KR20120025300A - 다결정 규소막 검사 장치 및 검사 방법 - Google Patents

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KR20120025300A
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Abstract

다결정 규소막 검사 장치 및 검사 방법에서, 본 발명의 실시예에 다결정 규소막 검사 장치는 레이저를 전면(前面)에 조사받아 결정화된 다결정 규소막을 검사한다. 그리고 다결정 규소막 검사 장치는 상기 다결정 규소막의 상기 전면에 반대되는 배면(背面)으로 검사광을 출사하는 광원부와, 상기 다결정 규소막에서 반사된 검사광을 검광하는 검광부, 그리고 상기 광원부와 상기 검광부를 제어하는 제어부를 포함한다.

Description

다결정 규소막 검사 장치 및 검사 방법{APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING POLYCRYSTAL SILICON LAYER}
본 발명의 실시예는 다결정 규소막 검사 장치 및 검사 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 다결정 규소막의 결정화도 또는 결정 입자를 검사하는 검사 장치 및 검사 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display) 및 액정 표시 장치(liquid crystal display) 등과 같은 대부분의 평판형 표시 장치들은 박막 트랜지스터(thin film transistor)를 포함한다. 특히, 저온 다결정 규소 박막 트랜지스터(LTPS TFT)는 전자 이동도(carrier mobility)가 우수하여 고속 동작 회로에 적용이 가능하며 CMOS 회로 구성도 가능하다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다.
저온 다결정 규소 박막 트랜지스터는 비정질 규소막을 결정화시켜 형성된 다결정 규소막을 포함한다. 비정질 규소막을 결정화하는 방법은 고상 결정화법(solid phase crystallization), 엑시머 레이저 결정화법(excimer laser crystallization), 및 금속 촉매를 이용한 결정화 방법 등이 있다.
다양한 결정화 방법 중 레이저를 이용한 결정화 방법은 저온 공정이 가능하여 상대적으로 기판에 미치는 열적 영향이 적고, 100cm2/Vs 이상의 상대적으로 높은 전자 이동도를 갖는 우수한 특성의 다결정 규소막을 만들 수 있기 때문에 널리 이용되고 있다.
한편, 다결정 규소막이 적절하게 결정화되었는지 확인하기 위하여, 다결정 규소막에 검사광을 조사하여 다결정 규소막의 결정화도 또는 결정 입자를 검사하고 있다.
하지만, 레이저를 조사받아 결정화된 다결정 규소막에는 다수의 결정화 돌기들이 형성된다. 그리고 다결정 규소막의 결정화도를 높이기 위해 레이저의 강도를 높일수록 결정화 돌기들에 의한 표면 거칠기가 증가한다. 이러한 다수의 결정화 돌기들은 검사광을 산란시켜 다결정 규소막의 결정화도 또는 결정 입자를 검사하는 과정에서 오차를 발생시키는 원인이 된다.
본 발명의 실시예는 레이저를 조사받아 결정화된 다결정 규소막을 정밀하고 안정적으로 검사할 수 있는 다결정 규소막 검사 장치 및 검사 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 다결정 규소막 검사 장치는 레이저를 전면(前面)에 조사받아 결정화된 다결정 규소막을 검사한다. 그리고 다결정 규소막 검사 장치는 상기 다결정 규소막의 상기 전면에 반대되는 배면(背面)으로 검사광을 출사하는 광원부와, 상기 다결정 규소막에서 반사된 검사광을 검광하는 검광부, 그리고 상기 광원부와 상기 검광부를 제어하는 제어부를 포함한다.
상기 다결정 규소막의 상기 전면은 결정화되면서 형성된 다수의 결정화 돌기들을 포함하며, 상기 다결정 규소막의 상기 배면은 버퍼층 또는 기판과 접하여 평평하게 형성될 수 있다.
상기 다결정 규소막은 상기 전면부터 결정화되고, 상기 다결정 규소막의 배면에 인접한 일부 영역은 비정질(amorphous) 또는 미세결정(microcrystal) 상태일 수 있다.
상기 다결정 규소막을 결정화시킨 상기 레이저는 엑시머 레이저(excimer laser)일 수 있다.
상기 버퍼층 또는 상기 기판은 규소를 포함한 소재로 만들어질 수 있다.
상기 다결정 규소막과 함께 상기 버퍼층 또는 상기 기판은 5% 이상의 광투과율을 가질 수 있다.
상기 다결정 규소막은 10nm 내지 300nm 범위 내의 두께를 가질 수 있다.
상기한 다결정 규소막 검사 장치에서, 상기 검사광은 자외선, 적외선, 및 레이저 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 검사광 중 상기 다결정 규소막에서 50% 이하의 반사율을 갖는 파장대가 측정에 사용될 수 있다.
상기 검사광 중 상기 다결정 규소막의 측정에 사용되는 파장대는 385nm 보다 크고 410nm 보다 작거나 같을 수 있다.
상기 다결정 규소막을 반사율 측정법(reflectivity measurements), 라만 분광법(Raman spectroscopy), 및 타원편광 분광법(spectroscopic ellipsometry) 중 하나 이상의 방법으로 측정할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 다결정 규소막 검사 방법은 레이저를 전면(前面)에 조사받아 결정화된 다결정 규소막을 검사한다. 그리고 하는 다결정 규소막 검사 방법은 상기 다결정 규소막의 상기 전면에 반대되는 배면(背面)으로 검사광을 출사하는 단계와, 상기 다결정 규소막에서 반사된 검사광을 검광하여 분석하는 단계를 포함한다.
상기 다결정 규소막의 상기 전면은 결정화되면서 형성된 다수의 결정화 돌기들을 포함하며, 상기 다결정 규소막의 상기 배면은 버퍼층 또는 기판과 접하여 평평하게 형성될 수 있다.
상기 다결정 규소막은 상기 전면부터 결정화되고, 상기 다결정 규소막의 배면에 인접한 일부 영역은 비정질(amorphous) 또는 미세결정(microcrystal) 상태일 수 있다.
상기 다결정 규소막을 결정화시킨 상기 레이저는 엑시머 레이저(excimer laser)일 수 있다.
상기 버퍼층 또는 상기 기판은 규소를 포함한 소재로 만들어질 수 있다.
상기 다결정 규소막과 함께 상기 버퍼층 또는 상기 기판은 5% 이상의 광투과율을 가질 수 있다.
상기 다결정 규소막은 10nm 내지 300nm 범위 내의 두께를 가질 수 있다.
상기한 다결정 규소막 검사 방법에서, 상기 검사광은 자외선, 적외선, 및 레이저 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 검사광 중 상기 다결정 규소막에서 50% 이하의 반사율을 갖는 파장대가 측정에 사용될 수 있다.
상기 검사광 중 상기 다결정 규소막의 측정에 사용되는 파장대는 385nm 보다 크고 410nm 보다 작거나 같을 수 있다.
상기 다결정 규소막을 반사율 측정법(reflectivity measurements), 라만 분광법(Raman spectroscopy), 및 타원편광 분광법(spectroscopic ellipsometry) 중 하나 이상의 방법으로 측정할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 장치 및 검사 방법을 통하여 다결정 규소막을 정밀하고 안정적으로 검사할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 장치를 나타낸 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 방법을 나타낸 순서도이다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 방법으로 측정한 그래프들이다.
도 5는 비교예에 따른 다결정 규소막 검사 장치를 나타낸 구성도이다.
도 6은 도 5의 다결정 규소막 검사 장치로 측정한 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
또한, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 장치(301)를 설명한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 다결정 규소막 검사 장치(301)는 광원부(310), 검광부(320), 및 제어부(350)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 장치(301)를 사용하여 검사받는 다결정 규소막(130)은 레이저를 전면(前面)에 조사받아 결정화된다. 이때, 레이저는 엑시머 레이저(excimer laser)가 사용된다. 또한, 다결정 규소막(130)은 레이저를 조사받은 전면부터 결정화되며, 결정화되면서 전면에 다수의 결정화 돌기들이 형성된다. 반면, 다결정 규소막(130)의 전면에 반대되는 배면은 버퍼층(120) 또는 기판(미도시)과 접하여 평평하게 형성된다. 버퍼층(120) 또는 기판은 규소(Si)를 포함한 소재로 만들어진다. 도 1에서는 편의상 버퍼층(120)을 도시하였으나, 버퍼층(120) 대신 기판을 포함하거나, 버퍼층(120)과 기판을 모두 포함할 수도 있다.
다결정 규소막(130)과 함께 버퍼층(120) 또는 기판은 5% 이상의 광투과율을 갖는다. 또한, 다결정 규소막(130)은 10nm 내지 300nm 범위 내의 두께를 갖는다. 광투과율 및 두께가 전술한 범위를 벗어나면, 다결정 규소막 검사 장치(301)가 다결정 규소막(130)을 정확하게 검사할 수 없다.
또한, 다결정 규소막(130)의 배면에 인접한 일부 영역은 비정질(amorphous) 또는 미세결정(microcrystal) 상태일 수 있다. 즉, 다결정 규소막(130)은 완전히 결정화된 다결정층(131)과, 결정화되지 않고 남은 비정질층(132)을 포함한다. 또한, 비정질층(132) 대신 미세결정층(미도시)이 형성되거나, 비정질층(132)과 미세결정이 혼합된 형태로 존재할 수도 있다.
도 1에서, a는 비정질층의 두께, b는 버퍼층의 두께, 그리고 c는 다결정층의 두께를 나타낸다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 장치(301)는 다결정 규소막(130)이 완전히 결정화되지 않고 비정질 또는 미세결정 상태로 남은 영역을 효과적으로 정밀하게 파악할 수 있다.
광원부(310)는 다결정 규소막(130)의 배면으로 검사광(IR)을 출사한다. 검광부(320)는 다결정 규소막(130)에서 반사된 검사광(RL)을 검광한다. 그리고 제어부(350)는 광원부(310) 및 검광부(320)를 제어한다. 즉, 제어부(350)는 광원부(310)의 광량을 조절하고 검광부(320)에서 검광된 검사광을 분석하는 등의 역할을 수행할 수 있다.
다결정 규소막(130)의 전면에는 다수의 결정화 돌기들이 형성된다. 즉, 다결정 규소막(130)의 전면은 상대적으로 표면 거칠기가 높다. 따라서, 광원부(310)가 다결정 규소막(130)의 전면으로 검사광(IL)을 출사하면, 다수의 결정화 돌기들에 의해 검사광(IL)이 산란되어 다결정 규소막 검사 장치(301)가 정밀한 측정을 안정적으로 수행하기 어렵다.
하지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 장치(301)는 다결정 규소막(130)의 배면, 즉 다수의 결정화 돌기들이 형성되지 않고 평평하게 형성된 면으로 검사광(IL)을 조사하여 다결정 규소막(130)을 검사한다. 따라서, 다결정 규소막 검사 장치(301)는 다결정 규소막(130)을 정밀하고 안정적으로 검사할 수 있다.
검사광(IL)은 자외선, 적외선, 및 레이저 중 하나 이상을 포함한다. 검사광(IL)의 종류는 사용되는 측정 방법에 따라 달라질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 장치(301)는 다결정 규소막(130)을 측정하는 방법으로 반사율 측정법(reflectivity measurements), 라만 분광법(Raman spectroscopy), 및 타원편광 분광법(spectroscopic ellipsometry) 등과 같이 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법들 중 하나 이상의 방법을 사용할 수 있다. 즉, 측정 방법으로는 다결정 규소막(130)의 배면으로 검사광(IL)을 조사할 수 있다면, 해당 기술 분야의 종사자에게 공지된 다양한 방법이 적용될 수 있다.
또한, 검사광(IL)은 측정 방법에 따라 다양한 입사각(θ)으로 다결정 규소막(130)에 조사될 수 있다.
이와 같은 구성에 의하여, 다결정 규소막(130)을 정밀하고 안정적으로 검사할 수 있다.
이하, 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 방법을 설명한다.
먼저, 레이저를 전면(前面)에 조사받아 결정화된 다결정 규소막(130)을 마련한다(S001). 이때, 다결정 규소막(130)의 전면에는 다수의 결정화 돌기들이 형성된다. 다음, 다결정 규소막(130)의 전면에 반대되는 배면(背面)에 검사광(IL)을 출사한다(S100). 이때, 다결정 규소막(130)에서 50% 이하의 반사율을 갖는 검사광(IL)의 파장대가 측정에 사용된다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시예에서, 검사광(IL) 중 다결정 규소막의 측정에 사용되는 파장대는 385nm보다 크고 410nm 보다 작다. 다음, 다결정 규소막(130)에서 반사된 검사광(RL)을 검광하여 분석한다(S200).
이상과 같은 다결정 규소막 검사 방법을 통하여, 다결정 규소막(130)을 정밀하고 안정적으로 검사할 수 있다.
이하, 도 3 및 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 장치 및 검사 방법을 사용하여 다결정 규소막의 반사율을 측정한 실험을 살펴본다. 도 3 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 방법으로 다결정 규소막의 반사율을 측정한 그래프들이다.
실험들은 산화규소(SiO2)로 만들어진 버퍼층 위에 형성된 다결정 규소막의 반사율을 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 방법으로 측정하는 방법으로 진행되었다. 이때, 검사광의 입사각은 45도이다.
첫번째 실험에서, 실험예1의 경우 다결정 규소막은 40nm 두께의 다결정층과 1nm 두께의 비정질층을 포함한다. 반면, 실험예2의 경우 다결정 규소막은 40nm 두께의 다결정층과 10nm의 비정질층을 포함한다. 다결정 규소막의 비정질층의 두께를 제외하면 실험예1과 실험예2는 동일한 조건을 갖는다.
도 3에 나타난 바와 같이, 실험예1의 그래프와 실험예2의 그래프는 385nm와 410nm 사이의 파장대에서 반사율이 확연히 구분됨을 알 수 있다. 즉, 비정질층의 두께가 상대적으로 얇았던 실험예1의 반사율이 실험예2보다 상대적으로 낮음을 알 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 방법에 따르면, 다결정 규소막의 결정화도를 정밀하게 검사할 수 있다. 구체적으로, 다결정 규소막에 완전히 결정화되지 않고 비정질 또는 미세결정 상태로 남아 있는 층의 두께가 어느 정도인지 정밀하고 안정적으로 파악할 수 있다.
비정질 규소막에 엑시머 레이저를 조사하여 결정화시켜 다결정 규소막을 형성하는 과정에서 레이저의 에너지 밀도를 높이거나 레이저 조사 시간을 늘릴수록 결정화도가 증가한다. 하지만, 레이저의 에너지 밀도나 레이저 조사 시간을 지나치게 늘리면 결정화 돌기에 의한 표면 거칠기가 급격히 증가하고, 공정 상의 손실이 증가된다. 반면, 레이저의 에너지 밀도나 레이저 조사 시간을 지나치게 줄이면, 결정화도가 떨어져 비정질 상태로 남는 영역이 증가된다. 다결정 규소막의 결정화도가 너무 낮아지면, 요구되는 특성을 만족시킬 수 없게 된다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 장치 및 검사 방법에 따르면, 결정화 돌기의 영향을 받지 않고 다결정 규소막의 결정화도 및 결정 입자를 정밀하고 안정적으로 측정할 수 있다.
하지만, 실제로 다결정 규소막에서 완전히 결정화되지 않고 비정질 또는 미세결정 상태로 남는 층의 두께가 균일하게 형성되는 것은 아니다. 이에, 다음의 실험은 결정화에 사용된 레이저의 에너지 밀도를 달리한 다결정 규소막들로 진행하였다.
