TWI577716B - 乙烯基碳化矽氧烷樹脂 - Google Patents

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Description

乙烯基碳化矽氧烷樹脂
本發明係關於乙烯基碳化矽氧烷樹脂及其等特別是用於LED裝置作為封裝劑之用途。
高功率發光二極體(high power light-emitting diode；LED)日漸成為零售用、建築照明、車輛用及街道照明用白熾燈及螢光燈的替代品之勢。耐熱聚合物及/或聚合物複合物可用作為封裝劑材料，且已知在熱熟化條件下可維持機械性質(模量、伸長率、牢度、黏著強度)。此等性質對於LED應用而言甚為重要，但若在持續使用下沒有良好的光學透明度，該等聚合物就不適合。
傳統上，因為環氧樹脂具有低透水性、高折射率、高硬度及低熱延展，因此是用於LED封裝時較佳的封裝劑。然而，在曝露於光子通量及約100℃之溫度後，環氧樹脂會變黃。由於LED是高度電耗，故可達到操作溫度達150℃；因此，當使用環氧樹脂時，LED之光輸出會受到顯著地影響。
已知以聚矽氧為基礎的材料可耐高溫及光子轟擊而不會變黃。然而，對於高亮度LED封裝而言，商用上最常見的聚矽氧無法提供此應用所需之硬度。需要硬度用於保護LED半導體及達成最適宜透明度(軟表面比硬表面會附著較多的灰塵且會影響光品質)。良好的聚矽氧候選物係1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷。
當此環狀四乙烯基四矽氧烷化合物與具有多個Si-H基、低熱延展係數及良好透明度(所有此等性質均為LED封裝劑之重要性質)之氫聚 矽氧固化時，可提供足夠的肖氏D或高度肖氏A硬度。缺點是環狀四乙烯基四矽氧烷具有揮發性且在最終固化期間會從反應混合物中耗損。
本發明係關於衍生自1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷之乙烯基碳化矽氧烷樹脂，及其等作為特別是LED裝置之封裝劑之組分的用途。在本說明書及申請專利範圍中，術語「封裝劑」意欲包括塗料、黏著材料及模塑化合物。
在一實施例中，本發明係乙烯基碳化矽氧烷樹脂，其係化合物1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷上之乙烯基與氫封端線型聚矽氧烷、矽氧烷或矽烷(在矽氫化反應中具有與乙烯基反應性之兩個末端Si-H氫)上之末端Si-H氫在鉑觸媒存在下之反應產物。
在另一實施例中，本發明係一種可固化組合物，其係從乙烯基碳化矽氧烷樹脂與一或多種其他氫聚矽氧在鉑觸媒存在下反應製備而成。
在本說明書及申請專利範圍中，以下術語應具有以下含義：D4V係指化合物1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷(購自Gelest之環狀四乙烯基四矽氧烷)。
Di-Si-H係指氫封端線型聚矽氧烷、矽氧烷或矽烷，該等在矽氫化反應中具有與乙烯基反應性之兩個末端Si-H氫。
DMS-H03係指氫封端聚二甲基矽氧烷(一種di-Si-H)及產品編號(購自Gelest)。
DVTMDS係指二乙烯基四甲基二矽氧烷(一種鏈延長劑)(購自 Gelest)。
HMS-301係指甲基氫矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物(一種氫聚矽氧)及產品編號(購自Gelest)。
