TWI617454B - 複合積層板 - Google Patents

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TWI617454B TW105119525A TW105119525A TWI617454B TW I617454 B TWI617454 B TW I617454B TW 105119525 A TW105119525 A TW 105119525A TW 105119525 A TW105119525 A TW 105119525A TW I617454 B TWI617454 B TW I617454B
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一種複合積層板，包括：一金屬箔層、一矽烷層、一強化接著層、以及一碳氫樹脂層。所述矽烷層置於所述金屬箔層以及所述碳氫樹脂層之間。所述強化接著層置於所述矽烷層以及所述碳氫樹脂層之間。

Description

複合積層板
本發明是有關於一種複合積層板。
新世代的電子產品趨向輕薄短小，並且需具備高頻傳輸的能力，因此電路板的配線走向高密度化，且電路板的材料選用走向更嚴謹的需求。一般而言，高頻電子元件會與電路板接合。為了維持傳輸速率及保持傳輸訊號完整性，電路板之基板材料必須兼具較低的介電常數(dielectric constant)及介電損耗(又稱損失因子，dissipation factor)，這是因為基板的訊號傳送速度與基板材料的介電常數的平方根成反比，故基板材料的介電常數通常越小越好；另一方面，由於介電損耗越小代表訊號傳遞的損失越少，故介電損耗較小之材料所能提供之傳輸品質也較為良好。
一般電路板之基板為金屬箔與碳氫樹脂層以壓合方式相結合，以提高介電常數及介電損耗值，並提升難燃性與吸濕性，金屬箔與碳氫樹脂層間的黏著力會影響其製成的電路板的特性，進而影響其電子產品的功能和可靠度。然而，目前具有良好介電性質之碳氫樹脂材料與金屬箔間的黏著力較差，導致影響其製成 電子產品的功能和可靠度。
因此，開發出具有低介電常數以及低介電損耗之基板，並將其應用於高頻電路板之製造，乃是現階段相關技術領域重要課題。
本發明在於提供一種複合積層板，該積層板之金屬箔層與碳氫樹脂層間具有好的黏著強度。
本發明一實施例提供之一種複合積層板，包括：一金屬箔層、一矽烷層、一強化接著層、以及一碳氫樹脂層。該矽烷層，置於該金屬箔層以及碳氫樹脂層之間。該強化接著層，置於該矽烷層以及碳氫樹脂層之間。
本發明另一實施例提供之一種複合積層板，包括：一第一金屬箔層、一第一矽烷層、一第一強化接著層、一碳氫樹脂層、一第二強化接著層、一第二矽烷層、以及一第二金屬箔層。該碳氫樹脂層，置於該第一金屬箔層以及該第二金屬箔層之間。該第一矽烷層，置於該第一金屬箔層以及該碳氫樹脂層之間。該第一強化接著層，置於該第一矽烷層以及該碳氫樹脂層之間。該第二矽烷層，於該第二金屬箔層以及該碳氫樹脂層之間。該第二強化接著層，置於該第二矽烷層以及該碳氫樹脂層之間。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出數個實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
1、1’‧‧‧複合積層板
10‧‧‧金屬箔層
10a‧‧‧第一金屬箔層
10b‧‧‧第二金屬箔層
20‧‧‧矽烷層
20a‧‧‧第一矽烷層
20b‧‧‧第二矽烷層
30‧‧‧強化接著層
30a‧‧‧第一強化接著層
30b‧‧‧第二強化接著層
40‧‧‧碳氫樹脂層
圖1為根據本發明一實施例所繪之複合積層板之剖面示意圖。
圖2為根據本發明另一實施例所繪之複合積層板之剖面示意圖。
以下係詳細敘述本發明內容之實施例。實施例所提出的實施細節為舉例說明之用，並非對本發明內容欲保護之範圍做限縮。具有通常知識者當可依據實際實施態樣的需要對該些實施細節加以修飾或變化。本發明所述之「一」表示為「至少一」。
