CN104487492B - 乙烯基碳硅氧烷树脂 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了乙烯基碳硅氧烷树脂，其是1,3,5,7‑四乙烯基‑1,3,5,7‑四甲基环四硅氧烷与氢化物封端的线性聚硅氧烷、硅氧烷或硅烷在铂催化剂存在下的硅氢化反应产物，所述氢化物封端的线性聚硅氧烷、硅氧烷或硅烷具有两个在硅氢化反应中与乙烯基反应的末端Si‑H氢。合适的氢化物封端的线性聚硅氧烷、硅氧烷或硅烷选自具有结构I和II的那些。还提供了可固化组合物，其包含乙烯基碳硅氧烷树脂与氢化硅烷和/或氢化聚硅氧烷在铂催化剂存在下的反应产物。

Description

乙烯基碳硅氧烷树脂
技术领域
本发明涉及乙烯基碳硅氧烷(vinyl carbosiloxane)树脂和其作为封装剂的用途，所述封装剂特别是用于LED装置的封装剂。
背景技术
高功率发光二极管(LED)越来越多地作为白炽灯和荧光灯的替代用于零售使用、建筑照明、车辆使用和街道照明。耐热聚合物和/或聚合物复合材料被用作封装材料，并且已知在热老化条件下保持机械性能(模量、伸长率、韧度、粘合强度)。这些对于LED应用非常重要，但是如果在连续使用下没有良好的光学透明度，此类聚合物则不适合。
传统上，由于环氧树脂具有低透湿性、高折射率、高硬度和低热膨胀，因此它们一直是用于LED封装的优选封装剂。然而，环氧树脂在暴露于光子通量和约100℃的温度后变黄。由于高电耗，LED可达到高达150℃的操作温度；因此，当使用环氧树脂时，LED的光输出会显著受到影响。
已知基于聚硅氧烷的材料可承受高温和光子轰击而不会变黄。然而，对于高亮度LED封装来说，大部分市售聚硅氧烷不能提供该应用所需的硬度。需要硬度来保护LED半导体和实现最佳的透明度(柔软的表面比坚硬的表面藏纳更多的灰尘，并且影响光质)。良好的聚硅氧烷候选物是1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷。
在与具有多个Si-H基的氢化聚硅氧烷(hydridosilicones)固化时，这种环状四乙烯基四硅氧烷化合物提供足够的肖氏D硬度或高的肖氏A硬度、低的热膨胀系数和良好的透明度，所有这些都是LED封装剂的重要性能。缺点是，环状四乙烯基四硅氧烷是挥发性的，并且在最终固化期间可以从反应混合物损失。
发明内容
本发明涉及衍生自1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的乙烯基碳硅氧烷树脂，以及它们作为封装剂的组分的用途，所述封装剂特别是用于LED装置的封装剂。在本说明书和权利要求书中，术语“封装剂(encapsulant)”被视为包括涂料、粘合剂和模塑料。
在一个实施方案中，本发明是乙烯基碳硅氧烷树脂，其是化合物1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷上的乙烯基与氢化物封端的线性聚硅氧烷、硅氧烷或硅烷上的末端Si-H氢在铂催化剂存在下的反应产物，所述氢化物封端的线性聚硅氧烷、硅氧烷或硅烷具有两个在硅氢化反应(hydrosilation)中与乙烯基反应的末端Si-H氢。
在另一个实施方案中，本发明是通过乙烯基碳硅氧烷树脂与一种或多种其它氢化聚硅氧烷在铂催化剂存在下的反应制备的可固化组合物。
具体实施方式
在本说明书和权利要求书中，下列术语应具有以下所指出的含义：
D4V是指化合物1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷(一种环状四乙烯基四硅氧烷，购自Gelest)。
Di-Si-H是指具有两个在硅氢化反应中与乙烯基反应的末端Si-H氢的氢化物封端的线性聚硅氧烷、硅氧烷或硅烷。