HPM-502係指甲基氫矽氧烷-苯基甲基矽氧烷共聚物(一種氫聚矽氧)及產品編號(購自Gelest)。
PDMS係指聚二甲基矽氧烷。
Pt cat係指鉑觸媒。用於本說明書實例中之觸媒在環狀甲基乙烯基矽氧烷(購自Gelest之產品編號SIP6832.2)中含有2.0至2.3%鉑濃度。其他鉑觸媒係已知的且可商業購得，並具有類似活性及效率。
TMDS係指四甲基二矽氧烷(一種di-Si-H)(購自Gelest)。
VCSR係指於存在或不存在鏈延長劑下，從D4V及di-Si-H所製備的乙烯基碳化矽氧烷樹脂。
本發明乙烯基碳化矽氧烷樹脂係從D4V上之一或多個乙烯基與di-Si-H化合物上之Si-H氫經過氫矽化反應製備而成。
D4V(即，1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷)具有結構：
適合與D4V反應之di-Si-H化合物選自具有以下結構之彼等物：
其中R為C1至C4烷基，或芳基；氧；或具有結構-(O-SiMe2)n或-(O-SiAr2)n或-(O-SiMeAr)n之線型聚矽氧單元，其中n為至少數字1且表 示重複單元之數目(可藉由分子量確定)；Me係甲基；Ar係芳基；且R’及R”獨立為C1至C4烷基，或芳基。當R為烷基或芳基時，則di-Si-H化合物為矽烷；當R為氧時，則di-Si-H化合物為矽氧烷；當R為線型聚矽氧時，則di-Si-H化合物為聚矽氧烷。
在一些實施例中，可使用鏈延長劑以延長di-Si-H化合物及增大VCSR之分子量。合適鏈延長劑選自α,ω-乙烯基封端線型聚矽氧、二乙烯基矽烷及二乙烯基矽氧烷。鏈延長劑之實例為二乙烯基四甲基二矽氧烷。
較佳VCSR係從D4V及di-Si-H以1.2或更大之莫耳比製備而成。在此莫耳比或更大莫耳比下，可避免膠凝化。當將鏈延長劑用於反應摻合物中以延長di-Si-H化合物時，莫耳比係基於在鏈延長後D4V及di-Si-H之可用莫耳數計算。以下等式出示該等計算：di-Si-H莫耳數-鏈延長劑莫耳數=di-Si-H可用莫耳數
[(D4V莫耳數-di-Si-H莫耳數)÷di-Si-H可用莫耳數]×100%=%過量D4V
D4V莫耳數÷di-Si-H可用莫耳數=D4V對di-Si-H之莫耳比。
在本說明書及申請專利範圍中，莫耳比應意指D4V對可用di-Si-H之莫耳比。
當使用奈米尺寸填充劑時，所需VCSR之分子量(重量平均)經最優化設計係落於約800至約2000之範圍內，因為在此分子量範圍內，乙烯基碳化矽氧烷樹脂不會揮發，且尺寸小到足以提供小於奈米尺寸填充劑粒度之分子線圈尺寸。如此一來，當乙烯基碳化矽氧烷樹脂粒子調配在含有奈米尺寸填充劑之組合物中時，可以讓其佔據填充劑空間之間區域及防止填充劑聚結。
用於氫矽化反應以形成VCSR之觸媒一般為鉑。較佳觸媒為液體鉑觸媒。當要求光透度時，觸媒係以20ppm或更小濃度用於最終樹脂 中。較高濃度會導致變黃，但當不要求避免變黃時，則可依需要使用。在許多反應中，觸媒的濃度仍具有活性，但濃度低到不必將其從碳化矽氧烷產物分離。
以下為使用D4V及di-Si-H化合物之反應流程的描述。
在此等描述中，在D4V上僅兩個乙烯基發生反應，但預期在該D4V樹脂上存在不同程度的乙烯基取代，如此一來，產物會是乙烯基碳化矽氧烷之混合物。實際上，D4V對di-Si-H之莫耳比係經選擇，以使VCSR反應產物會具有至少一個剩餘未反應的乙烯基，該乙烯基將用於後續固化反應中。
