分的第一表面、所述三个LED芯片和所述贯通电极部分上；以及三个独立电极，其通过所述模制部分的第二表面暴露出来并分别设置在所述三个LED芯片上。
根据另一示例实施例的一个方面，提供了一种发光装置封装件，其包括：透明电极层；多个发光二极管(LED)芯片，其被构造为发射具有不同波长的光，所述多个发光二极管芯片彼此间隔开并且设置在所述透明电极层上，所述多个LED芯片中的每一个具有连接到所述透明电极层的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且所述透明电极层被提供为所述多个LED芯片的公共电极；多个独立电极，所述多个独立电极中的每一个分别设置在所述多个LED芯片的所述第二表面上；贯通电极部分，其具有连接至所述透明电极层的第一贯通电极部分表面和与所述第一贯通电极部分表面相对设置的第二贯通电极部分表面；以及模制部分，其封装所述多个LED芯片和所述贯通电极部分，所述多个独立电极和所述第二贯通电极部分表面通过所述模制部分暴露出来。
根据又一个示例实施例的一个方面，提供了一种显示装置，其包括：显示面板，其包括电路板以及成行和列设置在所述电路板上的多个发光装置封装件；面板驱动器，其被构造为驱动所述显示面板；以及控制器，其被构造为驱动所述面板驱动器，其中，所述多个发光装置封装件中的每一个包括被构造为发射具有不同波长的光的多个发光二极管(LED)芯片，其中，所述多个LED芯片中的每一个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、位于所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层、由所述第一导电类型半导体层提供的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且其中，所述多个发光装置封装件中的每一个包括封装所述多个LED芯片的各侧表面的模制部分、设置在所述多个LED芯片的第一表面上并且电连接到所述多个LED芯片的所述第一导电类型半导体层的透明电极层、贯穿所述模制部分以连接至所述透明电极层的贯通电极部分以及多个独立电极，所述多个独立电极中的每一个分别设置在所述多个LED芯片的所述第二表面上并暴露于所述模制部分。
附图说明
当结合附图来阅读时，通过以下具体描述，将更清楚地理解以上以及其他各方面，在附图中：
图1是根据示例实施例的包括发光装置封装件的显示面板的示意性透视图；
图2是图1的“A”部分的放大顶视图；
图3是图1的发光装置封装件的示意性透视图；
图4是在图3的“I”方向上观看的发光装置封装件的顶视图；
图5是沿着图4的II-II'线截取的侧视横截面图；
图6是图5的“B”部分的放大图；
图7A是图5的发光装置封装件的电路图；
图7B和图7C是图7A的修改的示例；
图8是发光装置封装件的修改的示例；
图9是根据示例实施例的发光装置封装件的侧视横截面图；
图10是图9的“C”部分的放大图；
图11至图15是示出根据示例实施例的制造发光装置封装件的工艺的示意性侧视横截面图；以及
图16至图19是示出根据示例实施例的制造发光装置封装件的工艺的示意性侧视横截面图。
具体实施方式
现将参考附图来详细描述示例实施例。
当诸如“……中的至少一个”等表达在一列元素之后时，其修饰整列元素而不修饰列中的各个元素。
图1是根据示例实施例的包括发光装置封装件的显示面板的示意性透视图，图2是图1的“A”部分的放大顶视图。
参照图1，显示面板1可以包括电路板30和布置在电路板30上的发光装置模块20。
根据示例实施例的发光装置模块20可以包括选择性地发射红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)光的多个发光装置封装件10。多个发光装置封装件10中的每一个可以形成显示面板的单个像素，并且可以成行和列排列在电路板30上。在示例实施例中，将发光装置封装件布置成15×15阵列；但这是为了便于描述。根据各种示例实施例，可以根据所需的分辨率来布置更多或更少数量的发光装置封装件(例如，1024×768、1920×1080)。
每个发光装置封装件10可以包括对应于红色、蓝色和绿色(RGB)光源的多个子像素。可以将单个发光装置封装件10中的多个子像素提供为具有多个子像素彼此间隔开的结构。下面将参照图3至图6来提供其详细描述。然而，子像素颜色不限于RGB，并且可以使用诸如青色、黄色、品红色和黑色(CYMK)等各种颜色。另外，虽然所示出的示例实施例示出了在单个像素中包括三个子像素，但示例实施例不限于此。例如，单个像素中可以包括四个或更多个子像素。
根据示例实施例，还可以在电路板30上设置被构造为向发光装置模块20的每个发光装置封装件10供电的驱动部分以及控制发光装置封装件10的控制部分。电路板30可以包括被构造为独立地驱动每个像素的每个子像素的电路。例如，可以将电路板30提供为包括一个或多个薄膜晶体管(TFT)的TFT基板。
参照图2，显示面板1还可以包括第一分隔结构21，所述第一分隔结构21围绕在电路板30上设置多个发光装置封装件10的区域。另外，多个发光装置封装件10中的每一个可以由第二分隔结构22围绕。第二分隔结构22可以将每个发光装置封装件10电隔离，使得可以将每个发光装置封装件10独立地驱动为单个像素。另外，第二分隔结构22可以将多个发光装置封装件10牢固地固定到电路板30。然而，根据示例实施例，可以省略第一分隔结构21和第二分隔结构22。
第一分隔结构21和第二分隔结构22可以包括黑矩阵。具体而言，黑矩阵可以设置在电路板30的周边上，以用作限定多个发光装置封装件10的安装区域的引导线。上述矩阵不限于黑色，并且可以取决于产品的应用而使用其他颜色的矩阵，例如白色矩阵或绿色矩阵。根据需要，也可以使用透明矩阵。白色矩阵还可以包括反射材料或光散射材料。黑矩阵可以包括聚合物、陶瓷、半导体或金属中的至少一种材料。
图3是图1的发光装置封装件的示意性透视图，图4是在图3的“I”方向上观看的发光装置封装件的顶视图。图5是沿着图4的II-II'线截取的侧视横截面图，图6是图5的“B”部分的放大图。图7A是图5的发光装置封装件的电路图。
