TWI611626B - 方向性結合器及無線通訊裝置 - Google Patents

Description

方向性結合器及無線通訊裝置

本發明，係有關於方向性結合器及無線通訊裝置，特別是有關於藉由將構成方向性結合器之層積構造體內的導體圖案設為特殊之構成來謀求方向性結合器之特性改善的技術。

將在傳輸線路上作傳播的電力之一部分取出的方向性結合器(Directional Coupler/以下係會有單純稱為「結合器」的情況)，係成為在構成行動電話或無線LAN通訊裝置、藍牙(Bluetooth/註冊商標)規格之通訊裝置等之各種無線通訊機器的送訊電路時所不可或缺之零件。

具體而言，結合器，係構成以使送訊訊號之準位成為一定的方式來作控制之調整手段，但是，此調整手段，係具備有可對於增益作控制之電力放大器(以下，係會有稱作「PA」的情況)、和檢測出送訊訊號之準位之結合器、以及自動輸出控制電路(以下，係會有稱作「APC電路」的情況)。被作了輸入的送訊訊號，係在藉由PA來 作了放大之後，透過結合器來輸出。結合器，係將與從PA所輸出的送訊訊號之準位相對應之準位的監測訊號，輸出至APC電路處。APC電路，係以因應於監測訊號之準位(亦即是送訊訊號之準位)來使PA之輸出成為一定的方式，而對於PA之增益作控制。藉由此種PA之反饋控制，來謀求送訊輸出之安定化。

上述結合器，係具備有以會進行電磁場結合的方式來作了接近配置之主線路和副線路，傳輸送訊訊號之主線路，係在其中一端處具備有輸入端子，並在另外一端處具備有輸出端子，檢測出送訊訊號的準位之副線路，係於其中一端處具備有結合端子，並於另外一端處具備有絕緣端子。又，在主線路上傳輸之送訊訊號的一部分，係藉由副線路而被取出，並透過結合端子來作為監測訊號而對於APC電路作輸出。

又，此種結合器，一般而言，係作為在中介存在有絕緣層地來將複數之導體層作了層積的層積構造體內而將主線路和副線路、各端子等作了配置的晶片零件，而被提供。

作為結合器之主要的特性，係可列舉出插入損失、結合度、絕緣度以及方向性。插入損失，係為起因於結合器所產生的損失，而以越低為越理想。結合度，係為在順方向(從主線路之輸入端子起而朝向輸出端子之方向)上傳播的電力、與在結合端子處而被取出之電力，此兩者之比。絕緣度，係為代表在逆方向(從主線路之輸出端子起 而朝向輸入端子之方向)上傳播的電力之對於結合端子的漏洩之稀少的程度，此係以越高(漏洩越小)為越理想。方向性，係為絕緣度與結合度之差，若是越高(絕對值為越大)，則係可視為越良好之結合器，而能夠形成檢測誤差為小且良好之APC電路。

又，作為關連於此種結合器的文獻，係存在有日本特開2002-280810號公報(專利文獻1)。

另外，在前述之PA的反饋控制中，作為結合器之主要的功能，係要求有能夠將由PA所輸出的行進波電力(送訊電力)從在天線等之後段之電路處所產生的反射波成分中而分離並檢測出來的能力。故而，身為代表該能力之強弱(能夠將行進波與反射波作分離之程度)的特性之絕緣度，在進行正確之控制的觀點上，係以越高為越理想。

又，在作為電子零件而提供結合器時，係有必要滿足使用者所要求之特性需求(對於該結合器所要求之規格)，而會有產生需要在確保有良好之結合度的同時亦針對絕緣特性而滿足例如在頻率之低域側和高域側處所設定的2個的要求規格(參考後述之圖9、圖11、圖13之元件符號S1、S2)之需求的情形。

但是，起因於對於電子零件之近年來的小型、薄型化以及高功能化之要求，以及在量產時不會在品質精確度中 產生有參差而實現良好之生產性的必要性，在想要同時滿足結合度和絕緣度之特性要求一事上，係並非絕對為容易。若是針對此點而作具體性敘述，則係如同下述一般。

圖6，係為對於作為本發明之比較對象所構成的結合器(比較例)作展示之電路圖，圖7，係為該比較例之結合器的水平剖面圖(對於各導體層以及各絕緣層作展示之平面圖)。如同此些之圖中所示一般，比較例之結合器10，係為以使在輸入端子T1與輸出端子T2之間而作了連接的主線路12、和在結合端子T3與絕緣端子T4之間而作了連接的副線路13，此兩者作電磁場結合的方式，而在層積構造體內具備有該主線路12和副線路13者。層積構造體，係具備有依序作了層積的第1導體層M1、第1絕緣層I1、第2導體層M2、第2絕緣層I2以及第3導體層M3，並在第1導體層M1處配置主線路12和副線路13。

另外，針對層積構造體內之各層的構造，後述之實施形態的結合器11，係將配置有主線路(主線路部12a、12b)和副線路(副線路部13a、13b)的導體層具備有2層(第1導體層M1和第2導體層M2)，相對於此，比較例之結合器10，係僅具備有1層(第1導體層M1)，除了在此點上為有所差異以外，其他各點，則係與實施形態之結合器11相同(對於相同或相當之部分，係附加相同之元件符號)，在後述之實施形態的說明中，會對於各層之構造作詳細敘述，因此於此係省略其說明。

圖8以及圖9，係為針對當在上述比較例之結合器中而將主線路以及副線路(亦會有將此些一併稱作「結合線路」或「兩線路」的情況)之線路長度作了改變的情況時之結合度(圖8)以及絕緣度(圖9)的頻率特性分別作展示之線圖。此些之圖中，黑色之虛線(2)係代表兩線路為具備有標準的線路長度(680μm)的情況，一點鍊線(3)係代表兩線路為從標準的線路長度而作了30μm之縮短的情況，灰色之虛線(4)係代表兩線路為從標準的線路長度而作了30μm之增長的情況。又，在此些之圖8以及圖9(後述之圖10~圖13亦為相同)中，係一併將於後再作敘述之實施形態之結合器的特性(以實線(1)來作標示)作圖示。進而，在絕緣度的特性圖中，係對於低域側之要求規格S1(2.4GHz~2.5GHz之頻率範圍內為35dB以上)和高域側之要求規格S2(5.15GHz~5.85GHz之頻率範圍內為32dB以上)作了標示。

如同根據圖8以及圖9而可得知一般，若是將結合線路增長，則絕緣度之衰減極點(共振點)係會朝向低域側(頻率為低之側)移動。因此，若是為了提高結合度而將線路長度增長，則係會變得難以滿足被設定在高域側(頻率為高之側)的關連於絕緣度之要求規格S2。相反的，若是將結合線路縮短，則絕緣度之衰減極點係會朝向高域側移動，而成為容易滿足高域側之要求規格S2，但是結合度係會降低。如此這般，係難以僅藉由線路長度之變更來同時滿足結合度和絕緣度之雙方。

圖10以及圖11，係為針對當在比較例之結合器中而對於結合線路之厚度作了改變的情況時之結合度(圖10)以及絕緣度(圖11)的頻率特性分別作展示之線圖，在該圖中，黑色之虛線(2)係代表將兩線路之厚度設為5μm的情況，一點鍊線(3)係代表將該厚度設為10μm的情況，灰色之虛線(4)(與以實線(1)所示之實施形態相重疊)係代表將該厚度設為15μm的情況。

如同根據圖10以及圖11而可得知一般，若是將結合線路增厚，則結合度會變高，絕緣度之衰減極點，係會與前述之將線路長度作了改變的情況相反地，而朝向高域側移動(參考圖11中之二點鍊線)。故而，也可以推測到，若是對於結合線路之長度和厚度的雙方作調整，則係能夠對於絕緣度之衰減極點的頻率位置自由作設定並滿足要求規格S1、S2。

然而，為了將結合線路增厚，在成膜中係會耗費時間，製造效率會惡化。又，若是膜厚變得越厚，則在各個製品之每一者中的厚度之參差也會變大，製造良率會降低。如此這般，從製造的觀點來看，在將結合線路增厚一事上亦存在有極限。

圖12以及圖13，係為針對當在比較例之結合器中而將結合線路之間隔縮窄的情況時之結合度(圖12)以及絕緣度(圖13)的頻率特性分別作展示之線圖，在該圖中，黑色之虛線(2)係代表將該間隔設為10μm的情況，一點鍊線(3)係代表將該間隔設為5μm的情況，灰 色之虛線(4)係代表將該間隔設為2.5μm的情況。另外，在前述之圖8~圖11中，係將兩線路之間隔設為10μm。

如同根據圖12以及圖13而可得知一般，若是將結合線路之間隔縮窄，則結合度係變高，絕緣度之衰減極點係朝向高域側移動。故而，針對線路間隔，亦係與前述之厚度相同的，可以推測到，若是對於兩線路之長度和間隔的雙方作調整，則係能夠對於結合度和絕緣度之雙方自由地作調整。

然而，於此情況，從製造的觀點來看，亦仍存在有極限。此係因為，若是將線路間隔縮得越窄，則在兩線路間發生短路的可能性會越增大之故。又，如同根據圖13而可得知一般，由於若是將線路間隔縮得越窄，則衰減極點之移動量會變得越大，因此，若是頻率變得越高，則會變得越難以進行高精確度的調整，而變得容易在品質上產生有參差。

另一方面，在前述專利文獻1(日本特開2002-280810)中所記載之發明，係為對於若是伴隨著結合器之小型化而主線路和副線路(特別是副線路)之自我電感值變得並非為充分則絕緣度會惡化的問題作解決者，並將副線路之線路寬幅相較於主線路之線路寬幅而相對性地縮小，並且為了進而對於插入損失作抑制而將主線路的厚度設為較副線路而更厚。然而，此文獻中所記載之發明，係並非為能夠對於結合度和絕緣度同時進行調整者。又，若 是如同此專利文獻1中所記載之發明一般地而將主線路之厚度增厚，則可能會發生前述之製造上的問題、亦即是，在成膜中會耗費時間，製造效率會惡化，並且，若是膜厚變得越厚，則在各個製品之每一者中的厚度之參差也會變大，製造良率會降低。

故而，本發明之目的，係在於提供一種：能夠對於結合度以及絕緣度作良好的調整並且在生產性上為優良之嶄新的結合器構造。

為了解決前述課題並達成目的，本發明之結合器(方向性結合器)，係在具備有隔著絕緣層而作了層積的複數之導體層之層積構造體處，具備有：可傳輸高頻訊號之主線路；和被具備於主線路之其中一端部處，並對於該主線路輸入高頻訊號之輸入端子；和被具備有主線路之另外一端部處，並從該主線路而輸出高頻訊號之輸出端子；和與主線路進行電磁場結合並將高頻訊號之一部分取出之副線路；和被具備於副線路之其中一端部處之結合端子；和被具備於副線路之另外一端部處之絕緣端子。

又，主線路，係包含有被形成於複數之導體層中之第1導體層處之第1主線路部、和被形成於複數之導體層中之第2導體層處之第2主線路部，並且，此些之第1主線路部和第2主線路部，係相互電性且並聯地被連接於輸入端子和輸出端子之間。另一方面，副線路，係包含有被形成於第1導體層處之第1副線路部、和被形成於第2導體層處之第2副線路部，此些之第1副線路部和第2副線路 部，係相互電性且並聯地被連接於結合端子和絕緣端子之間。而，藉由將第1主線路部和第1副線路部相互接近配置，來使該些作電磁場結合，藉由將第2主線路部和第2副線路部相互接近配置，來使該些作電磁場結合。

在本發明之結合器中，係如同上述一般地，以包含有將主線路和副線路並聯地作了連接之2個的線路部的方式來構成，並且使各線路部彼此作結合，但是，若是設為此種構造，則如同在後述之實施形態的說明中所揭示一般，就算是並不將各個的線路部之厚度作改變，也能夠得到與將兩線路之厚度作了增厚的情況時同等之結合度和絕緣特性。又，由於係藉由配置在相異之導體層處的複數之線路部來構成結合線路，因此，係並不需要將各個的線路部之厚度設為厚，故而，係能夠防止前述之製造上的問題(成膜之長時間化、厚度之參差)之發生。故而，係成為能夠將高精確度之結合器以良好效率以及良好之良率來量產。進而，由於主線路係由被作了並聯連接的複數根之線路部所成，因此插入損失亦被抑制為低。

作為上述主線路部以及副線路部之典型性的形態，在本發明之其中一個態樣中，第1主線路部和第2主線路部，係設為具備有略同一之平面形狀，並且此些之第1主線路部和第2主線路部，係以在作平面性觀察時會重疊的方式來作配置。又，同樣的，第1副線路部和第2副線路部，係設為具備有略同一之平面形狀，並且此些之第1副線路部和第2副線路部，係以在作平面性觀察時會重疊的 方式來作配置。

進而，在本發明或上述態樣中，係會有成為下述構成的情況：亦即是，將第1主線路部之輸入端子側之端部、和第2主線路部之輸入端子側之端部，藉由在層積構造體之層積方向上而延伸的第1層間連接導體來作電性連接，將第1主線路部之輸出端子側之端部、和第2主線路部之輸出端子側之端部，藉由在層積構造體之層積方向上而延伸的第2層間連接導體來作電性連接，將第1副線路部之結合端子側之端部、和第2副線路部之結合端子側之端部，藉由在層積構造體之層積方向上而延伸的第3層間連接導體來作電性連接，將第1副線路部之絕緣端子側之端部、和第2副線路部之絕緣端子側之端部，藉由在層積構造體之層積方向上而延伸的第4層間連接導體來作電性連接。

又，在本發明之另外一個態樣中，係在絕緣度之頻率特性中形成衰減極點，此衰減極點，係成為位置在關連於高域側之要求規格的頻率範圍內，而滿足低域側之要求規格和高域側之要求規格的雙方。若依據此種態樣，則在絕緣度特別容易降低的高頻率區域中，係能夠得到高的絕緣度，而成為能夠良好地滿足對於該結合器所要求的低域側之要求規格和高域側的要求規格之雙方。

又，為了對於衰減極點之頻率位置作調整，係僅需要對於各線路部之厚度作調整即可，但是，若依據本發明或前述各態樣，則由於係將結合線路藉由配置在相異之導體 層處的複數之線路部來構成，因此，各個的線路部之厚度係並不會改變，或者是就算是作改變也不需要作過厚的增厚，故而，係亦能夠防止前述之製造上的問題(成膜之長時間化、厚度之參差)之發生。

本發明之無線通訊裝置，係具備有：送訊電路，係可產生送訊訊號，並且包含有將送訊訊號作放大之PA(電力放大器)、和對於該PA之輸出作控制之APC電路(自動輸出控制電路)；和受訊電路，係可對於受訊訊號作處理；和天線，係進行送訊訊號以及受訊訊號之送受訊；和開關，係被連接於該天線和送訊電路以及受訊電路之間，並進行透過天線所受訊的受訊訊號之對於受訊電路之傳輸以及從送訊電路所輸出的送訊訊號之對於天線之傳輸；和結合器，係檢測出從PA所輸出的送訊訊號之準位，並將該檢測訊號輸出至APC電路處，該無線通訊裝置，係基於從結合器所輸入的檢測訊號，來對於PA之輸出作控制，該無線通訊裝置，其特徵為：作為該結合器，係具備有前述之本發明或各態樣的其中一者之結合器。

若依據本發明，則係能夠實現一種：能夠對於結合度以及絕緣度作良好的調整並且在生產性上為優良之嶄新的結合器。

10‧‧‧結合器

11‧‧‧結合器

12‧‧‧主線路

12a‧‧‧第1主線路部

12b‧‧‧第2主線路部

12c‧‧‧第3主線路部

13‧‧‧副線路

13a‧‧‧第1副線路部

13b‧‧‧第2副線路部

13c‧‧‧第3副線路部

21‧‧‧主線路用連接線路

22‧‧‧副線路用連接線路

101‧‧‧天線

102‧‧‧開關

103‧‧‧受訊電路

201‧‧‧送訊電路

202‧‧‧PA

203‧‧‧APC電路

204‧‧‧結合器

I1‧‧‧第1絕緣層

I2‧‧‧第2絕緣層

I3‧‧‧第3絕緣層

M1‧‧‧第1導體層

M2‧‧‧第2導體層

M3‧‧‧第3導體層

M4‧‧‧第4導體層

S1‧‧‧低域側之要求規格

S2‧‧‧高域側之要求規格

T1‧‧‧輸入端子

T2‧‧‧輸出端子

T3‧‧‧結合端子

T4‧‧‧絕緣端子

T11‧‧‧輸入端子部

T12‧‧‧輸入端子部

T13‧‧‧輸入端子部

T14‧‧‧輸入端子部

T21‧‧‧輸出端子部

T22‧‧‧輸出端子部

T23‧‧‧輸出端子部

T24‧‧‧輸出端子部

T31‧‧‧結合端子部

T32‧‧‧結合端子部

T33‧‧‧結合端子部

T34‧‧‧結合端子部

T41‧‧‧絕緣端子部

T42‧‧‧絕緣端子部

T43‧‧‧絕緣端子部

T44‧‧‧絕緣端子部

T51‧‧‧主線路導出用端子

T52‧‧‧主線路導出用端子

T53‧‧‧主線路導出用端子

T54‧‧‧主線路導出用端子

T61‧‧‧副線路導出用端子

T62‧‧‧副線路導出用端子

T63‧‧‧副線路導出用端子

T64‧‧‧副線路導出用端子

V‧‧‧通孔

本發明之其他目的、特徵以及優點，係可根據基於圖面所敘述的以下之本發明之實施形態之說明而更加明瞭。 另外，在各圖中，相同之元件符號，係代表相同或相當之部分。

圖1，係為對於本發明之其中一種實施形態之結合器作概念性展示的電路圖。

圖2，係為對於前述實施形態之結合器作展示之水平剖面圖(對於構成該結合器之層積構造體的各導體層以及各絕緣層作展示之平面圖)。

圖3，係為對於本發明之無線通訊裝置的其中一例作展示之區塊圖。

圖4，係為對於前述實施形態之結合器的其他構成例作概念性展示之電路圖。

圖5，係為對於前述其他構成例之結合器作展示之水平剖面圖(對於構成該結合器之層積構造體的各導體層以及各絕緣層作展示之平面圖)。

圖6，係為對於比較例之結合器作概念性展示的電路圖。

圖7，係為對於前述比較例之結合器作展示之水平剖面圖(對於構成該結合器之層積構造體的各導體層以及各絕緣層作展示之平面圖)。

圖8，係為針對當在上述比較例之結合器中而將主線路以及副線路之線路長度作了改變的情況時之結合度的頻率特性作展示之線圖。

圖9，係針對與前述圖8相同的在比較例之結合器中而將主線路以及副線路之線路長度作了改變的情況時之絕 緣度的頻率特性作展示之線圖。

圖10，係為針對當在前述比較例之結合器中而將主線路以及副線路之厚度作了改變的情況時之結合度的頻率特性作展示之線圖。

圖11，係針對與前述圖10相同的在比較例之結合器中而將主線路以及副線路之厚度作了改變的情況時之絕緣度的頻率特性作展示之線圖。

圖12，係為針對當在前述比較例之結合器中而將主線路以及副線路之間之間隔作了縮窄的情況時之結合度的頻率特性作展示之線圖。

圖13，係針對與前述圖12相同的在比較例之結合器中而將主線路以及副線路之間之間隔作了縮窄的情況時之絕緣度的頻率特性作展示之線圖。

如同圖1中所示一般，本發明之其中一種實施形態之結合器11，係具備有傳輸送訊訊號之主線路、和與此主線路作電磁場結合之副線路，但是，主線路係由在輸入端子T1與輸出端子T2之間而作了並聯連接的第1主線路部12a和第2主線路部12b所成，副線路係由在結合端子T3與絕緣端子T4之間而作了並聯連接的第1副線路部13a和第2副線路部13b所成。又，藉由將第1主線路部12a和第1副線路部13a相互接近配置，來使該些作電磁場結合，同樣的，藉由將第2主線路部12b和第2副線路部 13b相互接近配置，來使該些作電磁場結合。

上述主線路部12a、12b以及副線路部13a、13b還有各端子T1~T4，由於係作為晶片狀之電子零件而構成本實施形態之結合器11，因此，係配置在具備有中介存在有絕緣層地來作了層積的複數之導體層之層積構造體內。

具體而言，該層積構造體，係如同圖2中所示一般，具備有長方形之平面形狀，並具備有依序被作了層積的第1導體層M1、第1絕緣層I1、第2導體層M2、第2絕緣層I2、第3導體層M3、第3絕緣層I3以及第4導體層M4。另外，本實施形態之結合器11，係亦可除了圖2中所示之各層以外，更具備有例如具有接地電極之導體層等的未圖示之其他之導體層或絕緣層。

在層積構造體之四角隅處(當作平面觀察時之4個的角隅部)，係從第1導體層M1起一直涵蓋至第4導體層M4處地，而具備有將該構造體垂直地(於層積構造體之層積方向上)作貫通而延伸之柱狀之導電體。此些之導電體，係為包含有在各導體層M1~M4處所出現的端子部T11~T14、T21~T24、T31~T34、T41~T44以及貫通絕緣層之通孔V地來構成柱狀端子T1~T4者，若是將在圖2中之各層的從左下之角部起來以逆時針方向而相鄰之角部作為第1~第4角部，則在此些之4個的角部中之第1角部處，係具備有柱狀輸入端子T1，在第2角部處，係具備有柱狀輸出端子T2，在第3角部處，係具備有柱狀絕緣端子T4，在第4角部處，係具備有柱狀結合端子 T3。

各柱狀端子T1~T4，係在第1導體層M1、第2導體層M2、第3導體層M3以及第4導體層M4處，作為端子部而出現。亦即是，在第1~第4之各導體層M1~M4處，係於第1角部處出現有輸入端子部T11、T12、T13、T14，並於第2角部處出現有輸出端子部T21、T22、T23、T24，並於第3角部處出現有絕緣端子部T41、T42、T43、T44，且於第4角部處出現有結合端子部T31、T32、T33、T34。各導體層之所對應的端子部(例如，輸入端子部T11、T12、T13、T14彼此/針對其他之端子亦為相同)，係藉由垂直地貫通絕緣層之通孔V而被作電性連接。

構成主線路之第1主線路部12a、和構成副線路之第1副線路部13a，係被配置在第1導體層M1處。亦即是，第1主線路部12a，係以從第1導體層M1之第1角部起朝向第1導體層M1之中心部而延伸為漩渦狀的方式，來形成之。第1主線路部12a之其中一端，係與輸入端子部T11作連接，另外一端，係與配置在第1導體層M1之中心部處的主線路導出用端子T51(用以將主線路與輸出端子T2作連接之端子)作連接。

另一方面，第1副線路部13a，係以從第1導體層M1之第4角部起朝向第1角部作拉繞，並從第1角部起而與第1主線路部12a同樣地來朝向第1導體層M1之中心部而延伸為漩渦狀，並且為了與第1主線路部12a作電 磁結合而隔開有一定之間隔地來在第1主線路部12a之內側(內周側)而與第1主線路部12a並排前進(與第1主線路部12a相平行地延伸)的方式，來形成之。

另外，若是如此這般地將第1副線路部13a配置在第1主線路部12a的內側，則由於在第1副線路部13a與端子部(輸出端子部T21、絕緣端子部T41以及結合端子部T31)之間，係成為中介存在有第1主線路部12a，因此，係能夠對於第1副線路部13a與端子部T21、T31、T41(特別是影響為大的輸出端子部T21)之間的不必要之電磁結合作抑制，而能夠防止絕緣特性之劣化(關於後述之第2副線路部13b，亦為相同)。針對此點，係已於之前進行有申請(日本特願2015-34066)。

第1副線路部13a，係將其中一端與位於第4角部處之結合端子部T31作連接，另外一端，係與在第1導體層M1之中心部處所具備的與前述主線路導出用端子T51相異之端子(副線路導出用端子)T61作連接。

與前述第1主線路部12a一同構成主線路之第2主線路部12b、以及與前述第1副線路部13a一同構成副線路之第2副線路部13b，係被配置在隔著第1絕緣層I1來作了層積的第2導體層M2處，但是，第2導體層M2係具備有與第1導體層M1相同之導體圖案。故而，第2主線路部12b和第1主線路部12a，係具備有同一之平面形狀，第2副線路部13b和第1副線路部13a，係具備有同一之平面形狀，在從平面(層積體之層積方向)作觀察 時，第1主線路部12a和第2主線路部12b係剛好重疊，第1副線路部13a和第2副線路部13b係剛好重疊。又，關於各端子部T11、T12、T21、T22、T31、T32、T41、T42，亦同樣的，係在第1導體層M1和第2導體層M2處，具備有相同之平面形狀，並在作平面性觀察時成為剛好重疊。

另外，層積構造體之各層的厚度，在本實施形態中，係除了第4導體層M4之外，將各導體層M1~M3(故而，各主線路部12a、12b以及各副線路部13a、13b亦同)以及各絕緣層I1~I3之厚度，均設為5μm。第4導體層M4之厚度，係為20μm。

第1導體層M1之輸入端子部T11和第2導體層M2之輸入端子部T12，係藉由通孔V(第1層間連接導體)來作連接。藉由此，第1主線路部12a之輸入端子側之端部和第2主線路部12b之輸入端子側之端部，係被作電性連接。同樣的，將第1導體層M1之主線路導出用端子T51和第2導體層M2之主線路導出用端子部T52藉由通孔V(第2層間連接導體)來作連接，藉由此，來將第1主線路部12a之輸入端子側之端部和第2主線路部12b之輸入端子側之端部作電性連接。

進而，將第1導體層M1之結合端子部T31和第2導體層M2之結合端子部T32藉由通孔V(第3層間連接導體)來作連接，藉由此，來將第1副線路部13a之結合端子側之端部和第2副線路部13b之結合端子側之端部作電 性連接。同樣的，將第1導體層M1之副線路導出用端子T61和第2導體層M2之副線路導出用端子部T62藉由通孔V(第4層間連接導體)來作連接，藉由此，來將第1副線路部13a之絕緣端子側之端部和第2副線路部13b之絕緣端子側之端部作電性連接。

各主線路部12a、12b與柱狀輸出端子T2間之連接、以及各副線路部13a、13b與柱狀絕緣端子T4間之連接，係在隔著第2絕緣層I2而作了層積的第3導體層M3處來進行。亦即是，在第3導體層M3之中心部處，係在當平面性觀察時為與配置於第2導體層M2處之主線路導出用端子T52相同之位置處，而同樣的具備有主線路導出用端子T53，將在此些之第2導體層M2和第3導體層M3處所分別具備的主線路導出用端子T52、T53彼此，藉由垂直地貫通第2絕緣層I2之通孔V來作連接。同樣的，在第3導體層M3之中心部處，係在當平面性觀察時為與配置於第2導體層M2處之副線路導出用端子T62相同之位置處，而同樣的具備有副線路導出用端子T63，將在此些之第2導體層M2和第3導體層M3處所分別具備的副線路導出用端子T62、T63彼此，藉由垂直地貫通第2絕緣層I2之其他通孔V來作連接。

又，係將在第3導體層M3處而將其中一端與柱狀輸出端子T2(出現在第3導體層M3之第2角部處的輸出端子部T23)作了連接的主線路用連接線路21之另外一端，在第3導體層M3之中心部處而與前述主線路導出用 端子T53作連接。又，係將在第3導體層M3處而將其中一端與柱狀絕緣端子T4(出現在第3導體層M3之第3角部處的絕緣端子部T43)作了連接的副線路用連接線路22之另外一端，在第3導體層M3之中心部處而與前述副線路導出用端子T63作連接。

若依據此種本實施形態之結合器，則如同根據圖10以及圖11而可得知一般，係能夠確保與將兩線路之厚度增大至15μm的比較例(在圖10以及圖11中，代表實施形態之實線(1)、和代表將厚度設為15μm的比較例之灰色之虛線(4)，係相互重疊)同等之結合度，並且亦能夠同時實現滿足低域側要求規格S1以及高域側要求規格S2的良好之絕緣特性。並且，由於各線路部12a、12b、13a、13b之厚度係為5μm，而並不需要特別增厚，因此，係並不會發生前述之製造上的問題，而能夠以良好效率來生產參差微小之高精確度的結合器。又，由於係將主線路藉由並聯地作了連接之2個的主線路部12a、12b來構成，因此係亦能夠將插入損失抑制為小。

圖3，係為對於本發明之無線通訊裝置的其中一例作展示之區塊圖。如同該圖中所示一般，此無線通訊裝置，係具備有產生送訊訊號之送訊電路201、和對受訊訊號進行處理之受訊電路103、和進行送訊訊號以及受訊訊號的送受訊之天線101、和被連接於天線101和送訊電路201以及受訊電路103之間並進行透過天線101所受訊的受訊訊號之對於受訊電路103的傳輸以及從送訊電路201所輸 出的送訊訊號之對於天線101之傳輸之開關102。

送訊電路201，係包含有將送訊訊號作放大之PA(電力放大器)202、和對於PA202之輸出作控制之APC電路(自動輸出控制電路)203、以及檢測出從PA202所輸出的送訊訊號之準位之結合器204，作為該結合器204，係具備有前述實施形態之結合器。結合器204，係檢測出從PA202所輸出的送訊訊號之準位，並將該檢測訊號輸出至APC電路203處。APC電路203，係基於從此結合器204所輸入的檢測訊號，而以使PA202之輸出成為一定的方式，來對於PA202之增益作控制。

在本裝置中，作為結合器204，由於係具備有具備良好之絕緣特性的前述實施形態之結合器11，因此係成為能夠進行PA202之更高精確度的輸出控制。

以上，雖係針對本發明之實施形態作了說明，但是，本發明係並不被限定於此，對於同業者而言，係可明顯得知，在申請專利範圍的範圍內，係可施加各種之變更。

例如，在前述實施形態中，雖係將主線路和副線路分別藉由2根的線路部來構成，但是，在本發明中，係亦能夠藉由3根或4根以上的線路部，來構成上述之兩線路。圖4~圖5，係為對於各具備有3根的例子作展示者，在此例中，係將在輸入端子T1與輸出端子T2之間而作了並聯連接的3根的主線路部(第1主線路部12a和第2主線路部12b以及第3主線路部12c)，和在結合端子T3與絕緣端子T4之間而作了並聯連接的3根的副線路部(第 1副線路部13a和第2副線路部13b以及第3副線路部13c)，在第1導體層M1、第2導體層M2以及第3導體層M3之各層處而分別作了結合。

又，本發明之無線通訊裝置，係並不被限定於圖3中所示之例，除此之外，亦可採用例如構成可對於複數之頻率帶作利用的多頻帶方式之裝置等的各種之電路構成。

12a、12b‧‧‧主線路部

13a、13b‧‧‧副線路部

21‧‧‧主線路用連接線路

22‧‧‧副線路用連接線路

I1‧‧‧第1絕緣層

I2‧‧‧第2絕緣層

I3‧‧‧第3絕緣層

M1‧‧‧第1導體層

M2‧‧‧第2導體層

M3‧‧‧第3導體層

M4‧‧‧第4導體層

T1‧‧‧輸入端子

T2‧‧‧輸出端子

T3‧‧‧結合端子

T4‧‧‧絕緣端子

T11、T12、T13、T14‧‧‧輸入端子部

T21、T22、T23、T24‧‧‧輸出端子部

T31、T32、T33、T34‧‧‧結合端子部

T41、T42、T43、T44‧‧‧絕緣端子部

T51、T52、T53‧‧‧主線路導出用端子

T61、T62、T63‧‧‧副線路導出用端子

V‧‧‧通孔

Claims (5)

1. 一種方向性結合器，係在具備有隔著絕緣層而作了層積的複數之導體層之層積構造體處，具備有：可傳輸高頻訊號之主線路；和被具備於前述主線路之其中一端部處，並對於該主線路輸入前述高頻訊號之輸入端子；和被具備有前述主線路之另外一端部處，並從該主線路而輸出前述高頻訊號之輸出端子；和與前述主線路進行電磁場結合並將前述高頻訊號之一部分取出之副線路；和被具備於前述副線路之其中一端部處之結合端子；和被具備於前述副線路之另外一端部處之絕緣端子，該方向性結合器，其特徵為：前述主線路，係包含有被形成於前述複數之導體層中之第1導體層處之第1主線路部、和被形成於前述複數之導體層中之第2導體層處之第2主線路部，並且，此些之第1主線路部和第2主線路部，係相互電性且並聯地被連接於前述輸入端子和前述輸出端子之間，前述副線路，係包含有被形成於前述第1導體層處之第1副線路部、和被形成於前述第2導體層處之第2副線路部，並且，此些之第1副線路部和第2副線路部，係相互電性且並聯地被連接於前述結合端子和前述絕緣端子之 間，藉由將前述第1主線路部和前述第1副線路部相互接近配置，來使該些作電磁場結合，藉由將前述第2主線路部和前述第2副線路部相互接近配置，來使該些作電磁場結合，前述第1主線路部之輸入端子側之端部、和前述第2主線路部之輸入端子側之端部，係藉由在前述層積構造體之層積方向上而延伸的第1層間連接導體，而被作電性連接，前述第1主線路部之輸出端子側之端部、和前述第2主線路部之輸出端子側之端部，係藉由在前述層積構造體之層積方向上而延伸的第2層間連接導體，而被作電性連接，前述第1副線路部之結合端子側之端部、和前述第2副線路部之結合端子側之端部，係藉由在前述層積構造體之層積方向上而延伸的第3層間連接導體，而被作電性連接，前述第1副線路部之絕緣端子側之端部、和前述第2副線路部之絕緣端子側之端部，係藉由在前述層積構造體之層積方向上而延伸的第4層間連接導體，而被作電性連接。
2. 如申請專利範圍第1項所記載之方向性結合器，其中，前述第1主線路部和前述第2主線路部，係具備有略 相同之平面形狀，並且以在作平面性觀察時為重疊的方式而被作配置，前述第1副線路部和前述第2副線路部，係具備有略相同之平面形狀，並且以在作平面性觀察時為重疊的方式而被作配置。
3. 如申請專利範圍第1項所記載之方向性結合器，其中，在絕緣度之頻率特性中係具有衰減極點，該衰減極點，係位置在關連於高域側之要求規格的頻率範圍內，藉由此，來滿足低域側之要求規格和高域側之要求規格的雙方。
4. 如申請專利範圍第2項所記載之方向性結合器，其中，在絕緣度之頻率特性中係具有衰減極點，該衰減極點，係位置在關連於高域側之要求規格的頻率範圍內，藉由此，來滿足低域側之要求規格和高域側之要求規格的雙方。
5. 一種無線通訊裝置，係具備有：送訊電路，係可產生送訊訊號，並且包含有將該送訊訊號作放大之電力放大器、和對於該電力放大器之輸出作控制之自動輸出控制電路；和受訊電路，係可對於受訊訊號作處理；和天線，係進行前述送訊訊號以及前述受訊訊號之送受訊；和 開關，係被連接於該天線和前述送訊電路以及前述受訊電路之間，並進行透過前述天線所受訊的受訊訊號之對於前述受訊電路之傳輸和從前述送訊電路所輸出的送訊訊號之對於前述天線之傳輸；和方向性結合器，係檢測出從前述電力放大器所輸出的送訊訊號之準位，並將該檢測訊號輸出至前述自動輸出控制電路處，該無線通訊裝置，係基於從前述方向性結合器所輸入的前述檢測訊號，來對於前述電力放大器之輸出作控制，該無線通訊裝置，其特徵為：前述方向性結合器，係為如申請專利範圍第1~4項中之任一項所記載之方向性結合器。