KR20170036970A - 다결정 규소막 검사 장치 및 검사 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다결정 규소막의 검사 장치 및 검사 방법에 관한 것으로, 결정화된 다결정 규소막에 X-선을 조사하는 조사부, 상기 다결정 규소막으로부터 회절된 X-선을 검출하는 검출부, 그리고 상기 검출부로부터 상기 X-선의 회절각과 회절강도 데이터를 받아, 상기 다결정 규소막의 결정화도를 계산하여 상기 다결정 규소막의 불량여부를 판단하는 제어부를 포함한다.

Description

다결정 규소막 검사 장치 및 검사 방법{APPARATUS AND METHOD FOR INSPECTING POLYCRYSTAL SILICON LAYER}
본 발명은 다결정 규소막의 검사 장치 및 검사 방법에 대한 것이다.
유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display) 및 액정 표시 장치(liquid crystal display) 등과 같은 대부분의 평판형 표시 장치들은 박막 트랜지스터(thin film transistor)를 포함한다. 특히, 저온 다결정 규소 박막 트랜지스터(LTPS TFT)는 전자 이동도(carrier mobility)가 우수하여 고속 동작 회로에 적용이 가능하며 CMOS 회로 구성도 가능하다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다.
저온 다결정 규소 박막 트랜지스터는 비정질 규소막을 결정화시켜 형성된 다결정 규소막을 포함한다. 비정질 규소막을 결정화하는 방법은 고상 결정화법(solid phase crystallization), 엑시머 레이저 결정화법(excimer laser crystallization), 및 금속 촉매를 이용한 결정화 방법 등이 있다.
다양한 결정화 방법 중 레이저를 이용한 결정화 방법은 저온 공정이 가능하여 상대적으로 기판에 미치는 열적 영향이 적고, 100cm2/Vs 이상의 상대적으로 높은 전자 이동도를 갖는 우수한 특성의 다결정 규소막을 만들 수 있기 때문에 널리 이용되고 있다.
한편, 다결정 규소막이 적절하게 결정화되었는지 확인하여, 다결정 규소막의 결정화도 또는 결정 입자를 검사하는 방안에 대하여 연구되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 결정화된 다결정 규소막을 정밀하고 안정적으로 검사할 수 있는 다결정 규소막 검사 장치 및 검사 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막의 검사 장치는 결정화된 다결정 규소막에 X-선을 조사하는 조사부, 상기 다결정 규소막으로부터 회절된 X-선을 검출하는 검출부, 그리고 상기 검출부로부터 상기 X-선의 회절각과 회절강도 데이터를 받아, 상기 다결정 규소막의 결정화도를 계산하여 상기 다결정 규소막의 불량여부를 판단하는 제어부를 포함한다.
상기 제어부는, 상기 검출된 X-선의 회절각과 회절강도로부터 면지수(Miller Index)를 계산하는 연산부, 그리고 상기 연산부로부터 계산된 면지수의 비율에 따라 다결정 규소막의 불량을 판단하는 판정부를 포함할 수 있다.
상기 연산부는, λ = 2d sinθ(λ는 조사된 X-선의 파장이고 θ는 회절각의 2배)에 따라 격자간의 거리 d를 계산하고,
Figure pat00001
(a는 규소막의 격자상수)에 따라 면지수[hkl]을 계산할 수 있다.
상기 판정부는, 상기 다결정 규소막의 면지수 [100]의 비율이 50% 이상이면 양품으로 판단할 수 있다.
상기 다결정 규소막은 ELA(Excimer Laser Annealing) 결정화법, 고상 결정화법(solid phase crystallization), SGS(Super Grain Silicon) 결정화법, 또는 열처리 공정에 따라 결정화 될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막의 검사 방법은 결정화된 다결정 규소막에 X-선을 조사하는 단계, 상기 다결정 규소막으로부터 회절된 X-선을 검출하는 단계, 그리고 상기 검출단계에서 검출된 상기 X-선의 회절각과 회절강도 데이터를 이용하여 상기 다결정 규소막의 결정화도를 계산하여 다결정 규소막의 불량여부를 판단하는 단계를 포함한다.
상기 다결정 규소막의 불량여부를 판단하는 단계는, 상기 검출된 X-선의 회절각과 회절강도로부터 면지수(Miller Index)를 계산하는 단계, 그리고 상기 계산하는 단계에서 계산된 면지수의 비율에 따라 다결정 규소막의 불량을 판단하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 면지수를 계산하는 단계는,
λ = 2dsinθ(λ는 조사된 X-선의 파장이고 θ는 회절각의 2배)에 따라 격자간의 거리 d를 계산하는 단계, 그리고
Figure pat00002
(a는 규소막의 격자상수)에 따라 면지수[hkl]을 계산하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 다결정 규소막의 불량을 판단하는 단계는, 상기 다결정 규소막의 면지수 [100]의 비율이 50% 이상이면 양품으로 판단할 수 있다.
상기 다결정 규소막은 ELA(Excimer Laser Annealing) 결정화법, 고상 결정화법(solid phase crystallization), SGS(Super Grain Silicon) 결정화법, 또는 열처리 공정에 따라 결정화될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 장치 및 검사 방법을 통하여 다결정 규소막을 정밀하고 안정적으로 검사할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 장치를 나타낸 구성도이다.
도 2는 결정화도가 낮은 비정질 규소막을 나타내는 도면이다.
도 3은 결정화도가 높은 비정질 규소막을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 방법을 나타낸 순서도이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
또한, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지는 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 장치 및 그의 방법을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 장치를 나타내는 구성도이며, 도 2는 결정화도가 낮은 비정질 규소막을 나타내는 도면이며, 도 3은 결정화도가 높은 비정질 규소막을 나타내는 도면이다.
도 1에 나타난 바와 같이, 다결정 규소막 검사 장치(100)는 조사부(110), 검출부(120), 그리고 제어부(130)를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막의 검사 방법에 의한 검사 대상이 되는 다결정 규소막(210)은 기판(200) 상에 형성된다. 기판(200)은 유리 또는 플라스틱 재질로 이루어질 수 있고, 예를 들면 절연막(도시하지 않음) 등이 형성된 유리 기판일 수 있다. 절연막으로는 산화 규소(SiO2)막, 질화 규소(SiN)막 또는 이들의 적층막이 형성될 수 있다. 이러한 절연막은 기판(200)으로부터 다결정 규소막(210)으로 불순물 등이 확산되는 것을 방지할 수 있다.
본 실시예에 따른 다결정 규소막(210)은 ELA(Excimer Laser Annealing) 결정화법에 따라 결정화 된다. 그러나, 반드시 이에 한하는 것은 아니며 고상 결정화법(solid phase crystallization), SGS(Super Grain Silicon) 결정화법, 또는 열처리 공정 등의 다양한 결정화 방법에 의해 결정화 될 수 있다.
조사부(110)는 다결정 규소막(210)의 표면으로 X-선을 조사한다. 본 실시예에 따른 다결정 규소막 검사장치(100)는 X-선이 조사되는 조사부(110)의 위치는 고정시키고, 기판(200)을 일축 회전시킴으로써, 조사각(ω)을 설정하도록 구성된 것이다. 조사각(ω)은 조사된 X-선과 기판(200)이 이루는 각도를 의미한다. 이 때, 검출부(120)는 조사되는 X-선을 기준으로 각도 2θ(ω=θ) 지점에 위치한다. 이러한 조사부(110)와 검출부(120)의 위치설정을 2θ-ω 방법이라 한다. 본 실시예에서 조사부(110)는 2θ-ω 방법에 따라 다결정 규소막(210)에 대해 X-선을 조사한다.
이때, 검출부(120)는 다결정 규소막(210)으로부터 회절된 X-선 신호의 회절각도(θ) 및 회절강도를 검출한다. 회절각도(θ)는 입사된 X-선에 대하여 기판(200)에 대한 브래그 법칙을 만족하며 회절 되어 나오는 각도(θ)를 의미한다. 회절강도는 회절된 X-선 신호가 1초당 검출부(120)에 감지된 횟수를 카운트하여 검출한다. 검출부(120)에 의해 검출된 X-선 신호는 제어부(130)로 전송된다.
제어부(130)는 검출부(120)로부터 전송된 X-선의 회절각도 및 회절강도를 분석하여 다결정 규소막(210)의 우선방위 정도 즉, 결정화도를 평가하여 다결정 규소막(210)의 불량 여부를 판단한다. 본 실시예에 따른 제어부(130)는 연산부(131) 그리고 판정부(132)를 포함할 수 있다.
연산부(131)는 검출된 X-선의 회절각 및 회절강도에 따라 결정간의 거리를 계산하고, 격자상수를 이용하여 다결정 규소막(210) 결정면의 면지수(Miller Index)를 계산한다.
본 실시예에 따른 연산부(131)는 가장 강한 강도를 갖는 피크(Peak)의 브래그 각(Bragg angle)을 이용하여 격자간의 거리를 계산한다. 즉, 브래그의 법칙인 λ = 2dsinθ (λ= 조사된 X-선의 파장, θ= 회절각의 2배, d= 격자간의 거리) 에 따라 격자간의 거리 d를 계산한다.
이후, 연산부(131)는 입방정계의 면간거리 계산식
Figure pat00003
에 따라 격자간의 거리 d와 Si의 격자상수 a를 이용하여 면지수 [hkl]을 계산한다.
판정부(132)는 연산부(131)에서 계산된 다결정 규소막(210)의 면지수[hkl] 비율에 따라 다결정 규소막(210)의 불량 여부를 판단한다.
이때, 본 실시예에 따른 판정부(132)는 다결정 규소막(210)의 면지수 [100] 의 비율이 50% 이상인 경우 양품으로 판단한다.
비정질 규소막에 엑시머 레이저를 조사하여 결정화시켜 다결정 규소막(210)을 형성하는 과정에서 레이저의 에너지 밀도나 레이저 조사 시간을 지나치게 줄이면, 도 3에 도시된 바와 같이 결정화도가 떨어져 비정질 상태로 남는 영역이 증가된다. 다결정 규소막(210)의 결정화도가 너무 낮아지면, 요구되는 특성을 만족시킬 수 없게 된다.
반면, 레이저의 에너지 밀도를 높이거나 레이저 조사 시간을 늘리게 되면, 도 4에 도시된 바와 같이 결정화도가 증가하여 요구되는 특성을 만족시킬 수 있다. 그러나, 레이저의 에너지 밀도나 레이저 조사 시간을 지나치게 늘리게 되면 결정화 돌기에 의한 표면 거칠기가 급격히 증가하고, 공정 상의 손실이 증가하게 된다.
본 실시예에 따른 제어부(130)는 검출부(120)에서 검출된 X-선 신호의 회절각 및 회절 강도를 분석하여 회절면에 수직한 방향으로의 면지수(Miller Index)를 계산하여 다결정 규소막(210)의 결정화도를 평가하여 공정의 손실을 줄이고 적당한 결정화도가 진행되도록 레이저의 에너지 밀도나 조사 시간을 제어할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 다결정 규소막의 검사 방법에 대하여 앞에서 설명한 도 1 내지 도 3과 함께 도 4를 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 방법을 나타낸 순서도이다.
도 4를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 다결정 규소막 검사 방법은 먼저 다결정 규소막(210)의 표면에 X-선 신호를 조사한다(S100). 이때, 검사 대상이 되는 다결정 규소막(210)은 기판(200) 위에 형성된다. 기판(200)은 유리 또는 플라스틱 재질로 이루어질 수 있고, 예를 들면 절연막 등이 형성된 유리 기판일 수 있다. 본 실시예에 따른 다결정 규소막(210)은 ELA(Excimer Laser Annealing) 결정화법에 따라 결정화 된다. 그러나, 반드시 이에 한하는 것은 아니며 고상 결정화법(solid phase crystallization), SGS(Super Grain Silicon) 결정화법, 또는 열처리 공정 등의 다양한 결정화 방법에 의해 결정화 될 수 있다.
다결정 규소막(210)의 표면에 X-선을 조사하는 단계(S100)는, X-선이 조사되는 조사부(110)의 위치는 고정시키고, 기판(200)을 일축 회전시킴으로써, 조사각(ω)을 설정하도록 구성한다. 조사각(ω)은 조사된 X-선과 기판(200)이 이루는 각도를 의미한다. 이 때, 다결정 규소막(210)으로부터 회절된 X-선 신호를 검출하는 검출부(120)는 조사되는 X-선을 기준으로 각도 2θ(ω=θ) 지점에 위치한다. 이러한 조사부(110)와 검출부(120)의 위치설정을 2θ-ω 방법이라 한다. 본 실시예에서 조사부(110)는 2θ-ω 방법에 따라 다결정 규소막(210)에 대해 X-선을 조사한다.
이후, 다결정 규소막(210)으로부터 회절된 X-선 신호를 검출한다(S200). X-선 신호 검출 단계(S200)는 다결정 규소막(210)으로부터 회절된 X-선 신호의 회절각도 및 회절강도를 검출한다. 회절각도(θ)는 입사된 X-선에 대하여 기판(200)에 대한 브래그 법칙을 만족하며 회절 되어 나오는 각도(θ)를 의미한다. 회절강도는 회절된 X-선 신호가 1초당 감지된 횟수를 카운트 하여 검출할 수 있다.
다음, X-선 신호 검출 단계(S200)에서 검출된 X-선의 회절각 및 회절강도를 분석하여 다결정 규소막(210)의 우선방위 정도 즉, 결정화도를 판단한다(S300).
본 실시예에 따른 결정화도 판단 단계(S300)는, 검출된 X-선의 회절각 및 회절강도에 따라 결정간의 거리를 계산하고, 격자상수를 이용하여 회절면에 수직한 방향으로의 면지수(Miller Index)를 계산하여 결정화도를 판단한다.
본 실시예에 따른 결정화도 판단 단계(S300)는 검출 단계(S200)에서 검출된 가장 강한 강도를 갖는 피크(Peak)의 브래그 각(Bragg angle)을 이용하여 격자간의 거리를 계산한다. 즉, 브래그의 법칙인 λ = 2dsinθ (λ= 조사된 X-선의 파장, θ= 회절각의 2배, d= 격자간의 거리) 에 따라 격자간의 거리 d를 계산한다.
이후, 입방정계의 면간거리 계산식
Figure pat00004
에 따라 격자간의 거리 d와 Si의 격자상수 a를 이용하여 면지수 [hkl]을 계산한다.
다음, 결정화도 판단 단계(S300)에서 계산된 면지수의 비율에 따라서 다결정 규소막(210)의 불량여부를 판단한다(S400). 본 실시예에 따른 판단 단계(S400)는 다결정 규소막(210)의 면지수 [100] 비율이 50% 이상인 경우 양품으로 판단하고, 면지수 [100]의 비율이 50% 미만인 경우에는 불량품으로 판단한다.
비정질 규소막에 엑시머 레이저를 조사하여 결정화시켜 다결정 규소막(210)을 형성하는 과정에서 레이저의 에너지 밀도나 레이저 조사 시간을 지나치게 줄이면, 도 3에 도시된 바와 같이 결정화도가 떨어져 비정질 상태로 남는 영역이 증가된다. 다결정 규소막(210)의 결정화도가 너무 낮아지면, 요구되는 특성을 만족시킬 수 없게 된다.
반면, 레이저의 에너지 밀도를 높이거나 레이저 조사 시간을 늘리게 되면, 도 4에 도시된 바와 같이 결정화도가 증가하여 요구되는 특성을 만족시킬 수 있다. 그러나, 레이저의 에너지 밀도나 레이저 조사 시간을 지나치게 늘리게 되면 결정화 돌기에 의한 표면 거칠기가 급격히 증가하고, 공정 상의 손실이 증가하게 된다.
본 실시예에 따른 다결정 규소막의 검사 방법은 다결정 규소막(210)으로부터 검출된 X-선 신호의 회절각 및 회절 강도를 분석하여 회절면에 수직한 방향으로의 면지수(Miller Index)를 계산하여 다결정 규소막(210)의 결정화도를 평가함으로써 공정의 손실을 줄이고 적당한 결정화도가 진행되도록 레이저의 에너지 밀도나 조사 시간을 제어할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
100: 다결정 규소막 검사장치
110: 조사부
120: 검출부
130: 제어부
131: 연산부
132: 판정부
200: 기판
210: 다결정 규소막

Claims (10)

  1. 결정화된 다결정 규소막에 X-선을 조사하는 조사부,
    상기 다결정 규소막으로부터 회절된 X-선을 검출하는 검출부, 그리고
    상기 검출부로부터 상기 X-선의 회절각과 회절강도 데이터를 받아, 상기 다결정 규소막의 결정화도를 계산하여 상기 다결정 규소막의 불량여부를 판단하는 제어부를 포함하는 다결정 규소막의 검사 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제어부는, 상기 검출된 X-선의 회절각과 회절강도로부터 면지수(Miller Index)를 계산하는 연산부, 그리고
    상기 연산부로부터 계산된 면지수의 비율에 따라 다결정 규소막의 불량을 판단하는 판정부를 포함하는 다결정 규소막의 검사 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 연산부는, λ = 2dsinθ(λ는 조사된 X-선의 파장이고 θ는 회절각의 2배)에 따라 격자간의 거리 d를 계산하고,
    Figure pat00005
    (a는 규소막의 격자상수)에 따라 면지수[hkl]을 계산하는 다결정 규소막의 검사 장치.
  4. 제2항에서,
    상기 판정부는, 상기 다결정 규소막의 면지수 [100]의 비율이 50% 이상이면 양품으로 판단하는 다결정 규소막의 검사 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 다결정 규소막은 ELA(Excimer Laser Annealing) 결정화법, 고상 결정화법(solid phase crystallization), SGS(Super Grain Silicon) 결정화법, 또는 열처리 공정에 따라 결정화되는 다결정 규소막의 검사 장치.
  6. 결정화된 다결정 규소막에 X-선을 조사하는 단계,
    상기 다결정 규소막으로부터 회절된 X-선을 검출하는 단계, 그리고
    상기 X-선 검출단계에서 검출된 상기 X-선의 회절각과 회절강도 데이터를 이용하여 상기 다결정 규소막의 결정화도를 판단하여 다결정 규소막의 불량여부를 판단하는 단계를 포함하는 다결정 규소막의 검사 방법.
  7. 제6항에서,
    상기 다결정 규소막의 불량여부를 판단하는 단계는,
    상기 검출된 X-선의 회절각과 회절강도로부터 면지수(Miller Index)를 계산하는 단계, 그리고
    상기 계산하는 단계에서 계산된 면지수의 비율에 따라 다결정 규소막의 불량을 판단하는 단계를 포함하는 다결정 규소막의 검사 방법.
  8. 제7항에서,
    상기 면지수를 계산하는 단계는,
    λ = 2dsinθ(λ는 조사된 X-선의 파장이고 θ는 회절각의 2배)에 따라 격자간의 거리 d를 계산하는 단계, 그리고
    Figure pat00006
    (a는 규소막의 격자상수)에 따라 면지수[hkl]을 계산하는 단계를 포함하는 다결정 규소막의 검사 방법.
  9. 제7항에서,
    상기 다결정 규소막의 불량을 판단하는 단계는,
    상기 다결정 규소막의 면지수 [100]의 비율이 50% 이상이면 양품으로 판단하는 다결정 규소막의 검사 방법.
  10. 제6항에서,
    상기 다결정 규소막은 ELA(Excimer Laser Annealing) 결정화법, 고상 결정화법(solid phase crystallization), SGS(Super Grain Silicon) 결정화법, 또는 열처리 공정에 따라 결정화되는 다결정 규소막의 검사 방법.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100397086B1 (ko) * 1994-09-19 2003-09-06 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 장치
KR20140034260A (ko) * 2011-06-02 2014-03-19 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 다결정 실리콘 봉의 선택 방법 및 단결정 실리콘의 제조 방법
KR20140142568A (ko) * 2013-06-04 2014-12-12 삼성디스플레이 주식회사 다결정 규소막의 검사 방법
JP2015003847A (ja) * 2013-06-21 2015-01-08 信越化学工業株式会社 多結晶シリコンの粒径評価方法、多結晶シリコン棒の選択方法、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊、および、単結晶シリコンの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100397086B1 (ko) * 1994-09-19 2003-09-06 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 장치
KR20140034260A (ko) * 2011-06-02 2014-03-19 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 다결정 실리콘 봉의 선택 방법 및 단결정 실리콘의 제조 방법
KR20140142568A (ko) * 2013-06-04 2014-12-12 삼성디스플레이 주식회사 다결정 규소막의 검사 방법
JP2015003847A (ja) * 2013-06-21 2015-01-08 信越化学工業株式会社 多結晶シリコンの粒径評価方法、多結晶シリコン棒の選択方法、多結晶シリコン棒、多結晶シリコン塊、および、単結晶シリコンの製造方法

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