TWI577955B - 處理裝置 - Google Patents

處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI577955B
TWI577955B TW100133071A TW100133071A TWI577955B TW I577955 B TWI577955 B TW I577955B TW 100133071 A TW100133071 A TW 100133071A TW 100133071 A TW100133071 A TW 100133071A TW I577955 B TWI577955 B TW I577955B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wire
wire portion
processing
unit
processing target
Prior art date
Application number
TW100133071A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201221883A (en
Inventor
三田一登
Original Assignee
古河機械金屬股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 古河機械金屬股份有限公司 filed Critical 古河機械金屬股份有限公司
Publication of TW201221883A publication Critical patent/TW201221883A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI577955B publication Critical patent/TWI577955B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/061—Lifting, gripping, or carrying means, for one or more sheets forming independent means of transport, e.g. suction cups, transport frames
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G49/00—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for
    • B65G49/05—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles
    • B65G49/06—Conveying systems characterised by their application for specified purposes not otherwise provided for for fragile or damageable materials or articles for fragile sheets, e.g. glass
    • B65G49/063—Transporting devices for sheet glass
    • B65G49/064—Transporting devices for sheet glass in a horizontal position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting substrates others than wafers, e.g. chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

處理裝置
本發明係關於對平板狀構件執行特定處理之處理裝置。
先前，以作為處理裝置之加熱處理裝置加熱處理玻璃基板等處理對象構件時，以上升銷機構之不動銷(固定銷)與可動銷支持處理對象構件(例如參照專利文獻1、2)。專利文獻1所揭示之上升銷機構中，以可動銷與固定銷交互支持基板。
另一方面，專利文獻2所揭示之上升銷機構中，可動銷在上下方向與水平方向移動。以上升之可動銷支持處理對象構件並於水平方向移動，使可動銷下降，以不動銷支持。藉由重複該動作，而使可動銷與不動銷與處理對象構件接觸之位置經常變化，抑制起因於銷接觸之處理對象構件之溫度不均。
此外，作為揭示上升銷機構之文獻，有專利文獻3、4。
又，本申請人提案可對處理對象構件均一地執行加熱處理等之構件處理裝置。根據該技術，以叉使處理對象構件從待機位置前進至處理位置，使叉相對移動至複數條支持線材之下方，從而以並列配置之複數條支持線材將處理對象構件支持於處理位置。
該狀態下，藉由叉移動機構使位於複數條支持線材下方之叉從處理位置後退至待機位置。如此狀態下，對以複數條支持線材支持於處理位置之對象構件以平板加熱器執行加熱處理(專利文獻5)。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開平10-76211號公報
專利文獻2：日本特開2006-061755號公報
