CN101868118B - 高频线路基板及其制作方法 - Google Patents

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本发明公开了一种高频线路基板及其制作方法,旨在提供一种剥离强度高、线路不易脱落或断裂的高频线路基板及其制作方法。所述高频线路基板包括铜箔(1)和设置在所述铜箔(1)下方的绝缘介质层,绝缘介质层包括若干层浸胶布(21)及若干层纯PTFE薄膜(22),浸胶布(21)与纯PTFE薄膜(22)相间隔并粘接,绝缘介质层的最上层为浸胶布(21),铜箔(1)与绝缘介质层最上层的浸胶布(21)相粘接,所述高频线路基板的制作方法:利用玻璃纤维布浸渍PTFE树脂制得的浸胶布与纯PTFE薄膜相间隔、粘接,制得绝缘介质层,在绝缘介质层首层的浸胶布上覆设铜箔,层压制得高频线路基板。本发明可广泛应用于高频线路基板及其制作领域。

Description

高频线路基板及其制作方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种高频线路基板及其制作方法。 背景技术
[0002] 目前,线路板(PCB)普遍运用于各制造领域,是电子产品必不可少的重要组件之一,随着电子技术的不断进步,电子信息产品不断向高频化、高速化的方向发展,传统的线路基板逐渐被高速化、高可靠性的高频线路基板替代,近几年,聚四氟乙烯玻璃布覆铜箔层压基板因其低介电、低介质损耗、低吸水率、使用温度广等优良的特性在高频线路基板中得到广泛的运用,但因聚四氟乙烯树脂(PTFE)其分子外有一层惰性的含氟外壳,使它具有突出的不粘性能,导致与铜箔粘结力差、剥离强度低,从而影响线路板的使用效果,在使用过程中,线路容易脱落或断裂,严重影响线路板的使用功能,这一直是困绕这种基板生产的一个关键性能指标。
[0003] 综上所述,现有的高频线路基板存在剥离强度低、线路容易脱落或断裂的技术缺陷。
发明内容
[0004] 本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种剥离强度高、线路不易脱落或断裂的高频线路基板,本发明的另一个目的是提供一种所述高频线路基板的制作方法。
[0005] 本发明所述高频线路基板所采用的技术方案是:所述高频线路基板包括铜箔、绝缘介质层,所述绝缘介质层设置在所述铜箔的下方,所述绝缘介质层包括若干浸胶布及若干层纯PTFE薄膜,所述浸胶布由玻璃纤维布放入PTFE树脂内进行预浸渍制得,所述浸胶布与所述纯PTFE薄膜相间隔并粘接,所述绝缘介质层的最上层为浸胶布,所述铜箔与所述绝缘介质层最上层的所述浸胶布相粘接。
[0006] 进一步,所述铜箔包括光亮面I和粗糙面I,所述铜箔的光亮面I朝下,所述绝缘介质层最上层的所述浸胶布与所述铜箔的光亮面I相粘接,在满足剥离强度要求的前提下, 将所述铜箔的光亮面I与绝缘介质层接触,可使信号在线路传送过程中,不会因铜箔的粗糙面的粗糙不平造成信号传递不均勻,从而改善无源互调等性能指标。
[0007] 所述高频线路板还包括下层铜箔,所述绝缘介质层的最底层为浸胶布,所述下层铜箔与所述绝缘介质层最底层的所述浸胶布相粘接,从而作为双面铜箔的高频线路基板, 满足不同使用要求。
[0008] 所述下层铜箔包括光亮面II和粗糙面II,所述下层铜箔的光亮面II朝上,所述绝缘介质层最底层的所述浸胶布与所述下层铜箔的光亮面II相粘接。
[0009] 本发明所述高频线路基板的制作方法所采用的技术方案是:本发明所述高频线路基板的制作方法包括以下步骤:
[0010] A)、制取浸胶布:取玻璃纤维布放入PTFE树脂内进行预浸渍,预浸渍后制得所述浸胶布;
[0011] B)、制取绝缘介质层:取上一步骤制得的所述浸胶布与纯PTFE薄膜以相间隔的顺序进行粘接、垫层,以所述浸胶布作为绝缘介质层的首层,粘接、垫层若干层所述浸胶布及所述纯PTFE薄膜后,使所述绝缘介质层达到所需厚度,即制得绝缘介质层:
[0012] C)、制取高频线路基板:取上一步骤制得的绝缘介质层,在绝缘介质层首层的浸胶布上覆设铜箔,并进行层压,从而制得高频线路基板。
[0013] 优化地,所述步骤B)中,以浸胶布作为绝缘介质层的最底层;所述步骤C)中,在绝缘介质层首层的浸胶布上覆设铜箔,然后在所绝缘介质层底层的浸胶布上覆设下层铜箔, 再进行层压,制得双面铜箔的高频线路基板。
[0014] 本发明的有益效果是:本发明中,所述绝缘介质层包括若干浸胶布及若干层纯 PTFE薄膜,所述浸胶布与所述纯PTFE薄膜相间隔并粘接,所述绝缘介质层的最上层为浸胶布,所述铜箔与所述绝缘介质层最上层的所述浸胶布相粘接,通过预浸渍PTFE树脂的玻璃纤维布即所述浸胶布与纯PTFE薄膜垫层,再覆设铜箔进行层压而制成的高频线路基板,可增强铜箔与介质间的剥离强度,线路不易脱落或断裂,提高了作为线路的铜箔与绝缘介质层的粘结强度,防止铜箔与绝缘介质层产生脱离,确保高频信号传输的稳定性,大大延长线路板的使用寿命。
[0015] 在同等参数和同等条件下,进行剥离强度的检测,本发明所述高频线路基板的剥离强度可达25N/Cm2以上,比普通基板的剥离强度(要求15N/Cm2以上)提高了 60%;常规的高频线路基板均采用铜箔的粗糙面与绝缘介质层接触,从而提高线路基板的剥离强度, 但其弊端是容易导致信号传递不均勻,传输效果较差,而本发明所述高频线路基板的剥离强度与普通线路基板相比提高了 60%以上,因此,可实现反向设置铜箔,使铜箔的光亮面与绝缘介质层接触、粘接,其粘结强度仍能达到标准规定的要求(剥离强度15N/Cm2以上), 从而可以实现信号在线路传送过程中,不会因铜箔的粗糙面的粗糙不平造成信号传递不均勻,有效改善无源互调等性能指标。
