TWI601760B - 聚合膜之成膜方法 - Google Patents

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森貞佳紀
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Description

聚合膜之成膜方法
本發明揭示內容依據2014年2月18日申請的日本專利申請第2014-028628號的優先權獲得的優惠，在此將該日本申請案的全部內容作為參考文獻。
本發明有關一種聚合膜之成膜方法及成膜裝置。
已有人研究以聚合膜、例如以聚醯亞胺薄膜為代表的高分子薄膜，作為半導體積體電路裝置之層間絕緣膜、或作為平面顯示器例如液晶顯示裝置之液晶配向膜。
以結構類別來看，聚醯亞胺可區分為芳香族系與非芳香族系。相較於芳香族聚醯亞胺，非芳香族聚醯亞胺具有比介電係數較低、且可獲得透明之膜的優點。
非芳香族聚醯亞胺具有如下之在芳香族聚醯亞胺中所不具有的優點：(a)可獲得低介電率的膜；(b)可獲得透明的膜。
相反的，其具有在耐熱性方面較芳香族聚醯亞胺為差。
本發明提供一種即使是非芳香族聚醯亞胺，仍可在維持良好耐熱性的狀態下進行成膜的聚合膜之成膜方法、以及可實施該成膜方法的成膜裝置。
有關本發明第1態樣的聚合膜之成膜方法，係使用含第1單體之第1原料氣體、以及含不同於前述第1單體的第2單體之第2原料氣體，在被處理體之被處理面上形成聚合膜，包含以下步驟：供給使用具水解基的雙官能之非芳香族胺的前述第1單體之步驟、供給使用雙官能之酸酐的前述第2單體之步驟。
有關本發明第2態樣的聚合膜之成膜方法，係使用含第1單體之第1原料氣體、以及含不同於前述第1單體的第2單體之第2原料氣體，在被處理體之被處理面上形成聚合膜；係將前述聚合膜重複進行後述反應而成膜：(1)使前述第1單體與前述第2單體脫水縮合而聚合的反應；(2)使前述第1單體水解的反應；(3)使前述已水解之前述第1單體彼此脫水縮合、聚合的反應。
有關本發明第3態樣的成膜裝置，使用含第1單體之第1原料氣體、以及含不同於前述第1單體的第2單體之第2原料氣體，在被處理體之被處理面上形成聚合 膜，具備：容納前述被處理體的處理室；在前述處理室內，供給前述第1原料氣體及前述第2原料氣體的成膜處理氣體供給機構；加熱前述被處理體的加熱裝置；將前述處理室內進行排氣的排氣裝置；以及控制前述成膜處理氣體供給機構、前述加熱裝置及前述排氣裝置的控制裝置；前述成膜處理氣體供給機構供給有關上述第1態樣中的聚合膜之成膜方法所記載的第1原料氣體及第2原料氣體，以作為前述第1原料氣體及前述第2原料氣體。
1‧‧‧晶圓
2‧‧‧非芳香族聚合膜
100‧‧‧成膜裝置
101‧‧‧外管
102‧‧‧內管
103‧‧‧處理室
104‧‧‧注射器
105‧‧‧氣體擴散空間
106‧‧‧成膜處理氣體供給機構
107a‧‧‧第2原料氣體供給源
107b‧‧‧第1原料氣體供給源
108‧‧‧汽化器
109‧‧‧氣體供給管
110‧‧‧吐出孔
111‧‧‧排氣口
112‧‧‧排氣空間
113‧‧‧排氣管
114‧‧‧排氣機構
116‧‧‧歧管
117‧‧‧密封構件
118‧‧‧內管支撐部
119‧‧‧保溫筒
120‧‧‧台座
121‧‧‧蓋部
122‧‧‧旋轉軸
124‧‧‧密封構件
150‧‧‧晶舟
204‧‧‧噴嘴
300‧‧‧控制部
301‧‧‧處理控制器
302‧‧‧使用者介面
303‧‧‧儲存部
所附圖式作為本說明書的一部分，揭示本發明的實施形態，連同上述一般的說明及後述實施形態的詳細內容，均用以說明本發明所揭示的概念。