参照图4和图5，形成单个像素的每个发光装置封装件10可以包括作为子像素的第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300，以及模制部分500、透明电极层600、贯通电极部分400和独立电极130。
当从发光装置封装件10的上方(“I”方向)看时，第一LED芯片100、第二LED芯片200、第三LED芯片300和贯通电极部分400可以设置成行和列，但是示例实施例不限于此。由于第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300的结构彼此类似，因此将基于第一LED芯片100来提供对其结构的描述。
参照图6，第一LED芯片100可以具有彼此相对设置的第一表面S100和第二表面S200。第一LED芯片100还可以包括支撑基板110、设置在支撑基板110上的发光结构120以及设置在支撑基板110下方的独立电极130。
支撑基板110可以是使用导电材料或半导体材料形成的基板，或是具有电极结构的绝缘基板。例如，绝缘基板可以具有在垂直方向上贯穿支撑基板110的导电通孔。
在支撑基板110是使用导电材料形成的情况下，可以按照将如下方式形成的支撑基板110附着到发光结构120，即，所述基板包括碳化硅(SiC)、硅(Si)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铝镓铟(AlGaInP)、锗(Ge)、硒化硅(SiSe)、氮化镓(GaN)、氮化铝铟镓(AlInGaN)或氮化铟镓(InGaN)，或包括诸如铝(Al)、锌(Zn)、银(Ag)、钨(W)、钛(Ti)、镍(Ni)、金(Au)、钼(Mo)、铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)、铬(Cr)或铁(Fe)等金属单质，或诸如Si-Al等的合金基板。在示例实施例中，可以使用SiC基板。
支撑基板110可以支撑可能容易损坏的发光结构120，并且可以用作向后面将要描述的第二导电类型半导体层123供电的p侧电极。
支撑基板110可以通过导电键合层120b附着到发光结构120。导电键合层120b可以改善第二导电类型半导体层123与支撑基板110之间的粘合性，并且通常可以使用可键合的导电材料形成。Au可以用作导电键合层，并且也可以使用诸如Au/锗(Ge)、Au/铟(In)、Au/锡(Sn)和铅(Pb)/Sn等共晶金属。另外，可以使用导电有机材料作为导电键合层。此外，可以使用电镀工艺来形成支撑基板110。换句话说，可以通过在发光结构120上电镀诸如Cu或Ni等金属来形成支撑基板110。
发光结构120可以包括依次设置在支撑基板110上的第二导电类型半导体层123、有源层122和第一导电类型半导体层121。第一导电类型半导体层121可以提供第一LED芯片100的第一表面S100。可以将第一导电类型半导体层121和第二导电类型半导体层123分别提供为n型半导体层和p型半导体层。例如，可以将第一导电类型半导体层121和第二导电类型半导体层123提供为具有AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1，0≤x+y≤1)组成的氮化物半导体，但是示例实施例不限于此。可以将GaAs基半导体或者GaP基半导体用作第一导电类型半导体层121和第二导电类型半导体层123。有源层122可以具有量子阱层和量子势垒层交替堆叠的多量子阱(MQW)结构。例如，可以将有源层122提供为氮化物基MQW，其例如InGaN/GaN和GaN/AlGaN，但不限于此。也可以将有源层122提供为不同的半导体，诸如GaAs/AlGaAs、InGaP/GaP或者GaP/AlGaP。在示例实施例中，可以使用与第二发光结构220和第三发光结构320不同的半导体材料来形成第一发光结构120。具体地，可以使用GaAs来形成第一发光结构120，而可以使用GaN来形成第二发光结构220和第三发光结构320。
第一发光结构120、第二发光结构220和第三发光结构320的每个有源层可以被构造为发射具有不同波长的光。可以使用各种方法来实现这种发射的光。在示例实施例中，第一发光结构120、第二发光结构220和第三发光结构320的有源层可以被构造为发射不同颜色的光。例如，第一发光结构120、第二发光结构220和第三发光结构320的有源层可以分别发射红光、绿光和蓝光。因此，第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300可以分别发射红光、绿光和蓝光而不具有单独的荧光体层，并且可以用作对应于RGB光源的子像素。
具有所谓的“垂直结构”的LED芯片可以用作第一LED芯片100，在所述“垂直结构”中，分别向第一导电类型半导体层121和第二导电类型半导体层123供电的n侧电极和p侧电极设置在第一LED芯片100的相对的表面上。在示例实施例中，随后将要描述的透明电极层600可以被用作n侧电极，而支撑基板110可以用作p侧电极。
如图4所示，当在方向“I”上观看时，第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300可以具有相等面积的四边形顶面，但是示例实施例不限于此。第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300可以具有不同的面积。
第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300可以与随后将要描述的贯通电极部分400一起成行和成列地设置，但是示例实施例不限于此。
另外，第一LED芯片100与贯通电极部分400之间的间隙W1可大于第二LED芯片200与贯通电极部分400之间的间隙W2或第三LED芯片300与贯通电极部分400之间的间隙W3。
在使用GaAs形成第一发光结构120并且使用GaN形成第二发光结构220和第三发光结构320的情况下，第一发光结构120的驱动电压(约2V)可以低于第二发光结构220和第三发光结构320的驱动电压(大约3V)。因此，为了通过向第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300施加相同等级的驱动电压来操作它们，需要额外的降压单元来降低施加到第一LED芯片100的电压的等级。
