TWI585492B - Display device - Google Patents

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TWI585492B
TWI585492B TW103141260A TW103141260A TWI585492B TW I585492 B TWI585492 B TW I585492B TW 103141260 A TW103141260 A TW 103141260A TW 103141260 A TW103141260 A TW 103141260A TW I585492 B TWI585492 B TW I585492B
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TW
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Hayato Kurasawa
Koji Ishizaki
Takeo Koito
Original Assignee
Japan Display Inc
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Publication date
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Description

顯示裝置
本發明係關於顯示裝置及電子機器，特別係關於包含靜電電容方式之輸入裝置之顯示裝置及電子機器。
近年來，有一種技術，其於顯示裝置之顯示面側安裝有稱為觸控面板或觸控式感應器之輸入裝置，使手指或觸控筆等輸入工具等接觸觸控面板而執行輸入動作時，檢測輸入位置並將其輸出。因具有此觸控面板之顯示裝置無需鍵盤、滑鼠或輔助鍵盤等輸入裝置，故除電腦外亦廣泛使用於如行動電話之行動資訊終端等
作為檢測手指等接觸觸控面板之接觸位置之檢測方式之一，存在靜電電容方式。使用靜電電容方式之觸控面板中，於觸控面板之面內設置有包含隔著介電層而對向配置之一對電極，亦即驅動電極及檢測電極之複數個電容元件。因此，使手指或觸控筆等輸入工具接觸電容元件而執行輸入動作時，利用電容元件之靜電容之變化而檢測輸入位置。
例如，日本特開2010-197576號公報(專利文獻1)中揭示一種作為透明電極圖案之不可見化對策之觸控面板。又，日本特開2011-059771號公報(專利文獻2)中揭示一種具有至少局部分離且即使不連續部分非辨識度亦優異之網格圖案的網格狀導電性圖案，以及附有包含該網格狀導電性圖案之導體層圖案之基材及觸控面板構件。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-197576號公報
[專利文獻2]日本特開2011-059771號公報
安裝有此觸控面板等輸入裝置之顯示裝置中，為提高檢測性能，期望降低檢測電極之電阻。為確保顯示區域對可見光之透過率，有使用ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)等之對可見光具有透光性之導電性氧化物作為檢測電極之材料之情況。然而，ITO等導電性氧化物之電阻率相較於金屬或合金等導電性材料之電阻率更大。因此，為降低檢測電極之電阻，期望使用金屬或合金等導電性材料。
然而，金屬及合金等導電性材料對可見光具遮光性。即，金屬及合金等導電性材料對可見光之透過率相較於ITO等具有透光性之導電性氧化物對可見光之透過率更小。因此，使用包含金屬或合金等導電性材料之檢測電極作為觸控面板等之輸入裝置之檢測電極之情形時，存在顯示區域對可見光之透過率下降之虞。
本發明係為解決如上述先前技術之問題點而完成者，其目的在於提供一種顯示裝置，其可提高包含輸入裝置之顯示裝置中之顯示區域對可見光之透過率，從而可提高輸入裝置之檢測性能。
若簡單說明本申請案揭示之發明中具代表性者之概要，則如下所述。
作為本發明之一態樣之顯示裝置，其包含：基板；複數個像素，其排列於基板之第1主表面側之第1區域；及複數個第1電極，其分別設置於複數個像素各者之內部。該顯示裝置進而包含：第2電極，其設置為俯視下與複數個第1電極重合；複數個第3電極，其以俯 視下分別與第2電極重合之方式相互空出間隔地設置；及第4電極，其係於第1區域，與複數個第3電極中之任一者隔開而設。藉由對複數個第1電極各者與第2電極之間施加電壓而顯示圖像；基於第2電極與複數個第3電極各者之間之靜電電容而檢測輸入位置。複數個第3電極各者包含第1金屬層或第1合金層；第4電極包含第2金屬層或第2合金層。又，複數個像素中俯視下與複數個第3電極及第4電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個像素之面積總和之比為1~22%。
再者，作為另一態樣，亦可為：複數個像素係於第1區域，沿第1方向及與第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列；複數個第3電極各者具有包含第1金屬層或第1合金層之第1導電線；第1導電線俯視下係交替於相反方向上彎曲並且全體朝第3方向延伸。此時，複數個像素中俯視下與複數個第3電極及第4電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個像素之面積總和之比為1~11%。
再者，作為另一態樣，亦可為：複數個像素係於第1區域，沿第1方向及與第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列；複數個第3電極各者具有複數根第1導電線。複數根第1導電線各者包含第1金屬層或第1合金層，且俯視下交替於相反方向上彎曲並且全體朝第3方向延伸；相鄰之第1導電線中之相互於相反方向上彎曲之部分彼此結合。此時，複數個像素中俯視下與複數個第3電極及第4電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個像素之面積總和之比為2~22%。
再者，作為另一態樣，複數個像素亦可於第1區域，沿第1方向及與第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列。而且，複數個第3電極各者亦可具有：複數根第1導電線，其分別朝第3方向延伸，且排列於與第3方向交叉之第4方向；及複數根第2導電線，其分別朝與第3方向及第4方向兩者交叉之第5方向延伸，且排列於第4方向。進而，亦可為，複數根第1導電線各者包含第1金屬層或第1合金層；複數根第2導電線 各者包含第3金屬層或第3合金層；複數根第1導電線與複數根第2導電線相互交叉；複數個第3電極各者具有由相互交叉之複數根第1導電線與複數根第2導電線形成之網格形狀。此時，複數個像素中俯視下與複數個第3電極及第4電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個像素之面積總和之比亦可為2~22%。
再者，作為本發明之一態樣之顯示裝置，其包含：基板；複數個像素，其係於基板之第1主表面側之第1區域，沿第1方向及與第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列；及複數個第1電極，其分別設置於複數個像素各者之內部。且，該顯示裝置進而包含：第2電極，其設置為俯視下與複數個第1電極重合；及複數個第3電極，其以俯視下分別與第2電極重合之方式相互空出間隔地設置。藉由對複數個第1電極各者與第2電極之間施加電壓而顯示圖像；基於第2電極與複數個第3電極各者之間之靜電電容而檢測輸入位置。複數個第3電極各者具有包含第1金屬層或第1合金層之第1導電線；第1導電線具有俯視下朝與第1方向及第2方向兩者交叉之第3方向延伸之部分。又，第1導電線之寬度為2~7μm。
再者，作為另一態樣，亦可第1導電線俯視下交替於相反方向上彎曲並且全體朝第4方向延伸。此時，第1導電線之寬度亦可為2.5~4.5μm。
再者，作為另一態樣，複數個第3電極各者亦可具有複數根第1導電線；複數根第1導電線各者俯視下交替於相反方向上彎曲並且全體朝第4方向延伸；相鄰之第1導電線中相互於相反方向上彎曲之部分彼此結合。此時，複數根第1導電線各者之寬度亦可為2.5~4.5μm。
再者，作為另一態樣，複數個第3電極各者亦可具有：複數根第1導電線，其分別朝第3方向延伸，且排列於與第3方向交叉之第4方向；複數根第2根導電線，其分別朝與第3方向及第4方向兩者交叉之 第5方向延伸，且排列於第4方向。而且，亦可為，複數根第2導電線各者包含第2金屬層或第2合金層；複數根第1導電線與複數根第2導電線彼此交叉；複數根第3導電線各者具有由相互交叉之複數根第1導電線與複數根第2導電線形成之網格形狀。此時，複數根第1導電線及複數根第2導電線各者之寬度亦可為2.5~4.5μm。
或者，作為本發明之一態樣之顯示裝置，其包含：基板；複數個像素，其排列於基板之第1主表面側之第1區域；及複數個第1電極，其分別設置於複數個像素各者之內部。且，該顯示裝置進而包含：第2電極，其設置為俯視下與複數個第1電極重合；複數個第3電極，其設置為俯視下分別與第2電極重合。藉由對複數個第1電極各者與第2電極之間施加電壓而顯示圖像；基於第2電極與複數個第3電極各者之間之靜電電容而檢測輸入位置。複數個第3電極各者包含第1金屬層或第1合金層。又，複數個像素中俯視下與複數個第3電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個像素之面積總和之比為1~22%。
再者，作為另一態樣，複數個第3電極各者亦可對可見光具遮光性。或者，亦可為，第1電極係像素電極，第2電極係共通電極，第3電極係輸出用於檢測輸入位置之檢測信號之檢測電極；對共通電極輸入用於測定共通電極與檢測電極之間之靜電電容之驅動信號。或者，作為另一態樣，亦可為，第1方向上之複數個像素之排列間隔小於第2方向上之複數個像素之排列間隔；第1方向上之複數個像素之排列間隔為45~180μm。再者，作為另一態樣，亦可為，第1方向上之複數個像素之排列間隔小於第2方向上之複數個像素之排列間隔；第1方向上之複數個像素之排列間隔為45~180μm；相鄰之第1導電線彼此之間隔為50~200μm。
再者，作為另一態樣，亦可於第3電極之表面或第3電極上形成 低反射層，該低反射層對可見光具有較第3電極對可見光之反射率更低之反射率。
或者，作為本發明之一態樣之顯示裝置，其包含：基板；複數個像素，其排列於基板之第1主表面側之第1區域；及複數個第1電極，其分別設置於複數個像素各者之內部。且，該顯示裝置進而包含：第2電極，其設置為俯視下與複數個第1電極重合；複數個第3電極，其以俯視下分別與第2電極重合之方式相互空出間隔地設置；及第4電極，其係於第1區域，與複數個第3電極中之任一者隔開而設。藉由對複數個第1電極各者與第2電極之間施加電壓而顯示圖像；基於複數個第3電極各者之靜電電容而檢測輸入位置。複數個第3電極各者包含第1金屬層或第1合金層；第4電極包含第2金屬層或第2合金層。而且，複數個像素中俯視下與複數個第3電極及第4電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個像素之面積總和之比為1~22%。
或者，作為本發明之第1態樣之顯示裝置，其包含：基板；複數個像素，其係於基板之第1主表面側之第1區域，沿第1方向及與第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列；及複數個第1電極，其分別設置於複數個像素各者之內部。且，該顯示裝置進而包含：第2電極，其設置為俯視下與複數個第1電極重合；複數個第3電極，其以俯視下分別與第2電極重合之方式相互空出間隔地設置。藉由對複數個第1電極各者與第2電極之間施加電壓而顯示圖像；基於複數個第3電極各者之靜電電容而檢測輸入位置。複數個第3電極各者具有包含第1金屬層或第1合金層之第1導電線；第1導電線具有俯視下朝與第1方向及第2方向兩者交叉之第3方向延伸之部分。又，第1導電線之寬度為2~7μm
或者，作為本發明之一態樣之顯示裝置，其包含：基板；複數個像素，其排列於基板之第1主表面側之第1區域；及複數個第1電極，其分別設置於複數個像素各者之內部。且，該顯示裝置進而包 含：第2電極，其設置為俯視下與複數個第1電極重合；複數個第3電極，其設置為俯視下分別與第2電極重合。藉由對複數個第1電極各者與第2電極之間施加電壓而顯示圖像；基於複數個第3電極各者之靜電電容而檢測輸入位置。複數個第3電極各者包含第1金屬層或第1合金層。又，複數個像素中俯視下與複數個第3電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個像素之面積總和之比為1~22%。
1‧‧‧顯示裝置
1F‧‧‧訊框期間
1H‧‧‧水平期間
2‧‧‧像素基板
3‧‧‧對向基板
6‧‧‧液晶層
7‧‧‧觸控面板基板
10‧‧‧附觸控檢測功能之顯示器件
11‧‧‧控制部
12‧‧‧閘極驅動器
13‧‧‧源極驅動器
14‧‧‧驅動電極驅動器
19A‧‧‧COG
19B‧‧‧COG
20‧‧‧液晶顯示器件
21‧‧‧TFT基板
22‧‧‧像素電極
23‧‧‧層間樹脂膜
23a‧‧‧鈍化層
24‧‧‧絕緣膜
25‧‧‧接觸孔
26‧‧‧縫隙狀開口
30‧‧‧觸控檢測器件
31‧‧‧玻璃基板
32‧‧‧彩色濾光片
32B‧‧‧顏色區域
32G‧‧‧顏色區域
32R‧‧‧顏色區域
35‧‧‧偏光板
40‧‧‧觸控檢測部
42‧‧‧觸控檢測信號放大部
43‧‧‧A/D轉換部
44‧‧‧信號處理部
45‧‧‧座標擷取部
46‧‧‧檢測時序控制部
71‧‧‧玻璃基板
511‧‧‧前面板
512‧‧‧濾光玻璃
513‧‧‧影像顯示畫面部
522‧‧‧顯示部
523‧‧‧選單切換
524‧‧‧快門按鈕
531‧‧‧本體
532‧‧‧鍵盤
533‧‧‧顯示部
541‧‧‧本體部
542‧‧‧鏡頭
543‧‧‧開始/停止開關
544‧‧‧顯示部
551‧‧‧上側殼體
552‧‧‧下側殼體
553‧‧‧連結部(鉸鏈部)
554‧‧‧顯示器
555‧‧‧次顯示器
556‧‧‧閃光燈
557‧‧‧照相機
561‧‧‧殼體
562‧‧‧觸控螢幕
Ad‧‧‧顯示區域
AR1‧‧‧區域
AR2‧‧‧區域
BM1‧‧‧遮光部
BM2‧‧‧遮光部
BT1‧‧‧彎曲部
BT11‧‧‧彎曲部
BT12‧‧‧彎曲部
BT21‧‧‧彎曲部
BT22‧‧‧彎曲部
BT5‧‧‧彎曲部
BT51‧‧‧彎曲部
BT52‧‧‧彎曲部
BT6‧‧‧彎曲部
BT61‧‧‧彎曲部
BT62‧‧‧彎曲部
BT7‧‧‧彎曲部
BT71‧‧‧彎曲部
BT72‧‧‧彎曲部
BT8‧‧‧彎曲部
BT81‧‧‧彎曲部
BT82‧‧‧彎曲部
C1‧‧‧電容元件
C1‧‧‧電容元件
C2‧‧‧靜電電容
Cr1‧‧‧靜電電容
Cx‧‧‧靜電電容
CNB1‧‧‧連接部
CNB2‧‧‧連接部
CNT1‧‧‧連接部
CNT2‧‧‧連接部
COML‧‧‧驅動電極
COML1‧‧‧驅動電極
COML2‧‧‧驅動電極
COML3‧‧‧驅動電極
COML4‧‧‧驅動電極
D‧‧‧介電層
D1‧‧‧方向
D11‧‧‧方向
D12‧‧‧方向
D2‧‧‧方向
D21‧‧‧方向
D22‧‧‧方向
D51‧‧‧方向
D61‧‧‧方向
D62‧‧‧方向
D71‧‧‧方向
D72‧‧‧方向
D81‧‧‧方向
D82‧‧‧方向
DA1‧‧‧排列間隔
DP1‧‧‧排列間隔
DP2‧‧‧排列間隔
DE‧‧‧汲極電極
DET‧‧‧電壓檢測器
DL‧‧‧導電線
DP1‧‧‧排列間隔
DP2‧‧‧排列間隔
DS1‧‧‧間隔
E1‧‧‧驅動電極
E2‧‧‧檢測電極
EX1‧‧‧延伸部
E11‧‧‧延伸部
EX12‧‧‧延伸部
EX2‧‧‧延伸部
EX21‧‧‧延伸部
EX22‧‧‧延伸部
EX3‧‧‧延伸部
EX4‧‧‧延伸部
EX5‧‧‧延伸部
EX51‧‧‧延伸部
EX52‧‧‧延伸部
EX6‧‧‧延伸部
EX61‧‧‧延伸部
EX62‧‧‧延伸部
EX7‧‧‧延伸部
EX71‧‧‧延伸部
EX72‧‧‧延伸部
EX8‧‧‧延伸部
EX81‧‧‧延伸部
EX82‧‧‧延伸部
GAP1‧‧‧間隔
GAP2‧‧‧間隔
GCL‧‧‧掃描線
GE‧‧‧閘極電極
GI‧‧‧閘極絕緣膜
LC‧‧‧液晶元件
LN1‧‧‧長度
LW1‧‧‧線寬
ML‧‧‧導電線
ML1‧‧‧導電線
ML4‧‧‧導電線
MLE1‧‧‧端部
MLE2‧‧‧端部
MLG‧‧‧導電線群
Pd‧‧‧顯示期間
Pix‧‧‧像素
PRT1‧‧‧部分
Q1‧‧‧電荷量
Q2‧‧‧電荷量
Reset‧‧‧期間
S‧‧‧交流信號源
SC1‧‧‧檢測電路
Scan‧‧‧掃描方向
SE‧‧‧源極電極
Sg‧‧‧交流矩形波
SGL‧‧‧信號線
SL‧‧‧半導體層
SPix‧‧‧次像素
T‧‧‧端子部
t1‧‧‧時點
t11‧‧‧時點
t12‧‧‧時點
t13‧‧‧時點
t14‧‧‧時點
t15‧‧‧時點
t2‧‧‧時點
t3‧‧‧時點
t4‧‧‧時點
t5‧‧‧時點
TDD‧‧‧虛設電極
TDG‧‧‧檢測配線
TDL‧‧‧檢測電極
Tr‧‧‧TFT元件
Ts‧‧‧取樣時點
Vcom‧‧‧驅動信號
Vcomd‧‧‧顯示驅動信號
Vdd‧‧‧電源
Vdet‧‧‧檢測信號
Vdisp‧‧‧影像信號
Vout‧‧‧信號輸出
Vpix‧‧‧像素信號
Vscan‧‧‧掃描信號
Vsig‧‧‧圖像信號
WD1‧‧‧寬度
圖1係顯示實施形態1之顯示裝置之一構成例之方塊圖。
圖2係表示手指尚未接觸及靠近觸控檢測器件之狀態之說明圖。
圖3係顯示手指尚未接觸或靠近觸控檢測器件之狀態之等價電路之例的說明圖。
圖4係表示手指已接觸或靠近觸控檢測器件之狀態之說明圖。
圖5係顯示手指已接觸或靠近觸控檢測器件之狀態之等價電路之例的說明圖。
圖6係顯示驅動信號及檢測信號之波形之一例之圖。
圖7係顯示安裝有實施形態1之顯示裝置之模組之一例的俯視圖。
圖8係顯示安裝有實施形態1之顯示裝置之模組之一例的俯視圖。
圖9係顯示實施形態1之顯示裝置之附觸控檢測功能之顯示器件之剖面圖。
圖10係顯示實施形態1之顯示裝置之附觸控檢測功能之顯示器件之電路圖。
圖11係顯示實施形態1之顯示裝置之驅動電極及檢測電極之一構成例的立體圖。
圖12係示意性顯示顯示期間與觸控檢測期間之關係之圖。
圖13(a)-(c)係顯示顯示期間之各種信號之時序波形圖。
圖14(a)、(b)係顯示觸控檢測期間之各種信號之波形之時序波形圖。
圖15係共同顯示實施形態1之顯示裝置之驅動電極與像素電極之俯視圖。
圖16係共同顯示實施形態1之顯示裝置之驅動電極與像素電極之剖面圖。
圖17係示意性顯示實施形態1之顯示裝置之檢測電極之構成之一例的俯視圖。
圖18係示意性顯示實施形態1之顯示裝置之檢測電極之構成之一例的俯視圖。
圖19係示意性顯示實施形態1之顯示裝置之檢測電極之構成之另一例的俯視圖。
圖20係示意性顯示實施形態1之顯示裝置之檢測電極之位置與像素位置之關係之一例的俯視圖。
圖21係示意性顯示實施形態1之顯示裝置之檢測電極之位置與像素位置之關係之另一例的俯視圖。
圖22係示意性顯示實施形態1之第1變化例之顯示裝置中檢測電極之構成之一例的俯視圖。
圖23係示意性顯示實施形態1之第1變化例之顯示裝置中檢測電極之構成之一例的俯視圖。
圖24係示意性顯示實施形態1之第1變化例之顯示裝置中檢測電極之另一例的俯視圖。
圖25係示意性顯示實施形態1之第1變化例之顯示裝置中，檢測電極之位置與像素位置之關係之一例的俯視圖。
圖26係示意性顯示實施形態1之第1變化例之顯示裝置中，檢測 電極之位置與像素位置之關係之另一例的俯視圖。
圖27係示意性顯示實施形態1之顯示裝置中，次像素之位置與檢測電極之位置之關係之一例的俯視圖。
圖28係顯示表1中之檢測值與面積率之關係的圖表。
圖29係顯示表2中之檢測值與面積率之關係的圖表。
圖30係顯示導電線之線寬與導電線之電阻值之關係的圖表。
圖31係共同表示實施形態2之顯示裝置之驅動電極與像素電極之俯視圖。
圖32係共同表示實施形態2之顯示裝置之驅動電極與像素電極之剖面圖。
圖33係顯示實施形態3之顯示裝置之附觸控檢測功能之顯示器件的剖面圖。
圖34係表示自電容方式之檢測電極之電性連接狀態之說明圖。
圖35係表示自電容方式之檢測電極之電性連接狀態之說明圖。
圖36係表示作為實施形態5之電子機器之一例之電視裝置之外觀的立體圖。
圖37係表示作為實施形態5之電子機器之一例之數位相機之外觀的立體圖。
圖38係表示作為實施形態5之電子機器之一例之筆記型個人電腦之外觀的立體圖。
圖39係表示作為實施形態5之電子機器之一例之攝錄影機之外觀的立體圖。
圖40係表示作為實施形態5之電子機器之一例之行動電話之外觀的前視圖。
圖41係表示作為實施形態5之電子機器之一例之行動電話之外觀的前視圖。
圖42係表示作為實施形態5之電子機器之一例之智慧型手機之外觀的前視圖。
以下，對本發明之各實施形態，一面參照圖式一面進行說明。
另，所揭示者不過為一例，對於由本領域技術者在確保發明主旨之基礎上進行恰當變更而容易地設想及構築者，當然為本發明之範圍所包含者。再者，為使說明更加明確，雖存在相較於實施態樣，圖式對各部之寬度、厚度及形狀等屬於示意性顯示之情形，但其終究為一例，而並非限定本發明之觀點者。
再者，在本說明書與各圖中，存在對關於既有圖式而與上述者相同之要素附加相同之符號，並適當省略相關詳細說明之情形。
進而，實施形態中所使用之圖式中，存在雖為剖面圖但為易於觀圖而省略陰影線之情形。再者，亦存在雖為俯視圖但為易於觀圖而加上陰影線之情形。
再者，以下實施形態中，以A~B表示範圍之情形時，除特別明示之情形外，皆設為表示A以上且B以下者。
(實施形態1)
首先，關於實施形態1，對將包含作為輸入裝置之觸控面板之顯示裝置適用於內嵌型(In-cell type)之附觸控檢測功能之液晶顯示裝置之例進行說明。另，所謂內嵌型之附觸控檢測功能之液晶顯示裝置，係指觸控面板所包含之驅動電極及檢測電極中之至少一者作為驅動液晶顯示裝置之液晶之驅動電極而內設於液晶顯示裝置之附觸控檢測功能之液晶顯示裝置。
<全體構成>
首先，參照圖1對實施形態1之顯示裝置之全體構成進行說明。圖1係顯示實施形態1之顯示裝置之一構成例之方塊圖。
顯示裝置1包含：附觸控檢測功能之顯示器件10、控制部11、閘極驅動器12、源極驅動器13、驅動電極驅動器14、及觸控檢測部40。
附觸控檢測功能之顯示器件10具有液晶顯示器件20與觸控檢測器件30。液晶顯示器件20係使用液晶顯示元件作為顯示元件之顯示器件。觸控檢測器件30係靜電電容方式之觸控檢測器件，亦即靜電電容型之觸控檢測器件。因此，顯示裝置1係包含具有觸控檢測功能之輸入裝置之顯示裝置。且，附觸控檢測功能之顯示器件10係將液晶顯示器件20與觸控檢測器件30一體化而成之顯示器件，係內設觸控檢測功能之顯示器件，亦即所謂內嵌型之附觸控檢測功能之顯示器件。
另，如以後述之實施形態3中所說明般，附觸控檢測功能之顯示器件10亦可為於液晶顯示器件20上安裝觸控檢測器件30之顯示器件。而且，亦可使用有機EL(Electroluminescence：電致發光)顯示器件取代液晶顯示器件20。
如後述般，液晶顯示器件20根據自閘極驅動器12供給之掃描信號Vscan，藉由在顯示區域依序逐一掃描每1條水平線而進行顯示。如後述般，觸控檢測器件30係基於靜電電容型觸控檢測之原理而動作，並輸出檢測信號Vdet。
控制部11係基於自外部供給之影像信號Vdisp，對閘極驅動器12、源極驅動器13、驅動電極驅動器14及觸控檢測部40分別供給控制信號，以使該等相互同步動作之方式進行控制之電路。
閘極驅動器12具有基於自控制部11供給之控制信號，依序選擇成為附觸控檢測功能之顯示器件10之顯示驅動對象之1條水平線的功能。
源極驅動器13係基於自控制部11供給之圖像信號Vsig之控制信號，對附觸控檢測功能之顯示器件10所包含之次像素SPix(參照後述之圖10)供給像素信號Vpix之電路。
驅動電極驅動器14係基於自控制部11供給之控制信號，對附觸控檢測功能之顯示器件10所包含之驅動電極COML(參照後述之圖7或圖8)供給驅動信號Vcom之電路。
觸控檢測部40係基於自控制部11供給之控制信號，與自附觸控檢測功能之顯示器件10之觸控檢測器件30供給之檢測信號Vdet，檢測有無手指或觸控筆等輸入工具對觸控檢測器件30之觸控，亦即有無後述之接觸或靠近狀態之電路。又，觸控檢測部40係於存在觸控之情形時，求得觸控檢測區域中之觸控座標，亦即輸入位置等之電路。觸控檢測部40包含：觸控檢測信號放大部42、A/D(Analog/Digital：類比/數位)轉換部43、信號處理部44、座標擷取部45、及檢測時序控制部46。
觸控檢測信號放大部42放大自觸控檢測器件30供給之檢測信號Vdet。觸控檢測信號放大部42亦可包含低通濾波器，其除去檢測信號Vdet所包含之較高頻率成分，亦即雜訊成分，擷取觸控成分並將其分別輸出。
<靜電電容型觸控檢測之原理>
接著，參照圖1至圖6，對本實施形態1之顯示裝置1之觸控檢測原理進行說明。圖2係表示手指尚未接觸或靠近觸控檢測器件之狀態之說明圖。圖3係顯示手指尚未接觸或靠近觸控檢測器件之狀態之等價電路之例的說明圖。圖4係表示手指已接觸或靠近觸控檢測器件之狀態之說明圖。圖5係顯示手指已接觸或靠近觸控檢測器件之狀態之等價電路之例的說明圖。圖6係顯示驅動信號及檢測信號之波形之一例之圖。
如圖2所示，靜電電容型之觸控檢測中，稱為觸控面板或觸控式感應器之輸入裝置具有隔著介電層D而彼此對向配置之驅動電極E1及檢測電極E2。由該等驅動電極E1及檢測電極E2形成電容元件C1。如 圖3所示，電容元件C1之一端連接於驅動信號源即交流信號源S，電容元件C1之另一端連接於觸控檢測部即電壓檢測器DET。電壓檢測器DET例如為圖1所示之觸控檢測信號放大部42所包含之積分電路。
若自交流信號源S對電容元件C1之一端即驅動電極E1施加例如具有數kHz~數百kHz左右之頻率之交流矩形波Sg，則經由連接於電容元件C1之另一端即檢測電極E2側之電壓檢測器DET，產生輸出波形即檢測信號Vdet。另，該交流矩形波Sg係例如相當於圖6所示之驅動信號Vcom者。
圖2所示之手指尚未接觸或靠近之狀態即非接觸狀態中，如圖3所示，伴隨對電容元件C1之充放電而流動有與電容元件C1之電容值相應之電流I0。電壓檢測器DET將與交流矩形波Sg相應之電流I0之變動轉換為電壓變動。該電壓變動在圖6中以實線之波形V0表示。
另一方面，圖4所示之手指已接觸或靠近之狀態，即接觸狀態中，受因手指而形成之靜電電容C2之影響，由驅動電極E1及檢測電極E2形成之電容元件將發揮作為具有較電容元件C1之電容值更小之電容值之電容元件C1’之作用。接著，自圖5所示之等價電路來看，電容元件C1’中流動有電流I1。電壓檢測器DET將與交流矩形波Sg相應之電流I1之變動轉換為電壓變動。該電壓變動在圖6中以虛線之波形V1表示。該情形時，波形V1相較於上述波形V0振幅更小。藉此，波形V0與波形V1之電壓差值之絕對值|△V |將根據手指等自外部靠近之物體之影響而變化。另，為更精確地檢測波形V0與波形V1之電壓差值之絕對值|△V |，電壓檢測器DET宜成為藉由電路內之切換，配合交流矩形波Sg之頻率而設置重設電容器之充放電之期間Reset而動作。
圖1所示之例中，觸控檢測器件30根據自驅動電極驅動器14供給之驅動信號Vcom，對與1個或複數個驅動電極COML對應之每1個檢 測區塊進行觸控檢測。即，觸控檢測器件30係對與1個或複數個驅動電極COML各者對應之每1個檢測區塊，經由圖3或圖5所示之電壓檢測器DET，輸出檢測信號Vdet，將輸出之檢測信號Vdet供給於觸控檢測部40之A/D轉換部43。
A/D轉換部43係於與驅動信號Vcom同步之時序，分別對自觸控檢測信號放大部42輸出之類比信號進行取樣，並將其轉換為數位信號之電路。
信號處理部44包含數位濾波器，其減低A/D轉換部43之輸出信號中包含之對驅動信號Vcom採樣所得之頻率以外之頻率成分，亦即雜訊成分。信號處理部44係基於A/D轉換部43之輸出信號，檢測有無對觸控檢測器件30觸控之邏輯電路。信號處理部44進行僅擷取因手指而產生之差值電壓之處理。該因手指而產生之差值電壓係上述波形V0與波形V1之差值之絕對值|△V |。信號處理部44亦可進行對每1個檢測區塊之絕對值|△V |進行平均化之運算，而求得絕對值|△V |之平均值。藉此，信號處理部44可減低雜訊造成之影響。信號處理部44將檢測出之因手指而產生之差值電壓與特定之臨限值電壓加以比較，若為該臨限值電壓以上，則判定為自外部靠近之外部靠近物體之接觸狀態，若小於臨限值電壓，則判定為外部靠近物體之非接觸狀態。如此地進行由觸控檢測部40執行之觸控檢測。
座標擷取部45係於信號處理部44檢測出觸控時，求得檢測出觸控之位置之座標即觸控面板之輸入位置的邏輯電路。檢測時序控制部46係以使A/D轉換部43、信號處理部44、及座標擷取部45同步動作之方式進行控制。座標擷取部45將觸控面板座標作為信號輸出Vout而輸出。
<模組>
圖7及圖8係表示安裝有實施形態1之顯示裝置之模組之一例的俯 視圖。圖7所示之例中，於TFT基板21上形成有上述驅動電極驅動器14。
如圖7所示，顯示裝置1具有附觸控檢測功能之顯示器件10、驅動電極驅動器14、COG(Chip On Class，玻璃覆晶)19A、及TFT基板21。
附觸控檢測功能之顯示器件10具有：複數個驅動電極COML與複數個檢測電極TDL。此處，設於作為TFT基板21之主表面之正面內，相互交叉較佳為正交之2個方向設為X軸方向及Y軸方向。此時，複數個驅動電極COML分別朝X軸方向延伸，且排列於Y軸方向。而且，複數個檢測電極TDL俯視下係各與複數個驅動電極COML交叉，且排列於X軸方向。即，複數個檢測電極TDL各者俯視下係與複數個驅動電極COML交叉。另，形成有附觸控檢測功能之顯示器件10之區域與顯示圖像之顯示區域Ad為相同區域。
如利用圖15所後述般，複數個驅動電極COML各者係以俯視下與沿X軸方向排列之複數個次像素SPix重合之方式而設。即，1個驅動電極COML係作為供複數個次像素SPix共同使用之電極而設。因此，亦將驅動電極COML稱作共通電極。
另，本說明書中，所謂「俯視下」，係指自垂直於作為TFT基板21之主表面之正面之方向觀察時之情形。
圖7所示之例中，附觸控檢測功能之顯示器件10具有俯視下包含分別朝X軸方向延伸且彼此對向之2邊，及分別朝Y軸方向延伸且彼此對向之2邊之矩形形狀。於Y軸方向上之附觸控檢測功能之顯示器件10之一側設置有包含可撓性基板等之端子部T。檢測電極TDL經由端子部T而與安裝於該模組外部之觸控檢測部40連接。驅動電極驅動器14例如形成於包含玻璃基板之TFT基板21上。COG19A係安裝於TFT基板21之晶片，並內設有圖1所示之控制部11、閘極驅動器12、源極 驅動器13等顯示動作所需之各電路者。
另一方面，顯示裝置1中亦可於COG內設驅動電極驅動器14。於COG內設有驅動電極驅動器14之例顯示於圖8。圖8所示之例中，顯示裝置1其模組具有COG19B。圖8所示之COG19B中，除上述顯示動作所需之各電路外，尚內設有驅動電極驅動器14。
<附觸控檢測功能之顯示器件>
接著，詳細說明附觸控檢測功能之顯示器件10之構成例。圖9係顯示實施形態1之顯示裝置之附觸控檢測功能之顯示器件之剖面圖。圖10係顯示實施形態1之顯示裝置之附觸控檢測功能之顯示器件之電路圖。另，圖9中省略對TFT元件Tr(參照圖10)、層間樹脂膜23及鈍化膜23a(參照後述之圖16)等之形成於TFT基板21與驅動電極COML之間之部分之圖示。
附觸控檢測功能之顯示器件10具有像素基板2、對向基板3、及液晶層6。對向基板3係以作為像素基板2之主表面之正面與作為對向基板3之主表面之背面相對向之方式配置。液晶層6設置於像素基板2與對向基板3之間。
像素基板2具有TFT基板21。如圖10所示，在顯示區域Ad，於TFT基板21(參照圖9)形成有複數條掃描線GCL、複數條信號線SGL、及複數個薄膜電晶體(Thin Film Transistor；TFT)即TFT元件Tr。另，圖9中掃描線GCL、信號線SGL及TFT元件Tr之圖示省略。
如圖10所示，複數條掃描線GCL係於顯示區域Ad，分別朝X軸方向延伸且排列於Y軸方向。複數條信號線SGL係於顯示區域Ad，分別朝Y軸方向延伸且排列於X軸方向。因此，複數條信號線SGL各者俯視下係與複數條掃描線GCL交叉。如此，俯視下，由相互交叉之複數條掃描線GCL與複數條信號線SGL劃分次像素SPix，由複數個不同顏色之次像素SPix形成1個像素Pix。即，TFT基板21上，在顯示區域Ad 中，次像素SPix沿X軸方向及Y軸方向矩陣狀排列。換言之，次像素SPix係於TFT基板21之表面側之顯示區域Ad，沿X軸方向及Y軸方向矩陣狀排列。
俯視下，於藉複數條掃描線GCL各者與複數條信號線SGL各者交叉而成之交叉部形成有TFT元件Tr。因此，在顯示區域Ad，於TFT基板21上形成有複數個TFT元件Tr，該等複數個TFT元件Tr沿X軸方向及Y軸方向矩陣狀排列。即，於複數個次像素SPix各者設置有TFT元件Tr。而且，除TFT元件Tr外，亦於複數個次像素SPix各者設置有液晶元件LC。
TFT元件Tr例如包含作為n通道型MOS(Metal Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導體)之薄膜電晶體。TFT元件Tr之閘極電極連接於掃描線GCL。TFT元件Tr之源極電極或汲極電極一者連接於信號線SGL。TFT元件Tr之源極電極或汲極電極之另一者連接於液晶元件LC之一端。液晶元件LC例如其一端連接於TFT元件Tr之汲極電極，另一端連接於驅動電極COML。
如圖9所示，像素基板2具有複數個驅動電極COML、絕緣膜24、及複數個像素電極22。複數個驅動電極COML係於TFT基板21之表面側之顯示區域Ad(參照圖7或圖8)，設置於TFT基板21上。包含複數個驅動電極COML各者之表面在內於TFT基板21上形成有絕緣膜24。在顯示區域Ad，於絕緣膜24上形成有複數個像素電極22。由此，絕緣膜24使驅動電極COML與像素電極22電性絕緣。
如圖10所示，複數個像素電極22係於TFT基板21之表面側之顯示區域Ad，分別形成於沿X軸方向及Y軸方向矩陣狀排列之複數個次像素SPix各者之內部。因此，複數個像素電極22係沿X軸方向及Y軸方向矩陣狀排列。
圖9所示之例中，複數個驅動電極COML各者形成於TFT基板21 與像素電極22之間。複數個驅動電極COML各者係以俯視下與複數個像素電極22重合之方式而設。因此，藉由對複數個像素電極22各者與複數個驅動電極COML各者之間施加電壓，對設置於複數個次像素SPix各者之液晶元件LC施加電壓，而於顯示區域Ad顯示圖像。
另，複數個驅動電極COML各者亦可隔著像素電極22而形成於與TFT基板21之相反側。
液晶層6係根據電場狀態而變調通過其之光者，例如可使用與FFS(Fringe Field Switching：邊緣場切換)模式、或IPS(In Plane Switching：平面內切換)模式等橫向電場模式對應之液晶層。即，可使用利用FFS模式或IPS模式等橫向電場模式之液晶顯示器件，作為液晶顯示器件20。另，亦可分別於圖9所示之液晶層6與像素基板2之間，及液晶層6與對向基板3之間設置配向膜。
如圖10所示，沿X軸方向排列之複數個次像素SPix，即液晶顯示器件20之屬於相同列之複數個次像素SPix藉由掃描線GCL而相互連接。掃描線GCL與閘極驅動器12(參照圖1)連接，由閘極驅動器12供給掃描信號Vscan(參照圖1)。又，排列於Y軸方向之複數個次像素SPix，即液晶顯示器件20之屬於相同行之複數個次像素SPix藉由信號線SGL而相互連接。信號線SGL與源極驅動器13(參照圖1)連接，由源極驅動器13供給像素信號Vpix(參照圖1)。進而，排列於X軸方向之複數個次像素SPix，即液晶顯示器件20之屬於相同列之複數個次像素SPix經由驅動電極COML而相互連接。
驅動電極COML與驅動電極驅動器14(參照圖1)連接，由驅動電極驅動器14供給驅動信號Vcom(參照圖1)。即，圖10所示之例中，屬於相同列之複數個次像素SPix共用1個驅動電極COML。複數個驅動電極COML在顯示區域Ad，分別朝X軸方向延伸，且排列於Y軸方向。如上所述，因複數條掃描線GCL在顯示區域Ad，分別朝X軸方向延伸 且排列於Y軸方向，故複數個驅動電極COML各者所延伸之方向與複數條掃描線GCL各者所延伸之方向平行。而且，複數個驅動電極COML各者所延伸之方向並未限定，例如，複數個驅動電極COML各者所延伸之方向亦可為與複數條信號線SGL各者所延伸之方向平行之方向。
圖1所示之閘極驅動器12藉由將掃描信號Vscan經由圖10所示之掃描線GCL而施加至各次像素SPix之TFT元件Tr之閘極電極，而依序將液晶顯示器件20之矩陣狀形成之次像素SPix中之1列，即1條水平線選作顯示驅動對象。圖1所示之源極驅動器13將像素信號Vpix經由圖10所示之信號線SGL分別供給至構成由閘極驅動器12依序選定之1條水平線之複數個次像素SPix。接著，由構成1條水平線之複數個次像素SPix進行與所供給之像素信號Vpix相應之顯示。
圖1所示之驅動電極驅動器14施加驅動信號Vcom，對與1個或複數個驅動電極COML對應之每1個檢測區塊，驅動驅動電極COML。
液晶顯示器件20中，藉由閘極驅動器12以分時依序掃描掃描線GCL之方式進行驅動，使次像素SPix依序逐個選擇1條水平線。且，液晶顯示器件20中，藉由源極驅動器13對屬於同一條水平線之次像素SPix供給像素信號Vpix，而按照每條水平線逐一進行顯示。進行該顯示動作時，驅動電極驅動器14對包含與該1條水平線對應之驅動電極COML之檢測區塊施加驅動信號Vcom。
本實施形態1之顯示裝置1之驅動電極COML係作為液晶顯示器件20之驅動電極而動作，並作為觸控檢測器件30之驅動電極而動作。圖11係顯示實施形態1之顯示裝置之驅動電極及檢測電極之一構成例的立體圖。
觸控檢測器件30具有設置於像素基板2之複數個驅動電極COML、與設置於對向基板3之複數個檢測電極TDL。複數個檢測電 極TDL俯視下分別朝與複數個驅動電極COML各者所延伸之方向交叉之方向延伸。換言之，複數個檢測電極TDL係以俯視下分別與複數個驅動電極COML重合之方式，相互空出間隔而設。因此，複數個檢測電極TDL各者係於垂直於像素基板2所包含之TFT基板21之表面之方向，與驅動電極COML對向。複數個檢測電極TDL各者分別連接於觸控檢測部40之觸控檢測信號放大部42(參照圖1)。於複數個驅動電極COML各者與複數個檢測電極TDL各者之俯視下之交叉部產生靜電電容。接著，基於複數個驅動電極COML各者與複數個檢測電極TDL各者之間之靜電電容而檢測輸入位置。另，如利用圖9所上述般，驅動電極COML係於垂直於TFT基板21之表面之方向與像素電極22對向。
根據如此之構成，觸控檢測器件30進行觸控檢測動作時，由驅動電極驅動器14沿掃描方向Scan依序選擇與1個或複數個驅動電極COML對應之1個檢測區塊。接著，在選定之檢測區塊，對驅動電極COML輸入用於測定驅動電極COML與檢測電極TDL之間之靜電電容之驅動信號Vcom，自檢測電極TDL輸出用於檢測輸入位置之檢測信號Vdet。如此般，觸控檢測器件30對每1個檢測區塊進行觸控檢測。即，1個檢測區塊係與上述觸控檢測原理之驅動電極E1對應，檢測電極TDL係與檢測電極E2對應。
如圖11所示，俯視下相互交叉之複數個驅動電極COML與複數個檢測電極TDL形成矩陣狀排列之靜電電容式接觸式感應器。因此，藉由掃描整個觸控檢測器件30之觸控檢測面，可檢測手指等所接觸或靠近之位置。
如圖9所示，對向基板3具有玻璃基板31、彩色濾光片32、檢測電極TDL、及偏光板35。彩色濾光片32形成於玻璃基板31之作為一主表面之背面。檢測電極TDL係觸控檢測器件30之檢測電極，形成於玻璃基板31之作為另一主表面之正面。偏光板35設置於檢測電極TDL 上。
至於彩色濾光片32，沿X軸方向排列有例如著色成紅(R)、綠(G)、及藍(B)三色之彩色濾光片。藉此，如圖10所示，形成分別與R、G及B三色之顏色區域32R、32G及32B各者對應之複數個次像素SPix，由分別與一組顏色區域32R、32G及32B各者對應之複數個次像素SPix形成1個像素Pix。像素Pix係沿掃描線GCL延伸之方向(X軸方向)及信號線SGL延伸之方向(Y軸方向)矩陣狀排列。再者，像素Pix以矩陣狀排列而成之區域係上述顯示區域Ad。另，彩色濾光片32之顏色組合亦可為包含R、G及B以外之其他顏色之複數種顏色之組合。且亦可不設置彩色濾光片32。或者，1個像素Pix亦可包含未設置彩色濾光片32之次像素SPix，即白色次像素SPix。
<動作時序>
接著，說明本實施形態1之顯示裝置1之顯示動作及觸控檢測動作之動作時序。
圖12係示意性顯示顯示期間與觸控檢測期間之關係的圖。如圖12所示，1訊框期間1F係由顯示期間Pd及觸控檢測期間Pt構成。在各觸控檢測期間Pt，顯示裝置1例如進行整個顯示區域Ad之觸控檢測，即1個畫面量之觸控檢測。另外，並非限定於此，顯示裝置1亦可在各觸控檢測期間Pt，例如進行顯示區域Ad之1個畫面量以上之觸控檢測，或顯示區域Ad之一部分之觸控檢測，即1個畫面量以下之觸控檢測。
於進行觸控檢測動作之觸控檢測期間Pt，未對液晶顯示器件20施加例如掃描信號Vscan及像素信號Vpix(參照圖1)等用於進行顯示動作之各種信號。因此，在觸控檢測期間Pt中，掃描線GCL及信號線SGL(參照圖10)成為浮動狀態或施加有直流電位之狀態。藉此，可降低雜訊自掃描線GCL及信號線SGL經由寄生電容而朝檢測電極TDL傳 達之可能性。即，可降低內部雜訊對觸控檢測動作之影響。
圖13係顯示顯示期間之各種信號之時序波形圖。圖13中，(a)表示顯示驅動信號Vcomd之波形，(b)表示掃描信號Vscan之波形，(c)表示像素信號Vpix之波形。
顯示裝置1在顯示期間Pd基於顯示驅動信號Vcomd、掃描信號Vscan及像素信號Vpix進行顯示動作。
首先，驅動電極驅動器14在時點t1例如對包含複數個驅動電極COML之某驅動信號施加區塊施加顯示驅動信號Vcomd，其電壓位準自低位準變化成高位準。藉此開始1個水平期間1H。閘極驅動器12係於時點t2，對該驅動信號施加區塊所包含之第(n-1)列像素之掃描線GCL施加掃描信號Vscan。藉此，掃描信號Vscan(n-1)自低位準變化成高位準。而且，源極驅動器13係於時點t3~t4期間內，對信號線SGL施加像素信號Vpix。藉此開始對於1條水平線之顯示。接著，於結束由源極驅動器13之像素信號Vpix供給後，閘極驅動器12於時點t5，使掃描信號Vscan(n-1)自高位準變化成低位準。
接著，驅動電極驅動器14於時點t11使顯示驅動信號Vcomd之電壓位準自高位準變化成低位準。藉此開始下一水平期間(1H)。閘極驅動器12係於時點t12，對其驅動信號施加區塊所包含之第n列像素之掃描線GCL施加掃描信號Vscan，掃描信號Vscan(n)自低位準變化成高位準。而且，源極驅動器13係於時點t13~t14期間內，對信號線SGL施加像素信號Vpix，而開始對於1條水平線之顯示。另，該例中，因顯示裝置1進行反轉驅動，故源極驅動器13所施加之像素信號Vpix之極性相對於前一水平期間1H之像素信號Vpix之極性而言，其極性反轉。接著，於結束由源極驅動器13之像素信號Vpix供給後，閘極驅動器12於時點t15，使掃描信號Vscan(n)自高位準變化成低位準。
藉由對包含第n+1列像素之掃描線GCL在內之各列像素之掃描線 GCL反復進行上述動作，顯示裝置1對顯示區域Ad中驅動信號施加區塊所包含之所有驅動電極COML進行顯示動作。接著，顯示裝置1對顯示區域Ad中，其他驅動信號施加區塊所包含之所有驅動電極COML進行顯示動作。藉由同樣地反復動作，顯示裝置1係於顯示期間Pd內，進行對於整個顯示區域Ad之顯示動作。
圖14係顯示觸控檢測期間之各種信號之波形的時序波形圖。圖14中，(a)表示驅動信號Vcom之波形，(b)表示檢測信號Vdet之波形。
驅動電極驅動器14係於觸控檢測期間Pt內，基於驅動信號進行觸控檢測動作。
首先，驅動電極驅動器14對第k列驅動電極COML供給交流驅動信號VcomAC，作為驅動信號Vcom(k)。該交流驅動信號VcomAC經由靜電電容而傳送至檢測電極TDL，促使檢測信號Vdet(參照圖6)變化。A/D轉換部43係於與交流驅動信號VcomAC同步之取樣時點ts，對輸入有檢測信號Vdet之觸控檢測信號放大部42之輸出信號進行A/D轉換。藉此，進行對顯示區域Ad中之形成有第k列驅動電極COML之區域之觸控檢測動作。
接著，驅動電極驅動器14對第k+1列驅動電極COML供給交流驅動信號VcomAC，作為驅動信號Vcom(k+1)。該交流驅動信號VcomAC經由靜電電容而傳送至檢測電極TDL，促使檢測信號Vdet變化。A/D轉換部43係於與交流驅動信號VcomAC同步之取樣時點ts，對輸入有檢測信號Vdet之觸控檢測信號放大部42之輸出信號進行A/D轉換。藉此進行對顯示區域Ad中之形成有第k+1列驅動電極COML之區域之觸控檢測動作。
藉由反復進行上述動作，顯示裝置1進行對於整個顯示區域Ad之觸控檢測動作。
<驅動電極與像素電極之位置關係>
接著，參照圖15及圖16，對驅動電極與像素電極之位置關係進行說明。
圖15係共同顯示實施形態1之顯示裝置之驅動電極與像素電極之俯視圖。圖16係共同顯示實施形態1之顯示裝置之驅動電極與像素電極之剖面圖。圖15顯示設置於1個次像素SPix內部之1個像素電極22及其周邊之構成。圖16係沿著圖15之A-A線之剖面圖。另，圖15中省略TFT基板21、驅動電極COML、像素電極22、TFT元件Tr所包含之電極、掃描線GCL及信號線SGL以外之部分之圖示，圖16中省略較像素電極22為更上方之部分之圖示。
於TFT基板21上形成有作為閘極配線而動作之掃描線GCL。如上所述，掃描線GCL朝列方向(X軸方向)延伸，且包含例如鋁(Al)或鉬(Mo)等不透明金屬。於掃描線GCL中俯視下與信號線SGL交叉之交叉部附近設置有閘極電極GE。
以覆蓋掃描線GCL及閘極電極GE之方式，形成有例如包含氮化矽或氧化矽等之透明閘極絕緣膜GI。接著，於俯視下與閘極電極GE重合之閘極絕緣膜GI上形成有例如包含非晶矽或多晶矽等之半導體層SL。
於閘極絕緣膜GI上例如形成有源極配線，即信號線SGL。如上所述，信號線SGL係朝行方向(Y軸方向)延伸，且與掃描線GCL同樣地包含例如Al或Mo等不透明金屬。
圖15及圖16所示之例中，信號線SGL中俯視下與掃描線GCL交叉之交叉部附近連接有源極電極SE。源極電極SE係與半導體層SL之表面部分接觸。
於閘極絕緣膜GI上，設有由例如與信號線SGL相同材料同時形成之汲極電極DE。汲極電極DE係與接近配置於源極電極SE之半導體層SL部分接觸。
由閘極電極GE、閘極絕緣膜GI、半導體層SL、源極電極SE及汲極電極DE構成開關元件即TFT元件Tr。
進而，以覆蓋信號線SGL、TFT元件Tr及閘極絕緣膜GI之露出部分之方式，形成有例如光阻劑等包含透明樹脂材料之層間絕緣膜23。即，於包含汲極電極DE之TFT元件Tr上形成層間絕緣膜23。層間絕緣膜23係覆蓋信號線SGL、TFT元件Tr及閘極絕緣膜GI之露出部分，且將信號線SGL、TFT元件Tr及閘極絕緣膜GI之凹凸面予以平坦化之平坦化膜。
另，亦可以覆蓋信號線SGL、TFT元件Tr及閘極絕緣膜GI之露出部分之一部分或全部之方式，形成例如包含氮化矽或氧化矽等之透明鈍化膜23a，作為層間樹脂膜23之下層。接著，亦可以覆蓋鈍化膜23a之方式形成層間樹脂膜23。圖16中顯示形成鈍化膜23a之例。
以覆蓋層間樹脂膜23之方式，形成例如包含ITO或IZO(Indium Zinc Oxide：氧化銦鋅)等之對可見光具有透光性之導電性材料之驅動電極COML。本實施形態1中，驅動電極COML係作為驅動液晶層6(參照圖9)之驅動電極而動作。而且，本實施形態1中，因對驅動電極COML施加觸控面板檢測用之驅動電壓，即輸入有測定驅動電極COML與檢測電極TDL之間之靜電電容以檢測輸入位置之驅動信號，故驅動電極COML亦作為觸控面板之驅動電極而動作。
驅動電極COML係以俯視下與沿X軸方向排列之複數個次像素SPix重合之方式，沿X軸方向連續一體地設置。即，1個驅動電極COML係作為供複數個次像素SPix共同使用之電極而設。因此，亦將驅動電極COML稱作共通電極。
以覆蓋驅動電極COML之方式，形成例如包含氮化矽或氧化矽等之透明絕緣膜24。接著，以覆蓋絕緣膜24之方式，形成例如包含ITO或IZO等之對可見光具有透光性之導電性材料之複數個像素電極22。 複數個像素電極22係以俯視下於複數個次像素SPix各者之內部與驅動電極COML分別重合之方式形成。換言之，驅動電極COML係以俯視下與沿X軸方向排列之複數個像素電極22重合之方式而設。即，在複數個次像素SPix各者中，驅動電極COML與像素電極22係隔著絕緣膜24而對向。
俯視下，於與汲極電極DE重合之位置，形成貫通絕緣膜24、層間樹脂膜23及鈍化膜23a而到達TFT元件Tr之汲極電極DE之接觸孔25。於接觸孔25之底面部，汲極電極DE露出。像素電極22形成於包含接觸孔25之側面部及底面部之絕緣膜24上，並與露出於接觸孔25之底面部之汲極電極DE電性連接。
另，亦可於形成於各次像素SPix內部之像素電極22，形成例如整體朝信號線SGL之延伸方向(Y軸方向)延伸之縫隙狀開口26。而且，縫隙狀開口26亦可中途彎曲。進而，雖將利用圖27予以後述，但亦可以俯視下與複數條掃描線GCL及複數條信號線SGL各者重合之方式，形成遮光部BM1及BM2。
<檢測電極>
接著，對俯視下之檢測電極之形狀及配置進行說明。以下，對檢測電極包含具有所謂Z字形狀之導電線之例進行說明。
圖17及圖18係示意性顯示實施形態1之顯示裝置之檢測電極構成之一例的俯視圖。圖17中顯示複數個檢測電極TDL中之1個檢測電極TDL。再者，圖18中對檢測電極TDL之一部分予以放大顯示。
複數個檢測電極TDL各者具有導電線ML。圖17所示之例中，1個檢測電極TDL具有6根導電線ML。導電線ML俯視下具有交替於相反方向上彎曲並且全體朝某方向延伸之Z字形狀。將導電線ML俯視下全體所延伸之方向設為方向D1、與方向D1交叉之方向設為方向D2。此時，導電線ML具有俯視下交替於相反方向上彎曲並且全體朝方向D1 延伸之Z字形狀。而且，導電線ML俯視下排列於方向D2。
如圖18所示，導電線ML包含複數個延伸部EX1與複數個延伸部EX2。複數個延伸部EX1各者俯視下係相對於方向D1，朝方向D2之一側(圖18中為左側)傾斜並延伸。而且，數個延伸部EX2各者俯視下係相對於方向D1，朝與方向D2之一側相反側(圖17中為右側)傾斜並延伸。延伸部EX1與延伸部EX2俯視下沿方向D1交替排列。而且，方向D1上相鄰之延伸部EX1及延伸部EX2之端部彼此結合。藉此，複數個延伸部EX1與複數個延伸部EX2一體化而作為導電線ML。
如圖18所示，導電線ML包含複數個彎曲部BT1與複數個彎曲部BT2。複數個彎曲部BT1各者俯視下於相對於方向D1朝方向D2之一側(圖18中為左側)傾斜之方向彎曲。而且，數個彎曲部BT2各者俯視下分別於相對於方向D1朝與方向D2之一側相反側(圖18中為右側)傾斜之方向彎曲。導電線ML中，彎曲部BT1與彎曲部BT2俯視下沿方向D1交替配置。
圖18中顯示2根導電線ML。2根導電線ML各者包含彎曲部BT11及彎曲部BT12作為複數個彎曲部BT1，包含彎曲部BT21及彎曲部BT22作為複數個彎曲部BT2。彎曲部BT11俯視下係於相對於方向D1朝方向D2之一側(圖18中為左側)傾斜之方向D11彎曲。彎曲部BT21俯視下係於相對於方向D1朝與方向D2之一側相反側(圖18中為右側)傾斜之方向D21彎曲。彎曲部BT12俯視下係於相對於方向D1朝方向D2之一側(圖18中為左側)傾斜之方向D12彎曲。彎曲部BT22俯視下係於相對於方向D1朝與方向D2之一側相反側(圖18中為右側)傾斜之方向D22彎曲。圖18所示之例中，方向D12係與方向D11相同，即平行之方向，方向D22係與方向D21相同，即平行之方向。
另，方向D11與方向D1所成之角度設為角度θ11，方向D12與方向D1所成之角度設為角度θ12，方向D21與方向D1所成之角度設為角 度θ21，方向D22與方向D1所成之角度設為角度θ22。
再者，圖18所示之例中，導電線ML包含延伸部EX11及延伸部EX12作為複數個延伸部EX1，包含延伸部EX21及延伸部EX22作為複數個延伸部EX2。延伸部EX11俯視下朝方向D11延伸，延伸部EX21俯視下朝方向D21延伸，延伸部EX12俯視下朝方向D12延伸，延伸部EX22俯視下朝方向D22延伸。圖18所示之例中，如上所述，方向D12係與方向D11相同，即平行之方向，方向D22係與方向D21相同，即平行之方向。因此，延伸部EX11與延伸部EX12彼此平行，延伸部EX21與延伸部EX22彼此平行。
再者，圖18所示之例中，相鄰之導電線ML所包含之延伸部EX11彼此相互平行，相鄰之導電線ML所包含之延伸部EX12彼此相互平行。再者，相鄰之導電線ML所包含之延伸部EX21彼此相互平行，相鄰之導電線ML所包含之延伸部EX22彼此相互平行。
另，方向D12亦可為與方向D11不同之方向，即與方向D11交叉之方向，方向D22亦可為與方向D21不同之方向，即與方向D21交叉之方向。即，延伸部EX11與延伸部EX12亦可不平行，延伸部EX21與延伸部EX22亦可互不平行。如此之例顯示於圖19。圖19係示意性顯示實施形態1之顯示裝置之檢測電極構成之另一例的俯視圖。
圖19所示之例中，相鄰之導電線ML所包含之延伸部EX11彼此互不平行，相鄰之導電線ML所包含之延伸部EX12彼此互不平行。而且，相鄰之導電線ML所包含之延伸部EX21彼此互不平行，相鄰之導電線ML所包含之延伸部EX22彼此互不平行。
複數根導電線ML各者包含彼此同層形成之金屬層或合金層。即，複數根導電線ML各者包含彼此種類相同之金屬層或合金層。因此，複數個檢測電極TDL各者包含金屬層或合金層。藉此，因可提高複數根導電線ML各者之導電性，故可提高檢測電極TDL之檢測靈敏 度或檢測速度。
理想為，複數根導電線ML各者含有自包含鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鉻(Cr)及鎢(W)之群選出之1種以上之金屬的金屬層或合金層。藉此，因可進一步提高複數根導電線ML各者之導電性，故可進一步提高檢測電極TDL之檢測靈敏度或檢測速度。
如本實施形態1般，顯示裝置1係所謂內嵌型之液晶顯示裝置，如上所述，將1訊框期間1F劃分為顯示期間Pd及觸控檢測期間Pt之情形時，需要提高檢測電極TDL之檢測速度。因此，相較於複數根導電線ML各者不包含金屬層或合金層之情形，複數根導電線ML各者包含金屬層或合金層之情形時藉由檢測速度之提高，則提高檢測性能之效果變大。
複數根導電線ML各者除上述金屬層或合金層外，亦可含有自包含鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鉻(Cr)及鎢(W)之群選出之1種以上之金屬的氧化物、即金屬氧化物之氧化物層。即，複數根導電線ML各者亦可為上述金屬層或合金層與氧化物層積層而成之積層體。
或者，複數個導電線ML各者亦可為上述金屬層或合金層，與包含例如ITO等之對可見光具有透光性之導電性氧化物之透光性導電層積層而成之積層體。藉此，與各導電線ML僅包含透光性導電層之情形相比，可進一步提高複數根導電線ML各者之導電性。
另，本案說明書中，所謂「對可見光具有透光性」，係指對可見光之透過率例如為90%以上，所謂對可見光之透過率，係指例如對具有400~800nm之波長光之透過率之平均值。再者，所謂透過率，係指照射至附觸控檢測功能之顯示器件10(參照圖9)之背面之光中，在顯示區域Ad，透過並到達與附觸控檢測功能之顯示器件10之背面相反側的表面之光的比率。
另一方面，複數根導電線ML各者亦可為對可見光具遮光性者。 即，複數個檢測電極TDL各者亦可為對可見光具遮光性者。此處，所謂「對可見光具遮光性」，係指對可見光之透過率例如為10%以下。因此，複數根導電線ML各者對可見光之透過率亦可為10%以下。如後述，本實施形態1中，複數個次像素SPix中之俯視下與複數個檢測電極TDL及複數個虛設電極TDD中之任一者重合之部分之面積總和，相對於複數個次像素SPix之面積總和之比為1~22%。如此之情形時，即使複數根導電線ML自身對可見光之透過率亦可為10%以下，整個顯示區域Ad之透過率、即顯示裝置1之透過率亦可成為90%以上。
再者，檢測電極TDL包含金屬層或合金層之情形時，亦可於金屬層或合金層之表面、或金屬層或合金層上，形成對可見光具有較金屬層或合金層對可見光之反射率更低之反射率的低反射層。即，亦可於檢測電極TDL之表面或檢測電極TDL上，形成對可見光具有較檢測電極TDL對可見光之反射率更低之反射率的低反射層。藉此，因可減少入射至檢測電極TDL之可見光中被檢測電極TDL反射之可見光之比率，故可降低檢測電極TDL對可見光之反射率，從而可減低顯示於顯示區域Ad之圖像眩光。
作為於金屬層或合金層之表面形成低反射層之方法，例如可舉出將金屬層或合金層之表面進行粗面化之方法。另一方面，作為於金屬層或合金層上形成低反射層之方法，例如可舉出於金屬層或合金層上形成具有黑色之其他層之方法。
圖17所示之例中，複數個檢測電極TDL各者包含複數個連接部CNB1、複數個連接部CNT1、連接部CNB2、及連接部CNT2。複數個連接部CNB1各者使相鄰之導電線ML之方向D1之一側(圖17中為下側)之端部MLE1彼此電性連接。複數個連接部CNT1各者使相鄰之導電線ML之方向D1之與一側相反側(圖17中為上側)之端部MLE2彼此電性連 接。連接部CNB2使複數個連接部CNB1彼此電性連接，連接部CNT2使複數個連接部CNT1彼此電性連接。因此，方向D2上相鄰之導電線ML彼此係於連接部CNB2與連接部CNT2之間電性並聯連接。
連接部CNB2經由檢測配線TDG而連接於圖1所示之觸控檢測部40。而且，各檢測電極TDL所包含之複數根導電線ML係經由連接部CNB1與連接部CNB2電性連接。因此，各檢測電極TDL所包含之複數根導電線ML係經由連接部CNB1、連接部CNB2及檢測配線TDG而連接於圖1所示之觸控檢測部40。
如此，檢測電極TDL可含有包含沿方向D2排列且相互並聯連接之複數根導電線ML之導電線群MLG。藉此，因可降低檢測電極TDL之電阻，故在由檢測電極TDL進行檢測動作時，可提高檢測靈敏度或檢測速度。
本實施形態1之顯示裝置1較佳為具有複數個虛設電極TDD。複數個虛設電極TDD各者係設置於顯示區域Ad中形成有包含導電線ML之導電線群MLG之區域AR1以外之區域AR2，亦即未形成導電線群MLG之區域AR2之內部。換言之，複數個虛設電極TDD各者係設置於彼此隔開形成之2根導電線ML之間之顯示區域Ad內。或者，複數個虛設電極TDD各者在顯示區域Ad內，與所有複數個檢測電極TDL隔開而設。另，虛設電極TDD亦可不設置複數個，而僅設置1個。
如圖18所示，虛設電極TDD包含複數個延伸部EX3及複數個延伸部EX4。複數個延伸部EX3各者俯視下相對於方向D1，朝方向D2之一側(圖17中為左側)傾斜延伸。而且，複數個延伸部EX4各者俯視下相對於方向D1，朝與方向D2之一側相反側(圖17中為右側)傾斜延伸。延伸部EX3與延伸部EX4俯視下係沿方向D1交替排列。
而且，不同於導電線ML，虛設電極TDD中於方向D1上相鄰之延伸部EX3及延伸部EX4之端部彼此並不結合。換言之，複數個延伸部 EX3及複數個延伸部EX4係藉由俯視下交替於相反方向上彎曲且全體朝D1方向延伸而具有Z字形狀之導電線DL，沿各彎曲部被切斷分割而形成。另，如圖17及圖18所示，複數個虛設電極TDD亦可沿方向D2排列。
如上所述，導電線ML較佳為具有遮光性。或如後述般，虛設電極TDD較佳為包含與導電線ML所包含之金屬層或合金層相同之金屬層或合金層。因此，並於未形成具遮光性之導電線ML之區域AR2未形成虛設電極TDD之情形時，區域AR2整體對可見光之透過率較區域AR1整體對可見光之透過率更大。又，由於區域AR1之明亮度與區域AR2之明亮度產生差異，而容易識別到檢測電極TDL。
另一方面，藉由於未形成具遮光性之導電線ML之區域AR2形成虛設電極TDD，可防止或抑制區域AR2整體對可見光之透過率大於區域AR1整體對可見光之透過率。因此，因可防止或抑制區域AR1之明亮度與區域AR2之明亮度產生差異，而可防止或抑制識別到檢測電極TDL。
較佳為，複數個虛設電極TDD各者係與複數根導電線ML各者同樣地含有自包含鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鉻(Cr)及鎢(W)之群選出之1種以上之金屬的金屬層或合金層。即，複數個虛設電極TDD各者亦可為對可見光具遮光性者。藉此，因可縮小複數個虛設電極TDD各者對可見光之透過率與複數根導電線ML各者對可見光之透過率之差，故可防止或抑制區域AR1之明亮度與區域AR2之明亮度產生差異。
複數個虛設電極TDD各者除上述金屬層或合金層外，亦可含有自包含鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鉻(Cr)及鎢(W)之群選出之一種以上之金屬的氧化物，即金屬氧化物之氧化物層。即，複數個虛設電極TDD各者亦可為上述金屬層或合金層與氧化物層積層而成之積層 顯示R(紅)、G(綠)、B(藍)及W(白)四色之各色的4種次像素SPix。
複數個次像素SPix係沿掃描線GCL所延伸之方向(X軸方向)及信號線SGL所延伸之方向(Y軸方向)矩陣狀排列。以覆蓋掃描線GCL及信號線SGL，或掃描線GCL及信號線SGL之方式形成之遮光部BM1及BM2(參照後述之圖27)抑制光之透過。
因此，自顯示於顯示區域Ad之圖像中觀察到包含分別朝掃描線GCL所延伸之方向(X軸方向)延伸、且排列於與掃描線GCL延伸之方向交叉之方向(Y軸方向)之複數條線之圖案，即掃描線GCL之圖案。且，自顯示於顯示區域Ad之圖像中觀察到包含分別朝信號線SGL所延伸之方向(Y軸方向)延伸、且排列於與信號線SGL延伸之方向交叉之方向(X軸方向)之複數條線之圖案，即信號線SGL之圖案。又，因掃描線GCL之圖案或信號線SGL之圖案與檢測電極TDL之圖案干涉，而於顯示於顯示區域Ad之圖像中觀察到波紋等之明暗條紋圖案，而有使顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性降低之虞。
圖20所示之例中，導電線ML全體所延伸之方向D1係與次像素SPix所排列之方向即Y軸方向相同即平行之方向。但是，本實施形態1之顯示裝置1中，較佳為，導電線ML具有朝與X軸方向及Y軸方向兩者交叉之方向即例如方向D11延伸之延伸部EX11(參照圖18)。又，延伸部EX11所延伸之方向D11與次像素SPix所排列之方向即Y軸方向所成之角度係角度θ11(參照圖18)。
該角度θ11設為大於0°且小於90°之恰當角度。此時，導電線ML具有俯視下朝與X軸方向及Y軸方向兩者交叉之方向D11延伸之部分。藉此，可防止或抑制因掃描線GCL之圖案或信號線SGL之圖案與檢測電極TDL之圖案干涉，而觀察到波紋等明暗條紋圖案。
另，圖20所示之例中，虛設電極TDD所包含之延伸部EX3及延伸部EX4與X軸方向及Y軸方向兩者交叉。藉此，可防止或抑制因掃描 體。
再者，複數個虛設電極TDD各者亦可為上述金屬層或合金層，與包含例如ITO等之對可見光具有透光性之導電性氧化物之透光性導電層積層而成之積層體。
較佳為，複數個虛設電極TDD包含複數根導電線ML與彼此同層形成之金屬層或合金層。藉此，可經由同一步驟形成複數個虛設電極TDD與複數根導電線ML。而且，因可縮小複數個虛設電極TDD各者對可見光之透過率與複數根導電線ML各者對可見光之透過率之差，故可防止或抑制AR1之明亮度與區域AR2之明亮度產生差異。
另，本實施形態1中，1個虛設電極TDD中於方向D1上相鄰之延伸部EX3及延伸部EX4之端部彼此並不結合。因此，由檢測電極TDL進行檢測動作時，即使手指已靠近檢測電極TDL與虛設電極TDD兩者之情形時，仍可降低虛設電極TDD對圖6中所示之絕對值｜△V｜之影響。即，藉由將1個虛設電極TDD分割為複數個延伸部EX3及複數個延伸部EX4，並使經分割之複數個延伸部EX3及複數個延伸部EX4各者相互間電性絕緣，可提高由檢測電極TDL進行檢測動作時之檢測位置之精度。
圖20係示意性顯示實施形態1之顯示裝置中檢測電極之位置與像素位置之關係之一例的俯視圖。
顯示區域Ad內，複數個像素Pix沿X軸方向及Y軸方向矩陣狀配置。複數個像素Pix各者包含沿X軸方向排列之複數個次像素SPix。因此，複數個次像素SPix係於顯示區域Ad內，沿X軸方向及Y軸方向矩陣狀排列。圖20所示之例中，像素Pix包含顯示R(紅)、G(綠)及B(藍)三色之各色的3種次像素SPix。因此，像素Pix包含分別與R、G及B三色之顏色區域32R、32G及32B各者對應之複數個次像素SPix。另，次像素SPix所顯示之顏色種類並非限定於3種。例如，像素Pix亦可包含 線GCL之圖案或信號線SGL之圖案與檢測電極TDL之圖案干涉，而觀察到波紋等明暗條紋圖案。
另一方面，導電線ML全體所延伸之方向D1亦可為與次像素SPix所排列之方向即Y軸方向不同之方向，即與Y軸方向交叉之方向。如此之例顯示於圖21。圖21係示意性顯示實施形態1之顯示裝置之檢測電極位置與像素位置之關係之另一例的俯視圖。
圖21所示之例中，導電線ML所排列之方向D2係與次像素SPix所排列之方向即X軸方向不同之方向，即與X軸方向交叉之方向。藉此，複數個次像素SPix之排列所產生之顏色分佈之週期性方向與複數根導電線ML之排列所產生之透過率分佈之週期性方向不同。因此，藉由具遮光性之導電線ML之排列，而僅將顯示複數種顏色中之任一種顏色之像素遮光，從而可防止或抑制圖像之色調不均。
再者，如圖21所示，於顯示區域Ad之一部分，方向D1上相鄰之延伸部EX3及延伸部EX4之端部彼此亦可結合。此情形時，如圖20所示，在整個顯示區域Ad，若與方向D1上相鄰之延伸部EX3及延伸部EX4之端部彼此未結合之情形相比，則由檢測電極TDL檢測出之位置精度稍降低。然而，就整個顯示區域Ad而言，若與方向D1上相鄰之延伸部EX3及延伸部EX4之端部彼此結合之情形相比，則可提高由檢測電極TDL檢測出之位置精度。
圖21所示之例中，1個虛設電極TDD中延伸部EX3之方向D1上之一端部與位於延伸部EX3之方向D1之一側之延伸部EX4之端部連接。然而，延伸部EX3之方向D1上之與一端部相反側之端部未與位於延伸部EX3之方向D1之與一側相反側之延伸部EX4之端部連接。
<檢測電極之變化例>
接著，對俯視下之檢測電極之形狀及配置之變化例進行說明。以下，對檢測電極包含具有所謂網格形狀之導電線之例進行說明。
圖22及圖23係示意性顯示實施形態1之第1變化例之顯示裝置之檢測電極構成之一例的俯視圖。圖22中顯示複數個檢測電極中之1個檢測電極TDL。且，圖23係對檢測電極TDL之一部分予以放大顯示。另，圖23所示之例係圖22所示之例之另一例，係6根導電線結合之例。
另，本第1變化例之檢測電極所包含之導電線中，關於例如包含金屬層或合金層等之除俯視下之形狀即平面形狀之方面以外，因可與上述檢測電極TDL所包含之導電線ML相同，而省略其等之說明。
複數個檢測電極TDL各者具有導電線ML1與導電線ML2。圖22所示之例中，1個檢測電極TDL具有2根導電線ML1與2根導電線ML2。導電線ML1及導電線ML2各者具有俯視下交替於相反方向上彎曲並且全體朝某方向延伸之Z字形狀。本第1變化例亦與實施形態1同樣地，以導電線ML1及導電線ML2各者俯視下全體所延伸之方向為方向D1，與方向D1交叉之方向為方向D2。此時，導電線ML1及導電線ML2各者具有俯視下交替於相反方向彎曲並且全體朝方向D1延伸之Z字形狀。而且，方向D2上相鄰之導電線ML1及導電線ML2中相互於相反方向彎曲之部分彼此結合。
如圖23所示，導電線ML1包含複數個彎曲部BT5與複數個彎曲部BT6。複數個彎曲部BT5俯視下分別於相對於方向D1朝方向D2之一側(圖23中為左側)傾斜之方向彎曲。數個彎曲部BT6俯視下分別於相對於方向D1朝方向D2之一側之相反側(圖22中為右側)傾斜之方向彎曲。
如圖23所示，導電線ML2包含複數個彎曲部BT7與複數個彎曲部BT8。複數個彎曲部BT7俯視下分別於相對於方向D1朝方向D2之一側之相反側(圖23中為右側)傾斜之方向彎曲。數個彎曲部BT8俯視下分別於相對於方向D1朝方向D2之一側(圖23中為左側)傾斜之方向彎曲。
導電線ML1中，彎曲部BT5與彎曲部BT6俯視下沿方向D1交替配 置。導電線ML2中，彎曲部BT7與彎曲部BT8俯視下沿方向D1交替配置。
如圖23所示，電線ML1包含複數個延伸部EX5與複數個延伸部EX6。複數個延伸部EX5各者俯視下相對於方向D1朝方向D2之一側(圖23中為左側)傾斜延伸。而且，數個延伸部EX6各者俯視下相對於方向D1朝方向D2之一側之相反側(圖23中為右側)傾斜延伸。延伸部EX5與延伸部EX6俯視下沿方向D1交替排列。且，方向D1上相鄰之延伸部EX5及延伸部EX6之端部彼此結合。藉此，將複數個延伸部EX5與複數個延伸部EX6作為導電線ML1而一體化。
如圖23所示，電線ML2包含複數個延伸部EX7與複數個延伸部EX8。複數個延伸部EX7各者俯視下相對於方向D1朝方向D2之一側之相反側(圖23中為右側)傾斜延伸。而且，數個延伸部EX8各者俯視下相對於方向D1朝方向D2之一側(圖23中為左側)傾斜延伸。延伸部EX7與延伸部EX8俯視下沿方向D1交替排列。又，方向D1上相鄰之延伸部EX7及延伸部EX8之端部彼此結合。藉此將複數個延伸部EX7與複數個延伸部EX8作為導電線ML2而一體化。
進而，導電線ML2之複數個彎曲部BT7分別與導電線ML1之複數個彎曲部BT5各者結合。藉此將導電線ML2與導電線ML1一體化。
圖23中顯示有3根導電線ML1與3根導電線ML2。圖23所示之例中，3根導電線ML1各者包含彎曲部BT51及彎曲部BT52作為複數個彎曲部BT5，包含複數個彎曲部BT61及彎曲部BT62作為複數個彎曲部BT6。彎曲部BT51俯視下於相對於方向D1朝方向D2之一側(圖23中為左側)傾斜之方向D51彎曲。彎曲部BT61俯視下於相對於方向D1朝方向D2之一側之相反側(圖23中為右側)傾斜之方向D61彎曲。彎曲部BT52俯視下於相對於方向D1朝方向D2之一側(圖23中為左側)傾斜之方向D52彎曲。彎曲部BT62俯視下於相對於方向D1朝方向D2之一側 之相反側(圖23中為右側)傾斜之方向D62彎曲。
圖23所示之例中，方向D52係與方向D51相同，即平行之方向；方向D62係與方向D61相同，即平行之方向。
另，方向D51與方向D1所成之角度設為角度θ51，方向D52與方向D1所成之角度設為角度θ52，方向D61與方向D1所成之角度設為角度θ61，方向D62與方向D1所成之角度設為角度θ62。
再者，圖23所示之例中，3根導電線ML2各者包含彎曲部BT71及彎曲部BT72作為複數個彎曲部BT7，包含彎曲部BT81及彎曲部BT82作為複數個彎曲部BT8。彎曲部BT71俯視下係於相對於方向D1朝方向D2之一側之相反側(圖23中為右側)傾斜之方向D71彎曲。彎曲部BT81俯視下係於相對於方向D1朝方向D2之一側(圖23中為左側)傾斜之方向D81彎曲。彎曲部BT72俯視下係於相對於方向D1朝方向D2之一側之相反側(圖23中為右側)傾斜之方向D72彎曲。彎曲部BT82俯視下係於相對於方向D1朝方向D2之一側(圖23中為左側)傾斜之方向D82彎曲。
圖23所示之例中，方向D72係與方向D71相同，即平行之方向；方向D82係與方向D81相同，即平行之方向。
另，方向D71與方向D1所成之角度設為角度θ71，方向D72與方向D1所成之角度設為角度θ72，方向D81與方向D1所成之角度設為角度θ81，方向D82與方向D1所成之角度設為角度θ82。
再者，圖23所示之例中，電線ML1包含延伸部EX51及延伸部EX52作為複數個延伸部EX5，包含延伸部EX61及延伸部EX62作為複數個延伸部EX6。延伸部EX51俯視下係朝方向D51延伸，延伸部EX61俯視下係朝方向D61延伸，延伸部EX52俯視下係朝方向D52延伸，延伸部EX62俯視下係朝方向D62延伸。圖23所示之例中，如上所述，方向D52係與方向D51相同，即平行之方向，方向D62係與方向D61相 同，即平行之方向。因此，延伸部EX51與延伸部EX52彼此平行，延伸部EX61與延伸部EX62彼此平行。
進而，圖23所示之例中，電線ML2包含延伸部EX71及延伸部EX72作為複數個延伸部EX7，包含延伸部EX81及延伸部EX82作為複數個延伸部EX8。延伸部EX71俯視下係朝方向D71延伸，延伸部EX81俯視下係朝方向D81延伸，延伸部EX72俯視下係朝方向D72延伸，延伸部EX82俯視下係朝方向D82延伸。圖23所示之例中，如上所述，方向D72係與方向D71相同，即平行之方向，方向D82係與方向D81相同，即平行之方向。因此，延伸部EX71與延伸部EX72彼此平行，延伸部EX81與延伸部EX82彼此平行。
此情形下，如圖23所示，將導電線ML1及導電線ML2一體化而形成之導電線群MLG具有由延伸部EX51、延伸部EX61、延伸部EX71及延伸部EX81形成之菱形形狀。而且，將導電線ML1及導電線ML2一體化而形成之導電線群MLG具有由延伸部EX52、延伸部EX62、延伸部EX72及延伸部EX82形成之菱形形狀。
另，方向D52亦可為與方向D51不同之方向，即與方向D51交叉之方向，方向D62亦可為與方向D61不同之方向，即與方向D61交叉之方向。即，延伸部EX51與延伸部EX52亦可不平行，延伸部EX61與延伸部EX62亦可互不平行。或者，方向D72亦可為與方向D71不同之方向，即與方向D71交叉之方向，方向D82亦可為與方向D81不同之方向，即與方向D81交叉之方向。即，延伸部EX71與延伸部EX72亦可不平行，延伸部EX81與延伸部EX82亦可互不平行。如此之例顯示於圖24。圖24係示意性顯示實施形態1之第1變化例之顯示裝置之檢測裝置之另一例的俯視圖。
如此，藉由使導電線ML1與導電線ML2結合而一體化，例如即使為導電線ML1中之一部分斷線之情形時，仍可使電流迂迴流動於導電 線ML2，從而可進行檢測電極TDL之檢測。或者，即使為導電線ML2中之一部分斷線之情形時，仍可使電流迂迴流動於導電線ML1，從而可進行檢測電極TDL之檢測。由此，可防止或抑制導電線ML1或導電線ML2中之一部分斷線引起之檢測電極TDL之檢測靈敏度降低。
或者，圖23所示之例中，延伸部EX51可設為朝方向D51延伸之導電線ML3，延伸部EX81及延伸部EX52可作為一體設為朝與方向D81及方向D52相同之方向D51延伸之導電線ML3，延伸部EX82可設為朝與方向D82相同之方向D51延伸之導電線ML3。另一方面，延伸部EX71可設為朝方向D71延伸之導電線ML4，延伸部EX61及延伸部EX72可作為一體設為朝與方向D61及方向D72相同之方向D71延伸之導電線ML4，延伸部EX62可設為朝與方向D62相同之方向D71延伸之導電線ML4。
此時，複數個檢測電極TDL各者包含：複數根導電線ML3，其分別朝方向D51延伸，且排列於與方向D51交叉之方向D1；及複數根導電線ML4，其分別朝與方向D51及方向D1兩者交叉之方向D71延伸，且排列於方向D1。複數根導電線ML3與複數根導電線ML4俯視下相互交叉。又，複數個檢測電極TDL各者具有俯視下由相互交叉之複數根導電線ML3與複數根導電線ML4形成之網格形狀。
例如，亦可形成複數根導電線ML3後，形成複數根導電線ML4。此時，複數根導電線ML3各者宜與實施形態1之導電線ML同樣地，包含金屬層或合金層，複數根導電線ML4各者宜與實施形態1之導電線ML同樣地，包含金屬層或合金層。而且，較佳為，俯視下於複數根導電線ML3各者與複數根導電線ML4各者交叉而成之交叉部，複數根導電線ML3各者及複數根導電線ML4各者電性連接。因此，複數根導電線ML4各者所包含之金屬層或合金層各者亦可為與複數根導電線ML3各者所包含之金屬層或合金層形成為同層者，亦可為形成於複數根導電線 ML3各者所包含之金屬層或合金層之例如正上方之層者。
圖22所示之例中，複數個檢測電極TDL各者包含複數個連接部CNB1、複數個連接部CNT1、連接部CNB2、及連接部CNT2。複數個連接部CNB1各者使相鄰之導電線ML1及導電線ML2於方向D1之一側(圖22中為下側)之端部MLE1彼此電性連接。複數個連接部CNT1各者使相鄰之導電線ML1及導電線ML2於方向D1之一側之相反側(圖22中為上側)之端部MLE2彼此電性連接。連接部CNB2使複數個連接部CNB1彼此電性連接，連接部CNT2使複數個連接部CNT1彼此電性連接。
連接部CNB2經由檢測配線TDG而連接於圖1所示之觸控檢測部40。而且，各檢測電極TDL所包含之導電線ML1及導電線ML2係經由連接部CNB1而與連接部CNB2電性連接。因此，各檢測電極TDL所包含之導電線ML1及導電線ML2係經由連接部CNB1、連接部CNB2及檢測配線TDG而連接於圖1所示之觸控檢測部40。
如此，檢測電極TDL可含有包含排列於方向D2之導電線ML1及導電線ML2之導電線群MLG。藉此，因可降低檢測電極TDL之電阻，故由檢測電極TDL進行檢測動作時，可提高檢測靈敏度或檢測速度。
本第1變化例之顯示裝置1亦與實施形態1之顯示裝置1同樣地，較佳為具有複數個虛設電極TDD。複數個虛設電極TDD各者係設置於顯示區域Ad中形成有包含導電線ML1及導電線ML2之導電線群MLG之區域AR1以外之區域AR2，即未形成導電線群MLG之區域AR2之內部。換言之，複數個虛設電極TDD各者係設置於彼此隔開形成之導電線ML1與導電線ML2之間之顯示區域Ad內。或者，複數個虛設電極TDD各者在顯示區域Ad內與複數個檢測電極TDL中之任一者隔開而設。另，虛設電極TDD亦可非設置複數個，而僅設置1個。再者，關於虛設電極TDD之形狀及材料，因可與實施形態1之顯示裝置1之虛設 電極TDD之形狀及材料相同，故省略其說明。
本第1變化例之顯示裝置1中，亦藉由於未形成具遮光性之導電線ML1及導電線ML2之區域AR2形成虛設電極TDD，而可防止或抑制區域AR2全體對可見光之透過率大於區域AR1全體對可見光之透過率。因此，可防止或抑制區域AR1之明亮度與區域AR2之明亮度產生差異，從而可防止或抑制識別到檢測電極TDL。
圖25係示意性顯示實施形態1之第1變化例之顯示裝置中檢測電極位置與像素位置之關係之一例的俯視圖。
與實施形態1同樣地，本第1變化例中，顯示區域Ad內，複數個像素Pix沿X軸方向及Y軸方向矩陣狀排列。圖25所示之例中，像素Pix包含分別與R(紅)、G(綠)、及B(藍)三色之顏色區域32R、32G及32B各者對應之複數個次像素SPix。因此，複數個次像素SPix係於顯示區域Ad內，沿X軸方向及Y軸方向矩陣狀排列。另，次像素SPix所顯示之顏色之種類並非限定於3種。例如，像素Pix亦可包含顯示R(紅)、G(綠)、B(藍)及W(白)四色之各色之4種次像素SPix。
複數個次像素SPix係沿掃描線GCL所延伸之方向(X軸方向)及信號線SGL所延伸之方向(Y軸方向)矩陣狀排列。以覆蓋掃描線GCL及信號線SGL、或掃描線GCL及信號線SGL之方式形成之遮光部BM1及BM2(參照後述之圖27)抑制光之透過。因此，顯示於顯示區域Ad之圖像，因掃描線GCL之圖案或信號線SGL之圖案與檢測電極TDL之圖案干涉，而觀察到波紋等之明暗條紋圖案，而有顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性降低之虞。
圖25所示之例中，導電線ML全體所延伸之方向D1係與次像素SPix所排列之方向即Y軸方向相同，即平行之方向。但是，本實施形態1之第1變化例之顯示裝置1中，較佳為，導電線ML1具有朝與X軸方向及Y軸方向兩者交叉之方向例如方向D51延伸之延伸部EX51(參照 圖23)。而且，導電線ML2具有朝與X軸方向及Y軸方向兩者交叉之方向例如方向D71延伸之延伸部EX71(參照圖23)。而且，延伸部EX51所延伸之方向D51與次像素SPix所排列之方向即Y軸方向所成之角度係角度θ51；延伸部EX71所延伸之方向D71與次像素SPix所排列之方向即Y軸方向所成之角度係角度θ71。
該角度θ51及角度θ71設為大於0°且小於90°之恰當角度。此時，導電線ML1具有俯視下朝與X軸方向及Y軸方向兩者交叉之方向D51延伸之部分，導電線ML2具有俯視下朝與X軸方向及Y軸方向兩者交叉之方向D71延伸之部分。藉此，可防止或抑制因掃描線GCL之圖案或信號線SGL之圖案與檢測電極TDL之圖案干涉，而觀察到波紋等之明暗條紋圖案。
另一方面，導電線ML1及導電線ML2各者作為整體所延伸之方向D1亦可為與次像素SPix所排列之方向即Y軸方向不同之方向，即與Y軸方向交叉之方向。如此之例顯示於圖26。圖26係示意性顯示實施形態1之第1變化例之顯示裝置中檢測電極位置與像素位置之關係之另一例的俯視圖。
圖26所示之例中，導電線ML1及導電線ML2所排列之方向D2係與次像素SPix所排列之方向即X軸方向不同之方向，即與X軸方向交叉之方向。藉此，緣於複數個次像素SPix之排列所產生之顏色分佈之週期性方向與緣於導電線ML1及導電線ML2之排列所產生之透過率分佈之週期性方向不同。因此，藉由具遮光性之導電線ML1及導電線ML2之排列，僅將顯示複數種顏色中之任一種顏色之像素遮光，而可防止或抑制圖像之色調不均。
再者，如圖26所示，於顯示區域Ad之一部，方向D1上相鄰之延伸部EX3及延伸部EX4之端部彼此亦可結合。此情形下，如圖25所示，整個顯示區域Ad中，若與方向D1上相鄰之延伸部EX3及延伸部 EX4之端部彼此未結合之情形相比，則由檢測電極TDL檢測出之位置精度稍降低。然而，整個顯示區域Ad中，若與方向D1上相鄰之延伸部EX3及延伸部EX4之端部彼此結合之情形相比，則可提高由檢測電極TDL檢測出之位置精度。
圖26所示之例中，1個虛設電極TDD中延伸部EX3之方向D1上之一端部與位於延伸部EX3之方向D1上之一側之延伸部EX4之端部連接。然而，延伸部EX3之方向D1上之一端部之相反側的端部並未與位於延伸部EX3之方向D上之一側之相反側的延伸部EX4之端部連接。
<檢測電極及虛設電極之面積率>
圖27係示意性顯示實施形態1之顯示裝置中次像素位置與檢測電極位置之關係之一例的俯視圖。
如圖27所示，對複數個次像素SPix中俯視下與複數個檢測電極TDL及複數個虛設電極TDD中之任一者重合之次像素SPix進行探討。將X軸方向上之次像素SPix之寬度設為寬度WD1、將Y軸方向上之次像素SPix之長度設為LN1。而且，X軸方向上之次像素SPix之寬度WD1設為較Y軸方向上之次像素SPix之長度LN1更小者。此時，1個次像素SPix之面積S1係由下述式(1)表示。
S1=WD1×LN1 (1)
另一方面，將1個次像素SPix中俯視下與複數個檢測電極TDL及複數個虛設電極TDD中之任一者重合之部分PRT1之面積設為面積S2、面積S2相對於次像素SPix之面積S1之比設為比率R1。此時，比率R1係由下述式(2)表示。
R1=S2/S1 (2)
另，如圖27所示，顯示裝置1具有複數個遮光部BM1與複數個遮光部BM2。複數個遮光部BM1各者係以俯視下與掃描線GCL(參照圖15)重合之方式形成，其朝X軸方向延伸，且對可見光具遮光性。複數 個遮光部BM2各者係以俯視下與信號線SGL(參照圖15)重合之方式形成，其朝Y軸方向延伸，且對可見光具遮光性。複數個遮光部BM1與複數個遮光部BM2俯視下相互交叉，俯視下相互交叉之複數個遮光部BM1與複數個遮光部BM2具有格子狀。因此，由俯視下相互交叉而具有格子狀之複數個遮光部BM1與複數個遮光部BM2分別劃分複數個像素SPix。因此，所謂次像素SPix之面積S1，係指被遮光部BM1及遮光部BM2所包圍之區域之面積，並不包含遮光部BM1之面積及遮光部BM2之面積。
再者，未與複數個檢測電極TDL中之任一者重合，且未與複數個虛設電極TDD中之任一者重合之次像素SPix，其面積S2為0。因此，由上述式(2)表示之比率R1為0。
將整個顯示區域Ad中，於X軸方向及Y軸方向矩陣狀排列之複數個次像素SPix各者之面積S1之總和設為面積S3。又，將整個顯示區域Ad中，複數個次像素SPix中俯視下與複數個檢測電極TDL及複數個虛設電極TDD中之任一者重合之部分PRT1之面積總和設為面積S4、將面積S4相對於面積S3之比設為面積率R2。此時，面積率R2可由下記式(3)表示
R2=S4/S3 (3)
本實施形態1之顯示裝置1中，上述式(3)所表示之面積率R2為1~22%。即，本實施形態1之顯示裝置1中，複數個次像素SPix中俯視下與複數個檢測電極TDL及複數個虛設電極TDD中之任一者重合之部分的面積總和相對於複數個次像素SPix之面積總和之比為1~22%。藉此，如上所述，即使複數根導電線ML自身對可見光之透過率為10%以下，仍可使整個顯示區域Ad之透過率，即顯示裝置1之透過率為90%以上。再者，可防止或抑制檢測信號Vdet(參照圖6)之檢測值降低。因此，具備輸入裝置之顯示裝置可提高顯示區域對可見光之透過 率，可提高輸入裝置之檢測性能。
另，顯示區域Ad內亦可不設置虛設電極TDD，而僅設置檢測電極TDL。此時，面積S2係1個次像素SPix中俯視下與複數個檢測電極TDL中之任一者重合之部分PRT1之面積，面積S4係複數個次像素SPix中俯視下與複數個檢測電極TDL中之任一者重合之部分PRT1之面積總和。再者，面積率R2係複數個次像素SPix中俯視下與複數個檢測電極TDL中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個次像素SPix之面積總和之比。因此，即使為未設置虛設電極TDD而僅設置檢測電極TDL之情形，面積率R2同樣為1~22%。即，不設置虛設電極TDD而僅設置有檢測電極TDL之情形時之面積率R2之理想範圍與設置有檢測電極TDL及虛設電極TDD之情形時之面積率R2之理想範圍相同。
<實施形態1之顯示裝置之面積率>
接著，對實施形態1之顯示裝置1之情形時，即檢測電極具有具Z字形狀之導電線之情形時之面積率之理想範圍進行說明。此處，以使面積率R2成為0.49~24.58%之範圍之方式，準備複數個顯示裝置。又，使用各顯示裝置進行顯示區域Ad之透過率、檢測信號之檢測值、及辨識性之評估。
將面積率R2小於1%之情形設為比較例1~3，面積率R2為1~22%之情形設為實施例1~25，面積率R2超過22%之情形設為比較例4~6。因此，關於辨識性之評估，係對是否不會因為檢測電極TDL或虛設電極TDD反射可見光，而使顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性發生問題而良好進行評估，即以反射狀態是否良好進行評估。
具體而言，對檢測電極TDL具有Z字形狀之情形時，是否因檢測電極TDL或虛設電極TDD反射可見光，而於顯示於顯示區域Ad之圖像以輝紋狀即線狀見到檢測電極TDL或虛設電極TDD，亦即是否觀察到反射輝紋進行評估。該評估結果示於表1。而且，表1之面積率與檢測 值之關係示於圖28之圖表。圖28之橫軸表示面積率R2、圖28之縱軸表示檢測值。
表1中，以「◎」表示顯示於顯示區域Ad之圖像未觀察到反射輝紋，且圖像之辨識性良好之情形。另，以「○(反射輝紋)」表示雖顯示於顯示區域Ad之圖像中觀察到反射輝紋，但該反射輝紋不明顯，為圖像辨識性可容許之情形。進而，以「△(反射輝紋」表示顯示於顯示區域Ad之圖像觀察到反射輝紋，且該反射輝紋明顯，為圖像辨識性不容許之情形。
如表1所示，面積率R2為0.49~24.58%時(比較例1~3、實施形態1~25及比較例4~6)，隨著面積率R2之增加，顯示區域Ad之透過率減少。即，隨著複數個次像素SPix中俯視下與複數個檢測電極TDL及複數個虛設電極TDD中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個次像素SPix之面積總和之比之增加，顯示區域Ad之透過率減少。另一方面，期望顯示區域Ad之透過率為90%以上。因此，面積率R2宜為22%以下。
再者，如表1及圖28所示，面積率R2為1.2~24.58%時(實施例3~25及比較例4~6)，檢測值並不依存於面積率R2，而保持不變。此認為係由於面積率R2為1.2~24.58%時，導電線ML與驅動電極COML之間之靜電電容因有無觸控而產生之差值並不依存於面積率R2，而保持不變。
然而，面積率R2為1.0%以上且1.2%以下時(實施例1及2)，隨著面積率R2之降低，檢測值亦開始變小，進而於面積率R2為0.49%以上且1.0%以下時(比較例1~3)，隨著面積率R2之減少，檢測值迅速減少。此認為係由於面積率R2減少導致導電線ML與驅動電極COML之間之靜電電容減少，以致檢測信號Vdet之強度變小之故。
進而，如表1所示，面積率為0.49~5%時(比較例1~3及實施例1~12)，顯示於顯示區域Ad之圖像未觀察到反射輝紋，辨識性良好。而且，面積率超過5%且11%以下時(實施例13~19)，顯示於顯示區域Ad之圖像雖觀察到反射輝紋，但反射輝紋不明顯，圖像辨識性為可容許。又，面積率超過11%時(實施例20~25及比較例4~6)，顯示於顯示區域Ad之圖像觀察到反射輝紋，且反射輝紋明顯，圖像辨識性不被容許。
根據比較例1~3、實施例1~25及比較例4~6之結果可知，複數個次像素SPix中俯視下與複數個檢測電極TDL及複數個虛設電極TDD中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個次像素SPix之面積總和之比，即面積率R2宜為1~22%。
面積率R2小於1%時，存在檢測信號Vdet之檢測值極小之虞。而面積率R2超過22%時，存在顯示區域Ad之透過率小於90%之虞。另一方面，藉由使面積率R2為1~22%，可防止檢測信號Vdet之檢測值過小，且可使顯示區域Ad之透過率為90%以上。因此，可提高具備輸入裝置之顯示裝置中顯示區域對可見光之透過率，而可提高輸入裝置之檢測性能。
再者，檢測電極TDL具有具Z字形狀之導電線ML時，更佳係面積率R2為1~11%。藉此，可防止或抑制顯示於顯示區域Ad之圖像觀察到反射輝紋，使圖像之辨識性降低。
因此，檢測電極TDL具有具Z字形狀之導電線ML時，尤佳係面積率R2為1.2~5%。藉此，可進一步防止或抑制顯示於顯示區域Ad之圖像觀察到反射輝紋，使圖像辨識性降低。
另，實施例1~25及比較例1~6中，於檢測電極TDL之面積與虛設電極TDD之面積之比率設為1：2之狀態下，使面積率R2變化。另一方面，即使檢測電極TDL之面積與虛設電極TDD之面積之比率在各種數 值之間變動時，仍可獲得與上述結果相同之結果。而且，即使未設置虛設電極TDD而僅設置檢測電極TDL時，仍可獲得與上述結果相同之結果。因此，未設置虛設電極TDD而僅設置檢測電極TDL時之面積率R2之理想範圍仍與設置檢測電極TDL及虛設電極TDD時之面積率R2之理想範圍相同。
再者，上述面積率R2之理想範圍對透過率、辨識性及檢測值帶來之效果，於X軸方向之複數個次像素SPix之排列間隔DP1(參照圖20)為45~180μm時更為顯著。此處，X軸方向之複數個次像素SPix之排列間隔DP1(參照圖20)較Y軸方向之複數個次像素SPix之排列間隔DP2(參照圖20)更小。因此，例如對在實施形態5中後述之智慧型手機等之次像素SPix之排列間隔相對較小之電子機器應用本實施形態1之顯示裝置1之情形時，對具有上述範圍之面積率R2時之辨識性帶來之效果極大。
<實施形態1之第1變化例之顯示裝置之面積率>
接著，對實施形態1之第1變化例之顯示裝置1之情形，即檢測電極具有具網格形狀之導電線時之面積率之理想範圍進行說明。此處，以面積率R2成為0.49~24.58%之範圍之方式，準備複數個顯示裝置。而且，使用各顯示裝置對顯示區域Ad之透過率、檢測信號之檢測值、及辨識性進行評估。
將面積率R2小於1%之情形設為比較例7~9，面積率R2為1~22%之情形設為實施例26~50，面積率R2超過22%之情形設為比較例10~12。接著，關於辨識性之評估，係對是否不會因檢測電極TDL或虛設電極TDD反射可見光而使顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性發生問題而良好進行評估，即對反射狀態是否良好進行評估。
具體而言，檢測電極具有網格形狀時，對是否因檢測電極TDL或虛設電極TDD反射可見光，雖未觀察到反射輝紋，但顯示於顯示區域 Ad之圖像發亮，亦即是否觀察到眩光進行評估。該評估結果揭示於表2。而且，表2之面積率與檢測值之關係示於圖29之圖表。圖29之橫軸表示面積率R2、圖29之縱軸表示檢測值。
表2中，以「◎」表示顯示於顯示區域Ad之圖像未觀察到眩光，圖像之辨識性良好之情形。而且，以「○(眩光)」表示雖顯示於顯示區域Ad之圖像觀察到眩光，但該眩光不明顯，為圖像辨識性可容許之情形。
如表2所示，面積率R2為0.49~24.58%時(比較例7~9、實施形態26~50及比較例10~12)，隨著面積率R2之增加，顯示區域Ad之透過率減少。即，隨著複數個次像素SPix中俯視下與複數個檢測電極TDL及複數個虛設電極TDD中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個次像素SPix之面積總和之比之增加，顯示區域Ad之透過率減少。另一方面，期望顯示區域Ad之透過率為90%以上。因此，面積率R2宜為22%以下。
再者，如表2及圖29所示，面積率R2為2.5~24.58%時(實施例34~50及比較例10~12)，檢測值並不依存於面積率R2，而保持不變。此認為係由於面積率R2為2.5~24.58%時，導電線ML1及導電線ML2各者與驅動電極COML之間之靜電電容因有無觸控而產生之差值並不依存於面積率R2，而保持不變之故。
然而，面積率R2為2.0%以上且小於2.5%時(實施例32及33)，隨著面積率R2之減少，檢測值亦開始減小。再者，於面積率R2為1.0%以上且小於2.0%時(實施例26~31)，隨著面積率R2之減少，檢測值逐漸減少。而且，進而於面積率R2在0.49%以上且小於1.0%之範圍(比較例7~9)時，隨著面積率R2之減少，檢測值急遽減少。此認為係由於面積率R2之降低，導致導電線ML1及導電線ML2各者與驅動電極COML之間之靜電電容減少，以致檢測信號Vdet之強度變小之故。
進而，如表2所示，面積率為0.49~11%時(比較例7~9及實施例26~44)，顯示於顯示區域Ad之圖像未觀察到眩光，辨識性良好。而且，面積率超過11%且24.58%以下時(實施例45~50及比較例10~12)，顯示於顯示區域Ad之圖像雖觀察到眩光，但該眩光不明顯，為圖像辨識性可容許。此認為係由於檢測電極TDL具有網格形狀時，因未觀察到反射輝紋，故圖像之辨識性相對較易被容許。
根據比較例7~9、實施例26~50及比較例10~12之結果可知，複數個次像素SPix中俯視下與複數個檢測電極TDL及複數個虛設電極TDD中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個次像素SPix之面積總和之比，即面積率R2宜為1~22%。
面積率R2小於1%時，存在檢測信號Vdet之檢測值極小之虞。而面積率R2超過22%時，則存在顯示區域Ad之透過率小於90%之虞。另一方面，藉由面積率R2為1~22%，可防止檢測信號Vdet之檢測值降至過小，並可使顯示區域Ad之透過率為90%以上。因此，具備輸入裝置之顯示裝置可提高顯示區域對可見光之透過率，而可提高輸入裝置之檢測性能。
再者，檢測電極TDL具有具網格形狀之導電線時，更佳係面積率R2為2~22%。藉此，可使檢測信號Vdet之檢測值更大。
因此，檢測電極TDL具有具網格形狀之導電線之情形時，尤佳係面積率R2為2.5~11%。藉此，可防止或抑制顯示於顯示區域Ad之圖像觀察到眩光，而使圖像之辨識性降低。
另，實施例26~50及比較例7~12中，於檢測電極TDL之面積與虛設電極TDD之面積之比率設為1：2之狀態下，使面積率R2變化。而且，即使檢測電極TDL之面積與虛設電極TDD之面積之比率在各種值之間變動時，仍可獲得與上述結果相同之結果。又，即使未設置虛設電極TDD而僅設置檢測電極TDL時，仍可獲得與上述結果相同之結 果。因此，未設置虛設電極TDD而僅設置檢測電極TDL時之面積率R2之理想範圍仍與設置檢測電極TDL及虛設電極TDD時之面積率R2之理想範圍相同。
再者，上述面積率R2之理想範圍對透過率、辨識性及檢測值帶來之效果，於X軸方向之複數個次像素SPix之排列間隔DP1(參照圖25)為45~180μm時更為顯著。此處，X軸方向之複數個次像素SPix之排列間隔DP1(參照圖25)較Y軸方向之複數個次像素SPix之排列間隔DP2(參照圖25)更小。因此，例如對在實施形態5中後述之智慧型手機等之次像素SPix之排列間隔相對較小之電子機器應用本第1變化例之顯示裝置1時，對具有上述範圍之面積率R2時之辨識性帶來之效果極大。
<導電線之寬度>
接著，對實施形態1之顯示裝置1時，即檢測電極TDL包含具有Z字形狀之導電線ML時之導電線ML之線寬LW1之範圍進行說明。此處，以線寬LW1成為1~7.5μm之範圍之方式，準備複數個顯示裝置。又，使用各顯示裝置進行對導電線之電阻值及辨識性之評估。
將線寬LW1小於2μm之情形設為比較例13及14、線寬LW1為2~7μm之情形設為實施例51~57、線寬LW1超過7μm之情形設為比較例15。再者，關於比較例13、14、實施例51~57及比較例15各者之顯示裝置，則準備導電線ML之間隔在45~206μm之範圍內變動9種之顯示裝置。又，關於辨識性評估，以對是否未觀察到波紋或導電線ML，且顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性不發生問題而良好予以評估。該評估結果示於表3。
另，如圖18所示，所謂導電線ML之間隔DS1，係指導電線ML之寬度方向之導電線ML之排列間隔。因此，如圖18所示，將俯視下方向D2之導電線ML之排列間隔設為排列間隔DA1，將俯視下延伸部EX11所延伸之方向D11相對於方向D1所成之角度設為角度θ11時，導電線ML之間隔DS1係由下述式(4)表示。
DS1=DA1×cos θ 11 (4)
再者，表3中，以「◎」表示顯示於顯示區域Ad之圖像未觀察到波紋亦未觀察到導電線ML，圖像之辨識性良好之情形。而且，以「○(波紋)」表示雖於顯示於顯示區域Ad之圖像觀察到波紋，但該波紋不深，圖像辨識性可容許之情形。而且，以「△(波紋)」表示顯示於顯示區域Ad之圖像觀察到波紋，且該波紋較深，圖像辨識性非可容許之情形。
再者，以「○(導電線)」表示雖顯示於顯示區域Ad之圖像觀察到導電線ML，但該導電線ML並未被識別為線條，圖像辨識性可容許之情形。又，以「△(導電線)」表示顯示於顯示區域Ad之圖像觀察到導 電線ML，該導電線ML被識別為線條，圖像辨識性非可容許之情形。
另一方面，關於比較例13、14、實施例51~57及比較例15之導電線ML之線寬LW1與導電線ML之電阻值之關係示於圖30之圖表。圖30之橫軸表示導電線ML之線寬LW1、圖30之縱軸表示導電線ML之電阻值。此處顯示構成導電線ML之延伸部EX1或EX2(例如參照圖18)之每1個之電阻值(Ω/unit)作為導電線ML之電阻值。
如圖30所示，導電線ML之線寬LW1為2~7.5μm時(實施例51~57及比較例15)，雖隨著導電線ML之線寬LW1縮短，導電線ML之電阻值逐漸增大，但其變化緩慢。特別是，導電線ML之線寬LW1為2.5~7.5μm時(實施例52~57及比較例15)，相較於線寬LW1為2μm以上且小於2.5μm之情形(實施例51)，導電線ML之電阻值較小。另一方面，如圖30所示，導電線ML之線寬LW1小於2μm時(比較例13及14)，隨著導電線ML之線寬LW1縮短，導電線ML之電阻值急遽增大。
再者，如表3所示，導電線ML之線寬LW1超過7μm時(比較例15)，無論導電線ML之間隔DS1為45~206μm中除186μm以外之何者，顯示於顯示區域Ad之圖像均觀察到波紋或導電線，圖像辨識性非可容許。因此，配合圖30之結果，導電線ML之寬度宜為2~7μm。
再者，如表3所示，導電線ML之線寬LW1超過4.5μm而小於7μm時(實施例54~57)，導電線ML之間隔DS1在50~200μm之範圍下，雖觀察到波紋或導電線ML，但為波紋不深或導電線ML未被識別為線條之狀態。因此，導電線ML之間隔DS1在50~200μm之範圍下，顯示於顯示區域Ad之圖像辨識性可被容許。另一方面，導電線ML之間隔DS1在小於50μm之範圍下，波紋變深，且有顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性非可容許之情形。而且，導電線ML之間隔DS1在超過200μm之範圍下，導電線ML被識別為線條，顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性非可容許。
進而，如表3所示，導電線ML之線寬LW1為2~4.5μm時(實施例51~53)，隨著導電線ML之線寬LW1縮短，波紋及導電線ML均未觀察到，顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性變得良好之導電線ML之間隔DS1之範圍增大。即，隨著導電線ML之線寬LW1之縮短，顯示於顯示區域Ad之圖像辨識性提高。特別在導電線ML之間隔DS1為80~180μm時，顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性極為良好。
關於表3所示之導電線ML之間隔DS1之依存性，可作如下考慮。即，即使為具有相同線寬LW1之導電線ML，仍認為隨著導電線ML之間隔DS1之增加，越易於被肉眼識別為線條。而且，即使為具有相同線寬LW1之導電線ML，仍可認為隨著導電線ML之間隔DS1縮短，因導電線ML之間隔DS1與次像素SPix之排列間隔之差而產生之波紋亦變深。
由比較例13、14、實施例51~57及比較例15之結果可知，導電線ML之線寬LW1小於2μm時，有導電線ML之電阻值增大之虞。而且，導電線ML之線寬LW1超過7μm時，因顯示於顯示區域Ad之圖像中觀察到波紋或導電線，而有顯示於顯示區域Ad之圖像辨識性降低之虞。
再者，導電線ML之線寬LW1小於2μm時，在製造導電線ML時，有導電線ML之電阻值增大或導電線ML被切斷之虞。或者，於導電線ML之線寬LW1超過7μm時，易觀察到波紋，或導電線ML容易被肉眼被識別為線條，而容易觀察到導電線ML。
另一方面，本實施形態1中，導電線ML之線寬LW1宜為2~7μm。藉此，可減小導電線ML之電阻值，從而可提高顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性。而且，包含輸入裝置之顯示裝置可提高顯示區域對可見光之透過率，而可提高輸入裝置之檢測性能。
再者，導電線ML之檢測DS1宜為50~200μm。藉此，可成為雖 會觀察到波紋或導電線，但顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性為可容許者。
進而較佳為，導電線ML之線寬LW1為2.5~4.5μm。藉此，顯示於顯示區域Ad之圖像之波紋及導電線均不易被觀察到，顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性更為優良。特別在導電線ML之間隔DS1為80~180μm時，顯示於顯示區域Ad之圖像之紋及導電線ML均為被觀察到，顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性極為良好。
另，關於虛設電極TDD之線寬，亦與導電線ML1之線寬LW1同樣地，較好為2~7μm，更佳為2.5~4.5μm。
再者，關於實施形態1之第1變化例之顯示裝置1時，亦即檢測電極TDL包含具有網格形狀之導電線ML1及導電線ML2時之導電線ML1及導電線ML2各者之線寬，亦與實施形態1之顯示裝置1同樣地，較好為2~7μm，更佳為2.5~4.5μm。進而，對於實施形態1之第1變化例之虛設電極TDD之線寬，亦較好為2~7μm，更佳為2.5~4.5μm。
再者，上述導電線ML之線寬LW1或間隔DS1之理想範圍對辨識性及電阻值帶來之效果，於X軸方向之複數個次像素SPix之排列間隔DP1(參照圖20)為45~180μm時更為顯著。此處，X軸方向之複數個次像素SPix之排列間隔DP1(參照圖20)較Y軸方向上之複數個次像素SPix之排列間隔DP2(參照圖20)更小。因此，例如對在實施形態5中後述之智慧型手機等之次像素SPix之排列間隔相對較小之電子機器應用實施形態1或實施形態1之第1變化例之顯示裝置1之情形時，具有上述範圍之導電線ML之線寬之情形時之對辨識性帶來之效果極大。
<本實施形態之主要特徵及效果>
本實施形態1及實施形態1之第1變化例中，複數個次像素SPix中俯視下與複數個檢測電極TDL及複數個虛設電極TDD中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個次像素SPix之面積總和之比，即面積 率R2宜為1~22%。而且，檢測電極TDL具有Z字形狀之情形時，面積率R2更佳為1~11%，又更佳為1.2~5%。另一方面，檢測電極TDL具有網格形狀之情形時，面積率R2更佳為2~22%，又更佳為2.5~11%。
藉此，例如可防止檢測信號之檢測值過小，且可使顯示區域Ad之透過率為90%以上。再者，包含輸入裝置之顯示裝置可提高顯示區域對可見光之透過率，而可提高輸入裝置之檢測性能。
另一方面，本實施形態1及實施形態1之第1變化例中，導電線ML之線寬LW1宜為2~7μm。再者，檢測電極TDL具有Z字形狀之情形時，導電線ML之線寬LW1更佳為2.5~4.5μm。進而，檢測電極TDL具有網格形狀時，導電線ML之線寬LW1更佳為2.5~4.5μm。藉此，可減小導電線ML之電阻值，可提高顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性。再者，包含輸入裝置之顯示裝置可提高顯示區域對可見光之透過率，而可提高輸入裝置之檢測性能。
本實施形態1及實施形態1之第1變化例中，已對顯示區域Ad中複數個次像素SPix矩陣狀排列之例予以說明。然而，複數個次像素SPix亦可並非矩陣狀排列，例如亦可以線狀排列。此情形時，以線狀排列之複數個次像素SPix各者之內部分別設置有像素電極22，以俯視下與複數個像素電極22重合之方式，僅設置1個驅動電極COML，以俯視下與驅動電極COML分別重合之方式，相互空出間隔地設置有複數個檢測電極TDL。又，基於1個驅動電極COML與複數個檢測電極TDL各者之靜電電容，檢測出線狀排列之複數個次像素SPix之排列方向之輸入位置。
此情形時，亦可藉由滿足上述面積率R2之理想範圍，或上述線寬LW1之理想範圍，而不使顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性降低，可增大檢測信號之檢測值。再者，包含輸入裝置之顯示裝置可提高顯 示區域對可見光之透過率，而可提高輸入裝置之檢測性能。
另，並非限定於對驅動電極COML輸入用於測定驅動電極COML與檢測電極TDL之間之靜電電容之驅動信號，並自檢測電極TDL輸出用於檢測輸入位置之檢測信號之情形。因此，亦可如在後述之實施形態4中所說明般，對檢測電極TDL輸入用於測定檢測電極TDL之靜電電容之驅動信號，並自檢測電極TDL輸出用於檢測輸入位置之檢測信號。
(實施形態2)
實施形態1及實施形態1之變化例中，於顯示區域設有驅動液晶及觸控面板之驅動電極。另一方面，實施形態2中，雖存在與實施形態1相同之內嵌型液晶顯示裝置，但其顯示區域中，驅動觸控面板但不驅動液晶之驅動電極係與驅動液晶之驅動電極隔開設置。
關於本實施形態2之顯示裝置中，例如俯視下之檢測電極TDL及虛設電極TDD之形狀及配置等之驅動電極以外之各部分，因與實施形態1及實施形態1之第1變化例之顯示裝置中驅動電極以外之各部分相同，故省略其等之說明。
<驅動電極與像素電極之位置關係>
圖31係共同顯示實施形態2之顯示裝置之驅動電極與像素電極之俯視圖。圖32係共同顯示實施形態2之顯示裝置之驅動電極與像素電極之剖面圖。圖31顯示設於1個次像素SPix內部設置之1個像素電極22及其周邊構成。圖32係沿著圖31之A-A線之剖面圖。另，圖31中省略TFT基板21、驅動電極COML1、驅動電極COML2、TFT元件Tr所包含之電極、掃描線GCL及信號線SGL以外之部分之圖示，圖32中省略較像素電極22及驅動電極COML2更上方之部分之圖示。
關於TFT基板21、TFT元件Tr等之自TFT基板21至層間樹脂膜23之各層之構造，可與利用圖15所說明之實施形態1之顯示裝置之各層 之構造相同。
本實施形態2中，以覆蓋層間樹脂膜23之方式，形成有例如包含ITO或IZO等之具透光性之導電性材料之驅動電極COML1。本實施形態2中，驅動電極COML1係作為驅動液晶層6(參照圖9)之驅動電極而動作。
驅動電極COML1係以俯視下與沿X軸方向排列之複數個次像素SPix重合之方式，沿X軸方向連續一體地設置。即，1個驅動電極COML1係作為供複數個次像素SPix共用之電極而設。因此，亦將驅動電極COML1稱作共通電極。
以覆蓋驅動電極COML1之方式，形成例如包含氮化矽或氧化矽等之透明絕緣膜24。接著，以覆蓋絕緣膜24之方式，形成例如包含ITO或IZO等之具有透光性之導電性材料之複數個像素電極22。複數個像素電極22係以俯視下於複數個次像素SPix各者之內部與驅動電極COML1分別重合之方式形成。換言之，驅動電極COML1係以俯視下與沿X軸方向排列之複數個像素電極22重合之方式而設。即，複數個次像素SPix各者中，驅動電極COML1與像素電極22係隔著絕緣膜24而對向。
俯視下，於與汲極電極DE重合之位置形成有貫通絕緣膜24、層間樹脂膜23及鈍化膜23a而到達TFT元件Tr之汲極電極DE的接觸孔25。於接觸孔25之底面部，汲極電極DE露出。像素電極22形成於包含接觸孔25之側面部及底面部之絕緣膜24上，並與露出於接觸孔25之底面部之汲極電極DE電性連接。
另，亦可於形成於各次像素SPix內部之像素電極22上形成縫隙狀開口26者係與實施形態1相同。
有別於實施形態1，本實施形態2中形成有驅動電極COML2。驅動電極COML2係於顯示區域Ad(參照圖7或圖8)內，與驅動電極 COML1隔開設置，且以俯視下不與複數個像素電極22中之任一者重合之方式設置。因此，驅動電極COML2在各次像素SPix中並未驅動液晶層6(參照圖9)。另一方面，因對驅動電極COML2施加觸控面板檢測用之驅動電壓，亦即測定驅動電極COML2與檢測電極TDL之間之靜電電容並輸入用以檢測輸入位置之驅動信號，故驅動電極COML2係作為觸控面板之驅動電極而動作。
驅動電極COML2係與驅動電極COML1同樣地，朝X軸方向延伸。又，驅動電極COML1與驅動電極COML2例如沿Y軸方向交替排列。
如此，驅動電極COML2俯視下係於不與像素電極22重合之區域，形成於絕緣膜24上。因而存在驅動電極COML2俯視下與掃描線GCL重合之情形。但是，藉由於絕緣膜24上形成驅動電極COML2，可將驅動電極COML2較驅動電極COML1形成於更上方。
藉此，可使垂直於TFT基板21表面之方向上之驅動電極COML2與掃描線GCL之間隔GAP2大於垂直於TFT基板21表面之方向上之驅動電極COML1與掃描線GCL之間隔GAP1。因此，即使驅動電極COML2俯視下與掃描線GCL重合之情形時，仍可防止或抑制驅動電極COML2與掃描線GCL之間之靜電電容變大。特別是，若相較於驅動電極COML1之一部分與掃描線GCL重合之情形，則可大幅減低驅動電極COML1與掃描線GCL之間之靜電電容。
另，相鄰之驅動電極COML1與驅動電極COML2亦可於觸控檢測期間Pt中，於相同時點輸入驅動信號。因此，相鄰之驅動電極COML1與驅動電極COML2例如亦可藉由配線等連接X軸方向上之驅動電極COML1之端部與X軸方向上之驅動電極COML2之端部等而電性連接。或者，相鄰之驅動電極COML1與驅動電極COML2亦可不電性連接，亦可於與對驅動電極COML1輸入驅動信號之時點不同之時 點，對驅動電極COML2輸入驅動信號。
本實施形態2中，複數個檢測電極TDL(例如參照圖20)各者俯視下例如與沿Y軸方向交替排列之複數個驅動電極COML1及複數個驅動電極COML2交叉。再者，複數個虛設電極TDD各者亦可俯視下例如與沿Y軸方向交替排列之複數個驅動電極COML1及複數個驅動電極COML2交叉。
<本實施形態之主要特徵及效果>
本實施形態2亦與實施形態1及實施形態1之第1變化例同樣地，複數個次像素SPix中俯視下與複數個檢測電極TDL及複數個虛設電極TDD中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個次像素SPix之面積總和，即面積率R2宜為1~22%。另外，檢測電極TDL具有Z字形狀之情形時，面積率R2更佳為1~11%，進而尤佳為1.2~5%。另一方面，檢測電極TDL具有網格形狀之情形時，面積率R2更佳為2~22%，進而尤佳為2.5~11%。
藉此，可獲得例如可避免檢測信號之檢測值過小，並可使顯示區域Ad之透過率為90%以上等之與實施形態1或實施形態1之第1變化例同樣之效果。
再者，本實施形態2亦與實施形態1及實施形態1之第1變化例同樣地，導電線ML之線寬LW1較佳為2~7μm。另外，檢測電極TDL具有Z字形狀之情形時，導電線ML之線寬LW1更佳為2.5~4.5μm。另一方面，檢測電極TDL具有網格形狀之情形時，導電線ML之線寬LW1更佳為2.5~4.5μm。藉此，可獲得可減小導電線ML之電阻值，及可提高顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性等之與實施形態1或實施形態1之第1變化例同樣之效果。
另一方面，本實施形態2中，驅動電極COML2於顯示區域Ad內與驅動電極COML1隔開設置。而且，驅動電極COML2形成於形成有遮 光部BM1及遮光部BM2(參照圖27)之區域內，即次像素SPix之外部。
此處，例如將驅動電極COML2較驅動電極COML1形成於更上方之情形時，若相較於未設置驅動電極COML2，且驅動電極COML1之一部分與掃描線GCL重合之情形，則可大幅減少驅動電極COML1與掃描線GCL之間之靜電電容。
或者，例如電性連接驅動電極COML1與驅動電極COML2之情形時，相較於未設置驅動電極COML2之情形，可增加作為觸控面板之驅動電極而動作之電極之面積。因此，可不使顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性降低，而可增加檢測信號之檢測值。且可防止或抑制驅動電極COML1與掃描線GCL之間之靜電電容變大。
另，本實施形態2亦與實施形態1同樣地，複數個次像素SPix可不排列為矩陣狀，而亦可排列為例如線狀。此情形時，以線狀排列之複數個次像素SPix各者之內部分別設置像素電極22，以俯視下與複數個像素電極22重合之方式，僅設置1個驅動電極COML1與1個驅動電極COML2。而且，以俯視下與驅動電極COML1及驅動電極COML2分別重合之方式，相互間空出間隔地設置複數個檢測電極TDL。又，基於1個驅動電極COML2與複數個檢測電極TDL各者之靜電電容，檢測以線狀排列之複數個次像素SPix之排列方向上之輸入位置。
即使如此之情形時，藉由滿足已於實施形態1中上述之面積率R2之理想範圍，或上述線寬LW1之理想範圍，仍可不使顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性降低，而增加檢測信號之檢測值。而且，包含輸入裝置之顯示裝置可提高顯示區域對可見光之透過率，從而可提高輸入裝置之檢測性能。
(實施形態3)
實施形態1及實施形態2中，已對將包含作為輸入裝置之觸控面板之顯示裝置應用於內嵌型之附觸控檢測功能之液晶顯示裝置之例予 以說明。相對於此，實施形態3中係對將包含作為輸入裝置之觸控面板之顯示裝置應用於外嵌型之附觸控檢測功能之液晶顯示裝置之例進行說明。另，所謂外嵌型之附觸控檢測功能之液晶顯示裝置，係指觸控面板所包含之驅動電極及檢測電極中之任一者並非內設於液晶顯示裝置之附觸控檢測功能之液晶顯示裝置。
另，本實施形態3之顯示裝置可以液晶顯示裝置為代表，而應用在有機EL顯示裝置等之各種顯示裝置中包含輸入裝置之外嵌型之顯示裝置。
<附觸控檢測功能之顯示器件>
圖33係表示實施形態3之顯示裝置之附觸控檢測功能之顯示器件的剖面圖。
關於本實施形態3之顯示裝置中除對向基板之剖面構造及觸控面板基板以外之各部分，例如俯視下之檢測電極TDL及虛設電極TDD之形狀及配置等，因其與實施形態1及實施形態1之第1變化例之顯示裝置中除對向基板之剖面構造以外之各部分相同，故省略其等之說明。因此，以下參照圖33主要說明其與實施形態1中利用圖9及圖10所說明之部分不同之部分。
附觸控檢測功能之顯示器件10具有：像素基板2、對向基板3、及液晶層6。對向基板3係以作為像素基板2之主表面之正面與作為對向基板3之主表面之背面對向之方式配置。液晶層6設置於像素基板2與對向基板3之間。
本實施形態3中，像素基板2具有驅動電極COML3，而取代實施形態1中之複數個驅動電極COML。驅動電極COML3作為液晶顯示器件20(參照圖1)之驅動電極而動作，但不作為觸控檢測器件30(參照圖1)之驅動電極動作。因此，有別於實施形態1，驅動電極COML3亦可不設置複數個，而可設置例如使實施形態1之驅動電極COML結合一 體化而成之1個驅動電極COML3。
關於本實施形態3之顯示裝置之像素基板2及液晶層6中之除驅動電極COML3以外之部分，因其與實施形態1之顯示裝置之像素基板2及液晶層6之各部分相同，故省略其等之說明。再者，關於與實施形態3之顯示裝置之複數個像素對應之電路圖，除設置驅動電極COML3而取代驅動電極COML之點外，其他與與圖10所示之實施形態1之顯示裝置之複數個像素對應之電路圖相同。因此，省略對實施形態3之顯示裝置中之與已於實施形態1中利用圖10說明之部分相同之部分之說明。
本實施形態3中，對向基板3具有玻璃基板31、彩色濾光片32、及偏光板35。彩色濾光片32形成於作為玻璃基板31之一主表面之背面。偏光板35形成於作為玻璃基板31之另一主表面之正面。
有別於實施形態1，本實施形態3中，隔著對向基板3而於像素基板2之相反側設置有觸控面板基板7。即，有別於實施形態1，本實施形態3中，附觸控檢測功能之顯示器件10係於液晶顯示器件20(參照圖1)之上安裝有觸控檢測器件30(參照圖1)之顯示器件。
觸控面板基板7具有玻璃基板71、複數個驅動電極COML4、及複數個檢測電極TDL。複數個驅動電極COML4係觸控檢測器件30之驅動電極，其形成於玻璃基板71之作為一主表面之背面。複數個檢測電極TDL係觸控檢測器件30之檢測電極，其形成於玻璃基板71之作為另一主表面之正面。
關於俯視下之驅動電極COML3之形狀及配置，亦可使之與俯視下之實施形態1之驅動電極COML之形狀及配置相同。而且，關於俯視下之驅動電極COML4之形狀及配置，亦可與俯視下之實施形態1之驅動電極COML之形狀及配置相同。
另，亦可於玻璃基板71之作為另一主表面之正面形成虛設電極 TDD(例如參照圖20)。關於俯視下之虛設電極TDD之形狀及配置，亦可與俯視下之實施形態1之虛設電極TDD之形狀及配置相同。
本實施形態3中，驅動電極COML3雖作為液晶顯示器件20之驅動電極而動作，但並不作為觸控檢測器件30之驅動電極而動作。驅動電極COML4雖作為觸控檢測器件30之驅動電極而動作，但並不作為液晶顯示器件20之驅動電極而動作。因此，亦可無需區分由驅動電極COML3進行顯示動作之顯示期間與由驅動電極COML4進行觸控檢測動作之觸控檢測期間而僅於觸控檢測期間施加驅動信號Vcom。亦即，亦可獨立並行進行由驅動電極COML3進行之顯示動作與由驅動電極COML4進行之觸控檢測動作。
另，驅動電極COML4亦可與驅動電極COML3電性連接，亦可不與驅動電極COML3電性連接。惟驅動電極COML4與驅動電極COML3電性連接時，有必要區分由驅動電極COML3進行顯示動作之顯示期間，與由驅動電極COML4進行觸控檢測動作之觸控檢測期間。
與實施形態1同樣地，本實施形態3中，複數個檢測電極TDL各者俯視下係與複數個驅動電極COML4交叉。再者，與實施形態1同樣地，本實施形態3中，複數個虛設電極TDD(例如參照圖20)各者俯視下與複數個驅動電極COML4交叉。
<本實施形態之主要特徵與效果>
本實施形態3亦與實施形態1及實施形態1之第1變化例同樣地，複數個次像素SPix中俯視下與複數個檢測電極TDL及複數個虛設電極TDD中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個次像素SPix之面積總和，即面積率R2較佳為1~22%。而且，檢測電極TDL具有Z字形狀之情形時，面積率R2更佳為1~11%，又更佳為1.2~5%。另一方面，檢測電極TDL具有網格形狀之情形時，面積率R2較佳為2~22%，尤佳為2.5~11%。
藉此，可獲得例如可避免檢測信號之檢測值過小，且可使顯示區域Ad之透過率為90%以上等，與實施形態1或實施形態1之第1變化例同樣之效果。
再者，本實施形態3亦與實施形態1及實施形態1之第1變化例同樣地，導電線ML之線寬LW1較好為2~7μm。而且，檢測電極TDL具有Z字形狀之情形時，導電線ML之線寬LW1更佳為2.5~4.5μm。另一方面，檢測電極TDL具有網格形狀之情形時，導電線ML之線寬LW1又更佳為2.5~4.5μm。藉此，可獲得可降低導電線ML之電阻值及可提高顯示於顯示區域Ad之圖像之辨識性等之與實施形態1或實施形態1之第1變化例同樣之效果。
進而，本實施形態3中，作為輸入裝置之觸控面板設置於外嵌型之顯示裝置。藉此，由於無需區分由驅動電極COML3進行顯示動作之顯示期間，與由驅動電極COML4進行觸控檢測動作之觸控檢測期間，故表觀上，可提高觸控檢測之檢測速度等，可提高觸控檢測之檢測性能。
(實施形態4)
<自電容方式之觸控檢測功能>
實施形態1中，已對應用設置有作為驅動電極而動作之共通電極與檢測電極之互電容方式之觸控面板作為顯示裝置所包含之觸控面板之例予以說明。然而，亦可應用僅設置有檢測電極之自電容方式之觸控面板作為顯示裝置所包含之觸控面板。
圖34及圖35係表示自電容方式之檢測電極之電性連接狀態之說明圖。
如圖34所示，自電容方式之觸控面板中，於具有靜電電容Cx之檢測電極TDL自具有靜電電容Cr1之檢測電路SC1切離而與電源Vdd電性連接時，於具有靜電電容Cx之檢測電極TDL中蓄積有電荷量Q1。 接著，如圖35所示，於具有靜電電容Cx之檢測電極TDL自電源Vdd切離而與具有靜電電容Cr1之檢測電路SC1電性連接時，檢測流出於檢測電路SC1之電荷量Q2。
此時，當手指已接觸或靠近檢測電極TDL之情形時，因手指而形成之電容使檢測電極TDL之靜電電容Cx產生變化，檢測電極TDL與檢測電路SC1連接時，流出至檢測電路SC1之電荷量Q2亦產生變化。因此，藉由由檢測電路SC1測定流出之電荷量Q2而檢測檢測電極TDL之靜電電容Cx之變化，可判斷手指是否已接觸或靠近檢測電極TDL。
例如，可設想本實施形態4之顯示裝置係將實施形態1或實施形態1之第1變化例之顯示裝置應用於包含自電容方式之觸控檢測功能之顯示裝置之情形。此時，顯示裝置除分別朝Y軸方向(參照圖7)延伸且於X軸方向(參照圖7)上空出間隔而排列之複數個檢測電極TDL外，尚具有分別朝X軸方向延伸，且於Y軸方向上空出間隔而排列之複數個檢測電極TDL。即使如此之情形時，藉由檢測朝Y軸方向延伸之複數個檢測電極TDL各者之靜電電容Cx之變化，及朝X軸方向延伸之複數個檢測電極TDL各者之靜電電容Cx之變化，亦可二維地檢測輸入位置。此時，驅動電極COML(參照圖7)雖作為液晶顯示器件20(參照圖1)之驅動電極而動作，但不作為觸控檢測器件30(參照圖1)之驅動電極而動作。
再者，即使如此之情形時，仍可獲得例如不使檢測信號之檢測值過小及使顯示區域Ad之透過率為90%以上等之與實施形態1或實施形態1之第1變化例同樣之效果。
或者，本實施形態4之顯示裝置亦可為將實施形態3之顯示裝置應用在包含自電容方式之觸控檢測功能之顯示裝置者，即使如此之情形時，仍可獲得例如不使檢測信號之檢測值過小，及使顯示區域Ad之透過率為90%以上等之與應用實施形態1之顯示裝置或實施形態1之 第1變化例之情形同樣之效果。
(實施形態5)
接著，參照圖36至圖42，對作為實施形態1、實施形態1之第1變化例、實施形態2、實施形態3及實施形態4中所說明之顯示裝置之應用例之電子機器進行說明。實施形態1、實施形態1之第1變化例、實施形態2、實施形態3及實施形態4各者之顯示裝置可應用於電視裝置、數位相機、筆記型個人電腦、行動電話等之行動終端裝置或攝錄影機等之所有領域之電子機器。換言之，實施形態1、實施形態1之第1變化例、實施形態2、實施形態3及實施形態4各者之顯示裝置可應用於將自外部所輸入之影像信號或在內部產生之影像信號作為圖像或影像進行顯示之所有領域之電子機器。
<電視裝置>
圖36係表示作為實施形態5之電子機器之一例之電視裝置之外觀的立體圖。此電視裝置例如具有包含前面板511及濾光玻璃512之影像顯示畫面部513。且影像顯示畫面部513包含實施形態1、實施形態1之第1變化例、實施形態2、實施形態3及實施形態4中所說明之內嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置，或外嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置。
<數位相機>
圖37係表示作為實施形態5之電子機器之一例之數位相機之外觀的立體圖。此數位相機例如具有顯示部522、選單切換523及快門按鈕524。且顯示部522包含實施形態1、實施形態1之第1變化例、實施形態2、實施形態3及實施形態4中所說明之內嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置，或外嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置。
<筆記型個人電腦>
圖38係表示作為實施形態5之電子機器之一例之筆記型個人電腦 之外觀的立體圖。此筆記型個人電腦例如具有本體531、用於文字等之輸入操作之鍵盤532及顯示圖像之顯示部533。且顯示部533包含實施形態1、實施形態1之第1變化例、實施形態2、實施形態3及實施形態4中所說明之內嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置，或外嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置。
<攝錄影機>
圖39係表示作為實施形態5之電子機器之一例之攝錄影機之外觀的立體圖。此攝錄影機例如具有本體部541、設置於該本體部541之前面之被攝體攝影用之鏡頭542、攝影時之開始/停止開關543及顯示部544。而且顯示部544包含實施形態1、實施形態1之第1變化例、實施形態2、實施形態3及實施形態4中所說明之內嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置，或外嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置。
<行動電話>
圖40及圖41表示作為實施形態5之電子機器之一例之行動電話之外觀的前視圖。圖41顯示圖40所示之行動電話之折疊狀態。此行動電話機係例如將上側殼體551與下側殼體552以連結部(鉸鏈部)553連結者，具有顯示器554、次顯示器555、閃光燈556及照相機557。且顯示器554或次顯示器555係由實施形態1、實施形態1之第1變化例、實施形態2、實施形態3及實施形態4各者之附觸控檢測功能之顯示裝置等構成。
<智慧型手機>
圖42係表示作為實施形態5之電子機器之一例之智慧型手機之外觀的前視圖。此智慧型手機例如具有殼體561與觸控螢幕562。觸控螢幕562係由例如作為輸入裝置之觸控面板與作為顯示部之液晶面板構成，且包含實施形態1、實施形態1之第1變化例、實施形態2、實施形態3及實施形態4中所說明之內嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置，或 外嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置。
觸控螢幕562之觸控面板係例如設置於利用圖1所說明之顯示裝置1之附觸控檢測功能之顯示器件10之觸控檢測器件30。若使用者用手指或觸控筆等對觸控面板進行觸控操作或拖曳操作等動態操作，則觸控螢幕562之觸控面板檢測出與該動態操作對應之位置之座標，並將其輸出至未圖示之控制部。
觸控螢幕562之液晶面板係設置於利用圖1所說明之顯示裝置1之附觸控檢測功能之顯示器件10之液晶顯示器件20。而且，包含顯示裝置1之觸控螢幕562之液晶面板例如具有利用圖1所說明之顯示裝置1之驅動電極驅動器14。驅動電極驅動器14例如藉由按一定時序分別對設置於矩陣狀排列之複數個次像素SPix(參照圖10)各者內部之像素電極22(參照圖9)施加作為圖像信號之電壓，而執行顯示。
<本實施形態之主要特徵與效果>
本實施形態5中，可使用實施形態1、實施形態1之第1變化例、實施形態2、實施形態3及實施形態4各者之顯示裝置，作為上述各種電子機器所包含之顯示裝置。藉此，可獲得可提高上述各種電子機器所包含之顯示裝置中之例如顯示區域對可見光之透過率，可提高輸入裝置之檢測性能等之與實施形態1、實施形態1之第1變化例、實施形態2、實施形態3及實施形態4中所說明之各效果同樣之效果。因而可提高上述各種電子機器之性能。
再者，如在實施形態1中之上述般，面積率R2、或導電線ML之線寬LW1或間隔DS1(參照圖18)對透過率、辨識性、檢測值及電阻值帶來之效果，於X軸方向上之複數次像素SPix之排列間隔DP1(參照圖20)為45~180μm時更為顯著。因此，將實施形態1、實施形態1之第1變化例、實施形態2、實施形態3及實施形態4各者之顯示裝置應用於本實施形態5中上述之智慧型手機等之次像素SPix之排列間隔相對較 小之電子機器之情形時，對具有上述範圍之導電線ML之線寬之情形時之辨識性帶來之效果極大。
以上，雖已基於實施形態具體說明由本發明者完成之發明，但毋庸贅言，本發明並非限定於上述實施形態者，而可在不脫離發明主旨之範圍內進行各種變更。
再者，上述實施形態中，雖已例示液晶顯示裝置之情形作為發明例，但作為其他應用例，亦可舉出有機EL顯示裝置、其他自發光型顯示裝置或具有電泳元件等之電子紙型顯示裝置等之所有平板面板之顯示裝置。且，毋庸贅言，對中小型乃至大型電子機器，亦可無特別限定地予以應用。
基於作為本發明之各實施形態而上述之顯示裝置及電子機器，本領域技術人員可進行適當設計而實施之所有顯示裝置及電子機器，只要包含本發明之效果，則均為本發明之範圍內。
應理解，在本發明之思想範疇內，若為本領域技術人員，則可聯想出各種變更例及修正例，該等變更例及修正例亦均屬於本發明之範圍內。
例如，對上述各實施形態，本領域技術人員適當進行構成要素追加、削減或設計變更者，或進行步驟追加、刪減或條件變更者，只要其包含本發明之要旨，則均包含在本發明之範圍內。
再者，關於自上述各實施形態中所闡述之態樣衍生之其他作用效果，關於緣於本說明書之揭示而明瞭者，或由本領域技術人員可適當聯想者，當然均應理解成由本發明衍生者。
本發明至少包含以下實施形態：
〔附記1〕
一種顯示裝置，其包含：基板； 複數個像素，其排列於上述基板之第1主表面側之第1區域；複數個第1電極，其分別設置於上述複數個像素各者之內部；第2電極，其設置為俯視下與上述複數個第1電極重合；第3電極，其於上述第1區域與上述第2電極隔開設置；複數個第4電極，其以俯視下與上述第3電極分別重合之方式相互空出間隔地設置；及第5電極，其於上述第1區域，與上述複數個第4電極任一者隔開設置；藉由對上述複數個第1電極各者與上述第2電極之間施加電壓而顯示圖像；基於上述第3電極與上述複數個第4電極各者之間之靜電電容，而檢測輸入位置；上述複數個第4電極各者包含第1金屬層或第1合金層；上述第5電極包含第2金屬層或第2合金層；且上述複數個像素中俯視下與上述複數個第4電極及上述第5電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於上述複數個像素之面積總和之比為1~22%。
〔附記2〕
如附記1之顯示裝置，其中上述複數個像素係於上述第1區域，沿第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列；上述複數個第4電極各者具有包含上述第1金屬層或上述第1合金層之第1導電線；且上述第1導電線俯視下交替於相反方向上彎曲並且全體朝第3方向延伸。
〔附記3〕
如附記2之顯示裝置，其中上述複數個像素中俯視下與上述複數個第4電極及上述第5電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於上述複數個像素之面積總和之比為1~11%。
〔附記4〕
如附記1之顯示裝置，其中上述複數個像素係於上述第1區域，沿第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列；上述複數個第4電極各者具有複數根第1導電線；上述複數根第1導電線各者包含上述第1金屬層或上述第1合金層，且俯視下交替於相反方向上彎曲並且全體朝第3方向延伸；且相鄰之上述第1導電線中之相互於相反方向上彎曲之部分彼此結合。
〔附記5〕
如附記4之顯示裝置，其中上述複數個像素中俯視下與上述複數個第4電極及上述第5電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於上述複數個像素之面積總和之比為2~22%。
〔附記6〕
如附記1之顯示裝置，其中上述複數個像素係於上述第1區域，沿第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列；上述複數個第4電極各者包含：複數根第1導電線，其分別朝第3方向延伸，且排列於與上述第3方向交叉之第4方向；及複數根第2導電線，其分別朝與上述第3方向及上述第4方向兩者交叉之第5方向延伸，其排列於上述第4方向；上述複數根第1導電線各者包含上述第1金屬層或上述第1合金 層；上述複數根第2導電線各者包含第3金屬層或第3合金層；上述複數根第1導電線與上述複數根第2導電線相互交叉；且上述複數個第4電極各者具有由相互交叉之上述複數個第1導電線與上述複數個第2導電線形成之網格形狀。
〔附記7〕
如附記6之顯示裝置，其中上述複數個像素中俯視下與上述複數個第4電極及上述第5電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於上述複數個像素之面積總和之比為2~22%。
〔附記8〕
一種顯示裝置，其包含：基板；複數個像素，其係於上述基板之第1主表面側之第1區域，沿第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列；複數個第1電極，其分別設置於上述複數個像素各者之內部；第2電極，其設置為俯視下與上述複數個第1電極重合；第3電極，其於上述第1區域，與上述第2電極隔開設置；複數個第4電極，其以俯視下分別與上述第3電極重合之方式相互空出間隔地設置；藉由對上述複數個第1電極各者與上述第2電極之間施加電壓而顯示圖像；基於上述第3電極與上述複數個第4電極各者之間之靜電電容，而檢測輸入位置；上述複數個第4電極各者具有包含第1金屬層或第1合金層之第1導電線；第1導電線具有俯視下朝與上述第1方向及上述第2方向兩者交叉 之第3方向延伸之部分；且上述第1導電線之寬度為2~7μm
〔附記9〕
如附記8之顯示裝置，其中上述第1導電線俯視下交替於相反方向上彎曲並且全體朝第4方向延伸。
〔附記10〕
如附記9之顯示裝置，其中上述第1導電線之寬度為2.5~4.5μm。
〔附記11〕
如附記8之顯示裝置，其中上述複數個第4電極各者具有複數根第1導電線；上述複數根第1導電線各者俯視下交替於相反方向上彎曲並且全體朝第4方向延伸；且相鄰之上述第1導電線中相互於相反方向上彎曲之部分彼此結合。
〔附記12〕
如附記11之顯示裝置，其中上述複數根第1導電線各者之寬度為2.5~4.5μm。
〔附記13〕
如附記8之顯示裝置，其中上述複數個第4電極各者包含：複數根上述第1導電線，其分別朝上述第3方向延伸，且排列於與上述第3方向交叉之第4方向；及複數根第2根導電線，其分別朝與上述第3方向及上述第4方向兩者交叉之第5方向延伸，且排列於上述第4方向；上述複數根第2導電線各者包含第2金屬層或第2合金層；上述複數根第1導電線與上述複數根第2導電線相互交叉； 上述複數個第4電極各者具有由相互交叉之上述複數根第1導電線與上述複數根第2導電線形成之網格形狀。
〔附記14〕
如附記13之顯示裝置，其中上述複數根第1導電線及上述複數根第2導電線各者之寬度為2.5~4.5μm。
〔附記15〕
一種顯示裝置，其包含：基板；複數個像素，其排列於上述基板之第1主表面側之第1區域；複數個第1電極，其分別設置於上述複數個像素各者之內部；第2電極，其設置為俯視下與上述複數個第1電極重合；第3電極，其於上述第1區域，與上述第2電極隔開設置；及複數個第4電極，其設置為俯視下分別與上述第3電極重合；藉由對上述複數個第1電極各者與上述第2電極之間施加電壓而顯示圖像；基於上述第3電極與上述複數個第4電極各者之間之靜電電容，而檢測輸入位置；上述複數個第4電極各者包含第1金屬層或第1合金層；且上述複數個像素中俯視下與上述複數個第4電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於複數個像素之面積總和之比為1~22%。
〔附記16〕
如附記1、附記8或附記15之顯示裝置，其中上述複數個第4電極各者對可見光具遮光性。
〔附記17〕
如附記1、附記8或附記15之顯示裝置，其中上述第1電極係像素電極； 上述第2電極係共通電極；上述第4電極係輸出用於檢測上述輸入位置之檢測信號之檢測電極；且對上述第3電極輸入用於測定上述第3電極與上述檢測電極之間之靜電電容之驅動信號。
〔附記18〕
如附記2或附記8之顯示裝置，其中上述第1方向上之上述複數個像素之排列間隔小於上述第2方向上之上述複數個像素之排列間隔；且上述第1方向上之上述複數個像素之排列間隔為45~180μm。
〔附記19〕
如附記8之顯示裝置，其中上述第1方向上之上述複數個像素之排列間隔小於上述第2方向上之上述複數個像素之排列間隔；上述第1方向上之上述複數個像素之排列間隔為45~180μm；且相鄰之上述第1導電線彼此之間隔為50~200μm。
〔附記20〕
如附記1、附記8或附記15之顯示裝置，其中於上述第4電極之表面或上述第4電極上形成有低反射層，該低反射層對可見光具有較上述第4電極對可見光之反射率更低之反射率。
〔附記21〕
如附記1之顯示裝置，其中上述第3電極於上述第1區域，設置為俯視下不與上述複數個第1電極中之任一者重合。
〔附記22〕
如附記21之顯示裝置，其中上述第3電極與上述第2電極電性連接；且複數個第4電極係設置為俯視下與上述第2電極重合。
〔附記23〕
如附記1之顯示裝置，其中上述複數個像素俯視下係沿第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列；上述第3電極具有俯視下分別朝上述第1方向延伸，且排列於上述第2方向之複數個第6電極；上述複數個第4電極各者具有包含上述第1金屬層或上述第1合金層之第1導電線；上述第1導電線包含：複數個第1延伸部，其俯視下相對於第3方向，分別朝與上述第3方向交叉之第4方向之第1側傾斜延伸；及複數個第2延伸部，其俯視下相對於上述第3方向，分別朝上述第4方向之上述第1側之相反側傾斜延伸；上述第1延伸部與上述第2延伸部係沿上述第3方向交替排列；上述第3方向上相鄰之上述第1延伸部及上述第2延伸部之端部彼此結合；上述第5電極包含：複數個第3延伸部，其俯視下相對於上述第3方向，分別朝上述第4方向之上述第1側傾斜延伸；及複數個第4延伸部，其俯視下相對於上述第3方向，分別朝上述第4方向之上述第1側之相反側傾斜延伸。
〔附記24〕
如附記1之顯示裝置，其中 上述複數個像素俯視下係沿第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列；上述第3電極具有俯視下分別朝上述第1方向延伸，且排列於上述第2方向之複數個第6電極；上述複數個第4電極各者包含：包含上述第1金屬層或上述第1合金層之第1導電線；及包含第3電極層或第3合金層之第2導電線；上述第1導電線包含：複數個第1彎曲部，其俯視下分別於相對於第3方向朝與上述第3方向交叉之第4方向之第1側傾斜之方向上彎曲；及複數個第2彎曲部，其俯視下分別於相對於上述第3方向朝上述第4方向之上述第1側之相反側傾斜之方向上彎曲；上述第2導電線包含：複數個第3彎曲部，其俯視下分別於相對於上述第3方向朝上述第4方向之上述第1側之相反側傾斜之方向上彎曲；及複數個第4彎曲部，其俯視下分別於相對於上述第3方向朝上述第4方向之上述第1側傾斜之方向上彎曲；上述第1彎曲部與上述第2彎曲部係沿上述第3方向交替配置；上述第3彎曲部與上述第4彎曲部係沿上述第3方向交替配置；上述第2導電線之上述複數個第3彎曲部係與上述第1導電線之上述複數個第1彎曲部各者分別結合；上述第5電極包含：複數個第1延伸部，其俯視下相對於上述第3方向分別朝上述第4方向之上述第1側傾斜延伸；及複數個第2延伸部，其俯視下相對於上述第3方向分別朝上述第4方向之上述第1側之相反側傾斜延伸。
〔附記25〕
一種電子機器，其包含附記1、附記8或附記15之顯示裝置。
[產業上之可利用性]
本發明可有效應用於顯示裝置。
32B‧‧‧顏色區域
32G‧‧‧顏色區域
32R‧‧‧顏色區域
Ad‧‧‧顯示區域
D1‧‧‧方向
D2‧‧‧方向
DL‧‧‧導電線
DP1‧‧‧排列間隔
DP2‧‧‧排列間隔
EX3‧‧‧延伸部
EX4‧‧‧延伸部
GCL‧‧‧掃描線
ML‧‧‧導電線
Pix‧‧‧像素
SGL‧‧‧信號線
SPix‧‧‧次像素
TDD‧‧‧虛設電極
TDL‧‧‧檢測電極

Claims (23)

  1. 一種顯示裝置，其包含：基板；複數個像素，其排列於上述基板之第1主表面側之第1區域；複數個第1電極，其分別設置於上述複數個像素各者之內部；第2電極，其設置為俯視下與上述複數個第1電極重合；複數個第3電極，其以俯視下分別與上述第2電極重合之方式相互空出間隔地設置；及第4電極，其於上述第1區域，與上述複數個第3電極中之任一者隔開而設；藉由對上述複數個第1電極各者與上述第2電極之間施加電壓而顯示圖像；基於上述第2電極與上述複數個第3電極各者之間之靜電電容，而檢測輸入位置；上述複數個第3電極各者包含第1金屬層或第1合金層；上述第4電極包含第2金屬層或第2合金層；且上述複數個像素中俯視下與上述複數個第3電極及上述第4電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於上述複數個像素之面積總和之比為1~22%。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中上述複數個像素係於上述第1區域，於第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列；上述複數個第3電極各者具有包含上述第1金屬層或上述第1合金層之第1導電線；且上述第1導電線俯視下係交替於相反方向上彎曲並且全體朝第 3方向延伸。
  3. 如請求項2之顯示裝置，其中上述複數個像素中俯視下與上述複數個第3電極及上述第4電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於上述複數個像素之面積總和之比為1~11%。
  4. 如請求項1之顯示裝置，其中上述複數個像素係於上述第1區域，沿第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列；上述複數個第3電極各者具有複數根第1導電線；上述複數根第1導電線各者包含上述第1金屬層或上述第1合金層，且俯視下交替地於相反方向上彎曲並且全體朝第3方向延伸；且相鄰之上述第1導電線中相互於相反方向上彎曲之部分彼此結合。
  5. 如請求項4之顯示裝置，其中上述複數個像素中俯視下與上述複數個第3電極及上述第4電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於上述複數個像素之面積總和之比為2~22%。
  6. 如請求項1之顯示裝置，其中上述複數個像素係於上述第1區域，沿第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列；上述複數個第3電極各者包含複數根第1導電線，其分別朝第3方向延伸，且沿與上述第3方向交叉之第4方向排列；及複數根第2導電線，其分別朝與上述第3方向及上述第4方向兩者交叉之第5方向延伸，且排列於上述第4方向；上述複數根第1導電線各者包含上述第1金屬層或上述第1合金層； 上述複數根第2導電線各者包含第3金屬層或第3合金層；上述複數根第1導電線與上述複數根第2導電線相互交叉；且上述複數個第3電極各者具有由相互交叉之上述複數根第1導電線與上述複數根第2導電線形成之網格形狀。
  7. 如請求項6之顯示裝置，其中上述複數個像素中俯視下與上述複數個第3電極及上述第4電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於上述複數個像素之面積總和之比為2~22%。
  8. 一種顯示裝置，其包含：基板；複數個像素，其係於上述基板之第1主表面側之第1區域，沿第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列；複數個第1電極，其分別設置於上述複數個像素各者之內部；第2電極，其設置為俯視下與上述複數個第1電極重合；及複數個第3電極，其以俯視下分別與上述第2電極重合之方式相互空出間隔地設置；藉由對上述複數個第1電極各者與上述第2電極之間施加電壓而顯示圖像；基於上述第2電極與上述複數個第3電極各者之間之靜電電容，而檢測輸入位置；上述複數個第3電極各者具有包含第1金屬層或第1合金層之第1導電線；上述第1導電線具有俯視下朝與上述第1方向及上述第2方向兩者交叉之第3方向延伸之部分；且上述第1導電線之寬度為2~7μm。
  9. 如請求項8之顯示裝置，其中上述第1導電線俯視下交替地於相反方向上彎曲並且全體朝第4方向延伸。
  10. 如請求項9中之顯示裝置，其中上述第1導電線之寬度為2.5~4.5μm。
  11. 如請求項8之顯示裝置，其中上述複數個第3電極各者具有複數根上述第1導電線；上述複數根第1導電線各者俯視下交替地於相反方向上彎曲並且全體朝第4方向延伸；且相鄰之上述第1導電線中相互於相反方向上彎曲之部分彼此結合。
  12. 如請求項11之顯示裝置，其中上述複數根第1導電線各者之寬度為2.5~4.5μm。
  13. 如請求項8之顯示裝置，其中上述複數個第3電極各者包含複數根上述第1導電線，其分別朝上述第3方向延伸，且排列於與上述第3方向交叉之第4方向；複數根第2根導電線，其分別朝與上述第3方向及上述第4方向兩者交叉之第5方向延伸，且排列於上述第4方向；上述複數根第2導電線各者包含第2金屬層或第2合金層；上述複數根第1導電線與上述複數根第2導電線彼此交叉；上述複數根第3導電線各者具有由相互交叉之上述複數根第1導電線與上述複數根第2導電線形成之網格形狀。
  14. 如請求項13之顯示裝置，其中上述複數根第1導電線及上述複數根第2導電線各者之寬度為2.5~4.5μm。
  15. 一種顯示裝置，其包含基板；複數個像素，其排列於上述基板之第1主表面側之第1區域；複數個第1電極，其分別設置於上述複數個像素各者之內部；第2電極，其設置為俯視下與上述複數個第1電極重合；及 複數個第3電極，其設置為俯視下分別與上述第2電極重合；藉由對上述複數個第1電極各者與上述第2電極之間施加電壓而顯示圖像；基於上述第2電極與上述複數個第3電極各者之間之靜電電容，而檢測輸入位置；上述複數個第3電極各者包含第1金屬層或第1合金層；且上述複數個像素中俯視下與上述複數個第3電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於上述複數個像素之面積總和之比為1~22%。
  16. 如請求項1、8或15之顯示裝置，其中上述複數個第3電極各者對可見光具有遮光性。
  17. 如請求項1、8或15之顯示裝置，其中上述第1電極係像素電極；上述第2電極係共通電極；上述第3電極係輸出用於檢測上述輸入位置之檢測信號之檢測電極；且對上述共通電極輸入用於測定上述共通電極與上述檢測電極之間之靜電電容之驅動信號。
  18. 如請求項2或8之顯示裝置，其中上述第1方向上之上述複數個像素之排列間隔小於上述第2方向上之上述複數個像素之排列間隔；且上述第1方向上之上述複數個像素之排列間隔為45~180μm。
  19. 如請求項8之顯示裝置，其中上述第1方向上之上述複數個像素之排列間隔小於上述第2方向上之上複數個像素之排列間隔；上述第1方向上之上述複數個像素之排列間隔為45~180μm；且 相鄰之上述第1導電線彼此之間隔為50~200μm。
  20. 如請求項1、8或15之顯示裝置，其中：於上述第3電極之表面或上述第3電極上形成有低反射層，該低反射層對可見光具有較上述第3電極對可見光之反射率更低之反射率。
  21. 一種顯示裝置，其包含：基板；複數個像素，其排列於上述基板之第1主表面側之第1區域；複數個第1電極，其分別設置於上述複數個像素各者之內部；第2電極，其設置為俯視下與上述複數個第1電極重合；複數個第3電極，其以俯視下分別與上述第2電極重合之方式相互空出間隔地設置；及第4電極，其於上述第1區域，與上述複數個第3電極中之任一者隔開而設；藉由對上述複數個第1電極各者與上述第2電極之間施加電壓而顯示圖像；基於上述複數個第3電極各者之間之靜電電容而檢測輸入位置；上述複數個第3電極各者包含第1金屬層或第1合金層；上述第4電極包含第2金屬層或第2合金層；且上述複數個像素中俯視下與上述複數個第3電極及上述第4電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於上述複數個像素之面積總和之比為1~22%。
  22. 一種顯示裝置，其包含：基板；複數個像素，其係於上述基板之第1主表面側之第1區域，沿第1方向及與上述第1方向交叉之第2方向矩陣狀排列； 複數個第1電極，其分別設置於上述複數個像素各者之內部；第2電極，其設置為俯視下與上述複數個第1電極重合；及複數個第3電極，其以俯視下分別與上述第2電極重合之方式相互空出間隔地設置；藉由對上述複數個第1電極各者與上述第2電極之間施加電壓而顯示圖像；基於上述複數個第3電極各者之靜電電容而檢測輸入位置；上述複數個第3電極各者具有包含第1金屬層或第1合金層之第1導電線；上述第1導電線具有俯視下朝與上述第1方向及上述第2方向兩者交叉之第3方向延伸之部分；且上述第1導電線之寬度為2~7μm
  23. 一種顯示裝置，其包含：基板；複數個像素，其排列於上述基板之第1主表面側之第1區域；複數個第1電極，其分別設置於上述複數個像素各者之內部；第2電極，其設置為俯視下與上述複數個第1電極重合；複數個第3電極，其設置為俯視下分別與上述第2電極重合；藉由對上述複數個第1電極各者與上述第2電極之間施加電壓而顯示圖像；基於上述複數個第3電極各者之靜電電容而檢測輸入位置；上述複數個第3電極各者包含第1金屬層或第1合金層；且上述複數個像素中俯視下與上述複數個第3電極中之任一者重合之部分之面積總和相對於上述複數個像素之面積總和之比為1~22%。
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