在本發明另一實施例中，此等VCSR可與氫-矽烷及/或氫-聚矽氧烷在鉑觸媒存在下反應，以形成可固化組合物，諸如可用作封裝劑或密封劑之可固化組合物。合適氫-聚矽氧烷及氫-矽烷可購自例如Gelest、Dow Corning、Momentive及Shin Etsu。
可依照最終應用之要求，將填充劑添加至該可固化組合物中；例如，可添加填充劑以賦予所需性能特性，諸如觸變性或導電性。
雖然就用作LED封裝劑之本發明可固化組合物而言不需要填充劑，然而當填充劑併入於其中要求光學透明度之LED應用時，該等填充劑較佳為奈米級。對於其中未要求光學透明度之其他應用而言，則 可使用微米級粒子作為填充劑。當使用微米級粒子時，可與具有大於2000之重量平均分子量之乙烯基碳化矽氧烷調配在一起。在此情況中，從業者可測定適合最終用途之合適分子。
在大部分情況中，當需要光學透明度而使用該可固化組合物時，從業者會將填充劑之折射率與該固化組合物之折射率做搭配。
合適填充劑可為導電或不導電填充劑。導電填充劑之實例為碳黑、石墨、金、銀、銅、鉑、鈀、鎳、鋁、碳化矽、氮化硼、金剛石及氧化鋁。不導電填充劑之實例為蛭石、雲母、鈣矽石、碳酸鈣、氧化鈦、沙、玻璃、熔化二氧化矽、煅燒二氧化矽、硫酸鋇、四氟乙烯、三氟乙烯、偏氟乙烯、氟乙烯、偏氯乙烯及氯乙烯。當填充劑存在時，其以調配物重量計係為0.1%至90%之含量，該重量取決於從業者所確定之填充劑之功能及性能。
實例
實例1. 使用D4V、TMDS(Di-Si-H)及DVTMDS鏈延長劑合成乙烯基碳化矽氧化樹脂
在鉑觸媒存在下，從D4V與TMDS之反應製備VCSR-1A至VCSR-1D。DVTMDS係作為針對TMDS之鏈延長劑。
表1-1概述用於四種VCSR之反應物之量。除所列舉之反應物外，針對各反應，使用含量34.25g之甲苯係作為溶劑及含量0.06g之Pt觸媒。DVTMDS係以1：1之比例作為TMDS之鏈延長劑。表1-2概述在藉由DVTMDS之鏈延長反應消耗一部分初始TMDS後，D4V對可用於進一步反應之TMDS之莫耳比。作如下計算(其中在圓括弧中之字母表示列，而「avl」意指「可用」)：TMDS莫耳數(W)-DVTMDS莫耳數(V)=avl TMDS(X)
[(D4V莫耳數(U)-avl TMDS莫耳數(X))÷avl TMDS莫耳數(X)]×100%=%過量D4V(Y)
D4V莫耳數(U)÷avl TMDS莫耳數(X)=D4V對TMDS之莫耳比(Z)。
如下實施乙烯基碳化矽氧烷樹脂VCSR-1A至VCSR-1D之合成：
VCSR-1A：將0.06g鉑觸媒SIP 6832.2、103.50g D4V及34.25g甲苯添加至500mL乾燥且潔淨的圓底燒瓶中。加入磁力攪拌石並以塞子及冷凝器蓋封該燒瓶。將溶液在室溫下攪拌15分鐘以確保觸媒完全溶解。然後，在30分鐘內，在65℃下，逐滴添加33.50g TMDS。在添加TMDS後，將反應加熱至75℃及維持在該溫度2小時。隨後將反應加熱至120℃並維持在該溫度4小時。總體溶液藉由在105℃及20 mbar下旋轉蒸發1小時，隨後在135℃及5 mbar下再旋轉蒸發1小時進行蒸餾。