在第一LED芯片100与贯通电极部分400之间的间隙W1大于第二LED芯片200与贯通电极部分400之间的间隙W2或者第三LED芯片300与贯通电极部分400之间的间隙W3的情况下，将第一LED芯片100连接到贯通电极部分400的透明电极层600的电距离增加。因此，施加到第一LED芯片100的电压的等级可以降低，而无需额外的降压单元。因此，可以通过向第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300施加相同等级的驱动电压来操作它们，而不需要额外的降压单元。
参考图5，模制部分500可以被设置为将第一LED芯片100、第二LED芯片200、第三LED芯片300和贯通电极部分400的侧表面封装成具有预定厚度，使得模制部分500可以具有第一表面S1和在第一表面S1的相对表面上的第二表面S2。
如上所述，可以使用黑矩阵或透明矩阵形成模制部分500，使得模制部分500可以将第一LED芯片100、第二LED芯片200、第三LED芯片300和贯通电极部分400彼此连接并且可以具有足够的机械强度以保持发光装置封装件10的外部。根据示例实施例，模制部分500可以使用与透明电极层600相同的材料形成。例如，可以使用包括Ag纳米线和碳纳米管(CNT)中的至少一种并且具有导电性的透光聚合物树脂来形成模制部分500。另外，可以使用与透明电极层600相同的材料一体地形成模制部分500。因此，根据示例实施例，可以使用单个工艺一体地形成模制部分500和透明电极层600。
参照图5和图6，连接第一LED芯片100、第二LED芯片200、第三LED芯片300和贯通电极部分400的透明电极层600可以设置在模制部分500的第一表面S1上。透明电极层600可以将暴露在模制部分500的第一表面S1上的第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300中的每一个的第一表面S100电连接到贯通电极部分400的第一表面400a。
透明电极层600可以使用透明导电氧化物(TCO)材料，所述TCO材料例如氧化铟锡(ITO)、掺杂锌的氧化铟锡(ZITO)、氧化锌铟(ZIO)、氧化镓铟(GIO)、氧化锌锡(ZTO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、In4Sn3O12或Zn(1-x)MgxO(氧化锌镁，0≤x≤1)。透明电极层600可以采用包括Ag纳米线和碳纳米管(CNT)中的至少一种并且具有导电性的透光聚合物树脂。
透明电极层600可以形成为覆盖模制部分500的整个第一表面S1。然而，透明电极层600也可以形成为具有在如下范围内的图案，所述范围是第一LED芯片100、第二LED芯片200、第三LED芯片300和贯通电极部分400彼此连接的范围。另外，透明电极层600可以形成为覆盖第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300中的每一个整个第一表面S100。然而，透明电极层600可以形成为仅覆盖第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300中的每一个的第一表面S100的相应部分。可替换地，可以在透明电极层600中形成开口，由此提高透明电极层600的透光率。
根据示例实施例，还可以将用于保护透明电极层600的钝化层700设置在透明电极层600上。
贯通电极部分400可以穿过模制部分500，使得贯通电极部分400的第一表面400a和第二表面400b分别暴露在模制部分500的第一表面S1和第二表面S2上。贯通电极部分400可以设置为在与第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300相同的高度与其相邻。第一表面400a和第二表面400b可以形成为具有与第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300的第一表面S100相同的面积。另外，如图4所示，当从上方观看时，贯通电极部分400可以与第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300一起成行和列设置，但是示例实施例不限于此。
贯通电极部分400可以连接到覆盖模制部分500的第一表面S1的透明电极层600，从而将模制部分500的第一表面S1电连接到其第二表面S2。因此，在将电压V2施加到贯通电极部分400的第二表面400b并将电压V1分别施加到第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300的独立电极130、230和330的情况下，可以构成图7A中所示的电路。
参照图7A，当电压V1和电压V2分别施加到多个独立电极130、230和330以及贯通电极部分400的第二表面400b时，第一LED芯片100、第二LED芯片200、和第三LED芯片300可并联电连接，而贯通电极部分400可与第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300串联连接。
贯通电极部分400可以包括金属、金属聚合物复合物、齐纳二极管和变阻器中的至少一种。图7A示出了使用金属或金属聚合物复合物来形成贯通电极部分400，以便以与具有预定电阻值的电阻器相同的方式进行操作的情况。因此，在对贯通电极部分400和第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300的独立电极130、230和330供电的情况下，贯通电极部分400可以串联地电连接到第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300。
通常，即使LED芯片制造在单个晶片上，其驱动电压也可能彼此不同。如此，在对具有不同的驱动电压的多个LED芯片施加相同的驱动电压的情况下，从LED芯片的发光结构发出的光会导致光强度的差异。在使用具有上述作为子像素的多个LED芯片发光装置封装件来作为显示器的像素的情况下，在子各像素之间会出现光强度的差异。因此，像素的颜色特性(亮度、颜色、色温等)会是不均匀的。在示例实施例中，在预先测量多个LED芯片的驱动电压之后，可以将具有适于所测量的驱动电压的电阻值的贯通电极部分400设置在每个发光装置封装件中，可使得所施加的驱动电压减少至所测量的驱动电压。因此，像素的颜色特性可以是均匀的。