DMS-H03是指氢化物封端的聚二甲基硅氧烷，并且是其产品号(一种di-Si-H，购自Gelest)。
DVTMDS是指二乙烯基四甲基二硅氧烷(链增长剂，购自Gelest)。
HMS-301是指甲基氢硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物，并且是其产品号(一种氢化聚硅氧烷，购自Gelest)。
HPM-502是指甲基氢硅氧烷-苯基甲基硅氧烷共聚物，并且是其产品号(一种氢化聚硅氧烷，购自Gelest)。
PDMS是指聚二甲基硅氧烷。
Pt催化剂是指铂催化剂。本说明书中的实施例中使用的催化剂在环状甲基乙烯基硅氧烷中含有2.0-2.3％浓度的铂(可作为产品号SIP6832.2购自Gelest)。其它铂催化剂是已知的并且可商购，并且具有类似的活性和效率。
TMDS是指四甲基二硅氧烷(一种di-Si-H，购自Gelest)。
VCSR是指由D4V和di-Si-H在有或没有链增长剂的情况下制备的乙烯基碳硅氧烷树脂。
本发明的乙烯基碳硅氧烷树脂由D4V上的一个或多个乙烯基与di-Si-H化合物上的Si-H氢的硅氢化反应制备。
D4V，即1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷，具有以下结构：
适合与D4V反应的di-Si-H化合物选自具有以下结构的那些化合物：
和
其中R是C1-C4烷基或芳基；氧；或结构-(O-SiMe2)n或-(O-SiAr2)n或-(O-SiMeAr)n的线性聚硅氧烷单元，其中n至少为数字1并且表示重复单元的数目(由分子量确定)；Me是甲基；Ar是芳基；并且R’和R”独立地为C1-C4烷基或芳基。当R是烷基或芳基时，di-Si-H化合物是硅烷；当R是氧时，di-Si-H化合物是硅氧烷；当R是线性聚硅氧烷时，di-Si-H化合物是聚硅氧烷。
在一些实施方案中，链增长剂可用于延长di-Si-H化合物和增加VCSR的分子量。合适的链增长剂选自α,ω-乙烯基封端的线性聚硅氧烷、二乙烯基硅烷和二乙烯基硅氧烷。链增长剂的实例是二乙烯基四甲基二硅氧烷。
优选的VCSR由D4V和di-Si-H化合物以1.2或更大的摩尔比制备。在该摩尔比或更大的摩尔比下，可避免胶凝化。当在反应混合物中使用链增长剂来延长di-Si-H化合物时，基于链延长后D4V和di-Si-H的可用摩尔数来计算摩尔比。以下等式示出了所述计算：
di-Si-H的摩尔数-链增长剂的摩尔数＝di-Si-H的可用摩尔数。
[(D4V的摩尔数-di-Si-H的可用摩尔数)÷di-Si-H的可用摩尔数]×100％＝D4V的过量％。
D4V的摩尔数÷di-Si-H的可用摩尔数＝D4V与di-Si-H的摩尔比。
在本说明书和权利要求书中，摩尔比应指D4V与可用的di-Si-H的摩尔比。
当与纳米尺寸的填料一起使用时，所需VCSR的分子量(重均)最优化设计在约800到约2000的范围内，因为在该分子量范围内，乙烯基碳硅氧烷树脂不挥发，并且还足够小以提供小于纳米级填料的粒径的分子线团尺寸(molecular coil size)。如此，当将乙烯基碳硅氧烷树脂颗粒配制在含有纳米尺寸填料的组合物中时，乙烯基碳硅氧烷树脂颗粒可占据填料的层际空间区域并防止填料聚结。
用于硅氢化反应以形成VCSR的催化剂通常是铂。优选的催化剂是液体铂催化剂。当要求光学透明度时，所用催化剂的水平为在最终的树脂中20ppm或更低。较高的水平可引起变黄，但当不要求避免变黄时可视需要使用。在许多反应中，该水平的催化剂仍具有活性，并且还足够低，因此不必将其从碳硅氧烷产物中分离出来。
以下是使用D4V和di-Si-H化合物的反应方案的图示：
和
在这些图示中，D4V上仅两个乙烯基发生反应，但预期D4V树脂上的乙烯基存在不同程度的取代，因此，产物会是乙烯基碳硅氧烷的混合物。实际中，选择D4V与di-Si-H的摩尔比，以使VCSR反应产物具有至少一个剩余未反应的乙烯基，所述乙烯基将用于后续的固化反应中。
