TWI595074B - 有機發光裝置及方法 - Google Patents

有機發光裝置及方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI595074B
TWI595074B TW102115945A TW102115945A TWI595074B TW I595074 B TWI595074 B TW I595074B TW 102115945 A TW102115945 A TW 102115945A TW 102115945 A TW102115945 A TW 102115945A TW I595074 B TWI595074 B TW I595074B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light
layer
emitting
organic light
emitting device
Prior art date
Application number
TW102115945A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201402778A (zh
Inventor
羅柏 亞契
Original Assignee
劍橋顯示科技有限公司
住友化學股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 劍橋顯示科技有限公司, 住友化學股份有限公司 filed Critical 劍橋顯示科技有限公司
Publication of TW201402778A publication Critical patent/TW201402778A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI595074B publication Critical patent/TWI595074B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H10K50/121—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants for assisting energy transfer, e.g. sensitization
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/27—Combination of fluorescent and phosphorescent emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151—Copolymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Description

有機發光裝置及方法
本發明係關於有機發光裝置及其製造方法。
包括活性有機材料之電子裝置由於在諸如以下等裝置中之用途正吸引愈來愈多之關注：有機發光二極體(OLED)、有機光響應裝置(特定而言有機光伏打裝置及有機光感測器)、有機電晶體及記憶體陣列裝置。包括有機材料之裝置提供多種益處，例如低重量、低電力消耗及撓性。另外，使用可溶性有機材料容許在裝置製造中使用溶液處理，例如噴墨印刷或旋塗。
OLED可包括基板，其攜載陽極、陰極及一或多個位於陽極與陰極之間之有機發光層。
在裝置之操作期間，電洞經由陽極注入裝置且電子經由陰極注入。發光材料之最高佔據分子軌域(HOMO)中之電洞與最低未佔據分子軌域(LUMO)中之電子組合以形成以光形式釋放能量之激子。
適宜發光材料包含小分子、聚合及樹枝狀材料。適宜發光聚合物包含聚(伸芳基伸乙烯基)(例如聚(對-伸苯基伸乙烯基))及聚伸芳基(例如聚茀)。
發光層可包括半導電主體材料及磷光材料，其中將能量自主體材料轉移至磷光材料。舉例而言，J.Appl.Phys.65,3610,1989揭示摻雜有螢光發光摻雜劑之主體材料(亦即，經由單重態激子之衰變發 射光之發光材料)，且Appl.Phys.Lett.,2000,77,904揭示摻雜有磷光發光摻雜劑之主體材料(亦即，經由三重態激子之衰變發射光之發光材料)。
來自一個以上OLED層之發射(特定而言達成白光發射)揭示於(例如)WO 2008/131750、DE 102007020644及EP1390962以及SPIE(2004),5519,42-47中。
WO 2005/043640揭示，在有機發光裝置中摻和苝衍生物與有機發光材料可較小程度地增加裝置之壽命。然而，儘管較高濃度之苝衍生物會較大程度地改良壽命，但此情形會在發射光譜中產生顯著紅移。
US 2007/145886揭示包括三重態猝滅材料以防止或減小三重態-三重態或三重態-單重態相互作用之OLED。
US 2005/095456揭示具有包括主體材料、染料或顏料及添加劑之發光層之OLED，該添加劑展現其吸收邊緣之能階高於染料或顏料之吸收邊緣之能階。
WO 2011/161425揭示包括發光重複單元及三重態接收單元之螢光發光聚合物。
在第一態樣中，本發明提供一種有機發光裝置，其包括：陽極；陰極；第一發光層，其位於該陽極與該陰極之間，該第一發光層包括具有三重激發態能階T1F之螢光發光材料及具有三重激發態能階T1T之三重態-三重態湮滅(TTA)促進劑，其中T1F>T1T；及第二發光層，其位於該陽極與該陰極之間且毗鄰該第一發光層，該第二發光層包括具有三重激發態能階T1P之磷光材料，其中T1P >T1T。
視情況，TTA促進劑具有單重激發態能階S1T且螢光發光材料具有單重激發能階S1F，其中S1T>S1F。
視情況，將螢光發光材料與TTA促進劑加以摻和。
視情況，使TTA促進劑結合至螢光發光材料。
視情況，螢光發光材料係藍光發光材料。
視情況，螢光發光材料係聚合物。視情況，聚合物包括式(IV)之重複單元：
其中Ar8及Ar9在每次出現時獨立地選自經取代或未經取代之芳基或雜芳基，g大於或等於1、較佳地1或2，R13係H或取代基、較佳地取代基；c及d各自獨立地係1、2或3；且直接結合至N原子之Ar8、Ar9及R13中之任一者可連接至結合至相同N原子之Ar8、Ar9及R13中之另一者。
視情況，螢光發光材料：TTA促進劑莫耳比率在80：20-99.9：0.1範圍內、視情況在90：10-99.9：0.1範圍內、視情況在95：15-99.9：0.1範圍內。
視情況，TTA促進劑上之三重態激子之半衰期至少為1微秒。
視情況，TTA促進劑包括經取代或未經取代之蒽。
視情況，TTA促進劑係包括式(V)之重複單元之聚合物：-(PAH)-(V)
其中PAH代表可未經取代或經一或多個取代基取代之聚芳族烴。
視情況，TTA促進劑係包括式(Va)之經取代或未經取代之重複單元之聚合物：
視情況，式(Va)之重複單元經一或多個C1-20烷基取代。
視情況，磷光發光材料係紅光發光材料。
視情況，第二發光層包括主體材料。
視情況，裝置包括至少一個額外發光層。
視情況，至少一個額外發光層與第一發光層由第二發光層間隔開。
視情況，至少一個額外發光層係綠光發光層。
視情況，至少一個額外發光層係磷光發光層。
視情況，裝置係發射白光之OLED。
在第二態樣中，本發明提供形成第一態樣之OLED之方法，其包括以下步驟：在陽極及陰極中之一者上方以任一順序形成第一發光層及第二發光層，及在第一發光層及第二發光層上方形成陽極及陰極中之另一者。
根據第二態樣，視情況，各自獨立地自存於至少一種溶劑中之溶液沈積第一發光層及第二發光層，隨後蒸發至少一種溶劑。
根據第二態樣，視情況，第一發光層及第二發光層中之第一沈積層並不溶於用於沈積第二沈積層之至少一種溶劑中。
根據第二態樣，視情況，在形成第二沈積層之前使第一沈積層交聯。
本文所用之「伸芳基」及「伸雜芳基」包含具有單環之芳族及雜芳族基團及具有稠合環結構之芳族及雜芳族基團。
101‧‧‧基板
103‧‧‧陽極
105‧‧‧磷光發光層
107‧‧‧螢光發光層
109‧‧‧陰極
現將參照附圖更詳細地闡述本發明，其中：圖1係本發明一實施例之OLED之示意圖；圖2圖解說明本發明一實施例之裝置之第一三重態-三重態湮滅機制；圖3圖解說明本發明一實施例之裝置之第二三重態-三重態湮滅機制；圖4係本發明一實施例之第一裝置及第一對比裝置之電致發光光譜；圖5係本發明一實施例之第一裝置及第一對比裝置之電流強度對電壓之圖形；圖6係本發明一實施例之第一裝置及第一對比裝置之外部量子效率對電壓之圖形；圖7係本發明一實施例之第一裝置及第一對比裝置之亮度對時間之圖形；圖8係本發明一實施例之第二裝置及第二對比裝置之電致發光光譜；圖9係本發明一實施例之第二裝置及第二對比裝置之電流強度對電壓之圖形；圖10係本發明一實施例之第二裝置及第二對比裝置之外部量子效率對電壓之圖形；圖11係本發明一實施例之第二裝置及第二對比裝置之亮度對時間之圖形；且圖12係本發明實施例之第二裝置、第三裝置、第四裝置及第五 裝置及第二對比裝置之電致發光光譜。