另外，在贯通电极部分400包括诸如齐纳二极管或变阻器的保护装置的情况下，可以保护第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300免于静电放电(ESD)。图7B示出了将贯通电极部分400'提供为齐纳二极管的情况，而图7C示出了使用变阻器形成贯通电极部分400”的情况。
将发光装置封装件10连接到电路板30的独立电极130、230和330可以设置在第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED的每个支撑基板110的下方。独立电极130、230和330可以提供第一LED芯片100的第二表面S200，并且可以与模制部分500的第二表面S2共面，以便用于将发光装置封装件10连接到电路板30。
图2示出了单个发光装置封装件10对应于例如单个像素的情况作为示例，但是示例实施例不限于此。如图8所示，可以采用包括四个发光装置封装件10的发光装置封装件阵列40a。在发光装置封装件阵列40a上提供多个发光装置封装件10可以减少在电路板上布置发光装置封装件所需的时间。而且，可以确认，通过在切割工艺中未去除的连接部分11连接四个发光装置封装件10。在形成发光装置封装件阵列40a的各发光装置封装件10之间的间隙W4可以等于各发光装置封装件阵列40a之间的间隙W5，使得当从上方观察时，多个发光装置封装件10可以在其间具有相等的间隙。
在上述发光装置封装件的情况下，多个LED芯片可以通过透明电极层和贯通电极部分并联连接，并且可以向多个LED芯片中的每一个供电。因此，不必要形成电极图案以形成连接到多个LED芯片中的每一个的电极的单独工艺。因此，在示例的发光装置封装件的情况下，可以降低制造时间和成本。另外，由于不需要单独的布线，因此发光装置封装件可以容易地小型化。
在图9和图10中，示出了具有与上述示例实施例的结构不同的结构的发光装置封装件10a。
参照图10，根据示例实施例的发光装置封装件10a可以包括与上述示例实施例类似的第一LED芯片100。
与上面参考图5描述的示例实施例相比，可以设置绝缘层800以覆盖第一LED芯片100和贯通电极部分400的侧表面，而透明电极部分使用与模制部分900相同的材料一体地形成。绝缘层800可以延伸到第一LED芯片100的第一表面S100和贯通电极部分400的第一表面400a的区域。
可以使用包括Ag纳米线和CNT中的至少一种的透光聚合物树脂来形成模制部分900，使得模制部分900可以具有导电性和足够的机械强度以维持发光装置封装件10a的外部。由此，因为可以同时制造透明电极层和模制部分，所以可以进一步减少制造发光装置封装件10a所需的时间。
绝缘层800可以位于第一LED芯片100、第二LED芯片200、第三LED芯片300以及贯通电极部分400与模制部分900之间，从而使第一LED芯片100、第二LED芯片200、第三LED芯片300和贯通电极部分400的侧表面与模制部分900绝缘。可以在相应的区域中设置开口810，在所述相应的区域中，第一LED芯片100、第二LED芯片200、第三LED芯片300和贯通电极部分400的第一表面与模制部分900接触，从而所述区域被定义为连接到模制部分900的区域。例如，绝缘层800可以包括氧化硅和氮化硅，例如SiO2、SiOxNy和SixNy。
根据示例实施例，显示装置可以包括显示面板，所述显示面板包括电路板以及成行和列设置在所述电路板上的多个发光装置封装件。
将描述制造图5中示出的发光装置封装件10的工艺。图11至图15是示出制造图5的发光装置封装件的工艺的示意性侧视横截面图。
首先，如图11所示，可以将第一发光二极管芯片100、第二发光二极管芯片200、第三发光二极管芯片300以及贯通电极部分400提供为成组的像素单元S，并将其重复地布置在第一粘合剂膜T1的表面上。可以使用当UV光照射时其粘合强度降低的UV敏感膜作为第一粘合剂膜T1。可以将第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300布置为使得可以在它们上部暴露出独立电极130、230和330。
随后，如图12所示，可以按照在第一LED芯片100、第二LED芯片200、第三LED芯片300和贯通电极部分400之间涂覆黑矩阵500a的方式形成模制部分500。根据示例实施例，涂覆黑矩阵500a以封装第一LED芯片100、第二LED芯片200、第三LED芯片300和贯通电极部分400。此后，可以在暴露各个电极130、230和330以及贯通电极部分400的工艺中使用磨床G。
随后，如图13所示，可以将第二粘合剂膜T2附着到模制部分500的第二表面S2，并去除第一粘合剂膜T1。由此，将第一LED芯片100、第二LED芯片200、第三LED芯片300和贯通电极部分400转移至第二粘合剂膜T2。
随后，如图14所示，可以顺序地形成透明电极层600和钝化层700，以覆盖模制部分500的第一表面S1。
随后，如图15所示，可以使用刀片BL将模制部分500切割成像素单元S，并且可以去除第二粘合剂膜T2，从而形成图5的各个发光装置封装件10。
以下，将描述制造图9中示出的发光装置封装件10a的工艺。图16至图19是示出制造图9的发光装置封装件的工艺的示意性侧视横截面图。
首先，如图16所示，可以将第一LED芯片100、第二LED芯片200、第三LED芯片300以及贯通电极部分400提供为成组的像素单元S，并将其重复地布置在第一粘合剂膜T1的表面上。与上述示例实施例类似的方式，可以使用当UV光照射时其粘合强度降低的UV敏感膜作为第一粘合剂膜T1。可以将第一LED芯片100、第二LED芯片200和第三LED芯片300的独立电极130、230和330布置为附着到第一粘合剂膜T1。
随后，如图17所示，沉积绝缘层800以覆盖第一LED芯片100、第二LED芯片200、第三LED芯片300和贯通电极部分400的表面。可以在绝缘层800中形成开口810。
