TWI600098B - 檢查多晶矽層之裝置與方法 - Google Patents

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Description

檢查多晶矽層之裝置與方法
此處所描述之技術大致有關於多晶矽層之檢查裝置與檢查技術方法。更精確地說，此處所描述之技術係有關於用以檢查多晶矽層之結晶度或晶粒之裝置，以及其檢查方法。
大部分的平板顯示裝置，例如有機發光二極體(OLED)顯示器、液晶(LCD)顯示器、及其相似物，包含有薄膜電晶體。更特別地，低溫多晶矽薄膜電晶體(LTPS TFT)具有良好的載子遷移率可應用於高速運算電路並可用於互補金氧半導體(CMOS)電路，因此低溫多晶矽薄膜電晶體已被廣泛地使用。
低溫多晶矽薄膜電晶體包含有藉由結晶無晶矽薄膜所形成之多晶矽薄膜。結晶無晶矽薄膜的方法包含固相結晶法、準分子雷射光束結晶法、以及金屬觸媒結晶法。
在各種的結晶法中，使用雷射光束的結晶法已被廣泛地使用。此種結晶法可於低溫中進行而使基板之熱效應相對較低，因此可製造具有較佳載子遷移率之多晶矽層，其載子遷移率可高達超過100cm2/Vs。
於此所揭露之上述資訊僅為增進了解所述技術之先前技術，因此其可能包含非形成所屬技術領域中具有通常知識者所了解之先前技術之資訊。
根據一實施例，係提供一種用以檢查多晶矽層之裝置，該多晶矽層係藉由於多晶矽層之前端接受激發雷射光束而結晶。該裝置包含有光源，其係設置以發射光束至多晶矽層之背面、光檢查器，其係設置以檢查由多晶矽層所反射之檢查光束、以及控制器，用以控制光源及光檢查器。
多晶矽層之前端可包含複數個結晶突起物。多晶矽層的背面可接觸緩衝層或基板，且平行於緩衝層或基板。
多晶矽層可由前端開始結晶。接近多晶矽層之背面之區域係為無晶或微晶狀態。
結晶多晶矽層之雷射光束可為準分子雷射光束。
緩衝層或基板可由包含矽之材料所製成。
緩衝層或基板與多晶矽層一起可具有大於5%的透光率。
多晶矽層可具有介於10奈米至300奈米的厚度。
檢查光束可包含紫外(UV)光、紅外線、以及雷射光束至少其一。
在多晶矽層之檢查光束中，具有小於50%之反射率之波長可用於測量。
檢查光束中，用於測量多晶矽層之波長可大於385奈米且等於或小於410奈米。
多晶矽層可藉由反射率測量、拉曼光譜測定法、以及分光橢圓儀之至少其一方式加以測量。
根據一實施例，其係提供一種用於檢查多晶矽層之方法。該多晶矽層係藉由於多晶矽層之前端接受激發雷射光束而結晶。該方法包含發射檢查光束至多晶矽層之背面，並且檢查與分析由多晶矽層所反射之檢查光束。
多晶矽層之前端可包含複數個結晶突起物，且多晶矽層之背面可接觸緩衝層或基板，且平行於緩衝層或基板。
多晶矽層可由前端開始結晶。接近多晶矽層之背面之區域可為無晶或微晶狀態。
結晶多晶矽層之雷射光束可為準分子雷射光束。
緩衝層或基板可由包含矽之材料所製成。
緩衝層或基板與多晶矽層一起可具有大於5%之透光率。
多晶矽層可具有介於10奈米至300奈米的厚度。
檢查光束可包含紫外(UV)光、紅外線、以及雷射光束至少其一。
在多晶矽層之檢查光束中，具有小於50%之反射率之波長可用於測量。
在檢查光束中，用於測量多晶矽層之波長可大於385奈米且等於或小於410奈米。
多晶矽層可藉由使用反射率測量、拉曼光譜測定法、以及分光橢圓儀之至少其一方式加以測量。
根據一實施例，其係提供一組合。該組合包含多晶矽層，其係藉由於多晶矽層之前端接受激發雷射雷射光束而結晶、以及檢查多晶矽層之裝置。其中，多晶矽層與檢查多晶矽層之裝置係互相排列，以使裝置之光源發射檢查光束至多晶矽層之背面，且檢查光束自多晶矽層反射後，裝置之光檢查器可檢查該檢查光束。並且其中此裝置包含控制器以控制光源與光檢查器。
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧多晶矽層
131‧‧‧完全結晶之多晶層
132‧‧‧無晶層
301、401‧‧‧多晶矽層檢查裝置
310、410‧‧‧光源
320、420‧‧‧光檢查器
350、450‧‧‧控制器
a‧‧‧無晶層之厚度
b‧‧‧緩衝層之厚度
c‧‧‧完全結晶之多晶層之厚度
IL、RL‧‧‧檢查光束
θ‧‧‧入射角
S001、S100、S200‧‧‧步驟
藉由參閱附圖詳細描述例示性實施例，該所屬技術領域中具有通常知識者將可更加了解上述及其他特徵與優點。其中：第1圖 係根據例示性實施例之多晶矽層檢查裝置之示意圖；第2圖 係根據例示性實施例之多晶矽層檢查方法之流程圖；第3圖與第4圖 係根據例示性實施例之多晶矽層檢查方法所獲得之結果圖；第5圖 係根據比較範例之多晶矽層檢查裝置之示意圖；第6圖 係為第5圖之多晶矽層檢查裝置所獲得之結果圖。
例示性實施例將參閱附圖於下文中更完整地描述，然而其可以不同形式實施且不應詮釋為僅限於此處所揭示之實施例。此外，此些實施例係提供以使揭露更加徹底與完整，並且對所屬技術領域中具有通常知識者更加完整地傳達本發明之範疇。
在圖式中，層及區域之尺寸將被誇大用以清晰說明。其將被了解的是，當層或元件被稱為在另一層或基板之「上」時，其可直接位於其他層或基板之上，或存在有中介層。其將更被了解的是，當層被稱為在另一層之「下」時，其可直接位於下方，或存在有一或多個中介層。此外，其將被了解的是，當層被稱為「介於」兩層之間時，其可為兩層間僅有之一層，或存在有一個或多個中介層。相似的元件符號代表相似的元件。
依據一例示性實施例之多晶矽層檢查裝置301將參閱第1圖加以描述。
如第1圖所示，多晶矽層檢查裝置301包含有光源310、光檢查器320、以及控制器350。
依據一例示性實施例，多晶矽層檢查裝置301所檢查之多晶矽層130，係藉由自多晶矽層之前端接收激發雷射光束而結晶。在這種情況之下，準分子雷射光束可用於檢查。此外，多晶矽層130係由其接受雷射光束的前端開始結晶，並且在結晶的過程中於前端形成複數個結晶突起。多晶矽層130之背面接觸緩衝層120或基板(圖未示)，並且平行於緩衝層120或基板。緩衝層120或基板可由包含矽(Si)之材料所製成。為了便於描述，第1圖顯示緩衝層120。除了緩衝層120外，基板可單獨存在，或緩衝層120或基板兩者皆可存在。
緩衝層120或基板與多晶矽層130一起具有超過5%之透光率。多晶矽層130可具有介於10奈米至300奈米的厚度。當透光率及厚度超過此範圍時，多晶矽層檢查裝置301可能無法準確地檢查多晶矽層130。
接近多晶矽層130背面之一預定區域可為無晶或微晶狀態。也就是說，多晶矽層130可包含完全結晶之多晶層131以及未完全結晶之無 晶層132。此外，除了無晶層132之外，微晶層(圖未示)亦可形成，或無晶層132與微晶層可互相混和。
在第1圖中，「a」表示無晶層132之厚度，「b」表示緩衝層120之厚度，且「c」表示完全結晶之多晶層131之厚度。
多晶矽層檢查裝置301可有效率地且精確地偵測多晶矽層130未完全結晶而仍為無晶或微晶之區域。
光源310發射檢查光束IL至多晶矽層130之背面。光檢查器320檢查由多晶矽層130反射之檢查光束RL。控制器350控制光源310與光檢查器320。也就是說，控制器350控制光源310之光以及分析光檢查器320所檢查之檢查光束RL。
在結晶的過程中，複數個結晶突起形成於多晶矽層130前端。多晶矽層130之前端具有相對較大之粗糙度。因此，若光源310發射檢查光束IL至多晶矽層130之前端，檢查光束IL可能被結晶突起所散射，並且難以讓多晶矽層檢查裝置310於穩定狀態中執行精確測量程序。
然而，依據本實施例之多晶矽層檢查裝置301係發射檢查光束IL至多晶矽層130之背面，也就是沒有結晶突起形成之平坦端，並且檢查多晶矽層130。因此，多晶矽層檢查裝置301可精確地及穩定地檢查多晶矽層130。
檢查光束IL可包含紫外光、紅外線以及雷射光束至少其一。檢查光束IL之種類依據所使用之測量方法而決定。
多晶矽層檢查裝置301使用反射率測量、拉曼光譜測定法、以及分光橢圓儀至少其一做為測量多晶矽層130之方法。也就是說，不同之方法可用於檢查光束IL發射至多晶矽層130之背面時。
檢查光束IL可依據測量方法以不同之入射角θ發射至多晶矽層130。
多晶矽層130可依據上述之設置而精確且穩定的檢查。
依據例示性之實施例之多晶矽層檢查方法將參照第1圖與第2圖描述。
藉由發射雷射光束至其前端而結晶之多晶矽層130將被提供(S001)。複數個結晶突起係形成於多晶矽層130之前端。檢查光束IL發射至多晶矽層130之背面(S100)。檢查光束IL其反射率小於50%之波長可用於多晶矽層130。詳細地說，用於測量多晶矽層之檢查光束IL之波長可大於385奈米並且小於410奈米。檢查與分析由多晶矽層130所反射之檢查光束RL(S200)。
藉由上述之多晶矽層檢查方法，多晶矽層130可被精確地與穩定地檢查。
依據例示性實施例，藉由使用多晶矽層檢查裝置301及測量方法測量多晶矽層130之反射率所獲得之實驗結果將參照第3圖與第4圖而描述。依據一例示性實施例之多晶矽層檢查方法，第3圖與第4圖顯示測量多晶矽層130反射率所獲得之結果圖。
在此實驗中，形成於二氧化矽緩衝層上之多晶矽層130，其反射率係藉由例示性實施例之多晶矽層檢查方法加以測量。在這種情況之下，檢查光束IL之入射角θ係為45度。
第一實驗中，在實驗範例1的狀況下，多晶矽層130包含厚度為40奈米的多晶層以及厚度為1奈米的無晶層。在實驗範例2的狀況下，多晶矽層130包含厚度為40奈米的多晶層以及厚度為10奈米的無晶層。實驗範 例1與實驗範例2具有相同的條件，除了多晶矽層130之無晶層具有不同之厚度。
如第3圖所示，實驗範例1與實驗範例2於波長385奈米至410奈米之間顯示截然不同的反射率。也就是說，實驗範例1之多晶矽層130具有相對較薄之無晶層，其反射率相對地小於實驗範例2之反射率。
因此，依據例示性實施例之多晶矽層檢查方法，多晶矽層130之結晶度可被精確檢查。詳細地說，其可能精確地並穩定地偵測多晶矽層中尚未完全結晶而仍為無晶層或微晶層之厚度。
