CN208615414U - 一种低介电常数双面挠性覆铜板 - Google Patents
一种低介电常数双面挠性覆铜板 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型提供了一种低介电常数双面挠性覆铜板，包括：单面覆铜板、低介电常数介质层、及压覆于低介电常数介质层的另一单面覆铜板，所述单面覆铜板包括铜箔层、涂布于所述铜箔层上的低介电常数胶粘剂层以及压合于所述低介电常数胶粘剂层上的热固性聚酰亚胺薄膜层，所述热固性聚酰亚胺薄膜层与所述低介电常数介质层相邻设置；本实用新型提供的低介电常数双面挠性覆铜板，其不仅具有低介电常数、低介质损耗角正切，而且具有优异的耐热性、尺寸稳定性、柔韧性和加工性。
Description
技术领域
本实用新型涉及覆铜板技术领域，尤其涉及一种低介电常数双面挠性覆铜板。
背景技术
挠性印制线路板早期主要应用于军工、航空航天等高技术电子产品领域，直到上世纪90年代日本才开始将挠性印制线路板推广至消费类电子产品中应用。如今随着电子产品向着轻、薄、短、小方向飞速发展，民用电子产品领域已成为挠性印制线路板的主要市场。进入新世纪以来，电子设备的信号处理和传输速率迅速提高，由兆赫兹(MHz)向吉赫兹(GHz)转变，信号传输的高频化和高速化，对于信号传输的挠性覆铜板提出了高频高速的要求。挠性覆铜板基材的介电常数Dk大小与信号传递速率成正相关，介质损耗角正切Df大小与信号传输过程中的失真率正正相关。因此，实现挠性覆铜板基材的低介电常数和低介质损耗角正切成为行业内追逐的热点之一。
目前，行业内实现低介电常数(Low Dk)挠性覆铜板一般是通过先制备液晶聚酯薄膜，然后通过高温辊压机在高温下与铜箔复合来实现。但是由于液晶聚酯薄膜的耐热性不足，这种方法制备的Low Dk挠性覆铜板存在耐浸焊性不足，在下游FPC客户处使用时，容易出现爆板。另有中国专利CN106671511A也披露了一种Low Dk双面挠性覆铜板的制作方法，其采用铜箔/含氟聚合物膜/热塑性聚酰亚胺膜/含氟聚合物膜/铜箔的结构，这种结构由于中间增强层热塑性聚酰亚胺的玻璃化转变温度和熔点都比较低，容易导致所制备的板材尺寸稳定性和耐热性较差，也无法满足下游FPC客户的加工要求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种低介电常数双面挠性覆铜板，其不仅具有低介电常数、低介质损耗角正切，而且具有优异的耐热性、尺寸稳定性、柔韧性和加工性。
本实用新型是这样实现的：
本实用新型提供一种低介电常数双面挠性覆铜板，包括：单面覆铜板、低介电常数介质层、及压覆于低介电常数介质层的另一单面覆铜板，所述单面覆铜板包括铜箔层、涂布与所述铜箔层上的低介电常数胶粘剂层以及压合于所述低介电常数胶粘剂层上的热固性聚酰亚胺薄膜层，所述热固性聚酰亚胺薄膜层与所述低介电常数介质层相邻设置。
进一步地，所述铜箔层为压延铜箔或电解铜箔中任意一种，且所述铜箔层的厚度为5-70μm。
进一步地，所述低介电常数介质层为含氟聚合物膜，且所述的低介电常数介质层的厚度大于所述热固性聚酰亚胺薄膜层的厚度。优选地，所述低介电常数介质层的厚度为25-50μm。优选地，所述含氟聚合物膜为全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜、聚全氟乙丙烯薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、聚四氟乙烯薄膜中的任意一种。优选地，所述含氟聚合物膜在10GHz条件下，介电常数小于2.5，介质损耗角正切小于0.003。
进一步地，所述热固性聚酰亚胺薄膜层的厚度为5-35μm。优选为5-15μm。
进一步地，所述低介电常数胶粘剂层为低介电常数环氧胶粘剂层、低介电常数聚氨酯胶粘剂层、低介电常数丙烯酸胶粘剂层中的任意一种。优选地，所述低介电常数胶粘剂层在10GHz条件下，介电常数小于3.5，介质损耗角正切小于0.003。优选地，所述低介电常数胶粘剂层的厚度为5-10μm。
本实用新型具有的有益效果：