随后，如图18所示，涂覆包括Ag纳米线和CNT中的至少一种的透光聚合物树脂以覆盖第一LED芯片100、第二LED芯片200、第三LED芯片300和贯通电极部分400，从而形成模制部分900。
随后，如图19所示，可以使用刀片BL将模制部分900切割成像素单元S，并且可以去除第一粘合剂膜T1以形成图9的各个发光装置封装件10a。
如上所述，根据示例实施例，可以形成发光装置封装件和使用其的显示装置。发光装置封装件和显示装置可以利用减少的制造时间形成，并且显示装置可以容易地小型化。
虽然以上已经示出和描述了示例实施例，但是对于本领域技术人员来说将显而易见的是，可以在不脱离如所附权利要求所限定的本公开的范围的情况下进行修改和变化。

Claims (20)

1.一种发光装置封装件，包括：
三个发光二极管芯片，其被构造为发射具有不同波长的光，所述三个发光二极管芯片中的每一个包括发光结构，所述发光结构具有第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及位于所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；
贯通电极部分，其与所述三个发光二极管芯片相邻设置；
模制部分，其封装所述三个发光二极管芯片和所述贯通电极部分的各侧表面，以将所述三个发光二极管芯片与所述贯通电极部分彼此连接；
透明电极层，其设置在所述模制部分的第一表面、所述三个发光二极管芯片和所述贯通电极部分上；以及
三个独立电极，其通过所述模制部分的第二表面暴露出来并分别设置在所述三个发光二极管芯片上，
其中，所述三个独立电极的下表面与所述模制部分的第二表面共面。
2.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，所述贯通电极部分包括金属、金属聚合物复合物、齐纳二极管和变阻器中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，所述贯通电极部分与所述三个发光二极管芯片中的每一个串联连接。
4.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，所述三个发光二极管芯片分别包括第一发光结构、第二发光结构和第三发光结构，并且所述第一发光结构的有源层、所述第二发光结构的所述有源层和所述第三发光结构的所述有源层分别发射红光、绿光和蓝光。
5.根据权利要求4所述的发光装置封装件，其中，所述三个发光二极管芯片和所述贯通电极部分成行和列设置。
6.根据权利要求4所述的发光装置封装件，其中，所述第一发光结构与所述贯通电极部分之间的第一间隙大于所述第二发光结构与所述贯通电极部分之间的第二间隙以及所述第三发光结构与所述贯通电极部分之间的第三间隙中的每一个间隙。
7.根据权利要求4所述的发光装置封装件，其中，所述第一发光结构包括与所述第二发光结构和所述第三发光结构不同的材料。
8.根据权利要求7所述的发光装置封装件，其中，所述第一发光结构包括砷化镓(GaAs)，并且
其中，所述第二发光结构和所述第三发光结构包括氮化镓(GaN)。
9.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，所述三个发光二极管芯片中的每一个还包括位于所述第二导电类型半导体层和所述三个独立电极中的独立电极之间的支撑基板。
10.根据权利要求9所述的发光装置封装件，其中，所述支撑基板包括导电材料或半导体材料。
11.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，所述模制部分被构造为形成黑矩阵或透明矩阵。
12.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，使用所述透明电极层的材料一体地形成所述模制部分，
其中，所述发光装置封装件还包括绝缘层，其设置为覆盖所述三个发光二极管芯片和所述贯通电极部分的各侧表面。
13.根据权利要求12所述的发光装置封装件，其中，所述模制部分包括透光聚合物树脂，所述透光聚合物树脂包含银(Ag)纳米线和碳纳米管中的至少一种。
14.根据权利要求1所述的发光装置封装件，还包括覆盖所述透明电极层的钝化层。
15.一种发光装置封装件，包括：
透明电极层；
多个发光二极管芯片，其被构造为发射具有不同波长的光，所述多个发光二极管芯片彼此间隔开并且设置在所述透明电极层上，所述多个发光二极管芯片中的每一个具有连接到所述透明电极层的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且所述透明电极层被提供为所述多个发光二极管芯片的公共电极；
多个独立电极，所述多个独立电极中的每一个分别设置在所述多个发光二极管芯片的所述第二表面上；
贯通电极部分，其具有连接至所述透明电极层的第一贯通电极部分表面和与所述第一贯通电极部分表面相对设置的第二贯通电极部分表面；以及
模制部分，其封装所述多个发光二极管芯片和所述贯通电极部分，所述多个独立电极和所述第二贯通电极部分表面通过所述模制部分暴露出来，
其中，所述多个独立电极的下表面与所述模制部分的下表面共面。
16.根据权利要求15所述的发光装置封装件，其中，所述多个发光二极管芯片的第一表面具有相同的面积。
17.根据权利要求15所述的发光装置封装件，其中，所述多个发光二极管芯片的第一表面彼此共面。
18.一种显示装置，包括：
显示面板，其包括电路板以及成行和列设置在所述电路板上的多个发光装置封装件；
面板驱动器，其被构造为驱动所述显示面板；以及
控制器，其被构造为驱动所述面板驱动器，
其中，所述多个发光装置封装件中的每一个包括被构造为发射具有不同波长的光的多个发光二极管芯片，
其中，所述多个发光二极管芯片中的每一个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、位于所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层、由所述第一导电类型半导体层提供的第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且