專利文獻3：日本特開2009-94182號公報
專利文獻4：國際公開WO2008/029943說明書
專利文獻5：日本特開2010-149953號公報
但，專利文獻1~4之處理裝置中，藉由上升銷機構之可動銷與不動銷在複數部位水平地點狀支持平板狀處理對象構件。
因此，藉由可動銷與不動銷之處理對象構件之支持位置上，應力及傳熱集中成點狀，對處理對象構件均一地執行加熱處理或減壓乾燥等特定處理較困難。
又，專利文獻5之構件處理裝置中，由於以複數條支持線材將處理對象構件支持於處理位置，因此相比如專利文獻1~4以銷支持之情形，可對處理對象構件均一地執行加熱處理或減壓乾燥等特定處理。但，即使如此亦會在支持線材所支持之部分與不支持之部分對加熱處理或減壓乾燥等特定處理產生不均一。
本發明係鑑於如上問題而完成者，其提供一種可對處理對象構件均一地執行加熱處理或減壓乾燥等特定處理之處理裝置。
根據本發明，提供一種處理裝置，其係將平板狀構件配置於處理位置上並執行處理者，其具備：第一線材部及第二線材部，其在俯視觀察下使前述平板狀構件跨越配置，用以從下方側支持前述平板狀構件；驅動部，其用以使前述第一線材部相對於前述第二線材部於上下方向相對移動，使上下方向之第一線材部與第二線材部之位置關係逆轉；位移機構，其使前述第一線材部相對於前述第二線材部於水平方向相對移動；及處理部，其對被支持於前述第一線材部或前述第二線材部之前述平板狀構件實施處理。
如上之本發明之處理裝置具備：驅動部，其使第一線材部相對於第二線材部於上下方向相對移動；及位移機構，其使第一線材部相對於第二線材部於水平方向相對移動。
因此，例如於第一線材部支持成為處理對象之平板狀構件後，可使第一線材部比第二線材部更於下方相對移動，而使平板狀構件支持於第二線材部上。藉此，可防止以線材部支持平板狀構件之同一部位。再者，在藉由第二線材部支持平板狀構件期間，可使第一線材部相對於第二線材部於水平方向相對移動。其後，若使第一線材部相對於第二線材部於上方相對移動，則可藉由第一線材部支持平板狀構件。在藉由第二線材部支持前述構件之步驟前後雖是由第一線材部支持前述構件，但在藉由第二線材部支持前述構件之步驟前後，第一線材部所支持之部位不同。藉此亦可防止由線材部在同一部位支持平板狀構件。
另，以上說明中，係在藉由第二線材部支持平板狀構件期間，使第一線材部相對於第二線材部於水平方向相對移動，但不限於此，亦可在藉由第一線材部支持平板狀構件期間，使第二線材部於水平方向相對移動。
另，本發明中，第一線材部以複數條線材構成之情形中，只要使至少一部分線材相對於構成第二線材部之線材相對地於上下方向驅動，而使構成第一線材部之線材之位置與構成第二線材部之線材之位置於上下方向之位置關係對調即可。
另，要使前述第一線材部相對於前述第二線材部於上下方向相對移動，可使第一線材部於上下方向移動，亦可使第二線材部於上下方向移動，再者亦可使第一線材部及第二線材部兩方於上下方向移動。
另，本發明之各種構成要素未必一定各自獨立存在，可複數之構成要素作為一個構件形成，或一個構成要素以複數之構件形成，或某構成要素係其他構成要素之一部分，或某構成要素之一部分與其他構成要素之一部分重複等。
再者，以下實施形態中，規定前後左右上下方向，但此係用以簡單說明本發明之構成要素之相對關係而方便規定者，並非用來限定實施本發明之情形之製造時或使用時之方向。
又，前後左右上下方向無需完全幾何學正交，只要相對性成前後左右上下之方向即可，例如各方向亦可向任意方向傾斜。
例如本發明中所言之在上下方向相對移動，意指作為位移結果在上下方向不同位置移動，位移之方向本身無需為表面嚴密之上下方向。
根據本發明之處理裝置，可對成處理對象之構件均一地執行加熱處理或減壓乾燥等特定處理。
上述目的及其他目的、特徵及優點藉由以下所述之較佳實施形態、及附加於其之以下附圖進而明瞭。
以下參照附圖說明本發明之第一實施形態。另，本實施形態中如圖示除上下方向外亦規定前後左右方向說明。但此係用以簡單說明構成要素之相對關係而方便規定者。因此，並非用來限定實施本發明之製品之製造時或使用時之方向。
另，前後左右方向係沿著水平方向之方向，前後方向與左右方向正交。
首先針對本實施形態之處理裝置100之概要進行說明。
處理裝置100即所謂預先烘烤裝置。處理裝置100中，將用於液晶面板之玻璃基板或印刷佈線基板等基板之平板狀處理對象構件GB配置於處理位置BP，執行特定處理之加熱處理。
該處理裝置100係將平板狀構件(處理對象構件GB)配置於處理位置BP(參照圖5)而執行處理者。如圖1及圖2所示，該處理裝置100具備：第一線材部112及第二線材部122，其在俯視觀察下以處理對象構件GB跨越之方式配 置，且從下方側支持處理對象構件GB；驅動部(上下機構)113，其使第一線材部112相對於第二線材部122於上下方向相對移動；位移機構(位移機構部132、134)，其使前述第一線材部112相對於前述第二線材部122於水平方向相對移動；及處理部130，其對支持於第一線材部112或第二線材部122之處理對象構件GB實施處理。
接著，針對本實施形態之處理裝置100詳細說明。
第一線材部112具有複數條(本實施形態中4條)第一線材112A。複數條第一線材112A亦如圖1、2所示互相平行配置，向前後方向延伸。
各第一線材112A張架於一對對向配置之第一軸(處理上下軸)111之上端。對向配置之一對第一軸111設於分別對向配置之一對支持台117(第一單元部)上。各支持台117上以從各支持台117突出之方式設有複數根軸111。