附图说明
[0016] 图1是本发明实施例一的结构剖示图;
[0017] 图2是本发明实施例二的结构剖示图;
[0018] 图3是本发明的高频线路基板剥离强度测试图。
具体实施方式
[0019] 实施例一:
[0020] 如图1所示,本实施例为单面铜箔的高频线路基板,本实施例的高频线路基板包括铜箔1、绝缘介质层,所述绝缘介质层设置在所述铜箔1的下方,所述绝缘介质层包括若干层浸胶布21和若干层纯PTFE薄膜22,所述浸胶布21与所述纯PTFE薄膜22相间隔并粘接,所述绝缘介质层的最上层为浸胶布21,所述铜箔1与所述绝缘介质层最上层的所述浸胶布21相粘接,所述铜箔1包括光亮面I和粗糙面I,所述铜箔1的光亮面I朝下,所述绝缘介质层最上层的所述浸胶布21与所述铜箔1的光亮面I相粘接。
[0021] 本实施例所述高频线路基板的制作方法包括以下步骤:[0022] A)、制取浸胶布:取玻璃纤维布放入PTFE树脂内进行预浸渍,预浸渍后制得所述浸胶布;
[0023] B)、制取绝缘介质层:取上一步骤制得的所述浸胶布与纯PTFE薄膜以相间隔的顺序进行粘接、垫层,以所述浸胶布作为绝缘介质层的首层,粘接、垫层若干层所述浸胶布及所述纯PTFE薄膜后,达到所需厚度,从而制得绝缘介质层:
[0024] C)、制取高频线路基板:取上一步骤制得的绝缘介质层,在绝缘介质层首层的浸胶布上覆设铜箔,并进行层压,从而制得单面铜箔的高频线路基板。
[0025] 实施例二 :
[0026] 如图2所示,本实施例为双面铜箔的高频线路基板,与实施例一相比,本实施例还包括下层铜箔3,所述绝缘介质层的最底层为浸胶布21,所述下层铜箔3与所述绝缘介质层最底层的所述浸胶布21相粘接;所述下层铜箔3包括光亮面II和粗糙面II,所述下层铜箔3的光亮面II朝上,所述绝缘介质层最底层的所述浸胶布21与所述下层铜箔3的光亮面II相粘接。
[0027] 本实施例所述高频线路基板的制作方法包括以下步骤:
[0028] A)、制取浸胶布:取玻璃纤维布放入PTFE树脂内进行预浸渍,预浸渍后制得所述浸胶布;
[0029] B)、制取绝缘介质层:取上一步骤制得的所述浸胶布与纯PTFE薄膜以相间隔的顺序进行粘接、垫层,以所述浸胶布作为绝缘介质层的首层,并以所述浸胶布作为绝缘介质层,若干层所述浸胶布与所述纯PTFE粘接、垫层达到所需厚度,即制得绝缘介质层:
[0030] C)、制取高频线路基板:取上一步骤制得的绝缘介质层,在绝缘介质层首层的浸胶布上覆设铜箔,然后在所绝缘介质层底层的浸胶布上覆设下层铜箔,再进行层压,制得双面铜箔的高频线路基板。本实施例的其他特征与实施例一一致。
[0031] 现有技术中,采用纯聚四氟乙烯薄膜与铜箔粘接形成线路基板,其剥离强度低,而本发明用玻璃纤维布浸渍PTFE树脂制得的浸胶布21与纯PTFE薄膜22相间隔粘接形成绝缘介质层,再与铜箔1粘接、层压,从而使剥离强度显著增大,现有纯聚四氟乙烯薄膜与铜箔进行剥离破坏试验时,剥离的方向沿纵向线性方向,且应力比较集中,因此其粘结强度较低导致剥离强度不高,而本发明的高频线路基板加入玻璃纤维布浸渍PTFE树脂形成的浸胶布21后,绝缘介质层的材料界面层增多,界面层起着传递应力、减缓应力集中、阻止铜箔 1与绝缘介质层剥离的作用,纵向与横向都有纤维传递应力,剥离的方向是形成网络状发展而不是只沿纵向线性方向,有利于能量的消耗和阻止剥离的继续发展,宏观上体现所述绝缘材料与所述铜箔1的剥离强度增大。
[0032] 在高频线路基板层压前,为了确保所述铜箔与浸胶布接触以增强基板的剥离强度,垫层时需按如下顺序进行(以本实施例的双面铜箔为例):
[0033] 第一层 :铜箔1[0034] 第二层 :浸胶布21[0035] 第二层 :纯PTFE薄膜22[0036] 第四层 :浸胶布21[0037] 第五层 :纯PTFE薄膜22[0038][0039] . .
[0040] . .
[0041] 倒数第二层:浸胶布21
[0042] 最底层:下层铜箔3
[0043] 所述铜箔1及下层铜箔3都与所述浸胶布21直接接触,从而增强了铜箔与绝缘介质层的剥离强度。
[0044] 效果验证:
[0045] 在同等参数和同等条件下,进行剥离强度的检测,本发明所述高频线路基板的剥离强度可达25N/Cm2以上,比普通基板的剥离强度(要求15N/Cm2以上)提高了 60%;因此, 本发明所述高频线路基板可实现反向设置铜箔,使铜箔的光亮面与绝缘介质层接触、粘接, 其粘结强度仍能达到标准规定的要求(剥离强度15N/Cm2以上),从而在满足剥离强度要求的前提下,可实现信号在线路传送过程中,不会因铜箔的粗糙面的粗糙不平造成信号传递不均勻,有效改善无源互调等性能指标。
[0046] 剥离强度测试报告(表1)
[0047]
Figure CN101868118BD00061
[0048] 从图3所示高频线路基板剥离强度测试图及表1显示的测试数据中可以看出,在 25mm长度剥离过程中,最小剥离拉力为23. 03N,最大剥离拉力达到34. 22N,平均值在30N, 远远大于标准中要求的15N以上。
[0049] 本发明可广泛应用于高频线路基板及其制作领域。