其中，所述多个发光装置封装件中的每一个包括封装所述多个发光二极管芯片的各侧表面的模制部分、设置在所述多个发光二极管芯片的第一表面上并且电连接到所述多个发光二极管芯片的所述第一导电类型半导体层的透明电极层、贯穿所述模制部分以连接至所述透明电极层的贯通电极部分以及多个独立电极，所述多个独立电极中的每一个分别设置在所述多个发光二极管芯片的所述第二表面上并暴露于所述模制部分，
其中，所述多个独立电极的下表面与所述模制部分的下表面共面。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述贯通电极部分包括金属、金属聚合物复合物、变阻器和齐纳二极管中的至少一种，并且
其中，所述多个发光装置封装件中的每一个的所述贯通电极的电阻值是独立调整的，以使得所述多个发光装置封装件中的每一个的驱动电压是均匀的。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述多个发光装置封装件中的每一个包括成行和列设置的多个子像素。
CN201810233940.3A 2017-07-12 2018-03-21 发光装置封装件和使用发光装置封装件的显示装置 Active CN109273574B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0088400 2017-07-12
KR1020170088400A KR102549171B1 (ko) 2017-07-12 2017-07-12 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109273574A CN109273574A (zh) 2019-01-25
CN109273574B true CN109273574B (zh) 2023-12-05

Family

ID=64999148

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810233940.3A Active CN109273574B (zh) 2017-07-12 2018-03-21 发光装置封装件和使用发光装置封装件的显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10236280B2 (zh)
KR (1) KR102549171B1 (zh)
CN (1) CN109273574B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110335551B (zh) * 2019-05-21 2021-01-05 安徽明洋电子有限公司 一种led显示屏加工用屏幕封装设备及其操作方法
KR20220009249A (ko) * 2020-07-15 2022-01-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102476734B1 (ko) * 2020-11-26 2022-12-12 한국광기술원 투명 디스플레이용 플렉시블 led 패키지 및 그의 제조 방법
CN112802400B (zh) * 2021-01-06 2023-12-15 季华实验室 一种显示面板
KR102442664B1 (ko) * 2021-01-27 2022-09-13 주식회사 어드밴스트뷰테크널러지 마이크로 led 소자, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 디스플레이 장치
TWI767594B (zh) * 2021-03-03 2022-06-11 達運精密工業股份有限公司 顯示裝置
CN112992081B (zh) * 2021-03-08 2023-04-25 京东方科技集团股份有限公司 一种背光板、显示面板及背光板的控制方法
DE102021108349A1 (de) * 2021-04-01 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Licht emittierende vorrichtung und lidar-system
WO2024005598A1 (ko) * 2022-06-30 2024-01-04 엘씨스퀘어(주) 마이크로 발광 소자 패키지
CN116111013B (zh) * 2022-12-22 2024-04-05 惠科股份有限公司 发光单元组件及其制作方法、显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101183702A (zh) * 2006-11-17 2008-05-21 夏普株式会社 半导体发光元件及其制造方法
CN103477456A (zh) * 2011-02-09 2013-12-25 首尔半导体株式会社 具有波长转换层的发光装置

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1495523A (zh) 1996-08-27 2004-05-12 ������������ʽ���� 转移方法和有源矩阵基板的制造方法
USRE38466E1 (en) 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
US7208725B2 (en) 1998-11-25 2007-04-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Optoelectronic component with encapsulant
US6784541B2 (en) 2000-01-27 2004-08-31 Hitachi, Ltd. Semiconductor module and mounting method for same
JP3906654B2 (ja) 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置