本实用新型提供的低介电常数双面挠性覆铜板，将低介电常数介质层设置在两层热固性聚酰亚胺薄膜层之间，且在热固性聚酰亚胺薄膜另一表面涂覆有一层低介电常数胶粘剂层，这样不仅可以获得低介电常数和低介质损耗角正切，满足高频高速挠性基材的应用要求，而且具有优异的耐热性、尺寸稳定、柔韧性和加工性，克服了现有Low Dk挠性覆铜板的不足。
附图说明
图1为本实用新型实施例1提供的一种低介电常数双面挠性覆铜板的结构示意图；
图中1、铜箔层；2、低介电常数胶粘剂层；3、热固性聚酰亚胺薄膜层；4、低介电常数介质层；5、热固性聚酰亚胺薄膜层；6、低介电常数介质层；7、铜箔层。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例1
一种双面挠性覆铜板，其结构如图1所示，分为7层结构，由上至下依次为铜箔层1、低介电常数胶粘剂层2、热固性聚酰亚胺薄膜层3、低介电常数介质层4、热固性聚酰亚胺薄膜层5、低介电常数胶粘剂层6、铜箔层7。
所述的低介电常数胶粘剂层2为低介电常数环氧胶粘剂，所述的低介电常数胶粘剂层6为低介电常数环氧胶粘剂，所述的低介电常数介质层为全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜，铜箔层1为压延铜箔，铜箔层7为电解铜箔。
其中，所述铜箔层1的厚度为5μm，所述铜箔层7的厚度为8μm，所述热固性聚酰亚胺薄膜层3的厚度为5μm，所述热固性聚酰亚胺薄膜层5的厚度为10μm，所述低介电常数介质层4的厚度为25μm，所述低介电常数胶粘剂层2的厚度为5μm，所述低介电常数胶粘剂层6的厚度为8μm。
实施例2
一种双面挠性覆铜板，其结构如图1所示，分为7层结构，由上至下依次为铜箔层1、低介电常数胶粘剂层2、热固性聚酰亚胺薄膜层3、低介电常数介质层4、热固性聚酰亚胺薄膜层5、低介电常数胶粘剂层6、铜箔层7。
所述的低介电常数胶粘剂层2为低介电常数聚氨酯胶粘剂，所述的低介电常数胶粘剂层6为低介电常数聚氨酯胶粘剂，所述的低介电常数介质层为聚全氟乙丙烯薄膜，铜箔层1为电解铜箔，铜箔层7为电解铜箔。
其中，所述铜箔层1的厚度为15μm，所述铜箔层7的厚度为10μm，所述热固性聚酰亚胺薄膜层3的厚度为15μm，所述热固性聚酰亚胺薄膜层5的厚度为10μm，所述低介电常数介质层4的厚度为40μm，所述低介电常数胶粘剂层2的厚度为5μm，所述低介电常数胶粘剂层6的厚度为5μm。
实施例3
一种双面挠性覆铜板，其结构如图1所示，分为7层结构，由上至下依次为铜箔层1、低介电常数胶粘剂层2、热固性聚酰亚胺薄膜层3、低介电常数介质层4、热固性聚酰亚胺薄膜层5、低介电常数胶粘剂层6、铜箔层7。
所述低介电常数胶粘剂层2为低介电常数聚氨酯胶粘剂，所述低介电常数胶粘剂层6为低介电常数丙烯酸胶粘剂，所述低介电常数介质层4为乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜，所述铜箔层1为压延铜箔，所述铜箔层7为压延铜箔。
其中所述铜箔层1的厚度为35μm，所述铜箔层7的厚度为50μm，所述热固性聚酰亚胺薄膜层3的厚度为15μm，所述热固性聚酰亚胺薄膜层5的厚度为12.5μm，所述低介电常数介质层4的厚度为50μm，所述低介电常数胶粘剂层2的厚度为8μm，所述低介电常数胶粘剂层6的厚度为10μm。
实施例4
一种双面挠性覆铜板，其结构如图1所示，分为7层结构，由上至下依次为铜箔层1、低介电常数胶粘剂层2、热固性聚酰亚胺薄膜层3、低介电常数介质层4、热固性聚酰亚胺薄膜层5、低介电常数胶粘剂层6、铜箔层7。
所述低介电常数介质层4为聚偏氟乙烯薄膜，铜箔层1为电解铜箔，铜箔层7为电解铜箔，所述所述低介电常数胶粘剂层2为低介电常数丙烯酸胶粘剂，所述低介电常数胶粘剂层6为低介电常数丙烯酸胶粘剂，
其中，所述铜箔层1的厚度为35μm，所述铜箔层7的厚度为70μm，所述热固性聚酰亚胺薄膜层3的厚度为15μm，所述热固性聚酰亚胺薄膜层5的厚度为5μm，所述低介电常数介质层4的厚度为40μm，所述低介电常数胶粘剂层2的厚度为7μm，所述低介电常数胶粘剂层6的厚度为10μm。
实施例5
一种双面挠性覆铜板，其结构如图1所示，分为7层结构，由上至下依次为铜箔层1、低介电常数胶粘剂层2、热固性聚酰亚胺薄膜层3、低介电常数介质层4、热固性聚酰亚胺薄膜层5、低介电常数胶粘剂层6、铜箔层7。
所述的低介电常数胶粘剂层2为低介电常数聚氨酯胶粘剂，所述的低介电常数胶粘剂层6为低介电常数环氧胶粘剂，低介电常数介质层4为聚四氟乙烯薄膜，铜箔层1为电解铜箔，铜箔层7为电解铜箔。
其中所述铜箔层1的厚度为35μm，所述铜箔层7的厚度为70μm，所述热固性聚酰亚胺薄膜层3的厚度为10μm，所述热固性聚酰亚胺薄膜层5的厚度为35μm，所述低介电常数介质层4的厚度为50μm，所述低介电常数胶粘剂层2的厚度为8μm，所述低介电常数胶粘剂层6的厚度为10μm。
实施例6
一种双面挠性覆铜板，其结构如图1所示，分为7层结构，由上至下依次为铜箔层1、低介电常数胶粘剂层2、热固性聚酰亚胺薄膜层3、低介电常数介质层4、热固性聚酰亚胺薄膜层5、低介电常数胶粘剂层6、铜箔层7。
所述的低介电常数胶粘剂层2为低介电常数丙烯酸胶粘剂，所述的低介电常数胶粘剂层6为低介电常数环氧胶粘剂，低介电常数介质层4为聚四氟乙烯薄膜，铜箔层1为电解铜箔，铜箔层7为电解铜箔。
其中所述铜箔层1的厚度为30μm，所述铜箔层7的厚度为70μm，所述热固性聚酰亚胺薄膜层3的厚度为10μm，所述热固性聚酰亚胺薄膜层5的厚度为35μm，所述低介电常数介质层4的厚度为50μm，所述低介电常数胶粘剂层2的厚度为8μm，所述低介电常数胶粘剂层6的厚度为10μm。
先将所述实施例1-6的双面挠性覆铜板作如下总结，如表1：
表1
实验例
本实用新型中实施例1-6的低介电常数双面挠性覆铜板按如下方式测试，具体性能见表2：
(1)剥离强度：按IPC-TM-6502.4.9方法测试。
(2)耐浸焊性：将双面挠性覆铜板裁切成5cm×5cm样品，在300℃锡中浸泡5分钟，观察是否有分层起泡。
(3)尺寸稳定性：按IPC-TM-6502.2.4方法测试。
(4)介电常数和介质损耗角正切：SPDR法，测试1.1GHz条件下介电常数。
(5)阻燃性：按UL94方法测试。
表2
由上表2可知，本实用新型制备的双面挠性覆铜板不仅具有极低的介电常数和介质损耗角正切，而且具有优异的耐热性、尺寸稳定性和阻燃性，可以满足下游FPC客户的应用加工要求。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种低介电常数双面挠性覆铜板，其特征在于，包括：单面覆铜板、低介电常数介质层、及压覆于低介电常数介质层的另一单面覆铜板，所述单面覆铜板包括铜箔层、涂布于所述铜箔层上的低介电常数胶粘剂层以及压合于所述低介电常数胶粘剂层上的热固性聚酰亚胺薄膜层，所述热固性聚酰亚胺薄膜层与所述低介电常数介质层相邻设置。
2.如权利要求1所述的低介电常数双面挠性覆铜板，其特征在于，所述铜箔层为压延铜箔或电解铜箔中任意一种，且所述铜箔层的厚度为5-70μm。
3.如权利要求1所述的低介电常数双面挠性覆铜板，其特征在于，所述低介电常数介质层为含氟聚合物膜，且所述的低介电常数介质层的厚度大于所述热固性聚酰亚胺薄膜层的厚度。
4.如权利要求3所述的低介电常数双面挠性覆铜板，其特征在于，所述低介电常数介质层的厚度为25-50μm。
5.如权利要求3所述的低介电常数双面挠性覆铜板，其特征在于，所述含氟聚合物膜为全氟烷氧基乙烯基醚共聚物薄膜、聚全氟乙丙烯薄膜、乙烯-四氟乙烯共聚物薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、聚四氟乙烯薄膜中的任意一种。
6.如权利要求3所述的低介电常数双面挠性覆铜板，其特征在于，所述含氟聚合物膜在10GHz条件下，介电常数小于2.5，介质损耗角正切小于0.003。
7.如权利要求1所述的低介电常数双面挠性覆铜板，其特征在于，所述热固性聚酰亚胺薄膜层的厚度为5-35μm。
8.如权利要求1所述的低介电常数双面挠性覆铜板，其特征在于，所述低介电常数胶粘剂层为低介电常数环氧胶粘剂层、低介电常数聚氨酯胶粘剂层、低介电常数丙烯酸胶粘剂层中的任意一种。
9.如权利要求1所述的低介电常数双面挠性覆铜板，其特征在于，所述低介电常数胶粘剂层在10GHz条件下，介电常数小于3.5，介质损耗角正切小于0.003。
10.如权利要求1所述的低介电常数双面挠性覆铜板，其特征在于，所述低介电常数胶粘剂层的厚度为5-10μm。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of utility model: A low dielectric constant double-sided flexible copper clad laminate Effective date of registration: 20211216 Granted publication date: 20190319 Pledgee: Bank of China Limited Huangshi Branch Pledgor: HUBEI HENGCHI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2021420000146 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20230106 Granted publication date: 20190319 Pledgee: Bank of China Limited Huangshi Branch Pledgor: HUBEI HENGCHI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2021420000146 |
|
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of utility model: A kind of double-sided flexible copper clad plate with low dielectric constant Effective date of registration: 20230109 Granted publication date: 20190319 Pledgee: Bank of China Limited Huangshi Branch Pledgor: HUBEI HENGCHI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2023420000010 |
|
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Granted publication date: 20190319 Pledgee: Bank of China Limited Huangshi Branch Pledgor: HUBEI HENGCHI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2023420000010 |
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| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of utility model: A low dielectric constant double-sided flexible copper clad plate Granted publication date: 20190319 Pledgee: Bank of China Limited Huangshi Branch Pledgor: HUBEI HENGCHI ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2024980007119 |
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| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |