TWI591872B - 有機電致發光顯示器及其製造方法 - Google Patents

Description

有機電致發光顯示器及其製造方法

相關申請案之交互參照。

此美國非臨時專利申請案主張於2012年11月13日所提出之韓國專利申請案第10-2012-0128327號之優先權，其內容系於此併入以作為參考。

描述的技術涉及一種有機電致發光顯示器及其製造方法。更具體地說，本公開涉及一種能夠改善顯示品質的有機電致發光顯示器及其製造方法。

近年來，有機電致發光顯示器作為下一代的顯示器，已經受到高度關注，因為它是自發光，因此與液晶顯示器相比不需要另外的光源。因此，有機電致發光顯示器係明亮且質輕。此外，有機電致發光顯示器具有其他有價值的性質，如快速反應、低驅動電壓及高亮度。

一般來說，有機電致發光顯示器的每一個像素包含陽極、陰極及有機發光層。電洞及電子係分別通過陽極與陰極而注入至有機發光層中。其於有機發光層中再結合以產生激子(電子-電洞對)。當激子從激發態返回到基態時，激子以光的發射來發射能量。

同時，如同有機發光層的厚度變得更均勻，有機發光層的亮度也變得更加均勻。因此，為了提高有機電致發光顯示器的品質，均勻的有機發光層的厚度是必要的。

一發明態樣為有機電致發光顯示器，能夠提高其顯示品質。

另一態樣為製造有機電致發光顯示器的方法。

在一些實施例中，有機電致發光顯示器包含基板、設置於基板上的第一電極、設置於第一電極上並提供開口部分用以曝露至少一部分的第一電極的像素定義層(pixel definition layer)、具有親液(lyophilic)性及設置於第一電極及像素定義層上的親液層(lyophilic layer)、設置於親液層上的有機發光層、以及設置於有機發光層上的第二電極。

親液層包含中心部分及邊緣部分。中心部分係透過開口部分設置於第一電極上，且包含至少一凹部分(recess portion)形成於其中，而邊緣部分係從中心部分延伸出，並設置於像素定義層上。

一種製造有機電致發光顯示器的方法提供如下。當第一電極形成於包含像素區及非像素區的基板上時，像素定義層形成於第一電極上。像素定義層提供開口部分，以曝露至少一部分的第一電極。接著，初步親液層(preliminary lyophilic layer)形成於第一電極及像素定義層上，並將初步親液層圖樣化以形成親液層。在此之後，印染溶液(printing solution)塗佈至親液層，以形成有機發光層，且第二電極形成於有機發光層上。

親液層係藉由下述而形成：移除設置於非像素區的初步親液層，以透過開口部分形成設置在第一電極上的中心部分、及從中心部分延伸出並設置於像素定義層上的邊緣部分、以及形成凹部分(recess portion)於中心部分。

在一些實施例中，當印染溶液硬化(cure)以形成有機發光層時，可防止其印染溶液從傾斜區向下流至平面區的現象，即使印染溶液塗佈至平面區及傾斜區。因此，有機發光層可具有均勻的厚度。此外，在印染溶液硬化的過程中，由於平面區的表面能及傾斜區的表面能之間的差異，印染溶液係重新排列，而因此有機發光層的厚度可為均勻的。結果，由於有機發光層的厚度是均勻的，從有機發光層發射的光之亮度可保持成大致均勻，從而提高了有機電致發光顯示器的品質。

10‧‧‧基板

20‧‧‧液體排斥層

30‧‧‧親液層

30_1‧‧‧初步親液層

31‧‧‧親液層

32‧‧‧親液層

100‧‧‧顯示基板

150‧‧‧絕緣層

200‧‧‧相對基板

300‧‧‧有機電致發光顯示器

301‧‧‧有機電致發光顯示器

AP‧‧‧主動圖樣

CH‧‧‧接觸孔

CP‧‧‧中心部分

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

D3‧‧‧第三方向

DE‧‧‧汲極電極

E1‧‧‧第一電極

E2‧‧‧第二電極

EML‧‧‧有機發光層

GE‧‧‧閘極電極

GV‧‧‧凹處

HL‧‧‧孔洞

HT‧‧‧熱

L1‧‧‧閘極絕緣層

L2‧‧‧層間絕緣層

L3‧‧‧平坦化層

LT‧‧‧光

NL‧‧‧噴嘴

OP‧‧‧開口部分

P1‧‧‧光傳輸部分

P2‧‧‧光阻擋部分

PA‧‧‧像素區

PDL‧‧‧像素定義層

PDL_1‧‧‧像素定義層

PS‧‧‧印染溶液

RP‧‧‧凹部分

RP_1‧‧‧凹部分

RP_2‧‧‧凹部分

SA‧‧‧非像素區

SE‧‧‧源極電極

SM‧‧‧遮罩

SP‧‧‧邊緣部分

SS‧‧‧傾斜面

ST‧‧‧狹縫

TR‧‧‧驅動電晶體

US‧‧‧上表面

第1圖係為根據一實施例顯示有機電致發光顯示器之像素之橫截面圖。

第2圖係為顯示如第1圖中的像素的一部分之放大之橫截面圖。

第3圖係為根據另一實施例顯示有機電致發光顯示器之像素之放大之橫截面圖。

第4圖係為根據另一實施例顯示有機電致發光顯示器之像素之放大之橫截面圖。

第5圖係為根據另一實施例顯示有機電致發光顯示器之橫截面圖。

第6A至6E圖係為顯示製造如第1圖及第2圖中的有機電致發光顯示器之方法之示意圖。

將理解的是，當一個元件或層被稱為「於其上(on)」、「連接至(connected to)」或「結合至(coupled to)」另一元件或層時，它可直接地於其上、連接至或結合至其他元件或層，或可存在中間元件或中間層。與此相反，當元件被稱為「直接地於其上(directly on)」、「直接地連接至(directly connected to)」或「直接地結合至(directly coupled to)」另一元件或層時，不存在中間元件或中間層。相同的數字指始終相同或相似的元件。如本文所用，用詞「及/或(and/or)」包含一個或多個相關的所列項目的任何及所有組合。

將理解的是，雖然本文中可使用用語第一、第二等來描述各種元件、成分、區域、層及/或構件，但這些元件、成分、區域、層及/或構件不應該局限於這些用語。這些用語僅用於從另一個區域、層或構件而區分出一個元件、成分、區域、層或構件。因此，第一元件、成分、區域、層或構件於下面討論可被稱為第二元件、成分、區域、層或構件，而不脫離本發明的教導。

空間相對用語，如「在...之下(beneath)」、「下方(below)」、「較低(lower)」、「上方(above)」、「較上(upper)」等，於本文中可被用於敘述如圖中所示的一個元件或特徵與另一個元件或特徵的關係。將理解的是，空間相對用語意在包含除了圖中描述的方位之外的使用或操作的設備之不同方位。舉例來說，若圖中的裝置被翻轉，則被描述為 「下方」或「在...之下」的其它元件或特徵將被定向為「上方」的其它元件或特徵。因此，示範的用語「下方」可包含上方及下方之兩種方位。裝置可被另外定位(旋轉90度或者在其它方位)，並相應地解釋本文所用的空間相對敘述。

本文使用的術語僅用於描述特定實施例之目的，並不試圖限制本發明。如本文所用，單數形式「一(a)」、「一個(an)」及「該(the)」係試圖也包含複數形式，除非上下文中另有明確地規定。將進一步理解的是，在本說明書中使用用語「包含(includes)」及/或「包含了(including)」時，規定了所述的特徵、整數、步驟、操作、元件及/或成分的存在，但不排除一個或多個其它特徵、整數、步驟、操作、元件、成分及/或其組之存在或新增。

除非另有定義，本文所用的所有用語(包含技術及科學用語)藉由本發明所屬技術領域中具有通常知識者之一通常理解下，具有相同的含義。將進一步理解的是，例如那些在常用字典中所定義的用語，應解釋為具有與它們在相關領域的上下文中的含義一致的含義，且將不解釋為一個理想化的或過於形式上的意義，除非本文中清楚地定義。

以下，本公開的技術將參考附圖來詳細解釋。

第1圖係為根據一實施例顯示有機電致發光顯示器之像素之橫截面圖，而第2圖係為顯示如第1圖中的像素的一部分之放大之橫截面圖。詳細來說，第2圖顯示如第1圖中的像素定義層PDL的開口部分OP，以及開口部分OP的周圍。同時，有機電致發光顯示器300包含複數個像素，且像素具有相同的結構及功能。因此，僅將參照第1圖及第2圖 而詳細描述設置於一個像素區(pixel area)PA中的一個像素，而其他將被省略。

參考第1及2圖，有機電致發光顯示器300包含顯示基板100、面對顯示基板100的相對基板200、以及設置在顯示基板100及相對基板200之間的絕緣層150。

在一些實施例中，顯示基板100可包含基板10、驅動電晶體(driver transistor)TR、第一電極E1、像素定義層PDL、液體排斥層20、親液層30、有機發光層EML、以及第二電極E2。基板10包含像素區PA及非像素區SA，而驅動電晶體TR設置於非像素區SA。驅動電晶體TR係電性地連接至第一電極E1，以轉換施加至第一電極E1上的電源訊號開關。

驅動電晶體TR包含閘極電極GE、主動圖樣(active pattern)AP、源極電極SE及、汲極電極DE。源極電極SE係電性地連接至傳送電源訊號之電力線(未顯示)，而汲極電極DE係電性地連接至第一電極E1。因此，當驅動電晶體TR打開，經由電力線傳輸的電源訊號，係經由驅動電晶體TR施加至第一電極E1。

在一些實施例中，閘極絕緣層(gate insulating layer)L1可覆蓋主動圖樣AP，使閘極電極GE與主動圖樣AP絕緣，而層間絕緣層(inter-insulating layer)L2覆蓋閘極電極GE，使閘極電極GE與源極電極SE及汲極電極DE絕緣。此外，平坦化層(planarization layer)L3覆蓋驅動電晶體TR，並提供一個穿過其而形成的接觸孔CH。因此，設置於平坦化層L3上的第一電極E1係電性地經由接觸孔CH連接至汲極電極DE。

像素定義層PDL設置於第一電極E1上，並包含開口部分OP，係用於曝露至少一部分的第一電極E1。在一些實施例中，像素定義層PDL可包含上表面US及傾斜面SS，傾斜面SS連接到上表面US，並延伸至該開口部分OP，以傾斜至基板10。

液體排斥層20係設置於像素定義層PA及非像素層SA中。詳細來說，液體排斥層20係設置於像素定義層PDL及親液層30之間，以及第一電極E1及親液層30之間。液體排斥層20的一部分透過開口部分OP與第一電極E1接觸。

在一些實施例中，液體排斥層20可具有形成在像素區PA及非像素區SA上的單層結構，而液體排斥層20可普遍地形成於顯示於第1圖中之其它像素區及其它非像素區上。

液體排斥層20包含有機材料，其含有氟以具有液體排斥性。因此，液體排斥層20與液體材料之間的潤濕性(wettability)可小於具有親液性的親液層30與液體材料之間的潤濕性。

在一些實施例中，液體排斥層20可具有導電性，以允許經由液體排斥層20而從第一電極E1所提供的電子或電洞可很輕易地傳送至有機發光層EML。根據另一例示性實施例中，液體排斥層20具有等於或小於約50微米(micrometers)的厚度。在這種情況下，液體排斥層20可不具有導電性，因為經由液體排斥層20而從第一電極E1所提供的電子或電洞係傳送至有機發光層EML，即使液體排斥層20不具有導電性。

親液層30包含具有親液性的有機材料。因此，親液層30與液體材料之間的潤濕性，是大於液體排斥層20與液體材料之間的潤濕 性。另外，親液層30具有等於或小於約50微米的厚度。在這種情況下，從第一電極E1提供的電子或電洞，經由親液層30傳送至有機發光層EML，即使親液層30不具有導電性。

親液層30設置於像素區PA裡的液體排斥層20上。詳細地說，親液層30設置於像素區PA與非像素區SA之間的像素區PA。因此，液體排斥層20與親液層30係依次層疊在像素區PA的基板10上，且只有液體排斥層20與親液層30中的液體排斥層20設置於非像素區SA的基板10上。在這種情況下，印染溶液PS(如第6D圖所示)是很容易地使用印刷方法，塗佈至像素區PA與非像素區SA之間的像素區PA，而印染溶液硬化以形成有機發光層EML。此將參考第6A至6E圖而詳細地說明。

同時，親液層30包含中心部分CP及從中心部分CP延伸的邊緣部分SP。中心部分CP係透過開口部分OP而設置於第一電極E1上，以平行於基板10。此外，邊緣部分SP設置於像素定義層PDL的傾斜面SS及上表面US，且設置於傾斜面SS上的邊緣部分SP的一部分，係相對於基板10而傾斜。

在一些實施例中，至少一個凹部分RP可形成在中心部分CP。在第1圖及第2圖所示的實施例中，凹部分RP可藉由貫通親液層30而形成的孔洞HL而定義，且孔洞HL係彼此隔開。因此，設置在親液層30上的有機發光層EML通過孔洞HL的液體排斥層20部分地接觸。因此，在親液層30及設置於親液層30上的液體材料之間的表面能，係藉由液體排斥層20及與液體排斥層20接觸的液體材料之間的斥力而降低。

如上所述，當凹部分RP透過親液層30而形成，中心部分CP的上表面的表面能(以下，稱為第一表面能)係小於邊緣部分SP的上表面的表面能(以下，稱為第二表面能)。因此，當液體材料使用印刷方法塗佈至親液層30，而液體材料硬化以於親液層30上形成一個層，由於第一及第二表面能之間的差異而重新排列，塗佈至親液層30的一部分液體材料從中心部分CP移至邊緣部分SP。其結果是，防止液體材料從邊緣部分SP向下流動至中心部分CP，從而在中心部分CP及邊緣部分SP上形成的層的厚度可為均勻的。此將參考第6A至6E圖而詳細地說明。

有機發光層EML係設置於親液層30上。經由液體排斥層20及親液層30而從第一電極E1所提供的電洞係與從第二電極E2提供的電子在有機發光層EML中再組合，使光從有機發光層EML發射出來。

在一些實施例中，有機發光層EML可設置於像素區PA。有機發光層EML的位置係與參考第6A至6E圖敘述的形成有機發光層EML的方法有關。

第二電極E2設置於有機發光層EML上。第二電極E2作為陰極而第一電極E1作為陽極。此外，電洞傳輸層(未顯示)及電子注入層(未顯示)可進一步設置於有機發光層EML與第二電極E2之間。

相對基板200設置以面對顯示基板100，且絕緣層150填充在顯示基板100及相對基板200之間。絕緣層150包含高分子材料，例如，聚醯亞胺(polyimide)，並形成於顯示基板100的整個表面上，以覆蓋顯示基板100。因此，絕緣層150阻擋氣體及濕氣，以防止有機發光層EML被氣體及濕氣劣化。

第3圖係為根據一實施例顯示有機電致發光顯示器之像素之放大之橫截面圖。詳細地說，第3圖顯示親液層31的中心部分CP及邊緣部分SP設置於有機電致發光顯示器的像素定義層PDL上。同時，顯示於第3圖中的有機電致發光顯示器與那些顯示於第1圖及第2圖中的有機電致發光顯示器300，除了親液層31以外，具有相同的結構及功能。在第3圖，相同的參考符號表示在第1及2圖相同的元件，因此，相同元件的詳細描述將被省略。

參照第3圖，有機電致發光顯示器包含親液層31，而親液層31包含中心部分CP及從中心部分CP延伸出並傾斜至基板10的邊緣部分SP。凹部分RP_1形成於中心部分CP裡，且凹部分RP_1係藉由從親液層31的中心部分CP的上表面，沿著親液層31的厚度方向移除部分的親液層31而形成的凹處GV來定義。此外，凹處GV係彼此分開。

如上敘述，因為凹部分RP_1形成於親液層31裡，中心部分CP的上表面的表面能是小於邊緣部分SP的上表面的表面能。因此，參照第1圖及第2圖的敘述，當液體材料塗佈至親液層31，而液體材料硬化以於親液層31形成一個層時，塗佈至親液層31的一部分液體材料從中心部分CP移動到邊緣部分SP，以重新排列。其結果是，防止液體材料從邊緣部分SP向下流動至中心部分CP，從而在中心部分CP及邊緣部分SP上形成的層的厚度可為均勻的。

第4圖係為根據另一實施例顯示有機電致發光顯示器之像素之放大之橫截面圖。詳細地說，第4圖顯示親液層32的中心部分CP及邊緣部分SP設置於有機電致發光顯示器的像素定義層PDL上。同時，顯 示於第4圖中的有機電致發光顯示器與那些顯示於第1圖中的有機電致發光顯示器300，除了親液層32以外，具有相同的結構及功能。在第4圖，相同的參考符號表示在第1圖及第2圖相同的元件，因此，相同元件的詳細描述將被省略。

參照第4圖，有機電致發光顯示器包含親液層32，而親液層32包含中心部分CP及從中心部分CP延伸出並傾斜至基板10的邊緣部分SP。凹部分RP_2形成於中心部分CP裡，且凹部分RP_2係藉由從親液層32的中心部分CP的上表面，沿著親液層32的厚度方向移除部分的親液層32而形成的凹處GV、以及藉由貫通親液層32的中心部分CP而形成的孔洞HL來定義。此外，凹處GV及電洞HL係彼此分開。

如上敘述，因為凹部分RP_2形成於親液層32裡，中心部分CP的上表面的表面能是小於邊緣部分SP的上表面的表面能。因此，參照第1圖及第2圖的敘述，當液體材料塗佈至親液層32，而液體材料硬化以於親液層32形成一個層，塗佈至親液層32的一部分液體材料，從中心部分CP移動到邊緣部分SP，以重新排列。其結果是，防止液體材料從邊緣部分SP向下流動至中心部分CP，從而在中心部分CP及邊緣部分SP上形成的層的厚度可為均勻的。

第5圖係為根據另一實施例顯示有機電致發光顯示器之橫截面圖。在第5圖，相同的參考符號表示在第1圖及第2圖相同的元件，因此，相同元件的詳細描述將被省略。

當將顯示於第5圖的有機電致發光顯示器301與顯示於第1圖的有機電致發光顯示器300比較時，有機電致發光顯示器301不包含如 第1圖所示的液體排斥層20。其包含具有液體排斥性的像素定義層PDL_1，而不是液體排斥層20。

相似於上面提到的實施例，由於親液層30係設置於顯示於第5圖中的有機電致發光顯示器的像素區PA，而液體材料使用印刷方法輕易地塗佈至像素區PA，且有機發光層EML輕易地藉由硬化塗佈至像素區PA的液體材料而形成。

第6A至6E圖係為顯示製造如第1圖及第2圖中的有機電致發光顯示器之方法之示意圖。在第6A至6E圖，相同的參考符號表示在第1及2圖相同的元件，因此，相同元件的詳細描述將被省略。

參考第6A圖，驅動電晶體TR形成於包含像素區PA及非像素區SA的基板10上，而平坦化層L3形成以覆蓋驅動電晶體TR。然後，接觸孔CH係貫通平坦化層L3而形成以曝露驅動電晶體TR的汲極電極DE，而第一電極E1形成於平坦化層L3。因此，第一電極E1透過接觸孔CH而與驅動電晶體TR的汲極電極DE接觸。

參考第6B及6C圖，提供有穿透其以形成的開口部分OP的像素定義層PDL係形成於第一電極E1上，以透過開口部分OP曝露一部分的第一電極E1。在那之後，液體排斥層20及初步親液層30_1係依序地形成於像素定義層PDL上。

接著，遮罩(mask)SM設置於初步親液層30_1上。在一些實施例中，遮罩SM可包含光傳輸部分P1及光阻擋部分P2。光傳輸部分P1係設置以對應於非像素區SA，以傳輸光LT。光阻擋部分P2係設置以對應於像素區PA，以阻擋光LT。此外，光阻擋部分P2包含穿透而形成以 對應於凹部分RP(參見第1圖)的狹縫ST，且狹縫ST係作為光傳輸部分P1來傳輸光。

在遮罩SM設置於初步親液層30_1上之後，曝露製程藉由照射光LT至初步親液層30_1上而進行，而顯影製程係於暴露於光LT中的初步親液層30_1上進行。其結果是，初步親液層30_1被圖樣化，以形成親液層30。

根據另一實施例，光阻圖樣(photoresist pattern)(未顯示)形成於對應的光傳輸部分P1及狹縫ST的初步親液層30_1上，初步親液層30_1藉由使用微影技術製程(photolithography process)，使用光阻圖樣作為蝕刻的遮罩，由此形成親液層30。

