TWI618219B

TWI618219B - 驅動電路

Info

Publication number: TWI618219B
Application number: TW105107152A
Authority: TW
Inventors: 黃紹璋; 呂世襄; 林耿立
Original assignee: 世界先進積體電路股份有限公司
Priority date: 2016-03-09
Filing date: 2016-03-09
Publication date: 2018-03-11
Also published as: TW201733072A

Abstract

一種驅動電路，用以控制一輸入輸出接合墊的位準，並具有靜電放電防護能力，並包括一偵測器、一控制器以及一釋放控制元件。偵測器耦接一電源端與輸入輸出接合墊。控制器耦接偵測器。釋放控制元件耦接電源端或輸入輸出接合墊，並耦接控制器。當一靜電放電事件發生在電源端或輸入輸出接合墊時，偵測器致能控制器，使得控制器導通釋放控制元件，用以釋放一靜電放電電流。當靜電放電事件未發生在電源端以及輸入輸出接合墊時，偵測器不致能控制器，並且釋放控制元件根據一控制信號而導通，用以控制輸入輸出接合墊的位準。

Description

驅動電路

本發明係有關於一種驅動電路，特別是有關於一種具有靜電放電保護的驅動電路。

一般而言，半導體積體電路的具有複數輸入輸出墊，並透過輸入輸出墊控制外部元件。舉例而言，外部元件可能根據一輸入輸出墊的位準而被致能。然而，當該輸入輸出墊發生靜電放電事件時，靜電放電電流可能透過該輸入輸出墊進入積體電路或是外部元件。

有鑑於此，本發明提供一種驅動電路，用以控制一輸入輸出接合墊的位準，並具有靜電放電防護能力。本發明之驅動電路包括，一偵測器、一控制器以及一釋放控制元件。偵測器耦接一電源端與輸入輸出接合墊。控制器耦接偵測器。釋放控制元件耦接電源端或輸入輸出接合墊，並耦接控制器。當一靜電放電事件發生在電源端與輸入輸出接合墊之間時，偵測器致能控制器，使得控制器導通釋放控制元件，用以釋放一靜電放電電流。當一靜電放電事件發生在電源端或輸入輸出接合墊時，偵測器致能控制器，使得控制器導通釋放控制元件，用以釋放一靜電放電電流。當靜電放電事件未發生在電源端以及輸入輸出接合墊時，偵測器不致能控制器，並且釋放控制元件根據一控制信號而導通，用以控制輸入輸出接合墊的位準。

為讓本發明之特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

100、200A、200B、300A、300B、300C、400A、400B、500A、500B、500C‧‧‧驅動電路

110‧‧‧偵測器

111‧‧‧節點

120‧‧‧控制器

130‧‧‧釋放控制元件

140‧‧‧電源端

150‧‧‧輸入輸出接合墊

210、310、410、510‧‧‧傳輸閘

S_D‧‧‧偵測信號

S_T‧‧‧觸發信號

S_C1、S_C2‧‧‧控制信號

R11、R21、R41、R51‧‧‧電阻

C11、C21、C22、C41、C42、C51、C52‧‧‧電容

INV1~INV4‧‧‧反相器

P11~P13、P21~P23、P41~P43、P51~P53‧‧‧P型電晶體

N11~N13、N21~N23、N41~N43、N51~N53‧‧‧N型電晶體

第1圖係為本發明之驅動電路之方塊示意圖。

第2A~2B、3A~3C、4A~4B、5A~5C圖為本發明驅動電路的可能實施例。

第1圖係為本發明之驅動電路之方塊示意圖。如圖所示，驅動電路100包括一偵測器110、一控制器120以及一釋放控制元件130。在本實施例中，驅動電路100可控制一輸入輸出接合墊(I/O PAD)150的位準，並具有靜電放電防護能力，可以釋放來自電源端140或是輸入輸出接合墊150的靜電放電電流。

