TW201532021A - 發光控制電路、其驅動電路及其主動矩陣有機發光二極體顯示面板 - Google Patents

Abstract

一種發光控制電路、其驅動電路及其主動矩陣有機發光二極體顯示面板。發光控制電路包括多個發光控制單元。這些發光控制單元分別接收一第一時脈信號、一第二時脈信號、一閘極低電壓及一閘極高電壓，且用以提供多個發光信號至主動矩陣有機發光二極體顯示面板的多個畫素。各個發光控制單元依據第一時脈信號及第二時脈信號決定輸出閘極低電壓或閘極高電壓作為對應的發光信號的電壓準位。

Description

發光控制電路、其驅動電路及其主動矩陣有機發光 二極體顯示面板

本發明是有關於一種控制電路，且特別是有關於一種發光控制電路、其驅動電路及其主動矩陣有機發光二極體顯示面板。

自1987年美國柯達公司發表具實用潛力的有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)元件至今，已吸引眾多廠商投入OLED顯示器的研究以及量產，儼然已經被視為繼薄膜電晶體液晶顯示器(thin film transistor liquid crystal display，TFT LCD)後，未來最具發展潛力的平面顯示技術之一。其中，OLED具有自發光、高應答速度特性、省電、輕薄、廣視角、廣色域、低操作電壓、高對比等優點，並且製程簡單低成本、可應用於撓曲性面板等特色。

OLED顯示器大致可分為被動式矩陣(passive matrix)OLED顯示器與主動式矩陣(active matrix)OLED顯示器。主動 式矩陣OLED顯示器的主要驅動方式為用薄膜電晶體(TFT)元件，並且搭配電容來儲存不同的資料電壓，藉以控制面板上之各個畫素的灰階(grayscale)。換言之，主動式矩陣OLED顯示器的驅動電路會提供多個掃描信號，以控制各個畫素的電容儲存對應的資料電壓，以及提供多個發光信號控制各個畫素依據對應的資料電壓進行發光。當主動式矩陣OLED顯示器的驅動電路提供越多的控制電壓時，其電路面積會越大，以致於影響了顯示面板的邊框幅度。因此，主動式矩陣OLED顯示器的驅動電路的設計大大的影響了顯示面板的尺寸。

本發明提供一種發光控制電路、其驅動電路及其主動矩陣有機發光二極體顯示面板，可分離驅動電路的閘極驅動電路及發光控制電路，以降低驅動電路的電路面積。

本發明的發光控制電路適用於一主動矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes，AMOLED)顯示面板。發光控制電路包括多個發光控制單元。這些發光控制單元分別接收一第一時脈信號、一第二時脈信號、一閘極低電壓及一閘極高電壓，且用以提供多個發光信號至主動矩陣有機發光二極體顯示面板的多個畫素。各個發光控制單元依據第一時脈信號及第二時脈信號決定輸出閘極低電壓或閘極高電壓作為對應的發光信號的電壓準位。

本發明的驅動電路適用於一主動矩陣有機發光二極體顯示面板。驅動電路包括上述的發光控制電路及一閘極驅動電路。閘極驅動電路包括多個位移暫存器。這些位移暫存器分別接收一第三時脈信號、一第四時脈信號、閘極低電壓及閘極高電壓，且用以提供多個閘極驅動信號至這些畫素。

本發明的主動矩陣有機發光二極體顯示面板包括多個畫素及上述的發光控制電路。

在本發明的一實施例中，第1個發光控制單元接收一發光起始信號，第i個發光控制單元接收第i-1個發光控制單元所提供的發光信號，i為大於等於2的正整數。

在本發明的一實施例中，各個發光控制單元包括一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體、一第四電晶體、一第一電容及一邏輯控制單元。第一電晶體具有一第一端、一第二端及一第一控制端，其中第一端接收發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提供的發光信號，第一控制端接收第一時脈信號。第二電晶體具有一第三端、一第四端及一第二控制端，其中第三端接收閘極低電壓，第四端提供對應的發光信號，第二控制端耦接第二端。第三電晶體具有一第五端、一第六端及一第三控制端，其中第五端耦接第二端，第六端接收閘極高電壓，第三控制端接收一邏輯控制信號。第四電晶體具有一第七端、一第八端及一第四控制端，其中第七端耦接第四端，第八端接收閘極高電壓，第四控制端接收邏輯控制信號。第一電容耦接於第二時脈信號與第二控 制端之間。邏輯控制單元接收至少一參考信號，且耦接第三控制端及第四控制端以提供邏輯控制信號。

在本發明的一實施例中，參考信號包括發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提供的發光信號，以及第一時脈信號。

在本發明的一實施例中，邏輯控制單元包括一第五電晶體、一第六電晶體、一第七電晶體及一第二電容。第五電晶體具有一第九端、一第十端及一第五控制端，其中第十端接收閘極高電壓，第五控制端接收發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提供的發光信號。第六電晶體具有一第十一端、一第十二端及一第六控制端，其中第十一端接收閘極低電壓，第十二端提供邏輯控制信號，第六控制端耦接第九端。第七電晶體具有一第十三端、一第十四端及一第七控制端，其中第十三端耦接第十二端，第十四端接收閘極高電壓，第七控制端接收發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提供的發光信號。第二電容，耦接於第一時脈信號與第九端之間。

在本發明的一實施例中，第五控制端及第七控制端耦接第二端。

在本發明的一實施例中，第五控制端及第七控制端耦接第一端。

在本發明的一實施例中，第五控制端耦接第一端，第七控制端耦接第二端。

在本發明的一實施例中，邏輯控制單元更包括一第八電 晶體及一第三電容。第八電晶體具有一第十五端、一第十六端及一第八控制端，其中第十五端耦接第一端，第十六端耦接第五控制端及第七控制端，第八控制端接收第二時脈信號。第三電容耦接於第五控制端與閘極高電壓之間。

在本發明的一實施例中，第一時脈信號與第二時脈信號的工作週期相同。

在本發明的一實施例中，這些發光信號的脈波寬度反比於第一時脈信號的工作比例。

在本發明的一實施例中，這些發光信號的脈波寬度正比於發光起始信號的脈波寬度。

在本發明的一實施例中，各個畫素包括一第九電晶體、一第十電晶體、一第十一電晶體、一第十二電晶體、一第十三電晶體、一第十四電晶體、一有機發光二極體及一儲存電容。第九電晶體具有一第十七端、一第十八端及一第九控制端，其中第十八端接收一初始電壓，第九控制端接收一第一掃描信號。第十電晶體具有一第十九端、一第二十端及一第十控制端，其中第十九端接收一系統高電壓，第十控制端接收對應的發光信號。第十一電晶體具有一第二十一端、一第二十二端及一第十一控制端，其中第二十一端耦接第二十端，第十一控制端耦接第十七端。第十二電晶體具有一第二十三端、一第二十四端及一第十二控制端，其中第二十三端耦接十一控制端，第二十四端耦接第二十二端，第十二控制端接收一第二掃描信號。第十三電晶體具有一第二十 五端、一第二十六端及一第十三控制端，其中第二十五端耦接第二十端，第二十六端接收一資料電壓，第十三控制端接收第二掃描信號。第十四電晶體具有一第二十七端、一第二十八端及一第十四控制端，其中第二十七端耦接第二十二端，第十四控制端接收對應的發光信號。有機發光二極體的陽極耦接第二十八端，有機發光二極體的陰極接收一系統低電壓。儲存電容耦接於系統高電壓與第十七端之間。

基於上述，本發明實施例的發光控制電路、其驅動電路及其主動矩陣有機發光二極體顯示面板，其分離驅動電路的閘極驅動電路及發光控制電路，以降低驅動電路的電路面積。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100‧‧‧主動矩陣有機發光二極體顯示面板

110‧‧‧畫素陣列

111‧‧‧掃描線

113‧‧‧多個資料線

115‧‧‧發光控制線

120‧‧‧驅動電路

121‧‧‧發光控制電路

123‧‧‧閘極驅動電路

125‧‧‧發光控制單元

127‧‧‧位移暫存器

410、410a~410d‧‧‧邏輯控制單元

C1~C3‧‧‧電容

CK1~CK4、CK1a~CK1c、CK2a~CK2c‧‧‧時脈信號

Cst‧‧‧儲存電容

EM、EM(n)、EM(n-1)、EMa(n)、EMa(n+1)、EMb(n)、 EMb(n+1)、EMc(n)、EMc(n+1)、EMd(1)、EMd(2)、EMe(1)、EMe(2)、EMf(1)、EMf(2)‧‧‧發光信號

M1~M14、M5a~M5c、M7a、M7c‧‧‧電晶體

OD1‧‧‧有機發光二極體

OVDD‧‧‧系統高電壓

OVSS‧‧‧系統低電壓

P、PSa~PSc‧‧‧脈波寬度

PX、PXa‧‧‧畫素

SLC‧‧‧邏輯控制信號

SN1、SN2‧‧‧閘極驅動信號

SRE‧‧‧參考信號

STVG‧‧‧閘極起始信號

STVL、STVLa~STVLc‧‧‧發光起始信號

Vdata‧‧‧資料電壓

VGH‧‧‧閘極高電壓

VGL‧‧‧閘極低電壓

Vint‧‧‧初始電壓

圖1為依據本發明一實施例的主動矩陣有機發光二極體顯示面板的系統示意圖。

圖2A至2C分別為依據本發明一實施例的第一時脈信號、第二時脈信號及發光信號的波形示意圖。

圖3A至3C分別為依據本發明一實施例的發光起始信號、第一時脈信號、第二時脈信號及發光信號的波形示意圖。

圖4為圖1依據本發明一實施例的發光控制單元的系統示意 圖。

圖5A至5D分別為圖4依據本發明一實施例的發光控制單元的電路示意圖。

圖6為圖1依據本發明一實施例的畫素的電路示意圖。

圖1為依據本發明一實施例的主動矩陣有機發光二極體顯示面板的系統示意圖。請參照圖1，在本實施例中，主動矩陣有機發光二極體顯示面板100包括畫素陣列110及驅動電路120，其中驅動電路120包括發光控制電路121及閘極驅動電路123。發光控制電路121用以提供多個發光信號EM，閘極驅動電路123用以提供多個閘極驅動信號(如SN1、SN2)。

畫素陣列110包括多個畫素PX、多個掃描線111、多個資料線113及多個發光控制線115。各個掃描線111耦接於對應的畫素PX與閘極驅動電路123之間，以傳送對應的閘極驅動信號(如SN1、SN2)至對應的畫素PX。各個資料線113耦接於對應的畫素PX與源極驅動電路(未繪示)之間，以傳送對應的資料電壓Vdata至對應的畫素PX。各個發光控制線115耦接於對應的畫素PX與發光控制電路121之間，以傳送對應的發光信號EM至對應的畫素PX。

發光控制電路121包括多個發光控制單元125。這些發光控制單元125分別接收時脈信號CK1、CK2、閘極低電壓VGL及 閘極高電壓VGH，並且受控於發光起始信號STVL而啟動。接著，發光控制單元125會依據時脈信號CK1、CK2提供發光信號EM至顯示面板100上的畫素PX。其中，各發光控制單元125會依據時脈信號CK1及CK2決定輸出閘極低電壓VGL或閘極高電壓VGL作為對應的發光信號EM的電壓準位。並且，第1個發光控制單元125接收發光起始信號STVL，第i個發光控制單元125接收第i-1個發光控制單元125所提供的發光信號EM，i為大於等於2的正整數。

閘極驅動電路123包括多個位移暫存器127。這些位移暫存器127分別接收時脈信號CK3、CK4、閘極低電壓VGL及閘極高電壓VGH，且受控於閘極起始信號STVG而啟動。接著，這些位移暫存器127依據時脈信號CK3及CK4提供閘極驅動信號(如SN1、SN2)至顯示面板100上的畫素PX。其中，各個位移暫存器127會依據時脈信號CK3及CK4決定輸出時脈信號CK3或CK4作為對應的閘極驅動信號(如SN1、SN2)，並且時脈信號CK3及CK4互為反相信號。並且，第1個位移暫存器127接收閘極起始信號STVG，第i個位移暫存器127接收第i-1個位移暫存器127所提供的閘極驅動信號(如SN1、SN2)。

依據上述，本實施例的發光控制電路121的運作與閘極驅動電路123的運作不相關，亦即發光控制電路121可獨立運作，因此本實施例的發光控制電路121的設計可簡化，進而可降低發光控制電路121的電路面積。

圖2A至2C分別為依據本發明一實施例的第一時脈信號、第二時脈信號及發光信號的波形示意圖。請參照圖1及圖2A至圖2C，其中相同或相似元件使用相同或相似標號。在本實施例中，時脈信號CK1與CK2的脈波寬度為P，亦即時脈信號CK1與CK2的工作週期相同，其中脈波寬度P可以相同於1個水平掃描期間。並且，發光信號EM的脈波寬度反比於時脈信號CK1或CK2的工作比例(duty ratio)。

以圖2A為例，時脈信號CK1a及CK2a的工作比例為1/2(即50%)。此時，發光信號EMa(n)及EMa(n+1)的脈波寬度為2個P，例如為2個水平掃描期間。並且，發光信號EMa(n)及EMa(n+1)間的位移(或延遲時間)為1個P，例如為1個水平掃描期間。其中，n為一正整數。

以圖2B為例，時脈信號CK1b及CK2b的工作比例為1/4(即25%)。此時，發光信號EMb(n)及EMb(n+1)的脈波寬度為4個P，例如為4個水平掃描期間。並且，發光信號EMb(n)及EMb(n+1)間的位移(或延遲時間)為2個P，例如為2個水平掃描期間。

以圖2C為例，時脈信號CK1c及CK2c的工作比例為1/6(即16.7%)。此時，發光信號EMc(n)及EMc(n+1)的脈波寬度為6個P，例如為6個水平掃描期間。並且，發光信號EMc(n)及EMc(n+1)間的位移(或延遲時間)為3個P，例如為3個水平掃描期間。

其中，上述發光信號EM的脈波寬度的調整可視畫素陣列(如110)的設計而定。例如，若單一發光信號EM對應單列畫 素PX，則可使用發光信號EMa(n)及EMa(n+1)來驅動畫素PX；若單一發光信號EM對應雙列畫素PX，則可使用發光信號EMb(n)及EMb(n+1)來驅動畫素PX；若單一發光信號EM對應三列畫素PX，則可使用發光信號EMc(n)及EMc(n+1)來驅動畫素PX，其餘可依此類推，在此則不再贅述，但本發明實施例不以此為限。

圖3A至3C分別為依據本發明一實施例的發光起始信號、第一時脈信號、第二時脈信號及發光信號的波形示意圖。請參照圖1、圖2C及圖3A至圖3C，其中相同或相似元件使用相同或相似標號。在本實施例中，發光信號EM的脈波寬度正比於發光起始信號STVL的脈波寬度。

以圖3A為例，時脈信號CK1c及CK2c的工作比例為1/6(即16.7%)，並且發光起始信號STVLa的脈波寬度PSa為6個P，例如6個水平掃描期間。此時，發光信號EMd(1)及EMd(2)的脈波寬度為6個P，例如為6個水平掃描期間。並且，發光信號EMd(1)及EMd(2)間的位移(或延遲時間)為3個P，例如為3個水平掃描期間。

以圖3B為例，發光起始信號STVLb的脈波寬度PSb為12個P，例如12個水平掃描期間。此時，發光信號EMe(1)及EMe(2)的脈波寬度為12個P，例如為12個水平掃描期間。並且，發光信號EMe(1)及EMe(2)間的位移(或延遲時間)為3個P，例如為3個水平掃描期間。

以圖3C為例，發光起始信號STVLc的脈波寬度PSc為 18個P，例如18個水平掃描期間。此時，發光信號EMf(1)及EMf(2)的脈波寬度為18個P，例如為18個水平掃描期間。並且，發光信號EMf(1)及EMf(2)間的位移(或延遲時間)為3個P，例如為3個水平掃描期間。

圖4為圖1依據本發明一實施例的發光控制單元的系統示意圖。請參照圖1及圖4，在本實施例中，發光控制單元125可以是發光控制單元400，其中相同或相似元件使用相同或相似標號，並且發光控制單元125包括電晶體M1~M4(對應第一電晶體至第四電晶體)、電容C1及邏輯控制單元410。其中，電晶體M1~M4是以P型電晶體為例，但本發明實施例不以此為限。

電晶體M1的源極(對應第一端)接收發光起始信號STVL或第n-1個發光控制單元125所提供的發光信號EM(n-1)，電晶體M1的閘極(對應第一控制端)接收時脈信號CK1或CK2。電晶體M2的源極(對應第三端)接收閘極低電壓VGL，電晶體M2的汲極(對應第四端)提供對應的發光信號EM(n)，電晶體M2的閘極(對應第二控制端)耦接電晶體M1的汲極(對應第二端)。電晶體M3的源極(對應第五端)耦接電晶體M1的汲極，電晶體M3的汲極(對應第六端)接收閘極高電壓VGH，電晶體M3的閘極(對應第三控制端)接收邏輯控制單元410所提供的邏輯控制信號SLC。

電晶體M4的源極(對應第七端)耦接電晶體M2的汲極，電晶體M4的汲極(對應第八端)接收閘極高電壓VGH，電晶體 M4的閘極(對應第四控制端)接收邏輯控制信號SLC。電容C1耦接於時脈信號CK2或CK1與電晶體M2的閘極之間。邏輯控制單元410接收至少一參考信號SRE，且耦接電晶體M3及M4的閘極以提供邏輯控制信號SLC。其中，參考信號SRE可以包括發光起始信號STVL、第n-1個發光控制單元125所提供的發光信號EM(n-1)、時脈信號CK2及CK1的其中之一或部分，此可依據本領域通常知識者自行設定。

在本實施例中，當電晶體M1的閘極接收時脈信號CK1時，電容C1接收時脈信號CK2；反之，當電晶體M1的閘極接收時脈信號CK2時，電容C1接收時脈信號CK1。

圖5A至5D分別為圖4依據本發明一實施例的發光控制單元的電路示意圖。請參照圖1、圖4及圖5A至5D，其中相同或相似元件使用相同或相似標號。在本實施例中，參考信號SRE包括發光起始信號STVL或發光信號EM(n-1)、以及時脈信號CK1或CK2。

以圖5A為例，邏輯控制單元410a包括電晶體M5~M7(對應第五電晶體至第七電晶體)及電容C2。其中，電晶體M5~M7是以P型電晶體為例，但本發明實施例不以此為限。電晶體M5的汲極(對應第十端)接收閘極高電壓VGH，電晶體M5的閘極(對應第五控制端)耦接電晶體M1的汲極以透過導通的電晶體M1接收發光起始信號STVL或發光信號EM(n-1)。電晶體M6的源極(對應第十一端)接收閘極低電壓VGL，電晶體M6的汲極 (對應第十二端)提供邏輯控制信號SLC，電晶體M6的閘極(對應第六控制端)耦接電晶體M5的源極(對應第九端)。電晶體M7的源極(對應第十三端)耦接電晶體M6的汲極，電晶體M7的汲極(對應第十四端)接收閘極高電壓VGH，電晶體M7的閘極(對應第七控制端)耦接電晶體M1的汲極以透過導通的電晶體M1接收發光起始信號STVL或發光信號EM(n-1)。電容C2耦接於時脈信號CK1或CK2與電晶體M5的源極之間。

在本實施例中，當電晶體M1的閘極接收時脈信號CK1時，電容C1接收時脈信號CK2，電容C2接收時脈信號CK1；反之，當電晶體M1的閘極接收時脈信號CK2時，電容C1接收時脈信號CK1，電容C2接收時脈信號CK2。

依據圖5A與圖5B所示實施例，邏輯控制單元410b與邏輯控制單元410a不同之處在於電晶體M5a與M7a，其中電晶體M5a與M7a的閘極耦接電晶體M1的源極以接收發光起始信號STVL或發光信號EM(n-1)。

依據圖5A與圖5C所示實施例，邏輯控制單元410c與邏輯控制單元410a不同之處在於電晶體M5b，其中電晶體M5b的閘極耦接電晶體M1的源極以接收發光起始信號STVL或發光信號EM(n-1)。此時，電晶體M6與M7的閘極電壓變化會比較一致，亦即邏輯控制信號SLC的電壓準位切換速度會較快，進而降低發光控制單元125運作錯誤的機會。

依據圖5A與圖5D所示實施例，邏輯控制單元410d與 邏輯控制單元410a不同之處在於更包括電晶體M8及電容C3，其中電晶體M8是以P型電晶體為例，但本發明實施例不以此為限。電晶體M8的源極(對應第十五端)耦接電晶體M1的源極，電晶體M8的汲極(對應第十六端)耦接電晶體M5c及M7c的閘極，電晶體M8的閘極(對應第八控制端)接收時脈信號CK2或CK1。電容C3耦接於電晶體M5c的閘極與閘極高電壓VGH之間。電晶體M5c及M7c的閘極透過導通的電晶體M8接收發光起始信號STVL或發光信號EM(n-1)。在本實施例中，當電晶體M1的閘極接收時脈信號CK1時，電容C1接收時脈信號CK2，電容C2接收時脈信號CK1，電晶體M8的閘極接收時脈信號CK2；反之，當電晶體M1的閘極接收時脈信號CK2時，電容C1接收時脈信號CK1，電容C2接收時脈信號CK2，電晶體M8的閘極接收時脈信號CK1。

圖6為圖1依據本發明一實施例的畫素的電路示意圖。請參照圖1及圖6，畫素PX可以是畫素PXa。在本實施例中，畫素PXa包括電晶體M9-M14(對應第九至第十四電晶體)、儲存電容Cst及有機發光二極體OD1，其中電晶體M9~M14是以P型電晶體為例，但本發明實施例不以此為限。

電晶體M9的汲極(對應第十八端)接收初始電壓Vint，電晶體M9的閘極(對應第九控制端)接收對應的掃描信號SN1。電晶體M10的源極(對應第十九端)接收系統高電壓OVDD，電晶體M10的閘極(對應第十控制端)接收對應的發光信號EM。 電晶體M11的源極(對應第二十一端)耦接電晶體M10的汲極(對應第二十端)，電晶體M11的閘極(對應第十一控制端)耦接電晶體M9的源極(對應第十七端)。

電晶體M12的源極(對應第二十三端)耦接電晶體M11的閘極(對應第十一控制端)，電晶體M12的汲極(對應第二十四端)耦接電晶體M11的汲極，電晶體M12的閘極(對應第十二控制端)接收對應的掃描信號SN2。電晶體M13的源極(對應第二十五端)耦接電晶體M10的汲極(對應第二十端)，電晶體M13的汲極(對應第二十六端)接收對應的資料電壓Vdata，電晶體M13的閘極(對應第十三控制端)接收對應的掃描信號SN2。電晶體M14的源極(對應第二十七端)耦接電晶體M11的汲極，電晶體M14的閘極(對應第十四控制端)接收對應的發光信號EM。有機發光二極體OD1的陽極耦接電晶體M14的汲極(對應第二十八端)，有機發光二極體OD1的陰極接收系統低電壓OVSS。儲存電容Cst耦接於OVDD系統高電壓與電晶體M9的源極之間。

綜上所述，本發明實施例的發光控制電路、其驅動電路及其主動矩陣有機發光二極體顯示面板，其分離驅動電路的閘極驅動電路及發光控制電路，以降低驅動電路的電路面積。並且，可透過調整時脈信號的工作比例來改變發光信號的脈波寬度，藉此可進一步縮小發光控制電路的電路面積。更者，可透過調整發光起始信號的脈波寬度來改變發光信號的脈波寬度，以改善顯示面板的畫面品質。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍 當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧主動矩陣有機發光二極體顯示面板

110‧‧‧畫素陣列

111‧‧‧掃描線

113‧‧‧多個資料線

115‧‧‧發光控制線

120‧‧‧驅動電路

121‧‧‧發光控制電路

123‧‧‧閘極驅動電路

125‧‧‧發光控制單元

127‧‧‧位移暫存器

CK1~CK4‧‧‧時脈信號

EM‧‧‧發光信號

PX‧‧‧畫素

SN1、SN2‧‧‧閘極驅動信號

STVG‧‧‧閘極起始信號

STVL‧‧‧發光起始信號

Vdata‧‧‧資料電壓

VGH‧‧‧閘極高電壓

VGL‧‧‧閘極低電壓

Claims (37)

1. 一種發光控制電路，適用於一主動矩陣有機發光二極體(Active Matrix Organic Light Emitting Diodes，AMOLED)顯示面板，包括：多個發光控制單元，分別接收一第一時脈信號、一第二時脈信號、一閘極低電壓及一閘極高電壓，且用以提供多個發光信號至該主動矩陣有機發光二極體顯示面板的多個畫素，其中各該些發光控制單元依據該第一時脈信號及該第二時脈信號決定輸出該閘極低電壓或該閘極高電壓作為對應的發光信號的電壓準位。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光控制電路，其中第1個發光控制單元接收一發光起始信號，第i個發光控制單元接收第i-1個發光控制單元所提供的發光信號，i為大於等於2的正整數。
3. 如申請專利範圍第2項所述的發光控制電路，其中各該些發光控制單元包括：一第一電晶體，具有一第一端、一第二端及一第一控制端，該第一端接收該發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提供的發光信號，該第一控制端接收該第一時脈信號；一第二電晶體，具有一第三端、一第四端及一第二控制端，該第三端接收該閘極低電壓，該第四端提供對應的發光信號，該第二控制端耦接該第二端；一第三電晶體，具有一第五端、一第六端及一第三控制端，該第五端耦接該第二端，該第六端接收該閘極高電壓，該第三控 制端接收一邏輯控制信號；一第四電晶體，具有一第七端、一第八端及一第四控制端，該第七端耦接該第四端，該第八端接收該閘極高電壓，該第四控制端接收該邏輯控制信號；一第一電容，耦接於該第二時脈信號與該第二控制端之間；以及一邏輯控制單元，接收至少一參考信號，且耦接該第三控制端及該第四控制端以提供該邏輯控制信號。
4. 如申請專利範圍第3項所述的發光控制電路，其中該至少一參考信號包括該發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提供的發光信號，以及該第一時脈信號。
5. 如申請專利範圍第4項所述的發光控制電路，其中該邏輯控制單元包括：一第五電晶體，具有一第九端、一第十端及一第五控制端，該第十端接收該閘極高電壓，該第五控制端接收該發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提供的發光信號；一第六電晶體，具有一第十一端、一第十二端及一第六控制端，該第十一端接收該閘極低電壓，該第十二端提供該邏輯控制信號，該第六控制端耦接該第九端；一第七電晶體，具有一第十三端、一第十四端及一第七控制端，該第十三端耦接該第十二端，該第十四端接收該閘極高電壓，該第七控制端接收該發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提 供的發光信號；以及一第二電容，耦接於該第一時脈信號與該第九端之間。
6. 如申請專利範圍第5項所述的發光控制電路，其中該第五控制端及該第七控制端耦接該第二端。
7. 如申請專利範圍第5項所述的發光控制電路，其中該第五控制端及該第七控制端耦接該第一端。
8. 如申請專利範圍第5項所述的發光控制電路，其中該第五控制端耦接該第一端，該第七控制端耦接該第二端。
9. 如申請專利範圍第5項所述的發光控制電路，該邏輯控制單元更包括：一第八電晶體，具有一第十五端、一第十六端及一第八控制端，該第十五端耦接該第一端，該第十六端耦接該第五控制端及該第七控制端，該第八控制端接收該第二時脈信號；以及一第三電容，耦接於該第五控制端與該閘極高電壓之間。
10. 如申請專利範圍第1項所述的發光控制電路，其中該第一時脈信號與該第二時脈信號的工作週期相同。
11. 如申請專利範圍第10項所述的發光控制電路，其中該些發光信號的脈波寬度反比於該第一時脈信號的工作比例。
12. 如申請專利範圍第10項所述的發光控制電路，其中該些發光信號的脈波寬度正比於該發光起始信號的脈波寬度。
13. 一種驅動電路，適用於一主動矩陣有機發光二極體顯示面板，包括： 一發光控制電路，包括：多個發光控制單元，分別接收一第一時脈信號、一第二時脈信號、一閘極低電壓及一閘極高電壓，且用以提供多個發光信號至該主動矩陣有機發光二極體顯示面板的多個畫素，其中各該些發光控制單元依據該第一時脈信號及該第二時脈信號決定輸出該閘極低電壓或該閘極高電壓作為對應的發光信號的電壓準位；以及一閘極驅動電路，包括：多個位移暫存器，分別接收一第三時脈信號、一第四時脈信號、該閘極低電壓及該閘極高電壓，且用以提供多個閘極驅動信號至該些畫素。
14. 如申請專利範圍第13項所述的驅動電路，其中第1個發光控制單元接收一發光起始信號，第i個發光控制單元接收第i-1個發光控制單元所提供的發光信號，i為大於等於2的正整數。
15. 如申請專利範圍第14項所述的驅動電路，其中各該些發光控制單元包括：一第一電晶體，具有一第一端、一第二端及一第一控制端，該第一端接收該發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提供的發光信號，該第一控制端接收該第一時脈信號；一第二電晶體，具有一第三端、一第四端及一第二控制端，該第三端接收該閘極低電壓，該第四端提供對應的發光信號，該第二控制端耦接該第二端； 一第三電晶體，具有一第五端、一第六端及一第三控制端，該第五端耦接該第二端，該第六端接收該閘極高電壓，該第三控制端接收一邏輯控制信號；一第四電晶體，具有一第七端、一第八端及一第四控制端，該第七端耦接該第四端，該第八端接收該閘極高電壓，該第四控制端接收該邏輯控制信號；一第一電容，耦接於該第二時脈信號與該第二控制端之間；以及一邏輯控制單元，接收至少一參考信號，且耦接該第三控制端及該第四控制端以提供該邏輯控制信號。
16. 如申請專利範圍第15項所述的驅動電路，其中該至少一參考信號包括該發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提供的發光信號，以及該第一時脈信號。
17. 如申請專利範圍第16項所述的驅動電路，其中該邏輯控制單元包括：一第五電晶體，具有一第九端、一第十端及一第五控制端，該第十端接收該閘極高電壓，該第五控制端接收該發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提供的發光信號；一第六電晶體，具有一第十一端、一第十二端及一第六控制端，該第十一端接收該閘極低電壓，該第十二端提供該邏輯控制信號，該第六控制端耦接該第九端；一第七電晶體，具有一第十三端、一第十四端及一第七控制 端，該第十三端耦接該第十二端，該第十四端接收該閘極高電壓，該第七控制端接收該發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提供的發光信號；以及一第二電容，耦接於該第一時脈信號與該第九端之間。
18. 如申請專利範圍第17項所述的驅動電路，其中該第五控制端及該第七控制端耦接該第二端。
19. 如申請專利範圍第17項所述的驅動電路，其中該第五控制端及該第七控制端耦接該第一端。
20. 如申請專利範圍第17項所述的驅動電路，其中該第五控制端耦接該第一端，該第七控制端耦接該第二端。
21. 如申請專利範圍第17項所述的驅動電路，該邏輯控制單元更包括：一第八電晶體，具有一第十五端、一第十六端及一第八控制端，該第十五端耦接該第一端，該第十六端耦接該第五控制端及該第七控制端，該第八控制端接收該第二時脈信號；以及一第三電容，耦接於該第五控制端與該閘極高電壓之間。
22. 如申請專利範圍第13項所述的驅動電路，其中該第一時脈信號與該第二時脈信號的工作週期相同。
23. 如申請專利範圍第22項所述的驅動電路，其中該些發光信號的脈波寬度反比於該第一時脈信號的工作比例。
24. 如申請專利範圍第22項所述的驅動電路，其中該些發光信號的脈波寬度正比於該發光起始信號的脈波寬度。
25. 一種主動矩陣有機發光二極體顯示面板，包括：多個畫素；以及多個發光控制單元，分別接收一第一時脈信號、一第二時脈信號、一閘極低電壓及一閘極高電壓，且用以提供多個發光信號至該些畫素，其中各該些發光控制單元依據該第一時脈信號及該第二時脈信號決定輸出該閘極低電壓或該閘極高電壓作為對應的發光信號的電壓準位。
26. 如申請專利範圍第25項所述的主動矩陣有機發光二極體顯示面板，其中第1個發光控制單元接收一發光起始信號，第i個發光控制單元接收第i-1個發光控制單元所提供的發光信號，i為大於等於2的正整數。
27. 如申請專利範圍第26項所述的主動矩陣有機發光二極體顯示面板，其中各該些發光控制單元包括：一第一電晶體，具有一第一端、一第二端及一第一控制端，該第一端接收該發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提供的發光信號，該第一控制端接收該第一時脈信號；一第二電晶體，具有一第三端、一第四端及一第二控制端，該第三端接收該閘極低電壓，該第四端提供對應的發光信號，該第二控制端耦接該第二端；一第三電晶體，具有一第五端、一第六端及一第三控制端，該第五端耦接該第二端，該第六端接收該閘極高電壓，該第三控制端接收一邏輯控制信號； 一第四電晶體，具有一第七端、一第八端及一第四控制端，該第七端耦接該第四端，該第八端接收該閘極高電壓，該第四控制端接收該邏輯控制信號；一第一電容，耦接於該第二時脈信號與該第二控制端之間；以及一邏輯控制單元，接收至少一參考信號，且耦接該第三控制端及該第四控制端以提供該邏輯控制信號。
28. 如申請專利範圍第27項所述的主動矩陣有機發光二極體顯示面板，其中該至少一參考信號包括該發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提供的發光信號，以及該第一時脈信號。
29. 如申請專利範圍第28項所述的主動矩陣有機發光二極體顯示面板，其中該邏輯控制單元包括：一第五電晶體，具有一第九端、一第十端及一第五控制端，該第十端接收該閘極高電壓，該第五控制端接收該發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提供的發光信號；一第六電晶體，具有一第十一端、一第十二端及一第六控制端，該第十一端接收該閘極低電壓，該第十二端提供該邏輯控制信號，該第六控制端耦接該第九端；一第七電晶體，具有一第十三端、一第十四端及一第七控制端，該第十三端耦接該第十二端，該第十四端接收該閘極高電壓，該第七控制端接收該發光起始信號或第i-1個發光控制單元所提供的發光信號；以及 一第二電容，耦接於該第一時脈信號與該第九端之間。
30. 如申請專利範圍第29項所述的主動矩陣有機發光二極體顯示面板，其中該第五控制端及該第七控制端耦接該第二端。
31. 如申請專利範圍第29項所述的主動矩陣有機發光二極體顯示面板，其中該第五控制端及該第七控制端耦接該第一端。
32. 如申請專利範圍第29項所述的主動矩陣有機發光二極體顯示面板，其中該第五控制端耦接該第一端，該第七控制端耦接該第二端。
33. 如申請專利範圍第29項所述的主動矩陣有機發光二極體顯示面板，該邏輯控制單元更包括：一第八電晶體，具有一第十五端、一第十六端及一第八控制端，該第十五端耦接該第一端，該第十六端耦接該第五控制端及該第七控制端，該第八控制端接收該第二時脈信號；以及一第三電容，耦接於該第五控制端與該閘極高電壓之間。
34. 如申請專利範圍第25項所述的主動矩陣有機發光二極體顯示面板，其中該第一時脈信號與該第二時脈信號的工作週期相同。
35. 如申請專利範圍第34項所述的主動矩陣有機發光二極體顯示面板，其中該些發光信號的脈波寬度反比於該第一時脈信號的工作比例。
36. 如申請專利範圍第34項所述的主動矩陣有機發光二極體顯示面板，其中該些發光信號的脈波寬度正比於該發光起始信號 的脈波寬度。
37. 如申請專利範圍第25項所述的主動矩陣有機發光二極體顯示面板，其中各該些畫素包括：一第九電晶體，具有一第十七端、一第十八端及一第九控制端，該第十八端接收一初始電壓，該第九控制端接收一第一掃描信號；一第十電晶體，具有一第十九端、一第二十端及一第十控制端，該第十九端接收一系統高電壓，該第十控制端接收對應的發光信號；一第十一電晶體，具有一第二十一端、一第二十二端及一第十一控制端，該第二十一端耦接該第二十端，該第十一控制端耦接該第十七端；一第十二電晶體，具有一第二十三端、一第二十四端及一第十二控制端，該第二十三端耦接該第十一控制端，該第二十四端耦接該第二十二端，該第十二控制端接收一第二掃描信號；一第十三電晶體，具有一第二十五端、一第二十六端及一第十三控制端，該第二十五端耦接該第二十端，該第二十六端接收一資料電壓，該第十三控制端接收該第二掃描信號；一第十四電晶體，具有一第二十七端、一第二十八端及一第十四控制端，該第二十七端耦接該第二十二端，該第十四控制端接收對應的發光信號；一有機發光二極體，該有機發光二極體的陽極耦接該第二十 八端，該有機發光二極體的陰極接收一系統低電壓；以及一儲存電容，耦接於該系統高電壓與該第十七端之間。