TWI620312B - 有機發光顯示裝置、其製造方法及用以製造有機發光顯示裝置之施體基板與施體基板組 - Google Patents

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Abstract

揭露一種有機發光顯示裝置、其製造方法及用以製造有機發光顯示裝置之施體基板與施體基板組。根據本發明之態樣，提供一種有機發光顯示裝置，其包含含有綠色區域與紅色區域之基板、分別形成於基板之綠色區域與紅色區域上之複數個第一電極、形成於第一電極上並包含形成於綠色區域上之綠色發光層與形成於紅色區域上之紅色發光層之複數層發光層、以及形成於發光層上之第二電極，其中該綠色發光層包含含有第一基質材料以及第一摻質材料之第一發光層、以及形成於第一發光層上並包含第一基質材料之第一緩衝層，而該紅色發光層包含含有第二基質材料以及第二摻質材料之第二發光層、以及形成於第二發光層上並包含第一基質材料之第二緩衝層。

Description

有機發光顯示裝置、其製造方法及用以製造有機發光顯 示裝置之施體基板與施體基板組
本發明係關於一種有機發光顯示裝置、其製造方法、以及用以製造有機發光顯示裝置之施體基板及施體基板組。
一般而言，有機發光顯示裝置包含陽極、陰極及插設於陽極及陰極間之有機層。有機層包含至少一發光層，且除了發光層外，進一步包含電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層及電子注入層。有機發光顯示裝置根據形成有機層，特別是發光層之材料，分類為聚合物有機發光顯示裝置或小分子量有機發光顯示裝置。
為了實現全彩之有機發光顯示裝置，需對發光層進行圖案化。圖案化發光層於小分子量有機發光顯示裝置之情形下，可利用精細金屬遮罩(FMM)，而於聚合物有機發光顯示裝置之情形下，可用噴墨印刷或雷射引發熱成像(LITI)。其中雷射引發熱成像具精細圖案化有機層之優點且為乾製程而非如噴墨印刷製程中之濕製程。
為了利用雷射引發熱成像法形成聚合物有機層之圖案，至少需要光源、用於有機發光顯示裝置之基板，即裝置基板、及施體基板。施體基板包含底膜、光熱轉換層及由有機層組成之轉印層。裝置基板上之有機層之圖案化，於自光源發射之光線被光熱轉換層吸收並轉換為熱能時進行。包含轉印層之有機層藉由熱能轉印至裝置基板上。
形成綠色發光層之施體基板及形成紅色發光層之施體基板可使用不同底膜。此外，插設於形成綠色發光層之施體基板之底膜與形成綠色發光層之轉印層間之緩衝層可相異於插設於紅色發光層之施體基板之底膜及形成紅色發光層之轉印層間之緩衝層。如果使用不同之底膜及緩衝層，則可能增加製程之變因，且其可能難以判斷缺陷原因。此外，使用雷射引發熱成像法，以不同底膜及緩衝層製造有機發光顯示裝置可能具低發光效率及低壽命。
本發明之態樣提供具有高發光效率及持久之壽命之一種有機發光顯示裝置。
本發明之態樣亦提供使用相同之基底膜及相同之緩衝層之施體基板組。
本發明之態樣亦提供使用共同之基底膜及共同之緩衝層之單一施體基板。
本發明之態樣亦提供利用使用相同之基底膜及相同之緩衝層之施體基板組或使用或共同之基底膜及共同之緩衝層之單一施體基板之有機發光顯示裝置之製造方法。
然而本發明之態樣不以本文中所述為限。本發明之上述及其他態樣藉由參照以下提供之本發明之詳細描述對本發明所屬領域之通常知識者而言將變得更加顯而易見。
根據本發明之實施例，提供一種有機發光顯示裝置，其包含：包含綠色區域與紅色區域之基板；複數個第一電極，該複數個第一電極包含複數個綠色區域第一電極及複數個紅色區域第一電極，該複數個綠色區域第一電極位於基板之綠色區域上，以及複數個紅色區域第一電極位於基板之紅色區域上；位於第一電極上之複數個發光層，該複數個發光層包含於綠色區域上之綠色發光層及於紅色區域上之紅色發光層；以及位於發光層上之第二電極，該綠色發光層包含含有第一基質材料以及第一摻質材料之第一發光層；以及位於第一發光層上，包含第一基質材料之第一緩衝層，而紅色發光層包含含有第二基質材料以及第二摻質材料之第二發光層包；以及位於第二發光層上，包含第一基質材料之第二緩衝層。
一實施例中，基板進一步包含藍色區域，發光層進一步包含藍色發光層於藍色區域上。
一實施例中，藍色發光層延伸至綠色區域及紅色區域並重疊綠色發光層及紅色發光層。
一實施例中，綠色發光層及紅色發光層直接位於藍色發光層上。
一實施例中，藍色發光層包含第三基質材料及第三摻質材料。
一實施例中，顯示裝置包含：配置以注入或傳輸第一電極及發光層間之電子或電洞之第一中間層；以及配置以注入或傳輸發光層及第二電極間之電子或電洞之第二中間層。
一實施例中，第一緩衝層不包含第一摻質材料；以及第二緩衝層不包含第二摻質材料。
一實施例中，綠色發光層包含第一附加層於第一發光層下，紅色發光層包含第二附加層於第二發光層下。
一實施例中，第二附加層之高度大於第一附加層之高度。
一實施例中，顯示裝置包含形成於第二電極上，配置以保護第二電極及第二電極下之結構之保護層。
根據本發明之實施例，提供施體基板組包含：第一施體基板；以及第二施體基板，第一施體基板包含：第一基底膜；形成第一緩衝層之轉印層，形成第一緩衝層之轉印層位於第一基底膜上，及包含第一基質材料；以及形成第一發光層之轉印層，形成第一發光層之轉印層位於形成第一緩衝層之轉印層上，形成第一發光層之轉印層包含第一基質材料及第一摻質材料，而第二施體基板包含：第二基底膜；形成第二緩衝層之轉印層，形成第二緩衝層之轉印層位於第二基底膜上，及包含第一基質材料；以及形成第二發光層之轉印層，形成第二發光層之轉印層位於形成第二緩衝層之轉印層上，並包含第二基質材料及第二摻質材料。
一實施例中，第一基底膜與第二基底膜以相同材料形成。
一實施例中，形成第一緩衝層之轉印層與形成第二緩衝層之轉印層以相同材料形成。
一實施例中，形成第一緩衝層之轉印層不包含第一摻質材料；以及形成第二緩衝層之轉印層不包含第二摻質材料。
一實施例中，施體基板組包含：形成第一附加層之轉印層，形成第一附加層之轉印層位於形成第一發光層之轉印層上；以及形成第二附加層之轉印層，形成第二附加層之轉印層位於形成第二發光層之轉印層上。
一實施例中，施體基板組包含：介於第一基底膜及形成第一緩衝層之轉印層間之第一光熱轉換層；以及介於第二基底膜及形成第二緩衝層之轉印層間之第二光熱轉換層。
一實施例中，施體基板組包含：介於第一光熱轉換層及形成第一緩衝層之轉印層間之第一中間層；以及介於第二光熱轉換層及形成第二緩衝層之轉印層間之第二中間層。