KR20040029301A (ko) 2001-08-22 2004-04-06 소니 가부시끼 가이샤 질화물 반도체소자 및 질화물 반도체소자의 제조방법
JP2003218034A (ja) 2002-01-17 2003-07-31 Sony Corp 選択成長方法、半導体発光素子及びその製造方法
JP3815335B2 (ja) 2002-01-18 2006-08-30 ソニー株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP3787839B2 (ja) * 2002-04-22 2006-06-21 セイコーエプソン株式会社 デバイスの製造方法、デバイス及び電子機器
KR100499129B1 (ko) 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7002182B2 (en) 2002-09-06 2006-02-21 Sony Corporation Semiconductor light emitting device integral type semiconductor light emitting unit image display unit and illuminating unit
JP2004304161A (ja) * 2003-03-14 2004-10-28 Sony Corp 発光素子、発光装置、画像表示装置、発光素子の製造方法及び画像表示装置の製造方法
KR100506735B1 (ko) 2003-06-26 2005-08-08 삼성전기주식회사 다색 발광 다이오드 패키지
KR100714639B1 (ko) 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
KR100506740B1 (ko) 2003-12-23 2005-08-08 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100664985B1 (ko) 2004-10-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 소자
KR100665222B1 (ko) 2005-07-26 2007-01-09 삼성전기주식회사 확산재료를 이용한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100661614B1 (ko) 2005-10-07 2006-12-26 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
FR2892594B1 (fr) 2005-10-21 2007-12-07 Saint Gobain Structure lumineuse comportant au moins une diode electroluminescente, sa fabrication et ses applications
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR100735325B1 (ko) 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US7682874B2 (en) 2006-07-10 2010-03-23 Shanghai Kaihong Technology Co., Ltd. Chip scale package (CSP) assembly apparatus and method
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
KR100974923B1 (ko) 2007-03-19 2010-08-10 서울옵토디바이스주식회사 발광 다이오드
KR100855065B1 (ko) 2007-04-24 2008-08-29 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100982980B1 (ko) 2007-05-15 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 면 광원 장치 및 이를 구비하는 ｌｃｄ 백라이트 유닛
KR101164026B1 (ko) 2007-07-12 2012-07-18 삼성전자주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100891761B1 (ko) 2007-10-19 2009-04-07 삼성전기주식회사 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
KR20100030470A (ko) 2008-09-10 2010-03-18 삼성전자주식회사 다양한 색 온도의 백색광을 제공할 수 있는 발광 장치 및 발광 시스템
KR101530876B1 (ko) 2008-09-16 2015-06-23 삼성전자 주식회사 발광량이 증가된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
US8008683B2 (en) 2008-10-22 2011-08-30 Samsung Led Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR101622399B1 (ko) 2009-08-18 2016-05-18 엘지전자 주식회사 Ｌｅｄ 장치
US8400064B2 (en) 2009-09-09 2013-03-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Zener diode protection network in submount for LEDs connected in series