偵測器110耦接電源端140與輸入輸出接合墊150，並偵測電源端140或是輸入輸出接合墊150是否發生一靜電放電事件，用以產生一偵測信號S_D以及一觸發信號S_T。偵測信號S_D與觸發信號S_T之一者係用以致能控制器120。舉例而言，當靜電放電事件發生在電源端140或是輸入輸出接合墊150時，偵測器110透過偵測信號S_D或觸發信號S_T致能控制器120。當電源端140及輸入輸出接合墊150均未發生靜電放電事件時，偵測器110透過偵測信號S_D或觸發信號S_T不致能控制器120。

控制器120耦接偵測器110，並根據偵測信號S_D及觸發信號S_T產生一控制信號S_C1。在一可能實施例中，當控制器120根據偵測信號S_D而被致能時，控制器120根據觸發信號S_T致能控制信號S_C1。在此例中，控制器120將觸發信號S_T作為控制信號S_C1。在另一可能實施例中，當控制器120根據觸發信號S_T而被致能時，控制器120控制器120根據偵測信號S_D致能控制信號S_C1。在此例中，控制器120將偵測信號S_D作為控制信號S_C1。

釋放控制元件130耦接電源端140或輸入輸出接合墊150，並耦接控制器120。在一可能實施例中，當控制信號S_C1被致能時，表示電源端140或輸入輸出接合墊150發生靜電放電事件，因此，控制器120導通釋放控制元件130，用以釋放來自電源端140或輸入輸出接合墊150的靜電放電電流。然而，當控制信號S_C1不被致能時，表示電源端140及輸入輸出接合墊150均未發生靜電放電事件。此時，釋放控制元件130根據一控制信號S_C2而動作。舉例而言，當控制信號S_C2的位準等於一預設位準時，釋放控制元件130被導通，用以控制輸入輸出接合墊150的位準。此時，釋放控制元件130作為一緩衝器(buffer)。若控制信號S_C2的位準不等於預設位準時，釋放控制元件130不導通。

第2A圖為本發明之驅動電路的一可能實施例。如圖所示，偵測器110包括一電阻R11、一電容C11、一P型電晶體P11以及一N型電晶體N11。電阻R11耦接在電源端140與一節點111之間。電容C11耦接在節點111與接地端GND之間。在本實施例中，電阻R11與電容C11用以偵測電源端140或是輸入輸出接合墊150是否發生一靜電放電事件，並在節點111上產生偵測信號S_D。

P型電晶體P11的閘極耦接節點111，其源極耦接輸入輸出接合墊150，其汲極耦接控制器120。N型電晶體N11的閘極耦接節點111、其源極耦接接地端GND、其汲極耦接P型電晶體P11的汲極。在本實施例中，P型電晶體P11與N型電晶體N11構成一反相器，並根據偵測信號S_D產生觸發信號S_T。

控制器120係為一P型電晶體P12。P型電晶體P12的閘極耦接節點111，用以接收偵測信號S_D。P型電晶體P12的源極耦接P型電晶體P11的汲極，其汲極耦接釋放控制元件130。釋放控制元件130係為一N型電晶體N12。N型電晶體N12的閘極耦接P型電晶體P12的汲極，其源極耦接接地端GND，其汲極耦接輸入輸出接合墊150。

當正向靜電放電事件發生在輸入輸出接合墊150並且電源端140耦接至地時，驅動電路200A操作在一保護模式。在保護模式下，由於電容C11的耦合效應，節點111的位準為低位準。由於偵測信號S_D為低位準，因此，導通P型電晶體P11，使得觸發信號S_T為高位準。此時，由於P型電晶體P12也被導通，故控制信號S_C1為高位準，因此，導通N型電晶體N12。當N型電晶體N12導通時，靜電放電電流從輸入輸出接合墊150釋放至接地端GND。

然而，當靜電放電事件並未發生在輸入輸出接合墊150或是電源端140時，驅動電路200A操作在一正常模式。在正常模式下，電源端140接收一高操作電壓(如3.3V)，接地端 GND接收一低操作電壓(如0V)。因此，節點111的位準為高位準。由於偵測信號S_D為高位準，故導通N型電晶體N11，但不導通P型電晶體P12。此時，N型電晶體N12根據控制信號S_C2而動作。在一可能實施例中，當控制信號S_C2為高位準時，N型電晶體N12被導通，用以設定輸入輸出接合墊150的位準為低位準。在另一可能實施例中，當控制信號S_C2為低位準時，N型電晶體N12不被導通，因此，停止設定輸入輸出接合墊150的位準。

第2B圖為本發明之驅動電路的另一可能實施例。第2B圖相似第2A圖，不同之處在於，驅動電路200B多了一傳輸閘(transmission gate)210。由於第2B圖的偵測器110、控制器120以及釋放控制元件130的動作方式與第2A圖相同，故不再贅述。

在本實施例中，傳輸閘210根據節點111的位準(即偵測信號S_D)傳送控制信號S_C2予N型電晶體N12。在一可能實施例中，控制信號S_C2係由一外部元件(未顯示)所產生。N型電晶體N12根據控制信號S_C2控制輸入輸出接合墊150的位準。如圖所示，傳輸閘210包括一P型電晶體P13、一N型電晶體N13以及一反相器INV1。

P型電晶體P13的源極接收控制信號S_C2，其汲極耦接N型電晶體N12的閘極。N型電晶體N13的閘極耦接節點111，用以接收偵測信號S_D，其源極耦接P型電晶體P13的汲極，其汲極接收控制信號S_C2。反相器INV1的輸入端耦接N型電晶體N13的閘極，其輸出端耦接P型電晶體P13的閘極。

當偵測信號S_D為低位準時，表示發生靜電放電事件，因此，P型電晶體P13與N型電晶體N13不導通。在此例中，傳輸閘210阻擋靜電放電電流進入其它元件，如產生控制信號S_C2的元件。然而，當偵測信號S_D為高位準時，表示沒有發生靜電放電事件，因此，P型電晶體P13與N型電晶體N13被導通，用以提供控制信號S_C2予N型電晶體N12的閘極。此時，N型電晶體N12根據控制信號S_C2而動作。

第3A圖為本發明之驅動電路的另一可能實施例。在本實施例中，偵測器110包括一電容C21、一電阻R21、一P型電晶體P21以及一N型電晶體N21。電容C21耦接在電源端140與節點111之間。電阻R21耦接在節點111與接地端GND之間。電容C21與電阻R21用以偵測靜電放電事件是否發生在電源端140，並在節點111產生偵測信號S_D。

P型電晶體P21之閘極耦接節點111，其源極耦接電源端140，其汲極耦接控制器120。N型電晶體N21之閘極耦接節點111、其源極耦接接地端GND、其汲極耦接P型電晶體P21的汲極。在本實施例中，P型電晶體P21與N型電晶體N21構成一反相器，並根據偵測信號S_D產生觸發信號S_T。

控制器120係為一N型電晶體N22，其閘極耦接節點111，用以接收偵測信號S_D，其源極耦接釋放控制元件130，其汲極耦接P型電晶體P21的汲極，用以接收觸發信號S_T。釋放控制元件130係為一P型電晶體P22，其閘極耦接N型電晶體N22的源極，其源極耦接電源端140，其汲極耦接輸入輸出接合墊150。

當一正向靜電放電事件發生在電源端140，並且輸入輸出接合墊150耦接至地時，驅動電路300A進入一保護模式。在此模式下，偵測信號S_D為高位準，因此，導通N型電晶體N21及N22，使得觸發信號S_T與控制信號S_C1為低位準。因此，P型電晶體P22被導通，用以將靜電放電電流由電源端140釋放至輸入輸出接合墊150。