VCSR-1B：將0.06g鉑觸媒、77.50g D4V、13.98g DVTMDS及34.25g甲苯添加至500mL乾燥且潔淨的圓底燒瓶中。加入磁力攪拌石並以塞子及冷凝器蓋封該燒瓶。將溶液在室溫下攪拌15分鐘以確保觸媒完全溶解。然後，在30分鐘內，在65℃下，逐滴添加33.50g TMDS。在添加TMDS後，將反應加熱至75℃及維持在該溫度2小時。隨後將反應加熱至120℃並維持在該溫度4小時。總體溶液藉由在105℃及20 mbar下旋轉蒸發1小時，隨後在135℃及5 mbar下再旋轉蒸發小時進行蒸餾。
VCSR-1C：將0.06g鉑觸媒、51.75g D4V、27.96g DVTMDS及34.25g甲苯添加至500mL乾燥且潔淨圓底燒瓶中。加入磁力攪拌石並以塞子及冷凝器蓋封該燒瓶。將溶液在室溫下攪拌15分鐘以確保觸媒完全溶解。然後，在30分鐘內，在65℃下，逐滴添加33.50g TMDS。在添加TMDS後，將反應加熱至75℃及維持在該溫度2小時。隨後將反應加熱至120℃並維持在該溫度4小時。總體溶液藉由在105℃及20 mbar下旋轉蒸發1小時，隨後在135℃及5 mbar下再旋轉蒸發1小時進行蒸餾。
VCSR-1D：將0.06g鉑觸媒、25.85g D4V、41.94g DVTMDS及34.25g甲苯添加至500mL乾燥且潔淨的圓底燒瓶中。加入磁力攪拌石並以塞子及冷凝器蓋封該燒瓶。將溶液在室溫下攪拌15分鐘以確保觸媒完全溶解。然後，在30分鐘內，在65℃下，逐滴添加33.50g TMDS。在添加TMDS後，將反應加熱至75℃及維持在該溫度2小時。隨後將反應加熱至120℃並維持在該溫度4小時。總體溶液藉由在105℃及20 mbar下旋轉蒸發1小時，隨後在135℃及5 mbar下再旋轉蒸發1小時進行蒸餾。
此等樹脂不會膠凝且在數個月內保持穩定，僅在經歷固化條件(如實例2中所出示者)時才會變化。
其他性質概述在表1-3中。
實例2. 含有VCSR-1A至1D及HMS-301氫聚矽氧之可固化組合物之製法及性質
在此實例中，將實例1所製備之乙烯基碳化矽氧烷與氫聚矽氧HMS-301混合以形成可固化組合物，記為CC。利用VCSR-1A製備可固化組合物CC-1A；自實例1之相應VCSR類似地製備其他可固化組合物。將所有組合物製成1：1.5之乙烯基對Si-H氫比。藉由高速混合機混合所有組合物，除氣及在150℃下固化2小時。
測量組合物CC-1A至CC-1D在初始時及在150℃熟化1000小時後之400nm下之透明度百分比(T%)及肖氏A硬度。對於在LED電子設備用途而言，大於70之肖氏A硬度及至少70%，及更佳85%或更大之透明度是可接受的。結果記錄在表2中。
實例3. D4V對TMDS之可用莫耳比之確定
此實例顯示小於1.2之D4V對TMDS莫耳比導致產物發生膠凝。類似地依照實例1所描述製備組合物，不同的是未使用鏈延長劑及溶劑。使用表3中所提供之量及莫耳比。依照實例1中所描述進行計算。
製備反應摻合物3A至3E並維持在室溫。室溫下一個月內，反應摻合物3A、3B及3C會發生膠凝，而反應摻合物3D及3E發生黏度增大且在3個月內會發生膠凝。
7種反應摻合物3F至3M係藉由在70℃下加熱4小時，接著在90℃下加熱70小時加以製備。反應摻合物3F在64小時內會發生膠凝。反應摻合物3G、3H、3J、3K、3L及3M不會膠凝。此等結果說明1.2或更大之D4V對TMDS莫耳比會產生不會膠凝的產物。此與實例1之樣品的結果一致。
實例4. 使用D4V及DMS-H03(Di-Si-H)合成乙烯基碳化矽氧烷；使用所得VCSR與HMS-301之可固化組合物之製法及性質
VCSR-2A：將0.012g鉑觸媒、10.32g D4V及21.57g二甲苯添加至250mL乾燥且潔淨的圓底燒瓶中。加入磁力攪拌石並以塞子及冷凝器蓋封該燒瓶。將溶液在室溫下攪拌15分鐘以確保觸媒完全溶解。然後，在30分鐘內，在65℃下，逐滴添加11.25g DMS-H03。在添加DMS-H03後，將反應維持在75℃下2小時。隨後將反應加熱至120℃並維持在該溫度下4小時。總體溶液藉由在105℃及20 mbar下旋轉蒸發1小時，及隨後在135℃及5 mbar下再旋轉蒸發1小時進行蒸餾。產品的外觀透明，具有17161之重量平均Mw、在室溫下128mPa．s之黏度及2.95mmol/g之乙烯基含量。
CC-2A. 將VCSR-2A與HMS-301依照1：1.5之乙烯基對Si-H氫比混合。藉由高速混合機實施該混合，除氣並在150℃下固化2小時。測量肖氏A硬度及在初始時及150℃熟化1000小時後之400nm下之透明度百分比(T%)並將結果記錄在表4中。
實例5. 使用D4V、二苯基矽烷(Di-Si-H)及DVTMDS鏈延長劑合成乙烯基碳化矽氧烷樹脂
在鉑觸媒存在下，從D4V與二苯基矽烷(di-Si-H)反應製備VCSR-3A至VCSR-3D。DVTMDS係作為針對二苯基矽烷之鏈延長劑。表5-1概述該等反應物。
VCSR-3A：將0.008g鉑觸媒SIP 6832.2、20.64g D4V、9.22g二苯基矽烷及3.14g二甲苯添加至100mL乾燥且潔淨的圓底燒瓶中。加入磁力攪拌石並以塞子及冷凝器蓋封該燒瓶。將反應加熱至75℃及維持在該溫度1小時。隨後將反應加熱至130℃及維持在該溫度6小時。總體溶液藉由在115℃及20 mbar下旋轉蒸發1小時，及隨後在135℃及5 mbar下再旋轉蒸發1小時進行蒸餾。
VCSR-3B：將0.024g鉑觸媒、15.50g D4V、2.79g DVTMDS、9.22g二苯基矽烷及6.28g二甲苯添加至100mL乾燥且潔淨的圓底燒瓶中。加入磁力攪拌石並以塞子及冷凝器蓋封該燒瓶。將反應加熱至75℃及維持在該溫度1小時。隨後將反應加熱至130℃及維持在該溫度6小時。總體溶液藉由在115℃及20 mbar下旋轉蒸發1小時，及隨後在135℃及5 mbar下再旋轉蒸發1小時進行蒸餾。
VCSR-3C：將0.024g鉑觸媒、10.34g D4V、5.59g DVTMDS、9.22g二苯基矽烷及6.28g二甲苯添加至100mL乾燥且潔淨的圓底燒瓶中。加入磁力攪拌石並以塞子及冷凝器蓋封該燒瓶。將反應加熱至 75℃及維持在該溫度1小時。隨後將反應加熱至130℃及維持在該溫度6小時。總體溶液藉由在115℃及20 mbar下旋轉蒸發1小時，及隨後在135℃及5 mbar下再旋轉蒸發1小時進行蒸餾。
VCSR-3D：將0.016g鉑觸媒、5.17g D4V、8.34g DVTMDS、9.22g二苯基矽烷及6.28g二甲苯添加至100mL乾燥且潔淨的圓底燒瓶中。加入磁力攪拌石並以塞子及冷凝器蓋封該燒瓶。將反應加熱至75℃及維持在該溫度1小時。隨後將反應加熱至130℃及維持在該溫度6小時。總體溶液藉由在115℃及20 mbar下旋轉蒸發1小時，及隨後在135℃及5 mbar下再旋轉蒸發1小時進行蒸餾。
測試所得樹脂之性質並概述在表5-2中。
實例6. 含有VCSR-3A至3D及HPM-502氫聚矽氧之可固化組合物之製法及性質
