CN110853941A - 低esr固态铝电容器的制备方法 - Google Patents

低esr固态铝电容器的制备方法 Download PDF

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CN110853941A CN201911169921.XA CN201911169921A CN110853941A CN 110853941 A CN110853941 A CN 110853941A CN 201911169921 A CN201911169921 A CN 201911169921A CN 110853941 A CN110853941 A CN 110853941A
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汪斌华
叶国才
邱万里
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G13/00Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
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    • H01G13/003Apparatus or processes for encapsulating capacitors

Abstract

本发明提供了一种低ESR固态铝电容器的制备方法。该方法为将导针分别钉接在阳极铝箔和负箔上,并且用电解纸隔开,卷绕成电容器芯子,然后将芯子含浸在EDOT与PEG的混合溶液中,然后进行干燥,干燥后含浸在氧化剂中,经过聚合和组立后,将产品老化分选得到低ESR固态铝电容器。

Description

低ESR固态铝电容器的制备方法
技术领域
本发明属于铝电解电容器制造领域,涉及一种低ESR固态铝电容器的制备方法。
背景技术
固态电容器ESR过高会导致电容器充放电过程中电压的瞬变,影响滤波电容的滤波效果以及增加电路输入输出噪声,还可以使电容器在工作中发热以致降低使用寿命。另外,还有像时间常数、电路故障;开关电源不能正常启动、显示器件低温时不能正常工作等问题都是因为电容器具有过高ESR造成的。
固态电容器阴极即为电容器电解质,其导电性由电解质本身性质决定。PEDOT作为电解质,它是当前公开报道的导电性最高的高分子材料,但是PEDOT的制备工艺和组成对它的导电性有影响,因此,调整PEDOT的制备工艺和组成,将极大提高聚合物的导电性。
发明内容
(1)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种低ESR固态铝电容器的制备方法。
(2)技术方案为了解决上述技术问题,本发明提供了这样一种低ESR固态铝电容器的制备方法。具体步骤为:
步骤一、将导针铆接于阳极箔与阴极箔上,用电解纸隔开,并卷绕成素子,用胶带缠绕固定;
步骤二、将芯子浸入化成液中,施加电压进行化成修复;
步骤三、将芯子含浸在单体EDOT和PEG的混合溶液中;
步骤四、对浸渍氧化剂后的芯子进行聚合;
步骤五、对聚合后的芯子进行组立封口并清洗;
步骤六、对清洗后的产品进行老化分选,最终得到电容器成品。
优先地,所述PEG溶液的聚合度为10-50,质量分数为5%-10%。
优先地,所述PEG与EDOT的质量分数比为1:8。
优先地,所述氧化剂为对甲基苯磺酸铁。
优先地,所述高温聚合的条件为85℃干燥4小时后,再150℃干燥1小时。
(3)有益效果
与现有技术相比,本发明的有益效果在于:由于PEG可以降低载流子跃迁所需要的能量,因此在单体EDOT中添加PEG,可以提高聚合物的导电性,从而制备出低ESR固态铝电容器。
具体实施方式
以下将结合具体实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
本具体实施方式为一种低ESR固态铝电容器的制备方法,其基本型号为Φ6.3×8(6.3V 560uF),具体步骤如下:
步骤一、将导针铆接于阳极箔与阴极箔上,用电解纸隔开,并卷绕成素子,用胶带缠绕固定;
步骤二、将芯子浸入化成液中,施加电压进行化成修复;
步骤三、将芯子含浸在PEG与EDOT的质量分数比为1:8的混合溶液中,其中,PEG溶液的聚合度为10,质量分数为5%-10%,然后进行干燥;
步骤四、将芯子浸渍对甲基苯磺酸铁,然后在进行高温聚合,聚合条件为85℃聚合4小时后,再150℃聚合1小时;
步骤五、对聚合后的芯子进行组立封口并清洗;
步骤六、对清洗后的产品进行老化分选,最终得到电容器成品。
实施例2
本具体实施方式为一种超低阻抗低漏电固态铝电解电容器,其基本型号为Φ6.3×8(6.3V 560uF),具体步骤如下:
步骤一、将导针铆接于阳极箔与阴极箔上,用电解纸隔开,并卷绕成素子,用胶带缠绕固定;
步骤二、将芯子浸入化成液中,施加电压进行化成修复;
步骤三、将芯子含浸在PEG与EDOT的质量分数比为1:8的混合溶液中,其中,PEG溶液的聚合度为30,质量分数为5%-10%,然后进行干燥;
步骤四、将芯子浸渍对甲基苯磺酸铁,然后在进行高温聚合,聚合条件为85℃聚合4小时后,再150℃聚合1小时;
步骤五、对聚合后的芯子进行组立封口并清洗;
步骤六、对清洗后的产品进行老化分选,最终得到电容器成品。
实施例3
本具体实施方式为一种超低阻抗低漏电固态铝电解电容器,其基本型号为Φ6.3×8(6.3V 560uF),具体步骤如下:
步骤一、将导针铆接于阳极箔与阴极箔上,用电解纸隔开,并卷绕成素子,用胶带缠绕固定;
步骤二、将芯子浸入化成液中,施加电压进行化成修复;
步骤三、将芯子含浸在PEG与EDOT的质量分数比为1:8的混合溶液中,其中,PEG溶液的聚合度为50,质量分数为5%-10%,然后进行干燥;
步骤四、将芯子浸渍对甲基苯磺酸铁,然后在进行高温聚合,聚合条件为85℃聚合4小时后,再150℃聚合1小时;
步骤五、对聚合后的芯子进行组立封口并清洗;
步骤六、对清洗后的产品进行老化分选,最终得到电容器成品。
比较例4
本具体实施方式为一种超低阻抗低漏电固态铝电解电容器,其基本型号为Φ6.3×8(6.3V 560uF),具体步骤如下:
步骤一、将导针铆接于阳极箔与阴极箔上,用电解纸隔开,并卷绕成素子,用胶带缠绕固定;
步骤二、将芯子浸入化成液中,施加电压进行化成修复;
步骤三、将芯子含浸在单体EDOT中后干燥
步骤四、将芯子浸渍对甲基苯磺酸铁,然后在进行高温聚合,聚合条件为85℃聚合4小时后,再150℃聚合1小时。
步骤五、对聚合后的芯子进行组立封口并清洗;
步骤六、对清洗后的产品进行老化分选,最终得到电容器成品。
检测对比
对上述实施例得到的成品进行检测,各个组别选取10个样品得到如下数据:
Figure BDA0002288398870000041
Figure BDA0002288398870000051
从上述对实施例得到的电容器成品检测结果中,可以看出采用此制备方法可以得到低ESR固态电容器。
需要说明的是,本发明并不局限于上述实施方式,根据本发明的创造精神,本领域技术人员还可以做出其他变化,这些依据本发明的创造精神所做的变化,都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (5)

1.本发明为一种低ESR固态铝电容器的制备方法,其特征在于,将阳极箔与阴极箔用电解纸隔开卷成电容器芯子,经过化成修复后进行含浸前干燥,芯子干燥后含浸在一定量的单体EDOT与一定量的PEG混合溶液中,然后进行氧化剂含浸,经过高温聚合后,进行组立封口,最后经过老化分选得到低ESR固态铝电容器。
2.根据权利要求1所述的低ESR固态铝电容器的制备方法,其特征在于:所述PEG溶液的聚合度为10-50,质量分数为5%-10%。
3.根据权利要求1所述的低ESR固态铝电容器的制备方法,其特征在于:所述PEG与EDOT的质量分数比为1:8。
4.根据权利要求1所述的低ESR固态铝电容器的制备方法,其特征在于:所述氧化剂为对甲基苯磺酸铁。
5.根据权利要求1所述的低ESR固态铝电容器的制备方法,其特征在于:所述高温聚合的条件为85℃干燥4小时后,再150℃干燥1小时。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN1773640A (zh) * 2005-09-06 2006-05-17 万裕三信电子(东莞)有限公司 固体电解电容器及其制造方法
JP2008060295A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Nichicon Corp 固体電解コンデンサおよびその製造方法
CN104204086A (zh) * 2012-03-12 2014-12-10 赫劳斯贵金属有限两和公司 在原位聚合中向噻吩单体中添加聚合物

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CB02 Change of applicant information
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Applicant after: Shenzhen birekai Electronic Technology Co.,Ltd.

Address before: ABCDEF unit, 4th floor, block a, building 7, Baoneng Science Park, Qinghu Industrial Park, Qingxiang Road, Longhua street, Longhua District, Shenzhen, Guangdong 518109

Applicant before: SHENZHEN POLYCAP ELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd.

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