當電源端140與輸入輸出接合墊150並未發生靜電放電事件，並且電源端140與接地端GND分別接收到高操作電壓以及低操作電壓時，驅動電路300A進入一正常模式。在正常模式下，偵測信號S_D為低位準，因此，導通P型電晶體P21，但不導通N型電晶體N22。由於N型電晶體N22不被導通，因此，P型電晶體P22根據控制信號S_C2而動作。在一可能實施例中，當控制信號S_C2為低位準時，P型電晶體P22被導通，用以令輸入輸出接合墊150的位準為高位準。

第3B圖為本發明之驅動電路的另一可能實施例。第3B圖相似第3A圖，不同之處在於，第3B圖的驅動電路300B多了電容C22。電容C22耦接於輸入輸出接合墊150與接地端GND之間，用以避免接地端GND的位準為浮動狀態(floating)。在此例中，當驅動電路300B操作在保護模式下時，由於輸入輸出接合墊150被耦接至地，透過電容C22的耦合效應，接地端GND為一接地位準。由於第3B圖的驅動電路的動作原理與第3A圖相似，故不再贅述。

第3C圖為本發明之驅動電路的另一可能實施例。第3C圖相似第3A圖，不同之處在於，第3C圖的驅動電路300C更包括一傳輸閘310。傳輸閘310根據P型電晶體P21的汲極的位準(即觸發信號S_T)傳送控制信號S_C2予P型電晶體P22。P型電晶體P22再根據控制信號S_C2控制輸入輸出接合墊150的位準。

在本實施例中，傳輸閘310包括一P型電晶體P23、一N型電晶體N23以及一反相器INV2。P型電晶體P23之閘極耦接反相器INV2的輸出端，其源極接收控制信號S_C2，其汲極耦接P型電晶體P22的閘極。N型電晶體N23之閘極耦接P型電晶體P21的汲極，用以接收觸發信號S_T，其源極耦接P型電晶體P23的汲極，其汲極接收控制信號S_C2。反相器INV2的輸入端耦接N型電晶體N23的閘極。

當驅動電路300C操作在一正常模式下(即未發生靜電放電事件)，觸發信號S_T為高位準。因此，導通P型電晶體P23與N型電晶體N23，用以提供控制信號S_C2予P型電晶體P22的閘極。當控制信號S_c2為低位準時，由於P型電晶體P22被導通，故輸入輸出接合墊150的位準為高位準。由於第3C圖的偵測器110、控制器120以及釋放控制元件130的動作原理與第3A圖相同，故不再贅述。

第4A圖為本發明之驅動電路的另一可能實施例。如圖所示，偵測器110包括一電容C41、一電阻R41、一P型電晶體P41以及一N型電晶體N41。電容C41耦接在電源端140與節點111之間。電阻R41耦接在節點111與接地端GND之間。電容C41與電阻R41偵測電源端140或是輸入輸出接合墊150是否發生一靜電放電事件，並產生偵測信號S_D。

P型電晶體P41之閘極耦接節點111，其源極耦接輸入輸出接合墊150。N型電晶體N41之閘極耦接節點111，其源極耦接接地端GND，其汲極耦接P型電晶體P41的汲極，用以輸出觸發信號S_T。

在本實施例中，控制器120係為一P型電晶體P42，其閘極耦接P型電晶體P41的汲極，用以接收觸發信號S_T，其源極耦接節點111，用以接收偵測信號S_D，其汲極耦接釋放控制元件130。釋放控制元件130係為一N型電晶體N42，其閘極耦接P型電晶體P42的汲極，其源極耦接接地端GND，其汲極耦接輸入輸出接合墊150。

電容C42耦接在電源端140與輸入輸出接合墊150之間。因此，當正向靜電放電事件發生在輸入輸出接合墊150時，偵測信號S_D為高位準。此時，驅動電路400A進入一保護模式。在保護模式下，由於偵測信號S_D為高位準，因此，導通N型電晶體N41，使得觸發信號S_T為低位準。在此例中，P型電晶體P42被導通。由於偵測信號S_D為高位準，因此，控制信號S_C1也為高位準，用以導通N型電晶體N42。當N型電晶體N42被導通時，便可將靜電放電電流從輸入輸出接合墊150釋放至接地端GND。

當電源端140與輸入輸出接合墊150未發生靜電放電事件，並且電源端140接收一高操作電壓，接地端GND接收一低操作電壓時，驅動電路400A進入一正常模式。在正常模式下，偵測信號S_D為低位準，因此導通P型電晶體P41。由於P型電晶體P41的源極耦接電源端140，故觸發信號S_T為高位準，因此不導通P型電晶體P42。在此例中，N型電晶體N42係由控制信號S_C2所控制。舉例而言，當控制信號S_C2為高位準時，N型電晶體N42被導通，用以令輸入輸出接合墊150的位準等於一低位準。當控制信號S_C2為低位準時，N型電晶體N42不導通，因而停止令輸入輸出接合墊150的位準等於低位準。

第4B圖為本發明之驅動電路的另一可能實施例。第4B圖相似第4A圖，不同之處在於，第4B圖的驅動電路400B多了一傳輸閘410。傳輸閘410根據P型電晶體P41的汲極的位準(即觸發信號S_T)傳送控制信號S_C2予N型電晶體N42。

如圖所示，傳輸閘410包括一P型電晶體P43、一N型電晶體N43以及一反相器INV3。P型電晶體P43之閘極耦接反相器INV3的輸出端，其源極接收控制信號S_C2，其汲極耦接N型電晶體N42的閘極。N型電晶體N43的閘極耦接P型電晶體P41的汲極，用以接收觸發信號S_T，其源極耦接P型電晶體P43的汲極，其汲極接收控制信號S_C2。反相器INV3的輸入端耦接N型電晶體N43的閘極。

當觸發信號S_T為低位準時，N型電晶體N43與P型電晶體P43不導通。因此，傳輸閘410不提供控制信號S_C2予N型電晶體N42。當觸發信號S_T為高位準時，N型電晶體N43與P型電晶體P43均被導通，用以傳送控制信號S_C2予N型電晶體N42的閘極。此時，若控制信號S_C2為高位準時，N型電晶體N42被導通，用以將輸入輸出接合墊150的位準設定在低位準。若控制信號S_C2為低位準，N型電晶體N42不導通，因此，停止設定輸入輸出接合墊150的位準。

第5A圖為本發明之驅動電路的另一可能實施例。如圖所示，偵測器110包括一電阻R51、一電容C51、一P型電晶體P51以及一N型電晶體N51。電阻R51耦接於電源端140與節點111之間。電容C51耦接於節點111與接地端GND之間。電阻R51與電容C51用以判斷電源端140是否發生一靜電放電事件，並產生偵測信號S_D。P型電晶體P51之閘極耦接節點111，其源極耦接電源端140。N型電晶體N51之閘極耦接節點111，其源極耦接接地端GND，其汲極耦接P型電晶體P51的汲極。

在本實施例中，控制器120係為一N型電晶體N52，釋放控制元件130係為一P型電晶體P52。N型電晶體N52的閘極耦接P型電晶體P51的汲極，用以接收觸發信號S_T，其源極耦接節點111，其汲極耦接釋放控制元件130。P型電晶體P52的閘極耦接N型電晶體N52的汲極，其源極耦接電源端140，其汲極耦接輸入輸出接合墊150。

當一正向靜電放電事件發生在電源端140，並且輸入輸出接合墊150耦接至地時，驅動電路500A進入一保護模式。在保護模式下，偵測信號S_D為低位準。因此，P型電晶體P51導通，使得觸發信號S_T為高位準。由於觸發信號S_T為高位準，故可導通N型電晶體N52，使得控制信號S_C1為低位準，用以導通P型電晶體P52。當P型電晶體P52被導通時，便可將靜電放電電流從電源端140釋放至輸入輸出接合墊150。