在此實例中，將實例5所製備之乙烯基碳化矽氧烷與氫聚矽氧混合以形成可固化組合物(記為CC)。利用VCSR-3A製備可固化組合物CC-3A；自實例5之相應VCSR類似地製備其他可固化組合物。以1：1.5之乙烯基對Si-H氫比例製備所有組合物。與VSCR混合之氫聚矽氧係HPM-502，氫封端之甲基氫矽氧烷-二甲基矽氧烷共聚物。藉由高速混合機混合所有組合物，除氣及在150℃下固化2小時。
測量組合物CC-6A至CC-6D在初始時及在150℃之1000小時熟化後之400nm下之透明度百分比(T%)，及肖氏A硬度，並將結果記錄在表6中。對於在LED電子設備用途而言，大於70之肖氏A硬度，及至少70%，及更佳85%或更大之透明度是可接受的。
實例7. 使用D4V、雙(二甲基矽烷基)苯(Di-Si-H)及DVTMDS作為鏈延長劑合成乙烯基碳化矽氧烷
在鉑觸媒存在下，從D4V與DVTMDS反應製備VCSR-4A及VCSR-4B。DVTMDS係作為針對雙(二甲基矽烷基)苯之鏈延長劑。表7-1概述該等反應物。
VCSR-4A：將0.003g鉑觸媒、5.17g D4V、2.80g DVTMDS、4.86g雙(二甲基矽烷基)苯及3.14g甲苯添加至100mL乾燥且潔淨的圓底燒瓶中。加入磁力攪拌石並以塞子及冷凝器蓋封該燒瓶。將反應加熱至75℃及維持在該溫度1小時，隨後將反應加熱至120℃及維持在該溫度3小時。總體溶液藉由在115℃及20 mbar下旋轉蒸發1小時，及隨後在135℃及5 mbar下再旋轉蒸發1小時進行蒸餾。
VCSR-4B：將0.003g鉑觸媒、2.58g D4V、4.19g DVTMDS、4.86g雙(二甲基矽烷基)苯及3.14g甲苯添加至100mL乾燥且潔淨的圓底燒瓶中。加入磁力攪拌石並以塞子及冷凝器蓋封該燒瓶。將反應加熱至75℃及維持在該溫度5小時，隨後將反應加熱至120℃及維持在該溫度2小時。總體溶液藉由在115℃及20 mbar下旋轉蒸發1小時，及隨後在135℃及5 mbar下再旋轉蒸發1小時進行蒸餾。
實例8. 使用D4V及TMDS二聚物合成乙烯基碳化矽氧烷樹脂
VCSR-5A：將0.050g鉑觸媒、500g(1.45莫耳)V4D樹脂(反 應需要0.298莫耳，102.63g)添加至250mL 3-頸圓底燒瓶，利用頂置攪拌器攪拌。使用冷凝器以防止TMDS耗損。將反應加熱至70℃，隨後緩慢添加20g(0.149莫耳)TMDS(觀察不到回流)。D4V對TMDS之莫耳比為9.7：1。使反應溫度上升至90℃及維持在該溫度2小時，接著上升至120℃及維持在該溫度2小時。隨後藉由蒸餾移除過量D4V(收集到430g)。藉由110℃/150微米之Kugelrohr移除殘餘物之溶劑，及再收集到11.8g，共收集到61.26g產物，約50%產率。
在VCSR中之乙烯基對在氫-聚矽氧、-矽氧烷或-矽烷中之Si-H氫之比例的變化將決定固化組合物之最終性質，例如，黏著度或硬度。乙烯基對Si-H氫比例可藉由從業者確定以合適最終用途。例如，在本說明書之許多實例中，受關注性質為硬度及不變黃，其等係LED應用所需之兩種性質。使用過量Si-H氫可確保所有乙烯基反應，進而有助於將變黃減至最小。針對乙烯基對Si-H氫之類似調整可以操作以達到不同性質。

Claims (9)

  1. 一種乙烯基碳化矽氧烷樹脂，其係下述混合物之矽氫化反應產物，該混合物包含A)1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷及B)在矽氫化反應中可與乙烯基反應之具有兩個末端Si-H氫的雙(二甲基矽烷基)伸烷基或線型聚矽氧烷，其選自具有以下結構之群： 其中R為C1至C4烷基或具有結構-(O-SiMe2)n或-(O-SiAr2)n或-(O-SiMeAr)n之線型聚矽氧單元，其中n係3至5且表示重複單元之數目；Me係甲基；Ar係芳基；且R’及R”獨立地為C1至C4烷基或芳基。