換言之，以複數條第一線材112A、分別橫架第一線材112A之複數對第一軸111與一對支持台117構成第一單元110。
設於各支持台117之複數根軸111於左右方向並列平行配置。
根據本實施形態，第一單元110複數個於左右方向分離配置。處理裝置100中各第一線材112A互相平行配置。
第一線材112A例如包含：使具有200℃以上耐熱性之金屬系芳綸纖維或聚醯亞胺纖維等人工纖維或金屬芯線通過氟系樹脂管之線，或將前述人工纖維或金屬芯線以氟系樹脂實施塗層之線等。因此，第一線材112A包含與長度方向正交之剖面面積充分小之線材，物理性上熱容量亦比處理對象構件GB充分小。
另，構成後述第二線材部122之第二線材亦可以與第一線材112A相同材料之線構成，又，第二線材亦可以與第一線材112A不同之材料，例如熱容量比第一線材112A大之材料之線構成。
圖4所示之驅動部113係用以使第一線材部112於上下方向驅動者。如圖4所示，驅動部113具有：連接於各第一軸111之偏心凸輪115；用以驅動該偏心凸輪115之驅動軸114；用以驅動驅動軸114之驅動馬達116(參照圖1、2)。1條驅動軸114與沿著左右方向排列之複數個支持台117連通，連結於一個驅動馬達116。又，於支持台117之內部收納有複數個例如4個偏心凸輪115，各偏心凸輪115上固定有第一軸111。因此第一軸111在上下方向自如位移地設於支持台117上。
換言之，分別支持複數個第一單元110之複數條第一線材112A之一端部之複數個第一軸111分別經由偏心凸輪115固定於同一驅動軸114上。又，分別支持複數個第一單元110之複數條第一線材112A之另一端部之複數個第一軸111分別經由偏心凸輪115固定於另一同一前述驅動軸114上。
驅動部113在各第一單元110中，使複數對第一軸111每一對選擇性上升或下降。
再者，根據本實施形態，如圖3所示，處理對象構件GB區分成複數個區域HS與區域DS。區域HS係熱處理後所利用之部分(處理對象區域)，區域DS係熱處理後未利用之部分。區域HS於水平方向，具體言之於前後方向及左右方向空出特定間隔配置，區域HS間變成區域DS。複數條第一線材112A配置於支持複數個區域HS之位置上。構成第二線材部122之第二線材位在主要支持區域DS之位置上，但亦可配置於支持區域HS之位置上。
再者，本實施形態之處理裝置100具有第二線材部122。第二線材部122在本實施形態中以1條第二線材構成。
並且，第二線材其端部固定於一對第二軸121上，橫架於一對第二軸121間。一對第二軸121設於分別對向配置之支持台127上。各支持台127上以從支持台127突出之方式設有1條第二軸121。第二軸121於上下方向位移自如地被支持於支持台(第二單元部)127上。
換言之，以第二線材、橫架第二線材之一對第二軸121與一對支持台127構成第二單元120。
根據本實施形態，第二單元120在對應於區域DS之位置複數個左右方向分離配置。複數個第二單元120之第二線材互相平行配置。
又，根據本實施形態，第二單元120與第一單元110沿著左右方向交互配置。並且第一線材112A與第二線材互相平行。
再者，處理裝置100具有用以於上下方向驅動第二線材之驅動部(未圖示)。具體言之，具有使對向配置之橫架1條第二線材之一對第二軸121上下驅動之螺線管等驅動機構。以該螺線管等驅動機構與驅動部113，構成使第一線材部112與第二線材部122相對地在上下方向移動之驅動部。
再者，如圖1及圖2所示，本實施形態之處理裝置100具有位移機構部132，其具有：搭載有複數個第一單元110並於左右方向滑動自如之一個第一基底131；及使第一基底131於左右方向位移之馬達(移動機構)132A。
位移機構部132係用以使第一線材部112相對於第二線材部122相對在水平方向(本實施形態中左右方向)移動者。例如位移機構部132具備：脈衝馬達132A；藉由脈衝馬達132A旋轉之進給螺桿132B；及藉由進給螺桿132B之旋轉而於左右方向直線移動之第一基底131。
第一基底131係平面矩形形狀之平板狀構件，於該第一基底131上搭載有複數個第一單元110。沿著第一基底131之對向之一對邊上分離配置支持台117。另，第一基底131於未圖示之軌道上移動。例如亦可為於第一基底131上設置轉動體即輪胎或輥子，而於軌道上滾動移動者。又，第一基底131亦可在藉由空氣而上浮於軌道上之狀態下於軌道上移動。如此而可抑制因第一基底131移動而產生微粒。
位移機構部132使第一線材部112於水平方向移動，但第一線材部112主要在處理對象構件GB之下方區域內移動。惟在熱處理中，亦可以第一線材部112從處理對象構件GB伸出之方式於水平方向移動。
又，本實施形態之處理裝置100具有位移機構部134，位移機構部134具有：搭載有第二單元120並於左右方向滑動自如之一個第二基底133；及使第二基底133於左右方向位移之馬達134A。
位移機構部134係用以使第二線材部122相對於第一線材部112於水平方向(本實施形態中為左右方向)相對移動者。例如位移機構部134具備：脈衝馬達134A；藉由脈衝馬達134A而旋轉之進給螺桿134B；及藉由進給螺桿134B之旋轉而於左右方向直線移動之第二基底133。