請參照第1圖，本發明所述之複合積層板1可包含：一金屬箔層10、矽烷層20、強化接著層30以及碳氫樹脂層40。矽烷層20置於金屬箔層10以及碳氫樹脂層40之間，強化接著層30置於矽烷層20以及碳氫樹脂層40之間。
根據本發明實施例，該金屬箔層10之材質可例如為銅、鋁、鐵、銀、鈀、鎳、鉻、鉬、鎢、鋅、錳、鈷、金、錫、鉛、不鏽鋼所製成之導電性箔片。以銅箔為例，本實施例使用之銅箔可以是精鍊或碾製銅箔片，也可採用電沈積銅箔片，而一般電沈積銅箔片具有光澤面與粗糙面，而本實施例之矽烷層可形成於該銅箔之光澤面或粗糙面。
根據本發明一實施例，該金屬箔層10之方均根粗糙度(root-mean-square roughness)為Rq0.6微米、表面之十點平均粗糙度為Rz5μm。
根據本發明一實施例，該矽烷層20可包含一具有雙鍵官能基之矽烷化合物。根據本發明一實施例，該具有雙鍵官能基之矽烷化合物可以具有如化學式R1-Si(OR2)3之結構，其中R1為C2-C8之鏈烯基、R2為C1-C8之烷基，R1可以為乙烯基(vinyl)或丙烯基(allyl)，R2可以為CH3或C2H5，例如乙烯基三甲氧基矽烷(vinyl trimethoxysilane)、乙烯基三乙氧基矽烷(vinyl triethoxysilane)、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷(vinyl tri(2-methoxyethoxy)silane)、乙烯基三異丙氧基矽烷(Vinyl trisopropoxysilane)、烯丙基三甲氧基矽烷(allyltrimethoxysilane)、烯丙基三乙氧基矽烷(allyltriethoxysilane)。
在本發明實施例中矽烷化合物或混合物可以單獨或混合適合的溶劑塗佈於金屬箔片表面，一般是以適當溶劑將矽烷化合物分散再利用反轉液筒塗佈、刮刀塗佈、浸漬塗佈或噴刷方式塗佈於金屬箔片上形成濕膜，再經一段式烘烤製成，可例如為在130℃下烘烤5~15分鐘，形成具有矽烷層20之金屬箔層10。
根據本發明一實施例，該強化接著層30之組成物可包含具有3個以上雙鍵官能基之化合物與聚合起始劑，在本發明實施例中基於1重量份之該具有3個以上雙鍵官能基之化合物，該聚合起始劑之重量份係介於0.01-0.3。根據本發明一實施例，該具 有3個以上雙鍵官能基之化合物可以為具有3個以上雙鍵官能基之異三聚氰酸酯類化合物，例如為三甲基烯丙基異三聚氰酸酯(trimethylallyl isocyanurate，TMAIC)、三烯丙基異三聚氰酸酯(triallyl isocyanurate，TAIC)，或是具有3個以上雙鍵官能基之環四矽氧烷(cyclotetrasiloxane)類化合物，例如為tetramethyl tetravinyl cyclotetrasiloxane(簡稱TMTVC)，或是具有3個以上雙鍵官能基之多面體矽氧烷類寡聚物(polyhedral oligomeric silsesquioxanes，簡稱POSS)，例如為八乙烯基-POSS(octavinyl-POSS)。該聚合起始劑可為有機過氧化物，例如為異丙苯過氧化氫(cumene hydroperoxide)。在本發明實施例中該強化接著層30之材料可更包含一溶劑，該溶劑可以為甲乙酮(methyl ethyl ketone，簡稱MEK)，在本發明實施例中該具有3個以上雙鍵官能基之化合物之濃度係介於0.1-50wt%。
上述強化接著層30的材料塗佈於矽烷層20表面，一般是以適當溶劑，如甲乙酮將強化接著層30的材料分散再利用反轉滾筒塗佈、刮刀塗佈、浸漬塗佈或噴刷方式塗佈於具矽烷層20之金屬箔層10上形成濕膜，再經一段式烘烤製成，可例如為在50~70℃下烘烤5~15分鐘，形成具有強化接著層30與矽烷層20之金屬箔層10。於一實施例中強化接著層30及矽烷層20在金屬箔層10上所形成的乾燥薄膜厚度總和係小於2微米。
根據本發明一實施例，該碳氫樹脂層40之材料可例如為聚亞醯胺(polyimide、PI)、聚碳酸酯(polycarbonate、PC)、聚醚 碸(polyethersulfone、PES)、聚原冰烯(polynorbornene、PNB)、聚醚亞醯胺(polyetherimide、PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate、PEN)、聚乙醯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate、PET)、聚二丁烯或上述之組合。上述碳氫樹脂層40，一般是以壓合方式與上述之金屬箔層10互相結合。
請參照圖2，其係根據本發明另一實施例所繪之複合積層板之剖面示意圖。本實施例之複合積層板1’包括：第一金屬箔層10a、第一矽烷層20a、第一強化接著層30a、碳氫樹脂層40、第二金屬箔層10b、第二矽烷層20b以及第二強化接著層30b。碳氫樹脂層40置於第一金屬箔層10a以及第二金屬箔層10b之間，第一矽烷層20a置於第一金屬箔層10a以及碳氫樹脂層40之間，第一強化接著層30a置於第一矽烷層20a以及碳氫樹脂層40之間，第二矽烷層20b置於第二金屬箔層10b以及碳氫樹脂層40之間，第二強化接著層30b置於第二矽烷層20b以及碳氫樹脂層40之間。
根據本發明實施例，該金屬箔層10a及10b之材質可例如為銅、鋁、鐵、銀、鈀、鎳、鉻、鉬、鎢、鋅、錳、鈷、金、錫、鉛、不鏽鋼所製成之導電性箔片。以銅箔為例，本實施例使用之銅箔可以是精鍊或碾製銅箔片，也可採用電沈積銅箔片，而一般電沈積銅箔片具有光澤面與粗糙面，而本實施例之矽烷層可形成於該銅箔之光澤面或粗糙面。
根據本發明一實施例，該金屬箔層10a及10b之方均根 粗糙度(root-mean-square roughness)為Rq0.6微米、表面之十點平均粗糙度為Rz5μm。
根據本發明一實施例，該矽烷層20a及20b可包含一具有雙鍵官能基之矽烷化合物。根據本發明一實施例，該具有雙鍵官能基之矽烷化合物可以具有如化學式R1-Si(OR2)3之結構，其中R1為C2-C8之鏈烯基、R2為C1-C8之烷基，R1可以為vinyl或allyl，R2可以為CH3或C2H5，例如乙烯基三甲氧基矽烷(vinyl trimethoxysilane)、乙烯基三乙氧基矽烷(vinyl triethoxysilane)、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷(vinyl tri(2-methoxyethoxy)silane)、乙烯基三異丙氧基矽烷(Vinyl trisopropoxysilane)、烯丙基三甲氧基矽烷(allyltrimethoxysilane)、烯丙基三乙氧基矽烷(allyltriethoxysilane)。
在本發明實施例中矽烷化合物或混合物可以單獨或混合適合的溶劑塗佈於金屬箔片表面，一般是以適當溶劑將矽烷化合物分散再利用反轉滾筒塗佈、刮刀塗佈、浸漬塗佈或噴刷方式塗佈於金屬箔片上形成濕膜，再經一段式烘烤製成，可例如為在130℃下烘烤5~15分鐘，形成分別具有矽烷層20a、20b之金屬箔層10a、10b。
根據本發明一實施例，該強化接著層30a及30b之材料可包含具有3個以上雙鍵官能基之化合物與聚合起始劑，在本發明實施例中基於1重量份之該具有3個以上雙鍵官能基之化合物，該聚合起始劑之重量份係介於0.01-0.3。根據本發明一實施 例，該具有3個以上雙鍵官能基之化合物可以為具有3個以上雙鍵官能基之異三聚氰酸酯類化合物，例如為三甲基烯丙基異三聚氰酸酯(trimethylallyl isocyanurate，TMAIC)、三烯丙基異三聚氰酸酯(triallyl isocyanurate，TAIC)，或是具有3個以上雙鍵官能基之環四矽氧烷(cyclotetrasiloxane)類化合物，例如為四甲基四乙烯基環四矽氧烷(tetramethyl tetravinyl cyclotetrasiloxane，簡稱TMTVC)，或是具有3個以上雙鍵官能基之多面體矽氧烷類寡聚物(polyhedral oligomeric silsesquioxanes，簡稱POSS)，例如為八乙烯基-POSS(octavinyl-POSS)。該聚合起始劑可為有機過氧化物，例如為異丙苯過氧化氫(cumene hydroperoxide)。在本發明實施例中該強化接著層30之材料可更包含一溶劑，該溶劑可以為甲乙酮(methyl ethyl ketone，簡稱MEK)，在本發明實施例中該具有3個以上雙鍵官能基之化合物之濃度係介於0.1-50wt%。
上述強化接著層30a及30b的材料塗佈於矽烷層20a及20b表面，一般是以適當溶劑，如甲乙酮將強化接著層30a或20b的材料分散再利用反轉滾筒塗佈、刮刀塗佈、浸漬塗佈或噴刷方式塗佈於分別具有矽烷層20a、20b之金屬箔層10a、10b上形成濕膜，再經一段式烘烤製成，可例如為在50~70℃下烘烤5~15分鐘，形成分別具有強化接著層30a、30b與矽烷層20a、20b之金屬箔層10a、10b。於一實施例中強化接著層30a、30b分別與矽烷層20a、20b在金屬箔層10a及10b上所形成的乾燥薄膜厚度總和係小於2微米。
根據本發明一實施例，該碳氫樹脂層40之材料可例如為聚亞醯胺(polyimide、PI)、聚碳酸酯(polycarbonate、PC)、聚醚碸(polyethersulfone、PES)、聚原冰烯(polynorbornene、PNB)、聚醚亞醯胺(polyetherimide、PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate、PEN)、聚乙醯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate、PET)、聚二丁烯或上述之組合。將上述碳氫樹脂層40置於具有強化接著層30a及矽烷層20a之金屬箔層10a及具有強化接著層30b及矽烷層20b之金屬箔層10b之間，再以壓合方式互相結合。
實施例
以下實施例所提及之量測儀器及方法：在下列實施例之量測剝離強度之儀器購自弘達儀器股份有限公司、型號HT-9102、量測方法按IPC-TM-650規範量測90°撕離強度。
(1)矽烷層塗料製備：將乙烯基三甲氧基矽烷分散於水中，再滴入醋酸調整該溶液至pH值約為4，製成重量百分比為1%的矽烷水溶液。
(2)強化接著層I塗料製備：將2克octavinyl-POSS及0.4克異丙苯過氧化氫分散於2克甲乙酮中於常溫(約25℃)攪拌，得到強化接著層I塗料。
(3)強化接著層II塗料製備：將4克四甲基四乙烯基環四矽氧烷(tetramethyl tetravinyl cyclotetrasiloxane，TMTVC)及0.4克異丙苯過氧化氫分散於2克甲乙酮中於常溫(約25℃)攪 拌，得到強化接著層II塗料。
(4)強化接著層III塗料製備：將2克TMAIC及0.4克異丙苯過氧化氫分散於2克甲乙酮中於常溫(約25℃)攪拌，得到強化接著層III塗料。
實施例1-3複合積層板之製作
複合積層板製作：先將銅箔基材(購自三井，型號HS-VSP，厚度約35微米、表面粗糙度Rq~0.5)將前述之矽烷層塗料溶液噴塗於該銅箔基材上，再放入烘箱進行烘烤。在130℃烘烤10分鐘。得到具有矽烷層之銅箔基材。接著，將前述之強化接著層塗料I、II及III溶液噴塗於該具有矽烷層之銅箔基材上，再放入烘箱60℃烘烤10分鐘，得到具有厚度總和為小於1微米之強化接著層及矽烷層之銅箔基材。然後，將碳氫樹脂層(Rogers Co.生產，型號RO-4450，厚度=4mil)壓合於該具有強化接著層及矽烷層之銅箔基材，壓合步驟及條件係依該RO4450建議的壓合條件執行，得到複合積層板I-III，其詳細組成及其剝離強度如表1所示。
比較實施例1
本比較實施例與實施例1-3類似，差別在於銅箔基板與樹脂RO-4450間僅具有矽烷層。其剝離強度如表1所示。
由表1之剝離強度可知，銅箔基板與樹脂間具有本發明之矽烷層及強化接著層者其剝離強度較僅具有矽烷層之比較例的剝離強度高，亦即本發明之複合積層板具有較佳的黏著力。
雖然本發明的實施例揭露如上所述，然並非用以限定本發明，任何熟習相關技藝者，在不脫離本發明的精神和範圍內，舉凡依本發明申請範圍所述的形狀、構造、特徵及數量當可做些許的變更，因此本發明的專利保護範圍須視本說明書所附的申請專利範圍所界定者為準。

Claims (12)

  1. 一種複合積層板，其包括：一金屬箔層；一碳氫樹脂層；一矽烷層，設置於該金屬箔層以及該碳氫樹脂層間，其中該矽烷層係具有雙鍵官能基之矽烷化合物，該具有雙鍵官能基之矽烷化合物具有如化學式R1-Si(OR2)3之結構，其中R1為C2-C8之鏈烯基、R2為C1-C8之烷基；以及一強化接著層，設置於該矽烷層以及該碳氫樹脂層間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的複合積層板，其中R1為乙烯基(vinyl)或丙烯基(allyl)，R2為CH3或C2H5。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的複合積層板，其中該具有雙鍵官能基之矽烷化合物係選自乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷所構成的群組。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的複合積層板，其中該強化接著層材料，係包括：具有3個以上雙鍵官能基之化合物與聚合起始劑，其中基於1重量份之該具有3個以上雙鍵官能基之化合物，該聚合起始劑之重量份係介於0.01-0.3。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的複合積層板，其中該具有3個以上雙鍵官能基之化合物係為具有3個以上雙鍵官能基之異三聚氰酸酯類化合物、具有3個以上雙鍵官能基之環四矽氧烷 (cyclotetrasiloxane)類化合物及具有3個以上雙鍵官能基之多面體矽氧烷類寡聚物所構成之群組。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的複合積層板，其中該具有3個以上雙鍵官能基之異三聚氰酸酯類化合物係包括三甲基烯丙基異三聚氰酸酯或三烯丙基異三聚氰酸酯。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的複合積層板，其中該具有3個以上雙鍵官能基之環四矽氧烷類化合物係包括四甲基四乙烯基環四矽氧烷(tetramethyl tetravinyl cyclotetrasiloxane)。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的複合積層板，其中該具有3個以上雙鍵官能基之多面體矽氧烷類寡聚物係包括八乙烯基-POSS(octavinyl-POSS)。
  9. 如申請專利範圍第4項所述的複合積層板，其中該聚合起始劑係為有機過氧化物。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的複合積層板，其中該強化接著層及該矽烷層厚度總和係小於2微米。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的複合積層板，其中該金屬箔層的Rq0.6微米。
  12. 一種雙面複合積層板，其包括：一第一金屬箔層；一第二金屬箔層；一碳氫樹脂層，置於該第一金屬箔層以及該第二金屬箔層間；一第一矽烷層，置於該第一金屬箔層以及該碳氫樹脂層間； 一第一強化接著層，置於該第一矽烷層以及該碳氫樹脂層間；一第二矽烷層，置於該第二金屬箔層以及該碳氫樹脂層間；以及一第二強化接著層，置於該第二矽烷層以及該碳氫樹脂層間，其中該第一矽烷層與該該第二矽烷層係具有雙鍵官能基的矽烷化合物，該具有雙鍵官能基的矽烷化合物具有如化學式R1-Si(OR2)3之結構，其中R1為C2-C8之鏈烯基、R2為C1-C8之烷基。
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