Claims (6)

1. 一种高频线路基板,它包括铜箔(1)、绝缘介质层,其特征在于:所述绝缘介质层设置在所述铜箔(1)的下方,所述绝缘介质层包括若干层浸胶布及若干层纯PTFE薄膜 (22),所述浸胶布由玻璃纤维布放入PTFE树脂内进行预浸渍制得,所述浸胶布与所述纯PTFE薄膜0¾相间隔并粘接,所述绝缘介质层的最上层为浸胶布(21),所述铜箔 (1)与所述绝缘介质层最上层的所述浸胶布相粘接。
2.根据权利要求1所述的高频线路基板,其特征在于:所述铜箔(1)包括光亮面I和粗糙面I,所述铜箔(1)的光亮面I朝下,所述绝缘介质层最上层的所述浸胶布与所述铜箔 (1)的光亮面I相粘接。
3.根据权利要求1或2所述的高频线路基板,其特征在于:所述高频线路板还包括下层铜箔(3),所述绝缘介质层的最底层为浸胶布(21),所述下层铜箔C3)与所述绝缘介质层最底层的所述浸胶布相粘接。
4.根据权利要求3所述的高频线路基板,其特征在于:所述下层铜箔C3)包括光亮面 II和粗糙面II,所述下层铜箔C3)的光亮面II朝上,所述绝缘介质层最底层的所述浸胶布 (21)与所述下层铜箔(3)的光亮面II相粘接。
5. 一种权利要求1所述高频线路基板的制作方法,其特征在于:包括以下步骤:A)、制取浸胶布:取玻璃纤维布放入PTFE树脂内进行预浸渍,预浸渍后制得所述浸胶布;B)、制取绝缘介质层:取上一步骤制得的所述浸胶布与纯PTFE薄膜以相间隔的顺序进行粘接、垫层,以所述浸胶布作为绝缘介质层的首层,粘接、垫层若干层所述浸胶布及所述纯PTFE薄膜后,制得绝缘介质层:C)、制取高频线路基板:取上一步骤制得的绝缘介质层,在所述绝缘介质层首层的浸胶布上覆设铜箔,并进行层压,从而制得高频线路基板。
6.根据权利要求5所述的高频线路基板的制作方法,其特征在于:所述步骤B)中,以所述浸胶布作为绝缘介质层的最底层;所述步骤C)中,在绝缘介质层首层的浸胶布上覆设铜箔,然后在所绝缘介质层底层的浸胶布上覆设下层铜箔,再进行层压,制得双面铜箔的高频线路基板。
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