TWI580643B - Copper oxide (II) oxide powder and method for producing the same - Google Patents
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Description
本發明係關於一種氧化銅(II)微粉末及其製造方法。
氧化銅(II)微粉末係用於顏料、塗料、觸媒、陶瓷器之著色劑或鍍銅液之補給用銅源等,其製造方法大致分為濕式法與乾式法。
作為濕式法之一例,可列舉於氯化銅或硫酸銅之水溶液中添加氫氧化鈉而生成氫氧化銅後,對該氫氧化銅進行加熱(參照專利文獻1)。更詳細而言,可列舉利用苛性鹼(NaOH)中和含有氯化銅之印刷基板的蝕刻廢液,將該經中和之銅溶液與苛性鹼水溶液同時滴加於保持在溫度40~50℃之水溶液中並進行混合,一面將該混合之水溶液之pH值維持在弱酸性至弱鹼性之範圍,一面生成銅之水合物。繼而,將pH值調整為12~13,並保持於70~80℃之溫度30分鐘後,進行水洗、固液分離而製造氧化銅(II)。
作為濕式法之另一例,可列舉使硫酸銅水溶液與氫氧化鈉水溶液於30℃以下之溫度下反應而生成氫氧化銅(II),將該氫氧化銅(II)加熱至60~80℃之溫度並熟化而形成氧化銅(II)(參照專利文獻2)。通常,利用濕式法製造之氧化銅(II)粉末具有對鍍銅液之溶解性較快之優點。
然而,若利用濕式法製造氧化銅(II)粉末,則具有除Na
以外,源自硫酸根離子之S等之殘留濃度容易變得相對較高的課題。若將含有較多雜質之氧化銅(II)粉末添加至鍍液中,則可能因雜質而引起鍍敷不良。例如,於專利文獻1所記載之方法中,於所使用之蝕刻廢液中除包含對印刷基板進行蝕刻時溶解之銅以外之雜質外,亦於中和時副生成作為雜質之氯化鈉(NaCl)等,因此為了去除雜質,需有水洗步驟。進而,亦存在即便進行水洗亦難以完全去除之課題,利用引用文獻1所記載之方法製造之氧化銅因為會將雜質添加至鍍液中,故存在隨著添加,鍍敷皮膜特性劣化,而必需更換鍍液的課題。
又,作為對漿料狀之氧化銅(II)微粉末進行乾燥之方法,已知有:藉由加熱容器使溶劑氣化而進行乾燥之方法;一面於容器內進行攪拌一面加熱而乾燥之方法;或於藉由熱風而流動之氧化鋁等介質中投入漿料,於介質表面乾燥之粉剝落並隨熱風一起被排出,利用旋風器、過濾袋等以乾燥粉體進行回收的介質流動式乾燥方法等。該等方法係作為乾燥方法而於工業上確立之效率良好之方法。然而,存在難以將乾燥之氧化銅(II)微粉末之2次粒子控制為凝集形狀,難以將溶解性或操作性控制為固定的課題。
另一方面,作為乾式法之一例,可列舉於空氣中將硝酸銅、硫酸銅、碳酸銅、氫氧化銅等加熱至600℃左右之溫度而熱分解的方法(非參照專利文獻1)。通常,乾式法與濕式法相比,獲得之氧化銅(II)之純度較高,且對鍍液之溶解性優異。
然而,於乾式法中可能有氧化銅(II)粉末彼此容易燒結,氧化銅(II)粉末粗大化而對鍍液之溶解速度變得極慢的情況。為了提高溶
解性,要求獲得之氧化銅粉為微細之粉末狀態,但利用乾式法獲得之氧化銅(II)粉由於燒結而粒子增大,因此必需粉碎增大之氧化銅(II)粉。特別是於將金屬銅用於原料之情形時,若於熱處理前進行粉碎,則因金屬銅柔軟且具有延展性,故難以微細地粉碎。因此,為了進行熱處理至完全成為氧化銅,必需加熱至更高溫度,但由於會因高溫下之熱處理而再次產生銅粒子之燒結,因此就產生熱處理後再次進行粉碎之必要等方面而言,乾式法不可謂為高效之方法。
為了提高乾式法之效率,提出利用噴射磨機粉碎法粉碎硫酸銅溶液中製作之電解銅粉(參照專利文獻3~5)。根據專利文獻3~5,為了將電解銅粉微細地粉碎,成為粉碎原料之電解銅粉之粒徑可謂為重要之要素。例如於專利文獻3中揭示有為了獲得10μm以下之銅粉,作為原料之電解銅粉之大小以比表面積計必需為2000cm2/g以上之大小。又,於專利文獻5中,即便將利用噴射磨機之粉碎法自使粒子相互碰撞之方式變更為碰撞至碰撞板之碰撞板方式的噴射磨機,作為粉碎原料之電解銅粉之平均粒徑亦設為20~35μm。
電解銅粉之形成形態係成長為樹枝狀之結構,因此於使粒子碰撞而進行粉碎之情形時,藉由自樹枝狀之枝之部分折斷而微細地進行粉碎,故而為了使粉碎後之粒子變微細,必需使作為粉碎原料之電解銅粉之形狀變微細。為了進行較樹枝狀之枝更微細之粉碎,噴射磨機方式存在極限。然而,若利用作為其他粉碎機之破碎機、球磨機、振磨機進行粉碎,則由於金屬銅之延展性等特性,粉碎後之電解銅粉成為凝集者或平板狀者,因此依然難以使電解銅粉微細化。
[專利文獻1]日本特開平5-319825號公報
[專利文獻2]日本特開平3-80116號公報
[專利文獻3]日本特開昭62-199705號公報
[專利文獻4]日本特開平2-182809號公報
[專利文獻5]日本特開2000-80408號公報
[非專利文獻1]第4版 實驗化學講座 無機化合物,日本化學會編,丸善股份有限公司,1993年12月
因此,本發明係著眼於使電解銅粉微細化,提高對鍍液之溶解性而完成者,其課題在於延續先前乾式法之優點即高純度,並且提高對鍍液之溶解性。
本發明人等為解決上述課題反覆進行潛心研究,結果發現,藉由以乾式粉碎表面具有氧化皮膜之電解銅粉,並使利用該粉碎獲得之電解銅微粉末氧化,可達成上述目的,從而完成本發明。
具體而言,於本發明中提供如下述者。
(1)本發明係一種氧化銅(II)微粉末之製造方法,其包含如下步驟:乾式粉碎步驟,以乾式粉碎表面具有氧化皮膜之電解銅粉;氧化步驟,其氧化藉由該乾式粉碎步驟獲得之電解銅微粉末。
(2)又,本發明係如(1)記載之氧化銅(II)微粉末之製
造方法,其中,上述氧化皮膜係藉由對利用含銅離子溶液之電解獲得之電解銅粉進行水洗後,於含氧環境中以70℃~150℃之溫度乾燥而形成。
(3)又,本發明係如(1)或(2)記載之氧化銅(II)微粉末之製造方法,其中,上述乾式粉碎步驟係於含氧環境中進行。
(4)又,本發明係如(1)至(3)中任一項記載之氧化銅(II)微粉末之製造方法,其中,上述氧化步驟係藉由將上述電解銅微粉末以300℃~700℃加熱來進行。
(5)又,本發明係一種鍍銅方法,將藉由(1)至(4)中任一項記載之製造方法而獲得之氧化銅(II)微粉末溶解而得的硫酸銅水溶液用作電鍍銅裝置之電解液。
(6)又,本發明係一種氧化銅(II)微粉末,其平均粒徑為5μm以下,最大粒徑為15μm以下,於將10g之氧化銅(II)微粉末浸漬於25℃之含硫酸溶液1L中而進行之溶解試驗中,溶解時間為1分鐘以下,其中,該含硫酸溶液含有228g/L之CuSO4‧5H2O、68g/L之游離H2SO4、及60mg/L之氯化物離子。
根據本發明,可提供一種氧化銅之純度高,且對鍍液之溶解性高之氧化銅(II)微粉末。該氧化銅(II)微粉末可較佳地用作工業上所使用之鍍銅液之補給用銅源。
圖1係用以說明本發明之製造方法之圖。
圖2係表示於表面具有氧化皮膜的氧化銅粉之掃描電子顯微鏡圖像(SEM圖像)。
圖3係表示實施例1之電解銅微粉末之SEM圖像。
圖4係表示比較例1之電解銅微粉末之SEM圖像。
圖5係表示比較例2之電解銅微粉末之SEM圖像。
圖6係表示實施例1之氧化銅(II)微粉末之X射線繞射圖案。
以下,對本發明之具體之實施形態詳細地進行說明,但本發明並不受以下實施形態任何限定,可於本發明之目的之範圍內適當加以變更而實施。
<氧化銅(II)微粉末之製造方法>
本發明之製造方法包含以乾式粉碎表面具有氧化皮膜之電解銅粉之乾式粉碎步驟S1,及氧化藉由該乾式粉碎步驟S1獲得之電解銅微粉末之氧化步驟S2。再者,於本說明書中,為了明確地區分電解銅或氧化銅之狀態,將乾式粉碎前之電解銅稱為「電解銅粉」,將乾式粉碎後但氧化前之電解銅稱為「電解銅微粉末」,將氧化後之氧化銅稱為「氧化銅(II)微粉末」。
[氧化皮膜形成步驟S0]
於本發明中,只要乾式粉碎步驟S1中使用之電解銅粉為表面具有氧化皮膜者,則氧化皮膜之形成方法可為任意方法,作為一例,可列舉藉由於硫酸銅溶液中進行銅之電解而使電解銅粉於電極表面析出並進行回收後,經由於該電解銅粉之表面形成氧化皮膜之氧化皮膜形成步驟S0而成者。
電解銅粉例如可藉由以CuSO4‧5H2O:5~50g/L、游離H2SO4:50~250g/L之浴組成,於電流密度5~30A/dm2、浴溫20~60℃之條件下進行電解,電沈積於陰極上而製造。
獲得之電解銅粉於藉由水洗而洗淨後,為了去除水分,較佳為於含氧環境中以70~150℃之溫度乾燥。
所謂含氧環境係指至少以大氣程度含有氧氣之狀態,可為空氣環境,亦可為人工供給氧氣之狀態下,但若考慮量產成本,則較佳為空氣環境。
藉由進行上述乾燥,而使電解銅粉與氣體中之氧反應,於電解銅粉之表面形成氧化皮膜。無需特別控制氧化皮膜之形成程度,於大氣中在通常之乾燥器中使水洗後之電解銅粉乾燥即足夠,但較佳為進行相對於電解銅粉全部皆完全地氧化為氧化銅(II)之情形的理論重量之20%以上之氧化,更佳為進行30%以上,進而較佳為進行40%以上。
[乾式粉碎步驟S1]
本發明包含以乾式粉碎表面具有氧化皮膜之電解銅粉而獲得電解銅微粉末之乾式粉碎步驟S1。
電解銅粉柔軟且具有延展性,故而難以微細地粉碎。因此,電解銅粉之粉碎較佳為於含氧環境中進行。藉由於含氧環境中進行粉碎,可使藉由粉碎而露出之金屬表面氧化,故而結果形成新的氧化皮膜。因此,可抑制電解銅粉之延展性,可效率良好地使電解銅粉微細化。
粉碎方法並無特別限定,若考慮製造成本或效率,則較佳為於流體中使電解銅粉彼此碰撞、或使電解銅粉與碰撞板碰撞而進行粉碎之
方式,具體而言,可列舉以噴射磨機、旋風磨機等名稱市售之裝置。
又,藉由組合粉碎裝置與分級裝置,可更高效地獲得電解銅微粉末。
電解銅微粉末之粒徑並無特別限定,但為了可高效地進行繼而說明之氧化步驟S2,平均粒徑較佳為5μm以下,更佳為4μm以下,進而較佳為3μm以下。又,最大粒徑較佳為15μm以下,更佳為10μm以下。再者,於本說明書中,只要未特別說明,則將粒徑設為使用雷射粒度分佈測定器Microtrac(日機裝公司製造)進行測定時之由近似於體積球之直徑所得者。
[氧化步驟S2]
本發明包含氧化藉由乾式粉碎步驟S1獲得之電解銅微粉末之氧化步驟S2。
氧化步驟S2較佳為藉由將電解銅微粉末以300℃~700℃加熱而進行。只要為該溫度範圍,則熱處理之溫度並無特別限定,但較佳為根據電解銅微粉末之粒徑進行設定。例如電解銅微粉末之平均粒徑為5μm以下之情形時,可利用相對低溫下之熱處理而將電解銅微粉末製成氧化銅(II)微粉末。另一方面,於電解銅微粉末之平均粒徑超過5μm之情形時,需要可使氧化電解銅微粉末之表面及中心皆氧化之相對高溫下之熱處理。
然而,若於高溫下進行熱處理,則雖然刻意將電解銅粉粉碎而獲得電解銅微粉末,但電解銅微粉末彼此燒結而增大粒徑。若如此,則電解氧化銅(II)微粉末對鍍液之溶解特性變低。
為了避免電解氧化銅(II)微粉末對鍍液之溶解特性變低,
即便於電解銅微粉末彼此燒結之情形時,亦只要再次粉碎燒結之氧化銅(II)粉而製成電解氧化銅(II)微粉末即可,但再次粉碎會導致製造成本之上漲,因此粉碎之次數較佳為限於1次。就該觀點而言,電解銅微粉末之平均粒徑較佳為10μm以下,最大粒徑較佳為15μm以下。
又,熱處理之時間取決於熱處理溫度,於熱處理溫度為300℃~500℃之情形時,較佳為將熱處理時間設為5小時以下,於熱處理溫度為500℃~700℃之情形時,較佳為將熱處理時間設為3小時以下。
由於電解銅微粉末彼此之燒結,而使電解氧化銅(II)微粉末之粒徑變得大於電解銅微粉末之粒徑,為了提高對硫酸銅鍍液之溶解性,較佳為儘量抑制該燒結。因此,電解氧化銅(II)微粉末之粒徑較佳為與電解銅微粉末之粒徑相同之程度,具體而言,平均粒徑較佳為5μm以下,更佳為4μm以下,進而較佳為設為3μm以下。又,最大粒徑較佳為15μm以下,更佳為10μm以下。
因此,藉由上述製造方法獲得之氧化銅(II)微粉末可較佳地用作電解鍍銅裝置之電解液之原料。投入至鍍液中之氧化銅(II)微粉末不可為產生溶解殘渣者。特別是氧化亞銅不溶解於鍍液中而成為殘渣,因此必需避免生成氧化亞銅微粉末。因此,氧化銅(II)微粉末中之氧化銅(II)微粉末之純度較佳為較高,較佳為99%以上,更佳為99.5%以上。藉由本發明之製造方法獲得之氧化銅(II)微粉末係藉由熱處理使粉碎之電解銅微粉末氧化而成者,因此可使電解銅完全地氧化為氧化銅(II)。其結果,可抑制產生氧化亞銅。
又,銅源對鍍液之供給必需於每當鍍液所含有之銅源減少時
迅速地進行。因此,氧化銅(II)微粉末對鍍液之溶解度較佳為較高。若將藉由上述製造方法獲得之氧化銅(II)微粉末10g浸漬於25℃之含硫酸溶液1L中,則於1分鐘以內溶解,其中,該含硫酸溶液含有228g/L之CuSO4‧5H2O、68g/L之游離H2SO4、及60mg/L之氯化物離子。就該方面而言,藉由上述製造方法獲得之氧化銅(II)微粉末可較佳地用作電鍍銅裝置之電解液原料。
<使用氧化銅(II)微粉末之鍍銅方法>
藉由上述製造方法獲得之氧化銅(II)微粉末可較佳地用作電鍍銅裝置之電解液原料。
對銅進行電鍍時所使用之鍍銅液(硫酸銅水溶液)多數情況下使用含有硫酸銅、硫酸及氯化物離子,且pH值低於1者。並且,於該鍍銅液中添加有用以提高鍍銅品質之公知之添加劑。
另一方面,若進行銅之電鍍,則鍍液中之銅析出,鍍液之銅濃度下降。因此,為了防止鍍液之銅濃度下降,已知有於陽極使用銅,一面使陽極溶解一面進行電解鍍銅之方法;於陽極使用由利用導電性氧化物陶瓷等覆蓋之鈦等所構成之不溶性陽極,並且具備對鍍液供給銅之機構之方法。
然而,於後者之方法之情形時,如何設置對鍍液供給銅之機構成為課題。於對鍍液供給銅時要求:(I)銅源(銅或含有銅之化合物)迅速地溶解於鍍液中;(II)未因銅源溶解而大幅改變鍍液中之硫酸根離子等之比率;(III)鍍液中所含有之添加劑不分解。
藉由上述製造方法獲得之氧化銅(II)微粉末符合上述(I)
~(III)中之任一者。
於使用電鍍裝置將氧化銅(II)微粉末供給於硫酸銅水溶液中時,只要另外設置與電鍍裝置之進行鍍敷之鍍敷槽不同的溶解氧化銅(II)微粉末之氧化銅(II)溶解槽,使水溶液(鍍液)於鍍敷槽與氧化銅(II)溶解槽之間循環即可。
該氧化銅(II)溶解槽將下述水溶液送回至鍍敷槽,該水溶液係使氧化銅(II)微粉末溶解於鍍敷槽供給之水溶液中而形成者。於使用之氧化銅(II)溶解槽中,較佳為附帶螺旋漿等攪拌機構。又,亦可於鍍敷槽與氧化銅(II)溶解槽之間具備用以去除廢物或異物等之公知之各種過濾器。
[實施例]
以下,藉由實施例而進一步詳細地說明本發明,但本發明並不受該等記載任何限制。
<實施例1>
首先,使用含有32g/L之CuSO4‧5H2O、及55g/L之游離H2SO4之硫酸銅水溶液,於通電電流密度10A/dm2、浴溫25℃之條件下製備電解銅粉。將該電解銅粉充分水洗後,使用乾燥器以105℃之溫度乾燥一晚。
繼而,使用噴射磨機(裝置名:Nano Grinding Mill NJ-50,德壽工作所公司製造)將該氧化銅粉於空氣環境下進行乾式粉碎。乾式粉碎係於粉碎壓力:1MPa、供給速度:300g/h之條件下進行。
繼而,將粉碎之電解銅微粉末於電爐內在空氣環境下以加熱溫度500℃保持3小時而氧化電解銅粉,獲得實施例1之氧化銅(II)微粉末。
<實施例2>
將乾式粉碎時之供給速度設為500g/h,及將粉碎之電解銅微粉末於電爐內在空氣環境下以加熱溫度700℃保持2小時而氧化電解銅粉,除此以外,利用與實施例1所記載之方法相同之方法而獲得實施例2之氧化銅(II)微粉末。
<實施例3>
反覆進行乾式粉碎3次、及將粉碎之電解銅微粉末於電爐內在空氣環境下以加熱溫度300℃保持5小時而氧化電解銅粉,除此以外,利用與實施例1所記載之方法相同之方法而獲得實施例3之氧化銅(II)微粉末。
<比較例1>
使用市售之電解銅粉(商品名:MF-D2,三井金屬鑛業(股)公司製造),及將粉碎之電解銅粉於電爐內在空氣環境下以加熱溫度700℃保持3小時而氧化電解銅粉,除此以外,利用與實施例1所記載之方法相同之方
法而獲得比較例1之氧化銅(II)微粉末。
<比較例2>
於真空下進行電解銅粉之乾燥、及將粉碎之電解銅微粉末於電爐內在空氣環境下以加熱溫度700℃保持3小時而氧化電解銅粉,除此以外,利用與實施例1所記載之方法相同之方法而獲得比較例2之氧化銅(II)微粉末。
<評價>
[關於電解銅粉]
[表面之色相]
利用目視觀察乾燥電解銅粉後電解銅粉之表面之色相。將結果示於表2。實施例1~3中之電解銅粉之表面變色成褐色。其結果,利用目視確認於表面形成有氧化皮膜。另一方面,比較例1及2中之電解銅粉呈紅色。根據該情況,利用目視確認於表面基本上未形成氧化皮膜。
[氧化之程度]
針對乾燥後之電解銅粉,藉由將乾燥後之電解銅粉之重量與電解銅粉全部完全地氧化為氧化銅(II)之情形之理論重量進行對比而推定氧化之程度。將結果示於表2。實施例1~3中之電解銅粉進行了相對於理論重量為約40%之氧化。根據該情況,定量確認到實施例1~3中之電解銅粉於表面形成有氧化皮膜。另一方面,比較例1中之電解銅粉僅進行了相對於理論重量約0.4%之氧化,比較例2中之電解銅粉僅進行了相對於理論重量約0.5%之氧化。根據該情況,定量確認到比較例1及2中之電解銅粉於表面基本上未形成氧化皮膜。
[氧化銅粉之SEM圖像]
拍攝乾燥後之電解銅粉之掃描電子顯微鏡圖像(以下,亦稱為「SEM圖像」)。將結果之一例示於圖2。圖2係實施例1之乾燥後之電解銅粉之SEM圖像。
[平均粒徑]
使用雷射粒度分佈測定器Microtrac(日機裝公司製造)測定乾燥後之電解銅粉之平均粒徑(近似體積球之直徑)。將結果示於表2。
[關於乾式粉碎後之電解銅微粉末]
[形狀]
對乾式粉碎後之電解銅微粉末拍攝SEM圖像。然後,根據該SEM圖像觀察實施例及比較例中之電解銅微粉末之形狀。將SEM圖像之一例示於圖3~圖5。圖3係實施例1之電解銅微粉末之SEM圖像,圖4係比較例1之電解銅微粉末之SEM圖像,圖5係比較例2之電解銅微粉末之SEM圖像。又,將對形狀進行觀察之結果示於表2。實施例1~3中之電解銅微粉末以粒狀之狀態被粉碎。另一方面,比較例1及2中之電解銅微粉末不僅包含粒狀者,亦包含扁平狀之粒子。推測其原因在於:因表面不具有氧化皮膜,故金屬銅之延展性發揮作用而無法微細地粉碎電解銅粉。
[平均粒徑及最大粒徑]
測定電解銅微粉末之平均粒徑及最大粒徑。該等粒徑係使用雷射粒度分佈測定器Microtrac(日機裝公司製造)進行測定,並取決於近似體積球之直徑。將結果示於表2。實施例1~3中之電解銅微粉末之平均粒徑為3.5μm以下,最大粒徑為10μm以下。根據該情況,可定量確認到實施例1~3中之電解銅微粉末以粒狀之狀態被粉碎。另一方面,比較例1及2中
之電解銅微粉末之平均粒徑為5.2μm以上,最大粒徑為20μm以上。根據該情況,可定量確認到比較例1及2中之電解銅微粉末係包含未被適當粉碎之粒子者。
[關於氧化後之氧化銅(II)微粉末]
[形狀]
對氧化後之氧化銅(II)微粉末拍攝SEM圖像進行確認,狀態未因氧化而變化,與圖3~圖5所示之氧化前之狀態相同。
[顏色]
利用目視觀察實施例及比較例之氧化銅(II)微粉末之顏色。將結果示於表3。試樣均呈黑色。
[相]
為了確認實施例及比較例之氧化銅(II)微粉末之相狀態,對氧化銅(II)微粉末進行X射線繞射。將結果之一例示於圖6及表3。圖6係實施例1之氧化銅(II)微粉末之XRD圖案。根據該XRD圖案,確認實施例1之氧化銅(II)微粉末為CuO單一相。再者,雖省略圖示,但其他實施例及比較例之氧化銅(II)微粉末亦顯示同樣之XRD圖案,而確認均為CuO單一相。
[純度]
對實施例及比較例之氧化銅(II)微粉末進行電解重量分析。將結果示於表3。確認任一氧化銅(II)微粉末之氧化銅(II)濃度均為99.6重量%。
[平均粒徑及最大粒徑]
測定氧化銅(II)微粉末之平均粒徑及最大粒徑。粒徑之測定方法係與
電解銅微粉末中之測定方法相同。將結果示於表3。根據粒徑之測定結果,定量確認到實施例1~3中之氧化銅(II)微粉末為粒狀,及比較例1、2中之氧化銅(II)微粉末為包含粒狀以外之粒子者。
[對鍍液之溶解性之評價]
對鍍液之溶解性係藉由將實施例及比較例之氧化銅(II)微粉末10g於25℃下一面利用攪拌器進行攪拌一面添加至1L之鍍液中,測定自該添加起至上述氧化銅(II)微粉末完全溶解之時間而進行評價。鍍液係設為含有228g/L之CuSO4‧5H2O、68g/L之游離H2SO4、及60mg/L之氯化物離子之溶液。將結果示於表3。實施例之氧化銅(II)微粉末可於35秒以內溶解於鍍液中。根據該情況,確認即便為乾式法亦可提供具有對鍍液之較高溶解性之氧化銅(II)微粉末。另一方面,比較例之氧化銅(II)微粉末即便經過20分鐘亦無法完全地溶解於鍍液中。
如上所述,確認經由以乾式粉碎表面具有氧化皮膜之電解銅粉之乾式粉碎步驟與氧化藉由該乾式粉碎步驟獲得之電解銅微粉末之氧化步驟而製造的氧化銅(II)微粉末兼具先前之乾式法之優點即高純度、與先前之濕式法之優點即對鍍液之高溶解性兩者。其結果,確認本發明之氧化銅(II)微粉末可極佳地用作工業上所使用之鍍銅液之補給用銅源。
另一方面,於未使用表面具有氧化皮膜之電解銅粉之情形時,即便經過20分鐘亦無法完全地溶解於鍍液中(比較例1、2)。就該方面而言,確認作為鍍銅液之補給用銅源可能會產生障礙。
Claims (6)
- 一種氧化銅(II)微粉末之製造方法,包含如下步驟:乾式粉碎步驟,以乾式粉碎表面具有氧化皮膜之電解銅粉;及氧化步驟,氧化藉由該乾式粉碎步驟獲得之電解銅微粉末;該氧化皮膜係藉由對利用含銅離子溶液之電解而獲得之電解銅粉進行水洗後,於含氧環境中以70℃~150℃之溫度乾燥而形成。
- 如申請專利範圍第1項之氧化銅(II)微粉末之製造方法,其中,該乾式粉碎步驟係於含氧環境中進行。
- 如申請專利範圍第1項之氧化銅(II)微粉末之製造方法,其中,該氧化步驟係藉由將該電解銅微粉末以300℃~700℃加熱來進行。
- 如申請專利範圍第2項之氧化銅(II)微粉末之製造方法,其中,該氧化步驟係藉由將該電解銅微粉末以300℃~700℃加熱來進行。
- 一種鍍銅方法,將藉由申請專利範圍第1至4項中任一項之製造方法而獲得之氧化銅(II)微粉末溶解而得的硫酸銅水溶液用作電鍍銅裝置之電解液。
- 一種氧化銅(II)微粉末,其平均粒徑為5μm以下,最大粒徑為15μm以下,於將10g之氧化銅(II)微粉末浸漬於25℃的含硫酸溶液1L中而進行之溶解試驗中,溶解時間為1分鐘以下,其中,該含硫酸溶液含有228g/L之CuSO4.5H2O、68g/L之游離H2SO4、及60mg/L之氯化物離子。
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