圖1圖解說明本發明一實施例之OLED。
OLED包括陽極103、磷光發光層105、螢光發光層107及陰極109。螢光發光層107含有螢光發光材料及TTA促進劑。OLED支撐於基板101(例如玻璃或塑膠基板)上。可經由透明基板101及透明陽極103發射光，或可經由透明陰極109發射光，在後一情形下，陽極103及基板101可各自係透明或不透明的，且可具有反射性。
在圖1之實施例中，螢光發光層107位於磷光發光層105與陰極之間。在其他實施例中，磷光發光層105可位於螢光發光層107與陰極之間。
一或多個額外層可位於陽極103與陰極109之間。其他層可選自額外發光層、電荷傳輸層、電荷注入層及電荷阻擋層。
實例性發光結構包含下列結構：陽極/發光層/陰極
陽極/電洞注入層/發光層/陰極
陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/陰極
發光層可由磷光層及毗鄰螢光發光層組成，或可含有一或多個額外發光層。額外發光層可為螢光或磷光發光層。較佳地，裝置含有兩個或三個發光層。一個發光層可含有兩種發射不同峰值波長之光之不同發光材料。
在一較佳實施例中，來自發光層之發射組合產生白光。白光可藉由藍光及黃光之組合或藉由紅光、綠光及藍光之組合產生。實例性發光層組合包含：綠光磷光/紅光磷光/藍光螢光
紅光磷光及綠光磷光/藍光螢光
黃光磷光/藍光螢光
黃光磷光/紅光磷光/藍光螢光
藍光發光材料可具有在400-490nm範圍內具有峰之光致發光光譜。
綠光發射磷光材料可具有在大於490-560nm之範圍內具有峰之光致發光光譜。
黃光發射磷光材料可具有在大於560-590nm之範圍內具有峰之光致發光光譜。
紅光發射磷光材料可在其光致發光發射光譜中於約大於590-700nm處具有峰。
發射白光之OLED可含有發射白光之單一層或可含有兩個或更多個發射不同顏色光以組合產生白光之層。自發射白光之OLED發射之光可具有於2500-9000 K範圍內之溫度下等效於由黑體所發射者之CIE x坐標的CIE x坐標，且具有由黑體發射之該光之CIE y坐標之0.05或0.025內的CIE y坐標，視情況CIE x坐標於2600-4500 K範圍內之溫度下等效於由黑體所發射者之CIE x坐標。
每一發光層可具有在約10-100nm範圍內之厚度。
圖2圖解說明本發明一實施例之OLED之第一能量轉移機制，其中OLED在OLED之螢光發光層107中包括螢光發光材料及三重態-三重態湮滅(TTA)促進劑。螢光發光材料及TTA促進劑可為在發光層中摻和至一起之單獨材料。另一選擇為，TTA促進劑可結合至發光材料；舉例而言，發光材料及TTA促進劑可呈包括發光重複單元及TTA-促進重複單元之共軛或非共軛聚合物之形式。
在操作中，在螢光發光材料上分別形成具有能階S1F及T1F之單重態激子及三重態激子。具有能階S1F之單重態激子可藉由發射螢光hv發生衰變，其由圖2中S1F與S0F之間之實線箭頭圖解說明。由圖2中之 虛線箭頭圖解說明之自T1F至S0F之三重態激子衰變係自旋禁阻過程。
在T1F形成之三重態激子可轉移至TTA促進劑之三重激發能階T1T。藉由提供能階T1T低於T1F之TTA促進劑，激子可自T1F快速轉移至T1T。此轉移可相對快於自T1F至S0F之三重態激子衰變之自旋禁阻過程。
T1F與T1T之間之能隙較佳大於kT以避免激子自T1T至T1F之反轉移。螢光材料之單重激發態S1F較佳地低於TTA促進劑之單重激發態能階S1T。S1T與S1F之間之能隙較佳地大於kT以避免激子自S1F至S1T之轉移。
可藉由兩種TTA促進劑之間之相互作用來引起三重態-三重態湮滅(TTA)以產生延遲螢光，從而使得形成能量至高為2×T1T之三重態-三重態湮滅單重態激子。在兩個三重態促進劑單元中之第一者上形成之此單重態激子之能階SnT在能量上高於S1T及S1F且因此其可轉移至S1T且然後轉移至S1F，自S1F可以延遲螢光形式發射光hv(F)。
T1T處與三重態-三重態湮滅相競爭之三重態激子衰變之路徑係指向S0T之非輻射性(猝滅)路徑，其由T1T與S0T之間之虛線圖解說明。可採取諸多措施來最大化發生TTA而非衰變至S0T之概率，特定而言如下所述：
i)可選擇TTA促進劑以便T1T處之三重態激子具有相對長壽命τ。相對長壽命不僅意味著指向S0T之衰變速率相對較為緩慢，且亦意味著TTA之可能性相對較高。
ii)可緊密接近地提供兩個或更多個TTA促進劑單元。
該等措施中之每一者可單獨或組合使用。
圖3圖解說明第二能量轉移，其中三重態-三重態湮滅發生於位於TTA促進劑上之能量T1T三重態激子及位於螢光發光材料上之能量T1F三重態激子之間。應瞭解，此得到能量至高為T1F+T1T之三重態-三重 態湮滅單重態激子。此單重態激子之能量高於S1F且因此其可將其能量轉移至S1F，自S1F可以延遲螢光形式發射光hv。
在圖2及3中，儘管能階S1T可能較佳地大於S1E，但應瞭解，此並非發生三重吸收所必需。
藉由利用TTA促進劑生成TTA且產生穩定延遲螢光，可與並無TTA促進劑之裝置相比改良效率。
在圖2及3中，分別針對TTA促進劑-TTA促進劑三重態湮滅及TTA促進劑-螢光發射體材料三重態湮滅機制闡述TTA，然而應瞭解，兩種機制可在相同裝置中發揮作用，且來自該兩種機制中之每一者之延遲螢光之量取決於諸如以下因素：螢光發光材料之濃度、TTA促進劑之濃度及發光單元及TTA促進劑單元上之三重態激子之激發態壽命。可採用上文參照圖2所闡述之措施以增加TTA之概率。
可選擇螢光發光材料及TTA促進劑，以便可選擇三重態激子自螢光發光材料轉移至TTA促進劑之速率常數以使其大於三重態激子由TTA促進劑猝滅之速率常數。
自本發明裝置之螢光發光層發射之光可包含如上文所闡述之延遲螢光以及直接藉由在發光材料上重組電洞及電子產生的螢光(「瞬時螢光」)。
熟習此項技術者知曉測定自發光組合物發射之光中延遲螢光之存在之方法，例如藉由量測在瞬時螢光後來自發光組合物之發光。
可在斷開實例性裝置期間獲取時間解析電致發光光譜；在發生TTA之情況下，在斷開電流之後，在與裝置之RC時間常數類似之時序表上亮度初始快速衰變後在通常數微秒之時段內具有發射衰變之殘餘信號。通常，OLED中之緩慢瞬變發射歸因於來自深陷阱或界面電荷層之電荷之重組或TTA(參見Kondakov,D.Y.Characterization of triplet-triplet annihilation in organic light-emitting diodes based on anthracene derivatives.J.Appl Phys. 102,114504-5(2007)；Sinha,S.,Rothe,C,Guentner,R.,Scherf,U.及Monkman,A.P.Electrophosphorescence and Delayed Electroluminescence from Pristine Polyfluorene Thin Film Devices at Low Temperature.Physical Review Letters 90,127402(2003)；及Sinha,S.,Monkman,A.P.,Guntner,R.及Scherf,U.Space-charge-mediated delayed electroluminescence from polyfluorene thin films.Appl Phys.Lett.82,4693-4695(2003))。
為區分兩種機制，可藉由在斷開裝置電流之後施加10v反向偏壓脈衝100ns來量測相同瞬變電致發光跡線，此脈衝將去除或至少顯著地擾亂造成亮度衰變之任一捕獲電荷。若在反向偏壓脈衝之後之發光衰變與標準衰變形狀相比保持不變，則可斷定捕獲電荷之重組並不顯著產生殘餘亮度信號，該殘餘亮度信號係由源於TTA之延遲螢光所致(Popovic,Z.D.及Aziz,H.Delayed electroluminescence in small-molecule-based organic light-emitting diodes：Evidence for triplet-triplet annihilation and recombination-center-mediated light-generation mechanism.J.Appl Phys.98,013510-5(2005))。
