TWI582126B - 製造電容器之方法、電容器、該電容器之用途、反應溶液及電子電路 - Google Patents

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Description

製造電容器之方法、電容器、該電容器之用途、反應溶液及電子電路
本發明係關於一種製造電容器之方法，可藉由此方法獲得之電容器，電容器、反應溶液、電子電路，及電容器之用途。
市售電解電容器通常由以下構成：多孔金屬電極、金屬表面上充當介電質之氧化物層、引入多孔結構中之導電材料(通常為固體)、外電極(接觸)(諸如銀層)及其他電接觸及封裝。常用電解電容器為鉭電解電容器，其陽極電極由閥金屬鉭製成，在閥金屬鉭上藉由陽極氧化產生均一的五氧化二鉭介電層(亦稱為「堅固化(firming)」)。液體或固體電解質形成電容器之陰極。此外，常使用鋁電容器，其中陽極電極由閥金屬鋁製成，在閥金屬鋁上藉由陽極氧化產生均一的電絕緣氧化鋁層作為介電質。此處，液體電解質或固體電解質亦形成電容器之陰極。鋁電容器通常建構為捲繞型或堆疊型電容器。
π-共軛聚合物由於其高電導性而尤其適用作上述電容器中之固體電解質。π-共軛聚合物亦稱為導電聚合物或合成金屬。其經濟重要性日益增加，因為聚合物在可加工性、重量及藉由化學修飾靶向調節特性方面比金屬有優勢。已知π-共軛聚合物之實例為聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚乙炔、聚伸苯基及聚(對伸苯基-伸乙烯基)，工業上使用之尤其重要的聚噻吩為聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)(PEDOT)，因為其氧化形式具有極高電導性。
基於導電聚合物之固體電解質可以多種方式塗覆至氧化物層。因此，EP-A-0 340 512描述例如自3,4-伸乙二氧基噻吩製造固體電解質及固體電解質在電解電容器中之用途。根據此公開案之教示，3,4-伸乙二氧基噻吩原位聚合至氧化物層上。除上述原位聚合反應以外，由先前技術亦已知製造電容器中之固體電解質的方法，其中將由先前技術已知之包含已聚合噻吩之分散液(例如PEDOT/PSS分散液)塗覆至氧化物層隨後藉由蒸發移除分散劑。
電容器之重要特性尤其為其低溫特性及其使用期限。電容器之「低溫特性(Low temperature property)」應理解為意謂在低溫下、尤其在低至-40℃以下之溫度下對其電學特徵值(諸如電容、等效串聯電阻、擊穿電壓或殘餘電流)之影響，但尤其是對等效串聯電阻之影響。電容器之「使用期限(life)」應理解為意謂在高溫下、尤其在120℃之溫度下儲存數天後、尤其在儲存500小時後對其電學特徵值之影響、尤其是對等效串聯電阻之影響。
由先前技術(例如EP-A-0 340 512)已知且藉由原位聚合反應製造的固體電解質電容器的特徵為相較於由先前技術已知之液體電解質電容器具有低等效串聯電阻及穩定低溫特性，但此等固體電解質電容器之使用期限通常仍不足。因此，需要展示改良的使用期限同時具有低等效串聯電阻及穩定低溫特性之電容器。
本發明係基於克服先前技術中關於電容器、尤其關於固體電解質電容器、極尤其較佳關於由先前技術已知之鋁電容器的缺點的目的。
詳言之，本發明係基於提供製造電容器之方法的目的，藉助於該方法可較佳地藉由在製造固體電解質層中使用原位聚合反應提供具有低等效串聯電阻且展示足夠使用期限與足夠低溫特性的電容器。
此外，製造上述有利電容器之方法應具有如下特性：其可實現以最簡單可能方式製造此等電容器，尤其在方法步驟儘可能少的情況下。
詳言之，藉由如下製造電容器之方法來達成上述目的，該方法包含以下方法步驟：a)提供電極材料之電極主體，其中介電質至少部分地覆蓋此電極材料之一個表面從而形成陽極主體；b)在至少一種氧化劑及至少一種以結構式(I)為特徵之聚合物存在下，使陽極主體之至少一部分中的至少一種噻吩單體發生原位聚合反應
其中-n為3之整數；-結構式(I)內之基團R2可相同或不同且表示視情況含有羥基或聚醚基之伸烷基；-結構式(I)內之基團R1可相同或不同且表示氫原子、C1-C10烷基、不飽和C1-C10伸烷基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基，其中至少一個基團R1表示C1-C10烷基、不飽和C1-C10伸烷基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基；其中使用包含至少一種噻吩單體、至少一種具有結構式(I)之聚合物、至少一種氧化劑及視情況存在之一或多種添加劑的反應溶液進行原位聚合反應，該反應溶液所包含的具有結構式(I)之聚合物的濃度為至少1 wt.%、尤其較佳為至少5 wt.%、更佳為至少10 wt.%且最佳為至少14 wt.%，在各種情況下均以反應溶液之總重量計。
在方法步驟a)中，首先提供電極材料之電極主體，其中介電質至少部分地覆蓋此電極材料之一個表面從而形成陽極主體。
原則上，電極主體可藉由壓製高表面積之閥金屬粉末及將其燒結得到通常多孔的電極主體來製造。通常亦將較佳由閥金屬(諸如鉭)製成之電接觸線壓製成此處之電極主體。隨後例如藉由電化學氧化反應使電極主體塗有介電質(亦即氧化物層)。或者，亦可蝕刻金屬箔且藉由電化學氧化反應使金屬箔塗有介電質，以獲得具有多孔區域之陽極箔。在捲繞電容器中，形成電極主體之具有多孔區域之陽極箔與陰極箔由分隔件隔開且捲繞。
在本發明之情形中，閥金屬應理解為意謂氧化物層不能實現兩個方向上相等之電流之金屬。在陽極施加的電壓之情況下，閥金屬之氧化物層阻斷電流，而在陰極施加的電壓之情況下，產生大電流，其可毀壞氧化物層。閥金屬包括Be、Mg、Al、Ge、Si、Sn、Sb、Bi、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta及W以及至少一種此等金屬與其他元素之合金或化合物。閥金屬之熟知代表為Al、Ta及Nb。電學特性與閥金屬相當之化合物為具有金屬導電性、可氧化且其氧化物層具有上述特性的化合物。舉例而言，NbO具有金屬導電性，但一般不被視為閥金屬。然而，經氧化NbO層具有閥金屬氧化物層之典型特性，因此NbO或NbO與其他元素之合金或化合物為電學特性與閥金屬相當之該等化合物的典型實例。鉭、鋁之電極材料及基於鈮或氧化鈮之彼等電極材料為較佳。鋁作為電極材料尤其較佳。
為製造通常具有多孔區域之電極主體，可燒結例如粉末形式之閥金屬從而得到通常多孔的電極主體，或在金屬主體上壓印多孔結構。後者可例如藉由蝕刻箔來進行。
為簡單起見，具有多孔區域之主體在下文中亦稱為多孔主體。因此，舉例而言，具有多孔區域之電極主體亦稱為多孔電極主體。一 方面，多孔主體可由複數個通道穿透，因此為海綿狀。在使用鉭建構電容器時通常為此情況。此外，有可能僅表面具有孔隙且表面孔隙下區域之結構為實心的。在使用鋁建構電容器時通常觀察到該情形。電極主體較佳為多孔主體。
隨後例如在適合電解質(諸如磷酸或己二酸銨水溶液)中藉由施加電壓使以此方式製造之通常多孔的電極主體氧化，以形成介電質。此形成電壓(forming voltage)之位準取決於欲達成之氧化物層厚度或電容器隨後使用之電壓。較佳形成電壓在1至500 V範圍內，尤其較佳在2至150 V範圍內，極尤其較佳在3至60 V範圍內。
所用通常多孔的電極主體之孔隙率較佳為10至90%，較佳為30至80%，尤其較佳為50至80%，且平均孔徑為10至10,000 nm，較佳為20至5,000 nm，尤其較佳為50至3,000 nm。
根據本發明方法之一第一特定具體實例，欲製造之電解電容器為鋁捲繞電容器。在此情況下，在方法步驟a)中，在陽極形成多孔鋁箔作為電極材料，形成氧化鋁塗層作為介電質。隨後向以此方式獲得之鋁箔(陽極箔)提供接觸線且與同樣提供有接觸線之另一多孔鋁箔(陰極箔)一起捲繞，此兩個箔由一或多個分隔紙彼此間隔，該等分隔紙基於例如纖維素或較佳合成紙。捲繞後，例如藉助於膠帶將以此方式獲得之陽極主體固定。可藉由在烘箱中加熱將分隔紙碳化。此製造用於鋁捲繞電容器之陽極主體之方式由先前技術充分已知且描述於例如US 7,497,879 B2中。
在方法步驟b)中，隨後在陽極主體之至少一部分中使至少一種噻吩單體在至少一種氧化劑及至少一種以上再產生之以結構式(I)為特徵之聚合物存在下進行原位(亦即在陽極主體中)化學氧化聚合反應，獲得基於聚噻吩之固體電解質層。
至少一種噻吩單體較佳為式(II)化合物
其中A表示視情況經取代之C1-C5伸烷基，R彼此獨立地表示H、直鏈或分支鏈視情況經取代之C1-C18烷基、視情況經取代之C5-C12環烷基、視情況經取代之C6-C14芳基、視情況經取代之C7-C18芳烷基、視情況經取代之C1-C4羥基烷基或羥基，x表示0至8之整數，且在若干個基團R鍵結於A之情況下，此等基團R可相同或不同。通式(II)應理解為意謂取代基R可鍵結於伸烷基A x次。
A表示視情況經取代之C2-C3伸烷基且x表示0或1的通式(II)之噻吩單體尤其較佳。可聚合得到聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)之3,4-伸乙二氧基噻吩作為噻吩單體極尤其較佳。
在本發明之情形下，C1-C5伸烷基A較佳為亞甲基、伸乙基、伸正丙基、伸正丁基或伸正戊基。C1-C18烷基R較佳表示直鏈或分支鏈C1-C18烷基，諸如甲基、乙基、正丙基或異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基或第三丁基、正戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1-乙基丙基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十六烷基或正十八烷基，C5-C12環烷基R表示例如環戊基、 環己基、環庚基、環辛基、環壬基或環癸基，C6-C14芳基R表示例如苯基或萘基，且C7-C18芳烷基R表示例如苯甲基、鄰甲苯基、間甲苯基、對甲苯基、2,3-二甲苯基、2,4-二甲苯基、2,5-二甲苯基、2,6-二甲苯基、3,4-二甲苯基、3,5-二甲苯基或均三甲苯基。前述清單用於以實例之方式說明本發明且不應視為定論的。
在本發明之情形下，諸多有機基團為基團A及/或基團R之可能視情況存在之進一步取代基，例如烷基、環烷基、芳基、芳烷基、烷氧基、鹵素、醚基、硫醚基、二硫基、亞碸基、碸基、磺酸酯基、胺基、醛基、酮基、羧酸酯基、羧酸基、碳酸酯基、羧酸酯基、氰基、烷基矽烷基及烷氧基矽烷基及羧醯胺基。
至少一種噻吩單體之原位聚合反應藉由使用適合氧化劑實施。出於實際原因，易於處理之廉價氧化劑為較佳，例如鐵-III鹽(諸如FeCl3、Fe(ClO4)3)，及有機酸及含有有機基團之無機酸的鐵-III鹽，及另外的H2O2、K2Cr2O7、鹼金屬及過硫酸銨、鹼金屬過硼酸鹽、高錳酸鉀及銅鹽(諸如四氟硼酸銅)。使用過硫酸鹽以及有機酸及含有有機基團之無機酸的鐵-III鹽具有較大使用優勢，即其不具有腐蝕作用。可提及之含有有機基團之無機酸的鐵-III鹽為例如C1-C20烷醇之硫酸半酯的鐵-III鹽，例如硫酸月桂酯之Fe-III鹽。可提及之有機酸之鐵-III鹽為例如以下各者之Fe-III鹽：C1-C20烷基磺酸，諸如甲烷磺酸及十二烷磺酸；脂族C1-C20羧酸，諸如2-乙基己基甲酸；脂族全氟羧酸，諸如三氟乙酸及全氟辛酸；脂族二羧酸，諸如草酸；及尤其視情況經C1-C20烷基取代之芳族磺酸(諸如苯磺酸、對甲苯磺酸及十二烷基苯磺酸)。根據本發明極尤其較佳之氧化劑為甲苯磺酸鐵(III)，其可例如以乙醇或丁醇溶液之形式以如下產品名稱自Heraeus Precious Metals股份有限公司獲得：CleviosTM C-B 40 V2、CleviosTM C-B 55 V2、CleviosTM C-B 40 V2高Fe、CleviosTM C-E、CleviosTM C-E 60、CleviosTM C-E 60高Fe、CleviosTM C-ER 31及CleviosTM C-ER 60(在此情形下，產品名稱中之字母「B」表明該產品為丁醇溶液，而字母「E」表示乙醇溶液)。
較佳使用之具有結構式(I)之聚合物為凝固點(SP III)50℃、較佳40℃且更佳30℃的聚合物。
在結構式(I)中，R1表示氫原子、C1-C10烷基、不飽和C1-C10伸烷基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基，其中至少一個基團R1表示C1-C10烷基、不飽和C1-C10伸烷基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基。因此，具有結構式(I)之聚合物為寡烷二醇或聚烷二醇單醚(一個基團R1為C1-C10烷基或不飽和C1-C10伸烷基且另一基團R1為氫原子)、寡烷二醇或聚烷二醇二醚(兩個基團R1均為C1-C10烷基或不飽和C1-C10伸烷基)、寡烷二醇或聚烷二醇單酯(一個基團R1為丙烯醯基或甲基丙烯醯基且另一基團R1為氫原子)、寡烷二醇或聚烷二醇二酯(兩個基團R1均為丙烯醯基或甲基丙烯醯基)或聚烷二醇醚酯(一個基團R1為丙烯醯基或甲基丙烯醯基且另一基團R1為C1-C10烷基或不飽和C1-C10伸烷基)、寡烷二醇或聚烷二醇單醚，尤其一個基團R1為C1-C10烷基之寡烷二醇或聚烷二醇單烷醚極尤其較佳。
更佳使用之具有結構式(I)之聚合物為基團R2表示選自由-CH2-CH2-、CHCH3-CH2-或-CH2-CHOH-CH2-組成之群之基團的聚合物。因此，聚合物尤其較佳為寡乙二醇或聚乙二醇衍生物、寡丙二醇或聚丙二醇衍生物(視情況以及基於乙二醇與丙二醇之共聚物的衍生物，其中此等共聚物中之乙二醇單元及丙二醇單元可以無規分佈或嵌段形式排列)或寡甘油或聚甘油衍生物(其中在聚甘油之情況下，另一聚甘油基團可經由另一醚官能基鍵結於甘油單體單元之中間OH基團(分支鏈聚甘油))。就此而言，術語「衍生物(derivative)」應理解為意謂上述單醚、二醚、單酯、二酯或醚酯。
根據本發明，「寡烷二醇衍生物(oligoalkylene glycol derivative)」較佳應理解為意謂包含3至6個伸烷基單元(例如伸乙基及/或伸丙基單元)的化合物，而「聚烷二醇衍生物(polyalkylene glycol derivative)」較佳應理解為意謂包含多於6個伸烷基單元(較佳伸乙基及/或伸丙基單元)的化合物。
根據本發明，更佳使用如下彼等聚合物作為具有結構式(I)之聚合物，其中至少一個基團R1表示CH3、-(CH2)mCH3(其中m=1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12)、-CH2-CH=CH2、-CH-CH2、-CO-CH=CH2或-CO-C(CH3)=CH2。
根據本發明方法之一特定具體實例，較佳使用之具有結構式(I)之聚合物為寡烷二醇或聚烷二醇單烷醚或寡烷二醇或聚烷二醇二烷醚，但極尤其較佳為寡烷二醇或聚烷二醇單烷醚。在此等寡烷二醇或聚烷二醇單烷醚或寡烷二醇或聚烷二醇二烷醚中，尤其較佳為聚乙二醇單烷醚或聚乙二醇二烷醚，尤其聚乙二醇單烷醚、聚丙二醇單烷醚或聚丙二醇二烷醚，尤其聚丙二醇單烷醚、聚(共-伸乙基-伸丙基)單烷醚或聚(共-伸乙基-伸丙基)二烷醚，尤其聚(共-伸乙基-伸丙基)單烷醚或此等化合物中之至少兩者的混合物，具有結構式(I)之聚合物、尤其上述聚烷二醇單烷醚或聚烷二醇二烷醚較佳具有在100至10,000 g/mol範圍內、尤其較佳在250至2,500 g/mol範圍內的分子量。就此而言，聚烷二醇單甲醚或聚烷二醇二甲醚、尤其聚烷二醇單甲醚、聚烷二醇單乙醚或聚烷二醇二乙醚、尤其聚烷二醇單乙醚、聚烷二醇單丙醚或聚烷二醇二丙醚、尤其聚烷二醇單丙醚及聚烷二醇單丁醚或聚烷二醇二丁醚、尤其聚烷二醇單丁醚更佳。
用於本發明方法之具有結構式(I)之聚合物的沸點較佳150℃、更佳175℃、更佳200℃、更佳225℃、更佳250℃。若具有結構式(I)之聚合物無沸點而是經加熱即分解，則用於本發明方法之具有結構式(I)之聚合物在空氣中的分解點150℃、更佳175℃、更佳200℃、更 佳225℃、更佳250℃。若具有結構式(I)之聚合物為具有結構式(I)之至少兩種不同聚合物的混合物，則此等聚合物中之至少一者的沸點或分解點高於上述溫度即為足夠的。
在本發明方法中，更佳使用具有結構式(I)之聚合物：噻吩單體之重量比為至少0.1：1、尤其較佳為至少0.25：1且更佳為至少0.5：1的具有結構式(I)之聚合物與噻吩單體，重量比可例如在0.1：1至20：1、0.25：1至15：1或0.5：1至10：1範圍內。
根據本發明方法之一較佳具體實例，用於原位聚合反應之反應溶液另外包含分子量在100至2,000 g/mol範圍內之聚烷二醇(亦即兩個基團R1均表示氫原子且R2表示伸烷基之結構式(I)化合物)、極尤其較佳分子量在100至2,000 g/mol範圍內之聚乙二醇、聚丙二醇或聚(共-伸乙基-伸丙基)二醇。就此而言，反應溶液所包含的具有結構式(I)之聚合物與聚烷二醇之重量比更佳在1：10至10：1範圍內，尤其較佳在1：4至4：1範圍內，更佳在1：3至3：1範圍內且最佳在1：2至2：1範圍內。
在噻吩單體聚合時，除氧化劑、具有結構式(I)之聚合物及視情況存在之聚烷二醇以外，不同於噻吩單體、氧化劑、具有結構式(I)之聚合物及聚烷二醇之其他添加劑可另外存在。
可能之添加劑尤其為例如可溶解或分散氧化劑之溶劑。較佳溶劑為脂族醇，諸如甲醇、乙醇、異丙醇及正丁醇；脂族酮，諸如丙酮及甲基乙基酮；脂族羧酸酯，諸如乙酸乙酯及乙酸丁酯；芳族烴，諸如甲苯及二甲苯；脂族烴，諸如己烷、庚烷及環己烷；氯代烴，諸如二氯甲烷及二氯乙烷；脂族腈，諸如乙腈；脂族亞碸及碸，諸如二甲亞碸及環丁碸；脂族羧酸醯胺，諸如甲基乙醯胺及二甲基甲醯胺；脂族及芳脂族醚，諸如乙醚及苯甲醚。另外，水或水與上述有機溶劑之混合物亦可用作溶劑。若使用氧化劑(例如上述來自Heraeus Precious Metals股份有限公司之氧化劑) 之乙醇或丁醇溶液，則例如在聚合期間存在的醇、尤其乙醇或正丁醇作為溶劑尤其較佳。
可能之添加劑另外為黏合劑，諸如可溶於有機溶劑中之聚乙酸乙烯酯、聚碳酸酯、聚丁酸乙烯酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、聚氯乙烯、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚酯、聚矽氧及吡咯/丙烯酸酯、乙酸乙烯酯/丙烯酸酯及乙烯/乙酸乙烯酯共聚物。水溶性黏合劑(諸如聚乙烯醇)亦可用作增稠劑。
陽極主體之至少一部分中的噻吩單體在氧化劑及具有通用結構式(I)之聚合物存在下且視情況在一或多種上述添加劑存在下進行的原位聚合反應藉由如下程序進行：其中將組分引入陽極主體之至少一部分中(多孔區域中)，隨後使噻吩單體聚合，該聚合在20至300℃範圍內、尤其較佳在23℃至250℃範圍內之溫度下進行1分鐘至12小時範圍內、尤其較佳在15分鐘至10小時範圍內之時段。
向陽極主體之至少一部分中引入組分(噻吩單體、氧化劑、結構式(I)之聚合物、視情況存在之聚烷二醇及視情況存在之其他添加劑)可以多種方式進行。因此，根據本發明方法之一個具體實例，將所有組分一起以包含所有組分之單一溶液或分散液之形式引入陽極主體之至少一部分中。然而，亦可設想彼此獨立地引入噻吩單體及氧化劑。因此，舉例而言，氧化劑可與具有結構式(I)之聚合物、視情況存在之聚烷二醇及視情況存在之其他添加劑一起以溶液或分散液之形式引入，隨後(或預先)噻吩單體可與此獨立地以可視情況包含其他添加劑之溶液或分散液之形式引入。然而，若分別添加噻吩單體與氧化劑，則噻吩單體較佳與結構式(I)之聚合物、視情況存在之聚烷二醇及視情況存在之其他添加劑一起以溶液或分散液之形式引入，隨後(或預先)氧化劑與此獨立地以可視情況包含其他添加劑之溶液或分散液之形式引入。
向多孔區域中引入組分(分別或一起)可藉由已知方法進行，例如浸漬、浸泡、傾倒、滴加、噴灑、噴霧、刮刀塗佈、刷塗或印刷(例如噴墨印刷、網版印刷或移動印刷)。引入較佳藉由如下程序進行，其中將方法步驟a)中所提供之陽極主體浸泡於包含所有組分(噻吩單體、氧化劑、結構式(I)之聚合物、視情況存在之聚烷二醇及視情況存在之其他添加劑)或一些組分(在如上所述依序添加之情況下)之溶液或分散液中，且因此經該等組分或一些組分浸漬。浸泡或浸漬較佳進行在1秒至120分鐘範圍內、尤其較佳在10秒至60分鐘範圍內且最佳在30秒至15分鐘範圍內之時段。向陽極主體中引入組分或一些組分可例如藉由提高或降低壓力、振動、超音波或加熱來促進。
聚合後電解質沈積於介電層上後，可以熟習此項技術者已知之方式修整電解電容器。在鉭電解電容器之情況下，電容器主體可例如用石墨層及銀層覆蓋，如由DE-A-10 2005 043 828已知，而在鋁捲繞電容器之情況下，根據US 7,497,879 B2之教示，將電容器主體併入具有密封檢驗用玻璃之鋁燒杯中且藉由壓接以機械方式堅固密封。電容器可隨後以已知方式藉由老化去除介電質中之缺陷。
亦藉由可藉由本發明方法獲得之電容器來達成上述目的。
亦藉由如下電容器達成上述目的，其包含電極材料之電極主體，其中介電質至少部分地覆蓋此電極材料之一個表面從而形成陽極主體；及包含聚噻吩及具有如上文所定義之結構式(I)之聚合物的固體電解質層，其中擊穿電壓大於形成電壓之50%、較佳大於60%、更佳大於70%且最佳大於80%。若例如形成電壓為36 V，則擊穿電壓為至少18 V(50%)、較佳為至少21.6 V(60%)、更佳為至少25.2 V(70%)且最佳為至少28.8 V(80%)。
作為電極材料之電極主體，介電質、聚噻吩及具有結構式(I) 之聚合物，已描述為本發明方法之較佳具體實例的彼等電極主體、介電質、聚噻吩及具有結構式(I)之聚合物為較佳。
根據本發明電容器之一較佳具體實例，固體電解質層包含小於10 wt.-%、較佳小於1 wt.-%且最佳小於0.1 wt.-%(在各種情況下均以固體電解質層之總重量計)聚合陰離子、尤其聚苯乙烯磺酸，其中固體電解質層尤其較佳實質上不含聚合陰離子，尤其實質上不含聚苯乙烯磺酸。另外，固體電解質層中之聚噻吩較佳不以聚噻吩/聚陰離子複合物形式存在。
亦藉由如下反應溶液達成上述目的，其包含(γ1)至少一種噻吩單體；(γ2)至少一種氧化劑；(γ3)至少一種以結構式(I)為特徵之聚合物
其中-n為3之整數；-結構式(I)內之基團R2可相同或不同且表示視情況含有羥基或聚醚基之伸烷基；-結構式(I)內之基團R1可相同或不同且表示氫原子、C1-C10烷基、不飽和C1-C10伸烷基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基，其中至少一個基團R1表示C1-C10烷基、不飽和C1-C10伸烷基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基，(γ4)視情況存在之一或多種不同於組分(γ1)至(γ3)之添加劑，其中組分(γ1)至(γ4)之總和為100 wt.%，且反應溶液包含的具有結構式(I)之聚合物(γ3)的濃度為至少1 wt.%、尤其較佳至少5 wt.%、更佳至少10 wt.%且最佳至少14 wt.%，在各種情況下均以反應溶液之總重量 計。
此反應溶液尤其適用於藉由EP-A-0 340 512中所述之原位聚合方法製造電解電容器。
較佳噻吩單體(γ1)、氧化劑(γ2)、具有結構式(I)之聚合物(γ3)及添加劑(γ4)亦為上文作為本發明方法之較佳噻吩單體、氧化劑、具有結構式(I)之聚合物及添加劑提及的彼等化合物或組分。
根據本發明，組分(γ3)與組分(γ1)之重量比至少為0.1：1，尤其較佳為0.25：1且更佳為至少0.5：1，重量比可例如在0.1：1至20：1、0.25：1至15：1或0.5：1至10：1範圍內。
根據本發明，反應溶液中組分(γ1)之濃度更佳在1至30 wt.%範圍內，尤其較佳在1.5至20 wt.%範圍內且最佳在2.5至15 wt.%範圍內，在各種情況下均以反應溶液之總重量計。
根據本發明，反應溶液中組分(γ2)之濃度更佳在10至60 wt.%範圍內，尤其較佳在15至55 wt.%範圍內且最佳在20至50 wt.%範圍內，在各種情況下均以反應溶液之總重量計。
根據本發明，反應溶液中組分(γ3)之濃度更佳在1至50 wt.%範圍內，尤其較佳在3至30 wt.%範圍內且最佳在5至20 wt.%範圍內，在各種情況下均以反應溶液之總重量計。
根據本發明，反應溶液中組分(γ4)之濃度更佳在1至70 wt.%範圍內，尤其較佳在5至60 wt.%範圍內且最佳在10至50 wt.%範圍內，在各種情況下均以反應溶液之總重量計。
根據本發明反應溶液之一特定具體實例，其包含分子量在100至2,000 g/mol範圍內之聚烷二醇(亦即兩個基團R1均表示氫原子且R2表示伸烷基之結構式(I)之化合物)、極尤其較佳分子量在100至2,000 g/mol範圍內之聚乙二醇、聚丙二醇或聚(共-伸乙基-伸丙基)二醇作為其他組分 (γ 5)。就此而言，反應溶液包含的具有結構式(I)之聚合物與聚烷二醇之重量比更佳在1：10至10：1範圍內，較佳在1：4至4：1範圍內，尤其較佳在1：3至3：1範圍內且最佳在1：2至2：1範圍內。
根據本發明組成物之一極尤其較佳具體實例，其包含(γ 1)5至20wt.%噻吩單體、較佳3,4-伸乙二氧基噻吩；(γ 2)25至65wt.%氧化劑、較佳甲苯磺酸鐵(III)；(γ 3)10至30wt.%結構式(I)之聚合物、較佳分子量在200至10,000g/mol範圍內之聚乙二醇單烷醚；(γ 4)25至50wt.%作為添加劑之溶劑，較佳乙醇或丁醇；(γ 5)0至30wt.%分子量在100至2,000g/mol範圍內之聚烷二醇、較佳分子量在100至2,000g/mol範圍內之聚乙二醇。
本發明組成物之製備可藉由簡單混合該等組分來進行。在此情形下，舉例而言，在製備本發明之組成物中，氧化劑(γ 2)可能已溶解或分散於溶劑(γ 4)中，隨後可將此溶液或分散液與噻吩單體(γ 1)、結構式(I)之聚合物(γ 3)及視情況存在之其他添加劑(γ 4)混合。
在電子電路中亦可使用可藉由本發明方法獲得之電容器例如作為濾波電容器或去耦電容器來達成上述目的。諸如電腦(桌上型電腦、膝上型電腦、伺服器)、電腦周邊設備(例如PC卡片)、便攜電子設備(諸如行動電話、數位攝像機或用於娛樂之電子裝置)、用於娛樂之電子設備(諸如CD/DVD播放機及電腦遊戲控制台)、導航系統、電信安裝、家用電器、醫療技術(例如用於除顫器)、電力供應(諸如基於可再生能量之電力供應)或汽車電子裝置(諸如用於混合動力汽車或電動汽車)中可見之電子電路為較佳。
此外可藉由包含可藉由本發明方法獲得之電容器的該等電子電路達成上述目的。
1‧‧‧電極主體
2‧‧‧電極材料
3‧‧‧介電質
4‧‧‧表面
5‧‧‧陽極主體
6‧‧‧固體電解質
7‧‧‧電容器主體
現藉助於非限制性圖式及實施例更詳細地解釋本發明。
圖1為可藉由包含方法步驟a)及b)之方法獲得的本發明電容器之一部分的剖面圖。其具有通常由多孔電極材料2(諸如鋁)製成之電極主體1。在電極材料2之表面4上形成薄層形式之介電質3，使得形成仍為多孔且包含電極材料2之電極主體1及介電質3的陽極主體5。介電質3之後(視情況在其他層後)為固體電解質6(例如基於PEDOT)之層，由此形成包含電極材料2之電極主體1、介電質3及固體電解質6之電容器主體7。固體電解質6之層包含結構式(I)之聚合物。
量測方法
低溫特性
在20℃及-40℃下在120Hz下藉助於LCR計(Agilent 4284A)測定電容(微法)。在各種情況下，製造10個電容器且測定平均值。若在-40℃下之電容相較於20℃下測定之電容下降不超過10%，則基於電容量測值評估之「低溫特性」在下表中評估為良好(「+」)。若電容下降10%至20%，則低溫特性在表中用「0」表示，且若電容下降超過20%，則低溫特性不足(在表中用「-」表示)。
使用期限測試
在20℃下在100kHz下藉助於LCR計(Agilent 4284A)測定等效串聯電阻(mΩ)。在各種情況下，製造10個電容器且測定平均值。若在120℃下儲存500小時後(在此儲存期間不施加電壓)等效串聯電阻增加不超過10%，則基於等效串聯電阻量測值評估之「使用期限」在下表中評估為良好(「+」)。若其在此儲存期間增加超過10%，則使用期限不足(在表中用「-」表示)。
測定擊穿電壓
為測定擊穿電壓，向電容器提供1,000 Ω之串聯電阻器且經受由0 V開始的遞增電壓，其中電壓步長為1 V/s。用Keithley 199萬用表量測由此產生之電流。將產生電流上升至超過1 mA之電壓值指定為擊穿電壓。
平均值
除非本文中另外指定，否則平均值為算術平均值。
實施例 A)製造氧化電極主體
向在36 V下形成之尺寸為200 mm×3 mm之多孔鋁箔(陽極箔)及尺寸為210 mm×3 mm之多孔鋁箔(陰極箔)各提供接觸線，隨後與兩張纖維素分隔紙捲繞在一起且用膠帶固定。氧化電極主體之分隔紙隨後在烘箱中在300℃下碳化。
B)製造鋁捲繞電容器 實施例1(根據本發明)
將來自A)之氧化電極主體在包含5 g EDOT(CleviosTM M V2，Heraeus)、25 g氧化劑(CleviosTM CE 60，甲苯磺酸鐵(III)於乙醇中之60%濃度溶液，Heraeus)、2.5 g PEG-400及2.5 g四乙二醇二甲醚之混合物中浸漬。
隨後在室溫下儲存15分鐘，接著在85℃下儲存30分鐘期間發生聚合。
以上述方式製造之電容器在120℃下儲存500小時後之使用期限及低溫特性(在-40℃下之電容損耗)見於表1中。
實施例2(根據本發明)
將來自A)之氧化電極主體在包含5 g EDOT(CleviosTM M V2，Heraeus)、25 g氧化劑(CleviosTM CE 60，甲苯磺酸鐵(III)於乙醇中之60%濃度溶液，Heraeus)及5 g四乙二醇二甲醚之混合物中浸漬。
隨後在室溫下儲存15分鐘接著在85℃下儲存30分鐘期間發生聚合。
以上述方式製造之電容器在120℃下儲存500小時後之使用期限及在-40℃下之電容損耗見於表1中。
比較實施例1(並非根據本發明)
將來自A)之氧化電極主體在包含5 g EDOT(CleviosTM M V2，Heraeus)、25 g氧化劑(CleviosTM CE 60，甲苯磺酸鐵(III)於乙醇中之60%濃度溶液，Heraeus)及5 g乙二醇之混合物中浸漬。
隨後在室溫下儲存15分鐘接著在85℃下儲存30分鐘期間發生聚合。
以上述方式製造之電容器在120℃下儲存500小時後之使用期限及低溫特性(在-40℃下之電容損耗)見於表1中。
比較實施例2(並非根據本發明)
將來自A)之氧化電極主體在包含8 g EDOT(CleviosTM M V2)、22 g乙二醇及36.7 g氧化劑(CleviosTM CE 60，甲苯磺酸鐵(III)於乙醇中之60%濃度溶液，Heraeus)之混合物中浸漬。
隨後在室溫下儲存15分鐘接著在85℃下儲存30分鐘期間發生聚合。
以上述方式製造之電容器在120℃下儲存500小時後之使用期限及低溫特性(在-40℃下之電容損耗)見於表1中。
比較實施例3(並非根據本發明)
將來自A)之氧化電極主體在包含5 g EDOT(CleviosTM M V2)及25 g氧化劑(CleviosTM CE 60，甲苯磺酸鐵(III)於乙醇中之60%濃度溶液，Heraeus)之混合物中浸漬。
隨後在室溫下儲存15分鐘接著在85℃下儲存30分鐘期間 發生聚合。
以上述方式製造之電容器在120℃下儲存500小時後之使用期限及低溫特性(在-40℃下之電容損耗)見於表1中。
比較實施例4(並非根據本發明)
將來自A)之氧化電極主體在包含5 g EDOT(CleviosTM M V2，Heraeus)、25 g氧化劑(CleviosTM CE 60，甲苯磺酸鐵(III)於乙醇中之60%濃度溶液，Heraeus)及5 g PEG-400之混合物中浸漬。
隨後在室溫下儲存15分鐘接著在85℃下儲存30分鐘期間發生聚合。
以上述方式製造之電容器在120℃下儲存500小時後之使用期限及低溫特性(在-40℃下之電容損耗)見於表1中。
實施例3(根據本發明)
將來自A)之氧化電極主體在包含5 g EDOT(CleviosTM M V2，Heraeus)、25 g氧化劑(CleviosTM CE 60，甲苯磺酸鐵(III)於乙醇中之60%濃度溶液，Heraeus)及5 g聚-(乙二醇-ran-丙二醇)單丁醚(Aldrich；分子量為約970 g/mol)之混合物中浸漬。
隨後在室溫下儲存15分鐘接著在85℃下儲存30分鐘期間發生聚合。
以上述方式製造之電容器在120℃下儲存500小時後之使用期限及低溫特性(在-40℃下之電容損耗)展示於表1中。
實施例4(根據本發明)
將來自A)之氧化電極主體在包含5 g EDOT(CleviosTM M V2，Heraeus)、25 g氧化劑(CleviosTM CE 60，甲苯磺酸鐵(III)於乙醇中之60%濃度溶液，Heraeus)及5 g聚丙二醇單丁醚(分子量為約1,000 g/mol)之混合物中浸漬。
隨後在室溫下儲存15分鐘接著在85℃下儲存30分鐘期間發生聚合。
以上述方式製造之電容器在120℃下儲存500小時後之使用期限及低溫特性(在-40℃下之電容損耗)展示於表1中。
實施例5(根據本發明)
將來自A)之氧化電極主體在包含5 g EDOT(CleviosTM M V2，Heraeus)、25 g氧化劑(CleviosTM CE 60，甲苯磺酸鐵(III)於乙醇中之60%濃度溶液，Heraeus)及2.5 g聚-(乙二醇-ran-丙二醇)單丁醚(Aldrich；分子量為約970 g/mol)及2.5 g PEG-400之混合物中浸漬。
隨後在室溫下儲存15分鐘接著在85℃下儲存30分鐘期間發生聚合。
以上述方式製造之電容器在120℃下儲存500小時後之使用期限及低溫特性(在-40℃下之電容損耗)展示於表1中。
實施例6(根據本發明)
將來自A)之氧化電極主體在包含5 g EDOT(CleviosTM M V2，Heraeus)、25 g氧化劑(CleviosTM CE 60，甲苯磺酸鐵(III)於乙醇中之60%濃度溶液，Heraeus)，2.5 g PEG-400及2.5 g聚丙二醇單丁醚(分子量為約1,000 g/mol)之混合物中浸漬。
隨後在室溫下儲存15分鐘接著在85℃下儲存30分鐘期間發生聚合。
以上述方式製造之電容器在120℃下儲存500小時後之使用期限及低溫特性(在-40℃下之電容損耗)展示於表1中。
實施例7(根據本發明)
將來自C)之氧化電極主體在包含5 g EDOT(CleviosTM M V2，Heraeus)、25 g氧化劑(CleviosTM CE 60，甲苯磺酸鐵(III)於乙醇中之60% 濃度溶液，Heraeus)及5 g聚-(乙二醇)甲醚甲基丙烯酸酯之混合物中浸漬。隨後在室溫下儲存15分鐘接著在85℃下儲存30分鐘期間發生聚合。
以上述方式製造之電容器在120℃下儲存500小時後之使用期限及低溫特性(在-40℃下之電容損耗)見於表3中。
C)製造氧化電極主體：
向在92 V下形成之尺寸為200 mm×5 mm之多孔鋁箔(陽極箔)及尺寸為240 mm×5 mm之多孔鋁箔(陰極箔)各提供接觸線，隨後與兩張纖維素分隔紙捲繞在一起且用膠帶固定。製造10個此等氧化電極主體。氧化電極主體之分隔紙隨後在烘箱中在300℃下碳化。
D)製造鋁捲繞電容器 實施例8(根據本發明)
將來自C)之氧化電極主體在包含5 g EDOT(CleviosTM M V2，Heraeus)、25 g氧化劑(CleviosTM CE 60，甲苯磺酸鐵(III)於乙醇中之60%濃度溶液，Heraeus)及5 g四乙二醇二甲醚之混合物中浸漬。
隨後在室溫下儲存15分鐘接著在85℃下儲存30分鐘期間 發生聚合。
以上述方式製造之電容器在120℃下儲存500小時後之使用期限及低溫特性(在-40℃下之電容損耗)見於表2中。
實施例9(根據本發明)
將來自C)之氧化電極主體在包含5 g EDOT(CleviosTM M V2，Heraeus)、25 g氧化劑(CleviosTM CE 60，甲苯磺酸鐵(III)於乙醇中之60%濃度溶液，Heraeus)、2.5 g PEG-400及2.5 g四乙二醇二甲醚之混合物中浸漬。
隨後在室溫下儲存15分鐘接著在85℃下儲存30分鐘期間發生聚合。
以上述方式製造之電容器在120℃下儲存500小時後之使用期限及低溫特性(在-40℃下之電容損耗)見於表2中。
比較實施例5(並非根據本發明)
將來自C)之氧化電極主體在包含10 g EDOT(CleviosTM M V2，Heraeus)及50 g氧化劑(CleviosTM CE 60，甲苯磺酸鐵(III)於乙醇中之60%濃度溶液，Heraeus)之混合物中浸漬。
隨後在室溫下儲存15分鐘接著在85℃下儲存30分鐘期間發生聚合。
以上述方式製造之電容器在120℃下儲存500小時後之使用期限及低溫特性(在-40℃下之電容損耗)見於表2中。
1‧‧‧電極主體
2‧‧‧電極材料
3‧‧‧介電質
4‧‧‧表面
5‧‧‧陽極主體
6‧‧‧固體電解質
7‧‧‧電容器主體

Claims (30)

  1. 一種製造電容器之方法，其包含以下方法步驟：a)提供電極材料(2)之電極主體(1)，其中介電質(3)至少部分地覆蓋此電極材料(2)之一個表面(4)從而形成陽極主體(5)；b)在至少一種氧化劑及至少一種以結構式(I)為特徵之聚合物存在下，使該陽極主體(5)之至少一部分中的至少一種噻吩單體發生原位聚合反應 其中-n為3之整數；-該結構式(I)內之基團R2可相同或不同且表示視情況含有羥基或聚醚基之伸烷基；-該結構式(I)內之基團R1可相同或不同且表示氫原子、C1-C10烷基、C1-C10烯基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基，其中該等基團R1中之至少一者表示C1-C10烷基、C1-C10烯基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基；其中使用包含該至少一種噻吩單體、該至少一種具有該結構式(I)之聚合物、該至少一種氧化劑及視情況存在之一或多種添加劑的反應溶液進行該原位聚合反應，該反應溶液所包含的該具有該結構式(I)之聚合物的濃度以該反應溶液之總重量計為至少1wt.%。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該噻吩單體為3,4-伸乙二氧基噻吩。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中使用甲苯磺酸鐵(III)作為該原位聚合反應中之該氧化劑。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在該結構式(I)中，該基團R2表示選自由-CH2-CH2-、-CHCH3-CH2-或-CH2-CHOH-CH2-組成之群的基團。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中在該結構式(I)中，至少一個基團R1表示CH3；-(CH2)mCH3，其中m=1、2、3、4、5、6、7、8或9；CH2-CH=CH2；-CH=CH2；-CO-CH-CH2或-CO-C(CH3)=CH2。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該具有該結構式(I)之聚合物為寡烷二醇或聚烷二醇單烷醚或寡烷二醇或聚烷二醇二烷醚。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該具有該結構式(I)之聚合物為聚乙二醇單烷醚、聚丙二醇單烷醚或聚(共-伸乙基-伸丙基)單烷醚。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該具有該結構式(I)之聚合物的分子量在100至10,000g/mol範圍內。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中用於該原位聚合反應之該反應溶液另外包含分子量在100至2,000g/mol範圍內之聚烷二醇。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該反應溶液包含重量比在1：10至10：1範圍內之該具有該結構式(I)之聚合物與該聚烷二醇。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該具有該結構式(I)之聚合物與該噻吩單體以具有該結構式(I)之聚合物：噻吩單體為至少0.1：1的重量比使用。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該聚合反應在20至300℃範圍內之溫度下進行在1分鐘至12小時範圍內之時段。
  13. 一種電容器，其包含電極材料(2)之電極主體(1)，其中介電質(3)至少部分地覆蓋此電極材料之一個表面(4)從而形成陽極主體(5)；及包含聚噻吩及具有如申請專利範圍第1項所定義之結構式(I)之聚合物的固體電解質層(6)，其中擊穿電壓大於形成電壓之50%且其中該固體電解質層中之該聚噻吩不以聚噻吩/聚陰離子複合物形式存在。
  14. 一種反應溶液，其包含(γ 1)至少一種噻吩單體； (γ 2)至少一種氧化劑；(γ 3)至少一種以結構式(I)為特徵之聚合物 其中-n為3之整數；-該結構式(I)內之基團R2可相同或不同且表示視情況含有羥基或聚醚基之伸烷基；-該結構式(I)內之基團R1可相同或不同且表示氫原子、C1-C10烷基、C1-C10烯基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基，其中該等基團R1中之至少一者表示C1-C10烷基、C1-C10烯基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基；(γ 4)視情況存在之一或多種不同於組分(γ 1)至(γ 3)之添加劑，其中組分(γ 1)至(γ 4)之總和為100wt.%，且該反應溶液所包含的該具有該結構式(I)之聚合物(γ 3)的濃度以該反應溶液之總重量計為至少1wt.%。
  15. 如申請專利範圍第14項之反應溶液，其中該反應溶液中組分(γ 1)之濃度以該反應溶液之總重量計在1至30wt.%範圍內。
  16. 如申請專利範圍第14項之反應溶液，其中該反應溶液中組分(γ 2)之濃度以該反應溶液之總重量計在10至60wt.%範圍內。
  17. 如申請專利範圍第14項之反應溶液，其中該反應溶液中組分(γ 3)之濃度以該反應溶液之總重量計在1至50wt.%範圍內。
  18. 如申請專利範圍第14項之反應溶液，其中該反應溶液中組分(γ 4)之濃度以該反應溶液之總重量計在1至70wt.%範圍內。
  19. 如申請專利範圍第14項之反應溶液，其中該反應溶液包含分子量在100至2,000g/mol範圍內之聚烷二醇作為不同於組分(γ 1)至(γ 3)之添 加劑(γ 4)。
  20. 如申請專利範圍第19項之反應溶液，其中該反應溶液所包含的該具有該結構式(I)之聚合物與該聚烷二醇的重量比在1：10至10：1範圍內。
  21. 如申請專利範圍第14項之反應溶液，其中該反應溶液所包含的該具有該結構式(I)之聚合物及該噻吩單體的重量比為具有該結構式(I)之聚合物：噻吩單體為至少0.1：1。
  22. 如申請專利範圍第14項之反應溶液，其中該噻吩單體(γ 1)為3,4-伸乙二氧基噻吩。
  23. 如申請專利範圍第14項之反應溶液，其中該氧化劑(γ 2)為甲苯磺酸鐵(III)。
  24. 如申請專利範圍第14項之反應溶液，其中在該結構式(I)中，該基團R2表示選自由-CH2-CH2-、-CHCH3-CH2-或-CH2-CHOH-CH2-組成之群的基團。
  25. 如申請專利範圍第14項之反應溶液，其中在該結構式(I)中，至少一個基團R1表示CH3；-(CH2)mCH3，其中m=1、2、3、4、5、6、7、8或9；-CH2-CH=CH2；-CH=CH2；-CO-CH=CH2或-CO-C(CH3)=CH2。
  26. 如申請專利範圍第14項之反應溶液，其中該具有該結構式(I)之聚合物為寡烷二醇或聚烷二醇單烷醚或寡烷二醇或聚烷二醇二烷醚。
  27. 如申請專利範圍第14項之反應溶液，其中該具有該結構式(I)之聚合物為聚乙二醇單烷醚、聚丙二醇單烷醚或聚(共-伸乙基-伸丙基)單烷醚。
  28. 如申請專利範圍第14項之反應溶液，其中該具有該結構式(I)之聚合物的分子量在100至10,000g/mol範圍內。
  29. 一種電子電路，其包含如申請專利範圍第13項之電容器。
  30. 一種如申請專利範圍第13項之電容器之用途，其係用於電子電路中。
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