在本发明的另一个实施方案中，可使这些VCSR与氢化硅烷和/或氢化聚硅氧烷在铂催化剂的存在下反应，以形成例如可用作封装剂或密封剂的可固化组合物。合适的氢化聚硅氧烷和氢化硅烷可商购自例如Gelest、Dow Corning、Momentive和Shin Etsu。
可根据最终应用的要求向可固化组合物中加入填料；例如，可加入填料以赋予所需的性能特征，例如触变性或导电性。
尽管就待用作LED封装剂的本发明的可固化组合物而言不需要填料，但当掺入填料用于其中要求光学透明度的LED应用时，填料优选为纳米级的。对于其中未要求光学透明度的其它应用，可以使用微米级颗粒作为填料。当使用微米级颗粒时，可与重均分子量大于2000的乙烯基碳硅氧烷树脂配制在一起。在此类情况下，从业者可确定适合最终用途的合适分子。
在大多数情况下，当可固化组合物用于要求光学透明度的情况中时，从业者会使填料的折射率与固化的组合物的折射率匹配。
合适的填料可以是导电或非导电的填料。导电填料的实例是炭黑、石墨、金、银、铜、铂、钯、镍、铝、碳化硅、氮化硼、金刚石和氧化铝。非导电填料的实例是蛭石、云母、硅灰石、碳酸钙、二氧化钛、沙子、玻璃、熔融二氧化硅、热解二氧化硅、硫酸钡、四氟乙烯、三氟乙烯、偏二氟乙烯、氟乙烯、偏二氯乙烯和氯乙烯。当存在时，填料的量为配制物的0.1重量％-90重量％，所述重量取决于从业者所确定的填料的功能和性能。
实施例
实施例1.使用D4V、TMDS(Di-Si-H)和DVTMDS链增长剂合成乙烯基碳硅氧烷树脂。
从D4V与TMDS在铂催化剂存在下的反应制备VCSR-1A到VCSR-1D。使用DVTMDS作为TMDS的链增长剂。
表1-1概述了用于四种VCSR的反应物的量。除所列出的反应物以外，对于各反应，使用34.25g的量的甲苯作为溶剂，并且使用0.06g的量的Pt催化剂。使用DVTMDS作为TMDS的链增长剂，它们的比率为1:1。表1-2概述了在用DVTMDS的链增长中消耗一些起始TMDS后，D4V与可用于进一步反应的TMDS的摩尔比。如下进行计算(其中括号中的字母表示“栏”，并且“avl”意指“可用”)：
TMDS的摩尔数(W)-DVTMDS的摩尔数(V)＝可用的TMDS(X)
[(D4V的摩尔数(U)-TMDS的可用摩尔数(X))÷TMDS的可用摩尔数(X)]×100％＝D4V的过量％(Y)
D4V的摩尔数(U)÷TMDS的可用摩尔数(X)＝D4V与TMDS的摩尔比(Z)。
如下进行乙烯基碳硅氧烷树脂VCSR-1A到VCSR-1D的合成：
VCSR-1A：向500mL干燥且清洁的圆底烧瓶中加入0.06g铂催化剂SIP 6832.2、103.50g D4V和34.25g甲苯。加入磁力搅拌器，并用塞子和冷凝器盖封烧瓶。将溶液在室温下搅拌15分钟，以确保催化剂完全溶解。然后，在30分钟内，在65℃逐滴加入33.50g TMDS。加入TMDS后，将反应加热到75℃并在该温度下保持2小时。然后，将反应加热到120℃并在该温度下保持4小时。通过在105℃和20毫巴下旋转蒸发1小时，然后在135℃和5毫巴下再旋转蒸发1小时，来蒸馏全部溶液。
VCSR-1B：向500mL干燥且清洁的圆底烧瓶中加入0.06g铂催化剂、77.50g D4V、13.98g DVTMDS和34.25g甲苯。加入磁力搅拌器，并用塞子和冷凝器盖封烧瓶。将溶液在室温下搅拌15分钟，以确保催化剂完全溶解。然后，在30分钟内，在65℃逐滴加入33.50gTMDS。加入TMDS后，将反应加热到75℃并在该温度下保持2小时。然后，将反应加热到120℃并在该温度下保持4小时。通过在105℃和20毫巴下旋转蒸发1小时，然后在135℃和5毫巴下再旋转蒸发1小时，来蒸馏全部溶液。