  2. 如請求項1之乙烯基碳化矽氧烷樹脂，其中A)1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與B)在矽氫化反應中可與乙烯基反應之具有兩個末端Si-H氫的該雙(二甲基矽烷基)伸烷基或線型聚矽氧烷之莫耳比係1.2：1或更大。
  3. 如請求項2之乙烯基碳化矽氧烷樹脂，其係A)1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、B)在矽氫化反應中可與乙烯基反應之具有兩個末端Si-H氫的該雙(二甲基矽烷基)伸烷基或線型聚矽氧烷、及C)鏈延長劑之反應產物。
  4. 如請求項3之乙烯基碳化矽氧烷樹脂，其中該鏈延長劑選自由α,ω-乙烯基封端線型聚矽氧烷、二乙烯基矽烷及乙烯基矽氧烷組成之群。
  5. 如請求項4之乙烯基碳化矽氧烷樹脂，其中該鏈延長劑係二乙烯 基四甲基二矽氧烷。
  6. 如請求項1之乙烯基碳化矽氧烷樹脂，其中R為C1至C4烷基。
  7. 一種可固化組合物，其包含如請求項1之乙烯基碳化矽氧烷樹脂與氫-矽烷及/或氫-聚矽氧烷在鉑觸媒存在下之反應產物。
  8. 一種乙烯基碳化矽氧烷樹脂，其係下述混合物之矽氫化反應產物，該混合物包含A)1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷及B)在矽氫化反應中可與乙烯基反應之具有兩個末端Si-H氫的氫封端雙(二甲基矽烷基)伸烷基、雙(二甲基矽烷基)伸芳基、線型聚矽氧烷、二矽氧烷或矽烷，其選自具有以下結構之群： 其中R為C1至C4烷基或芳基；氧；或具有結構-(O-SiMe2)n或-(O-SiAr2)n或-(O-SiMeAr)n之線型聚矽氧單元，其中n係1至5且表示重複單元之數目；Me係甲基；Ar係芳基；且R’及R”獨立地為C1至C4烷基或芳基；其中該乙烯基碳化矽氧烷樹脂之重量平均分子量為800至2865。
  9. 一種乙烯基碳化矽氧烷樹脂，其係下述混合物之矽氫化反應產物，該混合物包含A)1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷及B)在矽氫化反應中可與乙烯基反應之具有兩個末端Si-H氫的氫封端雙(二甲基矽烷基)伸烷基、雙(二甲基矽烷基)伸芳基、線型聚矽氧烷、二矽氧烷或矽烷，其選自具有以下結構之群： 其中R為C1至C4烷基或芳基；氧；或具有結構-(O-SiMe2)n或-(O-SiAr2)n或-(O-SiMeAr)n之線型聚矽氧單元，其中n係1至5且表示重複單元之數目；Me係甲基；Ar係芳基；且R’及R”獨立地為C1至C4烷基或芳基；其中A)1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷與B)在矽氫化反應中可與乙烯基反應之具有兩個末端Si-H氫的該氫封端雙(二甲基矽烷基)伸烷基、雙(二甲基矽烷基)伸芳基、線型聚矽氧烷、二矽氧烷或矽烷之莫耳比係1.5：1或更大。
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