TWI605488B

TWI605488B - 基板處理裝置及基板處理方法

Info

Publication number: TWI605488B
Application number: TW105108464A
Authority: TW
Inventors: 柏山真人; 西山耕二; 株根孝太
Original assignee: 思可林集團股份有限公司
Priority date: 2015-03-18
Filing date: 2016-03-18
Publication date: 2017-11-11
Also published as: JP2016174131A; TW201709264A; JP6473357B2; US10056270B2; US20180130678A1; US20160271655A1; KR20160113020A; US10818520B2; KR101829975B1

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明係關於對半導體基板、液晶顯示用玻璃基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板等(以下簡稱為「基板」)供給處理液的基板處理裝置及基板處理方法，尤其是關於回收處理液的杯的技術。

於日本專利特開2014-75575號公報揭示一種具備基板保持部、旋轉驅動機構、第1、第2噴嘴、杯體、與第1、第2排液管路、排氣管路、與可動杯的基板處理裝置。基板保持部係將基板水平保持。旋轉驅動機構係使基板保持部旋轉。第1噴嘴係供給正型顯影用之顯影液。第2噴嘴係供給負型顯影用之顯影液。杯體係回收顯影液。第1、第2排液管路及排氣管路係分別連接於杯體。可動杯係藉由上下移動而將顯影液引導至第1、第2排液管路之任一者。

例如在第1噴嘴供給顯影液時，可動杯係將顯影液引導至第1排液管路，在第2噴嘴供給顯影液時，可動杯係將顯影液引導至第2排液管路。第1排液管路係排出正型顯影用之顯影液，第2排液管路係排出負型顯影用之顯影液。此時，排氣管路係排出杯體內之氣體(包括顯影液之霧氣)。藉此，可防止於第1、第2排液管路中正型顯影用之顯影液與負型顯影用之顯影液混合。排氣管路係在第1、第2噴嘴供給顯影液時，將杯體內之氣體(包括顯影液之霧氣)排出。

然而，在具有此種構成之習知例的情況，有下述問題。

排氣管路係將正型顯影用之顯影液的霧氣、及負型顯影用之顯影液的霧氣的雙方排出。因此，於排氣管路內，有相異種類之顯影液之霧氣混合之虞。若相異種類之顯影液之霧氣混合，則難以將杯內環境保持清潔，難以品質良好地對基板進行處理。

本發明係有鑑於此種情況而形成者，目的在於提供可品質良好地對基板進行處理的基板處理裝置及基板處理方法。

本發明係為了達成此種目的，採用下述構成。

亦即，本發明為一種基板處理裝置，係對基板進行處理者，其具備：基板保持部，係依大致水平姿勢保持基板；旋轉驅動部，係將上述基板保持部圍繞大致鉛直軸進行旋轉；處理液供給部，係對由上述基板保持部所保持之基板供給處理液；外杯，係設置成包圍上述基板保持部之側方；與內杯，係收容於上述外杯內；上述內杯可涵括上述內杯回收處理液之回收位置、與上述外杯回收處理液之退避位置而移動；上述內杯係具備：呈現環狀外形的內杯本體；形成於上述內杯本體，將上述內杯本體內之處理液排出的排液口；與形成於上述內杯本體，將上述內杯本體內之氣體排出的排氣口；上述外杯係具備：呈現環狀外形的外杯本體；形成於上述外杯本體，將上述外杯本體內之處理液排出的排液口；與形成於上述外杯本體，將上述外杯本體內之氣體排出的排氣口。

根據本發明之基板處理裝置，可將內杯本體內之處理液、內杯本體內之氣體、外杯本體內之處理液、及外杯本體內之氣體分別個別地排出。因此，例如內杯本體內之氣體與外杯本體內之氣體不混合。藉此，不論是在使用內杯時、或使用外杯時，均可對基板品質良好地進行處理。

本發明中，上述內杯較佳係具備被覆上述內杯之上述排氣口之上方的覆蓋部。可較佳地防止處理液流入至內杯之排氣口。

本發明中，上述內杯之上述排氣口較佳係配置於較上述內杯之上述排液口高的位置。可較佳地防止處理液流入至內杯之排氣口。

本發明中，上述內杯本體較佳係被覆上述外杯之上述排氣口之上方。可較佳地防止處理液流入至外杯之排氣口。

本發明中，上述外杯較佳係具備區隔上述外杯之上述排液口與上述外杯之上述排氣口的區隔壁。可較佳地防止處理液流入至外杯之排氣口。

本發明中，上述內杯具備連接於上述內杯本體之護片部，上述外杯之上述排氣口係配置於上述區隔壁之內方，上述外杯之上述排液口係配置於上述區隔壁之外方，上述內杯係配置於上述退避位置時，上述護片部較佳係將處理液引導至上述區隔壁之外方。可較佳地防止處理液流入至外杯之排氣口。

本發明中，較佳係上述內杯具備：連接於上述內杯本體，流通由上述內杯之上述排液口所排出之處理液的排液管；與連接於上述內杯本體，流通由上述內杯之上述排氣口所排出之氣體的排氣管；上述外杯具備：連接於上述外杯本體，可上下移動地收容上述內杯之上述排液管，並流通由上述內杯之上述排液管所排出之處理液的排液延長管；與連接於上述外杯本體，可上下移動地收容上述內杯之上述排氣管，並流通由上述內杯之上述排氣管所排出之氣體的排氣延長管。由於內杯之排液管連通於排液延長管，故可縮短內杯之排液管。由於內杯之排氣管連通於排氣延長管，故可縮短內杯之排氣管。此等之結果，可使內杯小型化。

本發明中，在上述內杯位於回收位置時，上述內杯之上述排液管插入至上述排液延長管內的距離較佳為80mm以下。可使內杯更加小型化。

本發明中，在上述內杯位於回收位置時，上述內杯之上述排氣管插入至上述排氣延長管內的距離較佳為80mm以下。可使內杯更加小型化。

本發明中，上述基板處理裝置係具備：供給用於洗淨上述內杯及上述外杯之洗淨液的洗淨液供給部；與設置為可旋轉，將藉由上述洗淨液供給部所供給之洗淨液散佈至上述內杯及上述外杯的散佈盤；上述洗淨液供給部較佳係包含：朝上述散佈盤吐出第1洗淨液的第1噴嘴；與朝上述散佈盤吐出與由上述第1噴嘴所吐出之第1洗淨液相異之第2洗淨液的第2噴嘴。洗淨液供給部由於具備吐出彼此相異之洗淨液的第1噴嘴與第2噴嘴，故可於內杯及外杯分別散佈適當的洗淨液。

又，本發明為一種基板處理方法，係對基板進行處理者；其具備：使用正型顯影用之顯影液，進行正型顯影處理的步驟；與使用負型顯影用之顯影液，進行負型顯影處理的步驟；在上述進行正型顯影處理的步驟中，藉第1杯回收正型顯影用之顯影液；在上述進行負型顯影處理的步驟中，藉第2杯回收負型顯影用之顯影液；上述基板處理方法係具備：在由上述進行正型顯影處理之步驟切換為上述進行負型顯影處理之步驟時，將負型顯影用之洗淨液預先散佈於上述第2杯的步驟；與在由上述進行負型顯影處理之步驟切換為上述進行正型顯影處理之步驟時，將正型顯影用之洗淨液預先散佈於上述第1杯的步驟。

本發明之基板處理方法由於具備將負型顯影用之洗淨液預先散佈於第2杯的步驟，故在開始進行負型顯影處理之步驟前，可有效地形成適合負型顯影處理的環境。藉此，即使是切換後之最初之負型顯影處理仍可品質良好地進行。

又，本發明之基板處理方法由於具備將正型顯影用之洗淨液預先散佈於第1杯的步驟，故在開始進行正型顯影處理之步驟前，可有效地形成適合正型顯影處理的環境。藉此，即使是切換後之最初之正型顯影處理仍可品質良好地進行。

尚且，「將負型顯影用之洗淨液預先散佈於上述第2杯的步驟」係在切換前之最後之「上述進行正型顯影處理之步驟」之後、切換後之最初之「上述進行負型顯影處理之步驟」之前執行。「將正型顯影用之洗淨液預先散佈於上述第1杯的步驟」係在切換前之最後之「上述進行負型顯影處理之步驟」之後、切換後之最初之「上述進行正型顯影處理之步驟」之前執行。

本發明中，較佳係具備在由上述進行負型顯影處理之步驟切換為上述進行正型顯影處理之步驟時，將正型顯影用之洗淨液散佈至上述第2杯的步驟。在開始進行正型顯影處理之步驟前，可確實形成適合正型顯影處理的環境。

本發明中，上述第1杯與上述第2杯之雙方係設置於1個基板處理單元；上述進行正型顯影處理之步驟與上述進行負型顯影處理之步驟與上述將洗淨液預先散佈於第2杯之步驟與上述將洗淨液預先散佈於第1杯之步驟，較佳係於1個之上述基板處理單元中執行。基板處理單元係具備第1杯與第2杯。藉此，可於相同之基板處理單元執行正型顯影處理，且可執行負型顯影處理。因此，可效率佳地進行品質良好的正型顯影處理及負型顯影處理。

又，本發明為一種基板處理方法，係藉由各個設置於同一空間之複數之基板處理單元對基板進行處理者，上述基板處理方法係具備：藉由上述基板處理單元之至少任一者，使用正型顯影用之顯影液，進行正型顯影處理的步驟；與藉由上述基板處理單元之至少任一者，使用負型顯影用之顯影液，進行負型顯影處理的步驟；於上述進行正型顯影處理之步驟中，係藉由設置於上述各個基板處理單元的第1杯回收正型顯影用之顯影液；於上述進行負型顯影處理之步驟中，係藉由設置於上述各個基板處理單元的第2杯回收負型顯影用之顯影液；上述基板處理方法係進一步具備：在由上述進行正型顯影處理之步驟切換為上述進行負型顯影處理之步驟時，將負型顯影用之洗淨液預先散佈於所有之上述第2杯的步驟；與在由上述進行負型顯影處理之步驟切換為上述進行正型顯影處理之步驟時，將正型顯影用之洗淨液預先散佈於所有之上述第1杯的步驟。

本發明之基板處理方法由於具備將負型顯影用之洗淨液預先散佈於所有之上述第2杯的步驟，故在開始進行負型顯影處理之步驟前，可有效地於各基板處理單元中形成適合負型顯影處理的環境。藉此，不論是任一基板處理單元，均可由最初起品質良好地進行負型顯影處理。

又，本發明之基板處理方法由於具備將正型顯影用之洗淨液預先散佈於所有之上述第1杯的步驟，故在開始進行正型顯影處理之步驟前，可有效地於各基板處理單元中形成適合正型顯影處理的環境。藉此，不論是任一基板處理單元，均可由最初起品質良好地進行正型顯影處理。

本發明中較佳係具備：在由上述進行負型顯影處理之步驟切換為上述進行正型顯影處理之步驟時，將正型顯影用之洗淨液散佈於所有之上述第2杯的步驟。在開始進行正型顯影處理之步驟前，可於各基板處理單元中確實形成適合於正型顯影處理的環境。

尚且，本說明書亦揭示下述之基板處理方法的發明。

附記1. 一種基板處理方法，係對基板進行處理者，其具備：進行正型顯影處理之步驟；進行負型顯影處理之步驟；在由上述進行正型顯影處理之步驟切換為上述進行負型顯影處理之步驟時，預先形成溶媒環境的步驟；與在由上述進行負型顯影處理之步驟切換為上述進行正型顯影處理之步驟時，預先形成溶媒不存在環境的步驟。

附記1之基板處理方法由於具備預先形成溶媒環境的步驟，故在開始進行負型顯影處理之步驟前，可形成適合負型顯影處理的環境。藉此，即使是切換後之最初之負型顯影處理亦可品質良好地進行。

又，附記1之基板處理方法由於具備預先形成溶媒不存在環境的步驟，故在開始進行正型顯影處理之步驟前，可形成適合正型顯影處理的環境。藉此，即使是切換後之最初之正型顯影處理亦可品質良好地進行。

附記2. 如附記1記載之基板處理方法，其中，上述進行正型顯影處理之步驟與上述進行負型顯影處理之步驟與上述預先形成溶媒環境之步驟與上述預先形成溶媒不存在環境之步驟，係於1個基板處理單元中執行。

附記2之基板處理方法中，可於相同之基板處理單元中適當執行進行正型顯影處理之步驟與進行負型顯影處理之步驟。因此，可效率佳地進行品質良好的正型顯影處理及負型顯影處理。

附記3. 如附記2記載之基板處理方法，其中，於上述進行正型顯影處理之步驟，藉由設於上述基板處理單元之第1杯回收使用於正型顯影處理的處理液；於上述進行負型顯影處理之步驟，藉由設於上述基板處理單元之第2杯回收使用於負型顯影處理的處理液；於上述預先形成溶媒環境之步驟，係於上述第2杯形成溶媒環境；於上述預先形成溶媒不存在環境之步驟，係至少於上述第1杯形成溶媒不存在環境。

附記3之基板處理方法由於具備預先形成溶媒環境之步驟，故可於基板周圍形成適合負型顯影處理的環境。又，附記3之基板處理方法由於具備預先形成溶媒不存在環境之步驟，故可於基板周圍形成適合正型顯影處理的環境。

附記4. 如附記3記載之基板處理方法，其中，於上述預先形成溶媒不存在環境之步驟，係進一步於上述第2杯形成溶媒不存在環境。

根據附記4之基板處理方法，可於基板周圍形成更適合正型顯影處理的環境。

附記5. 一種基板處理方法，係藉由設置於同一空間之複數之基板處理單元個別對基板進行處理者，上述基板處理方法係具備：藉由上述基板處理單元之至少任一者，進行上述正型顯影處理的步驟；藉由上述基板處理單元之至少任一者，進行上述負型顯影處理的步驟；在由上述進行正型顯影處理之步驟切換為上述進行負型顯影處理之步驟時，預先形成溶媒環境之步驟；與在由上述進行負型顯影處理之步驟切換為上述進行正型顯影處理之步驟時，預先形成溶媒不存在環境之步驟。

附記5之基板處理方法由於具備預先形成溶媒環境之步驟，故在開始進行負型顯影處理之步驟前，可於各基板處理單元形成適合負型顯影處理之環境。藉此，不論任一基板處理單元，均可由最初起品質良好地進行負型顯影處理。

又，附記5之基板處理方法由於具備預先形成溶媒不存在環境之步驟，故在開始進行正型顯影處理之步驟前，可於各基板處理單元形成適合正型顯影處理之環境。藉此，不論任一基板處理單元，均可由最初起品質良好地進行正型顯影處理。

附記6. 如附記5記載之基板處理方法，其中，於上述進行正型顯影處理之步驟，藉由分別設於上述各個基板處理單元的第1杯回收使用於正型顯影處理的處理液；於上述進行負型顯影處理之步驟，藉由分別設於上述各個基板處理單元之第2杯回收使用於負型顯影處理的處理液；於上述預先形成溶媒環境之步驟，係於所有之上述第2杯形成溶媒環境；於上述預先形成溶媒不存在環境之步驟，係於所有之上述第1杯形成溶媒不存在環境。

附記6之基板處理方法由於具備預先形成溶媒環境之步驟，故可於基板周圍形成適合負型顯影處理的環境。又，附記6之基板處理方法由於具備預先形成溶媒不存在環境之步驟，故可於基板周圍形成適合正型顯影處理的環境。又，附記7. 如附記6記載之基板處理方法，其中，於上述預先形成溶媒不存在環境之步驟，係進一步於所有之上述第2杯形成溶媒不存在環境。

根據附記7之基板處理方法，可於基板周圍形成更適合正型顯影處理的環境。

1‧‧‧基板處理裝置

5‧‧‧基板保持部

7‧‧‧旋轉驅動部

7A‧‧‧旋轉軸

7B‧‧‧馬達

11‧‧‧處理液供給部

11A、11B、11C、11D‧‧‧噴嘴

12A‧‧‧旋轉軸

13‧‧‧杯洗淨部

13A、13B、13C、13D‧‧‧噴嘴

14‧‧‧洗淨液供給部

14A、14B‧‧‧噴嘴

15‧‧‧基底板

16‧‧‧散佈盤

16A、16B‧‧‧噴嘴

17A、17B‧‧‧開口

18A、18B‧‧‧貯存部

19A、19B‧‧‧吐出口

20‧‧‧杯

21‧‧‧內杯

22‧‧‧內杯本體

22a‧‧‧底部

22b‧‧‧內周壁

22c‧‧‧外周壁

22d‧‧‧凸部

23‧‧‧排液口

24‧‧‧排液管

25‧‧‧排氣口

26‧‧‧排氣管

27‧‧‧庇部

28‧‧‧護片部

31‧‧‧外杯

32‧‧‧外杯本體

32a‧‧‧底部

32b‧‧‧內周壁

32c‧‧‧外周壁

32d‧‧‧凸緣部

32e‧‧‧段部

33‧‧‧排液延長管

34‧‧‧排氣延長管

35‧‧‧排液口

36‧‧‧排液管

37‧‧‧排氣口

38‧‧‧排氣管

39‧‧‧區隔壁

41‧‧‧杯升降機構

41A‧‧‧內杯升降機構

41B‧‧‧外杯升降機構

43、44‧‧‧排液導管

45、46‧‧‧排氣導管

47‧‧‧控制部

61‧‧‧基板處理裝置

63‧‧‧索引部、ID部

65‧‧‧處理部

65A、65B‧‧‧處理區塊

67‧‧‧介面部、IF部

71‧‧‧載置台

73A、73B‧‧‧液處理單元(塗佈處理單元)

75A、75B、75C‧‧‧熱處理單元

77A、77B‧‧‧液處理單元(塗佈處理單元、顯影處理單元)

78‧‧‧腔室

79A、79B‧‧‧熱處理單元

A、B‧‧‧導入口

C‧‧‧匣盒

EXP‧‧‧曝光機

P1、P2、P3、P4‧‧‧載置部

T1、T2‧‧‧主搬送機構

TID‧‧‧ID用搬送機構

TIF1、TIF2‧‧‧IF用搬送機構

W‧‧‧基板

為了說明本發明，圖示了數個目前認為適合之形態，但請理解本發明並未限定於圖示般之構成及方案。

圖1為實施例1之基板處理裝置的俯視圖。

圖2為實施例1之基板處理裝置的剖面圖。

圖3A至3D為表示內杯及外杯配置例的圖。

圖4A及4B為杯之詳細圖。

圖5A及5B為杯之詳細圖。

圖6為杯之仰視圖。

圖7為由下方觀看杯的立體圖。

圖8A及8B為杯之詳細圖。

圖9為表示實施例1之基板處理裝置之動作例的流程圖。

圖10為表示實施例2之基板處理裝置之概略構成的俯視圖。

圖11為顯影處理單元之側視圖。

圖12為表示設於同一空間之複數之顯影處理單元之動作例的流程圖。

圖13為變形實施例中之杯的詳細剖面圖。

[實施例1]

以下參照圖式說明本發明之實施例1。圖1、2分別為實施例1之基板處理裝置之俯視圖、剖面圖。

實施例1之基板處理裝置1係使用處理液對基板依單片進行處理的裝置。更具體而言，基板處理裝置1可進行負型顯影處理及正型顯影處理之雙方。基板處理裝置1係具備基板保持部5、旋轉驅動部7、處理液供給部11、杯洗淨部13、杯20與杯升降機構41。

<基板保持部>

基板保持部5係依大致水平姿勢保持1片基板(例如半導體晶圓)W。基板保持部5例如吸附保持基板W之下面中央部。

<旋轉驅動部>

旋轉驅動部7係與基板保持部5連接，使基板保持部5於大致鉛直軸周圍旋轉。旋轉驅動部7具備旋轉軸7A與馬達7B。旋轉軸7A上端係連接於基板保持部5，旋轉軸7A下端係連接於馬達7B。馬達7B係對旋轉軸7A輸出驅動力。

<處理液供給部>

處理液供給部11係對由基板保持部5所保持之基板W供給處理液。處理液供給部11係包含朝下方吐出處理液之噴嘴11A、11B、11C、11D。各噴嘴11A~11D分別設置成可於由基板保持部5所保持之基板W上方之位置(圖中虛線表示)、與由基板W上方遠離之位置(圖2中實線表示)之間移動。

本實施例中，噴嘴11A、11B係使用於正型顯影處理。由噴嘴11A所吐出之處理液為正型顯影用之顯影液。正型顯影用之顯影液為鹼顯影液，例如氫氧化四甲基銨(TMAH：Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)。由噴嘴11B吐出之處理液為正型顯影用之洗淨液。正型顯影用之洗淨液為例如純水。

噴嘴11C、11D係使用於負型顯影處理。由噴嘴11C所吐出之處理液為負型顯影用之顯影液。負型顯影用之顯影液為例如含有醋酸丁酯等有機溶劑的顯影液。由噴嘴11D吐出之處理液為負型顯影用之洗淨液。負型顯影用之洗淨液為例如含有4-甲基-2-戊醇(MIBC：Methyl Iso butyl Carbinol)等有機溶劑的洗淨液。

<杯洗淨部>

杯洗淨部13係洗淨杯20。杯洗淨部13具備洗淨液供給部14與散佈盤16。

洗淨液供給部14係供給用於洗淨杯20之處理液(以下稱為「洗淨液」)。洗淨液供給部14係包含吐出洗淨液之複數之噴嘴14A、及吐出與噴嘴14A相異之洗淨液的複數之噴嘴14B。各噴嘴14A、14B係分別朝散佈盤16吐出洗淨液。各噴嘴14A、14B係由固定地設置在基板保持部5下方的基底板15所支撐。

噴嘴14A所吐出之洗淨液為正型顯影用之洗淨液，例如純水。噴嘴14B所吐出之洗淨液為負型顯影用之洗淨液，例如含有機溶劑之洗淨液。噴嘴14A、14B為本發明中第1噴嘴、第2噴嘴的例。

散佈盤16係將藉洗淨液供給部14所供給之洗淨液散佈至杯20。散佈盤16係配置於較基板保持部5更下方、較洗淨液供給部14更上方。散佈盤16呈略圓盤形狀。散佈盤16之中心部係與旋轉驅動部7(旋轉軸12A)連接。散佈盤16係與基板保持部5一體地旋轉。

散佈盤16係使由噴嘴14A所供給之洗淨液與由噴嘴14B所供給之洗淨液於散佈盤16內不混合、而散佈至散佈盤16之側方。散佈盤16係具備開口17A、17B、貯存部18A、18B、與複數之吐出口19A、19B。開口17A、17B係形成於散佈盤16下面。開口17A係承接由噴嘴14A吐出之洗淨液，開口17B係承接由噴嘴14B吐出之洗淨液。貯存部18A、18B係形成於散佈盤16內部。貯存部18A係與開口17A連通，貯存洗淨液。貯存部18B係與開口17B連通，貯存洗淨液。各吐出口19A、19B係形成於散佈盤16 之外周面。各吐出口19A係與貯存部18A連通，各吐出口19B係與貯存部18B連通。若散佈盤16旋轉，則貯存部18A內之處理液由吐出口19A飛散，貯存部18B內之處理液由吐出口19B飛散。

<杯與杯升降機構>

杯20係回收供給至基板W的處理液。杯20具備內杯21與外杯31。外杯31係設置成包圍基板保持部5之側方。內杯21係收容於外杯31內。內杯21係具有捕集處理液的導入口A，外杯31係具有捕集處理液的導入口B。

杯升降機構41係使內杯21及外杯31上下移動。杯升降機構41具備內杯升降機構41A與外杯升降機構41B。內杯升降機構41A係與內杯21連接，使內杯21升降。外杯升降機構41B係與外杯31連接，使外杯31升降。

圖3A至3D表示內杯21及外杯31之4種配置例。又，圖3A至3D中，簡略地圖示內杯21及外杯31。

外杯31係可移動至處理位置(參照圖3A、3B)與洗淨位置(參照圖3C、3D)。於處理位置，外杯31之導入口B位於基板保持部5之側方。於洗淨位置，外杯31之導入口B位於散佈盤16之側方。外杯31之洗淨位置係較外杯31之處理位置低。

內杯21係相對於外杯31而可移動至回收位置(參照圖3A、3C)與退避位置(參照圖3B、3D)。於回收位置，內杯21之導入口A位於與外杯31之導入口B略相同高度的位置。導入口A係經由導入口B而呈開放，內杯21回收處理液(包含由基板W所飛散之處理液及由散佈盤16所散佈之處理液)。在內杯21位於退避位置時，內杯21之導入口A較外杯31之導入口B低。導入口B呈開放，外杯31回收處理液。內杯21之退避位置係較內杯21之回收位置低。

本實施例中，使用內杯21進行正型顯影處理，使用外杯31進行負型顯影處理。內杯21為本發明中第1杯之例，外杯31為本發明中第2杯之例。

<內杯本體/外杯本體之詳細構造>

圖4A、4B為杯20之詳細圖。圖4A中，內杯21位於回收位置，圖4B中，內杯21位於退避位置。

內杯21係具有略環狀之外形，具備內部為中空的內杯本體22。內杯本體22具有底部22a與內周壁22b與外周壁22c。內周壁22b之下端係與底部22a連接。外周壁22c之下端係於內周壁22b之外方與底部22a連接。外周壁22c之上端係朝內方屈曲。上述導入口A係形成於內周壁22b之上端與外周壁22c之上端之間。內杯本體22係進一步具有由底部22a之內周緣朝下方突出的環狀之凸部22d。尚且，所謂「內方」係指朝向內杯本體22/外杯本體32之中心的方向，「外方」係指「內方」之相反方向。內杯本體22/外杯本體32之中心係例如與旋轉軸7A之軸心略一致。

外杯31係具備呈略環狀外形之外杯本體32。外杯本體32係具備底部32a與內周壁32b與外周壁32c。各部32a~32c係具有與內杯本體22之各部22a~22c略相同的構造。

外杯本體32係進一步具備凸緣部32d與環狀之段部32e。凸緣部32d係由內周壁32b朝外方大致水平延伸。凸緣部32d 之一部分係經由內杯21之導入口A而進入至內杯本體22內部。段部32e係在底部32a與內周壁32b連接的角部，由底部32a朝上方隆起。

如圖4A所示，在內杯21位於回收位置時，內杯本體22之外周壁22c與外杯本體32之外周壁32c接觸，內杯本體22之內周壁22b與外杯本體32之凸緣部32d接觸。藉此，內杯本體22將外杯本體32之導入口B閉塞，禁止外杯31回收處理液。

如圖4B所示，在內杯21位於退避位置時，內杯本體22之外周壁22c與凸緣部32d接觸，內杯本體22之凸部22d與外杯本體32之段部32e接觸。藉此，外杯本體32將內杯21之導入口A閉塞，禁止內杯21回收處理液。

<內杯之排液/排氣的詳細構造>

圖5A為表示內杯21之排液構造的圖，圖5B為表示內杯21之排氣構造的圖。又，圖5A、5B中，內杯21位於回收位置。圖6為杯20之仰視圖，圖7為由下方觀看杯20的立體圖。

內杯21具備1個排液口23與1個排液管24。排液口23係形成於內杯本體22(底部22a)，將內杯本體22之內部的處理液排出至內杯本體22外。排液管24係連接於內杯本體22(底部22a)，流通由排液口23所排出之處理液。圖5A中係概略地表示內杯本體22內之處理液的流動F1。

外杯31係具備使排液管24延長的1個排液延長管33。排液延長管33係連接於外杯本體32(底部32a)。排液延長管33係具有大於排液管24的直徑。排液延長管33係可上下移動地收容排液管24。排液延長管33係流通由排液管24排出的處理液。如此，由於排液延長管33接續著排液管24，故可縮短排液管24的長度。

在內杯21配置於回收位置時，排液管24之下端係插入至排液延長管33。因此，由排液管24所排出之處理液不流入至外杯本體32內。在內杯21配置於回收位置時，較佳係排液管24之下端較排液延長管33之下端更上方。根據此，可縮短排液管24之長度，可抑制內杯21之高度，可抑制杯20全體的高度。進而，在內杯21配置於回收位置時，插入至排液延長管33之排液管24之部分長度較佳為80mm以下。可更加縮短排液管24之長度。

內杯21具備2個排氣口25與2個排氣管26。各排氣口25係形成於內杯本體22(底部22a)，將內杯本體22之內部的氣體(包括處理液之霧氣)排出至內杯本體22外。各排氣管26係連接於內杯本體22(底部22a)，流通由各排氣口25所排出之氣體。圖5B中係概略地表示內杯本體22內之氣體的流動F2。

外杯31係具備使各排氣管26延長的2個排氣延長管34。排氣延長管34係連接於外杯本體32(底部32a)。排氣延長管34係具有大於排氣管26的直徑。排氣延長管34係可上下移動地收容排氣管26。排氣延長管34係流通由排氣管26排出的氣體。如此，由於排氣延長管34接續著排氣管26，故可縮短排氣管26的長度。

在內杯21配置於回收位置時，排氣管26之下端係插入至排氣延長管34。因此，由排氣管26所排出之氣體不流入至外杯本體32內。在內杯21配置於回收位置時，較佳係排氣管26之下端較排氣延長管34之下端更上方。根據此，可縮短排氣管26之長度，可抑制內杯21之高度，可抑制杯20全體的高度。進而，在內杯21配置於回收位置時，插入至排氣延長管34之排氣管26之部分長度較佳為80mm以下。可更加縮短排氣管26之長度。

內杯21係具備被覆排氣口25上方的庇部27。庇部27係防止處理液流入至排氣口25。庇部27係設置於內杯本體22內部。本實施例中，庇部27之基端部係連接於排氣口25之附近的底部22a。庇部27之前端係於較內杯21之導入口A更低的位置朝排氣口25上方延伸。又，庇部27係允許內杯本體22內之氣體流入至排氣口25。庇部27為本發明中覆蓋部的例。

上述凸緣部32d亦被覆各排氣口25，防止處理液流入至排氣口25。亦即，凸緣部32d係具有作為本發明中之覆蓋部的機能。

<外杯之排液/排氣的詳細構造>

圖8A為表示外杯31之排液構造的圖，圖8B為表示外杯31之排氣構造的圖。又，圖8A、8B中，內杯21位於退避位置。

外杯31具備1個排液口35與1個排液管36與2個排氣口37與2個排氣管38。排液口35與排氣口37係形成於外杯本體32(底部32a)。排液管36與排氣管38係連接於外杯本體32(底部32a)。排液口35係將外杯本體32之內部的處理液排出。排液管36係流通由排液口35所排出之處理液。排氣口37係將外杯本體32之內部的氣體(包含處理液之霧氣)排出。排氣管38係流通由排氣口37所排出之氣體。圖8A中係概略地表示外杯本體32內之處理液的流動F3。圖8B中係概略地表示外杯本體32內之氣體的流動F4。

再者，外杯31係具備將排液口35與排氣口37予以區隔的環狀之區隔壁39。區隔壁39係設置於內周壁32b之外方、且外周壁32c之內方。區隔壁39係由底部32a朝上方突出。排液口35係配置於區隔壁39之外方，排氣口37係配置於區隔壁39之內方。

內杯本體22係於區隔壁39之內方上下移動。藉此，內杯本體22被覆排氣口37之上方，防止外杯本體32內之處理液流入至排氣口37。尤其在內杯21位於退避位置時，由於內杯本體22較外杯31之導入口B低，故可確實防止處理液落下至排氣口37。

於內杯本體22之外周壁22c，安裝著將處理液引導至區隔壁39之外方的護片部28。護片部28之前端係由外周壁22c起朝外方且下方延伸。在內杯21位於退避位置時，護片部28之前端位於較區隔壁39之上端更下方、且區隔壁39之外方。亦即，在護片部28與外周壁22c之間的間隙，收容區隔壁39之上端。如此，若將護片部28覆蓋於區隔壁39之上端，則護片部28將外杯本體32內之處理液引導至區隔壁39外方。藉此，護片部28可防止處理液流入至排氣口37。尚且，即使內杯21位於退避位置時，外杯本體32內之氣體可通過護片部28與區隔壁39之間而流入至排氣口37。

<排液導管與排氣導管>

參照圖7。基板處理裝置1係具備排液導管43、44。排液導管43係與排液延長管33之下端連接，流通由排液延長管33所排出之處理液。排液導管44係與排液管36之下端連接，流通由排液管36所排出之處理液。

基板處理裝置1係具備排氣導管45、46。排氣導管45係與排氣延長管34之下端連接，流通由排氣延長管34所排出之氣體。排氣導管46係與排氣管38之下端連接，流通由排氣管38所排出之氣體。

<控制部>

參照圖2。基板處理裝置1係具備控制部47。控制部47係統籌地控制上述旋轉驅動部7、處理液供給部11、洗淨液供給部14及杯升降機構41。

接著說明實施例1之基板處理裝置1的動作。圖9為表示基板處理裝置1之動作例的流程圖。

<步驟S1>溶媒環境之形成

在此步驟S1開始前，設為外杯31位於洗淨位置，內杯21位於退避位置。此步驟S1中，係形成含有有機溶劑的環境(以下稱為「溶媒環境」)。具體而言，噴嘴16B吐出負型顯影用之洗淨液，旋轉驅動部7使散佈盤16旋轉。藉此，杯洗淨部13使負型顯影用之洗淨液散佈於外杯31。所散佈之洗淨液之一部分揮發，在外杯31(例如外杯本體32內部)或散佈盤16之側方形成溶媒環境。

散佈於外杯本體32之洗淨液，係經由排液口35及排液管36而排出至杯20外部(亦即排液導管44)。外杯本體32內部之氣體，係經由排氣口37及排氣管38而排出至杯20外部(亦即排氣導管46)。

<步驟S2>負型顯影處理

未圖示之基板搬送機構將基板W載置於基板保持部5。於基板W上面，形成經曝光處理之抗蝕膜。外杯升降機構41B係使外杯31移動至處理位置。內杯升降機構41A係使內杯21移動至外杯31位於處理位置時之退避位置內。基板W之周圍成為溶媒環境。

基板處理裝置1係依照預先設定之處理配方，對基板W進行負型顯影處理。例如，噴嘴13C移動至基板W上方，對基板W供給負型顯影用之顯影液。接著，噴嘴13D移動至基板W上方，對基板W供給負型顯影用之洗淨液。於此期間，旋轉驅動部7係適當旋轉基板W。藉由此負型顯影處理，抗蝕膜之非曝光部被溶解、去除。

外杯31係回收使用於負型顯影處理的處理液。具體而言，外杯本體32係承接由基板W所甩除的處理液。排液口35及排液管36係將外杯本體32內之處理液排出至杯20外部。排氣口37及排氣管38係將外杯本體32內之氣體排出至杯20外部。

在負型顯影處理結束時，杯升降機構41使外杯31移動至洗淨位置，使內杯21移動至外杯31位於洗淨位置時之退避位置。未圖示之基板搬送機構由基板保持部5將基板W搬出。

<步驟S3>杯洗淨

杯洗淨部13係洗淨外杯31。具體而言，杯洗淨部13係將負型顯影用之洗淨液散佈於外杯31，沖除用於負型顯影處理的處理液。此時，外杯本體32內之處理液係經由排液口35被排出，外杯本體32內之氣體係經由排氣口37被排出。

<步驟S4>是否切換為正型顯影處理

在由負型顯影處理切換為正型顯影處理的情況，進行至步驟S5。在不切換的情況，則回到步驟S2，對其他基板W重複負型顯影處理。

<步驟S5>溶媒不存在環境的形成

於外杯31等形成實質上不含有機溶劑之環境(以下稱為「溶媒不存在環境」)。具體而言，噴嘴16A吐出正型顯影用之顯影液，旋轉驅動部7使散佈盤16旋轉。藉此，杯洗淨部13將正型顯影用之洗淨液散佈於外杯31。藉此，附著於外杯31之有機溶劑或於外杯31內浮游的有機溶劑被沖除，於外杯31形成溶媒不存在環境。又，「溶媒不存在環境」並不侷限於完全不含有機溶劑的環境，亦可為含有對正型顯影處理品質實質上不造成影響之程度的些微有機溶劑的環境。

<步驟S6>杯替換

杯升降機構41係將外杯31保持於洗淨位置，使內杯21移動至回收位置。

<步驟S7>溶媒不存在環境的形成

於內杯21形成溶媒不存在環境。具體而言，杯洗淨部13將正型顯影用之洗淨液散佈於內杯21。

散佈於內杯本體22之洗淨液，係經由排液口23、排液管24及排液延長管33而排出至杯20外部(亦即排液導管43)。內杯本體22內部之氣體係經由排氣口25、排氣管26及排氣延長管34而排出至杯20外部(亦即排氣導管46)。

<步驟S8>正型顯影處理

基板搬送機構將1片基板W載置於基板保持部5。杯升降機構41使外杯31移動至處理位置，使內杯21移動至外杯31位於處理位置時之回收位置。基板W之周圍成為溶媒不存在環境。

基板處理裝置1係依照預先設定之處理配方，對基板W進行正型顯影處理。例如，噴嘴13A對基板W供給正型顯影用之顯影液。接著，噴嘴13B對基板W供給正型顯影用之洗淨液。於此期間，旋轉驅動部7係適當旋轉基板W。藉由此正型顯影處理，抗蝕膜之曝光部被溶解、去除。

內杯21係回收使用於正型顯影處理的處理液。具體而言，內杯本體22係承接由基板W所飛散的處理液。排液口23、排液管24及排液延長管33係將內杯本體22內之處理液排出至杯20外部。排氣口25、排氣管26及排氣延長管34係將內杯本體22之氣體排出至杯20外部。

在正型顯影處理結束時，杯升降機構41使外杯31移動至洗淨位置，使內杯21移動至外杯31位於洗淨位置時之回收位置。基板搬送機構由基板保持部5將基板W搬出。

<步驟S9>杯洗淨

杯洗淨部13係藉由正型顯影用之洗淨液洗淨內杯21。此時，內杯本體22內之處理液係經由排液口23被排出，內杯本體22內之氣體係經由排氣口25被排出。

<步驟S10>是否切換為負型顯影處理

在由正型顯影處理切換為負型顯影處理的情況，進行至步驟S11。在不切換的情況，則回到步驟S8，對其他基板W重複正型顯影處理。

<步驟S11>杯替換

杯升降機構41係將外杯31保持於洗淨位置，使內杯21移動至退避位置。然後回到步驟S1。

上述動作例中，步驟S1為本發明之「將負型顯影用之洗淨液預先散佈於上述第2杯的步驟」，為本發明之「預先形成溶媒環境的步驟」的例子。步驟S2為本發明之「進行負型顯影處理的步驟」的例子。步驟S5、S7為本發明之「預先形成溶媒不存在環境的步驟」的例子。又，步驟S5為本發明之「將正型顯影用之洗淨液散佈於上述第2杯的步驟」的例子，步驟S7為本發明之「將正型顯影用之洗淨液預先散佈於上述第1杯的步驟」的例子。

<效果>

根據本實施例1，基板處理裝置1具備內杯21與外杯31，內杯21可移動至回收位置與退避位置。藉由此內杯21的移動，可輕易切換內杯21與外杯31。藉此，如本實施例般，可選擇性地對各基板W進行正型顯影處理及負型顯影處理的任一者。

在內杯21位於回收位置時，內杯21閉塞外杯31之導入口B。在內杯21位於退避位置時，外杯31閉塞內杯21之導入口A。藉此，可防止負型顯影處理所使用之處理液附著於內杯21，可品質良好地進行使用了內杯21的正型顯影處理。同樣地，由於正型顯影處理所使用之處理液不附著於外杯31，故可品質良好地進行使用了外杯31的負型顯影處理。再者，杯洗淨部13可對杯21、31個別地形成各種環境。

由於外杯31收容內杯21，故可使杯20全體小型化。

內杯21係具備內杯本體22與排液口23與排氣口25，外杯31係具備外杯本體32與排液口35與排氣口37。藉此，可將內杯本體22內之處理液、內杯本體22內之氣體、外杯本體32內之處理液及外杯本體32內之氣體分別地排出。藉此，可防止內杯本體22內之處理液與外杯本體32內之處理液混合，且可防止內杯本體22內之氣體與外杯本體32內之氣體混合。如此，不論是使用內杯21時或使用外杯31時，均可對基板W品質良好地進行處理。

外杯31係具備與排液管24連通連接的排液延長管33。藉此，可縮短排液管24的長度，可使內杯21小型化。又，可將內杯本體22內之處理液不通過外杯本體32內而排出至杯20外部。

同樣地，外杯31係具備與排氣管26連通連接的排氣延長管34。藉此，可縮短排氣管26的長度，可使內杯21小型化。又，可將內杯本體22內之氣體不通過外杯本體32內而排出至杯20外部。

內杯21由於具備庇部27，故可防止處理液流入至排氣口25。再者，由於外杯本體32之凸緣部32d具有作為對排氣口25之被覆部的機能，故可更確實地防止處理液流入至排氣口25。

外杯31由於具備區隔壁39，故可防止處理液流入至排氣口37。再者，由於內杯本體22被覆排氣口37上方，故可更確實地防止處理液流入至排氣口37。再者，由於內杯21具備護片部28，故可更確實防止處理液流入至排氣口37。

基板處理裝置1由於具備杯升降機構41，故內杯21可容易移動至回收位置與退避位置。再者，杯升降機構41可將外杯31移動至洗淨位置。藉此，即使基板保持部5本身不升降，基板搬送機構仍可進出基板保持部5。又，即使散佈盤16不升降，杯洗淨部13仍可於杯20散佈洗淨液。藉此，可將散佈盤16固定於旋轉軸7A。

在由正型顯影處理切換為負型顯影處理時，形成溶媒環境(步驟S1)。藉此，可由切換後最初之負型顯影處理起即於溶媒環境下進行基板W處理。其結果，即使是切換後最初之負型顯影處理，仍可防止顯影缺陷等。如此，由於在開始負型顯影處理前形成適合負型顯影處理的環境，故可對基板W品質良好地進行處理。

本步驟S1中，由於在外杯31形成溶媒環境，故在施行負型顯影處理之基板W的周圍，可形成適合於負型顯影處理的環境。再者，本步驟S1中，由於將負型顯影用之洗淨液散佈於外杯31，故可有效形成溶媒環境。

在由負型顯影處理切換為正型顯影處理時，形成溶媒不存在環境(步驟S5、S7)。藉此，可由切換後最初之正型顯影處理起即於溶媒不存在環境下進行基板W處理。其結果，即使是切換後最初之正型顯影處理，仍可防止顯影缺陷等。如此，由於在開始正型顯影處理前形成適合正型顯影處理的環境，故可對基板W品質良好地進行處理。

步驟S7中，由於在內杯21形成溶媒不存在環境，故在施行正型顯影處理之基板W的周圍，可形成適合於正型顯影處理的環境。再者，本步驟S5中，由於將正型顯影用之洗淨液散佈於內杯21，故可有效形成溶媒不存在環境。

步驟S5中，由於在外杯31亦形成溶媒不存在環境，故可確實形成適合於正型顯影處理的環境。換言之，可未然地防止殘留於外杯31之處理液防礙溶媒不存在環境之形成。

[實施例2]

以下參照圖式說明本發明之實施例2。

圖10為表示實施例2之基板處理裝置之概略構成的俯視圖。實施例2之基板處理裝置61係對基板W進行形成抗蝕膜的處理與顯影處理。

基板處理裝置61係具備索引部(以下稱為「ID部」)63與處理部65與介面部(以下稱為「IF部」)67。處理部65係包含2個處理區塊65A、65B。ID部63與處理區塊65A與處理區塊65B與IF部67係依序連接為1列。IF部67進一步與跟本裝置61不同之另外的外部裝置之曝光機EXP相鄰接。

ID部63係具備載置匣盒C之載置台71、與搬送基板W之ID用搬送機構TID。各匣盒C收容複數之基板W。於ID部63與處理區塊65A之間，設置有載置基板W之載置部P1。ID用搬送機構TID係進出匣盒C與載置部P1。

處理區塊65A係具備主搬送機構T1、複數之液處理單元73A、73B、與複數之熱處理單元75A、75B、75C。主搬送機構T1係搬送基板W。複數之液處理單元73A、73B係設置於主搬送機構T1之一側。液處理單元73A、73B係對基板W供給處理液。液處理單元73A、73B係例如對基板W塗佈抗蝕膜材料的塗佈處理單元。複數之熱處理單元75A、75B、75C係設置於主搬送機構T1之另一側。熱處理單元75A、75B、75C係對基板W進行加熱處理或冷卻處理。於處理區塊65A與處理區塊65B之間設置載置基板W的載置部P2。主搬送機構T1係進出載置部P1、P2、塗佈處理單元73A、73B及熱處理單元75A~75C。

處理區塊65B係具備：搬送基板W之主搬送機構T2；設置於主搬送機構T2之一側的複數之液處理單元77A、77B；與設置於主搬送機構T2之另一側的複數之熱處理單元79A、79B。進而處理區塊65B係設置於鄰接IF部67的位置，具備載置基板W的載置部P3。主搬送機構T2可進出載置部P2、P3、液處理單元77A、77B及熱處理單元79A、79B。

液處理單元77A、77B係對基板W進行顯影的顯影處理單元。各顯影處理單元77A、77B係具備實施例1所說明之要件5~46，可對基板W進行正型顯影處理及負型顯影處理。如圖10所示，液處理單元77A、77B係進一步具備使處理液供給部11移動的移動機構12。尚且，各顯影處理單元77A、77B可具備實施例1所說明之控制部47，亦可不具備。例如，亦可由顯影處理單元77A、77B之外部所設置之未圖示的控制部控制顯影處理單元77A、77B。

圖11為顯影處理單元77A、77B之側面圖。顯影處理單元77A、77B係收容於相同之腔室78內。亦即，顯影處理單元77A、77B設於同一空間中。又，於顯影處理單元77A、77B之間，排液導管43、44及排氣導管45、46係共通化。

又，參照圖10。IF部67係具備搬送基板W之IF用搬送機構TIF1、TIF2、與載置基板W之載置部P4。載置部P4亦可具有將所載置之基板W冷卻至既定溫度的機能。IF用搬送機構TIF1可進出載置部P3、P4。IF用搬送機構TIF2可進出載置部P4，可於曝光機EXP之間交接基板W。

簡單說明基板處理裝置61之動作例。

<由ID部63將基板W搬送至IF部67的動作例>

ID用搬送機構TID係由匣盒C搬出基板W，將此基板W載置於載置部P1。主搬送機構T1係由載置部P1接受基板W，將此基板W依既定順序搬送至塗佈處理單元77A、77B及熱處理單元79A至79C。各處理單元77、79係對基板W進行處理。其結果，於基板W形成抗蝕膜。主搬送機構T1係將形成了抗蝕膜之基板W載置於載置部P2。主搬送機構T2係接受載置部P2上之基板W，載置於載置部P3。IF用搬送機構TIF1係接受載置部P3上之基板W，載置於載置部P4。IF用搬送機構TIF2係接受載置部P4上之基板W，交送於曝光機EXP。

<由IF部67將基板W搬送至ID部63的動作例>

IF用搬送機構TIF2係由曝光機EXP接受曝光完成的基板W，將基板W交送至IF用搬送機構TIF1。IF用搬送機構TIF1係將基板W交送至主搬送機構T2。主搬送機構T2將基板W搬送至顯影處理單元77A、77B及熱處理單元79A、79B。各處理單元77、79係對基板W進行處理。其結果，使基板W顯影。主搬送機構T2係將經顯影之基板W交送至主搬送機構T1。主搬送機構T1係將基板W交送至ID用搬送機構TID。ID用搬送機構TID係將基板W搬入至匣盒C。

接著，說明顯影處理單元77A、77B之動作例。圖12為表示顯影處理單元77A、77B之動作例的流程圖。此動作例之特徵在於由顯影處理單元77A、77B協調進行正型顯影處理與負型顯影處理的切換、以及各種環境之形成。以下，適當並簡略地說明與實施例1共通的動作。

<步驟S21>所有顯影處理單元中溶媒環境的形成

於顯影處理單元77A、77B之雙方形成溶媒環境。溶媒環境之形成係與實施例1之步驟S1同樣地藉由將負型顯影用之洗淨液散佈於外杯31而進行。藉此，於設置於顯影處理單元77A、77B之所有外杯31形成溶媒環境。

<步驟S22>至少任一顯影處理單元中負型顯影處理

主搬送機構T2係將基板W搬入至顯影處理單元77A、77B。顯影處理單元77A、77B係對所搬入之基板W進行負型顯影處理。在負型顯影處理結束時，主搬送機構T2由顯影處理單元77A、77B將基板W搬出。

如此，本步驟S22係由顯影處理單元77A、77B之至少任一者對基板W進行負型顯影處理。例如，亦可由顯影處理單元77A、77B並行進行負型顯影處理。或者僅由顯影處理單元77A進行負型顯影處理。其中，於本步驟S22可進行之處理係侷限於負型顯影處理，顯影處理單元77A、77B之任一者均禁止進行正型顯影處理。

<步驟S23>經使用之杯的洗淨

在顯影處理單元77A每次進行負型顯影處理時，洗淨顯影處理單元77A之外杯31。同樣地，在顯影處理單元77B每次進行負型顯影處理時，洗淨顯影處理單元77B之外杯31。

<步驟S24>於所有顯影處理單元是否切換為正型顯影處理

在顯影處理單元77A、77B之雙方切換為正型顯影處理的情況，進行至步驟S25。在不切換的情況，則回到步驟S22。

<步驟S25>於所有顯影處理單元中形成溶媒不存在環境

於顯影處理單元77A、77B之雙方形成溶媒不存在環境。溶媒環境之形成係與實施例1之步驟S5同樣地藉由將正型顯影用之洗淨液散佈於外杯31而進行。藉此，在設置於顯影處理單元77A、77B之所有外杯31形成溶媒不存在環境。

<步驟S26>所有顯影處理單元中杯切換

所有之外杯31保持於洗淨位置。所有內杯21係移動至外杯31位於洗淨位置時的回收位置。

<步驟S27>於所有顯影處理單元中形成溶媒不存在環境

於顯影處理單元77A、77B之雙方形成溶媒不存在環境。溶媒不存在環境之形成係與實施例1之步驟S7同樣地藉由將正型顯影用之洗淨液散佈於內杯21而進行。藉此，在所有內杯21形成溶媒不存在環境。

<步驟S28>於至少任一之顯影處理單元進行正型顯影處理

顯影處理單元77A、77B之至少任一者對基板W進行正型顯影處理。本步驟S28中可進行之處理侷限為正型顯影處理，顯影處理單元77A、77B之任一者均禁止進行負型顯影處理。

<步驟S29>經使用之杯的洗淨

在顯影處理單元77A、77B分別每次進行正型顯影處理時，洗淨經使用之內杯21。

<步驟S30>於所有顯影處理單元是否切換為負型顯影處理

在顯影處理單元77A、77B之雙方切換為負型顯影處理的情況，進行至步驟S31。在不切換的情況，則回到步驟S28。

<步驟S31>杯切換

所有外杯31移動至洗淨位置，所有內杯21移動至外杯31位於洗淨位置時之退避位置。

上述動作例中，步驟S21為本發明之「將負型顯影用之洗淨液預先散佈於所有之上述第2杯的步驟」，為本發明之「預先形成溶媒環境的步驟」的例子。步驟S22為本發明之「進行負型顯影處理的步驟」的例子。步驟S25、S27為本發明之「預先形成溶媒不存在環境的步驟」的例子。又，步驟S25為本發明之「將正型顯影用之洗淨液預先散佈於所有之上述第2杯的步驟」的例子，步驟S27為本發明之「將正型顯影用之洗淨液預先散佈於所有之上述第1杯的步驟」的例子。

<效果>

根據本實施例2，除了與實施例1相同之效果之外，發揮以下效果。

將腔室78內之所有之顯影處理單元77A、77B的處理一概地於負型顯影處理與正型顯影處理之間切換(步驟S24、S30)。藉此，可防止各顯影處理單元77A、77B之一者妨礙另一者的環境。

在切換為負型顯影處理時，於所有之顯影處理單元77A、77B形成溶媒環境(步驟S21)。藉此，可迅速形成溶媒環境。而且，不論是任一之顯影處理單元77A、77B，均可由最初起即品質良好地進行負型顯影處理。

在切換為正型顯影處理時，於所有之顯影處理單元 77A、77B形成溶媒不存在環境(步驟S25、S27)。藉此，可迅速形成溶媒不存在環境。而且，不論是任一之顯影處理單元77A、77B，均可由最初起即品質良好地進行正型顯影處理。

本發明並不侷限於上述實施形態，可如下述般變形實施。

(1)上述各實施例中，使用內杯21之處理為正型顯影處理，使用外杯31之處理為負型顯影處理，但並不侷限於此。例如，使用內杯21之處理亦可為負型顯影處理。或使用內杯21之處理亦可為洗淨處理或塗佈處理等之液處理。同樣地，使用外杯31之處理亦可為正型顯影處理。或使用外杯31之處理亦可為洗淨處理或塗佈處理等之液處理。根據本變形實施例，可選擇性地對基板W進行各種液處理。又，本實施例中，係對1片基板W進行使用內杯21之處理(正型顯影處理)與使用外杯31之處理(負型顯影處理)之任一者的裝置，但並不侷限於此。亦即，亦可變更為對1片基板W進行使用內杯21之處理與使用外杯31之處理之雙方的裝置。

(2)上述各實施例中，為了防止處理液流入至排氣口25，而例示了庇部27等，但並不侷限於此。圖13為表示變形實施例之內杯21之排氣構造的圖。排氣口25係配置於較排液口23高的位置。藉由此變形實施例，可防止處理液流入至排氣口25。

(3)上述各實施例中，作為杯升降機構41之構成例，雖例示了僅使內杯21升降之內杯升降機構41A與僅使外杯31升降之外杯升降機構41B，但並不侷限於此。

例如，杯升降機構41亦可具備使內杯21與內杯升降機構41A與外杯31整合一體地升降的全體升降機構。根據此，僅藉由全體升降構機的動作，可在將內杯21保持於回收位置或退避位置之下，使外杯31移動至處理位置及洗淨位置。換言之，僅藉由全體升降機構之動作，可不改變內杯21與外杯31間之相對位置，而將外杯31移動至處理位置及洗淨位置。

例如，在基板處理裝置1具備使基板保持部5及散佈盤16進行升降的機構的情況，亦可省略外杯升降機構41B等，將外杯31固定設置。

(4)上述各實施例中，係在開始正型顯影處理前，於外杯31形成溶媒不存在環境(步驟S5、S25)，但並不侷限於此。亦即，亦可省略此等步驟S5、S25。藉由此變形實施例，亦可在開始正型顯影處理前形成溶媒不存在環境。

(5)上述各實施例中，噴嘴14A、14B係分別朝開口17A、17B吐出，但並不侷限於此。例如，噴嘴14A、14B亦可朝相同開口吐出。此變形實施例中，可於散佈盤16之內部形成溶媒環境及溶媒不存在環境。又，於此變形實施例中，亦可省略與開口17A連通之流徑、及與開口17B連通之流徑的任一者。

(6)上述各實施例中，為了形成溶媒環境，而使用了負型顯影用之洗淨液，但並不侷限於此。例如，亦可使用含有有機溶劑之液體或氣體而形成溶媒環境。同樣地，上述各實施例中，為了形成溶媒不存在環境，而使用了正型顯影用之洗淨液，但並不侷限於此。亦可使用可去除環境中所含之有機溶劑的液體或氣體，形成溶媒不存在環境。

(7)上述各實施例中，杯洗淨部13係形成各種環境，但並不侷限於此。例如，基板處理裝置1/顯影處理單元77A、77B 亦可具備散佈部。散佈部係個別地設置於杯洗淨部13。散佈部係散佈液體及氣體之至少任一者。根據本變形實施例，散佈部可適當形成各種環境。

(8)上述各實施例及上述(1)至(7)所說明之各變形實施例，亦可進一步將各構成置換為其他變形實施例或予以組合等而適當變更。