KR101432156B1 - 기판 처리 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판을 정렬하여 결정화를 수행하는 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 레이저 빔의 결정화 패턴의 위치가 정확하게 이루어지도록 하는 기판 처리 방법이다. 본 발명의 실시 형태는 제1기판에 표시된 정렬 마크와 미리 설정된 기준점이 서로 일치하도록 상기 제1기판을 제1기판 시작 위치로 정렬시키는 제1기판 정렬 과정과, 상기 제1기판을 왕복 이송하며, 제1기판의 결정화 대상 영역에 레이저 빔을 조사하여 결정화 패턴을 형성하는 결정화 패터닝 과정과, 상기 제1기판의 결정화 패턴의 가장자리와 정렬 마크의 중심점까지의 이격 거리에 따라서 보정 편차를 산출하고, 상기 보정 편차를 반영한 보정 기준점을 산출하는 보정 기준점 산출 과정과, 제1기판을 배출한 후 챔버 내로 로딩되는 제2기판의 정렬 마크를 상기 보정 기준점과 서로 일치하도록 정렬하는 제2기판 정렬 과정을 포함한다.
Description
본 발명은 기판을 정렬하여 결정화를 수행하는 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 레이저 빔의 결정화 패턴의 위치가 정확하게 이루어지도록 하는 기판 처리 방법이다.
기판을 결정화하는 방법으로는 SLS(Sequential Lateral Solidification) 및 ELA(Eximer Laser Annealing) 등이 있다.
SLS 방법은 측면 성장을 유도하여 단결정에 가까운 결정을 얻는 방법으로서, 이렇게 해서 얻어진 결정은 큰 전계 효과 이동도를 갖는다. 그러나, 조사되는 레이저 빔의 에너지 의존도가 높아 공정 마진이 크지 않고, 기판이 안착되는 스테이지의 정밀도가 공정에 크게 영향을 미치기 때문에, 기판 전체에 대해 균일한 결과를 얻기 어려운 단점이 있다.
ELA 방법은 수직(vertical) 성장을 유도하는 방법으로서, SLS 방법에 비하여 결정화 특성은 떨어지나, 기판 전체에 대한 균일도가 우수한 장점이 있어, 많이 사용되고 있는 방법이다.
일반적인 ELA 장치는 공정 챔버, 공정 챔버 내부에 설치되어 기판을 안치하며 상기 기판을 공정 진행 방향으로 수평 이동시키는 기판 이송부, 공정 챔버의 상부에 장착된 투명창, 공정 챔버 외부에 배치되어 레이저를 방출하는 레이저 모듈 및 공정 챔버 외부에서 투명창의 상측에 대향 배치되어 레이저 모듈로부터 방출된 레이저가 투명창으로 향하도록 하는 반사경을 포함한다.
이러한 ELA 장치를 이용한 결정화 방법을 간략히 설명하면 하기와 같다. 먼저, 레이저 발생부로부터 레이저가 출사되면, 상기 레이저는 반사경에 의해 반사되어 투명창을 투과한 후, 기판 표면에 입사된다. 예컨대, 기판으로 상부면에 비정질 실리콘층이 형성된 것을 사용할 수 있으며, 상기 비정질 실리콘층에 레이저가 조사되면, 상기 비정질 실리콘층이 액상이 되고 다시 응고되면서 결정화가 이루어져 다결정 실리콘층이 형성된다. 이때, 복수의 기판을 연속으로 결정화시키기 위해 기판을 수평 이동시키면서 레이저를 조사하게 된다.
기판의 표면에 레이저 빔이 조사되어 결정화되는 모습을 도시한 도 1과 같이, 레이저 빔 모듈을 고정시킨 후 기판(S)을 전진(forward) 방향 및 후진(backward) 방향으로 수차례 왕복시켜가며 레이저 빔을 조사함으로써, 기판에 결정화 패턴이 형성된다. 기판의 왕복 이동으로 인하여 결정화 패턴에는 다수의 레이저 빔이 반복하여 조사될 수 있다.
한편, 제1섹터에 레이저 빔을 처음 조사할 때, 레이저 빔의 폭의 중심선에 기판의 정렬 마크가 위치하도록 기판을 위치시킨 후 결정화 대상 영역들에 대하여 차례로 레이저 빔 조사를 수행한다. 즉, 미리 설정한 기준점에 정렬 마크의 중심점이 일치되게 기판을 정렬하여, 레이저 빔의 폭의 중심선에 기판의 정렬 마크가 위치하도록 할 수 있다. 그런데 레이저 모듈의 광특성 변화로 인하여 시간이 경과할수록 정렬 마크가 결정화 대상 영역에서 벗어나 시프트(shift) 및 로테이션(rotation) 등의 드리프트(drift)되어 결정화 패턴이 형성되는 문제가 있다.
예를 들어, 점선 부분이 선택적 결정화가 이루어지는 결정화 대상 영역이라 할 때, 도 2(a)에 도시한 바와 같이 레이저 빔 공정이 진행되어 시간이 지남에 따라 결정화 대상 영역(1)을 벗어나 레이저 빔이 조사되어 형성되는 결정화 패턴(2') 시프트(shift) 현상이 발생함을 알 수 있다. 또한 도 2(b)에 도시한 바와 같이 레이저 빔 공정이 진행되어 시간이 지남에 따라 결정화 대상 영역(1)을 벗어나 결정화 패턴(2')이 기울어져서 조사되는 로테이션(rotation) 현상이 발생함을 알 수 있다.