VCSR-1C：向500mL干燥且清洁的圆底烧瓶中加入0.06g铂催化剂、51.75g D4V、27.96g DVTMDS和34.25g甲苯。加入磁力搅拌器，并用塞子和冷凝器盖封烧瓶。将溶液在室温下搅拌15分钟，以确保催化剂完全溶解。然后，在30分钟内，在65℃逐滴加入33.50gTMDS。加入TMDS后，将反应加热到75℃并在该温度下保持2小时。然后，将反应加热到120℃并在该温度下保持4小时。通过在105℃和20毫巴下旋转蒸发1小时，然后在135℃和5毫巴下再旋转蒸发1小时，来蒸馏全部溶液。
VCSR-1D：向500mL干燥且清洁的圆底烧瓶中加入0.06g铂催化剂、25.85g D4V、41.94g DVTMDS和34.25g甲苯。加入磁力搅拌器，并用塞子和冷凝器盖封烧瓶。将溶液在室温下搅拌15分钟，以确保催化剂完全溶解。然后，在30分钟内，在65℃逐滴加入33.50gTMDS。加入TMDS后，将反应加热到75℃并在该温度下保持2小时。然后，将反应加热到120℃并在该温度下保持4小时。通过在105℃和20毫巴下旋转蒸发1小时，然后在135℃和5毫巴下再旋转蒸发1小时进行蒸馏，来蒸馏全部溶液。
这些树脂未胶凝并且在数月内保持稳定，仅在经受固化条件(例如实施例2中所述的)时才会变化。
其它性能概述在表1-3中。
实施例2.含有VCSR-1A到VCSR-1D与HMS-301氢化聚硅氧烷的可固化组合物的制备和性能。
在本实施例中，将实施例1中制备的乙烯基碳硅氧烷与氢化聚硅氧烷HMS-301混合，以形成可固化组合物，表示为CC。使用VCSR-1A制备可固化组合物CC-1A；类似地，由来自实施例1的相应的VCSR制备其余可固化组合物。以乙烯基与Si-H氢的比率为1:1.5来制备所有组合物。将所有组合物用高速混合机(speedmixer)混合，脱气，并在150℃固化2小时。
测量组合物CC-1A到CC-1D在初始时和在150℃老化1000小时后的在400nm下的透明度百分比(T％)以及肖氏A硬度。对于用于LED电子器件中而言，大于70的肖氏A硬度和至少70％，更优选85％或更高的透明度是可接受的。结果记录在表2中。
实施例3.D4V与TMDS的可用摩尔比的确定。
本实施例证明了小于1.2的D4V与TMDS的摩尔比导致产物发生胶凝化。与实施例1中所述类似地制备组合物，只是未使用链增长剂和溶剂。使用表3中所记录的量和摩尔比。如实施例1中所述进行计算。
制备反应混合物3A-3E，并保持在室温下。在室温下，在一个月内，反应混合物3A、3B和3C胶凝，并且反应混合物3D和3E的粘度增加并在三个月内胶凝。
通过在70℃加热4小时，然后在90℃加热70小时，来制备七种反应混合物3F-3M。反应混合物3F在64小时内胶凝。反应混合物3G、3H、3J、3K、3L和3M未胶凝。这些结果表明，1.2或更大的D4V与TMDS的摩尔比会产生不胶凝的产物。这与实施例1中的样品的结果一致。
实施例4.使用D4V和DMS-H03(Di-Si-H)合成乙烯基碳硅氧烷树脂；使用所得VCSR与HMS-301来制备可固化组合物、及所述可固化组合物的性能。
VCSR-2A：向250mL干燥且清洁的圆底烧瓶中加入0.012g铂催化剂、10.32g D4V和21.57g二甲苯。加入磁力搅拌器，并用塞子和冷凝器盖封烧瓶。将溶液在室温下搅拌15分钟，以确保催化剂完全溶解。然后，在30分钟内，在65℃逐滴加入11.25g DMS-H03。加入DMS-H03后，将反应在75℃保持2小时。然后，将反应加热到120℃并在该温度下保持4小时。通过在105℃和20毫巴下旋转蒸发1小时，然后在135℃和5毫巴下再旋转蒸发1小时，来蒸馏全部溶液。产物的外观澄清，重均Mw为17161，在室温下的粘度为128mPa.s，并且乙烯基含量为2.95mmol/g。