두번째 실험에서, 실험예3의 경우 다결정 규소막은 비정질 규소막에 400mJ/cm2의 에너지 밀도로 레이저를 조사하여 결정화되었다. 반면, 실험예 4의 경우 다결정 규소막은 비정질 규소막에 402mJ/cm2의 에너지 밀도로 레이저를 조사하여 결정화되었다. 레이저의 에너지 밀도를 제외하면, 실험예3과 실험예4는 동일한 조건을 갖는다. 그리고 산화규소로 만들어진 300nm 두께의 버퍼층을 포함하며, 다결정 규소막은 45nm의 두께를 갖는다. 검사광의 입사각은 45도이다.
도 4의 실험예3의 그래프와 실험예4의 그래프에서 나타난 바와 같이, 에너지 밀도 차이가 2mJ/cm2 임에도 대체로 전 파장대에 걸쳐, 특히 380nm 내지 420nm 범위 안에서 반사율이 명확히 구분됨을 알 수 있다. 즉, 상대적으로 낮은 에너지 밀도의 레이저를 통해 결정화된 다결정 규소막의 반사율이 전체적으로 높게 측정됨을 알 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 방법에 따르면, 다결정 규소막의 결정화에 사용된 레이저의 에너지 밀도에 따른 차이를 정밀하고 안정적으로 측정할 수 있다.
도 5는 비교예에 따른 다결정 규소막 검사 장치(401)를 나타낸다. 비교예에 따른 다결정 규소막 검사 장치(401)는 다결정 규소막(130)의 전면, 즉 다수의 결정화 돌기가 형성된 면으로 검사광(IL)을 조사한다.
도 6은 도 5의 다결정 규소막 검사 장치(401)를 사용하여 다결정 규소막(130)을 측정한 그래프이다.
비교예1은 검사광의 조사 방향을 제외하면, 실험예3과 동일한 조건으로 다결정 규소막의 반사율을 측정하였다. 또한, 비교예2는 검사광의 조사 방향을 제외하면, 실험에4와 동일한 조건으로 다결정 규소막의 반사율을 측정하였다.
도 6의 비교예1의 그래프와 비교예2의 그래프에서 나타난 바와 같이 상대적으로 낮은 에너지 밀도의 레이저를 통해 결정화된 다결정 규소막의 반사율과 상대적으로 높은 에너지 밀도의 레이저를 통해 결정화된 다결정 규소막의 반사율을 특히 380nm 내지 420nm 범위 안에서 명확히 구분할 수 없다. 즉, 일부 파장대에서는 상대적으로 낮은 에너지 밀도의 레이저를 통해 결정화된 다결정 규소막의 반사율이 높게 나타나지만, 다른 일부 파장대에서는 상대적으로 높은 에너지 밀도의 레이저를 통해 결정화된 다결정 규소막의 반사율이 낮게 나타남을 알 수 있다.
전술한 여러 실험예들 및 비교예들을 통하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 장치 및 검사 방법이 다결정 규소막을 정밀하고 안정적으로 검사할 수 있음을 확인할 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
120: 버퍼층 130: 다결정 규소막
301; 다결정 규소막 검사 장치 310: 광원부
320: 검광부 350: 제어부
IL: 검사광

Claims (22)

  1. 레이저를 전면(前面)에 조사받아 결정화된 다결정 규소막을 검사하는 다결정 규소막 검사 장치에 있어서,
    상기 다결정 규소막의 상기 전면에 반대되는 배면(背面)으로 검사광을 출사하는 광원부;
    상기 다결정 규소막에서 반사된 검사광을 검광하는 검광부; 및
    상기 광원부와 상기 검광부를 제어하는 제어부
    를 포함하는 다결정 규소막 검사 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 다결정 규소막의 상기 전면은 결정화되면서 형성된 다수의 결정화 돌기들을 포함하며,
    상기 다결정 규소막의 상기 배면은 버퍼층 또는 기판과 접하여 평평하게 형성된 다결정 규소막 검사 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 다결정 규소막은 상기 전면부터 결정화되고,
    상기 다결정 규소막의 배면에 인접한 일부 영역은 비정질(amorphous) 또는 미세결정(microcrystal) 상태인 다결정 규소막 검사 장치.