圖1顯示有關本發明第1實施形態的聚合膜之成膜方法的一例之流程圖。
圖2A至圖2B為揭示圖1所示序列中之被處理體的狀態之剖面圖。
圖3A至圖3C為揭示在成膜處理中發生的反應之圖式。
圖4顯示芳香族聚醯亞胺與一般的非芳香族聚醯亞胺的耐熱性之圖式。
圖5顯示有關第1實施形態的非芳香族聚醯亞胺與一般的非芳香族聚醯亞胺的耐熱性之圖式。
圖6A至圖6C顯示第1單體之例之圖式。
圖7概略顯示有關本發明第2實施形態的成膜裝置之一例之剖面圖。
以下，參照圖面說明本發明之幾個實施形態。另外在全部圖式中，對於共通部分賦予共通的參考符號。在下述詳細說明中，為了可充分理解本案揭示內容，列出許多具體細節。不過，即使無該等詳盡的說明，相關業者仍可實施本案揭示內容。在其他例子中，為避免難以理解各式各樣的實施形態，有關習知方法、作業程序、系統或構成要素則不詳述。
[第1實施形態] [成膜方法]
圖1顯示有關本發明第1實施形態的聚合膜之成膜方法之一例之流程圖，圖2A至圖2B顯示圖1所示序列中之被處理體的狀態之剖面圖。
如圖1的成膜處理所示，第1實施形態的聚合膜之成膜方法係使用含第1單體之第1原料氣體、以及含不同於第1單體的第2單體之第2原料氣體，在被處理體之被處理面上形成聚合膜之成膜方法。作為被處理體之一例，為圖2A所示之矽晶圓(以下，稱之為晶圓)1。
在此種聚合膜之成膜方法中，於第1實施形態，第1單體使用具水解基的雙官能之非芳香族胺，第2單體使用雙官能之酸酐。藉此，如圖2B所示，在晶圓1被處理面上形成例如非芳香族聚醯亞胺膜2的非芳香族聚合膜。
利用有關第1實施形態之成膜方法，將以下所說明的反應，例如連續性的重複實施，可形成非芳香族聚醯亞胺膜2。
圖3A至圖3C顯示在成膜處理中發生的反應之圖式。在本例中，使用“3-胺丙基三甲氧矽烷”作為具水解基的雙官能之非芳香族胺，使用“焦蜜合酸二酐(PMDA)”作為雙官能之酸酐。此外，“3-胺丙基三甲氧矽烷”為矽烷偶聯劑的一種。以下，在本說明書中，將“3-胺丙基三甲氧矽烷”簡寫為SC劑。
首先，作為第1反應，如圖1及圖3A中的反應1所示，將SC劑中所含的胺基與PMDA中所含的氧脫水縮合。藉此，SC劑與PMDA聚合。具體而言，由SC劑之NH2(胺基)與PMDA之五員環中的O脫去H2O，經由PMDA的兩個醯亞胺環而形成於兩側結合有SC劑的啞鈴狀結構。
接著，作為第2反應，如圖1及圖3B中的反應2所示，將SC劑中所含的水解基水解。藉此，由鍵結至Si的水解基(在本例中為烷氧基)脫去MeOH(甲醇)，形成SiOH(矽醇)，在本例中成為Si(OH)3(三矽醇)。
接著，作為第3反應，如圖1及圖3C中的反應3所示，將已水解的SC劑彼此脫水縮合。藉此，由兩個矽醇之OH脫去H2O，Si彼此經由O而鍵結。亦即，成為兩個啞鈴狀結構利用矽氧烷鍵結的聚醯亞胺。
在圖1所示的成膜處理中，藉由二維、三維之連續性重複該等反應1~3，於晶圓1的被處理面上形成非芳香族聚醯亞胺膜2。
[芳香族聚醯亞胺與一般的非芳香族聚醯亞胺的耐熱性]
圖4顯示芳香族聚醯亞胺與一般的非芳香族聚醯亞胺的耐熱性之圖式。
圖4之橫軸表示聚合至PMDA(酸二酐)的單體(對應於第1實施形態的第1單體)，由紙面左側開始，分別揭示4,4’ODA(4,4’-二胺基二苯醚)、H6XDA(1,3-雙(胺甲基)環己烷)、H12MDA(4,4’-二胺基二環己基甲烷)、H12MDAMe(4,4’-二胺基-3,3’-二甲基環己基甲烷)。僅有4,4’ODA的情況下則形成芳香族聚醯亞胺，除此以外的情況則形成非芳香族聚醯亞胺(脂族聚亞醯胺)。
圖4的縱軸代表膜厚差(熱分解速度)，分別表示在400℃的溫度與450℃的溫度之情況下，膜厚於每1分鐘減少幾%。
如圖4所示之芳香族聚醯亞胺雖在400~450℃的溫度下幾乎未熱分解，但非芳香族聚醯亞胺(脂族聚亞醯胺)則在任何情況下均可觀察到有顯著的熱分解。這是因為藉由從脂肪族骨架朝向醯亞胺環的電子供予性而導致C-N鍵的解離能量降低之緣故。當為芳香族骨架時，會因為朝向醯亞胺環的電子吸引性而穩定C-N鍵。也就是只要為脂肪族骨架，便無法期待耐熱性的改善。
[有關第1實施形態之非芳香族聚醯亞胺與一般的非芳香族聚醯亞胺的耐熱性]
圖5揭示有關第1實施形態的非芳香族聚醯亞胺與一般的非芳香族聚醯亞胺的耐熱性之圖式。圖5的橫軸表示維持450℃的時間，單位為分鐘。縱軸則表示膜厚減少率。
如圖5所示，當聚合於PMDA的單體為H12HMDA的一般的非芳香族聚醯亞胺的情況，若在450℃的溫度下維持30分鐘，其膜厚降低約70%，減少成成膜膜厚約30%的膜厚。
相較於此，當聚合於PMDA的單體為SC劑的第1實施形態之非芳香族聚醯亞胺的情況，若在450℃的溫度下維持20分鐘時，可觀察到其膜厚降低約10%，減少成成膜膜厚的約90%的膜厚。不過在此之後，無關於維持時間，無膜厚減少的情形，與一般的非芳香族聚醯亞胺(脂族聚亞醯胺)比較可確認後者具有更加強固的耐熱性。
有關第1實施形態的非芳香族聚醯亞胺為具有醯亞胺環與矽氧烷骨架的聚醯亞胺。因此，維持作為脂肪族骨架構成之聚醯亞胺的性質，亦即：(a)獲得介電率較芳香族聚醯亞胺還低的膜；(b)獲得無法由芳香族聚醯亞胺所獲得之透明的膜；的同時，藉由矽氧烷之三維交聯而形成熱穩定性的膜。關於第1實施形態的非芳香族聚醯亞胺可確認到，針對在450℃下的熱分解速度方面為0.1%/分鐘，相較於一般的非芳香族聚醯亞胺(脂族聚亞醯胺)為提升了10倍以上的耐熱性。
如此，在具有脂肪族骨架、本例中為具有矽氧烷骨架的同時提升耐熱性的理由在於，藉由矽氧烷、特別是藉由三維交聯而可抑制在結構上的熱性變化，因而提升脂肪族骨架的解離溫度。此外，亦有可能藉由三維交聯而改變膜本身的硬度、密度。總而言之，利用有關本發明第1實施形態的聚合膜之成膜方法， 將可獲得即使是非芳香族聚醯亞胺，仍可在維持良好耐熱性的狀態下進行成膜之優點。
此外，第1單體為已具有水解基的雙官能之非芳香族胺。特別是在第1實施形態中，第1單體係亦採用作為矽烷偶聯劑之含作為水解基之烷氧基的“3-胺丙基三甲氧矽烷”。作為第1單體，當採用上述含作為水解基之烷氧基的材料時，亦可促進、提升聚合膜2朝晶圓1被處理面上之密合性。
亦即，於開始將第1單體供給至晶圓1被處理面上的初始階段，第1單體之水解基水解形成例如OH基。該第1單體之OH基和已結合至晶圓1被處理面上的OH基彼此吸引。而當彼此吸引之兩個OH基發生脫水後，第1單體於維持有反應性官能基，在第1實施形態中為維持有胺基的狀態下，成為第1單體結合於晶圓1被處理面上的狀態。此外，已結合至被處理面的第1單體之胺基發生於圖1及圖3A所示之反應1，產生於圖1、圖3B、圖3C所示之水解、脫水縮合，而在晶圓1被處理面上形成非芳香族聚醯亞胺膜2。
作為該第1單體，藉由使用烷氧基作為水解基，例如使用矽烷偶聯劑，可獲得提升聚合膜2朝晶圓1被處理面上的密合性的好處。
[第1單體]
接著說明可適用於本發明第1實施形態中的第1單體之例。
將具水解基的雙官能之非芳香族胺作為第1單體。以一級胺為佳。其理由在於，例如當為二級胺的情況時，難以在與酸酐之間的反應形成醯亞胺環。
此外，較佳以烷氧基作為水解基。其理由在於，若為烷氧基時，如上述，將可提高聚合膜與晶圓1被處理面之間的密合性。此外，有關於烷氧方面則可為甲氧基，亦可為乙氧基。在第1實施形態中雖為甲氧基，不過亦可加入乙氧基、或是僅有乙氧基。
此外，作為水解基，雖然並非一定為例如三烷氧基，但由更加良好促進三維交聯的觀點來看，以如三烷氧基這種具三個以上水解基者為佳。例如，單烷氧基便難以三維交聯。
此外，第1單體雖為烴基結構，但並未針對烴基的結構有所限定。在第1實施形態中的烴基雖為丙基，但並非限定為丙基。
於圖6A~圖6C中顯示可適用於本發明第1實施形態的幾個第1單體的例子。
作為第1單體之例，例如有：3-胺丙基三甲氧矽烷(圖6A)、3-胺丙基三乙氧基矽烷(圖6B)、N-2-(胺乙)-3-胺丙基三甲氧矽烷(圖6C)。
該等均為SC劑。當然，第1單體並非僅限於該等SC劑。
[聚合膜之成膜溫度]
接著說明聚合膜之成膜溫度的較佳範圍。
聚合膜之成膜溫度，在本例中為非芳香族聚醯亞胺膜2之成膜溫度的下限值，如同參照圖3B之已說明的內容，為在第1單體內發生水解的溫度。例如在室溫、例如20℃的條件下，第1單體內之水解也會發生。
此外，非芳香族聚醯亞胺膜2之成膜溫度的上限值，為不致使已成膜之非芳香族聚醯亞胺膜2熱分解的溫度。不過，亦假設有當成膜溫度過高時，超越被處理體之耐熱溫度(容許處理溫度)的情況。當成膜溫度超過被處理體之耐熱溫度的情況下，則不具實用性。如上，上限值亦會隨著被處理體的耐熱溫度而改變。例如，當被處理體為使用在半導體裝置製造中的晶圓，在考量依晶圓結構等所訂定之耐熱溫度的情況下，聚合膜最佳且具實用性之成膜溫度的上限值，例如為200℃。
據此，在第1實施形態中，聚合膜之成膜溫度的範圍之一例，係指在室溫以上形成之聚合膜不至於熱分解的溫度。此外，考慮被處理體之耐熱溫度的情況下，作為成膜溫度的範圍之一例為室溫以上、200℃以下。
此外，當欲更加促進參照圖3A或圖3C而說明之脫水縮合的情況下，亦可提高成膜溫度的下限值。可更加促進脫水縮合的溫度，例如為100~150℃。從而，作為考慮促進脫水縮合時的成膜溫度範圍之一例，為在100℃以上形成之聚合膜不至於熱分解的溫度。此外，當同時考慮促進脫水縮合與被處理體之耐熱溫度的情況下，作為成膜溫度範圍之一例為100℃以上、200℃以下。
(第2實施形態) [成膜裝置]
接著，以本發明第2實施形態，說明可實施有關本發明第1實施形態之聚合膜之成膜方法的成膜裝置之一例。
圖7為概略揭示有關本發明第2實施形態之成膜裝置之一例之剖面圖。如圖7所示，成膜裝置100為一種用以將被處理體在高度方向上多數片重疊堆積至晶舟上，進行成膜處理的縱型批次處理成膜裝置。成膜裝置100具備：有頂部之圓筒狀的外管101、設於外管101內側之有頂部之圓筒狀的內管102。外管101與內管102例如為石英製，內管102內側容納多數片例如為晶圓1之被處理體，將內管102內側作為處理室103，用以一次對多數片晶圓1實施聚合膜之成膜處理。在本例中，例如將聚醯亞胺膜作為聚合膜，使用氣相沈積聚合反應法而將聚醯亞胺膜成膜於晶圓1之被處理面上。
在內管102側壁一方，於高度方向，設置作為導入成膜處理氣體至處理室103內的氣體導入部，例如以垂直延伸的注射器104。注射器104於內部具備氣體擴散空間105。氣體擴散空間105為連接至成膜處理氣體供給機構106。
本例之成膜處理氣體供給機構106具備：成為含第2單體(雙官能之酸酐)之第2原料氣體之供給源的第2原料氣體供給源107a、以及成為含第1單體(具水解基的雙官能之非芳香族胺)之第1原料氣體之供給源的第1原料氣體供給源107b。
於第2原料氣體供給源107a中存放有液狀、或溶解於溶媒中的第2單體。第2單體為被送給至汽化器108。汽化器108使已接收的第2單體汽化。汽化器108連接至氣體供給管109。氣體供給管109連接至氣體擴散空間105。已汽化之第2單體係連同例如氮氣之載體氣體，通過氣體供給管109而供給至氣體擴散空間 105。已汽化之第1單體係通過設於注射器104的多數個吐出孔110，例如以水平方向吐出至處理室103的內部。
再者，成膜處理氣體供給機構106具備含第1單體之第1原料氣體供給源107b。第1原料氣體供給源107b構成為包含：保持例如SC劑之第1單體的保持容器、加熱被保持在保持容器中之SC劑而使其汽化的加熱裝置等。已汽化之SC劑連同例如氮氣之載體氣體送往供給噴嘴204。
供給噴嘴204例如以石英管所形成，歧管116之側壁向內側貫穿並朝上方彎曲而垂直延伸。含密合促進劑之第1原料氣體係由供給噴嘴204供給至處理室103內。
於內管102側壁之另一方，形成將處理室103內進行排氣的多數個排氣口111。多數個排氣口111分別連通至以外管101與內管102所區隔的空間。該空間的機能在於作為排氣空間112，排氣空間112係通過排氣管113，連接至將處理室103內進行排氣的排氣機構114。排氣機構114具備例如真空泵等之排氣裝置115，除了將處理室103內部之環境氣體進行排氣以外，還將處理室103內部之壓力設定成處理作業所需之必要壓力。
外管101之開放側端部(下端側)經由O型環等密封構件117而連接至例如以不鏽鋼成形為圓筒狀之歧管116。歧管116係支撐外管101之下端側。此外，內管102之開放側端部係連接至例如以鍔狀設於歧管116之內側周圍的內管支撐部118。
可多層載置多數片例如晶圓1之被處理體的晶舟150可由歧管116下方通過內管支撐部118之內側而插入處理室103內。晶舟150為石英製，具有多數根的支柱151，於支柱151多數形成有溝152，多數片晶圓1為藉由多數道溝152所支撐。
晶舟150經由石英製之保溫筒119而載置於台座120上。台座120被支撐於貫穿開閉歧管116之下端側的開口部例如不鏽鋼製之蓋部121的旋轉軸122上。蓋部121之有旋轉軸122貫穿的貫通部例如設有磁性流體密封件123，將旋轉軸122氣密密封的同時，以可旋轉狀地支撐。在蓋部121周邊部與歧管116下端之間，例如夾設有以O型環所形成的密封構件124。藉此維持處理室103內的密封性。旋轉軸122例如安裝至支撐於晶舟升降機等昇降機構(未圖示)的臂部125之前端。藉此，使得晶舟150及蓋部121等一體性地升降並對處理室103內進行插離作業。
於外管101之外側周圍以包圍外管101方式設有加熱裝置130。加熱裝置130將容納於處理室103內的多數片晶圓1加熱。
在成膜裝置100中連接有控制部300。控制部300具備例如由微處理機(電腦)所形成之處理控制器301，由處理控制器301進行成膜裝置100之各構成部的控制。處理控制器301連接使用者介面302與儲存部303。
使用者介面302具備：輸入部，包含觸控面板顯示器或鍵盤等，以便操作員進行用以管理成膜裝置100之指令的輸入操作等；以及顯示部，包含可見化顯示出成膜裝置100之運轉狀況的顯示器等。
儲存部103儲存有步驟配方(Process Recipe)，該步驟配方包含：利用處理控制器301的控制而實現以成膜裝置100所實施之成膜處理等各種處理的控制程式、或用以實施因應處理條件之處理的程式。步驟配方儲存在儲存部303中的儲存媒體。儲存媒體可為硬碟或半導體記憶體，亦可為CD-ROM、DVD、快閃記憶體等可攜性的媒體。此外，亦可從其他裝置，例如經由專用線路而適當的傳輸步驟配方。
因應需要，從來自使用者介面302之操作員的指示等而由儲存部303讀取步驟配方，以處理控制器301實施依據所讀取之步驟配方的處理，成膜裝置100依據處理控制器301的控制來實施所要求的處理。
有關本發明第1實施形態的聚合膜之成膜方法，可使用例如圖7所示的成膜裝置100來實施。
以上，雖已以幾個實施形態說明本發明，但本發明並非僅限定在上述實施形態，可在不脫離其主旨的範圍內實施各式各樣的變化。
例如，在上述實施形態中，作為實施本發明之成膜裝置，雖然舉例揭示將搭載多數片晶圓1以一次進行成膜之批次處理的成膜裝置100，但成膜裝置並非僅限定於批次處理，亦可使用分別對每一片晶圓1進行成膜的單晶圓處理的成膜裝置。
此外，作為被處理體，並非僅限定在晶圓1，本發明亦可適用於LCD玻璃基板等其他基板，此外本發明在不脫離其要旨的範圍內，可進行各式各樣的變化。
依據本發明可提供一種即使是非芳香族聚醯亞胺仍可在維持良好耐熱性的狀態下進行成膜的聚合膜之成膜方法及可實施該成膜方法的成膜裝置。
應注意的是，在本說明書中所揭示的全數實施形態，均作為例示之用，而非限制本發明。事實上，可利用多種形態具體實施上述實施形態。此外，上述實施形態在不脫離所附之申請專利範圍及其主旨的基礎上，亦可省略、置換、變更成各種形態。本發明的範圍包括所附之申請專利範圍及其均等含意及範圍內的所有變化。

Claims (11)

  1. 一種聚合膜之成膜方法，係使用含第1單體之第1原料氣體、以及含不同於該第1單體的第2單體之第2原料氣體，在被處理體之被處理面上形成聚合膜；包含以下步驟：供給該第1單體的步驟，該第1單體使用具烷氧基作為水解基的雙官能之非芳香族胺；供給該第2單體的步驟，該第2單體使用雙官能的酸酐；該聚合膜係重複進行下述反應而成膜：(1)使該第1單體中所含之胺基與該第2單體中所含之酸酐脫水縮合而聚合的反應；(2)使該第1單體中所含之該水解基水解的反應；(3)使該已水解之該第1單體彼此脫水縮合而聚合的反應。
  2. 如申請專利範圍第1項之聚合膜之成膜方法，其中該第1單體為一級胺。
  3. 如申請專利範圍第2項之聚合膜之成膜方法，其中該第1單體包含烷氧基矽烷。
  4. 如申請專利範圍第3項之聚合膜之成膜方法，其中該第1單體為矽烷偶聯劑。
  5. 如申請專利範圍第3項之聚合膜之成膜方法，其中該聚合膜為具有醯亞胺環與矽氧烷骨架的聚醯亞胺膜。
  6. 如申請專利範圍第1項之聚合膜之成膜方法，其中該聚合膜之成膜溫度為在室溫以上形成之聚合膜不至於熱分解的溫度。
  7. 一種聚合膜之成膜方法，係使用含第1單體之第1原料氣體、以及含不同於該第1單體的第2單體之第2原料氣體，在被處理體之被處理面上形成聚合膜；該聚合膜係重複進行下述反應而成膜：(1)使該第1單體與該第2單體脫水縮合而聚合的反應；(2)使該第1單體水解的反應；(3)使該已水解之該第1單體彼此脫水縮合而聚合的反應；該第1單體為具有烷氧基作為水解基的雙官能之非芳香族胺，該第2單體為雙官能之酸酐。
  8. 如申請專利範圍第7項之聚合膜之成膜方法，其中該第1單體為矽烷偶聯劑。
  9. 如申請專利範圍第8項之聚合膜之成膜方法，其中在該(1)的反應之前、或是在該(1)的反應中，具有以下反應：(4)該第1單體水解的反應；(5)該已水解之第1單體結合於該被處理體之被處理面的反應。
  10. 如申請專利範圍第7項之聚合膜之成膜方法，其中該聚合膜為具有醯亞胺環與矽氧烷骨架的聚醯亞胺膜。
  11. 如申請專利範圍第7項之聚合膜之成膜方法，其中該聚合膜之成膜溫度為在室溫以上形成之聚合膜不至於熱分解的溫度。
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