如圖2及3中所圖解說明，毗鄰螢光發光層107之磷光發光層105含有具有三重激發態能階T1P之磷光發光材料。磷光發光材料能夠藉由將三重態激子自T1P衰變至基態S0P來產生磷光發射hv(P)。在毗鄰螢光發光層105中，T1P能階可高於T1T。
螢光發光材料之T1F能階可不低於層105中磷光材料之T1P能階0.1 eV、視情況與其相同或較高。
可藉由低溫磷光光譜術量測三重態能階(Y.V.Romaovskii等人，Physical Review Letters,2000,85(5),p1027；A.van Dijken等人，Journal of the American Chemical Society,2004,126,p7718)。
可藉由螢光光譜術量測單重態能階。
螢光發光材料
適宜螢光發光材料包含小分子、聚合及樹枝狀材料及其組合物。適宜發光聚合物包含聚(伸芳基伸乙烯基)，例如聚(對-伸苯基伸乙烯基)；及聚伸芳基，例如：聚茀，特定而言2,7-連接9,9二烷基聚茀或2,7-連接9,9二芳基聚茀；聚螺茀，特定而言2,7-連接聚-9,9-螺茀；聚茚并茀，特定而言2,7-連接聚茚并茀；聚伸苯基，特定而言經烷基或烷氧基取代之聚-1,4-伸苯基。該等聚合物揭示於(例如)Adv.Mater.2000 12(23)1737-1750及其中之參考文獻中。
螢光發光材料較佳係具有小於或等於480nm、例如在400-480nm範圍內之峰光致發光波長之藍光螢光材料。
螢光發光聚合物可為包括發光重複單元之發光均聚物，或其可為包括發光重複單元及其他重複單元(例如如(例如)WO 00/55927中所揭示之電洞傳輸及/或電子傳輸重複單元)之共聚物。每一重複單元可提供於聚合物之主鏈或側鏈中。
螢光發光聚合物可具有非共軛主鏈且自非共軛主鏈懸垂有共軛基團，或可為具有含有彼此共軛之重複單元之主鏈之聚合物。
共軛螢光發光均聚物或共聚物之實例性重複單元可包含伸芳基、伸雜芳基、伸乙烯基及伸芳基伸乙烯基(例如伸苯基伸乙烯基)及芳基胺重複單元中之一或多者。每一重複單元可未經取代或經一或多個取代基取代。在存在之情形下，取代基可選自C1-40烴基。
共軛聚合物較佳地包括具有共軛至毗鄰重複單元之伸芳基或伸雜芳基之伸芳基或伸雜芳基之重複單元。可控制重複單元中之共軛程度(亦即重複單元與重複單元任一側上之毗鄰單元之間之共軛程度)以(例如)控制單重態及/或三重態能階。
實例性茀重複單元具有式(I)：
其中R5在每次出現時可相同或不同且係H或取代基，且其中兩個基團R5可連接以形成環。
每一R5較佳地係取代基，且每一R5可獨立地選自由以下組成之群： -經取代或未經取代之烷基、視情況C1-20烷基，其中一或多個非毗鄰C原子可經視情況經取代之芳基或雜芳基、O、S、經取代之N、C=O或-COO-代替且一或多個H原子可經F代替； -經取代或未經取代之芳基或雜芳基或芳基或雜芳基之直鏈或支鏈，其中之每一者可獨立地經取代，例如式-(Ar4)r之基團，其中Ar4在每次出現時獨立地係經取代或未經取代之芳基或雜芳基且r至少為1、視情況1、2或3； -直接附接至茀單元或藉由間隔基團與其間隔開之可交聯基團，例如包括雙鍵(例如乙烯基或丙烯酸酯基團)之基團或苯并環丁烷基團在R5包括一或多個芳基或雜芳基Ar4之情形下，每一Ar4可獨立地經一或多個選自由以下組成之群之取代基R6取代：烷基(例如C1-20烷基)，其中一或多個非毗鄰C原子可經O、S、經取代之N、C=O及-COO-代替，且烷基之一或多個H原子可經F或視情況經一或多個基團R7取代之芳基或雜芳基代替，芳基或雜芳基，其視情況經一或多個基團R取代，NR8 2、OR8、SR8及氟、硝基及氰基；其中每一R4獨立地係烷基(例如C1-20烷基)，其中一或多個非毗鄰 C原子可經O、S、經取代之N、C=O及-COO-代替，且烷基之一或多個H原子可經F或D代替，且每一R8獨立地選自由烷基(例如C1-20烷基)及視情況經一或多個烷基取代之芳基或雜芳基(例如未經取代或經一或多個C1-20烷基取代之苯基)組成之群。
茀重複單元之芳族碳原子可皆未經取代，或該等芳族碳原子中之一或多者可經取代基R4取代。在存在之情形下，每一R4獨立地選自由以下組成之群：烷基(例如C1-20烷基，其中一或多個非毗鄰C原子可經O、S、NH或經取代之N、C=O及-COO-代替)、視情況經取代之芳基、視情況經取代之雜芳基、烷氧基、烷硫基、氟、氰基及芳基烷基。尤佳取代基R4包含C1-20烷基及經取代或未經取代之芳基(例如苯基)。用於芳基之可選取代基包含一或多個C1-20烷基。
在存在之情形下，經取代N在每次出現時可獨立地係NR9，其中R9係烷基、視情況C1-20烷基或視情況經取代之芳基或雜芳基。用於芳基或雜芳基R9之可選取代基可選自R7或R8。
較佳地，每一R5係選自由以下組成之群：C1-20烷基及-(Ar4)r，其中Ar4在每次出現時係經取代或未經取代之苯基。用於苯基之可選取代基包含一或多個C1-20烷基。
式(I)之重複單元可為式(Ia)之2,7-連接重複單元：
視情況，式(Ia)之重複單元在毗鄰2-位或7-位之位置未經取代基R4取代。
可藉由以下方式來限制式(I)之重複單元與毗鄰重複單元之共軛程度：(a)經由3-位及/或6-位連接重複單元以限制重複單元中之共軛 程度，及/或(b)在一或多個毗鄰連接位置之位置處使用一或多個額外取代基R4取代重複單元以使用一或多個毗鄰重複單元產生扭轉，例如在3-位及6-位中之一者或兩者處攜載C1-20烷基取代基之2,7-連接茀。
實例性含伸苯基重複單元具有式(II)：
其中p為0、1、2、3或4，視情況為1或2；q為1、2或3；且R10在每次出現時獨立地係取代基，視情況係如上文參照式(I)所闡述之取代基R5，例如C1-20烷基及未經取代或經一或多個C1-20烷基取代之苯基。
在q=1之情形下，式(II)之重複單元可為1,4-連接、1,2-連接或1,3-連接。
若式(II)之重複單元係1,4-連接且若p為0，則式(II)之重複單元之共軛程度可相對較高。
若p至少為1，及/或重複單元為1,2-連接或1,3連接，則式(II)之重複單元之共軛程度可相對較低。在一可選配置中，q=1，(II)之重複單元式係1,3-連接且p為0、1、2或3。在另一可選配置中，(II)之重複單元式具有式(IIa)：
另一實例性伸芳基重複單元具有式(III)：
其中R5如上文參照式(I)所闡述。R5基團中之每一者可連接至R5基團中之任一另一者以形成環。
其他伸芳基共重複單元包含：菲重複單元、萘重複單元、蒽重複單元及苝重複單元。該等伸芳基重複單元中之每一者可經由該等單元之芳族碳原子中之任兩者連接至毗鄰重複單元。具體實例性鏈接包含9,10-蒽、2,6-蒽、1,4-萘、2,6-萘、2,7-菲及2,5-苝。該等重複單元中之每一者可未經取代或經一或多個取代基取代。較佳取代基係選自C1-40烴基(例如C1-20烷基)及未經取代或經一或多個C1-20烷基取代之苯基。
聚合物可含有胺重複單元，特定而言式(IV)之胺：
其中Ar8及Ar9在每次出現時獨立地選自經取代或未經取代之芳基或雜芳基，g大於或等於1、較佳地1或2，R13係H或取代基、較佳地取代基，且c及d各自獨立地係1、2或3。
R13在g>1時每次出現時可相同或不同，其較佳地選自由以下組成之群：烷基(例如C1-20烷基)、Ar10、Ar10基團之支鏈或直鏈或直接結合至式(IV)之N原子或藉由間隔基團與其間隔開之可交聯單元，其中Ar10在每次出現時獨立地係視情況經取代之芳基或雜芳基。實例性間 隔基團係C1-20烷基、苯基及苯基-C1-20烷基。
式(IV)之重複單元中Ar8、Ar9及(若存在)Ar10中之任一者可藉由直接鍵或二價連接原子或基團連接至Ar8、Ar9及Ar10中之另一者。較佳二價連接原子及基團包含O、S、經取代之N及經取代之C。
Ar8、Ar9及(若存在)Ar10中之任一者可經一或多個取代基取代。實例性取代基係取代基R14，其中每一R14可獨立地選自由以下組成之群：-經取代或未經取代之烷基、視情況C1-20烷基，其中一或多個非毗鄰C原子可經視情況經取代之芳基或雜芳基、O、S、經取代之N、C=O或-COO-代替且一或多個H原子可經F代替；及-直接附接至Ar8、Ar9或Ar10或藉由間隔基團與其間隔開之可交聯基團，例如包括雙鍵(例如乙烯基或丙烯酸酯基團)之基團或苯并環丁烷基團。
在存在之情形下，經取代之N可為經以下基團取代之N：烴基(例如C1-10烷基)、未經取代之苯基或經一或多個C1-10烷基取代之苯基。
式(IV)之較佳重複單元具有式1-3：
在一較佳配置中，R13係Ar10，且Ar8、Ar9及Ar10中之每一者皆獨立且視情況經一或多個C1-20烷基取代。
Ar8、Ar9及Ar10較佳係苯基，其中之每一者皆可獨立地經一或多個如上文所闡述之取代基取代。
在另一較佳配置中，Ar8及Ar9係苯基，其中之每一者皆可經一或 多個C1-20烷基取代，且R13係3,5-二苯基苯，其中每一苯基皆可經一或多個C1-20烷基取代。
在另一較佳配置中，c、d及g各為1且Ar8及Ar9係藉由氧原子連接以形成吩噁嗪環之苯基。
可以在約0.5mol%至約50mol%範圍內、視情況約1-25mol%、視情況約1-10mol%之莫耳量提供胺重複單元。
式(IV)之重複單元可提供電洞傳輸及/或發光性質。共軛聚合物可含有一個、兩個或更多個不同之式(IV)重複單元，例如式(IV)之第一重複單元用以提供電洞傳輸且式(IV)之第二重複單元用以提供發光。
螢光發光共聚物可包括發光重複單元及用於提供電洞傳輸之重複單元及用於提供電子傳輸之重複單元中之至少一者。式(IV)之胺重複單元可提供發光及電洞傳輸。可藉由伸芳基重複單元之共軛鏈(例如式(I)之茀重複單元之鏈)提供電子傳輸。
螢光發光層可僅僅由發光聚合物及TTA促進劑組成或可包括該等材料與一或多種其他材料之組合。舉例而言，發光聚合物可摻和有電洞及/或電子傳輸材料或另一選擇為可共價結合至電洞及/或電子傳輸材料，如例如WO 99/48160中所揭示。
TTA促進劑
TTA促進劑可為並未以化學方式與螢光發光材料結合但以物理方式混合之化合物。其他材料(例如一或多種電荷傳輸材料(例如電洞傳輸材料及電子傳輸材料中之一者或兩者))亦可存在於螢光發光層中。另一選擇為，TTA促進劑單元可直接或經由間隔基團結合(特定而言共價結合)至組合物之發光材料或另一組份。
在發光材料係包括發光重複單元及其他重複單元(例如式(IV)之發光胺重複單元及伸芳基重複單元(例如式(I)或(II)之重複單元))之共 軛聚合物之情形下，TTA促進劑與聚合物主鏈之共軛(例如藉由與茀重複單元進行共軛)可減小TTA促進劑之T1能階，由此增加了三重態激子自發射體單元轉移至TTA促進劑單元之能量有利性。TTA促進劑之此T1能階減小亦可使得能夠使用TTA促進劑與T1能階對於與並未以此方式共軛之TTA促進劑一起使用而言過低之發光材料。
在TTA促進劑摻和有發光材料之情形下，TTA促進劑可為小分子化合物或聚合物。
有機化合物之S1及T1能階揭示於(例如)Dekker,Handbook of Photophysics，第2版(1993)中。用於與給定螢光發光材料一起使用之適宜TTA促進劑可基於該等有機化合物之所列示S1及T1能階進行選擇。
實例性TTA促進劑化合物包含包括一或多個單環或多環且視情況包含一或多個烯基或炔基之芳族或雜芳族化合物，例如聚芳族烴，例如蒽、苝及蒽嵌蒽及其衍生物；二苯乙烯基芳基及其衍生物，例如二苯乙烯基苯、二苯乙烯基聯苯、二苯乙烯；富烯、二苯并富烯、直鏈多烯(2至6個烯烴，包含環狀多烯，例如環辛四烯)。
任一該等化合物可視情況經取代(例如經一或多個增溶基團(例如C1-20烷基)取代)，且可提供作為較大結構之組成部分(例如聚合物之重複單元)。
其他適當單重態及三重態光物理性質之材料闡述於Handbook of Photochemistry，第2版，Steven L Murov,Ian Carmichael及Gordon L Hug中，該文獻之內容以引用方式併入本文中，每一該化合物可視情況經取代，例如經烷基取代。
摻和有發光材料之TTA促進劑聚合物或含有螢光發光材料及TTA促進劑之重複單元之聚合物較佳地含有式(V)的重複單元：-(PAH)- (V)
其中PAH代表可未經取代或經一或多個取代基取代之聚芳族烴。尤佳取代基係選自C1-40烴基、較佳地C1-20烷基。烴基取代基(例如烷基取代基)可提供在非極性有機溶劑(例如單-烷基化苯及聚-烷基化苯)中之溶解性。
實例性聚芳族烴PAH包含蒽、苝及蒽嵌蒽。
摻和有發光材料之TTA促進劑聚合物可含有式(V)之重複單元及一或多個共重複單元。實例性共重複單元包含式(I)之茀重複單元及式(II)之伸苯基重複單元。
尤佳聚芳族重複單元係式(Va)之蒽：
蒽重複單元可未經取代或經取代，例如經一或多個C1-20烷基取代。
TTA促進劑可提供作為聚合物之端基或側基。
側基可藉由提供作為單體取代基而納入發光聚合物中，如下文所圖解說明：
其中PG代表如上文所闡述之可聚合基團(例如離去基團)或可聚合雙鍵。可聚合單元可為芳族或雜芳族單元(例如式(I)或(II)之茀或伸苯基單元)，且TTA促進劑單元可直接結合至可聚合單元或藉由間隔鏈(例如C1-20烷基鏈，其中一或多個非毗鄰C原子可經O代替)與其間隔 開。
為增加如上文所闡述之TTA及延遲螢光之概率，TTA促進劑可含有複數個緊密接近地提供之TTA促進劑單元。舉例而言，兩個該單元可提供於具有通式(VI)之視情況經取代材料中：TTPU-間隔體-TTPU(VI)
其中「TTPU」代表TTA促進劑單元且間隔體係共軛或非共軛間隔基團。實例性共軛間隔體包括一或多個芳基單元，例如視情況經取代之苯基或茀。實例性非共軛間隔體係C1-10烷基。式(VI)材料可為以物理方式與螢光發光材料混合之單獨化合物或其可結合至發光材料。 在發光材料係聚合物之情形下，式(VI)單元可作為如上文所闡述之主鏈重複單元、側基或端基進行結合。
儘管上文闡述將TTA促進劑結合至螢光發光材料，但應瞭解，TTA促進劑可以相同方式結合至組合物之任一其他組份(若存在)。舉例而言，組合物可包括電洞傳輸材料及電子傳輸材料中之一或多者，在該情形下，除將TTA促進劑結合至螢光發光材料或作為其替代方式，可將TTA促進劑結合至該等單元中之任一者或兩者。
相對於發光材料，TTA促進劑(與螢光發光材料摻和或與其結合)之濃度視情況在0.1-20mol%、視情況0.1-10mol%、視情況0.1-5mol%範圍內。TTA促進劑之較高濃度可增加TTA之概率。
為增加TTA之概率，駐留於TTA促進劑上之三重激發態之半衰期視情況至少為1微秒、視情況至少10微秒、視情況至少100微秒。可藉由使用閃光光解量測單分子三重態壽命來量測三重態激子之半衰期，如Handbook of Photochemistry，第2版，Steven L Murov,Ian Carmichael及Gordon L Hug及其中之參考文獻中所闡述，該等參考文獻之內容以引用方式併入本文中。
應瞭解，與磷光摻雜劑(例如重金屬錯合物)不同，TTA促進劑並不提供使所吸收三重態發生輻射衰變之能量有利路徑，且因此由TTA促進劑所吸收三重態激子之能量實質上並不自TTA促進劑以自TTA促進劑發射之磷光形式失去。
磷光發光材料
本發明實施例之OLED含有毗鄰螢光發光層之磷光發光層，且可含有一或多個額外磷光發光層。
用於磷光發光層之實例性磷光發光材料包含金屬錯合物，包括式(VII)之經取代或未經取代之錯合物：ML1 qL2 rL3 s(VII)
其中M係金屬；L1、L2及L3中之每一者皆係配位基團；q係整數；r及s各自獨立地係0或整數；且(a.q)+(b.r)+(c.s)之和等於M上可用之配位位點數，其中a係L1上之配位位點數，b係L2上之配位位點數且c係L3上之配位位點數。
重元素M誘導強自旋軌道偶合以容許快速系統間跨越及自三重態或更高態之發射。適宜重金屬M包含d區金屬，特定而言係彼等在第2列及第3列中者，亦即元素39至48及72至80，特定而言係釕、銠、鈀、錸、鋨、銥、鉑及金。銥尤佳。
實例性配體L1、L2及L3包含碳或氮供體，例如卟啉或式(VIII)之雙齒配體：
其中Ar5及Ar6可相同或不同且獨立地選自經取代或未經取代之芳 基或雜芳基；X1及Y1可相同或不同且獨立地選自碳或氮；且Ar5及Ar6可稠合至一起。X1係碳且Y1係氮之配體較佳，特定而言係Ar5係僅N及C原子之單環或稠合雜芳族基團(例如吡啶基或易喹啉)且Ar6係單環或稠合芳族基團(例如苯基或萘基)之配體。
雙齒配體之實例闡釋如下：
Ar5及Ar6中之每一者皆可攜載一或多個取代基。該等取代基中之兩者或更多者可連接以形成環，例如芳族環。
適用於d區元素之其他配體包含二酮酸鹽，特定而言乙醯丙酮酸鹽(acac)；三芳基膦及吡啶，其中之每一者皆可經取代。
適用於d區元素之其他配體包含二酮酸鹽，特定而言乙醯丙酮酸鹽(acac)；三芳基膦及吡啶，其中之每一者皆可經取代，例如經一或多個C1-20烷基取代。
用於式(VII)化合物之配體之實例性取代基包含如上文參照式(I)所闡述之基團R5。尤佳取代基包含氟或三氟甲基，其可用於錯合物發射之藍移，例如如WO 02/45466、WO 02/44189、US 2002-117662及US 2002-182441中所揭示；烷基或烷氧基，例如C1-20烷基或烷氧基，其可如JP 2002-324679中所揭示；咔唑，其在用作發射材料時可用於輔助向錯合物之電洞傳輸，例如如WO 02/81448中所揭示；及樹枝狀基團，其可用於獲得或增強金屬錯合物之溶液可處理性，例如如WO 02/66552中所揭示。較佳地，式(VII)之磷光化合物經至少一個樹枝狀基團取代。
發光樹枝狀聚合物通常包括結合至一或多個樹枝狀基團之發光 核心，其中每一樹枝狀基團皆包括分支點及兩個或更多個樹枝狀分支。較佳地，樹枝狀基團至少部分地共軛，且分支點及樹枝狀分枝中之至少一者包括芳基或雜芳基(例如苯基)。在一種配置中，分支點基團及分支基團皆係苯基，且每一苯基可獨立地經一或多個取代基(例如烷基或烷氧基)取代。
樹枝狀基團可具有視情況經取代之式(IX)
其中BP代表附接至核心之分支點，且G1代表第一代分支基團。
樹枝狀基團可係第一代、第二代、第三代或更高代樹枝狀基團。G1可經兩個或更多個第二代分支基團G2等取代，如在視情況經取代之式(IXa)中：
其中u為0或1；若u為0，則v為0，或若u為1，則v可為0或1；BP代表附接至核心之分支點，且G1、G2及G3代表第一代、第二代及第三代樹枝狀基團分支基團。在一較佳實施例中，BP及G1、G2......Gn中之每一者係苯基，且每一苯基BP、G1、G2......Gn-1係3,5-連接苯基。 在另一較佳實施例中，BP係三嗪且G1、G2......Gn-1係3,5-連接苯基。
較佳樹枝狀基團包含式(IXb)及(IXc)之經取代或未經取代之樹枝狀基團：
其中*代表樹枝狀基團至核心之附接點。
BP及/或任一基團G可經一或多個取代基(例如一或多個C1-20烷基或烷氧基)取代。
實例性磷光紅光發射體包含面式-叁(1-苯基異喹啉)銥(III)，其可經一或多個(例如)如上文參照式(VII)所闡述之取代基取代。
實例性磷光綠光發射體包含面式-叁(2-苯基吡啶)銥(III)，其可經一或多個如上文參照式(VII)所闡述之取代基取代。
磷光發光層可含有一或多種磷光發光材料及主體材料。在存在之情形下，主體材料可以物理方式與磷光材料混合或可以化學方式與其結合。在聚合主體之情形下，磷光材料可提供於聚合物之側鏈、主鏈或端基中。在磷光材料提供於聚合物側鏈之情形下，磷光材料可直接結合至聚合物之主鏈或藉由間隔基團(例如C1-20烷基間隔基團，其中一或多個非毗鄰C原子可經O或S代替)與其間隔開。
磷光材料可藉由以下方式提供於主體聚合物之側鏈、主鏈或端基中：提供具有一個或兩個能夠與用於形成聚合物之其他單體之反應性基團發生反應之反應性可聚合基團的磷光材料。在包括一或多個式(VIII)配體之式(VII)金屬錯合物磷光材料之情形下，反應性基團可提供作為Ar4及/或Ar5中之一或多者上之取代基。在另一配置中，Ar4及/ 或Ar5可經取代，例如經苯基取代，且取代基可繼而經一或多個結合至主體聚合物或聚合成主體聚合物主鏈之反應性基團取代。
此結合可使得激子自主體聚合物更有效轉移至磷光材料，此乃因其可提供相應混合系統不可用之分子內激子轉移路徑。
另外，出於處理原因，結合可較為有利。舉例而言，若發光摻雜劑具有低溶解性，則將其結合至可溶性聚合物可允許藉由電荷傳輸材料在溶液中攜載發光摻雜劑，從而使得能夠使用溶液處理技術進行裝置製造。另外，將發光摻雜劑結合至聚合物可防止溶液處理之裝置中可對裝置性能有害之相分離效應。
主體材料較佳地具有至少與其所摻雜磷光材料相同或更高之三重激發態能階。較佳地，主體與磷光材料激發態能階之間之能隙係至少kT以避免激子自磷光材料反向轉移至主體材料。主體材料視情況可經溶液處理。
磷光發光材料可相對於主體材料以約0.05mol%至約20mol%、視情況約0.1-10mol%之量存在於發光層中。
適於綠光或紅光磷光材料之主體包含視情況經取代之二芳基三嗪或三芳基三嗪。含有三嗪之主體材料更詳細闡述於WO 2008/025997中且包含(例如)視情況經取代之三苯基三嗪。三苯基三嗪之苯基之可選取代基包含一或多個烷基(例如C1-20烷基)。主體可為包括三嗪重複單元、特定而言經由一個芳基作為側基附接之視情況經取代之二芳基或三芳基三嗪重複單元或經由兩個芳基附接於聚合物主鏈中之重複單元的聚合物。包括三嗪重複單元之主體聚合物可包括選自以下之其他重複單元：伸(雜)芳基共重複單元，例如如上文所闡述之苯基、茀或茚并茀重複單元，其中該等伸(雜)芳基重複單元中之每一者皆可視情況經一或多個取代基(例如烷基或烷氧基)取代。一類共重複單元係如上文所闡述式(I)之茀重複單元。
主體聚合物可含有式(X)之重複單元：
其中Ar8、Ar9及Ar10係如上文參照式(IV)所闡述，且可各自獨立地經一或多個參照Ar8、Ar9及Ar10所闡述之取代基取代，z在每次出現時獨立地至少為1、視情況1、2或3、較佳地1，且Y係N或CR14，其中R14係H或取代基、較佳地H或C1-10烷基。較佳地，式(X)之Ar8、Ar9及Ar10各自為苯基，每一苯基視情況且獨立地經一或多個C1-20烷基取代。
在一較佳實施例中，所有3個基團Y皆係N。
若所有3個基團Y皆係CR14，則Ar8、Ar9及Ar10中之至少一者較佳係包括N之雜芳族基團。
Ar8、Ar9及Ar10中之每一者可獨立地經一或多個取代基取代。在一種配置中，Ar8、Ar9及Ar10在每次出現時係苯基。實例性取代基包含如上文參照式(I)所闡述之R5，例如C1-20烷基或烷氧基。
較佳地，每一z為1且Ar8、Ar9及Ar10中之每一者係未經取代之苯基或經一或多個C1-20烷基取代之苯基。
式(X)之尤佳重複單元具有式(Xa)，其可未經取代或經一或多個取代基R5、較佳地一或多個C1-20烷基取代：
包括芳族重複單元之主體聚合物可形成芳族單元之共軛鏈。此鏈之共軛程度可藉由在聚合物主鏈中納入適宜重複單元(例如在聚合物主鏈中形成扭轉之重複單元及限制或破壞共軛之重複單元)來中斷或減小。
可限制共軛主體聚合物之共軛之實例性重複單元包含：- 式(II)之1,4-伸苯基重複單元，其中p至少為1；- 式(II)之1,2-伸苯基或1,3-伸苯基重複單元，其中p為0、1、2、3或4；- 式(I)之3,6-茀重複單元；主體聚合物可含有共軛破壞重複單元，其破壞毗鄰共軛破壞重複單元之重複單元之間之任一共軛路徑。實例性共軛破壞重複單元具有式(XI)：-(Ar1-Sp1-Ar1)-(XI)
其中Ar1在每次出現時獨立地代表經取代或未經取代之芳基或雜芳基；且Sp1代表並不在兩個基團Ar1之間提供任一共軛路徑之間隔基團。Ar1可為苯基。Sp1可為C1-10烷基鏈。Ar1可未經取代或經一或多個如參照式(I)所闡述之取代基R5取代。
聚合物合成
製備如上文所闡述之共軛聚合物(包含主體聚合物、螢光發光聚合物、磷光發光聚合物及TTA促進劑聚合物)之較佳方法包括「金屬插入」，其中將金屬錯合物觸媒之金屬原子插入單體之芳基或雜芳基與離去基團之間。實例性金屬插入方法係如(例如)WO 00/53656中所闡述之Suzuki聚合及如(例如)T.Yamamoto,「Electrically Conducting And Thermally Stable π-Conjugated Poly(arylene)s Prepared by Organometallic Processes」,Progress in Polymer Science 1993,17, 1153-1205中所闡述之Yamamoto聚合。在Yamamoto聚合之情形下，使用鎳錯合物觸媒；在Suzuki聚合之情形下，使用鈀錯合物觸媒。
舉例而言，在藉由Yamamoto聚合進行之直鏈聚合物合成中，使用具有兩個反應性鹵素基團之單體。類似地，根據Suzuki聚合之方法，至少一個反應性基團係硼衍生基團，例如酸或酸酯，且另一反應性基團係鹵素。較佳鹵素係氯、溴及碘，最佳為溴。
因此，應瞭解，貫穿本申請案闡釋之重複單元可衍生自攜載適宜離去基團之單體。同樣，端基或側基可藉由適宜離去基團之反應結合至聚合物。
Suzuki聚合可用於製備立體規則共聚物、嵌段共聚物及隨機共聚物。特定而言，在一個反應性基團係鹵素且另一反應性基團係硼衍生基團時，可製備均聚物或隨機共聚物。另一選擇為，在第一單體之兩個反應性基團均係硼且第二單體之兩個反應性基團均係鹵素時，可製備嵌段或立體規則、特定而言AB型共聚物。
作為鹵化物之替代物，能夠參入金屬插入之其他離去基團包含基團甲苯磺酸根、甲磺酸根及三氟甲磺酸根。
裝置圖案化
本發明OLED之發光層可經圖案化或未圖案化。舉例而言，具有未圖案化發光層之裝置可用作照射源。白光發光裝置尤其適用於此目的。包括圖案化層之裝置可為(例如)主動式矩陣顯示器或被動式矩陣顯示器。在主動式矩陣顯示器之情形下，發光層可與圖案化陽極層及未圖案化陰極組合使用。在被動式矩陣顯示器之情形下，陽極層係由陽極材料之平行條帶形成，且發光材料及陰極材料之平行條帶垂直於陽極材料配置，其中發光材料及陰極材料之條帶可由藉由光微影形成之絕緣材料條帶(「陰極間隔件」)分隔。
電荷傳輸及電荷阻擋層
可在陽極與一或多個發光層之間提供電洞傳輸層。同樣，可在陰極與一或多個發光層之間提供電子傳輸層。
類似地，可在陽極與發光層之間提供電子阻擋層且可在陰極與發光層之間提供電洞阻擋層。傳輸層及阻擋層可組合使用。端視單一層之HOMO及LUMO能階，其可既傳輸電洞及電子中之一者，亦阻擋電洞及電子中之另一者。