EP2367203A1 (en) 2010-02-26 2011-09-21 Samsung LED Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having multi-cell array and method for manufacturing the same
KR20120032908A (ko) 2010-09-29 2012-04-06 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지
CN102593287B (zh) 2011-01-10 2015-07-08 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构
KR101224154B1 (ko) 2012-02-09 2013-01-21 주식회사 웨이브인 써지 흡수기를 갖는 엘이디 조명 및 그 제조방법
DE102012209325B4 (de) 2012-06-01 2021-09-30 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Modul
DE112013003887T5 (de) 2012-09-07 2015-05-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Leuchtdiodenarray auf Wafer-Ebene
US20140091330A1 (en) 2012-10-02 2014-04-03 Helio Optoelectronics Corporation Led package structure with transparent electrodes
US9166114B2 (en) * 2012-12-11 2015-10-20 LuxVue Technology Corporation Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity
DE102012113003A1 (de) 2012-12-21 2014-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
KR102122358B1 (ko) * 2014-01-20 2020-06-15 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101183702A (zh) * 2006-11-17 2008-05-21 夏普株式会社 半导体发光元件及其制造方法
CN103477456A (zh) * 2011-02-09 2013-12-25 首尔半导体株式会社 具有波长转换层的发光装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10236280B2 (en) 2019-03-19
KR20190007226A (ko) 2019-01-22
US20190019779A1 (en) 2019-01-17
KR102549171B1 (ko) 2023-06-30
CN109273574A (zh) 2019-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109273574B (zh) 发光装置封装件和使用发光装置封装件的显示装置
US11824145B2 (en) Light emitting device and display apparatus including the same
US10008642B2 (en) Semiconductor light emitting devices
US9954028B2 (en) Light emitting device package and display device using the same
KR102603494B1 (ko) 디스플레이 장치
US20230369297A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US8975656B2 (en) Light emitting elements, light emitting devices including light emitting elements and methods of manufacturing such light emitting elements and/or device
KR102569728B1 (ko) 베젤리스 마이크로led 표시장치
US20210408101A1 (en) Light emitting device
US20230071708A1 (en) Light emitting device
KR102585406B1 (ko) 발광소자 패키지
US11935911B2 (en) Double color micro LED display panel
JP5947520B2 (ja) 発光素子、照明システム
KR20240040698A (ko) 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
US20220068994A1 (en) Double color micro led display panel
KR20130053005A (ko) 발광소자
KR20170112776A (ko) 발광소자, 어레이 기판, 패널, 및 이를 포함하는 표시장치
US8445924B2 (en) Light emitting device
KR20220093086A (ko) 디스플레이용 발광 소자 및 그것을 갖는 led 디스플레이 장치
EP2482342B1 (en) Light emitting device
KR20130059137A (ko) 발광소자
KR20130014703A (ko) 발광소자
CN102447032A (zh) 发光器件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant