TWI598432B - 光學元件 - Google Patents

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TWI598432B TW105103994A TW105103994A TWI598432B TW I598432 B TWI598432 B TW I598432B TW 105103994 A TW105103994 A TW 105103994A TW 105103994 A TW105103994 A TW 105103994A TW I598432 B TWI598432 B TW I598432B
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劉仕賢
鄭功龍
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郭惠隆
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光學元件
本發明關於光學元件，特別是關於一種由具有高螺旋扭轉力之旋光性化合物所製備的光學元件。
近年來，具有末端反應官能基之化合物已逐漸應用於液晶顯示裝置的製程，例如作為光學膜或液晶組成物的材料之一。舉例來說，具有末端反應官能基之化合物可應用在增亮膜或配向膜的製備中、或是應用於膽固醇液晶配方中。然而，由於結構上的差異，使得大部份傳統具有末端反應官能基之化合物在液晶組成物中的溶解度不佳，且所得之液晶組成物之成膜性差。
本發明提供一種光學元件。該光學元件包含一增亮膜配置於一基板上。其中該增亮膜包含一旋光性化合物。其中，該旋光性化合物具有式(I)所示結構： Za及Zb係各自獨立為 、或；A1、A2、A3、及A4係各自獨立為 ；Z1、Z2、Z3、及Z4係各自獨立為單鍵、 R係獨立為氫、或C1-4烷基；R1及R2係各自獨立為-O-(CH2)n-、-CH=CH-(CH2)2-、-(CH2)2-CH=CH-、-CH=CH-、或-C≡C-；n係1 至6之整數；B1及B2係各自獨立為、或；以及， R3係氫、或甲基。
10‧‧‧發光元件
12‧‧‧增亮膜
14‧‧‧基板
第1圖係本發明實施例所述光學元件之剖面結構示意圖。
本發明係揭露一種光學元件。該光學元件包含一增亮膜配置於一基板上。其中該增亮膜包含一旋光性化合物。由於本發明所述旋光性化合物具有高螺旋扭轉力(HTP)值，因此該光學元件可具有集光、偏光、及增亮等功能。
根據本發明實施例，請參照第1圖，本發明所述光學 元件10包含一增亮膜12配置於一基板14上。其中該增亮膜包含一旋光性化合物。該旋光性化合物可具有式(I)所示結構： Za及Zb係各自獨立為 、或；A1、A2、A3、及A4係各自獨立為 ；Z1、Z2、Z3、及Z4係各自獨立為單鍵、 R係獨立為氫、或C1-4烷基；R1及R2係各自獨立為-O-(CH2)n-、-CH=CH-(CH2)2-、-(CH2)2-CH=CH-、-CH=CH-、或-C≡C-；n係1 至6之整數；B1及B2係各自獨立為、或；以及， R3係氫、或甲基。
根據本發明實施例，本發明所述旋光性化合物導入 碳酸酯基(carbonate ester、)來連接側鏈。舉例來說， 該旋光性化合物可具有式(II)所示結構 其中，A1、A2、A3、A4、Z1、Z2、Z3、Z4、R、R1、R2、B1、以及B2的定義與上述相同。舉例來說，該旋光性化合物可例如為
根據本發明實施例，本發明所述之旋光性化合物可具有式(III)所示結構： 其中，A1、A2、A3、A4、Z1、Z2、Z3、Z4、R、R1、R2、B1、以 及B2的定義與上述相同。舉例來說，該旋光性化合物可例如為
根據本發明實施例，本發明所述之旋光性化合物可具有式(IV)或式(V)所示結構：
其中，A1、A2、A3、A4、Z1、Z2、Z3、Z4、R、R1、R2、B1、以及B2的定義與上述相同。舉例來說，該旋光性化合物可例如為
根據本發明其他實施例，本發明所述之旋光性化合 物亦可具有式(VI)或式(VII)所示結構：
其中，A1、A2、A3、A4、Z1、Z2、Z3、Z4、R、R1、R2、B1、以及B2的定義與上述相同。舉例來說，該旋光性化合物可例如為
根據本發明實施例，該基板可為一透明基板，例如為玻璃基板、塑膠基板、或陶磁基板。該增亮膜除了包含該旋光性化合物外，可更包含向列型(nematic)液晶、層列型(smectic)液晶、或盤狀(discotic)液晶。舉例來說，該向列型液晶可為交聯型向列型液晶，可與該具有式(I)所示結構的旋光性化合物進一步進行交聯反應。此外，在該增亮膜中，該旋光性化合物之重量百比可介於約0.05wt%至30wt%之間(例如介於約0.05wt%至25wt%、或介於約0.05wt%至20wt%至重量份)，以該增亮膜之總重為基準。
根據本發明實施例，由於所述旋光性化合物導入碳 酸酯基(carbonate ester、)來連接側鏈，可提昇螺旋扭 轉力(HTP)、改善電壓維持率(voltage holding ratio)、增加在液晶配方中的溶解度、且延長在低溫下析出的時間。
為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉數實施例及比較實施例，作詳細說明如下：
旋光性化合物之製備
實施例1：旋光性化合物1
將10克的化合物1(0.038mol)加入一反應瓶中。接著，加入20mL的氯化亞碸(SOCl2)至反應瓶中，並加熱至80℃迴流。待化合物2完全溶解後，再迴流30分鐘。接著，待降至室溫(25℃)時，完全移除氯化亞碸(SOCl2)。在冰浴(0℃)下加入40mL的四氫呋喃(THF)，得到一第一溶液。接著，另取一反應瓶，加入8.88克對環己二醇(1,4-Cyclohexanediol)(0.076mol)、7.68克的三乙胺(triethylamine)(0.076mol)、0.93克的4-二甲氨基吡啶(4-dimethylaminopyridine、DMAP)(0.0076mol)、以及50mL的四氫呋喃(THF)，得到一第二溶液。接著，在冰浴(0℃)，將第一溶液逐滴滴入第二溶液中。完全加入後，在冰浴下攪拌30分鐘，並在室溫(25℃)下再攪拌1小時。接著，將四氫呋喃(THF)移除，並加入100mL的二氯甲烷(CH2Cl2)。在超音波震盪30分鐘後，加入50mL的鹽酸水溶液(5wt%)。經萃取後，收集有機層並以硫酸鎂除水。抽乾溶劑後，加入10mL四氫呋喃(THF)。接著，加入200mL的甲醇使固體析出，進行過濾並收集濾液。將所得濾液進行濃縮後，得到化合物2(褐紅液體)，產率：55%。上述反應之反應式如下所示：
接著，將8.0克的化合物2(0.022mol)、0.6克的吡啶(pyridine)、及40mL的二氯甲烷(CH2Cl2)加入一反應瓶中。接著，在冰浴(0℃)下緩慢加入2克的三光氣(triphosgene)(溶於10mL的二氯甲烷中)。攪拌1小時後，得到一第三溶液。接著，另取一反應 瓶，加入1.5克化合物3(結構為、S-form)(0.006mol)、0.6 克三乙胺(triethylamine)(0.006mol)、0.01克4-二甲氨基吡啶(4-dimethylaminopyridine、DMAP)(0.0006mol)、以及50mL四氫呋喃(THF)，得到一第四溶液。接著，在冰浴下，將第三溶液逐滴滴入冰浴之第四溶液。完全加入後，在冰浴攪拌30分鐘，並在室溫(25℃)下再攪拌1小時。接著，將四氫呋喃(THF)移除，並加入100mL的二氯甲烷(CH2Cl2)。在超音波震盪30分鐘後，加入50mL的鹽酸水溶液(5wt%)。經萃取後，收集有機層並以硫酸鎂除水。抽乾溶劑後，加入10mL四氫呋喃(THF)。接著，加入200mL的甲醇使固體析出，進行過濾並收集濾液。將所得濾液進行濃縮後，得到旋光性化合物1，產率51%。上述反應之反應式如下所示：
利用核磁共振光譜分析旋光性化合物1，所得之光譜資訊如下：1H NMR(300MHz,CDCl3)：1.27-1.31(m,8H),1.43(s,8H),1.91(s8H),2.30-2.38(m,4H),3.1(d,J=2.75Hz,4H),4.06(d,J=4.4Hz,4H),4.25-4.27(d,J=5.6Hz,4H)4.52(m,2H),5.02(m,2H),5.83-5.85(d,J=10.3Hz,2H),6.11-6.16(dd,J=8.4,10.4Hz2H),6.40-6.44(d,J=17.34Hz,2H),6.90-6.92(d,J=8.6Hz,4H),7.00-7.02(d,J=7.9Hz,2H),7.15-7.17(d,J=8.1Hz,2H),7.23-7.25(d,J=8.0Hz,2H),7.97-7.98(d,J=8.5Hz,4H)。
實施例2：旋光性化合物2
將10克的化合物1(0.038mol)加入一反應瓶中。接著，加入20mL的氯化亞碸(SOCl2)至反應瓶中，並加熱至80℃迴流。待化合物2完全溶解後，再迴流30分鐘。接著，待降至室溫(25℃)時，完全移除氯化亞碸(SOCl2)。在冰浴(0℃)下加入40mL的四氫呋喃(THF)，得到一第一溶液。接著，另取一反應瓶，加入8.33克對苯二酚(0.076mol)、7.68克的三乙胺(triethylamine)(0.076mol)、0.93克的4-二甲氨基吡啶 (4-dimethylaminopyridine、DMAP)(0.0076mol)、以及50mL的四氫呋喃(THF)，得到一第二溶液。接著，在冰浴(0℃)，將第一溶液逐滴滴入第二溶液中。完全加入後，在冰浴下攪拌30分鐘，並在室溫(25℃)下再攪拌1小時。接著，將四氫呋喃(THF)移除，並加入100mL的二氯甲烷(CH2Cl2)。在超音波震盪30分鐘後，加入50mL的鹽酸水溶液(5wt%)。經萃取後，收集有機層並以硫酸鎂除水。抽乾溶劑後，加入10mL四氫呋喃(THF)。接著，加入200mL的甲醇使固體析出，進行過濾並收集濾液。將所得濾液進行濃縮後，得到化合物4(褐紅液體)，產率：56%。上述反應之反應式如下所示：
接著，將5.3克的化合物4(0.015mol)、0.6克的吡啶(pyridine)、及40mL的二氯甲烷(CH2Cl2)加入一反應瓶中。接著，在冰浴(0℃)下緩慢加入2克的三光氣(triphosgene)(溶於10mL的二氯甲烷中)。攪拌1小時後，得到一第三溶液。接著，另取一反應 瓶，加入1.5克化合物3(結構為、S-form)(0.006mol)、0.6 克三乙胺(triethylamine)(0.006mol)、0.01克4-二甲氨基吡啶 (4-dimethylaminopyridine、DMAP)(0.0006mol)、以及50mL四氫呋喃(THF)，得到一第四溶液。接著，在冰浴下，將第三溶液逐滴滴入冰浴之第四溶液。完全加入後，在冰浴攪拌30分鐘，並在室溫(25℃)下再攪拌1小時。接著，將四氫呋喃(THF)移除，並加入100mL的二氯甲烷(CH2Cl2)。在超音波震盪30分鐘後，加入50mL的鹽酸水溶液(5wt%)。經萃取後，收集有機層並以硫酸鎂除水。抽乾溶劑後，加入10mL四氫呋喃(THF)。接著，加入200mL的甲醇使固體析出，進行過濾並收集濾液。將所得濾液進行濃縮後，得到旋光性化合物2，產率75%。上述反應之反應式如下所示： 利用核磁共振光譜分析旋光性化合物2，所得之光譜資訊如下：1.95(s 8H),2.33-2.41(m,4H),3.3(d,J=2.75Hz,4H),4.01(d,J=4.4Hz,4H),4.21-4.24(d,J=5.5Hz,4H),5.80-5.83(d,J=10.1Hz,2H),6.11-6.16(dd,J=8.4,10.4Hz,2H),6.40-6.44(d,J=17.34Hz,2H),6.90-6.92(d,J=8.6Hz,4H),6.96-6.99(d,J=8.8Hz,4H),7.00-7.02(d,J=7.9Hz,2H),7.02-7.04(d,J=8.8Hz,4H),7.15-7.17(d,J=8.1Hz,2H),7.23-7.25(d,J=8.0Hz,2H), 7.97-7.98(d,J=8.5Hz,4H)。量測旋光性化合物1(由實施例1製備)及旋光性化合物2(由實施例2製備)的螺旋扭轉力(helical twisting power、HTP)值，結果如表1所示。
由表1可得知，本發明所述具有式(I)結構之化合物具有較高的螺旋扭轉力值，在達到相同螺距條件下使添加量減少，進而降低驅動電壓，影響液晶程度較小且成本更低。
液晶組成物及其性質量測
實施例3
將0.01克化合物1配置於4.99克負型液晶主體(△n=0.1，△ε=-2.1，黏度為20mPa‧s)，中量測其電壓維持率(VHR)及低溫保存析出時間，結果如表2所示。
由表2可知，本發明所述化合物添加到液晶組成物中，可使該液晶組成物具有良好的電壓維持率(VHR)(≧95%)，對於需要考慮電壓維持率之主動陣列液晶顯示元件來說，可幫 助提高其畫面對比與降低其影像殘留。此外，本發明所述化合物在低溫下也不易析出。
實施例4
溶解度(wt%)
將化合物1及將化合物2加入液晶主體中(所使用的液晶主體為IBL-087)，並逐漸增加化合物的添加量，觀察化合物1及將化合物2的最大添加重量百分比(由瓶壁上是否有析出的單體來判斷)。結果如表3所示：
由表3可知，本發明所述化合物添加到液晶組成物中，具有高的溶解度(可添加至15wt%以上)。
雖然本發明已以數個實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何本技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧發光元件
12‧‧‧增亮膜
14‧‧‧基板

Claims (10)

  1. 一種光學元件，包含一增亮膜配置於一基板上，其中該增亮膜包含一旋光性化合物，且該旋光性化合物具有式(I)所示結構： Za及Zb係各自獨立為 、或；A1、A2、A3、及A4係各自獨立為 ；Z1、Z2、Z3、及Z4係各自獨立為單鍵、 R係獨立為氫、或C1-4烷基；R1及R2係各自獨立為-O-(CH2)n-、-CH=CH-(CH2)2-、-(CH2)2-CH=CH-、-CH=CH-、或-C≡C-；n係1 至6之整數；B1及B2係各自獨立為、或；以及， R3係氫、或甲基。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光學元件，其中該旋光性化合物具有式(II)所示結構： A1、A2、A3、及A4係各自獨立為 、或；R係獨立為氫、或 C1-4烷基；Z1、Z2、Z3、及Z4係各自獨立為單鍵、 、或；R1及 R2係各自獨立為-O-(CH2)n-、-CH=CH-(CH2)2-、-(CH2)2-CH=CH-、 -CH=CH-、或-C≡C-；n係1至6之整數；B1及B2係各自獨立為 、或；以及，R3係氫、或甲基。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之光學元件，其中該旋光性化合物係
  4. 如申請專利範圍第1項所述之光學元件，其中該旋光性化合物具有式(III)所示結構： A1、A2、A3、及A4係各自獨立為 、或；R係獨立為氫、或 C1-4烷基；Z1、Z2、Z3、及Z4係各自獨立為單鍵、 、或；R1及 R2係各自獨立為-O-(CH2)n-、-CH=CH-(CH2)2-、-(CH2)2-CH=CH-、-CH=CH-、或-C≡C-；n係1至6之整數；B1及B2係各自獨立為 、或；以及，R3係氫、或甲基。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之光學元件，其中該旋光性化合物係
  6. 如申請專利範圍第1項所述之光學元件，其中該旋光性化合物具有式(IV)或式(V)所示結構： A1、A2、A3、及A4係各自獨立為 、或；R係獨立為氫、或 C1-4烷基；Z1、Z2、Z3、及Z4係各自獨立為單鍵、 、或；R1及 R2係各自獨立為-O-(CH2)n-、-CH=CH-(CH2)2-、-(CH2)2-CH=CH-、-CH=CH-、或-C≡C-；n係1至6之整數；B1及B2係各自獨立為 、或；以及，R3係氫、或甲基。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之光學元件，其中該旋光性化合物係
  8. 如申請專利範圍第1項所述之光學元件，其中該旋光性化合物具有式(IV)所示結構： A1、A2、A3、及A4係各自獨立為 、或；R係獨立為氫、或 C1-4烷基；Z1、Z2、Z3、及Z4係各自獨立為單鍵、 、或；R1及 R2係各自獨立為-O-(CH2)n-、-CH=CH-(CH2)2-、-(CH2)2-CH=CH-、 -CH=CH-、或-C≡C-；n係1至6之整數；B1及B2係各自獨立為 、或；以及，R3係氫、或甲基。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之光學元件，其中該旋光性化合物係
  10. 如申請專利範圍第1項所述之光學元件，其中該旋光性化合物之重量百比介於0.05wt%至30wt%之間，以該增亮膜之總重為基準。
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