CC-2A.将VCSR-2A与HMS-301以1:1.5的乙烯基与Si-H氢的比率混合。用高速混合机进行混合，脱气，并在150℃固化2小时。测量肖氏A硬度以及在初始时和在150℃老化1000小时后的在400nm下的透明度百分比(T％)，结果记录在表4中。
实施例5.使用D4V、二苯基硅烷(Di-Si-H)和DVTMDS链增长剂合成乙烯基碳硅氧烷树脂。
从D4V与二苯基硅烷(di-Si-H)在铂催化剂存在下的反应来制备VCSR-3A到VCSR-3D。使用DVTMDS作为二苯基硅烷的链增长剂。表5-1概述了反应物。
VCSR-3A：向100mL干燥且清洁的圆底烧瓶中加入0.008g铂催化剂SIP 6832.2、20.64g D4V、9.22g二苯基硅烷和3.14g二甲苯。加入磁力搅拌器，并用塞子和冷凝器盖封烧瓶。将反应加热到75℃并在该温度下保持1小时。然后，将反应加热到130℃并在该温度下保持6小时。通过在115℃和20毫巴下旋转蒸发1小时，然后在135℃和5毫巴下再旋转蒸发1小时，来蒸馏全部溶液。
VCSR-3B：向100mL干燥且清洁的圆底烧瓶中加入0.024g铂催化剂、15.50g D4V、2.79g DVTMDS、9.22g二苯基硅烷和6.28g二甲苯。加入磁力搅拌器，并用塞子和冷凝器盖封烧瓶。将反应加热到75℃并在该温度下保持1小时。然后，将反应加热到130℃并在该温度下保持6小时。通过在115℃和20毫巴下旋转蒸发1小时，然后在135℃和5毫巴下再旋转蒸发1小时，来蒸馏全部溶液。
VCSR-3C：向100mL干燥且清洁的圆底烧瓶中加入0.024g铂催化剂、10.34g D4V、5.59g DVTMDS、9.22g二苯基硅烷和6.28g二甲苯。加入磁力搅拌器，并用塞子和冷凝器盖封烧瓶。将反应加热到75℃并在该温度下保持1小时。然后，将反应加热到130℃并在该温度下保持6小时。通过在115℃和20毫巴下旋转蒸发1小时，然后在135℃和5毫巴下再旋转蒸发1小时，来蒸馏全部溶液。
VCSR-3D：向100mL干燥且清洁的圆底烧瓶中加入0.016g铂催化剂、5.17g D4V、8.34g DVTMDS、9.22g二苯基硅烷和6.28g二甲苯。加入磁力搅拌器，并用塞子和冷凝器盖封烧瓶。将反应加热到75℃并在该温度下保持1小时。然后，将反应加热到130℃并在该温度下保持6小时。通过在115℃和20毫巴下旋转蒸发1小时，然后在135℃和5毫巴下再旋转蒸发1小时，来蒸馏全部溶液。
对所得树脂的性能进行测试，并且概述在表5-2中。
实施例6.含有VCSR-3A到VCSR-3D与HPM-502氢化聚硅氧烷的可固化组合物的制备和性能。
在本实施例中，将实施例5中制备的乙烯基碳硅氧烷与氢化聚硅氧烷混合，以形成可固化组合物(表示为CC)。使用VCSR-3A制备可固化组合物CC-3A；类似地，由来自实施例5的相应的VCSR制备其余可固化组合物。以乙烯基与Si-H氢的比率为1:1.5来制备所有组合物。所述与VSCR混合的氢化聚硅氧烷是HPM-502，即氢化物封端的甲基氢硅氧烷-二甲基硅氧烷共聚物。将所有组合物用高速混合机混合，脱气，并在150℃固化2小时。
测量组合物CC-6A到CC-6D在初始时和在150℃老化1000小时后的在400nm下的透明度百分比(T％)以及肖氏A硬度，结果记录在表6中。对于用于LED电子器件中而言，大于70的肖氏A硬度和至少70％，更优选85％或更高的透明度是可接受的。
实施例7.使用D4V、双(二甲基甲硅烷基)苯(Di-Si-H)和作为链增长剂的DVTMDS合成乙烯基碳硅氧烷树脂。
从D4V与DVTMDS在铂催化剂存在下的反应来制备VCSR-4A和VCSR-4B。使用DVTMDS作为双(二甲基甲硅烷基)苯的链增长剂。表7-1概述了反应物。