若存在，則位於陽極與發光層之間之電洞傳輸層較佳具有小於或等於5.5 eV、更佳約4.8-5.5 eV或5.1-5.3 eV之HOMO能階，如藉由循環伏安法所量測。可選擇電洞傳輸層之HOMO能階以便在毗鄰層(例如發光層)之0.2 eV內、視情況0.1 eV內，從而提供該等層之間之電洞傳輸之較小障壁。
若存在，則位於發光層與陰極之間之電子傳輸層較佳具有約2.5-3.5 eV之LUMO能階，如藉由循環伏安法所量測。舉例而言，可在最接近陰極之發光層與陰極之間提供厚度在0.2nm至2nm範圍內之一氧化矽或二氧化矽之層或其他薄介電層。
電洞傳輸層可含有包括如上文所闡述之式(IV)之胺重複單元之均聚物或共聚物，較佳係包括式(IV)之重複單元及伸芳基重複單元(例如選自式(I)、(II)及(III)之一或多個重複單元之伸芳基重複單元)之共聚物。
電子傳輸層可含有包括視情況經取代之伸芳基重複單元之鏈(例如茀重複單元之鏈)的聚合物。
可藉由循環伏安法(CV)量測HOMO及LUMO能階，其中工作電極電勢根據時間以線性方式發生斜坡變化。
在循環伏安法達到設定電勢時，逆轉工作電極之電勢斜坡。此逆轉可在單一實驗期間發生多次。將工作電極處之電流對施加電壓繪製曲線以得到循環伏安圖跡線。
藉由CV量測HOMO或LUMO能階之設備可包括含有以下之電池：存於乙腈中之第三丁基高氯酸銨/或第三丁基六氟磷酸銨溶液、玻璃碳工作電極(其中以膜形式塗覆試樣)、鉑反電極(電子之供體或受體)及參考玻璃電極無洩漏Ag/AgCl。在實驗結束時出於計算目的在電池中添加二茂鐵。(量測Ag/AgCl/二茂鐵及試樣/二茂鐵之間之電勢差)。
方法及設置：3mm直徑玻璃碳工作電極
Ag/AgCl/無洩漏參考電極
Pt線輔助電極
存於乙腈中之0.1M四丁基六氟磷酸銨
LUMO=4.8-二茂鐵(峰至峰最大平均值)+起始值
試樣：1滴存於甲苯中且以3000rpm旋轉之5mg/mL物質LUMO(減小)量測：在200 mV/s及-2.5V切換電勢下量測之厚膜通常可觀察到良好可逆減小事件。應在10個循環中量測減小事件且加以比較，通常在第3次循環進行量測。在減小事件最陡部分處之最佳擬合線與基線之交叉點處獲取起始值。
電洞注入層
可在OLED之陽極與一或多個發光層之間提供可自導電有機或無機材料形成之導電電洞注入層，從而改良電洞自陽極注入一或多個半導電聚合物層。摻雜有機電洞注入材料之實例包含視情況經取代之摻雜聚(乙烯二氧噻吩)(PEDT)，特定而言摻雜有電荷平衡聚酸(例如如EP 0901176及EP 0947123中所揭示之聚磺苯乙烯(PSS)、聚丙烯酸或氟化磺酸，例如Nafion ®)之PEDT；聚苯胺，如US 5723873及US 5798170中所揭示；及視情況經取代之聚噻吩或聚(噻吩并噻吩)。導 電無機材料之實例包含過渡金屬氧化物，例如VOx、MoOx及RuOx，如Journal of Physics D：Applied Physics(1996),29(11),2750-2753中所揭示。
陰極
陰極係選自具有容許電子注入發光層之功函數的材料。其他因素影響陰極之選擇，例如陰極與發光材料之間之不利相互作用的可能性。陰極可由諸如鋁層等導電材料單一層組成。另一選擇為，其可包括複數種材料，例如，低功函數材料及高功函數材料之雙層(例如鈣及鋁)，如WO 98/10621中所揭示；元素鋇，如WO 98/57381、Appl.Phys.Lett.2002,81(4),634及WO 02/84759中所揭示；或提供於OLED之一或多個有機層與一或多個導電層之間以有助於電子注入之金屬化合物(特定而言鹼金屬或鹼土金屬之氧化物或氟化物)之薄層，例如氟化鋰，如WO 00/48258中所揭示；氟化鋇，如Appl.Phys.Lett.2001,79(5),2001中所揭示；及氧化鋇。為將電子有效注入裝置中，陰極較佳具有功函數低於3.5 eV、更佳地低於3.2 eV、最佳地低於3 eV之層。金屬之功函數可參見(例如)Michaelson,J.Appl.Phys.48(11),4729,1977。
陰極可不透明或透明。透明陰極對於主動式矩陣裝置尤其有利，此乃因該等裝置中穿過透明陽極之發射至少部分地受到位於發射像素下方之驅動電路的阻擋。透明陰極包括足夠薄以透明之電子注入材料層。通常，此層之橫向導電率將因其較薄而較低。在此情形下，電子注入材料層與較厚透明導電材料(例如氧化銦錫)層組合使用。
應瞭解，透明陰極裝置無需具有透明陽極(當然，除非期望完全透明之裝置)，且因此可使用諸如鋁層等反射材料層代替或補充用於底部發射裝置之透明陽極。透明陰極裝置之實例揭示於(例如)GB 2348316中。
囊封
有機光電子裝置往往對水分及氧敏感。因此，基板較佳具有防止水分及氧侵入裝置之良好障壁性質。基板通常係玻璃，然而，可使用替代基板，特定而言期望裝置之撓性。舉例而言，基板可包括一或多個塑膠層，例如交替塑膠及介電障壁層或薄玻璃及塑膠壓層之基板。
裝置可經囊封物(未展示)囊封以防止水分及氧侵入。適宜囊封物包含玻璃片、具有適宜障壁性質之膜(例如二氧化矽、一氧化矽、氮化矽或聚合物之交替堆疊)及介電或氣密性容器。在透明陰極裝置之情形下，可沈積透明囊封層(例如一氧化矽或二氧化矽)直至微米級厚度，但在一較佳實施例中，此一層之厚度在20-300nm範圍內。用於吸收可滲透穿過基板或囊封物之任何大氣水分及/或氧之吸收劑材料可佈置於基板與囊封物之間。
溶液處理
可使用常見有機溶劑(包含單-烷基苯或聚-烷基苯，例如甲苯及二甲苯)沈積用於形成OLED之電荷傳輸層或發光層之材料。材料可與一或多種溶劑一起形成沈積用調配物，且調配物可為含有擬沈積材料之溶液或分散液。可使用單一溶劑或兩種或更多種溶劑之混合物。
尤佳溶液沈積技術包含印刷及塗覆技術，例如旋塗及噴墨印刷。其他溶液沈積技術包含浸塗、輥印刷及絲網印刷。
在OLED形成期間，在下伏有機層上形成有機層可經配置以便下伏層並不溶於用於沈積上覆層之一或多種溶劑中。
防止下伏有機層溶解之方法包含：使下伏層在沈積後續有機層之前交聯；及使用溶解上覆有機層之材料但並不溶解下伏有機層之材料之溶劑或溶劑混合物。
在交聯之情形下，可交聯層包含在藉由溶液處理形成上覆發光 層之前之電洞傳輸層，或使一個發光層在藉由溶液處理形成另一上覆發光層之前交聯。
適宜可交聯基團包含含有反應性雙鍵之基團(例如乙烯基或丙烯酸酯基團)或苯并環丁烷基團。在擬交聯層含有聚合物之情形下，可交聯基團可提供作為聚合物之重複單元之取代基。
塗覆方法(例如旋塗)尤其適用於無需對發光層實施圖案化之裝置，例如適於照明應用或簡單單色分段顯示器。
印刷方法(例如噴墨印刷)尤其適用於高資訊容量顯示器、特定而言全彩顯示器。可藉由在第一電極上提供圖案化層並界定用於印刷一種顏色(在單色裝置之情形下)或多種顏色(在多色、特定而言全彩裝置之情形下)之孔來對裝置實施噴墨印刷。圖案化層通常係經圖案化以界定孔之光阻劑層，如(例如)EP 0880303中所闡述。可藉由在孔中連續印刷每一層之材料來形成所有有機層(包含發光層、電荷注入層及電荷傳輸層)。
作為孔之替代物，可將油墨印刷至圖案化層內所界定之通道中。特定而言，可將光阻劑圖案化以形成通道，其與孔不同，在複數個像素上延伸，且通道末端可封閉或開放。
實例 一般裝置製程
製備具有下列結構之裝置：ITO/HIL/HTL/綠光/紅光/藍光/陰極
其中ITO係氧化銦錫陽極；HIL係包括電洞注入材料之電洞注入層；HTL係電洞傳輸層；且綠光、紅光及藍光分別係綠光、紅光及藍光發光層。
使用UV/臭氧清洗攜載ITO之基板。藉由旋塗可自Plextronics公司獲得之電洞注入材料之水性調配物來形成15nm厚電洞注入層。藉 由旋塗電洞傳輸聚合物1且藉由加熱使聚合物交聯來形成20nm厚電洞傳輸層。藉由旋塗綠光發光聚合物1且使其交聯來形成30nm厚綠光發光層。藉由旋塗紅光發光聚合物1且使其交聯來形成22nm厚紅光發光層。藉由旋塗藍光發光聚合物及TTA促進劑聚合物1之組合物來形成50nm厚藍光發光層。藉由以下方式來形成陰極：將金屬氟化物之第一層蒸發至厚度為約2nm、將鋁之第二層蒸發至厚度為約100nm且將銀之第三層蒸發至厚度為約100nm。
用於電洞傳輸層及發光層之聚合物各自係藉由Suzuki聚合(如WO 00/53656中所闡述)下述單體形成。
電洞傳輸聚合物1
綠光發光聚合物1
紅光發光聚合物1
藍光發光聚合物1
藍光發光聚合物2
TTA促進劑聚合物1
裝置實例1
如根據一般裝置製程所闡述來製備裝置，其中藍光發光聚合物係藍光發光聚合物1，且其中藍光發光聚合物1：TTA促進劑聚合物1之莫耳比率為99：1。
對比裝置1
根據裝置實例1來製備裝置，只是藉由僅旋塗藍光發光聚合物1(並無TTA促進劑聚合物1)來形成藍光發光層。
參照圖4，裝置實例1中藍光發射相對於紅光發射之強度遠大於對比裝置1。綠光發射之相對強度亦較高。
參照表1，裝置實例1之CIE x及y坐標值低於對比裝置1之彼等值，且比較接近具有坐標(0.33,0.33)之「純」白光發射；顏色再現指數較高；相關顏色溫度較高；且距黑體軌跡之Duv距離較小。
參照圖5及圖6，裝置實例1及對比裝置1之電導率及外部量子效率分別類似。
參照圖7，裝置實例1及對比裝置1之自2000 cd/m2之起始亮度之T70值類似。T70係在恆定電流下光亮度降至起始亮度之70%所耗費之時間。
不期望受限於任一理論，據信，在藍光發光層中存在TTA促進劑使得在藍光發光層中發生三重態-三重態湮滅，從而改良自藍光發光聚合物發射之效率。在三重態-三重態湮滅中所消耗之三重態並不擴散至毗鄰紅光磷光發光層中且有助於紅光發射，此同樣可減小藍光發射：紅光發射之比率。
TTA促進劑聚合物1位於毗鄰紅光磷光層之層中。令人吃驚地，並未觀察到TTA促進劑實質性猝滅紅光發射。不期望受限於任一理論，據信，相對較低量之TTA促進劑最小化任一該猝滅之概率。
裝置實例2
如根據一般裝置製程所闡述來製備裝置，其中藍光發光聚合物係藍光發光聚合物2，且其中藍光發光聚合物2：TTA促進劑聚合物1之莫耳比率為99：1。
對比裝置2
根據裝置實例2來製備裝置，只是藉由僅旋塗藍光發光聚合物2(並無TTA促進劑聚合物1)來形成藍光發光層。
參照圖8，裝置實例2中藍光發射相對於紅光發射之強度遠大於對比裝置2。綠光發射之相對強度亦較高。
參照表2，裝置實例1之CIE x及y坐標值低於對比裝置1之彼等值，且比較接近具有坐標(0.33,0.33)之「純」白光發射；顏色再現指數較高；且相關顏色溫度較高。
參照圖9及圖10，裝置實例2及對比裝置2之電導率及外部量子效率分別類似。
參照圖11，裝置實例2及對比裝置2之自2000 cd/m2之起始亮度之T70值類似。
裝置實例3
如裝置實例2中所闡述來製備裝置，只是藍光發光聚合物2：TTA促進劑聚合物1之莫耳比率為98：2。
裝置實例4
如裝置實例2中所闡述來製備裝置，只是藍光發光聚合物2：TTA促進劑聚合物1之莫耳比率為94：6。
裝置實例5
如裝置實例2中所闡述來製備裝置，只是藍光發光聚合物2：TTA促進劑聚合物1之莫耳比率為90：10。
參照圖12之電致發光光譜，可看到裝置實例2-5之間具有較少或並無色差，其中藍光螢光聚合物：TTA促進劑聚合物之莫耳比率在99：1與90：10之間有所變化。
參照表3，可看到，隨著TTA促進劑聚合物1(TTAP)之莫耳比率增加，效率略有降低。不期望受限於任一理論，據信，增加藍光螢光發光層中之TTA促進劑量會增加毗鄰紅光磷光層中磷光之猝滅概率。
參照表4，可看到，裝置實例2-5之CIE x及CIE y坐標低於對比裝置2；裝置實例2-5之CRI值較高；且顏色溫度較高。
參照表5，對比裝置2及裝置實例2-5之壽命及隨時間之電壓變化類似。
儘管已根據具體實例性實施例闡述了本發明，但應瞭解，彼等熟習此項技術者將可明瞭本文中所揭示特徵之各種修改、改變及/或組合，而不背離如下列申請專利範圍中所闡述之本發明範圍。
101‧‧‧基板
103‧‧‧陽極
105‧‧‧磷光發光層
107‧‧‧螢光發光層
109‧‧‧陰極

Claims (19)

  1. 一種有機發光裝置，其包括：陽極；陰極；第一發光層，其位於該陽極與該陰極之間，該第一發光層包括具有三重激發態能階T1F之螢光發光材料及具有三重激發態能階T1T之三重態-三重態湮滅(TTA)促進劑，其中T1F>T1T，且螢光發光材料：TTA促進劑之莫耳比率在80：20至99.9：0.1範圍內；及第二發光層，其位於該陽極與該陰極之間且毗鄰該第一發光層，該第二發光層包括具有三重激發態能階T1P之磷光材料，其中T1P>T1T。
  2. 如請求項1之有機發光裝置，其中該TTA促進劑具有單重激發態能階S1T且該螢光發光材料具有單重激發能階S1F，其中S1T>S1F。
  3. 如請求項1之有機發光裝置，其中將該螢光發光材料與該TTA促進劑摻和。
  4. 如請求項1之有機發光裝置，其中將該TTA促進劑結合至該螢光發光材料。
  5. 如請求項1之有機發光裝置，其中該螢光發光材料係藍光發光材料。
  6. 如請求項1之有機發光裝置，其中該螢光發光材料係聚合物，其包括式(IV)之重複單元： 其中Ar8及Ar9在每次出現時獨立地選自經取代或未經取代之芳基或雜芳基，g大於或等於1，R13係H或取代基；c及d各自獨立地係1、2或3；且直接結合至N原子之Ar8、Ar9及R13中之任一者可連接至結合至相同N原子之Ar8、Ar9及R13中之另一者。
  7. 如請求項1之有機發光裝置，其中該TTA促進劑上之三重態激子之半衰期至少為1微秒。
  8. 如請求項1之有機發光裝置，其中該TTA促進劑包括經取代或未經取代之蒽。
  9. 如請求項1之有機發光裝置，其中該TTA促進劑係包括式(V)之重複單元之聚合物：-(PAH)- (V)其中PAH代表可未經取代或經一或多個取代基取代之聚芳族烴。
  10. 如請求項9之有機發光裝置，其中該TTA促進劑係包括式(Va)之經取代或未經取代重複單元之聚合物：
  11. 如請求項10之有機發光裝置，其中該式(Va)之重複單元經一或多 個C1-20烷基取代。
  12. 如請求項1之有機發光裝置，其中該磷光發光材料係紅光發光材料。
  13. 如請求項1之有機發光裝置，其中該裝置包括至少一個額外發光層。
  14. 如請求項13之有機發光裝置，其中該至少一個額外發光層與該第一發光層由該第二發光層間隔開。
  15. 如請求項13之有機發光裝置，其中該至少一個額外發光層係綠光發光層。
  16. 如請求項13之有機發光裝置，其中該至少一個額外發光層係磷光發光層。
  17. 如請求項1之有機發光裝置，其中該裝置係發射白光之OLED。
  18. 一種形成如請求項1之有機發光裝置之方法，其包括以下步驟：在該陽極及該陰極中之一者上方以任一順序形成該第一發光層及該第二發光層，及在該第一發光層及該第二發光層上方形成該陽極及該陰極中之另一者，其中各自獨立地自存於至少一種溶劑中之溶液沈積該第一發光層及該第二發光層，隨後蒸發該至少一種溶劑。
  19. 如請求項18之方法，其中該第一發光層及該第二發光層中之第一沈積層並不溶於用於沈積第二沈積層之該至少一種溶劑中，且其中在形成該第二沈積層之前使該第一沈積層交聯。
TW102115945A 2012-05-04 2013-05-03 有機發光裝置及方法 TWI595074B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB201207866A GB201207866D0 (en) 2012-05-04 2012-05-04 Organic light emitting device and method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201402778A TW201402778A (zh) 2014-01-16
TWI595074B true TWI595074B (zh) 2017-08-11

Family

ID=46396541

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102115945A TWI595074B (zh) 2012-05-04 2013-05-03 有機發光裝置及方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9548467B2 (zh)
JP (1) JP6232052B2 (zh)
GB (2) GB201207866D0 (zh)
TW (1) TWI595074B (zh)
WO (1) WO2013164647A2 (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2499969A (en) * 2010-06-25 2013-09-11 Cambridge Display Tech Ltd Composition comprising an organic semiconducting material and a triplet-accepting material
GB201200619D0 (en) 2012-01-16 2012-02-29 Cambridge Display Tech Ltd Polymer
JP6531386B2 (ja) * 2013-12-26 2019-06-19 住友化学株式会社 発光素子およびそれに用いる高分子化合物
US20170040538A1 (en) * 2014-04-25 2017-02-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Light-emitting device
KR20150130224A (ko) * 2014-05-13 2015-11-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP5867580B2 (ja) * 2014-06-04 2016-02-24 住友化学株式会社 発光素子
GB2530746A (en) * 2014-09-30 2016-04-06 Cambridge Display Tech Ltd Organic Light Emitting Device
GB2530748A (en) * 2014-09-30 2016-04-06 Cambridge Display Tech Ltd Organic Light Emitting Device
DE102015100913B4 (de) * 2015-01-22 2017-08-10 Osram Oled Gmbh Lichtemittierendes Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines lichtemittierenden Bauelements und Verfahren zum Betreiben eines lichtemittierenden Bauelements
KR102543330B1 (ko) * 2015-02-25 2023-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
GB2538325A (en) * 2015-05-15 2016-11-16 Cambridge Display Tech Ltd Organic light-emitting device
US11925102B2 (en) * 2015-06-04 2024-03-05 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
WO2017138607A1 (ja) * 2016-02-10 2017-08-17 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US11225602B2 (en) 2016-06-24 2022-01-18 Sumitomo Chemical Company, Limited Light emitting device
TWI611612B (zh) * 2016-11-30 2018-01-11 財團法人工業技術研究院 有機發光二極體和白光有機發光二極體
TWI786143B (zh) * 2017-07-03 2022-12-11 德商麥克專利有限公司 有機電致發光裝置及其產製方法
JP6566050B2 (ja) * 2017-09-06 2019-08-28 住友化学株式会社 発光素子
KR102497284B1 (ko) * 2017-12-18 2023-02-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
WO2020012610A1 (ja) * 2018-07-12 2020-01-16 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法並びにその発光方法
CN112736208B (zh) * 2020-12-31 2022-09-20 昆山国显光电有限公司 一种有机电致发光器件和显示装置
CN113097396B (zh) * 2021-03-29 2023-09-05 京东方科技集团股份有限公司 白光有机电致发光器件及制备方法、显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012052704A2 (en) * 2010-10-19 2012-04-26 Cambridge Display Technology Limited Polymer and organic light-emitting device

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070884B2 (en) 2005-04-13 2015-06-30 Universal Display Corporation Hybrid OLED having phosphorescent and fluorescent emitters
US20080286610A1 (en) 2007-05-17 2008-11-20 Deaton Joseph C Hybrid oled with fluorescent and phosphorescent layers
WO2009008356A1 (ja) 2007-07-07 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機ｅｌ素子
JPWO2009008346A1 (ja) * 2007-07-07 2010-09-09 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子
WO2011161424A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Cambridge Display Technology Limited Organic light-emitting device and method
KR101351417B1 (ko) 2010-10-26 2014-01-14 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012052704A2 (en) * 2010-10-19 2012-04-26 Cambridge Display Technology Limited Polymer and organic light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
GB201207866D0 (en) 2012-06-20
US20150115245A1 (en) 2015-04-30
TW201402778A (zh) 2014-01-16
GB2516188A (en) 2015-01-14
GB201418884D0 (en) 2014-12-10
WO2013164647A3 (en) 2014-01-09
JP2015523675A (ja) 2015-08-13
JP6232052B2 (ja) 2017-11-15
US9548467B2 (en) 2017-01-17
WO2013164647A2 (en) 2013-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI595074B (zh) 有機發光裝置及方法
EP2586076B1 (en) Organic light-emitting device and method
TWI575054B (zh) 有機發光組合物，裝置及方法
JP5636288B2 (ja) 白色発光材料
US20130292657A1 (en) Polymer and organic light-emitting device
JP2014239219A (ja) 有機発光素子
JP5812302B2 (ja) 有機発光デバイスおよび方法
EP3201963B1 (en) Organic light emitting device
EP3227934B1 (en) Organic light-emitting device
KR102466243B1 (ko) 유기 발광 조성물, 소자 및 방법
JP2014112674A (ja) 有機発光デバイス
GB2539507A (en) Light emitting composition and device
WO2016051144A1 (en) Organic light emitting device
WO2016185181A1 (en) Organic light-emitting device
WO2014096750A1 (en) Light-emitting material

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees