TWI614551B - 具有導電橋架構的觸控面板及其製造方法 - Google Patents

具有導電橋架構的觸控面板及其製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種具有導電橋架構的觸控面板及其製造方法，其特徵在於在導電橋上設有一抗反射層。根據本發明之具有導電橋架構的觸控面板及其製造方法，可消除觸控螢幕的視覺差異問題，並減少製程步驟。

Description

具有導電橋架構的觸控面板及其製造方法
本發明係關於一種觸控面板及其製造方法，特別係關於一種具有導電橋架構的觸控面板及其製造方法。
觸控面板通常包括一基板與在該基板上沿第一軸向間斷分佈的感測墊和沿第二軸向分佈的感測墊陣列，其中沿第一軸向間斷分佈的感測墊是由一導電橋電性連接且與沿第二軸向分佈的感測墊陣列電性絕緣。
由於導電橋為高反射不透光之材料(如鉬鋁鉬等金屬)，於操控觸控螢幕時，導電橋會反射光線形成亮點區域，亦即，在觸控螢幕上會呈現出導電橋區域和無導電橋區域的視覺差異問題，造成使用者視覺上的不舒服。
鑒於上述習知觸控面板之缺點，本發明之目的係提供一種具有導電橋架構的觸控面板，其在導電橋上形成一層具有層疊構造的抗反射層，而使導電橋在觸控面板上不可見，進而消除視覺差異的問題。
根據本發明之一態樣，提供一種具有導電橋架構的觸控面板，該導電橋上設有一抗反射層。
上述本發明之具有導電橋架構的觸控面板中，該抗反射層包括：一第一折射率層，覆蓋該導電橋；以及一第二折射率層，位於該第一折射率層上；其中，所述第一折射率層的折射率低於所述導電橋的折射率，所述第二折射率層的折射率高於所述第一折射率層的折射率。
該抗反射層還可包含一第三折射率層，位於該第二折射率層上，且該第三折射率層的折射率低於該第二折射率層的折射率。該導電橋架構還包含一保護層，覆蓋該第三折射率層，且該第三折射率層的折射率低於該保護層的折射率。
該第一折射率層具有19-23奈米之厚度，該第二折射率層具有9-13奈米之厚度，該第三折射率層則具有22-28奈米之厚度。
該第一折射率層和該第三折射率層係透明導電材料，該第二折射率層係導電金屬材料。較佳地，該透明導電材料係選自由氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化鋅鋁(aluminum zinc oxide,AZO)和氧化銻錫(antimony tin oxide,ATO)組成之群組，而該導電金屬材料係選自由鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)和銅(Cu)組成之群組。
根據本發明之另一態樣，提供一種具有導電橋架構的觸控面板之製造方法，包含以下步驟：形成一抗反射層，覆蓋於該導電橋之上。
該形成抗反射層的步驟包括：形成一第一折射率層，覆蓋該導電橋；以及形成一第二折射率層，位於該第一折射率層上；其中，所述第一折射率層的折射率低於所述導電橋的折射率，所述第二折射率層的折射率高於所述第一折射率層的折射率。
該形成抗反射層的步驟還包括：形成第三折射率層，覆蓋於該第二折射率層之上，且該第三折射率層的折射率低於該第二折射率層的折射率。該形成抗反射層的步驟更包括形成一保護層覆蓋該抗反射層，且該第三折射率層的折射率低於該保護層的折射率。該導電橋以及該抗反射層係由同一圖案化製程形成。
本發明之觸控面板於導電橋架構上形成一層抗反射層，經由調整該抗反射層中不同折射率層的折射率，可降低抗反射層的反射率，而使導電橋在觸控面板上不可見，進而消除視覺差異的問題。
本發明的其他目的和優點從底下所揭露的例示性實施例中可得到進一步的了解。
以下將參照圖式，詳細說明本發明之較佳實施例。
參考圖1A和圖1B，圖1A為觸控面板之電極結構示意圖，觸控面板10通常包括一基板11與在該基板11上沿第一軸向分佈的第一感測墊12和沿第二軸向分佈的第二感測墊13。兩相鄰第一感測墊12之間以導線14連接。兩相鄰第二感測墊13分別置於導線14的兩側邊，而以橫跨導線14的導電橋30連接彼此，並以絕緣層20等方式保持導電橋30與導線14之間的電性絕緣。另有複數條金屬導線16設置在該等電極周側，以將感測到之訊號傳到外部。
由於導電橋30或可為一種高反射不透光之材料(如鉬鋁鉬等金屬)所製成，因此於操控觸控面板時，導電橋30會反射光線形成亮點區域，因此在該導電橋30上設有一抗反射層(將於後續詳細描述之)可解決亮點問題，進而使導電橋在觸控面板上不可見，進而消除視覺差異的問題。
以上的觸控面板結構僅為本發明應用的場合之一，但本發明並不以此為限，如在其他結構的觸控面板中出現會導致亮點的元件，則皆可適用本案的抗反射層。
圖1B為圖1A中沿剖面線I-I’所繪示的剖面示意圖。絕緣層20覆蓋導線14，導電橋30橫跨絕緣層20連接相鄰的第二感測墊13，保護層40覆蓋導電橋30。該抗反射層可為單層結構，其材料可為反射率低於導電橋的材料，如氧化銦錫(ITO)、氧化鋅鋁(AZO)和氧化銻錫(ATO)等透明導電材料，亦可為多層結構(如後續圖2~圖4所示)，其中較佳為多層結構。
圖2為本發明之具有導電橋架構的觸控面板中由2層材料構成抗反射層的示意圖。圖2中，元件符號20表示絕緣層，元件符號30表示導電橋，在導電橋30上依序形成(如：塗佈)一做為第一折射率層的透明導電材料層501、一做為第二折射率層的導電金屬材料層502、一用於圖案化之光阻層(圖未示)，其中，該透明導電材料層501的折射率低於導電橋30的折射率，該導電金屬材料層502的折射率高於該透明導電材料層501的折射率。該透明導電材料係選自由氧化銦錫、氧化鋅鋁和氧化銻錫組成之群組，該導電金屬材料係選自由鋁(Al)、鉻(Cr)、鉬(Mo)和銅(Cu)組成之群組。於曝光後使用一酸性蝕刻液進行蝕刻，而形成一層具有層疊構造的抗反射層50，之後再於該抗反射層50上鍍上一層保護層40。
如圖3所示，可在該導電金屬材料層502上塗佈另一透明導電材料層503做為第三折射率層，以調整該抗反射層50的折射率。該透明導電材料層503的折射率低於該導電金屬材料層502的折射率。該透明導電材料係選自由氧化銦錫、氧化鋅鋁和氧化銻錫組成之群組。視需要而定，該抗反射層50之疊層構造可塗佈三層以上，以進一步調整該抗反射層50的折射率，如圖4中第一折射率層501...第n折射率層50n所示。
(實施例1)
在導電橋30上依序塗佈具有ITO、Cr、ITO三個折射率層的抗反射層50以及一用於圖案化之光阻層，於曝光後使用一酸性蝕刻液進行蝕刻，使得導電橋30連同抗反射層50具有如下結構：導電橋30/ITO(厚度：21奈米)/Cr(厚度：12奈米)/ITO(厚度：25奈米)。
(實施例2)
在導電橋30上依序塗佈具有ITO、Al、ITO三個折射率層的抗反射層50以及一用於圖案化之光阻層，於曝光後使用一酸性蝕刻液進行蝕刻，使得導電橋連同抗反射層50具有如下結構：導電橋/ITO(厚度：21奈米)/Al(厚度：10奈米)/ITO(厚度：25奈米)。
(實施例3)
在導電橋30上依序塗佈具有AZO、Al、AZO三個折射率層的抗反射層50以及一用於圖案化之光阻層，於曝光後使用一酸性蝕刻液進行蝕刻，使得導電橋連同抗反射層50具有如下結構：導電橋/AZO(厚度：20奈米)/Al(厚度：11奈米)/AZO(厚度：23奈米)。
(實施例4)
在導電橋30上依序塗佈具有ATO、Mo、ATO三個折射率層的抗反射層50以及一用於圖案化之光阻層，於曝光後使用一酸性蝕刻液進行蝕刻，使得導電橋連同抗反射層50具有如下結構：導電橋/ATO(厚度：22奈米)/Mo(厚度：12奈米)/ATO(厚度：27奈米)。
(實施例5)
在導電橋30上依序塗佈具有AZO、Cr、AZO三個折射率層的抗反射層50以及一用於圖案化之光阻層，於曝光後使用一酸性蝕刻液進行蝕刻，使得導電橋連同抗反射層50具有如下結構：導電橋/AZO(厚度：20奈米)/Cr(厚度：10奈米)/AZO(厚度：28奈米)。
通過調整抗反射層之疊層所使用的材料和塗佈厚度，可降低抗反射層的折射率，從而使抗反射層底下的導電橋不可見。上述各具體實施例中，構成抗反射層之第一、第二、第三層折射率層的厚度分別在19-23奈米、9-13奈米、22-28奈米之範圍內，可獲得較佳效果。
本發明已參照較佳具體例及例示性附圖敘述如上，惟其不應被視為限制性者。熟悉相關技術領域之人士對其形態及具體例之內容所做之任何修改、省略及變化，均不離開本發明後附申請專利範圍所主張之範圍。
10．．．觸控面板
11．．．基板
12．．．第一感測墊
13．．．第二感測墊
14．．．導線
16．．．金屬導線
20．．．絕緣層
30．．．導電橋
40．．．保護層
50．．．抗反射層
501．．．第一折射率層
502．．．第二折射率層
50n．．．第n折射率層
圖1A為觸控面板之電極結構示意圖。
圖1B是圖1A中沿剖面線I-I’所繪示的剖面示意圖。
圖2為本發明之具有導電橋架構的觸控面板中由2層材料構成抗反射層的示意圖。
圖3為本發明之具有導電橋架構的觸控面板中由3層材料構成抗反射層的示意圖。
圖4為本發明之具有導電橋架構的觸控面板中由n層材料構成抗反射層的示意圖。
11．．．基板
13．．．第二感測墊
14．．．導線
20．．．絕緣層
30．．．導電橋
40．．．保護層
50．．．抗反射層

Claims (13)

  1. 一種具有導電橋架構的觸控面板，其特徵在於在導電橋上設有一抗反射層，其中，該抗反射層包括：一第一折射率層，覆蓋該導電橋；以及一第二折射率層，位於該第一折射率層上；其中，所述第二折射率層的折射率高於所述第一折射率層的折射率；其中，該抗反射層還包含第三折射率層，位於該第二折射率層上，且該第三折射率層的折射率低於該第二折射率層的折射率。
  2. 如申請專利範圍第1項之具有導電橋架構的觸控面板，其中，還包含一保護層，覆蓋該第三折射率層。
  3. 如申請專利範圍第1項之具有導電橋架構的觸控面板，其中，該第一折射率層具有19-23奈米之厚度，該第二折射率層具有9-13奈米之厚度，該第三折射率層則具有22-28奈米之厚度。
  4. 如申請專利範圍第1項之具有導電橋架構的觸控面板，其中，該第一折射率層和該第三折射率層係透明導電材料，該第二折射率層係導電金屬材料。
  5. 如申請專利範圍第4項之具有導電橋架構的觸控面板，其中，該透明導電材料係選自由氧化銦錫、氧化鋅鋁和氧化 銻錫組成之群組。
  6. 如申請專利範圍第4項之具有導電橋架構的觸控面板，其中，該導電金屬材料係選自由鋁、鉻、鉬和銅組成之群組。
  7. 一種具有導電橋架構的觸控面板之製造方法，包括以下步驟：形成一抗反射層覆蓋於該導電橋之上，其中，該形成抗反射層的步驟包括：形成一第一折射率層，覆蓋該導電橋；以及形成一第二折射率層，位於該第一折射率層上；其中，所述第二折射率層的折射率高於所述第一折射率層的折射率；其中，該形成抗反射層的步驟還包括：形成第三折射率層，覆蓋於該第二折射率層之上，且該第三折射率層的折射率低於該第二折射率層的折射率。
  8. 如申請專利範圍第7項之具有導電橋架構的觸控面板之製造方法，其中，該第一折射率層具有19-23奈米之厚度，該第二折射率層具有9-13奈米之厚度，該第三折射率層則具有22-28奈米之厚度。
  9. 如申請專利範圍第7項之具有導電橋架構的觸控面板之製造方法，其中，該第一折射率層和該第三折射率層係透明導電材料，該第二折射率層係導電金屬材料。
  10. 如申請專利範圍第9項之具有導電橋架構的觸控面板 之製造方法，其中，該透明導電材料係選自由氧化銦錫、氧化鋅鋁和氧化銻錫組成之群組。
  11. 如申請專利範圍第9項之具有導電橋架構的觸控面板之製造方法，其中，該導電金屬材料係選自由鋁、鉻、鉬和銅組成之群組。
  12. 如申請專利範圍第7項之具有導電橋架構的觸控面板之製造方法，更包括形成一保護層覆蓋該抗反射層。
  13. 如申請專利範圍第12項之具有導電橋架構的觸控面板之製造方法，其中，該導電橋以及該抗反射層係由同一圖案化製程形成。
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