VCSR-4A：向100mL干燥且清洁的圆底烧瓶中加入0.003g铂催化剂、5.17g D4V、2.80g DVTMDS、4.86g双(二甲基甲硅烷基)苯和3.14g甲苯。加入磁力搅拌器，并用塞子和冷凝器盖封烧瓶。将反应加热到75℃并在该温度下保持1小时，然后，将反应加热到120℃并在该温度下保持3小时。通过在115℃和20毫巴下旋转蒸发1小时，然后在135℃和5毫巴下再旋转蒸发1小时，来蒸馏全部溶液。
VCSR-4B：向100mL干燥且清洁的圆底烧瓶中加入0.003g铂催化剂、2.58g D4V、4.19g DVTMDS、4.86g双(二甲基甲硅烷基)苯和3.14g甲苯。加入磁力搅拌器，并用塞子和冷凝器盖封烧瓶。将反应加热到75℃并在该温度下保持5小时，然后，将反应加热到120℃并在该温度下保持2小时。通过在115℃和20毫巴下旋转蒸发1小时，然后在135℃和5毫巴下再旋转蒸发1小时，来蒸馏全部溶液。
实施例8.使用D4V和TMDS二聚体来合成乙烯基碳硅氧烷树脂。
VCSR-5A：向250mL三颈圆底烧瓶中加入0.050g铂催化剂、500g(1.45摩尔)V4D树脂(反应需要0.298摩尔，102.63g)，使用顶部搅拌器搅拌。使用冷凝器来防止TMDS的损失。将反应加热到70℃，然后缓慢加入20g(0.149摩尔)TMDS(未注意到回流)。D4V与TMDS的摩尔比为9.7:1。将反应温度升高到90℃并在该温度下保持2小时，然后，升高到120℃并在该温度下保持2小时。然后，通过蒸馏除去过量的D4V(收集到430g)。将剩余物通过Kugelrohr在110℃/150微米下除去溶剂，收集到额外的11.8g，总计收集到61.26g产物，产率约为50％。
VCSR中的乙烯基与氢化聚硅氧烷、氢化硅氧烷或氢化硅烷中的Si-H氢的比率的变化将决定固化的组合物的最终性能，例如粘性程度或硬度。乙烯基与Si-H氢的比率可由从业者确定以适合最终用途。例如，在本说明书中的多个实施例中，所寻求的性能是硬度和不变黄，这两种性能为LED应用所需。使用过量的Si-H氢通过确保所有的乙烯基反应而有助于将变黄降到最低。可对乙烯基与Si-H氢的比率进行类似的调整，以实现不同性能。

Claims (5)

1.乙烯基碳硅氧烷树脂，其是1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷与氢化物封端的线性聚硅氧烷或硅烷的硅氢化反应产物，
所述氢化物封端的线性聚硅氧烷或硅烷具有两个在硅氢化反应中与乙烯基反应的末端Si-H氢，且具有以下结构：
其中R是C1-C4烷基；
或具有以下结构：
H(CH3)2Si-R-O-Si(CH3)2H
其中R是结构为-(O-SiMe2)n或-(O-SiAr2)n或-(O-SiMeAr)n的线性聚硅氧烷单元；其中n为至少1并且表示重复单元的数目；Me是甲基；Ar是芳基；
其中1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷与所述氢化物封端的线性聚硅氧烷或硅烷的摩尔比为1.5:1或更大；并且
其中所述乙烯基碳硅氧烷树脂的重均分子量在800-2865范围内。
2.根据权利要求1所述的乙烯基碳硅氧烷树脂，其是1,3,5,7-四乙烯基-1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷、氢化物封端的线性聚硅氧烷或硅烷、以及链增长剂的反应产物。
3.根据权利要求2所述的乙烯基碳硅氧烷树脂，其中所述链增长剂选自α,ω-乙烯基封端的线性聚硅氧烷、二乙烯基硅烷和二乙烯基硅氧烷。
4.根据权利要求3所述的乙烯基碳硅氧烷树脂，其中所述链增长剂是二乙烯基四甲基二硅氧烷。
5.可固化组合物，其包含根据权利要求1所述的乙烯基碳硅氧烷树脂与氢化硅烷和/或氢化聚硅氧烷在铂催化剂存在下的反应产物。
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