  4. 제2항에서,
    상기 다결정 규소막을 결정화시킨 상기 레이저는 엑시머 레이저(excimer laser)인 다결정 규소막 검사 장치.
  5. 제2항에서,
    상기 버퍼층 또는 상기 기판은 규소를 포함한 소재로 만들어진 다결정 규소막 검사 장치.
  6. 제2항에서,
    상기 다결정 규소막과 함께 상기 버퍼층 또는 상기 기판은 5% 이상의 광투과율을 갖는 다결정 규소막 검사 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 다결정 규소막은 10nm 내지 300nm 범위 내의 두께를 갖는 다결정 규소막 검사 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,
    상기 검사광은 자외선, 적외선, 및 레이저 중 하나 이상을 포함하는 다결정 규소막 검사 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 검사광 중 상기 다결정 규소막에서 50% 이하의 반사율을 갖는 파장대가 측정에 사용되는 다결정 규소막 검사 장치.
  10. 제8항에서,
    상기 검사광 중 상기 다결정 규소막의 측정에 사용되는 파장대는 385nm 보다 크고 410nm 보다 작거나 같은 다결정 규소막 검사 장치.
  11. 제8항에서,
    상기 다결정 규소막을 반사율 측정법(reflectivity measurements), 라만 분광법(Raman spectroscopy), 및 타원편광 분광법(spectroscopic ellipsometry) 중 하나 이상의 방법으로 측정하는 다결정 규소막 검사 장치.
  12. 레이저를 전면(前面)에 조사받아 결정화된 다결정 규소막을 검사하는 다결정 규소막 검사 방법에 있어서,
    상기 다결정 규소막의 상기 전면에 반대되는 배면(背面)으로 검사광을 출사하는 단계; 및
    상기 다결정 규소막에서 반사된 검사광을 검광하여 분석하는 단계
    를 포함하는 다결정 규소막 검사 방법.
  13. 제12항에서,
    상기 다결정 규소막의 상기 전면은 결정화되면서 형성된 다수의 결정화 돌기들을 포함하며,
    상기 다결정 규소막의 상기 배면은 버퍼층 또는 기판과 접하여 평평하게 형성된 다결정 규소막 검사 방법.
  14. 제13항에서,
    상기 다결정 규소막은 상기 전면부터 결정화되고,
    상기 다결정 규소막의 배면에 인접한 일부 영역은 비정질(amorphous) 또는 미세결정(microcrystal) 상태인 다결정 규소막 검사 방법.
  15. 제13항에서,
    상기 다결정 규소막을 결정화시킨 상기 레이저는 엑시머 레이저(excimer laser)인 다결정 규소막 검사 방법.
  16. 제13항에서,
    상기 버퍼층 또는 상기 기판은 규소를 포함한 소재로 만들어진 다결정 규소막 검사 방법.
  17. 제13항에서,
    상기 다결정 규소막과 함께 상기 버퍼층 또는 상기 기판은 5% 이상의 광투과율을 갖는 다결정 규소막 검사 방법.
  18. 제12항에서,
    상기 다결정 규소막은 10nm 내지 300nm 범위 내의 두께를 갖는 다결정 규소막 검사 방법.
  19. 제12항 내지 제18항 중 어느 한 항에서,
    상기 검사광은 자외선, 적외선, 및 레이저 중 하나 이상을 포함하는 다결정 규소막 검사 방법.
  20. 제19항에서,
    상기 검사광 중 상기 다결정 규소막에서 50% 이하의 반사율을 갖는 파장대가 측정에 사용되는 다결정 규소막 검사 방법.
  21. 제19항에서,
    상기 검사광 중 상기 다결정 규소막의 측정에 사용되는 파장대는 385nm 보다 크고 410nm 보다 작거나 같은 다결정 규소막 검사 방법.
  22. 제19항에서,
    상기 다결정 규소막을 반사율 측정법(reflectivity measurements), 라만 분광법(Raman spectroscopy), 및 타원편광 분광법(spectroscopic ellipsometry) 중 하나 이상의 방법으로 측정하는 다결정 규소막 검사 방법.
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