第二基底133係平面矩形形狀之平板狀構件，於該第二基底133上搭載有複數個第二單元120。支持台127沿著第二基底133之對向之一對邊而分離配置。另，第二基底133於未圖示之軌道上移動。例如，亦可為於第二基底133上設置轉動體即輪胎或輥子而於軌道上滾動移動者。又，第二基底133亦可在藉由空氣而上浮於軌道上之狀態下於軌道上移動。如此而可抑制因第二基底133移動而產生微粒。
位移機構部134使第二線材部122於水平方向移動，但第二線材部122在處理對象構件GB之下方區域內移動。即，熱處理中，不會以第二線材部122從處理對象構件GB伸出之方式於水平方向移動。
再者，如圖3及圖5所示，本實施形態之處理裝置100亦具有：叉140，其以通過橫架之複數條第一線材部112之間隙之形狀之至少一對爪141大致水平地支持處理對象構件GB；及前後移動機構(未圖示)，其使叉140前後移動於待機位置WP與處理位置BP。
使叉140在至少處理位置BP相對移動於複數條第二線材部122之第二線材的上方與下方。更具體言之，如圖5(c)所示，驅動部使配置於比叉140下方之初始位置之第二線材部122之第二線材上升，從叉140接收處理位置BP之處理對象構件GB。
但，亦可使第二線材部122之第二線材上升，使搬入於比其上方之叉140下降，使處理對象構件GB支持於第二線材部122之第二線材上(未圖示)。
又，本實施形態之處理裝置100進而具有平板加熱器130，其對以複數條第一線材112A支持於處理位置BP之處理對象構件GB實施作為特定處理之加熱處理。
該平板加熱器(構件處理機構)130形成為與處理對象構件GB同等之平板狀(平面矩形形狀)，如圖3所示，在其前後方向之緣部，於左右方向排列有五對第二單元120與四對第一單元110。上述平板加熱器130例如以80~150℃從下方加熱處理以複數條第一線材112A支持於處理位置BP之處理對象構件GB。
另，平板加熱器130設於基底131之上部，但從基底131分離。平板加熱器130係不隨基底131等之移動而移動，係固定者。
如上述之構成中，本實施形態之處理裝置100如前述，將平板狀處理對象構件GB從後方之待機位置WP搬入至處理位置BP，執行加熱處理。
參照圖5及圖6進行說明。圖5係與左右方向正交地觀察圖1之處理裝置100之圖，圖6係與前後方向正交地觀察圖1之處理裝置100之圖。
更詳細言之，如圖5(a)所示，本實施形態之處理裝置100在初始狀態下，構成第一線材部112之所有第一線材112A及第二線材部122下降。並且，藉由位於比該等線材上方之待機位置WP之叉140，而大致水平地支持處理對象構件GB。
接著，如圖5(b)所示，該叉140藉由叉移動機構從待機位置WP前進至處理位置BP。此時，叉140位於比構成第一線材部112之所有第一線材112A及第二線材部122上方。
接著，如圖5(c)、圖6(a)所示，所有第二軸121上升，沿著左右方向排列之複數條第二線材部122朝上方同樣移動。藉此，如圖3所示，處理對象構件GB在區域DS之位置上，藉由第二線材部122之第二線材支持(處理S1)。
如此狀態下，如圖5(c)所示，叉140從處理位置BP退避至待機位置WP。接著，如圖5(d)及圖6(b)所示，第二軸121下降，伴隨於此，支持處理對象構件GB之第二線材部122下降。另一方面，藉由第一軸111上升，第一線材112A上升，而藉由第一線材112A在區域HS之位置支持處理對象構件GB。
此處，各第一單元110中，對向之一對軸111上升，一條第一線材112A上升。各第一單元110中，其他第一線材112A不上升。又，各第一單元110中，位在共通位置例如從右配置於第1號之第一線材112A上升。
又，將支持於第二線材部122之處理對象構件GB交接於第一線材112A時，處理對象構件GB之高度位置不變動較佳。即，使第一線材部112A上升至支持處理對象構件GB之第二線材部112之高度後，使第二線材部122下降較佳。另，後段步驟中亦相同，在第二線材部122及第一線材部112A間交接處理對象構件GB時，處理對象構件GB之高度位置不變動較佳。
如此狀態下藉由平板加熱器130加熱處理處理對象構件GB。但各第一單元110中，在區域HS支持處理對象構件GB之第一線材112A變成4條中每一條依次上升，三條下降之狀態。不會以一條第一線材112A持續支持處理對象構件GB。
更詳細說明，如圖6(b)、(c)所示，各第一單元110中，複數條第一線材112A中藉由第1條第一線材112A支持處理對象構件GB。接著，橫架不支持處理對象構件GB之第2條第一線材112A之一對第一軸111上升，藉由上升之第一線材112A支持處理對象構件GB。另一方面，支持處理對象構件GB之第1條第一線材112A下降，變成不支持處理對象構件GB之狀態。
接著，橫架不支持處理對象構件GB之第3條第一線材112A之一對第一軸111上升，藉由上升之第一線材112A支持處理對象構件GB。另一方面，支持處理對象構件GB之第2條第一線材112A下降，變成不支持處理對象構件GB之狀態。
接著，橫架不支持處理對象構件GB之第4條第一線材112A之一對第一軸111上升，藉由上升之第一線材112A支持處理對象構件GB。另一方面，支持處理對象構件GB之第3條第一線材112A下降，變成不支持處理對象構件GB之狀態(處理S2)。
如此，使複數條第一線材112A依次每1條上升之同時使每一條下降。
另，各第一單元110中，使位在共通位置之第一線材112A同步上升下降。
又，將一個第一線材112A所支持之處理對象構件GB交接至另一第一線材112A時，處理對象構件GB之高度位置不變動較佳。即，使另一第一線材112A上升至支持處理對象構件GB之一個第一線材112A之高度後，使一個第一線材112A下降較佳。
此處，藉由第一線材部112支持處理對象構件GB期間，第二線材部122變成下降狀態。然後，第二線材部122不支持處理對象構件GB之狀態下，如圖6(c)所示，藉由位移機構部134使全部第二線材部122於左右方向滑動移動。本實施形態之處理裝置100中，第二線材部122定期上升並支持處理對象構件GB，但第二線材部122上升並支持處理對象構件GB時，將在與前次(滑動前)不同之位置支持處理對象構件GB(參照圖6(d))。
接著，各第一單元110中，從第1條第一線材112A至第4條第一線材112A依次支持處理對象構件GB後，第二線材部122上升(處理S3)。其後，使第4條第一線材112A下降。藉此，藉由第二線材部122支持處理對象構件GB。其後，如圖6(d)所示，藉由位移機構部132使全部第一線材部112於左右方向滑動移動。接著，如圖6(e)所示，使第1條第一線材122A上升之同時使第二線材部122下降，藉由第1條第一線材112A在與滑動前不同之位置支持處理對象構件GB。但第一線材112A在處理對象構件GB之區域HS內支持處理對象構件GB。然後與處理S2相同，使複數條第一線材112A依次每1條上升並每1條下降，在第一線材112A間進行處理對象構件GB之交接(處理S4)。
第二線材部122下降，變成第二線材部122不支持處理對象構件GB之狀態後，如圖6(f)所示，藉由位移機構部134使全部第二線材部122於左右方向滑動移動(處理S5)。接著，第二線材部122上升並支持處理對象構件GB時，將在與前次(滑動前)不同之位置支持處理對象構件GB。以下重複處理S1~處理S5之步驟。但亦有第二線材部122藉由滑動在處理對象構件GB之區域HS內支持處理對象構件GB之情形。
如上述之處理對象構件GB之加熱處理結束後，藉由相反執行前述圖5(a)~(d)之動作，將經加熱處理之處理對象構件GB搬出至待機位置WP。
接著，針對本實施形態之效果進行說明。
根據本實施形態，以第一線材112A支持處理對象構件GB後，使第一線材112A下降，使第二線材部122上升。其後使基底131滑動。接著使第二線材部122下降，使第一線材112A上升，從而可錯開第二線材部112支持處理對象構件GB之步驟前後之第一線材112A之位置。藉此，可防止以第一線材112A支持處理對象構件GB之相同位置，對處理對象構件GB均一地執行加熱處理。
再者，以第一線材112A支持處理對象構件GB期間，可使基底133滑動，並位移第二線材部122之左右方向之位置。藉此亦可對處理對象構件GB均一地執行加熱處理。
本實施形態之處理裝置100中，如上述，使複數條第一線材112A每1條依次上升之同時依次下降。藉此，可防止以一個第一線材112A持續支持處理對象構件GB。因此可對處理對象構件GB均一地執行加熱處理。
再者，由於在第一線材112A間交接處理對象構件GB，因此支持處理對象構件GB時之應力亦不會局部集中。因此處理對象構件GB亦不會產生因應力集中而變形等地進行加熱處理。
各第一單元上僅有1條第一線材之情形中，考慮到對處理對象構件GB之應力負擔等，需要頻繁進行第一線材部及第二線材部間之處理對象構件GB之交接。
相對於此，根據本實施形態，可於各第一單元110上設置複數條第一線材112A，在第一線材112A間進行處理對象構件GB之交接，因此不頻繁進行第一線材部112及第二線材部122間之處理對象構件GB之交接即可完成。
又，於各第一單元上僅有1條第一線材之情形中，為防止在相同部位支持處理對象構件GB，而需要頻繁滑動第一線材部及第二線材部，有處理裝置之處理性變差之虞。
相對於此，根據本實施形態，於各第一單元110上設有複數條第一線材112A，在第一線材112A間進行處理對象構件GB之交接期間，可有餘裕地使第二線材部122於左右方向滑動，不頻繁滑動第一線材部122及第二線材部122即可，因此可成為處理性優良之裝置。
再者，可在熱處理後未利用之區域DS藉由第二線材部122支持搬入於處理位置BP之處理對象構件GB，因此可將對熱處理後利用之區域HS之第二線材部122之支持之影響抑制在最小限度。
並且第一線材112A如前述，剖面積與熱容量充分小，因此熱傳導亦降低。因此可抑制藉由平板加熱器130加熱處理之處理對象構件GB之溫度分佈之偏差，可均一地加熱處理處理對象構件GB。
再者，本實施形態之處理裝置100中，藉由一個驅動馬達116在複數個第一單元110上使四根第一軸111同樣地上下移動，因此其結構簡單且確實第一線材112A之上下移動同步。
又，根據本實施形態，使第一線材部112、第二線材部122中，不支持處理對象構件GB之線材部於水平方向移動。因此可防止伴隨線材部之水平方向之移動而處理對象構件GB移動，處理對象構件GB在加熱處理中可停留於相同位置。
此外，第一線材部112及第二線材部122間之處理對象構件GB之交接時，及第一線材112A間之處理對象構件GB之交接時，處理對象構件GB之高度位置不變動。
因此，可防止移動處理對象構件GB而於周圍產生對流，處理對象構件GB之溫度分佈產生變化，可高效地加熱處理處理對象構件GB。