根據又一實施例，當像素定義層PDL可由具有液體排斥性的材料形成時，顯示於第5圖的有機電致發光顯示器的液體排斥層20可被省略。

參考第6D圖，噴嘴NL在第一方向D1或相反於第一方向D1的方向移動，以提供印染溶液PS至像素區PA上。其結果是，印染溶液PS塗佈至親液層30上。

同時，在使用噴嘴NL將印染溶液PS塗佈至親液層30以前，親液層30係曝露於像素區PA中的外部，而液體排斥層20係曝露於非像素區SA的外部。因此，印染溶液PS可輕易地塗佈至像素區PA，因為印染溶液PS與親液層30之間的潤濕性是大於印染溶液PS與液體排斥層20之間的潤濕性。

此外，當凹部分RP形成於親液層30的中心部分CP時，由於凹部分RP，中心部分CP的上表面的表面能係小於邊緣部分SP的上表面的表面能，且液體排斥層20係曝露於整個凹部分RP的外部。因此，邊緣部分SP的上表面與印染溶液PS之間的潤濕性是大於中心部分CP的上表面與印染溶液PS之間的潤濕性，其結果是，在被塗佈至像素區PA以後，可防止印染溶液PS中邊緣部分SP移動至中心部分CP。另外，由於邊緣部分SP的上表面與印染溶液PS之間的潤濕性是大於中心部分CP的上表面與印染溶液PS之間的潤濕性，印染溶液PS從中心部分CP沿第二方向D2及第三方向D3移動至邊緣部分SP。因此，印染溶液PS重新排列，從而使印染溶液PS具有均勻的厚度。

參考第6E圖，進行熱處理製程，以在印染溶液PS塗佈至像素區PA以後，施加熱HT至基板10。由於熱處理製程進行，印染溶液硬化，以形成有機發光層EML。

在熱處理製程中，藉由中心部分CP的上表面的表面能與邊緣部分SP的上表面的表面能之間的差異，塗佈至中心部分CP的印染溶液PS移動至邊緣部分SP。因此，印染溶液PS重新排列並具有均勻的厚度。

其結果是，在熱處理製程完成之後，有機發光層EML的厚度均勻性可得到改善。在一些實施例中，有機發光層EML的厚度均勻性可防止在與邊緣部分SP接觸的中心部分CP的位置上劣化。

接著，第二電極E2(參照第1圖)與絕緣層150(參照第1圖)形成於有機發光層EML上，以製造顯示於第1圖的顯示基板100。在那之 後，顯示基板100耦合至相對基板200(參照第1圖)，從而製造有機電致發光顯示器300。

上述的實施例僅用於說明的目的而呈現，並不企圖定義含義，或限制本發明於下列所提出之申請專利範圍之範疇。其所屬技術領域中具有通常知識者將理解，在不脫離藉由所附的申請專利範圍而定義的本發明之精神及範疇之下，本發明的各種修改及等同的實施例是可行的。

10‧‧‧基板

20‧‧‧液體排斥層

30‧‧‧親液層

100‧‧‧顯示基板

150‧‧‧絕緣層

200‧‧‧相對基板

300‧‧‧有機電致發光顯示器

AP‧‧‧主動圖樣

CH‧‧‧接觸孔

DE‧‧‧汲極電極

E1‧‧‧第一電極

E2‧‧‧第二電極

EML‧‧‧有機發光層

GE‧‧‧閘極電極

L1‧‧‧閘極絕緣層

L2‧‧‧層間絕緣層

L3‧‧‧平坦化層

PDL‧‧‧像素定義層

OP‧‧‧開口部分

PA‧‧‧像素區

RP‧‧‧凹部分

SA‧‧‧非像素區

SE‧‧‧源極電極

TR‧‧‧驅動電晶體

Claims (20)

1. 一種有機電致發光顯示器，包含：一基板；一第一電極，係設置於該基板上；一像素定義層，係設置於該第一電極上，其中該像素定義層包含一開口部分，係用於曝露至少一部分的該第一電極；一親液層，具有一親液性，係設置於該第一電極及該像素定義層上，其中該親液層包含一中心部分以及一邊緣部分，該中心部分係透過該開口部分而設置於該第一電極上，至少一凹部分形成於該中心部分，該凹部分從該中心部分之一上表面凹陷，該邊緣部分係從該中心部分延伸出，並設置於該像素定義層上；一有機發光層，係設置於該親液層上；以及一第二電極，係設置於該有機發光層上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光顯示器，其中該像素定義層包含一上表面及連接至該上表面且延伸至該開口部分的一傾斜面，其中該邊緣部分係設置於該傾斜面上，以相對於該基板而傾斜，以及其中該中心部分實質上係與該基板平行。
3. 如申請專利範圍第2項所述之有機電致發光顯示器，更包含一液體排斥層，其具有一液體排斥性，且設置於該像素定義層及該親液層之間，以及該第一電極及該親液層之間。
4. 如申請專利範圍第3項所述之有機電致發光顯示器，其中該中心部分的一上表面之一表面能係小於該邊緣部分的一上表面之 一表面能。
5. 如申請專利範圍第3項所述之有機電致發光顯示器，其中該至少一凹部分包含一孔洞，係透過該親液層及該有機發光層而形成，且其中該有機發光層配置以透過該至少一凹部分而接觸該液體排斥層。
6. 如申請專利範圍第3項所述之有機電致發光顯示器，其中該基板包含一像素區及一非像素區，其中該親液層係設置於該像素區上，而其中該液體排斥層係設置於該像素區及該非像素區上。
7. 如申請專利範圍第6項所述之有機電致發光顯示器，其中該有機發光層係設置於該像素區上。
8. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光顯示器，其中該像素定義層具有一液體排斥性。
9. 如申請專利範圍第8項所述之有機電致發光顯示器，其中該基板包含一像素區及一非像素區，該像素定義層係設置於該像素區及該非像素區，其中該開口部分係設置於該像素區上，且其中該有機發光層及該親液層係設置於該像素區上。
10. 如申請專利範圍第1項所述之有機電致發光顯示器，其中該至少一凹部分包含透過該親液層而形成之一孔洞，或藉由延著該親液層的一厚度方向從該親液層的一上表面部分地移除該親液層而形成之一凹處。
11. 一種製造一有機電致發光顯示器的方法，其包含：形成一第一電極於一基板上，其中該基板包含一像素區及一非 像素區；形成一像素定義層於該第一電極上，其中該像素定義層配備一開口部分，以曝露至少一部分的該第一電極；形成一初步親液層於該第一電極及該像素定義層上；圖樣化該初步親液層以形成一親液層；塗佈一印染溶液至該親液層，以形成一有機發光層；以及形成一第二電極於該有機發光層上，其中該親液層之形成包含：移除設置於該非像素區的該初步親液層以透過該開口部分形成設置在該第一電極上的一中心部分，及形成從該中心部分延伸出並設置於該像素定義層上的一邊緣部分；以及形成一凹部分於該親液層之該中心部分，其中該凹部分係藉由移除至少一部分該親液層而形成。
12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該像素定義層包含一上表面及連接至該上表面且延伸至該開口部分的一傾斜面，其中該邊緣部分係設置於該傾斜面上，以相對於該基板而傾斜，以及其中該中心部分實質上係與該基板平行。
13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，更包含形成一液體排斥層，其具有一液體排斥性，且設置於該像素定義層及該親液層之間，以及該第一電極及該親液層之間。
14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中由於該凹部分，該中心部分的一上表面之一表面能係小於該邊緣部分的一上表面之一表面能。
15. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該凹部分係透過該親液層而形成，且當該印染溶液塗佈至該親液層時，其中該印染溶液透過該凹部分與該液體排斥層接觸。
16. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該親液層係設置於該像素區中，而該液體排斥層係設置於像素區及非像素區中。
17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該有機發光層係設置於該像素區中。
18. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該像素定義層具有一液體排斥性，其中該像素定義層係設置於該像素區及該非像素區中，其中該像素定義層的該開口部分係設置於該像素區中，且其中該有機發光層及該親液層係設置於該像素區中。
19. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該凹部分係透過該親液層而形成，或藉由延著該親液層的一厚度方向從該親液層的一上表面而部分地移除該親液層而形成。
20. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該有機發光層的形成包含熱處理塗佈至該親液層的該印染溶液，以硬化該印染溶液，及在該印染溶液的該熱處理期間，將塗佈至該親液層的該中心部分的該印染溶液，移動至該親液層的該邊緣部分，以重新排列。