TWI581658B - 發光二極體驅動電路、發光二極體驅動裝置及驅動方法 - Google Patents

發光二極體驅動電路、發光二極體驅動裝置及驅動方法 Download PDF

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Description

發光二極體驅動電路、發光二極體驅動裝置及驅動方法
本發明係關於一種發光二極體驅動電路、發光二極體驅動裝置及驅動方法。
由於發光二極體(Light Emitting Diode,LED)具有較高的光電轉換效率，且其操作穩定性高並可藉由脈波寬度調變(Pulse Width Modulation,PWM)之方式進行亮度控制(亦可稱為灰階控制)，因而已應用至許多電子裝置的光源或顯示元件中，例如：顯示裝置的背光模組、照明裝置、廣告看板或大型顯示裝置的影像像素。
請參照圖1A，其係為習知之發光二極體驅動電路1。發光二極體驅動電路1具有一資料暫存單元11、一計數器12、一比較器13及一驅動器14。資料暫存單元11接收並儲存來自系統端(圖未顯示)之灰階資訊。計數器12接收系統端所輸出之時脈訊號。比較器13之第一端131與資料暫存單元11耦接，比較器13之第二端132與計數器12耦接，且第一端131與第二端132係分別接收資料暫存單元11及計數器12所輸出之訊號。比較器13將針對第一端131與第二端132所接收之訊號進行比較，當第一端131所接收之訊號大於第二端132所接收之訊號時，比較器13的輸出端將呈現邏輯的高電位，從而使驅動器14以一定電流源(Constant Current Source)之方式點亮發光二極體。當第二端132所接收之訊號大於第一端131所接收之訊號時，比較器13的輸出端將呈現邏輯的低電位，於此同時，驅動器14將不點亮發光二極體。因此，如圖1B所示，透過比較器13的比較結果，驅動器14將輸出一脈波寬度調變訊號，以使發光二極體產生不同灰階(gray scale)的亮度，且前述之脈波寬度調變訊號在一工作週期T中的導通時段T1，係為一連續的導通時段。其中，灰階係為亮度的明暗程度，習知之發光二極體驅動電路1透過驅動器14所輸出之脈波寬度調變訊號，使得發光二極體發出不同的亮度。當導通時段T1越長，代表發光二極體被點亮的時間越久，則亮度越亮，反之，當導通時段T1越短，則亮度越暗，當導通時段T1為零時，則代表發光二極體是熄滅的。
然而，習知之發光二極體驅動電路1的比較器13為了比較來自資料暫存單元11及計數器12的訊號，其係由大量的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)所構成，例如當比較器13是使用一個12位元(bit)之比較器時，比較器13中至少具有864個金屬氧化物半導體場效電晶體。由於金屬氧化物半導體場效電晶體本身存在漏電流及寄生電容之缺陷，因而使用大量金屬氧化物半導體場效電晶體之比較器13係存在額外的功率損耗的問題。
因此，如何提供一種發光二極體驅動電路、發光二極體驅動裝置及驅動方法，使其能夠減少功率不必要的損耗，並提升其處理效能，已成為重要課題之一。
有鑑於上述課題，本發明之目的為提供一種能夠減少功率不必要的損耗，並提升處理效能之發光二極體驅動電路、發光二極體驅動裝置及驅動方法。
為達上述目的，依據本發明依之一種發光二極體驅動電路係與一發光二極體模組配合。發光二極體驅動電路包括一讀取位址產生單元、一記憶體單元及一驅動單元。讀取位址產生單元接收一時脈訊號並輸出一讀取訊號。記憶體單元與讀取位址產生單元耦接，並依據讀取訊號產生一輸出訊號。驅動單元與記憶體單元耦接，並接收輸出訊號及時脈訊號，輸出一驅動訊號至發光二極體模組。
在本發明之一實施例中，時脈訊號為一二進制權重時脈訊號。
在本發明之一實施例中，讀取位址產生單元包括一讀取位址計數器及一讀取位址解碼器。讀取位址計數器接收時脈訊號。讀取位址解碼器與讀取位址計數器耦接，並輸出讀取訊號。
在本發明之一實施例中，驅動訊號於一工作週期中具有複數導通時段，且該些導通時段為非連續。
在本發明之一實施例中，驅動單元包括一正反器及一驅動器。正反器與記憶體單元耦接，並接收輸出訊號及時脈訊號。驅動器與正反器連接並輸出驅動訊號。
在本發明之一實施例中，記憶體單元為一雙埠靜態隨機存取記憶體。
在本發明之一實施例中，發光二極體驅動電路更包括一寫入位址產生單元及一移位暫存器。寫入位址產生單元與記憶體單元耦接，並依據一栓鎖致能訊號輸出一寫入訊號至記憶體單元。移位暫存器與記憶體單元耦接。
在本發明之一實施例中，寫入位址產生單元包括一寫入位址計數器及一寫入位址解碼器。寫入位址計數器接收栓鎖致能訊號。寫入位址解碼器與寫入位址計數器耦接，並輸出寫入訊號。
為達上述目的，依據本發明之一種發光二極體模組之驅動方法，其係與一發光二極體驅動電路配合，發光二極體驅動電路具有一讀取位址產生單元、一記憶體單元及一驅動單元。驅動方法包括：讀取位址產生單元接收一時脈訊號，並輸出一讀取訊號至記憶單元；記憶體單元依據讀取訊號產生一輸出訊號；以及驅動單元接收輸出訊號及時脈訊號，並輸出一驅動訊號至發光二極體模組。
在本發明之一實施例中，時脈訊號為一二進制權重時脈訊號。
在本發明之一實施例中，驅動方法更包括：由一寫入位址產生單元依據一栓鎖致能訊號輸出一寫入訊號至記憶體單元。
為達上述目的，依據本發明之一種發光二極體驅動裝置與複數發光二極體模組配合。發光二極體驅動裝置包括複數記憶體單元、一寫入位址產生單元、一讀取位址產生 單元及複數驅動單元。記憶體單元係為並列耦接。寫入位址產生單元依據一栓鎖致能訊號產生一寫入訊號。讀取位址產生單元接收一時脈訊號並輸出一讀取訊號至各記憶體單元。驅動單元分別與相對應之記憶體單元耦接。該些記憶體單元之其中之一依據寫入訊號寫入一灰階訊號。各記憶體單元依據讀取訊號輸出一輸出訊號至相對應之驅動單元。各驅動單元依據輸出訊號及時脈訊號，輸出一驅動訊號至相對應之發光二極體模組。
在本發明之一實施例中，時脈訊號為一二進制權重時脈訊號。
在本發明之一實施例中，讀取位址產生單元包括一讀取位址計數器及一讀取位址解碼器。讀取位址計數器接收時脈訊號。讀取位址解碼器與讀取位址計數器耦接，並輸出讀取訊號。
在本發明之一實施例中，驅動訊號於一工作週期中具有複數導通時段，且該些導通時段為非連續。
在本發明之一實施例中，各驅動單元包括一正反器及一驅動器。正反器與相對應之記憶體單元耦接，並接收輸出訊號及時脈訊號。驅動器與正反器連接並輸出驅動訊號。
在本發明之一實施例中，記憶體單元為一雙埠靜態隨機存取記憶體。
在本發明之一實施例中，寫入位址產生單元包括一寫入位址計數器及一寫入位址解碼器。寫入位址計數器接收 栓鎖致能訊號。寫入位址解碼器與寫入位址計數器耦接，並輸出寫入訊號。
為達上述目的，依據本發明之一種發光二極體模組之驅動方法係與一發光二極體驅動裝置配合。發光二極體驅動裝置具有複數記憶體單元、一寫入位址產生單元、一讀取位址產生單元及複數驅動單元。驅動方法包括：讀取位址產生單元接收一時脈訊號並輸出一讀取訊號至各記憶體單元；各記憶體單元依據讀取訊號輸出一輸出訊號至相對應之驅動單元；以及各驅動單元依據輸出訊號及時脈訊號，輸出一驅動訊號至相對應之發光二極體模組。
在本發明之一實施例中，驅動方法更包括：寫入位址產生單元依據一栓鎖致能訊號產生一寫入訊號；以及該些記憶體單元之其中之一依據寫入訊號寫入一灰階訊號。
承上所述，因依據本發明之一種發光二極體驅動電路、發光二極體驅動裝置及驅動方法係藉由記憶體單元依據讀取位址產生單元所輸出之讀取訊號產生輸出訊號，並使驅動單元依據輸出訊號及時脈訊號驅動發光二極體模組，從而實現減少功率不必要的損耗，並提升處理效能。
以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例之發光二極體驅動電路、發光二極體驅動裝置及驅動方法，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。
首先，請參照圖2A，其為依據本發明較佳實施例之一 種發光二極體驅動電路2。發光二極體驅動電路2是與一發光二極體模組L搭配使用。其中，發光二極體驅動電路2包括一讀取位址產生單元21、一記憶體單元22及一驅動單元23。發光二極體模組L包含至少一個發光二極體，於此需特別說明的是，發光二極體模組L在實際運用時，係可依據使用的需求或設計的考量，而具有不同數量的發光二極體，且發光二極體之間的連接方式亦可依據需求而有變化。
讀取位址產生單元21係接收來自系統端(圖未顯示)之一時脈訊號S1，並依據時脈訊號S1進行計數，而輸出一讀取訊號S2，且讀取訊號S2係為一個用以指定讀取特定位元之訊號。其中，前述之系統端例如是一個與發光二極體驅動電路2搭配運用之脈波訊號產生器，且其係可設置於另一電路或另一裝置中。
在本實施例中，時脈訊號S1為一個二進制權重時脈(binary weighted)訊號，亦即，如圖2B所示，時脈訊號S1之各脈波係以先前一個脈波的時間寬度為基準，而以二進制的方式所生成，例如第一個脈波之寬度是20，而第二個脈波之寬度是21，第三個脈波之寬度是22，而以下之脈波則依序倍增。其中，脈波之寬度將持續倍增至讀取位址產生單元21的計數上限，例如當讀取位址產生單元21的計數範圍是0至11時，脈波之寬度在倍增至211後，將回歸至脈波寬度為20，接著再如前述之方式依序倍增。
記憶體單元22與讀取位址產生單元21耦接，並依據讀取位址產生單元21所輸出之讀取訊號S2，選取對應特定位元之訊號，而輸出一輸出訊號S3，且輸出訊號S3係代表一灰階訊號。在實施上，記憶體單元22係為一雙埠靜態隨機存取記憶體(Two Port SRAM)。
驅動單元23與記憶體單元22耦接，並接收記憶體單元22所輸出之輸出訊號S3及系統端(圖未顯示)所提供之時脈訊號S1，而輸出一驅動訊號S4至發光二極體模組L。其中，驅動單元23所接收之時脈訊號S1與讀取位址產生單元21所接收之時脈訊號S1係源自於同一個脈波訊號產生器。
在實施上，驅動訊號S4係為一脈波寬度調變訊號，且發光二極體模組L依據驅動訊號S4的導通時段而產生不同灰階的亮度。其中，在一工作週期中，驅動訊號S4之導通時段可為一連續的導通時段，或如圖2B所示，驅動訊號S4於工作週期T中具有複數個導通時段T1，且當驅動訊號S4於工作週期T中具有複數個導通時段T1時，前述之導通時段T1係可為非連續的狀態。因此，驅動單元23是依據所要呈現之灰階亮度，而輸出可調變導通時段之寬度的驅動訊號S4，且在一工作週期中，驅動訊號S4之導通時段可為一連續的導通時段，或是多個不連續之導通時段。
藉由上述之架構，發光二極體驅動電路2係避免使用由大量金屬氧化物半導體場效電晶體所構成之比較器，從而改善電路中之不必要的功率耗損，並提升電路之整體效能。需特別說明的是，當記憶體單元22為一個12位元之雙埠靜態隨機存取記憶體時，其係僅具有96個金屬氧化物半導體場效電晶體。因此，發光二極體驅動電路2不但能夠減少功率不必要的損耗，且在與習知之發光二極體驅動電路1(如圖1A所示)執行相同之驅動功能的條件下，亦可減少電路佈局(layout)所使用的面積。
接著，請參照圖3所示，以進一步說明本發明之發光二極體驅動電路2。在本實施例中，讀取位址產生單元21包含一讀取位址計數器211及一讀取位址解碼器212。讀取位址計數器211接收系統端(圖未顯示)提供之時脈訊號S1，並依據時脈訊號S1進行計數且輸出其結果。讀取位址解碼器212與讀取位址計數器211耦接，並依據讀取位址計數器211所輸出之結果產生讀取訊號S2。
驅動單元23包括一正反器231及一驅動器232。正反器與記憶體單元22耦接，並接收記憶體單元22所產生之輸出訊號S3及系統端(圖未顯示)所提供之時脈訊號S1。驅動器232與正反器231連接並輸出驅動訊號S4至發光二極體模組L。在實施上，正反器231可為一D型正反器，而驅動器232係例如為一金屬氧化物半導體場效電晶體，且驅動器232係以定電流源的方式輸出驅動訊號S4至發光二極體模組L。
此外，發光二極體驅動電路2更包括一寫入位址產生單元24及一移位暫存器25。寫入位址產生單元24與記憶體單元22耦接，且具有一寫入位址計數器241及一寫入位址解碼器242。其中，寫入位址計數器241係接收系統端(圖未顯示)所提供之一栓鎖致能訊號S5，並進行計數。寫入位址解碼器242與寫入位址計數器241耦接，並依據寫入位址計數器241的輸出而產生一寫入訊號S6。寫入位址解碼器242將寫入訊號S6傳送至記憶體單元22。移位暫存器25與記憶體單元22耦接，並接收一時脈訊號S7及一輸入訊號S8，而提供一灰階訊號S9至記憶體單元22。記憶體單元22依據寫入訊號S6將灰階訊號S9寫入特定的位址。其中，移位暫存器25所接收之時脈訊號S7是源自於與驅動單元23和讀取位址產生單元21所接收之時脈訊號S1不相同之脈波訊號產生器，因而時脈訊號S7與時脈訊號S1係具有完全不同之波形。此外，輸入訊號S8係為代表灰階資訊之訊號，而與灰階訊號S9本質上相同。
值得一提的是，在本實施例中，記憶體單元22為一雙埠靜態隨機存取記憶體，且記憶體單元22連接至移位暫存器25的輸入埠僅允許進行寫入的功能。此外，在資料寫入時，是以並列傳輸之方式將資料寫入記憶體單元22，當讀取資料時，則是讀取一特定的單一位元。因此，記憶體單元22可在資料寫入期間，同時讀取同一位址的資料，而不需等待資料寫入完成後，才進行讀取的動作。換言之，記憶體單元22可以允許兩個不同的時脈訊號系統時同寫入及讀取同一位址的資料，並不需進行等待，從而降低電路的複雜度。
接著，請參照圖4之流程圖並搭配圖2A、圖2B及圖3，以說明本發明之較佳實施例之發光二極體模組之驅動方法，其係可與上述之發光二極體驅動電路2及發光二極體模組L搭配使用，而驅動方法的步驟係包含步驟S01～步驟S03。
步驟S01係由讀取位址產生單元21接收一時脈訊號S1，並輸出一讀取訊號S2至記憶單元22。在本實施例中，讀取位址產生單元21係接收來自系統端，例如是一脈波訊號產生器所產生之時脈訊號S1以進行計數，從而輸出讀取訊號S2至記憶單元22。前述之時脈訊號S1為一個二進制權重時脈訊號，亦即，時脈訊號S1之各脈波係以先前一個脈波的時間寬度為基準，而以二進制的方式所生成，且脈波之寬度將持續倍增至讀取位址產生單元21的計數上限，再回歸至初始值。
步驟S02係由記憶體單元22依據讀取訊號S2產生一輸出訊號S3。在本實施例中，記憶體單元22依據讀取訊號S2選取對應特定位元之訊號，而輸出輸出訊號S3，且輸出訊號S3係代表一灰階訊號。其中，記憶體單元22為一雙埠靜態隨機存取記憶體。
步驟S03係由驅動單元23接收輸出訊號S3及時脈訊號S1，並輸出一驅動訊號S4至發光二極體模組L。在本實施例中，驅動單元23接收記憶體單元22所輸出的輸出訊號S3及系統端所提供之時脈訊號S1，從而輸出驅動訊號S4至發光二極體模組L。其中，驅動訊號S4係為一脈波寬度調變訊號，且在實施上，在一工作週期中，驅動訊號S4之導通時段可為一連續的導通時段，或是多個不連續之導通時段。
由於在一工作週期中，若不連續之導通時段的總和等於連續之導通時段的總和時，人類的眼睛所感知的亮度是相同的。因此，藉由上述之驅動方法，本發明將可透過調變驅動訊號S4為非連續之導通時段或連續之導通時段，以達成發光二極體模組L之灰階的控制。
此外，驅動方法更包括：由寫入位址產生單元24依據一栓鎖致能訊號S5輸出一寫入訊號S6至記憶體單元22。在本實施例中，寫入位址產生單元24接收系統端所提供之栓鎖致能訊號S5以進行計數，從而輸出寫入訊號S6至記憶體單元22，以使記憶體單元22寫入來自移位暫存器25之灰階訊號S9。其中，前述之系統端係如是與發光二極體驅動電路2搭配使用之一訊號產生器。
接著，請參照圖5，其係為依據本發明較佳實施例之一種發光二極體驅動裝置3。發光二極體驅動裝置3係與複數個發光二極體模組L配合。發光二極體驅動裝置3包括複數個記憶體單元31、一寫入位址產生單元32、一讀取位址產生單元33及複數個驅動單元34。
記憶體單元31係以並列耦接的方式連接，於本實施例中，係以各記憶體單元31分別為一個12位元之雙埠靜態隨機存取記憶體，且發光二極體驅動裝置3共具有16個記憶體單元31為例，然而並非以此為限。
寫入位址產生單元32依據系統端所提供之一栓鎖致能訊號S5產生一寫入訊號S6。其中，寫入位址產生單元32具有一寫入位址計數器321及一寫入位址解碼器322。寫入位址計數器321為一個4位元的寫入位址計數器，而寫入位址解碼器322為一個4進16出的寫入位址解碼器。寫入位址計數器321依據栓鎖致能訊號S5進行計數，經由寫入位址解碼器322產生寫入訊號S6，以將灰階訊號S9寫入16個記憶體單元31之其中之一。換句話說，寫入訊號S6係用以指定灰階訊號S9寫入的記憶體單元31。
讀取位址產生單元33接收系統端所提供之一時脈訊號S1並輸出一讀取訊號S2至各記憶體單元31。在本實施例中，讀取位址產生單元33包括一讀取位址計數器331及一讀取位址解碼器332。讀取位址計數器331為一個4位元的讀取位址計數器，而讀取位址解碼器332為一個4進12出的讀取位址解碼器。系統端所提供之時脈訊號S1係用以驅動讀取位址計數器331，讀取位址解碼器332接收讀取位址計數器331的輸出，藉以選取某一指定的位元，以輸出讀取訊號S2至所有的記憶體單元31。
前述之時脈訊號S1係為一個二進制權重時脈訊號，時脈訊號S1之各脈波係以先前一個脈波的時間寬度為基準，並以二進制的方式所生成，且脈波之寬度將持續倍增至讀取位址計數器331的計數上限，再回歸至初始值。
各驅動單元34分別包括一正反器341及一驅動器342。各正反器341分別與相對應之記憶體單元31耦接，並接收輸出訊號S3及時脈訊號S1。其中，驅動單元34所接收之時脈訊號S1與讀取位址產生單元33所接收之時脈訊號S1係源自於同一個脈波訊號產生器。驅動器342與正反器341連接，並以定電流源的方式輸出驅動訊號S4至相連接之發光二極體模組L。其中，驅動訊號S4係為一脈波寬度調變訊號，且在實施上，在一工作週期中，驅動訊號S4之導通時段可為一連續的導通時段，或是多個不連續的導通時段。
此外，發光二極體驅動裝置3亦具有一移位暫存器35，其係與各記憶體單元31耦接，並接收一時脈訊號S7及一輸入訊號S8，而提供一灰階訊號S9至各記憶體單元31。其中，移位暫存器35所接收之時脈訊號S7是源自於與驅動單元34和讀取位址產生單元33所接收之時脈訊號S1不相同之脈波訊號產生器，因而時脈訊號S7與時脈訊號S1係具有完全不同之波形。此外，輸入訊號S8係為代表灰階資訊之訊號，而與灰階訊號S9本質上相同。
在本實施例中，各記憶體單元31連接至移位暫存器35的輸入埠僅允許進行寫入的功能。此外，在資料寫入時，是以並列傳輸之方式將資料寫入其中一個記憶體單元31，而當讀取資料時，則是讀取一特定的單一位元。因此，記憶體單元31可在資料寫入期間，同時讀取同一位址的資料，而不需等待資料寫入完成後，才進行讀取的動作。換言之，各記憶體單元31可以允許兩個不同的時脈訊號系統時同寫入及讀取同一位址的資料，並不需進行等待，從而降低電路的複雜度。
值得一提的是，當採用如上所述規格之記憶體單元31、寫入位址計數器321、寫入位址解碼器322、讀取位址計數器331及讀取位址解碼器332時，在要產生4096灰階的條件下，前述之元件共包含了約2000個金屬氧化物半導體場效電晶體。然而，若使用習知之發光二極體驅動電路1，在要產生4096灰階的條件下，則需使用至少17000個金屬氧化物半導體場效電晶體。因此，本發明之發光二極體驅動裝置3減少了金屬氧化物半導體場效電晶體的使用，從而減少功率不必要的損耗，且使得晶格尺寸(die size)明顯縮小，並有效減小裝置之體積。
接著，請參照圖6之流程圖並搭配圖5，以說明本發明之較佳實施例之發光二極體模組之驅動方法，其係可與上述之發光二極體驅動裝置3及複數個發光二極體模組L搭配使用，而驅動方法的步驟係包含步驟S11～步驟S13。
步驟S11係由讀取位址產生單元33接收一時脈訊號S1並輸出一讀取訊號S2至各記憶體單元31。在本實施例中，系統端所提供之時脈訊號S1係驅動讀取位址產生單元33以輸出讀取訊號S2至所有的記憶單元31。其中，時脈訊號S1為一個二進制權重時脈訊號。
步驟S12係由各記憶體單元31依據讀取訊號S2輸出一輸出訊號S3至相對應之驅動單元34。在本實施例中，所有的記憶體單元31將依據讀取訊號S2選取對應特定位元之訊號，而產生輸出訊號S3。其中，記憶體單元31為一雙埠靜態隨機存取記憶體。
步驟S13係由各驅動單元34依據輸出訊號S3及時脈訊號S1，輸出一驅動訊號S4相對應之發光二極體模組L。在本實施例中，驅動單元34接收輸出訊號S3及時脈訊號S1，從而輸出驅動訊號S4至相對應的發光二極體模組L，且發光二極體模組L依據驅動訊號S4的導通時段而產生相對應的灰階亮度。此外，驅動方法更包括：寫入位址產生單元32依據一栓鎖致能訊號S5產生一寫入訊號S6；以及記憶體單元31之其中之一依據寫入訊號S6寫入一灰階訊號S9。
綜上所述，因依據本發明之一種發光二極體驅動電路、發光二極體驅動裝置及驅動方法係藉由記憶體單元依據讀取位址產生單元所輸出之讀取訊號產生輸出訊號，並使驅動單元依據輸出訊號及時脈訊號驅動發光二極體模組，從而實現減少功率不必要的損耗，並提升處理效能。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
1、2．．．發光二極體驅動電路
11．．．資料暫存單元
12．．．計數器
13．．．比較器
131．．．第一端
132．．．第二端
14、232、342．．．驅動器
21、33．．．讀取位址產生單元
211、331．．．讀取位址計數器
212、332．．．讀取位址解碼器
22、31．．．記憶體單元
23、34‧‧‧驅動單元
231、341‧‧‧正反器
24、32‧‧‧寫入位址產生單元
241、321‧‧‧寫入位址計數器
242、322‧‧‧寫入位址解碼器
25、35‧‧‧移位暫存器
3‧‧‧發光二極體驅動裝置
L‧‧‧發光二極體模組
S01~S03、S11~S13‧‧‧驅動方法的步驟
S1、S7‧‧‧時脈訊號
S2‧‧‧讀取訊號
S3‧‧‧輸出訊號
S4‧‧‧驅動訊號
S5‧‧‧栓鎖致能訊號
S6‧‧‧寫入訊號
S8‧‧‧輸入訊號
S9‧‧‧灰階訊號
T‧‧‧工作週期
T1‧‧‧導通時段
圖1A為一種習知之發光二極體驅動電路的示意圖；
圖1B為一種習知之發光二極體驅動電路所輸出之脈波寬度調變訊號的波形圖；
圖2A為依據本發明較佳實施例之一種發光二極體驅動電路的示意圖；
圖2B為依據本發明較佳實施例之時脈訊號及驅動訊號的波形圖；
圖3為依據本發明依據本發明較佳實施例之一種發光二極體驅動電路的示意圖；
圖4為依據本發明較佳實施例之一種發光二極體模組之驅動方法的流程圖；
圖5為依據本發明較佳實施例之一種發光二極體驅動裝置的示意圖；以及
圖6為依據本發明較佳實施例之一種發光二極體模組之驅動方法的流程圖。
2．．．發光二極體驅動電路
21．．．讀取位址產生單元
22．．．記憶體單元
23．．．驅動單元
L．．．發光二極體模組
S1．．．時脈訊號
S2．．．讀取訊號
S3．．．輸出訊號
S4．．．驅動訊號

Claims (15)

  1. 一種發光二極體驅動電路，其係與一發光二極體模組配合，包括：一讀取位址產生單元，接收一時脈訊號並輸出一讀取訊號；一記憶體單元，與該讀取位址產生單元耦接，並依據該讀取訊號產生一輸出訊號；一驅動單元，與該記憶體單元耦接，並接收該輸出訊號及該時脈訊號，輸出一驅動訊號至該發光二極體模組；一寫入位址產生單元，與該記憶體單元耦接，並依據一栓鎖致能訊號輸出一寫入訊號至該記憶體單元；以及一移位暫存器，與該記憶體單元耦接，其中該時脈訊號為一二進制權重時脈訊號。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體驅動電路，其中該讀取位址產生單元包括：一讀取位址計數器，接收該時脈訊號；以及一讀取位址解碼器，與該讀取位址計數器耦接，並輸出該讀取訊號。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體驅動電路，其中該驅動訊號於一工作週期中具有複數導通時段，且該些導通時段為非連續。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體驅動電路， 其中該驅動單元包括：一正反器，與該記憶體單元耦接，並接收該輸出訊號及該時脈訊號；以及一驅動器，與該正反器連接並輸出該驅動訊號。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體驅動電路，其中該記憶體單元為一雙埠靜態隨機存取記憶體。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體驅動電路，其中該寫入位址產生單元包括：一寫入位址計數器，接收該栓鎖致能訊號；以及一寫入位址解碼器，與該寫入位址計數器耦接，並輸出該寫入訊號。
  7. 一種發光二極體模組之驅動方法，其係與一發光二極體驅動電路配合，該發光二極體驅動電路具有一讀取位址產生單元、一記憶體單元及一驅動單元，該驅動方法包括：該讀取位址產生單元接收一時脈訊號，並輸出一讀取訊號至該記憶單元；由一寫入位址產生單元依據一栓鎖致能訊號輸出一寫入訊號至該記憶體單元；該記憶體單元依據該讀取訊號產生一輸出訊號；以及該驅動單元接收該輸出訊號及該時脈訊號，並輸出一驅動訊號至一發光二極體模組，其中該時脈訊號為一二進制權重時脈訊號。
  8. 一種發光二極體驅動裝置，其係與複數發光二極體模 組配合，包括：複數記憶體單元，係為並列耦接；一寫入位址產生單元，依據一栓鎖致能訊號產生一寫入訊號；一讀取位址產生單元，接收一時脈訊號並輸出一讀取訊號至各該記憶體單元；以及複數驅動單元，分別與相對應之該記憶體單元耦接，其中該些記憶體單元之其中之一依據該寫入訊號寫入一灰階訊號，各該記憶體單元依據該讀取訊號輸出一輸出訊號至相對應之該驅動單元，各該驅動單元依據該輸出訊號及該時脈訊號，輸出一驅動訊號至相對應之該發光二極體模組，且該時脈訊號為一二進制權重時脈訊號。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體驅動裝置，其中該讀取位址產生單元包括：一讀取位址計數器，接收該時脈訊號；以及一讀取位址解碼器，與該讀取位址計數器耦接，並輸出該讀取訊號。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體驅動裝置，其中該驅動訊號於一工作週期中具有複數導通時段，且該些導通時段為非連續。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體驅動裝置，其中各該驅動單元包括：一正反器，與相對應之該記憶體單元耦接，並接收該 輸出訊號及該時脈訊號；以及一驅動器，與該正反器連接並輸出該驅動訊號。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體驅動裝置，其中該記憶體單元為一雙埠靜態隨機存取記憶體。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體驅動裝置，其中該寫入位址產生單元包括：一寫入位址計數器，接收該栓鎖致能訊號；以及一寫入位址解碼器，與該寫入位址計數器耦接，並輸出該寫入訊號。
  14. 一種發光二極體模組之驅動方法，其係與一發光二極體驅動裝置配合，該發光二極體驅動裝置具有複數記憶體單元、一寫入位址產生單元、一讀取位址產生單元及複數驅動單元，該驅動方法包括：該讀取位址產生單元接收一時脈訊號並輸出一讀取訊號至各該記憶體單元；各該記憶體單元依據該讀取訊號輸出一輸出訊號至相對應之該驅動單元；以及各該驅動單元依據該輸出訊號及該時脈訊號，輸出一驅動訊號至相對應之該發光二極體模組，其中該時脈訊號為一二進制權重時脈訊號。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之驅動方法，更包括：該寫入位址產生單元依據一栓鎖致能訊號產生一寫入訊號；以及該些記憶體單元之其中之一依據該寫入訊號寫入一 灰階訊號。
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