當多晶矽層130藉由發射準分子雷射光束至無晶矽層且結晶該無晶矽層，隨著雷射光束之能量密度增加或是發射雷射光束之時間增加，結晶度亦隨之增加。然而，當雷射光束之能量密度或是發射雷射光束之時間過度增加時，由於結晶突起所造成之前端粗糙度會急遽地增加，並且在此過程中多晶矽層130之損失亦增加。另一方面，當雷射光束之能量密度或是發射雷射光束之時間過度增加時，結晶度會下降且無晶狀態之區域會增加。當多晶矽層130之結晶度大幅地下降時，可能無法提供多晶矽層130所需之特質。
依據例示性之實施例，藉由多晶矽層檢查裝置301與檢查方法，多晶矽層130之結晶度與晶粒可精確地與穩定地測量而不被結晶突起影響。
然而在實際情形中，尚未完全結晶而仍為無晶層或微晶層之厚度，可能無法均勻地形成於多晶矽層130中。下一個實驗係使用以不同能量密度之雷射光束所結晶之多晶矽層130而執行。
第二實驗中，在實驗範例3的情形下，係藉由發射能量密度為400mJ/cm2之雷射光束至無晶矽層而結晶多晶矽層130。在實驗範例4的情形下，係藉由發射能量密度為402mJ/cm2之雷射光束至無晶矽層而結晶多晶矽層130。除了雷射光束之能量密度不同外，實驗範例3與實驗範例4具有相同條件。具有厚度為300奈米之二氧化矽緩衝層120亦包含於其中，且多晶矽層130具有45奈米之厚度。檢查光束IL之入射角θ為45度。
如第4圖之實驗範例3與實驗範例4所示，能量密度之差異為2mJ/cm2且在整個波長中反射率可清楚地區別，尤其是介於380奈米至420奈米之間。藉由相對較低能量密度之雷射光束所結晶之多晶矽層130可測得較高之反射率。
依據多晶矽層檢查方法，由於使用不同能量密度之雷射光束以結晶多晶矽層130所造成之不同的反射率可精確地與穩定地測量。
第5圖係依據比較範例之多晶矽層檢查裝置401之示意圖。如第5圖所示，多晶矽層檢查裝置401包含有光源410、光檢查器420以及控制器450。依據比較範例，多晶矽層檢查裝置401發射檢查光束IL至多晶矽層130之前端，也就是說，形成複數個結晶突起之處。
第6圖係藉由使用第5圖之多晶矽層檢查裝置401測量多晶矽層130反射率所獲得之結果圖。
比較範例1顯示多晶矽層130反射率之測量結果，其與實驗範例3具有相同條件，除了檢查光束IL之入射方向不相同。此外，比較範例2顯示多晶矽層130反射率之測量結果，其與實驗範例4具有相同條件，除了檢查光束IL之入射方向不相同。
如第6圖之比較範例1與比較範例2所示，藉由能量密度相對較低或能量密度相對較高之雷射光束所結晶之多晶矽層130，其反射率無法清楚地區別，尤其在介於380奈米至420奈米的波長之間。藉由能量密度相對較低之雷射光束所結晶之多晶矽層130，於某些波長顯示較高之反射率，而藉由能量密度相對較高之雷射光束所結晶之多晶矽層130，於其他某些波長顯示較高之反射率。
總結與回顧上述說明，為了確認多晶矽層130是否已適當地結晶，檢查光束IL可發射至多晶矽層130以檢查多晶矽層130之結晶度與晶粒。
複數個結晶突起可形成於以雷射光束所結晶之多晶矽層130中。當雷射光束之強度被加強以增加多晶矽層之結晶度時，多晶矽層前端之粗糙度亦因結晶突起而增加。此處所揭露之實施例避開了結晶突起所造成之檢查光束之散射，因而當檢查多晶矽層130之結晶度與晶粒時可避免錯誤。
多晶矽層檢查裝置以及檢查方法可透過上述不同之實驗範例與比較範例而精確地與穩定地檢查多晶矽層。
當此揭露已描述目前視為可行之例示性實施例，其將被了解的是，本發明不僅限於所揭露之實施例，相反的，任何對其進行之修改或等效置換均應包含於後附申請專利範圍之精神與範疇中。
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧多晶矽層
131‧‧‧完全結晶之多晶層
132‧‧‧無晶層
301‧‧‧多晶矽層檢查裝置
310‧‧‧光源
320‧‧‧光檢查器
350‧‧‧控制器
a‧‧‧無晶層之厚度
b‧‧‧緩衝層之厚度
c‧‧‧完全結晶之多晶層之厚度
IL、RL‧‧‧檢查光束
θ‧‧‧入射角

Claims (22)

  1. 一種用於檢查多晶矽層之裝置，該多晶矽層藉由於該多晶矽層之一前端接收激發雷射光束而結晶，該裝置包含：一光源，其係設置以發射檢查光束至該多晶矽層之一背面，其中接近該多晶矽層之該背面之一區域係為無晶或微晶狀態；一光檢查器，其係設置以從該多晶矽層之該背面檢查由該多晶矽層所反射之該檢查光束；以及一控制器，其係用以控制該光源與該光檢查器。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該多晶矽層之該前端包含複數個結晶突起；以及該多晶矽層之該背面接觸一緩衝層或一基板並且平行於該緩衝層或該基板。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中：該多晶矽層係由該前端開始結晶。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中結晶該多晶矽層之該雷射光束係為準分子雷射光束。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中該緩衝層或該基板係由包含矽之一材料所製成。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中該緩衝層或該基板與該多晶矽層一起具有大於5%之透光率。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該多晶矽層具有介於10奈米至300奈米之間的厚度。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該檢查光束包含紫外光、紅外線、以及雷射光束至少其一。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之裝置，其中在該多晶矽層之該檢查光束中，具有反射率小於50%之波長係用於測量。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之裝置，其中該檢查光束中用以測量該多晶矽層之波長係大於385奈米且等於或小於410奈米。
  11. 如申請專利請範圍第8項所述之裝置，其中該多晶矽層係藉由反射率測量、拉曼光譜測定法、以及分光橢圓儀之至少其一方法加以測量。
  12. 一種用於測量多晶矽層之方法，該多晶矽層係藉由自該多晶矽層之一前端接收激發雷射光束而結晶，該方法包含：發射檢查光束至該多晶矽層之一背面，其中接近該多晶矽層之該背面之一區域係為無晶或微晶狀態；及由該多晶矽層之該背面檢查並分析自該多晶矽層所反射之該檢查光束。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中：該多晶矽層之該前端包含複數個結晶突起；以及 該多晶矽層之該背面接觸一緩衝層或一基板，且平行於該緩衝層或該基板。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中：該多晶矽層係由該前端開始結晶。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中結晶該多晶矽層之該雷射光束係為準分子雷射光束。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該緩衝層或該基板係由包含矽之材料所製成。
  17. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該緩衝層或該基板與該多晶矽層一起具有大於5%之透光率。
  18. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該多晶矽層具有介於10奈米至300奈米之間的厚度。
  19. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該檢查光束包含紫外光、紅外線、以及雷射光束至少其一。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中在該多晶矽層之該檢查光束中，具有反射率小於50%之波長係用於測量。
  21. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該檢查光束中用以測量該多晶矽層之波長係大於385奈米且等於或小於410奈米。
  22. 如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該多晶矽層係藉由使用反射率測量、拉曼光譜測定法、以及分光橢圓儀之至少其一方法加以測量。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102068741B1 (ko) * 2013-06-04 2020-01-22 삼성디스플레이 주식회사 다결정 규소막의 검사 방법
KR101432156B1 (ko) * 2013-06-14 2014-08-20 에이피시스템 주식회사 기판 처리 방법
KR102253448B1 (ko) 2015-03-27 2021-05-20 삼성디스플레이 주식회사 레이저 결정화 장치 및 이를 이용한 결정층을 갖는 기판의 제조방법
TWI612293B (zh) 2016-11-18 2018-01-21 財團法人工業技術研究院 Ｌｔｐｓ背板結晶品質檢測裝置及其方法
CN107367479A (zh) * 2017-07-11 2017-11-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种固体薄膜检测装置
KR102435764B1 (ko) * 2017-11-17 2022-08-24 삼성디스플레이 주식회사 레이저 결정화 돌기의 제거 장치 및 방법
CN113058674B (zh) * 2021-04-22 2022-07-05 江苏天翎仪器有限公司 一种稳定型低温恒温槽

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5293216A (en) * 1990-12-31 1994-03-08 Texas Instruments Incorporated Sensor for semiconductor device manufacturing process control
JPH10144621A (ja) * 1996-09-10 1998-05-29 Toshiba Corp 多結晶シリコンの製造方法、半導体装置の製造方法、液晶表示装置の製造方法、及びレーザアニール装置
TW495631B (en) 1998-02-06 2002-07-21 Toshiba Corp Method and system for inspecting polycrystalline semiconductor film
WO2001061734A1 (fr) * 2000-02-15 2001-08-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Film polycristallin, substrat assorti d'un film polycristallin, procede et appareil de production dudit film, procede et appareil d'inspection dudit film, transistor a couche mince, reseau de transistors a couche mince et afficheur d'image utilisant ledit reseau
JP2001308009A (ja) * 2000-02-15 2001-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非単結晶膜、非単結晶膜付き基板、その製造方法及びその製造装置並びにその検査方法及びその検査装置並びにそれを用いた薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置
JP4121735B2 (ja) 2001-01-22 2008-07-23 ソニー株式会社 ポリシリコン膜評価装置
KR20020092231A (ko) 2001-06-01 2002-12-11 가부시끼가이샤 도시바 막질 검사 방법과 막질 검사 장치
JP4135347B2 (ja) * 2001-10-02 2008-08-20 株式会社日立製作所 ポリシリコン膜生成方法
TW564513B (en) 2002-10-21 2003-12-01 Au Optronics Corp Testing apparatus for polysilicon thin film crystal quality, test and control method thereof
TW586173B (en) 2002-11-29 2004-05-01 Au Optronics Corp Method of monitoring a laser crystallization process
TWI254792B (en) 2003-07-01 2006-05-11 Au Optronics Corp Detecting method and device of laser crystalline silicon
JP2005129679A (ja) 2003-10-23 2005-05-19 Toray Eng Co Ltd 光学的測定方法およびその装置およびそれを用いた結晶膜付き液晶基板の製造方法。
KR100623250B1 (ko) 2004-02-11 2006-09-18 삼성에스디아이 주식회사 다결정 실리콘 검사장치 및 방법
JP4537131B2 (ja) * 2004-06-30 2010-09-01 友達光電股▲ふん▼有限公司 レーザー結晶シリコンの検査方法及びその装置
JP4575886B2 (ja) * 2006-02-14 2010-11-04 シャープ株式会社 多結晶半導体ウエハの割れ検査装置および割れ検査方法
JP4882067B2 (ja) * 2006-08-24 2012-02-22 国立大学法人東京農工大学 絶対反射率の測定方法及び測定装置
JP2010182841A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Sony Corp 半導体薄膜の形成方法および半導体薄膜の検査装置

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