根據本發明之實施例，提供施體基板包含：包含第一區域及第二區域之基底膜；於該基底膜上之緩衝層，該緩衝層包含第一基質材料；形成第一發光層之轉印層，形成第一發光層之轉印層位於緩衝層之第一區域上，並包含第一基質材料及第一摻質材料；以及形成第二發光層之轉印層，形成第二發光層之轉印層位於緩衝層之第二區域上，並包含第二基質材料及第二摻質材料。
一實施例中，施體基板包含：形成第一附加層之轉印層，形成第一附加層之轉印層位於形成第一發光層之轉印層上；以及形成第 二附加層之轉印層，形成第二附加層之轉印層位於形成第二發光層之轉印層上。
一實施例中，施體基板包含形成於基底膜與緩衝層間之光熱轉換層。
一實施例中，施體基板包含介於光熱轉換層及緩衝層間之中間層。
根據本發明之實施例，提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：準備具有分別形成於基板之第一區域與第二區域上之複數個第一電極之基板；放置第一施體基板，其包含第一基底膜、形成第一緩衝層之轉印層，形成第一緩衝層之轉印層位於第一基底膜上，並包含第一基質材料、以及形成第一發光層之轉印層，形成第一發光層之轉印層位於形成第一緩衝層之轉印層上，並包含第一基質材料及第一摻質材料，使形成第一發光層之轉印層以一間隙介於形成第一發光層之轉印層與基板間地面對基板；以及藉由以雷射光照射第一區域，以轉印形成第一緩衝層之轉印層及形成第一發光層之轉印層於第一區域之第一電極上，形成第一有機層圖樣於第一電極之第一區域上。
一實施例中，方法包含形成第一有機層圖樣於該第一區域之第一電極上後：放置第二施體基板，其包含第二基底膜、形成第二緩衝層之轉印層，形成第二緩衝層之轉印層位於第二基底膜上，並包含第一基質材料，以及形成第二發光層之轉印層，形成第二發光層之轉印層位於形成第二緩衝層之轉印層上，並包含第二基質材料及第二摻質材料，使形成第二發光層之轉印層以一間隙介於形成第二發光層之轉印層 與基板間地面對基板；以及藉由以雷射光照射第二區域，以轉印形成第二緩衝層之轉印層及形成第二發光層之轉印層於第二區域之第一電極上，形成第二有機層圖樣於第二區域之第一電極之上。
一實施例中，方法包含形成第二有機層圖樣於第二區域之第一電極上後，形成第二電極於第一有機層圖樣及第二有機層圖樣上。
根據本發明之實施例，提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：準備具有形成於基板之第一區域與第二區域上之複數個第一電極之基板；放置施體基板，其包含基底膜、位於基底膜上並包含第一基質材料之緩衝層，以及形成第一發光層之轉印層，形成第一發光層之轉印層位於第一區域之緩衝層上，並包含第一基質材料及第一摻質材料，以及形成第二發光層之轉印層，形成第二發光層之轉印層位於第二區域之緩衝層上，並包含第二基質材料及第二摻質材料，使形成第一發光層之轉印層及形成第二發光層之轉印層面對基板，並形成一間隙介於：形成第一發光層之轉印層及形成第二發光層之轉印層；以及該基板間；以及藉由以雷射光照射第一區域及第二區域，轉印緩衝層、形成第一發光層之轉印層及形成第二發光層之轉印層於第一電極上，形成有機層圖樣於第一電極上。
一實施例中，方法包含形成有機層圖樣於第一電極上後，形成第二電極於有機層圖樣上。
100‧‧‧基板
110‧‧‧第一電極
120‧‧‧第一中間層
130‧‧‧藍色發光層
140‧‧‧綠色發光層
141‧‧‧第一附加層
142‧‧‧第一發光層
143‧‧‧第一緩衝層
150‧‧‧紅色發光層
151‧‧‧第二附加層
152‧‧‧第二發光層
153‧‧‧第二緩衝層
160‧‧‧第二中間層
170‧‧‧第二電極
180‧‧‧保護層
200‧‧‧施體基板組
210‧‧‧第一施體基板
211‧‧‧第一基底膜
212‧‧‧第一光熱轉換層
213‧‧‧第一中間層
214、214a、214b、214c、224、224a、224b、224c、305、306、307、308‧‧‧轉印層
220‧‧‧第二施體基板
221‧‧‧第二基底膜
222‧‧‧第二光熱轉換層
223‧‧‧第二中間層
300‧‧‧施體基板
301‧‧‧基底膜
302‧‧‧光熱轉換層
303‧‧‧中間層
304‧‧‧緩衝層
400‧‧‧雷射光束
本發明之上述及其他態樣與特徵將藉由參照附圖詳細描述例示性實施例而變得顯而易見，其中： 第1圖係為根據本發明實施例之有機發光顯示裝置之橫截面圖；第2圖係為根據本發明實施例之施體基板組之橫截面圖；第3圖及第4圖係為個別描繪使用第2圖之施體基板組製造有機發光顯示裝置之方法之步驟之橫截面圖；第5圖係為根據本發明實施例之施體基板之橫截面圖；第6圖及第7圖係為個別描繪使用第5圖之施體基板製造有機發光裝置之方法之步驟之橫截面圖；第8圖係為描繪根據範例1及範例2以及比較例1及比較例2之有機發光顯示裝置之亮度隨時間之降低率。
本發明之態樣及特點及其達成方法可藉由參照以下實施例之詳細描述及附圖而更輕易的理解。然而，本發明可以許多不同形式實現且不應解釋為受到本文所述之實施例的限制。相反地，提供此些實施例係為了使此揭露透徹及完整並充分傳達本發明之概念予該領域具通常知識者，且本發明將僅由所附之專利範圍定義。因此，於部分實施例中，為了不以不必要之細節混淆本發明之描述，將不呈現已知之結構及裝置。全文中，相似之標號表示相似之元件。於圖中，層及區域之厚度為了清晰而誇大。
應理解的是，當一元件或層被表示為於另一元件或層之「上方(on)」或與另一元件或層「連結(connected to)」時，其可直接於另一元件或層之上方或直接與另一元件或層連結或可存在中間元件或層。相 反地，當一元件或層被表示為直接於另一元件或層之「上方(directly on)」或與另一元件或層「直接連結(directly connected to)」時，不存在中間元件或層。此處使用之用語「及/或(and/or)」包含一或多個相關條列物件之任一及全部之組合。
空間相對性用語如「在下面(below)」、「之下(beneath)」、「下(lower)」、「上面(above)」、「上(upper)」等，可用於本文中以便於描述如圖中所示之一元件或特點與其他元件或特點之關係。將理解的是，除了繪於圖式中之方向外，空間相對性用語意圖包含裝置於使用或操作中之不同方向。
此處描述之實施例將參考平面圖及/或橫截面圖等以本發明理想示意圖之方式進行描述。據此，例示圖式可根據製造技術或容許誤差進行修改。因此，本發明之實施例不限於圖示中所呈現者，而是包括基於製造過程之誤差形成之配置之修飾。因此，圖中之例示區域為示意性之表示且圖中所示之形狀為元件之區域之例示性具體形狀，而不限制本發明之態樣。