當電源端140並未發生靜電放電事件，並且電源端140接收一高操作電壓，接地端GND接收一低操作電壓時，驅動電路500A進入一正常模式。在正常模式下，偵測信號S_D為高位準，因此，導通N型電晶體N51。此時，由於觸發信號S_T為低位準，因此不導通N型電晶體N52。在此模式下，P型電晶體 P52根據控制信號S_C2控制輸入輸出接合墊150的位準。舉例而言，當控制信號S_C2為低位準時，P型電晶體P52導通，用以將輸入輸出接合墊150的位準設定在高位準。當控制信號S_C2為高位準時，P型電晶體P52不導通，用以停止設定輸入輸出接合墊150的位準。

第5B圖為本發明之驅動電路的另一可能實施例。第5B圖相似第5A圖，不同之處在於，第5B圖的驅動電路500B多了一電容C52。如圖所示，電容C52耦接在輸入輸出接合墊150與接地端GND之間，用以控制接地端GND的位準。舉例而言，當輸入輸出接合墊150耦接至地時，接地端GND的位準也為接地位準。

第5C圖為本發明之驅動電路的另一可能實施例。第5C圖相似第5A圖，不同之處在於，第5C圖的驅動電路500C多了一傳輸閘510。傳輸閘510根據節點111的位準(即偵測信號S_D)傳送控制信號S_C2予P型電晶體P52。P型電晶體P52根據控制信號S_C2控制輸入輸出接合墊150的位準。

在本實施例中，傳輸閘510包括一P型電晶體P53、一N型電晶體N53以及一反相器INV4。P型電晶體P53的閘極耦接反相器INV4的輸出端，其源極接收控制信號S_C2，其汲極耦接P型電晶體P52的閘極。N型電晶體N53之閘極耦接節點111，用以接收偵測信號S_D，其源極耦接P型電晶體P53的汲極，其汲極接收控制信號S_C2。反相器INV4的輸入端耦接N型電晶體N53的閘極。

當偵測信號S_D為低位準時，N型電晶體N53與P型電晶體P53不導通。因此，傳輸閘510不提供控制信號S_C2予P型電晶體P52。當偵測信號S_D為高位準時，N型電晶體N53與P型電晶體P53均被導通，用以傳送控制信號S_C2予P型電晶體P52的閘極。此時，若控制信號S_C2為低位準，則P型電晶體P52被導通，用以將輸入輸出接合墊150的位準設定在高位準。若控制信號S_C2為高位準，P型電晶體P52不導通，因此，停止設定輸入輸出接合墊150的位準。

除非另作定義，在此所有詞彙(包含技術與科學詞彙)均屬本發明所屬技術領域中具有通常知識者之一般理解。此外，除非明白表示，詞彙於一般字典中之定義應解釋為與其相關技術領域之文章中意義一致，而不應解釋為理想狀態或過分正式之語態。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

Claims

一種驅動電路，用以控制一輸入輸出接合墊的位準，並具有靜電放電防護能力，並包括：一偵測器，耦接一電源端與該輸入輸出接合墊；一控制器，耦接該偵測器；以及一釋放控制元件，耦接該電源端或該輸入輸出接合墊，並耦接該控制器；其中，當一靜電放電事件發生在該電源端或該輸入輸出接合墊時，該偵測器致能該控制器，使得該控制器導通該釋放控制元件，用以釋放一靜電放電電流，其中，當該靜電放電事件未發生在該電源端及該輸入輸出接合墊時，該偵測器不致能該控制器，並且該釋放控制元件根據一控制信號而導通，用以控制該輸入輸出接合墊的位準。
如申請專利範圍第1項所述之驅動電路，其中該偵測器包括：一電阻，耦接於該電源端與一節點之間；一電容，耦接於該節點與一接地端之間；一第一P型電晶體，具有一第一閘極、一第一源極以及一第一汲極，該第一閘極耦接該節點，該第一源極耦接該輸入輸出接合墊，該第一汲極耦接該控制器；以及一第一N型電晶體，具有一第二閘極、一第二源極以及一第二汲極，該第二閘極耦接該節點、該第二源極耦接該接地端、該第二汲極耦接該第一P型電晶體之該第一汲極。
如申請專利範圍第2項所述之驅動電路，其中該控制器係為一第二P型電晶體，具有一第三閘極、一第三源極以及一第三汲極，該第三閘極耦接該節點，該第三源極耦接該第一汲極，該第三汲極耦接該釋放控制元件；其中該釋放控制元件係為一第二N型電晶體，具有一第四閘極、一第四源極以及一第四汲極，該第四閘極耦接該第三汲極，該第四源極耦接該接地端，該第四汲極耦接該輸入輸出接合墊。
如申請專利範圍第3項所述之驅動電路，更包括：一傳輸閘，根據該節點的位準傳送該控制信號予該第二N型電晶體，其中該第二N型電晶體根據該控制信號控制該輸入輸出接合墊的位準。
如申請專利範圍第4項所述之驅動電路，其中該傳輸閘包括：一第三P型電晶體，具有一第五閘極、一第五源極以及一第五汲極，該第五源極接收該控制信號以及該第五汲極耦接該第四閘極；一第三N型電晶體，具有一第六閘極、一第六源極以及一第六汲極，該第六閘極耦接該節點，該第六源極耦接該第五汲極以及該第六汲極接收該控制信號；以及一反相器，具有一輸入端以及一輸出端，該輸入端耦接該第六閘極，該輸出端耦接該第五閘極。
如申請專利範圍第1項所述之驅動電路，其中該偵測器包括：一第一電容，耦接於該電源端與一節點之間；一電阻，耦接於該節點與一接地端之間；一第一P型電晶體，具有一第一閘極、一第一源極以及一第一汲極，該第一閘極耦接該節點，該第一源極耦接該電源端，該第一汲極耦接該控制器；以及一第一N型電晶體，具有一第二閘極、一第二源極以及一第二汲極，該第二閘極耦接該節點、該第二源極耦接該接地端以及該第二汲極耦接該第一汲極。
如申請專利範圍第6項所述之驅動電路，其中該控制器係為一第二N型電晶體，具有一第三閘極、一第三源極以及一第三汲極，該第三閘極耦接該節點，該第三源極耦接該釋放控制元件，該第三汲極耦接該第一汲極；其中該釋放控制元件係為一第二P型電晶體，具有一第四閘極、一第四源極以及一第四汲極，該第四閘極耦接該第三源極，該第四源極耦接該電源端，該第四汲極耦接該輸入輸出接合墊。
如申請專利範圍第7項所述之驅動電路，更包括：一傳輸閘，根據該第一汲極的位準傳送該控制信號予該第二P型電晶體，其中該第二P型電晶體根據該控制信號控制該輸入輸出接合墊的位準。
如申請專利範圍第7項所述之驅動電路，其中該傳輸閘包括：一第三P型電晶體，具有一第五閘極、一第五源極以及一第五汲極，該第五源極接收該控制信號，該第五汲極耦接該第四閘極；一第三N型電晶體，具有一第六閘極、一第六源極以及一第六汲極，該第六閘極耦接該第一P型電晶體之第一汲極，該第六源極耦接該第五汲極以及該第六汲極接收該控制信號；以及一反相器，具有一輸入端以及一輸出端，該輸入端耦接該第六閘極，該輸出端耦接該第五閘極。
如申請專利範圍第9項所述之驅動電路，更包括：一第二電容，耦接於該輸入輸出接合墊與該接地端之間。
如申請專利範圍第1項所述之驅動電路，其中該偵測器包括：一第一電容，耦接於該電源端與一節點之間；一電阻，耦接於該節點與一接地端之間；一第一P型電晶體，具有一第一閘極、一第一源極以及一第一汲極，該第一閘極耦接該節點，該第一源極耦接該電源端；以及一第一N型電晶體，具有一第二閘極、一第二源極以及一第二汲極，該第二閘極耦接該節點、該第二源極耦接該接地端以及該第二汲極耦接該第一汲極。
如申請專利範圍第11項所述之驅動電路，其中該控制器係為一第二P型電晶體，具有一第三閘極、一第三源極以及一第三汲極，該第三閘極耦接該第一汲極，該第三源極耦接該節點，該第三汲極耦接該釋放控制元件；其中該釋放控制元件係為一第二N型電晶體，具有一第四閘極、一第四源極以及一第四汲極，該第四閘極耦接該第三汲極，該第四源極耦接該接地端，該第四汲極耦接該輸入輸出接合墊。
如申請專利範圍第12項所述之驅動電路，更包括：一傳輸閘，根據該第一汲極的位準傳送該控制信號予該第二N型電晶體，其中該第二N型電晶體根據該控制信號控制該輸入輸出接合墊的位準。
如申請專利範圍第13項所述之驅動電路，其中該傳輸閘包括：一第三P型電晶體，具有一第五閘極、一第五源極以及一第五汲極，該第五源極接收該控制信號，該第五汲極耦接該第四閘極；一第三N型電晶體，具有一第六閘極、一第六源極以及一第六汲極，該第六閘極耦接該第一汲極，該第六源極耦接該第五汲極，該第六汲極接收該控制信號；一反相器，具有一輸入端以及一輸出端，該輸入端耦接該第六閘極，該輸出端耦接該第五閘極。
如申請專利範圍第4項所述之驅動電路，更包括：一第二電容，耦接於該電源端與該輸入輸出接合墊之間。
如申請專利範圍第1項所述之驅動電路，其中該偵測器包括：一電阻，耦接於該電源端與一節點之間；一第一電容，耦接於該節點與一接地端之間；一第一P型電晶體，具有一第一閘極、一第一源極以及一第一汲極，該第一閘極耦接該節點，該第一源極耦接該電源端；以及一第一N型電晶體，具有一第二閘極、一第二源極以及一第二汲極，該第二閘極耦接該節點、該第二源極耦接該接地端以及該第二汲極耦接該第一汲極。
如申請專利範圍第16項所述之驅動電路，其中該控制器係為一第二N型電晶體，具有一第三閘極、一第三源極以及一第三汲極，該第三閘極耦接該第一汲極，該第三源極耦接該節點，該第三汲極耦接該釋放控制元件；其中該釋放控制元件係為一第二P型電晶體，具有一第四閘極、一第四源極以及一第四汲極，該第四閘極耦接該第三源極，該第四源極耦接該電源端，該第四汲極耦接該輸入輸出接合墊。
如申請專利範圍第17項所述之驅動電路，更包括：一傳輸閘，用以根據該節點的位準傳送該控制信號予該第二P型電晶體，其中該第二P型電晶體根據該控制信號控制該輸入輸出接合墊的位準。
如申請專利範圍第18項所述之驅動電路，其中該傳輸閘包括：一第三P型電晶體，具有一第五閘極、一第五源極以及一第五汲極，該第五源極接收該控制信號，該第五汲極耦接該第四閘極；一第三N型電晶體，具有一第六閘極、一第六源極以及一第六汲極，該第六源極耦接該第五汲極，該第六汲極接收該控制信號；以及一反相器，具有一輸入端以及一輸出端，該輸入端耦接該第六閘極，該輸出端耦接該第五閘極。
如申請專利範圍第19項所述之驅動電路，更包括：一第二電容，耦接於該輸入輸出接合墊與該接地端之間。