再者，根據本實施形態，使第一單元110與第二單元120沿著左右方向交互配置。藉此，可穩定支持處理對象構件GB。
又，根據本實施形態，將第一單元110搭載於第一基底131，將第二單元120搭載於第二基底133。然後，使第一基底131與第二基底133直線移動，從而調整第一線材部112、第二線材部122之水平方向之位置。僅滑動基底131、133，即可調整第一線材部112、第二線材部122之水平方向之位置，因此第一線材部112及第二線材部122之位置調整較容易。又，僅使基底131、133沿著水平方向移動，即可調整第一線材部112、第二線材部122之水平方向之位置，其滑動量亦可適當簡單地設定。
另，本發明不限於本實施形態，在不脫離其主旨之範圍內可允許各種變形。根據上述形態，例示熱處理中處理對象構件GB不於水平方向滑動移動，但其亦可滑動移動。例如亦可在第一線材112A支持處理對象構件GB之狀態下，使基底131於水平方向移動。
又，根據上述形態，如圖3所示，例示為將處理對象區域HS區分成2×4之處理對象構件GB進行加熱處理，而排列有5個第二單元120與4個第一單元110。
但當然該等單元可對應處理對象構件GB之區分而進行各種佈局。再者，以對應於複數種處理對象構件GB之區分之方式排列複數個第二單元120與複數個第一單元110，使該複數個第二單元120與複數個第一單元110選擇性動作，從而亦可對應於複數種處理對象構件GB(未圖示)。
再者，使複數個第二單元120與複數個第一單元110於左右方向移動自如地配置，藉由變更該複數個第二單元120與複數個第一單元110之位置，從而亦可對應於複數種處理對象構件GB(未圖示)。
另，根據上述形態，例示第一線材112A之剖面積與熱容量充分小，從而降低熱傳導，而抑制藉由平板加熱器130加熱處理之處理對象構件GB之溫度分佈之偏差。
當然，第一線材112A之剖面積或熱容量係將所允許之處理對象構件GB之溫度分佈之偏差、用以支持處理對象構件GB之強度或耐久性等作為條件而適當規定。
再者，根據上述實施形態，如圖4所示，例示驅動部113包含以共通之驅動軸114支持之偏心凸輪115，但亦可以曲軸機構形成驅動部113。
又，根據上述形態，例示處理裝置100藉由平板加熱器130從下方加熱處理處理對象構件GB。但亦可為藉由平板加熱器130從上方加熱處理處理對象構件GB之處理裝置，或藉由一對平板加熱器130從上方與下方兩方加熱處理處理對象構件GB之處理裝置等(都未圖示)。
再者，根據上述形態，例示將藉由面板加熱器130加熱處理處理對象構件GB之預烘烤裝置作為處理裝置100。但，亦可將減壓乾燥處理對象構件GB之減壓乾燥裝置作為處理裝置(未圖示)。例如亦可將前述實施形態之處理裝置100配置於連接於真空泵等減壓機構之腔室內，構成減壓乾燥裝置。
再者，根據前述實施形態，使基底131、133沿著水平方向移動，從而使第一線材部112、第二線材部122於水平方向移動，但不限於此。例如亦可不設置基底133，使用基底131，使第一線材部112相對於第二線材部122於水平方向移動。
又，根據前述實施形態，第一線材部112以複數條第一線材112A構成，但不限於此，亦可以1條第一線材112A構成。如此而可謀求裝置之簡化。再者，第一線材112A為4條，但不限於此。第一線材112A為複數條之情形中，例如亦可為5條或3條。
再者，根據前述實施形態，使構成第一線材部112之複數條第一線材112A依次上升及下降，但不限於此，亦可一部分第一線材112A固定，另一部分第一線材112A於上下方向驅動。例如以一部分第一線材112A支持處理對象構件GB後，使另一部分第一線材112A位於比一部分第一線材112A上方之方式驅動，藉由另一部分第一線材112A支持處理對象構件GB。其後，使另一部分第一線材112A朝下方驅動，對一部分第一線材112A交接處理對象構件GB。
再者，根據前述實施形態，第一線材部112及第二線材部122兩方於上下方向驅動，但不限於此，亦可僅任一方線材部於上下方向驅動。
另，當然上述實施形態及複數之變形例可在其內容不相反之範圍內進行組合。又，上述實施形態及變形例中，具體說明各部分之結構等，但其結構等在滿足本申請發明之範圍內可進行各種變更。
該申請主張基於2010年9月14日申請之日本專利申請特願2010-205527、日本專利申請特願2010-205528之優先權，此處援用其所有內容。
100‧‧‧處理裝置
110‧‧‧第一單元
111‧‧‧第一軸
112‧‧‧第一線材部
112A‧‧‧第一線材
113‧‧‧驅動部
114‧‧‧驅動軸
115‧‧‧偏心凸輪
116‧‧‧驅動馬達
117‧‧‧支持台
120‧‧‧第二單元
121‧‧‧第二軸
122‧‧‧第二線材部
127‧‧‧支持台
130‧‧‧處理部
131‧‧‧第一基底
132‧‧‧位移機構部
132A‧‧‧馬達
132B‧‧‧進給螺桿
133‧‧‧第二基底
134‧‧‧位移機構部
134A‧‧‧馬達
134B‧‧‧進給螺桿
140‧‧‧叉
141‧‧‧爪
BP．．．處理位置
DS、HS．．．區域
GB．．．平板狀處理對象構件
WP．．．待機位置
圖1係顯示本發明之實施形態之處理裝置之內部結構之模式化立體圖。
圖2係顯示處理裝置之內部結構之模式化立體圖。
圖3係顯示處理裝置之內部結構之模式化平面圖。
圖4係顯示驅動部之結構之側視圖。
圖5(a)-(d)係顯示處理裝置之動作之模式化步驟圖。