이러한 시프트(shift) 및 로테이션(rotation) 등의 레이저 빔의 드리프트(drift)는 레이저 빔의 연속 발진 시에 레이저 빔 모듈의 특성 변화로 인하여 시간이 지남에 따라 발생하는 것이다. 즉, 연속 발진 시에 레이저 경로 상에 있는 발진기, 반사경 등의 열적 변형 등으로 인하여 레이저 빔의 드리프트(drift)가 발생하는 것이다.
그런데, 종래에는 레이저 빔 공정이 이루어지는 동안에는 드리프트의 현상을 개선하지 못하였다. 복수의 기판들에 대하여 레이저 빔 조사를 모두 완료하고 나서야, 레이저 빔의 드리프트량을 측정하고 원인을 분석하는 차원의 수동적인 대책만 수립하였다. 즉, 복수의 기판들에 대하여 차례로 레이저 빔의 조사 공정이 이루어지는 동안에는 레이저 빔의 드리프트 변위량을 무시한 채 레이저 빔 조사를 하여 결정화를 수행하였다. 따라서 레이저 빔 공정을 모두 완료한 후에는, 레이저 빔의 드리프트 발생으로 인하여 기판에서의 결정화 대상 영역이 아닌 다른 부분이 결정화되어, 결과적으로 제품의 품질을 떨어뜨리는 문제가 발생하였다.
본 발명의 기술적 과제는 기판을 결정화하는데 있어서 기판을 정렬하는 방법을 제공하는데 있다. 또한 본 발명의 기술적 과제는 기판의 선택적 결정화가 이루어질 때 위치 정밀도를 향상시키는데 있다. 또한 본 발명의 기술적 과제는 레이저 빔의 특성 변화로 인해 생기는 레이저 빔의 기울어짐이나 시프트를 개선하는데 있다.
본 발명의 실시 형태는 제1기판에 표시된 정렬 마크와 미리 설정된 기준점이 서로 일치하도록 상기 제1기판을 제1기판 시작 위치로 정렬시키는 제1기판 정렬 과정과, 상기 제1기판을 왕복 이송하며, 제1기판의 결정화 대상 영역에 레이저 빔을 조사하여 결정화 패턴을 형성하는 결정화 패터닝 과정과, 상기 제1기판의 결정화 패턴의 가장자리와 정렬 마크의 중심점까지의 이격 거리에 따라서 보정 편차를 산출하고, 상기 보정 편차를 반영한 보정 기준점을 산출하는 보정 기준점 산출 과정과, 제1기판을 배출한 후 챔버 내로 로딩되는 제2기판의 정렬 마크를 상기 보정 기준점과 서로 일치하도록 정렬하는 제2기판 정렬 과정을 포함한다.
또한 보정 기준점 산출 과정은 제1기판의 결정화 대상 영역에 대한 결정화 패터닝이 완료되면, 상기 제1기판을 상기 제1기판 시작 위치로 복귀시키는 기판 복귀 과정과, 상기 기판 시작 위치로 복귀한 제1기판의 결정화 패턴 및 정렬 마크의 위치를 파악하는 과정과, 상기 결정화 패턴의 가장자리와 정렬 마크의 중심점 간의 이격 거리를 측정하는 과정과, 상기 이격 거리에 따라서 보정 편차를 산출하는 과정과, 상기 기준점에 상기 보정 편차를 더하여 상기 보정 기준점을 산출하는 기준점 보정 과정을 포함한다.
또한 이격 거리를 측정하는 과정은, 상기 결정화 패턴의 가장자리 일측과 정렬 마크의 중심점 간의 이격 거리인 일측 이격 거리와, 상기 결정화 패턴의 가장자리 타측과 정렬 마크의 중심점 간의 이격 거리인 타측 이격 거리를 측정한다.
또한 보정 편차를 산출하는 과정은, 상기 일측 이격 거리와 타측 이격 거리간의 차이값을 2로 나눈 보정 편차를 산출한다.
또한 기준점 보정 과정은, 상기 일측 이격 거리와 타측 이격 거리 중에서 더 큰 이격 거리를 가진 가장자리 방향으로 보정 기준점의 위치가 옮겨지도록, 상기 기준점에서 보정 편차를 더하거나 차감한다.
또한 상기 제1기판 시작 위치로 복귀한 제1기판의 결정화 패턴 및 정렬 마크의 위치를 파악하는 것은, 상기 제1기판 시작 위치로 복귀한 제1기판을 CCD 센서에 의해 촬상하고, 촬상된 제1기판의 영상을 이용하여 파악한다.
또한 상기 제1기판은 복수의 섹터로 이루어져 각 섹터별로 정렬 마크가 형성되며, 각 섹터별로 상기 제1기판 정렬 과정, 결정화 패터닝 과정, 보정 기준점 산출 과정, 제2기판 정렬 과정을 수행한다.
본 발명의 실시 형태에 따르면 선택적 결정화 공정이 이루어질 때 기판마다 산출되는 보정 편차를 이용하여 기판을 정렬함으로써, 위치 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한 기판의 레이저 빔 측정값을 이용하여 다음 번째의 기판의 정렬함으로써, 기판마다 정확한 위치의 선택적 결정화가 이루어질 수 있다.
도 1은 기판의 표면에 레이저 빔이 조사되어 결정화되는 모습을 도시한 그림이다.
도 2는 기판의 결정화 패턴에 드리프트 현상이 나타난 모습을 도시한 그림이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 빔 결정화를 위한 기판 처리 장치를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 드리프트를 보정하는 과정을 도시한 플로우차트이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 드리프트를 보정하여 레이저 빔을 조사하는 기판 처리 과정을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 선택적 결정화가 이루어지는 모습을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 결정화 패턴의 가장자리와 정렬 마크의 중심점간의 이격 거리를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 결정화 패턴의 중심축 상에서 좌측으로 치우친 정렬 마크일 때 보정 기준점을 구하여 기판을 이동시킨 모습을 도시한 그림이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따라 결정화 패턴의 중심축 상에서 우측으로 치우친 정렬 마크일 때 보정 기준점을 구하여 기판을 이동시킨 모습을 도시한 그림이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따라 세 개의 섹터로 이루어진 기판에 대하여 각 섹터별로 선택적 결정화가 이루어지는 모습을 도시한 도면이다.
도 2는 기판의 결정화 패턴에 드리프트 현상이 나타난 모습을 도시한 그림이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 빔 결정화를 위한 기판 처리 장치를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 드리프트를 보정하는 과정을 도시한 플로우차트이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 드리프트를 보정하여 레이저 빔을 조사하는 기판 처리 과정을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 선택적 결정화가 이루어지는 모습을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 결정화 패턴의 가장자리와 정렬 마크의 중심점간의 이격 거리를 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 결정화 패턴의 중심축 상에서 좌측으로 치우친 정렬 마크일 때 보정 기준점을 구하여 기판을 이동시킨 모습을 도시한 그림이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따라 결정화 패턴의 중심축 상에서 우측으로 치우친 정렬 마크일 때 보정 기준점을 구하여 기판을 이동시킨 모습을 도시한 그림이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따라 세 개의 섹터로 이루어진 기판에 대하여 각 섹터별로 선택적 결정화가 이루어지는 모습을 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 빔 결정화를 위한 기판 처리 장치를 도시한 도면이다.
레이저 빔 결정화를 수행하는 기판 처리 장치는 기판에 레이저를 조사하여 기판(S) 상에 형성된 박막을 결정화시키는 레이저 결정화를 수행한다. 이러한 기판 처리 장치는 내부 공간을 가지는 공정 챔버(100), 공정 챔버(100) 내에 배치되어 기판(S)을 지지하며 기판(S)을 수평 왕복 이동시키는 기판 이송부(120), 기판 이송부(120)와 대향하는 공정 챔버(100)의 일측면에 설치된 투명창(110), 공정 챔버(100)의 외측에 배치되며 레이저를 방출하는 레이저 발진기(210) 및 공정 챔버(100)의 외측에서 투명창(110) 상측에 대향 배치되는 반사경(220)을 구비한 레이저 모듈(200)을 포함한다. 또한 공정 챔버(100) 내부에는 정렬 마크 패턴기(미도시)가 구비된다. 정렬 마크 패턴기(미도시)는 기판상에 정렬 마크를 표시하는 수단으로서, 에칭 수단 및 레이저 패터닝 수단 등 다양한 수단으로 구현될 수 있다. 또한 공정 챔버 내부에는 CCD(Charge Coupled Device) 센서를 가진 비전 카메라(미도시)가 구비되어 있다. 비전 카메라(미도시)는 기판을 촬상하여 기판에 표식된 정렬 마크 및 기판의 결정화 영역의 위치를 파악할 수 있다.
이러한 구성부를 가진 기판 처리 장치를 이용하여 기판(S)을 결정화시키는 과정을 간략히 설명하면 하기와 같다. 먼저, 기판(S)이 공정 챔버(100) 내부로 장입되어 기판 이송부(120)에 놓이게 되면, 마크 패턴기(미도시)는 기판에 복수의 정렬 마크를 표시한다. 그 후, 비젼 카메라(미도시)를 이용하여 정렬 마크와 일치하도록 기판 이송부(120)를 이송시켜 기판(S)을 정렬한다. 기판 정렬이 완료되면, 기판(S)에 대하여 레이저 빔의 조사가 이루어진다. 기판 이송부(120)에 의해 기판이 수평 왕복 이동하며, 기판에 대하여 레이저 빔이 조사된다. 이때 기판(S)은 예를 들어, 상부면에 비정질 실리콘층이 형성된 기판일 수 있으며, 이를 레이저 빔 결정화 장치를 이용하여 결정화시키면 실리콘층이 결정화된다.
한편, 레이저 빔에 의해 조사될 때, 레이저 빔은 결정화 대상 영역만을 레이저 빔 조사하여 선택적 결정화를 수행한다. 예를 들어, 레이저 빔에 대해서 셔터 개폐 등을 수행하여, 레이저 빔 모듈의 아래쪽에서 흘러가는 기판의 결정화 대상 영역에만 레이저 빔을 조사할 수 있다. 즉, 레이저 모듈에서는 계속적으로 레이저 발진이 이루어지지만, 레이저 모듈의 레이저 빔 통로 상에 셔터를 구비하여 기판의 결정화 대상 영역이 레이저 모듈의 빔 조사 경로 상에 놓일 때만 셔터를 개방하여 레이저를 조사할 수 있다. 이밖에 다른 방식을 통하여 선택적 결정화를 진행할 수 있다.
예컨대 빔의 지속적인 발진으로 인하여 시간이 경과할수록 레이저 빔의 조사 영역이 결정화 영역에서 벗어나 시프트(shift) 및 로테이션(rotation) 등의 드리프트(drift)됨으로써, 레이저 빔 조사가 정확히 이루어지지 않는 문제가 발생할 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예는 레이저 빔 공정 도중에도 레이저 빔의 시프트가 발생하지 않도록 보정하는 제어기(미도시)를 구비한다. 제어기(미도시)는 기판의 결정화 패턴과 정렬 마크의 중심점까지의 이격 거리에 따라서, 다음 번째의 다른 기판에 대하여 기판 시작 위치를 보정하여 드리프트를 개선시킨다. 이하 도 4와 함께 상술한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 드리프트를 보정하는 과정을 도시한 플로우차트이며, 도 5는 본 발명의 실시예에 따라 레이저 빔을 조사하는 기판 처리 과정을 도시한 도면이다.
이하에서는, 복수의 기판이 순차적으로 공정 챔버 내로 장입되어 레이저 빔 조사에 의하여 결정화가 이루어지는 예를 설명한다. 이하에서는 제일 첫번째로 장입되는 기판을 제1기판이라 하며, 제1기판의 결정화 공정이 이루어지고 나면 공정 챔버 외부로 배출되어 기판 이송장비를 통해 기판 적재함으로 옮겨진다. 이하에서는 제1기판의 배출 이후 결정화를 위해 공정 챔버 내로 장입되는 다음 번째의 기판을 제2기판이라 한다.
상술하면, 우선, 도 5(a)에 도시한 바와 같이 제1기판을 공정 챔버 내로 장입하여 제1기판을 마련하는 과정을 가진다. 기판 이송장비를 통해 기판 적재함에서 기판을 공정 챔버 내로 이송한다. 공정 챔버 내의 기판 지지부에 놓이는 제1기판은 기구적 수단 등에 의하여 정렬이 대략적으로 이루어진다.
그 후 도 5(b)에 도시한 바와 같이 기판 지지부 위에 놓인 제1기판(S)에 정렬 마크(M)를 표시한다. 에칭 수단 및 레이저 패터닝 수단 등의 다양한 정렬 마크 패턴기를 이용하여, 제1기판 상에 정렬 마크(M)를 각인 또는 색인하여 표시한다. 정렬 마크는 기판에 표식되는 식별 표시로서, 기판을 정렬하거나 본 발명의 실시예에 따라 기판 위치 보정 시에 사용되는 식별자로서 이용될 수 있다. 정렬 마크(M)는 '+'자 표시 등으로 이루어질 수 있으며, '+'자 표시에서 수직선과 수평선이 교차하는 지점인 교차점을 정렬 마크의 중심점이라 부르기로 한다. 또한 정렬 마크는 단수개 또는 복수로 이루어질 수 있다.
제1기판(S)에 정렬 마크(M)를 표시한 후, 제1기판에 표시된 정렬 마크와 미리 설정된 기준점이 서로 일치하도록 상기 제1기판을 제1기판 시작 위치로 정렬시키는 제1기판 정렬 과정을 가진다(도 4의 S410). 여기서 기준점은 제어기가 미리 가지고 있는 기준 위치 정보로서 기판을 미리 설정한 위치에 정렬시키기 위하여 미리 설정된 위치 정보이다. 따라서 레이저 빔 조사를 위하여 기판을 정렬할 때, 기판에 표시된 정렬 마크(M)를 기준점에 일치시켜 기판을 원하는 위치에 정렬시킨다. 또한 제1기판 시작 위치란, 기판의 결정화 대상 영역 중에서 제일 처음으로 레이저 빔이 조사될 첫번째 결정화 대상 영역이 레이저 모듈의 아래에 놓이도록 한 위치라 할 수 있다. 즉, 기판에 표시된 정렬 마크의 중심점을 미리 설정한 기준점에 일치하도록 기판을 이송 정렬하면, 레이저 빔이 조사될 첫 번째 결정화 대상 영역이 레이저 모듈의 아래에 놓이게 된다. 따라서 드리프트 현상이 발생하지 않고 정상적으로 레이저 빔이 조사된다면, 레이저 빔이 조사된 결정화 패턴의 영역의 중심축 상에 정렬 마크의 중심점이 놓이게 될 것이다.
기판의 정렬은 비젼 카메라에 의해 이루어질 수 있다. CCD(Charge Coupled Device) 센서를 구비한 비젼 카메라를 통해, 기판의 정렬 마크를 인식한 후 미리 설정된 기준점에 일치하도록 기판을 이송시킨다. 즉, 공정 챔버의 비젼 카메라는 정렬 마크를 판독하고, 이에 따라 기판에 표시된 정렬 마크의 중심점을 기준점과 일치하도록 기판을 정렬 이송시킴으로써 기판을 제1기판 시작 위치에 정렬할 수 있다.
제1기판 정렬이 완료되면, 도 5(c) 내지 도 5(f)에 도시한 바와 같이 제1기판을 왕복 이송하며 제1기판의 결정화 대상 영역에 레이저 빔을 조사하여 결정화 패턴을 형성하는 결정화 패터닝 과정을 가진다(S420). 일반적으로 레이저 빔 조사에 의한 기판 결정화가 이루어지는 경우, 기판의 모든 영역이 결정화되는 것이 아니라 결정화를 필요로 하는 일부 영역에 대해서만 선택적 결정화가 이루어진다. 즉, 도 6에 도시한 바와 같이, 기판 상에 다수의 결정화 대상 영역(S)이 일정 간격을 두고 존재하며, 이러한 결정화 대상 영역(S)에 대하여 레이저 빔 조사가 이루어져 선택적 결정화가 이루어져 다수의 결정화 패턴(P)이 형성된다. 이러한 선택적 결정화된 결정화 패턴(P)을 형성하기 위하여, 이동되는 기판상에 레이저 빔 조사가 조사될 때 레이저 빔을 개방 또는 차단하여 결정화 대상 영역(S)에만 레이저 빔이 조사되도록 할 수 있다.
또한 기판을 왕복 이송시켜가며 동일한 결정화 대상 영역에 복수회에 걸쳐서 레이저 빔을 반복 조사하여 결정화를 이룰 수 있다. 예컨대, 동일한 결정화 대상 영역에 대하여 6회 반복하여 레이저 빔 조사가 필요한 경우, 기판을 좌우 각각 3회씩 왕복 이송시켜 가며 레이저 빔 조사에 의한 결정화를 수행한다. 이하에서는, 레이저 빔 조사가 모두 완료되어 결정화가 이루어진 영역을 결정화 패턴이라 한다.
결정화 패터닝 과정(S420)을 상술하면, 기판이 이송됨에 따라 우선, 도 5(c)에 도시한 바와 같이 첫번째 결정화 대상 영역에 대하여 레이저 빔 조사가 이루어져 결정화 패턴(P1)이 형성되며, 두번째(P2), 세번째 결정화 대상 영역(P3)의 순서로 레이저 빔 조사가 이루어질 수 있다. 참고로, 도 5(c)에 도시한 바와 같이 레이저 빔의 특성이 변화지 않아 드리프트 현상이 발생하지 않고 정상적으로 레이저 빔이 조사된다면, 레이저 빔 조사에 의해 결정화된 영역의 중심축 상에 정렬 마크의 중심점이 놓이게 될 것이다.
참고로 도 5(d)는 기판이 +X 방향의 전진 방향(forward 방향)으로 이송되어 세 번째 결정화 대상 영역에 레이저 빔이 조사되어 네번째 결정화 패턴(P3)가 형성된 모습을 도시한 그림이며, 도 5(e)는 기판이 전진 방향으로 끝까지 이송되어 마지막 결정화 대상 영역에 레이저 빔이 조사되어 결정화 패턴(Pn)이 형성된 모습을 도시한 그림이다. 한편 도 5(f) 및 도 5(g)는 기판이 -X 방향인 후진 방향(backward)으로 이송되며 레이저 빔이 이미 조사된 결정화 대상 영역에 대하여 다시 레이저 빔을 조사하는 모습을 도시한 도면이다.
이러한 결정화 과정은 기판이 X축 방향을 따라 전진 및 후진을 반복함으로써, 다수회에 걸쳐서 동일 결정화 대상 영역에 대하여 결정화를 반복 수행할 수 있다.
한편, 결정화 패터닝 과정(도 4의 S420)이 완료되면, 제1기판의 결정화 패턴의 가장자리와 정렬 마크의 중심점까지의 이격 거리에 따라서 보정 편차를 산출하고, 보정 편차를 반영하여 기준점을 보정한 보정 기준점을 산출하는 보정 기준점 산출 과정을 가진다(도 4의 S430). 레이저 발진이 계속 이루어지면, 레이저 모듈의 특성 변화로 인하여 레이저 빔의 라인 형태가 기울어지거나(rotation) 시프트(shift)될 수 있다. 따라서 제1기판이 챔버 외부로 배출된 후 다음 번째의 제2기판이 챔버로 장입되어 레이저 조사될 때는, 레이저 빔의 기울어짐이나 시프트가 보정될 수 있도록 제2기판이 최초에 놓이는 기준이 되는 기준점을 보정하는 것이다. 레이저 모듈의 경우 기구적으로 고정되어 있기 때문에 위치를 보정하는 것은 어렵고, 기판 지지대에 의하여 기판 위치 움직임이 비교적 자유로운 기판의 위치를 보정하여 레이저 빔의 기울어짐(rotation), 시프트(shift) 등의 레이저 빔 드리프트(drift) 현상을 개선할 수 있다.
보정 기준점을 산출하는 과정(S430)을 상술한다. 제1기판의 결정화 대상 영역에 대한 결정화 패터닝이 완료되면 제1기판을 제1기판 시작 위치로 복귀시키는 기판 복귀 과정을 가진다. 즉, 정렬 마크와 기준점이 일치하는 위치로 제1기판을 복귀시킨다. 그 후, 제1기판 시작 위치로 복귀한 제1기판의 결정화 패턴 및 정렬 마크의 위치를 파악한다. 이를 위해 제1기판 시작 위치로 복귀한 제1기판을 CCD 센서를 구비한 비젼 카메라를 이용하여 촬상한다. 촬상된 제1기판의 영상에서 결정화 패턴 및 정렬 마크의 각 형상의 위치 정보를 추출한다. 여기서 결정화 패턴이라 함은 레이저 빔이 조사된 제1기판의 영역으로서, 레이저 빔 조사에 의하여 결정화된 영역은 주변의 미결정화 영역에 비하여 다른 재질로 되기 때문에 비젼 카메라에 의하여 위치 정보가 파악될 수 있다. 따라서 비젼 카메라를 이용하여 결정화 패턴의 양측 가장자리 위치를 파악할 수 있으며 정렬 마크의 중심점 위치를 파악할 수 있다.
그 후, 결정화 패턴의 가장자리와 정렬 마크의 중심점간의 이격 거리를 측정하는 과정을 가진다. 레이저 빔 조사에 의하여 결정화 패턴이 형성된 기판의 일부를 상세히 도시한 도 7을 참조하면, 정렬 제1마크의 중심점과 결정화 패턴의 양측 가장자리간의 이격 거리를 각각 측정할 수 있다. 즉, 결정화 패턴(P)의 가장자리 일측과 정렬 제1마크(M1)의 중심점 간의 이격 거리인 일측 이격 거리(d1)와, 결정화 패턴(P)의 가장자리 타측과 정렬 제1마크(M1)의 중심점 간의 이격 거리인 타측 이격 거리(d2)를 측정한다. 마찬가지로, 정렬 제2마크(M2)에 대하여서도 결정화 패턴간의 이격거리를 측정할 수 있다.
예를 들어, 레이저 빔 특성 변화로 인하여 레이저 빔이 기울어진(rotation) 경우에는, 도 7(a)에 도시한 바와 같이 제1기판의 정렬 제1마크(M1) 또는/및 정렬 제2마크(M2) 중 어느 하나가 결정화 패턴의 중심축 상에서 벗어나 위치할 것이다. 또한 레이저 빔 특성 변화로 인하여 레이저 빔이 시프트(shift)된 경우에는, 도 7(b)에 도시한 바와 같이 정렬 제1마크(M1) 및 정렬 제2마크(M2) 모두 결정화 패턴의 중심축 상에서 벗어나 위치할 것이다.
이러한 드리프트 문제를 제1기판 다음 번째의 제2기판에서는 발생하지 않도록 하기 위하여, 본 발명의 실시예는 정렬 마크와 결정화 패턴 가장자리 간의 이격 거리에 따라서 기준점을 보정하여 제2기판을 정렬한다. 레이저 발진이 이루어지고 난 후 복수의 기판들이 차례로 공정 챔버로 장입되어 결정화가 이루어지는데, 이전 제1기판에서의 결정화 패턴을 파악하여 다음번째의 제2기판의 위치를 보정함으로써, 레이저 빔의 드리프트 현상을 실시간으로 개선할 수 있게 된다.
보정 기준점 산출 과정은, 이격 거리에 따라서 보정 편차를 산출하고, 기준점에 상기 보정 편차를 더하여 보정 기준점을 산출하는 과정을 가진다. 이격 거리에 따라서 보정 편차를 산출하는 방식은 다양한 방식이 있을 수 있을 것이다. 예를 들어, 결정화 패턴의 가장자리 일측과 정렬 마크의 중심점 간의 이격 거리인 일측 이격 거리와, 상기 결정화 패턴의 가장자리 타측과 정렬 마크의 중심점 간의 이격 거리인 타측 이격 거리와의 차이값을 2로 나눈 값을 보정 편차로 결정한다. 이러한 보정 편차를 기준점에 더하여 보정 기준점으로 결정한다.
참고로 도 8 및 도 9는 보정 편차를 적용하여 보정 기준점을 산출하는 과정을 도시하였다.
레이저 빔 특성 변화로 인하여 레이저 빔이 시프트되어 도 8(a)에 도시한 바와 같이 결정화 패턴의 중심축(C) 상에 정렬 마크(M)의 중심점이 위치하지 않고, 중심축(C) 상에서 -X 방향(좌측 방향)으로 치우쳐 정렬 마크(M)의 중심점이 위치하였다고 가정한다. 또한 도 9(a)는 결정화 패턴의 중심축(C) 상에 정렬 마크(M)의 중심점이 위치하지 않고, 중심축(C) 상에서 +X 방향(좌측 방향)으로 치우쳐 정렬 마크의 중심점이 위치하였다고 가정한다
결정화 패턴의 가장자리 일측(E1)과 정렬 마크(M)의 중심점 간의 이격 거리인 일측 이격 거리(d1)와 결정화 패턴의 가장자리 타측(E2)과 정렬 마크(M)의 중심점 간의 이격 거리인 타측 이격 거리(d2)를 측정한다. 참고로 정렬 마크(M)의 중심점은 최초에 기판이 정렬될 때 기준이 되는 기준점에 대응된다.
결정화 패턴의 가장자리 일측(E1)과 정렬 마크(M)의 중심점 간의 이격 거리인 일측 이격 거리(d1)와 결정화 패턴의 가장자리 타측(E2)과 정렬 마크의 중심점 간의 이격 거리인 타측 이격 거리(d2)간의 차이값을 측정하고 이를 반으로 나누어 보정 편차를 산출한다. 예컨대, 도 8(a)에 도시한 바와 같이 d1이 1.5이고 d2가 0.5인 경우 차이값은 1이 되고 이들을 반으로 나눈 값인 0.5가 보정 편차가 된다. 또한 도 9(a)에 도시한 바와 같이 d1이 0.2이고 d2가 1.8인 경우 차이값은 1.6이 되고 이들을 반으로 나눈 값인 0.8이 보정 편차가 된다
이렇게 산출된 보정 편차는 기준점에 더해지거나 빼져서, 새로운 보정 기준점이 산출된다. 기준점에 보정 편차를 더할지 또는 뺄지를 결정하는 것은, 일측 이격 거리(d1)와 타측 이격 거리(d2) 중에서 더 큰 이격 거리를 가진 가장자리 방향으로 보정 기준점의 위치가 옮겨지도록, 상기 기준점에서 보정 편차를 더하거나 뺀다.
예를 들어, 도 8(a)와 같이 일측 이격 거리(d1)가 더 큰 이격 거리를 가질 경우, 일측 이격 거리를 가진 일측 가장자리(E1) 방향인 +X 방향으로 종래의 기준 보정점에서 0.5 보정 편차만큼 이동시켜 기준 보정점으로 결정한다. 따라서 이러한 기준 보정점에 맞추어 제2기판의 정렬 마크를 정렬시키면 도 8(b)에 도시한 바와 같이 제2기판이 위치하게 되어, 제2기판에 대한 레이저 빔 조사 시에 시프트 현상을 방지할 수 있다. 마찬가지로, 도 9(b)과 같이 타측 이격 거리(d2)가 더 큰 이격 거리를 가질 경우, 타측 이격 거리를 가진 타측 가장자리(E2) 방향인 -X 방향으로 0.8 보정 편차만큼 이동시켜 기준 보정점으로 결정한다. 따라서 이러한 기준 보정점에 맞추어 제2기판의 정렬 마크를 정렬시키면 도 9(b)에 도시한 바와 같이 제2기판이 위치하게 되어, 제2기판에 대한 레이저 빔 조사 시에 시프트 현상을 방지할 수 있다.
한편, 상기에서 설명한 본 발명의 실시예는 하나의 기판 전체에 대하여 레이저 빔 조사가 이루어지는 예를 설명하였다. 그런데 LCD 패널과 같은 대형 기판에서는 섹터별로 분류하여 선택적 결정화를 진행할 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예는 기판의 각 섹터별로 레이저 빔 조사의 결정화가 이루어지는 경우에도 마찬가지로 적용될 수 있을 것이다.
예를 들어, 도 10에 도시한 바와 같이 기판이 세 개의 섹터로 이루어져 있다고 가정하면, 도 10(a)와 같이 기판을 X축 방향으로 수차례 왕복시켜가며 기판의 제1섹터의 결정화 대상 영역들에 레이저 모듈(210)을 통해 레이저 빔을 순차적으로 조사가 이루어진다. 제1섹터에 대한 레이저 빔 조사가 완료되면, 도 10(b)에 도시한 바와 같이 기판을 Y축 방향으로 이송시킨 후 X축 방향으로 수차례 왕복시켜가며 제2섹터의 결정화 대상 영역들에 대하여 레이저 빔을 조사한다. 마찬가지로 제2섹터에 대한 레이저 빔 조사가 완료되면, 도 10(c)에 도시한 바와 같이 기판을 Y축 방향으로 이송시킨 후 X축 방향으로 수차례 왕복시켜가며 제3섹터의 결정화 대상 영역들에 대하여 레이저 빔을 조사한다.
각 섹터에는 정렬 마크(M1,M2,M3)가 형성되어 있는데, 이들 정렬 마크와 결정화 패턴간의 이격 거리를 이용하여 각 섹터에 대한 레이저 빔 조사를 위한 기판 정렬 시에, 기준점 보정을 통하여 레이저 빔의 드리프트를 방지할 수 있다. 즉, 제1기판의 각 섹터별로 상기 제1기판 정렬 과정, 결정화 패터닝 과정, 보정 기준점 산출 과정을 수행하여 보정 기준점을 결정한 후, 다음 번째의 제2기판에 대한 각 섹터별 레이저 빔 조사가 이루어지기 전에 보정 산출한 보정 기준점을 바탕으로 제2기판 정렬 과정을 수행하여 제2기판에 대한 드리프트(drift)를 방지할 수 있다.
본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.
100:공정 챔버 110:투명창
120:기판 이송부 200:레이저 모듈
210:레이저 발진기 220:반사경
S:결정화 대상 영역 P:결정화 패턴
M:정렬 마크
120:기판 이송부 200:레이저 모듈
210:레이저 발진기 220:반사경
S:결정화 대상 영역 P:결정화 패턴
M:정렬 마크
Claims (9)
- 제1기판에 표시된 정렬 마크와 미리 설정된 기준점이 서로 일치하도록 상기 제1기판을 제1기판 시작 위치로 정렬시키는 제1기판 정렬 과정;
상기 제1기판을 왕복 이송하며, 제1기판의 결정화 대상 영역에 레이저 빔을 조사하여 결정화 패턴을 형성하는 결정화 패터닝 과정;
상기 제1기판의 결정화 패턴의 가장자리와 정렬 마크의 중심점까지의 이격 거리에 따라서 보정 편차를 산출하고, 상기 보정 편차를 반영한 보정 기준점을 산출하는 보정 기준점 산출 과정;
제1기판을 배출한 후 챔버 내로 로딩되는 제2기판의 정렬 마크를 상기 보정 기준점과 서로 일치하도록 정렬하는 제2기판 정렬 과정;
을 포함하는 기판 처리 방법. - 청구항 1에 있어서, 상기 보정 기준점 산출 과정은
제1기판의 결정화 대상 영역에 대한 결정화 패터닝이 완료되면, 상기 제1기판을 상기 제1기판 시작 위치로 복귀시키는 기판 복귀 과정;
상기 기판 시작 위치로 복귀한 제1기판의 결정화 패턴 및 정렬 마크의 위치를 파악하는 과정;
상기 결정화 패턴의 가장자리와 정렬 마크의 중심점 간의 이격 거리를 측정하는 과정;
상기 이격 거리에 따라서 보정 편차를 산출하는 과정;
상기 기준점에 상기 보정 편차를 더하여 상기 보정 기준점을 산출하는 기준점 보정 과정;
을 포함하는 기판 처리 방법. - 청구항 2에 있어서, 상기 이격 거리를 측정하는 과정은,
상기 결정화 패턴의 가장자리 일측과 정렬 마크의 중심점 간의 이격 거리인 일측 이격 거리와, 상기 결정화 패턴의 가장자리 타측과 정렬 마크의 중심점 간의 이격 거리인 타측 이격 거리를 측정하는 기판 처리 방법. - 청구항 3에 있어서, 상기 보정 편차를 산출하는 과정은,
상기 일측 이격 거리와 타측 이격 거리간의 차이값을 2로 나눈 보정 편차를 산출하는 기판 처리 방법. - 청구항 4에 있어서, 상기 기준점 보정 과정은,
상기 일측 이격 거리와 타측 이격 거리 중에서 더 큰 이격 거리를 가진 가장자리 방향으로 보정 기준점의 위치가 옮겨지도록, 상기 기준점에서 보정 편차를 더하거나 빼는 기판 처리 방법. - 청구항 1에 있어서, 제1기판 정렬 과정이 이루어 지기 전에,
상기 제1기판을 챔버 내로 장입하는 과정;
상기 제1기판 상에 정렬 마크를 색인하는 과정;
을 포함하는 기판 처리 방법. - 청구항 2에 있어서, 상기 제1기판 시작 위치로 복귀한 제1기판의 결정화 패턴 및 정렬 마크의 위치를 파악하는 것은, 상기 제1기판 시작 위치로 복귀한 제1기판을 CCD 센서에 의해 촬상하고, 촬상된 제1기판의 영상을 이용하여 파악하는 기판 처리 방법.
- 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 제1기판은 복수의 섹터로 이루어져 각 섹터별로 정렬 마크가 형성된 기판 처리 방법. - 청구항 8에 있어서, 각 섹터별로 상기 제1기판 정렬 과정, 결정화 패터닝 과정, 보정 기준점 산출 과정, 제2기판 정렬 과정을 수행하는 기판 처리 방법.
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|---|---|---|---|
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040043310A (ko) * | 2002-11-18 | 2004-05-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 결정화 장비용 패턴 마스크 |
| KR20050064962A (ko) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 결정화 장비 및 이를 이용한 결정화 방법 |
| KR20070072200A (ko) * | 2005-12-30 | 2007-07-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 실리콘 결정화 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화방법 |
| KR20120008344A (ko) * | 2010-07-16 | 2012-01-30 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 레이저 조사 장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW527732B (en) * | 2001-08-21 | 2003-04-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Masks for forming polysilicon and methods for manufacturing thin film transistor using the masks |
| JP2007214388A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Shimadzu Corp | 結晶化装置、および位置決めステージ |
| KR20120025300A (ko) * | 2010-09-07 | 2012-03-15 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 다결정 규소막 검사 장치 및 검사 방법 |
-
2013
- 2013-06-14 KR KR1020130068365A patent/KR101432156B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-06-10 CN CN201410256886.6A patent/CN104241091B/zh active Active
- 2014-06-12 TW TW103120272A patent/TWI541866B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040043310A (ko) * | 2002-11-18 | 2004-05-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 결정화 장비용 패턴 마스크 |
| KR20050064962A (ko) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 결정화 장비 및 이를 이용한 결정화 방법 |
| KR20070072200A (ko) * | 2005-12-30 | 2007-07-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 실리콘 결정화 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화방법 |
| KR20120008344A (ko) * | 2010-07-16 | 2012-01-30 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 레이저 조사 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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