於下將會根據附圖描述本發明之實施例。
第1圖係為根據本發明實施例之有機發光顯示裝置之橫截面圖。參考第1圖，有機發光裝置包含基板100、形成於基板100上之複數個第一電極110、形成於第一電極110上並包含藍色發光層130、綠色發光層140及紅色發光層150之複數個有機發光層、及形成於發光層上之第二電極170。
基板100可包含絕緣基板。絕緣基板可由包含透明二氧化矽作為主成分之透明玻璃材料形成。部分實施例中，絕緣基板可由不透明材料或塑膠材料形成。進一步地，絕緣基板可為可彎、摺疊或捲起之可撓式基板。
雖然未示於第1圖，基板100可進一步包含形成於絕緣基板上之其他結構。結構之範例可包含配線、電極、絕緣層等。若根據本實施例之有機發光顯示裝置為主動陣列有機發光顯示裝置，基板100可包含形成於絕緣基板上之複數個薄膜電晶體(TFT)。每一薄膜電晶體可包含閘電極、源電極、汲電極及為通道區之半導體層。半導體層可由非晶矽、單晶矽或多晶矽形成。其他實施例中，半導體層可由氧化物半導體形成。各至少部分薄膜電晶體中之汲電極可電性連結至對應之第一電極110。
基板100可包含藍色區域、綠色區域及紅色區域。藍色區域、綠色區域及紅色區域可分別發出藍、綠及紅光。於例示性實施例中，基板100之藍色區域、綠色區域及紅色區域可以預定距離互相分隔。
第一電極110形成於基板100上。第一電極110可相互分離且可各自對應至複數個像素。雖未示於第1圖，像素定義可插設於不同像素之第一電極110間以定義像素。像素界定層可形成於基板100上且可包含分別露出其中將形成像素之第一電極110之區域之開口。像素界定層可由選自於苯並環丁烯(BCB)、聚醯亞胺(PI)、聚醯胺(PA)、壓克力樹脂及酚醛樹脂之至少一有機材料形成或以無機材料，如氮化矽形成。
第一電極110可為陰極或陽極。若第一電極110為陽極，則第二電極170可為陰極。第一電極110為陽極之情形將於以下描述以作為 範例。然而此僅為舉例，而第一電極110亦可為陰極，且第二電極170亦可為陽極。
用作為陽極之第一電極110以具有高功函數之導電材料形成。底部發光有機發光顯示裝置中，第一電極110可由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2O3)或此些材料之堆疊形成。於頂部發光有機發光顯示裝置中，每一第一電極110可進一步包含由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰或鈣形成之反射層。第一電極110之結構可以各種形式修改。舉例而言，第一電極110可由二或多層自上述選擇之二或多種不同之材料組成。
第一電極110可形成於藍色區域、綠色區域及紅色區域中。第一電極110可形成於基板100上以直接接觸基板100或像是絕緣層之材料可插設於第一電極110及基板100間。用詞「綠色區域」及「紅色區域」可用於本文中以分別表示此些區域，或作為定性形容用詞以辨別，舉例而言，此些區域中之第一電極。因此舉例而言，綠色區域中之第一電極於本文中可表示為「綠色區域第一電極」。
第一中間層120可形成於第一電極110上，第一中間層120可輔助第一電極110及第二電極170間之電子或電洞之注入或傳輸。若第一電極110為陽極，則第一中間層120可為與電洞注入或傳輸相關之層。舉例而言，第一中間層120可僅包含電洞注入層或電洞傳輸層或可包含電洞注入及電洞傳輸層之堆疊。電洞注入層或電洞傳輸層可使用包含蒸氣沉積、旋轉塗佈、澆鑄或LB法之各種方法形成。可使用蒸氣沉積法。
當電洞注入層或電洞傳輸層以蒸氣沉積法形成時，其沉積條件可根據用作為形成電洞注入層及電洞傳輸層之材料之化合物及電洞注入層或電洞傳輸層之預期結構與熱特性而有所不同。電洞注入層或電洞傳輸層之沉積條件可包含範圍為100至500。℃之沉積溫度、範圍為10-8至10-3托之真空度、及範圍為每秒0.01至100埃之沉積速率。
形成電洞注入層之材料可選自於已知之電洞注入材料，其包含但不限於，酞菁化合物如酞菁銅、星形胺衍生物(starburst type amine)如TCTA或m-MTDATA，導電聚合物如聚苯胺/十二烷基苯磺酸(polyaniline/dodecylbenzenesulfonic acid,and Pani/DBSA)、聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate),PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟腦磺酸(polyaniline/camphor sulfonic acid,Pani/CSA)和聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸鹽)(polyaniline/poly(4-styrene-sulfonate),Pani/PSS)。
形成電洞傳輸層之材料可選自已知之電洞傳輸材料，包含但不限於，1,3,5-三咔唑苯(1,3,5-tricarbazolyl benzene)、4,4'-雙咔唑基聯苯(4,4'-biscarbazolylbiphenyl)、聚乙烯基咔唑(polyvinylcarbazole)、間-雙咔唑基苯基(m-biscarbazolylphenyl)、4,4'-雙咔唑-2,2'-二甲基聯苯(4,4'-biscarbazolyl-2,2'-dimethylbiphenyl)、4,4',4"三(N咔唑基)三苯胺(4,4',4"-tri(N-carbazolyl)triphenylamine)、1,3,5-三(2-咔唑基苯基)苯(1,3,5-tri(2-carbazolylphenyl)benzene)、1,3,5-三(2-咔唑基-5-甲氧基 苯基)苯(1,3,5-tris(2-carbazolyl-5-methoxyphenyl)benzene)、雙(4-咔唑基苯基)矽烷(bis(4-carbazolylphenyl)-silane)、N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-聯苯基]-4,4'-二胺(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine(TPD))、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl benzidine(NPD))、N,N'-二苯基-N,N'-雙(1-萘基)-(1,1'-聯苯)-4,4'-二胺(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB))、聚(9,9-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(poly(9,9-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenylamine)(TFB))和聚(9,9-二辛基芴-共-雙-(4-丁基苯基)-雙-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(poly(9,9-dioctylfluorene-co-bis-(4-butylphenyl)-bis-N,N-phenyl-1,4-phenylenediamine)(PFB))。
第一中間層120可劃分為個別對應至像素之複數個部分。或者，第一中間層120可形成為整個有機發光顯示裝置上之單一片，如第1圖所示。亦即第一中間層120可形成為共同層而不考慮像素間之劃分。
藍色發光層130形成於第一中間層120上。藍色發光層130可形成於藍色區域。藍色發光層130可由單一地發射藍光之聚合物材料或小分子量有機材料或聚合物材料與小分子量有機材料之混合物形成。部分實施例中，藍色發光層130可包含藍色基質材料及藍色摻質材料。
藍色發光層130之藍色基質材料可包含選自於蒽衍生物或咔唑化合物之一或多種材料但不限於此。蒽衍生物可為9,10-(2-二萘基) 蒽(9,10-(2-dinaphthyl)anthracene(ADN))以及咔唑化合物可為4,4'-(咔唑-9-基)聯苯(4,4'-(carbazole-9-yl)biphenyl(CBP))。
藍色發光層130之藍色摻質材料可為但不限於，F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、It(dfppz)3、三芴等。
如同第一中間層120，藍色發光層130可形成為共同層而不考慮像素間之劃分。亦即藍色發光層130可不只形成於藍色區域同時亦可延伸至綠色區域及紅色區域以被綠色發光層140及紅色發光層150覆蓋。於例示性實施例中，綠色發光層140及紅色發光層150可直接形成於藍色發光層130上。
綠色區域中，綠色發光層140可形成於藍色發光層130上。紅色區域中，紅色發光層150可形成於藍色發光層130上。綠色發光層140及紅色發光層150可以雷射引發熱成像(LITI)法形成，但不限於此。第二中間層160可形成於綠色發光層140及紅色發光層150上。綠色區域及紅色區域中，如同第一中間層120，藍色發光層130可傳輸載子，且其發光可能受限。另一方面，藍色區域中，第二中間層160可無發光層插設於其間地形成於藍色發光層130上。藍色區域中，藍色發光層130可發出其單一色光，即藍色光。第二中間層160將於其後更詳細地描述。
綠色發光層140可包含依序堆疊之第一附加層141、第一發光層142及第一緩衝層143。
第一附加層141可調整綠色發光層140之厚度以控制綠光之共振週期。為增加綠光之發光效率、顏色純度等，第一附加層141之厚度可設置於300至1500埃之範圍中。第一附加層141可藉由使用精細金屬 遮罩(FMM)僅形成於綠色區域內。形成第一附加層141之材料可與形成電洞傳輸層之材料相同但不以此為限。例示性實施例中，第一附加層141可包含選自矽氮化物(SiNx)、矽氧化物(SiO2)及氮氧化矽(SiON)之至少一材料。
第一發光層142由單一地發射綠光之聚合物材料或小分子量有機材料或聚合物材料及小分子量有機材料之混合物形成。部分實施例中，第一發光層142可包含綠色基質材料及綠色摻質材料。
第一發光層142之綠色基質材料(第一基質材料)可包含選自於蒽衍生物或咔唑化合物之一或多種材料，但不限於此。蒽衍生物可為ADN以及咔唑化合物可為CBP。
第一發光層142之綠色摻質材料(第一摻質材料)可為Ir(ppy)3(ppy=苯基吡啶)、Ir(ppy)2(acac)、Ir(mpyp)3或C545T，但不限於此。
第一緩衝層143可包含第一基質材料。亦即，第一緩衝層143可不包含第一摻質材料。例示性實施例中，第一緩衝層143可僅由第一基質材料形成。
紅色發光層150可包含依序堆疊之第二附加層151、第二發光層152及第二緩衝層153。
第二附加層151可調整紅色發光層150之厚度以控制紅光之共振週期。為增加紅光之發光效率、顏色純度等，第二附加層151之厚度可設置於500至1800埃之範圍中。例示性實施例中，第二附加層151之高度可大於第一附加層141之高度。第二附加層151可利用精細金屬遮 罩，僅形成於紅色區域中。形成第二附加層151之材料可與形成電洞傳輸層之材料相同但不以此為限。例示性實施例中，第二附加層151可包含選自於矽氮化物、矽氧化物及氮氧化矽之至少一材料。
第二發光層152可由單一地發射紅光之聚合物材料或小分子量有機材料或聚合物材料及小分子量有機材料之混合物形成。部分實施例中，第二發光層152可包含紅色基質材料及紅色摻質材料。
第二發光層152之紅色基質材料(第二基質材料)可包含但不限於，選自於由雙(2-(2-羥基苯基)苯並噻唑)鋅(bis(2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolato)zinc,(Zn(BTZ)2)及雙-(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁(bis-(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolate)aluminum)組成之群組之一或多種材料。
第二發光層152之紅色摻質材料(第二摻質材料)可為PtOEP、Ir(piq)3、Btp2Ir(acac)及DCJTB，但不限於此。
第二緩衝層153可包含第一基質材料。亦即第二緩衝層153不包含第二摻質材料。例示性實施例中，第二緩衝層153可僅由第一基質材料形成。其他例示性實施例中，第二緩衝層153可以與第一緩衝層143相同之材料形成。
第二中間層160可形成於不被像素界定層覆蓋之發光層上。第二中間層160可輔助第一電極110與第二電極170間之電子或電洞之注入或傳輸。若第二電極為陰極，則第二中間層可與電子之注入或傳 輸相關之層。舉例而言，第二中間層160可僅包含電子傳輸層或電子注入層或可包含電子傳輸層及電子注入層之堆疊。
電子傳輸層或電子注入層可使用包含蒸氣沉積及旋轉塗佈之各種方法形成。當電子傳輸層或電子注入層使用蒸氣沉積或旋轉塗佈形成時，沉積或塗佈條件可根據使用之化合物改變，但大致上幾乎與形成電洞注入層相同。
形成電子傳輸層之材料可為可穩定傳輸自陰極注入之電子之材料。材料可為但不限於，喹啉衍生物，特別是已知之材料像是三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)、3-(4-聯苯)-4-苯-5-(4-三級丁基苯基)-1,2,4-三唑(3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butyl phenyl)-1,2,4-triazole(TAZ))、Balq等。
電子注入層可由已知之材料形成，如鋰化氟、氯化鈉、氟化絕、一氧化二鋰、氧化鋇等，但不限於此。
第二中間層160可延伸至像素界定層之側或頂部表面。第二中間層160可劃分為個別對應至像素之複數個部分。另外，第二中間層160可於整個有機發光裝置上形成為單片，如第1圖所示。亦即，第二中間層160可形成為共同層而不考慮像素間之劃分。部分實施例中，第二中間層160可省略。
第二電極170形成於第二中間層160上。用作為陰極之第二電極可以具有低功函數之導電材料形成。第二電極170可由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰或鈣形成。
保護層180可設置於第二電極170上。保護層180可以絕緣材料形成。間隔(未繪出)可設置於第二電極170與保護層180間。於本發明之部分其他實施例中，保護層180可省略。於此情形下，以絕緣材料形成之封裝層可覆蓋整體結構以保護該結構。
根據本實施例之有機發光顯示裝置可使用將於以下描述之施體基板組200製造。第2圖為根據本發明實施例之施體基板組200之橫截面圖。參考第2圖，施體基板組200可包含第一施體基板210及第二施體基板220。
第一施體基板210包含第一基底膜211、第一光熱轉換層212、第一中間層213及用以形成綠色發光層之轉印層214。
第一基底膜211可以包含聚酯化合物，如聚對苯二甲酸乙二酯、聚丙烯酸、環氧樹脂、聚乙烯、聚苯乙烯等透明聚合物形成。此些範例中，主要使用聚對苯二甲酸乙二酯。第一基底膜211應具備光學特性及如支撐膜之機械穩定性。第一基底膜211可具有10至500微米之厚度。
第一光熱轉換層212可設置於第一基底膜211上。第一光熱轉換層212吸收紅外光至可見光範圍之光，將部分光轉換為熱。為此，第一光熱轉換層212應具適合之光密度並包含光吸收材料。第一光熱轉換層212可為包含包含氧化鋁或氧化硫作為光吸收材料之金屬層或為包含碳黑、石墨或紅外線染料作為光吸收材料之聚合物有機層。若第一光熱轉換層212為金屬層，其可藉由真空沉積、電子束沉積或濺鍍形成100至5000埃之厚度。若第一光熱轉換層212為聚合物有機層，其可藉由傳統 薄膜塗佈法，如滾軸塗佈、凹版塗佈、擠壓塗佈或刮刀塗佈等形成0.1至10微米之厚度。
第一中間層213可形成於第一光熱轉換層212上。第一中間層213可避免第一光熱轉換層212之光吸收材料(例如碳黑)汙染後續製程形成之轉印層214。第一中間層213可由壓克力樹脂或酸醇樹脂形成。第一中間層213可由傳統塗佈製程如溶劑塗佈或固化製程如紫外線固化形成。
形成綠色發光層之轉印層214可設置於第一中間層213上。形成綠色發光層之轉印層214包含形成第一緩衝層之轉印層214a、形成第一發光層之轉印層214b及形成第一附加層之轉印層214c，依序堆疊於第一中間層213上。
形成第一緩衝層之轉印層214a、形成第一發光層之轉印層214b及形成第一附加層之轉印層214c可分別以與第一緩衝層143、第一發光層142及第一附加層141相同之材料形成。形成第一緩衝層之轉印層214a，形成第一發光層之轉印層214b及形成第一附加層之轉印層214c可以傳統沉積法形成於第一基底膜211上。
第二施體基板220可包含第二基底膜221、第二光熱轉換層222、第二中間層223及形成紅色發光層之轉印層224。
第二基底膜221可以與第一基底膜211相同之材料形成。例示性實施例中，第二基底膜221與第一基底膜211均可為聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。此外，第二基底膜221之厚度可與第一基底膜211之厚度相等。 例示性實施例中，第二基底膜221之厚度與第一基底膜211之厚度均可為100微米。
設置於第二基底膜221上之第二光熱轉換層222可以與第一光熱轉換層212相同之材料形成。例示性實施例中，第一光熱轉換層212及第二光熱轉換層222均可為包含氧化鋁作為光吸收材料之金屬層。此外，第二光熱轉換層222之厚度可以與第一光熱轉換層212之厚度相同。例示性實施例中，第一光熱轉換層212之厚度與第二光熱轉換層222之厚度可均為1000埃。
設置於第二光熱轉換層222上之第二中間層223可避免第二光熱轉換層222之光吸收材料汙染後續製程形成之轉印層224。第二中間層223可以與第一中間層213相同之材料形成。例示性實施例中，第一中間層213及第二中間層223均可以壓克力樹脂形成。
形成紅光發射層之轉印層224可設置於第二中間層223之上。紅光發射層之轉印層可包含形成第二緩衝層之轉印層224a、形成第二發光層之轉印層224b及形成第二附加層之轉印層224c，依序堆疊於第二中間層223上。
形成第二緩衝層之轉印層224a、形成第二發光層之轉印層224b及形成第二附加層之轉印層224c可分別以與第二緩衝層153、第二發光層152及第二附加層151相同之材料形成。形成第二緩衝層之轉印層224a、形成第二發光層之轉印層224b及形成第二附加層之轉印層224c可以傳統沉積法形成於第二基底膜221上。此處形成第二緩衝層之轉印層224a可以與形成第一緩衝層之轉印層214a相同之材料形成。亦即，形成 第一緩衝層之轉印層214a與形成第二緩衝層之轉印層224a皆可以綠色基質材料(第一基質材料)，如ADN形成。
現將參考第3圖及第4圖描述使用根據本發明實施例之施體基板組200製造有機發光顯示裝置之方法。第3圖及第4圖為分別描繪使用第2圖之施體基板組200製造有機發光顯示裝置之方法步驟之橫截面圖。為簡潔起見，與第1圖及第2圖實質上相同之元件均以相似標號註記，因此將省略其重複之敘述。
參考第3圖及第4圖，準備具複數個第一電極110各自形成於其第一區域(綠色區域)及第二區域(紅色區域)上之基板100。然後第一中間層120及藍色發光層130可使用開放式遮罩沉積於基板100上。第一施體基板210可以沉積製程形成，然後放置使得包含形成第一發光層之轉印層214b之形成綠色發光層之轉印層214以一間隙於其間地面對基板100。形成綠色發光層之轉印層214可藉由對第一區域照射雷射光束400，轉印至第一區域之第一電極110上。因此，第一有機層圖樣，亦即綠色發光層140可形成於第一區域之第一電極110上。
第二施體基板220可以沉積製程形成，然後放置使得包含形成第二發光層之轉印層224b之形成紅色發光層之轉印層224以一間隙於其間地面對基板100。形成紅色發光層之轉印層22可藉由對第二區域照射雷射光束400，轉印至第二區域之第一電極110上。因此，第二有機層圖樣，亦即紅色發光層150可形成於第二區域之第一電極110上。
意即，如第3圖及第4圖所示，第一施體基板210及第二施體基板220可同時置於基板100上，且形成綠色發光層之轉印層214及形 成紅色發光層之轉印層224可同時轉印。然而，如上述之其他實施例中，第一施體基板210置於基板100上，且轉印形成綠色發光層之轉印層214後，第二施體基板220可置於基板100上，且可轉印形成紅色發光層之轉印層224。
其後，第二中間層160、第二電極170及保護層180可藉由沉積製程依序堆疊。
根據第1圖之實施例之有機發光顯示裝置亦可使用單一施體基板300製造。第5圖為根據本發明實施例之施體基板300之橫截面圖。參考第5圖，施體基板300可包含基底膜301、光熱轉換層302、中間層303、緩衝層304、形成第一發光層之轉印層305、形成第一附加層之轉印層306、形成第二發光層之轉印層307及形成第二附加層之轉印層308。
基底膜301可包含第一區域(綠色區域)及第二區域(紅色區域)。基底膜301以與上述第一基底膜211相同之材料形成。
依序堆疊於基底膜301上之光熱轉換層302、中間層303及緩衝層304可各自以與上述之第一光熱轉換層212、第一中間層213及第一緩衝層143相同之材料形成。
形成第一發光層之轉印層305及形成第一附加層之轉印層306可藉由沉積製程依序沉積於第一區域之緩衝層304上。
形成第二發光層之轉印層307及形成第二附加層之轉印層308可藉由沉積製程依序形成於第二區域之於緩衝層304上。
現將參照第6圖及第7圖，描述使用根據本發明實施例之施體基板300製造有機發光顯示裝置之方法。第6圖及第7圖為個別描繪利用第5圖之施體基板300製造有機發光裝置之方法步驟之橫截面圖。為了簡化，與第1圖至第5圖之元件實質上相同之元件以相似之參考標號表示，因此將省略其重複之描述。
參考第6圖及第7圖，可準備具複數個第一電極110各自形成於其第一區域(綠色區域)及第二區域(紅色區域)上之基板100。然後第一中間層120及藍色發光層130可使用開放式遮罩沉積於基板100上。施體基板300可藉由沉積製程形成，然後放置使得形成第一發光層之轉印層305及形成第二發光層之轉印層307以一間隙於其間地面對基板100。可對第一區域及第二區域照射雷射光束400，以形成有機層圖樣，亦即綠色發光層140於第一區域之第一電極110上，而紅色發光層150於第二區域之第一電極110上。
於此，亦可轉印與形成第一發光層之轉印層305重疊之部分之緩衝層304及與形成第二發光層之轉印層307重疊之部分之緩衝層304，從而各自形成第一緩衝層143及第二緩衝層153。
其後，第二中間層160、第二電極170及保護層180可藉由沉積製程依序堆疊。
以下將會參照下方範例，對本發明進一步詳述。以下範例僅用於說明之目的而不意圖限制本發明之範圍。根據範例1及範例2以及比較例1及比較例2製造之有機發光顯示裝置之亮度隨時間之降低率將參 照第8圖進行描述。第8圖為描繪根據範例1及範例2以及比較例1及比較例2製造之有機發光顯示裝置之亮度隨時間降低率之圖表。
範例1
複數個第一電極110藉由使用濺鍍法沉積銦錫氧化物於包含二氧化矽作為主要成分之基板100上形成500埃之厚度。
電洞注入層藉由沉積m-MTDATA於第一電極110上形成600埃之厚度。
電洞傳輸層藉由沉積NPB於電洞注入層上形成150埃之厚度。
包含CBP作為藍色基質材料及F2Irpic作為藍色摻質材料之藍色發光層130，係藉由使用開放式遮罩沉積於電洞注入層上作為共同層。此處，藍色發光層130形成為400埃之厚度。
綠色發光層140形成於藍色發光層130上。綠色發光層140係使用第一施體基板210以雷射引發加熱成像法形成。第一施體基板210係由依序堆疊由氧化鋁形成之第一光熱轉換層212、由壓克力樹脂形成之第一中間層213及形成綠色發光層之轉印層214於由聚對苯二甲酸乙二酯形成第一基底膜211上形成。形成綠色發光層之轉印層214係由依序堆疊形成由ADN形成之第一緩衝層之轉印層214a、形成由ADN及Ir(ppy)2(acac)形成之第一發光層之轉印層214b，以及形成由NPB形成之第一附加層之轉印層214c於第一中間層213上而形成。於置放第一施體基板210使得形成綠色發光層之轉印層214以一間隙於其間地面對基板100 後，以雷射光束400照射第一施體基板210及基板100，從而形成綠色發光層140。
綠色發光層140中，第一附加層141、第一發光層142及第一緩衝層143依序堆疊。第一附加層141以NPB形成300埃之厚度。第一發光層142以ADN(即綠色基質材料)及Ir(ppy)2(acac)(即綠色摻質材料)形成300埃之厚度。第一緩衝層143以ADN(即綠色基質材料)形成300埃之厚度。
電子傳輸層藉由沉積Alq3於綠色發光層140上形成300埃之厚度。
電子注入層藉由沉積氟化鋰於電子傳輸層上形成5埃之厚度。
第二電極170藉由沉積鋁於電子注入層上形成800埃之厚度。
保護層180藉由沉積二氧化矽於第二電極170上形成500埃之厚度。
根據範例1製造之有機發光顯示裝置呈現65.2Cd/A之最大電流效率及30.4lm/W之最大功率效率。
第8圖中，根據範例1製造之有機發光顯示裝置之發光隨時間降低率由圖形A表示。
範例2
除紅色發光層150形成於藍色發光層130上外，以與範例1相同方式製造之有機發光顯示裝置。紅色發光層150係使用第二施體基板 220以雷射引發熱成像法形成。第二施體基板220係藉由依序堆疊由氧化鋁形成之第二光熱轉換層222、由壓克力樹脂形成之第二中間層223及形成紅色發光層之轉印層224於由聚對苯二甲酸乙二酯形成之第二基底膜221而形成。形成紅色發光層之轉印層224係由依序堆疊形成由ADN形成之第二緩衝層之轉印層224a、形成由雙-(2-甲基-8-羥基喹啉)4-(苯基苯酚)鋁(bis-(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolate)aluminum)及PtOEP形成之第二發光層之轉印層224b以及形成由NPB形成之第二附加層之轉印層224c而形成。置放第二施體基板220，使得形成紅色發光層之轉印層224以一間隙於其間地面對基板100後，以雷射光束400照射第二施體基板220及基板100，從而形成紅色發光層150。
紅色發光層150中，第二附加層151、第二發光層152及第二緩衝層153依序堆疊。第二附加層151以NPB形成500埃之厚度。第二發光層152以雙-(2-甲基-8-羥基喹啉)4-(苯基苯酚)鋁(bis-(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolate)aluminum)(即紅色基質材料)及PtOEP(及紅色摻質材料)形成300埃之厚度。第二緩衝層153以ADN(即綠色基質材料)形成300埃之厚度。
根據範例2製造之有機發光顯示裝置呈現41.5Cd/A之最大電流效率及18.9lm/W之最大功率效率。
第8圖中，根據範例2製造之有機發光顯示裝置之發光隨時間降低率係由圖形C表示。
比較例1
除第一緩衝層143以紅色基質材料之雙-(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁(bis-(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolate)aluminum)形成外，以與範例1相同之方法製造之有機發光顯示裝置。
根據比較例1製造之有機發光顯示裝置呈現49.6Cd/A之最大電流效率及23.2lm/W之最大功率效率。
第8圖中，根據比較例1製造之有機發光顯示裝置之發光隨時間降低率係由圖形B表示。
比較例2
除第二緩衝層153以紅色基質材料之雙-(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-(苯基苯酚)鋁(bis-(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolate)aluminum)形成外，以與範例2相同之方法製造之有機發光顯示裝置。
根據比較例2製造之有機發光顯示裝置呈現24.2Cd/A之最大電流效率及9.0lm/W之最大功率效率。
第8圖中，根據比較例2製造之有機發光顯示裝置之發光隨時間降低率係由圖形D表示。
如自以上範例可顯而易見的，包含以綠色基質材料形成之緩衝層之綠色發光層(範例1)相較於包含以紅色基質材料形成之緩衝層之綠色發光層(比較例1)，具有較高之發光效率。此外，包含以綠色基質材料形成之緩衝層之綠色發光層(範例1)相較於包含以紅色基質材料形 成之緩衝層之綠色發光層(比較例1)，其具有較長之壽命。此處壽命可對應發光隨時間降低率。
進一步地，包含以綠色基質材料形成之緩衝層之紅色發光層(範例2)相較於包含以紅色基質材料形成之緩衝層之紅色發光層(比較例2)，具有較高之發光效率。此外，包含以綠色基質材料形成之緩衝層之紅色發光層(範例2)相較於包含以紅色基質材料形成之緩衝層之紅色發光層(比較例2)，其具有較長之壽命。
當綠色發光層及紅色發光層使用雷射引發熱成像法形成時，形成綠色發光層之施體基板及形成紅色發光層之施體基板可使用相同之基底膜與相同之緩衝層。因此可減少製程中之變因數量及判斷缺陷原因所需之時間。此外也可減少材料成本。
若於雷射引發熱成像法中使用以綠色基質材料形成之緩衝層，可改善綠色發光層及紅色發光層之點不轉印缺陷(dot non-transfer defects)。
本發明之實施例提供至少一種以下優點。
亦即綠色發光層及紅色發光層包含含有綠色基質材料之相同緩衝層，可改進有機發光顯示裝置之發光效率及壽命。
此外，當綠色發光層及紅色發光層使用雷射引發熱成像法形成時，形成綠色發光層之施體基板及形成紅色發光層之施體基板可使用相同之基底膜與相同之緩衝層。因此可減少製程中之變因數量及判斷缺陷原因所需之時間。此外也可減少材料成本。
若於雷射引發熱成像法中使用以綠色基質材料形成之緩衝層，可改善綠色發光層及紅色發光層之點不轉印缺陷(dot non-transfer defects)。
然而本發明之效應不限於以上所述。本發明之上述及其他效應將藉由申請專利範圍使對於本發明所屬技術領域之通常知識者可變得更加顯而易見。
雖然本發明已參照其例示性實施例具體呈現及描述，領域內之通常知識者將理解的是，可對其進行形式與細節上之各種變化而不脫離如由以下申請專利範圍所定義之本發明之精神與範疇。因此意圖使所有態樣中考量之實施例為說明性質而非限制性質，參照附隨之申請專利範圍而非以上之描述以表示本發明之範疇。

Claims (19)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一基板，包含一綠色區域與一紅色區域；以及複數個第一電極，該複數個第一電極包含複數個綠色區域第一電極及複數個紅色區域第一電極；該複數個綠色區域第一電極位於該基板之該綠色區域上，以及該複數個紅色區域第一電極位於該基板之該紅色區域；複數個發光層，位於該複數個第一電極上，該複數個發光層包含一綠色發光層於該綠色區域上及一紅色發光層於該紅色區域上；一第二電極，位於該複數個發光層上，該綠色發光層包含：一第一發光層包含：一第一基質材料；一第一摻質材料；以及一第一緩衝層，直接位於該第一發光層上，包含該第一基質材料，以及該紅色發光層包含：一第二發光層包含：一第二基質材料；一第二摻質材料；以及 一第二緩衝層，直接位於該第二發光層上，包含該第一基質材料；以及一第二中間層，包含一電子傳輸層及一電子注入層設置於該複數個發光層與該第二電極之間；其中該第一緩衝層與該第二緩衝層相互分離；以及其中該第二電極直接形成於其上的該第二中間層完整地包覆該第一緩衝層與該第二緩衝層的頂面和所有側面以及該第一發光層與該第二發光層的所有側面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該基板進一步包含一藍色區域，且該複數個發光層進一步包含一藍色發光層於該藍色區域上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該藍色發光層延伸至該綠色區域及該紅色區域並重疊該綠色發光層及該紅色發光層。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，其中該綠色發光層及該紅色發光層直接位於該藍色發光層上。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該藍色發光層包含一第三基質材料及一第三摻質材料。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，進一步包含：一第一中間層，配置以注入或傳輸該複數個第一電極及該複數個發光層間之電子或電洞；以及一第二中間層，配置以注入或傳輸該複數個發光層及該第二電極間之電子或電洞。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中：該第一緩衝層不包含該第一摻質材料；以及該第二緩衝層不包含該第二摻質材料。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該綠色發光層包含一第一附加層於該第一發光層之下，而該紅色發光層包含一第二附加層於該第二發光層之下。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其中該第二附加層之高度大於該第一附加層之高度。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，進一步包含形成於該第二電極上，配置以保護該第二電極及該第二電極下之結構之一保護層。
  11. 一種施體基板，其包含：一基底膜，包含一第一區域及一第二區域；一緩衝層，位於該基底膜上，該緩衝層包含一第一基質材料；一形成第一發光層之轉印層，該形成第一發光層之轉印層位於該緩衝層之該第一區域並包含該第一基質材料及一第一摻質材料；以及一形成第二發光層之轉印層，該形成第二發光層之轉印層位於該緩衝層之該第二區域上並包含一第二基質材料及一第二摻質材料；其中該形成第一發光層之轉印層與該形成第二發光層之轉印層相互分離。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之施體基板，進一步包含：一形成第一附加層之轉印層，該形成第一附加層之轉印層位於該形成第一發光層之轉印層上；以及一形成第二附加層之轉印層，該形成第二附加層之轉印層位於該形成第二發光層之轉印層上。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之施體基板，進一步包含形成於該基底膜與該緩衝層間之一光熱轉換層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之施體基板，進一步包含介於該光熱轉換層及該緩衝層間之一中間層。
  15. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：準備一基板，其具有分別形成於該基板上之一第一區域與一第二區域上之複數個第一電極；放置第一施體基板，其包含一第一基底膜、一形成第一緩衝層之轉印層，該形成第一緩衝層之轉印層位於該第一基底膜上並包含一第一基質材料、以及一形成第一發光層之轉印層，該形成第一發光層之轉印層直接位於該形成第一緩衝層之轉印層上並包含該第一基質材料及一第一摻質材料，使該形成第一發光層之轉印層以一間隙介於該形成第一發光層之轉印層與該基板間地面對該基板；藉由以雷射光照射該第一區域，以轉印該形成第一緩衝層之轉印層及該形成第一發光層之轉印層，形成一第一有機層圖樣於該第一區域之該第一電極上；形成包含一電子傳輸層及一電子注入層之一第二中間層；以及 形成一第二電極於該第一發光層以及該第二發光層上；其中該第一緩衝層設置於該基板上；其中在該第一區域的該第一緩衝層與在該第二區域的一第二緩衝層相互分離；以及其中該第二電極直接於其上的該第二中間層完整地包覆該第一緩衝層與該第二緩衝層的頂面和所有側面以及該第一發光層與該第二發光層的所有側面。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，進一步包含，當形成該第一有機層圖樣於該第一區域之該第一電極上後：放置一第二施體基板，其包含一第二基底膜、該形成第二緩衝層之轉印層，該形成第二緩衝層之轉印層位於該第二基底膜上並包含該第一基質材料、以及一形成第二發光層之轉印層，該形成第二發光層之轉印層形成於該形成第二緩衝層之轉印層上並包含一第二基質材料及一第二摻質材料，使該形成第二發光層之轉印層以一間隙介於該形成第二發光層之轉印層與該基板間地面對該基板；以及藉由以雷射光照射該第二區域，以轉印該形成第二緩衝層之轉印層及該形成第二發光層之轉印層於該第二區域之該第一電極上，形成一第二有機層圖樣於該第二區域之該第一電極上。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，進一步包含，形成該第二有機層圖樣於該第二區域之該第一電極上後，形成一第二電極於該第一有機層圖樣及該第二有機層圖樣上。
  18. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含： 準備一基板，其具有形成於該基板之一第一區域與一第二區域上之複數個第一電極；放置一施體基板，其包含一基底膜、位於該基底膜上並包含一第一基質材料之一緩衝層、一形成第一發光層之轉印層，該形成第一發光層之轉印層位於該第一區域之該緩衝層上並包含該第一基質材料及一第一摻質材料，以及一形成第二發光層之轉印層，該形成第二發光層之轉印層位於該第二區域之該緩衝層上並包含一第二基質材料及一第二摻質材料，使該形成第一發光層之轉印層及該形成第二發光層之轉印層面對基板，並形成一間隙介於：該形成第一發光層之轉印層及該形成第二發光層之轉印層；以及該基板間；以及藉由以雷射光照射該第一區域及該第二區域，以轉印該緩衝層、該形成第一發光層之轉印層及該形成第二發光層之轉印層於該第一電極上，形成一有機層圖樣於該第一電極上；其中該形成第一發光層之轉印層與該形成第二發光層之轉印層相互分離。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之方法，進一步包含當形成該有機層圖樣於該第一電極上後，形成一第二電極於該有機層圖樣上。
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