圖6(a)-(f)係顯示處理裝置之動作之模式化步驟圖。
100‧‧‧處理裝置
110‧‧‧第一單元
111‧‧‧第一軸
112‧‧‧第一線材部
112A‧‧‧第一線材
114‧‧‧驅動軸
116‧‧‧驅動馬達
117‧‧‧支持台
120‧‧‧第二單元
121‧‧‧第二軸
122‧‧‧第二線材部
127‧‧‧支持台
130‧‧‧處理部
131‧‧‧第一基底
132‧‧‧位移機構部
132A‧‧‧馬達
132B‧‧‧進給螺桿
133‧‧‧第二基底
134‧‧‧位移機構部
134A‧‧‧馬達
134B‧‧‧進給螺桿
DS、HS‧‧‧區域
GB‧‧‧平板狀處理對象構件

Claims (10)

  1. 一種處理裝置，其係將平板狀構件配置於處理位置並執行處理者，其具備：第一線材部及第二線材部，其在俯視觀察下使前述平板狀構件跨越配置，用以從下方側支持前述平板狀構件；驅動部，其使前述第一線材部相對於前述第二線材部於上下方向相對移動，使上下方向之前述第一線材部與前述第二線材部之位置關係逆轉；位移機構，其使前述第一線材部相對於前述第二線材部於水平方向相對移動；及處理部，其對被支持於前述第一線材部或前述第二線材部之前述平板狀構件實施處理；且係構成為於前述處理部對前述平板狀構件實施處理時，進行以下的動作：於前述第一線材部及前述第二線材部中之一線材部支持著前述平板狀構件之狀態下，藉由前述驅動部使上下方向之前述第一線材部與前述第二線材部之位置關係逆轉，而從前述一線材部向前述第一線材部及前述第二線材部中之另一線材部交接前述平板狀構件；於進行前述平板狀構件之交接後，前述位移機構不使支持前述平板狀構件之前述另一線材部於水平方向驅動，而使未支持之前述一線材部於水平方向驅動；於前述位移機構使未支持之前述一線材部於水平方向 驅動後，藉由前述驅動部使上下方向之前述第一線材部與前述第二線材部之位置關係逆轉，而從前述另一線材部向前述一線材部交接前述平板狀構件，藉由該一線材部於與前次不同之位置支持前述平板狀構件。
  2. 如請求項1之處理裝置，其中前述第一線材部具有平面觀察下平行配置之複數條第一線材；前述驅動部係構成為使複數條第一線材中一部分之第.一線材相較於另一部分之第一線材相對地於下方及上方驅動。
  3. 如請求項2之處理裝置，其中具備複數個第一單元，該第一單元包含具有複數條第一線材之第一線材部、與分別橫架前述第一線材之複數對第一軸；且以不同之前述第一單元中之第一線材彼此互相平行之方式，分離配置複數個第一單元；前述驅動部係構成為使前述各第一單元中之複數對前述第一軸中至少一對第一軸相較於另一對第一軸相對地於下方及上方驅動。
  4. 如請求項3之處理裝置，其中分別支持前述複數個第一單元之複數條第一線材之一端部之複數個第一軸分別經由偏心凸輪而固定於同一驅動軸上；分別支持前述複數個第一單元之複數條第一線材之另一端部之複數個第一軸分別經由偏心凸輪而固定於另一同一驅動軸上；前述驅動部具備前述偏心凸輪與前述驅動軸而構成。
  5. 如請求項3之處理裝置，其中具備第二單元，該第二單元包含具有至少一條第二線材之第二線材部，及橫架前述第二線材之至少一對第二軸；前述第一單元與前述第二單元交互配置；在俯視觀察下，前述第一線材與前述第二線材平行配置。
  6. 如請求項4之處理裝置，其中具備第二單元，該第二單元包含具有至少一條第二線材之第二線材部，及橫架前述第二線材之至少一對第二軸；前述第一單元與前述第二單元交互配置；在俯視觀察下，前述第一線材與前述第二線材平行配置。
  7. 如請求項1至6中任一項之處理裝置，其中前述位移機構具備：搭載前述第一線材部之基底；搭載前述第二線材部之基底；及使該等基底於水平方向相對移動之移動機構。
  8. 如請求項1至6中任一項之處理裝置，其中前述平板狀構件係基板。
  9. 如請求項1至6中任一項之處理裝置，其中前述處理部係加熱前述平板狀構件之加熱部。
  10. 如請求項1至6中任一項之處理裝置，其中前述處理部係進行減壓乾燥之減壓乾燥機。
TW100133071A 2010-09-14 2011-09-14 處理裝置 TWI577955B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010205528 2010-09-14
JP2010205527 2010-09-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201221883A TW201221883A (en) 2012-06-01
TWI577955B true TWI577955B (zh) 2017-04-11

Family

ID=45831217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100133071A TWI577955B (zh) 2010-09-14 2011-09-14 處理裝置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2012035722A1 (zh)
KR (1) KR20130099816A (zh)
CN (1) CN103052577B (zh)
TW (1) TWI577955B (zh)
WO (1) WO2012035722A1 (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1076211A (ja) * 1996-09-03 1998-03-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 減圧乾燥装置
JP2000150333A (ja) * 1998-11-18 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd 基板熱処理装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003066486A1 (fr) * 2002-02-04 2003-08-14 Sumitomo Precision Products Co., Ltd Dispositif de traitement de substrat de type transfert
JP3917994B2 (ja) * 2004-08-24 2007-05-23 株式会社石井表記 塗布膜用乾燥炉
WO2008029943A1 (fr) * 2006-09-08 2008-03-13 Semiconductor & Display Corporation Mécanisme de lamelles élévatrices
JP5022855B2 (ja) * 2007-10-05 2012-09-12 古河機械金属株式会社 リフトピン機構、加熱処理装置、減圧乾燥装置
JP2009168860A (ja) * 2008-01-10 2009-07-30 Olympus Corp 基板用ステージ装置
JP5204641B2 (ja) * 2008-12-24 2013-06-05 古河機械金属株式会社 部材処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1076211A (ja) * 1996-09-03 1998-03-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 減圧乾燥装置
JP2000150333A (ja) * 1998-11-18 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd 基板熱処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN103052577A (zh) 2013-04-17
CN103052577B (zh) 2015-04-01
WO2012035722A1 (ja) 2012-03-22
TW201221883A (en) 2012-06-01
JPWO2012035722A1 (ja) 2014-01-20
KR20130099816A (ko) 2013-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20180200923A1 (en) Shape forming system and shape forming method
JP3917994B2 (ja) 塗布膜用乾燥炉
JP2014031566A (ja) 通電加熱方法
JP5724014B1 (ja) 基板支持装置及び基板処理装置
KR101407415B1 (ko) 기판 절단시스템
KR20100026999A (ko) 히터 유닛 및 열처리장치
TWI577955B (zh) 處理裝置
CN203359531U (zh) 薄板输送装置
KR100978853B1 (ko) 기판 이송 장치 및 그의 사이드 롤러 구동 방법
KR20130043026A (ko) 금속 판재의 곡면 성형용 지지장치
CN103466927B (zh) 对基板进行烤焙处理的装置及方法
CN205202432U (zh) 一种用于消除布匹褶皱的进布装置与印花机
KR101255480B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101533022B1 (ko) 반도체 소자 테스트 핸들러의 소자 이송장치
KR101099534B1 (ko) 기판 정렬 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN202582975U (zh) 斜式石蜡切片伸展导热器
JPH11157859A (ja) ガラスパネルの冷却方法、及びその装置
KR100701653B1 (ko) Ｆｐｄ용 유리성형장치
JP2008311407A (ja) リフトピン昇降装置
WO2015170427A1 (ja) 多段式加熱装置、および多段式加熱炉に対するワーク搬入搬出方法
KR20120136075A (ko) 금속판재의 곡면성형용 지지장치
JP5204641B2 (ja) 部材処理装置
KR101922586B1 (ko) 적층형 건조기에 구비되는 상하 이송장치 및 이를 이용한 이송방법
JP2009043846A (ja) 基板搬送装置
JP3880987B2 (ja) 調理用加熱装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees