TWI576656B - 半導體裝置及其形成方法 - Google Patents

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石志聰
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台灣積體電路製造股份有限公司
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Description

半導體裝置及其形成方法
本揭露係關於半導體裝置及其形成方法。
於半導體積體電路(integrated circuit,IC)產業中，積體電路材料及設計上的進步已產生了數代的積體電路，每一代皆具有體積更小且更精密的電路。在積體電路發展的進程上，功能密度(即，每一晶片區域之內連線裝置的數量)逐漸增加的同時，幾何尺寸(即，利用製程步驟可以產生之最小元件(或線))逐漸縮小。此微縮化(scaling down)製程通常可提供增加產率及降低相關成本之優點。上述縮小製程亦增加了處理及製造積體電路的複雜度。
光微影製程通常形成圖案化光阻層於各種圖案化製程，例如：蝕刻或離子佈植。光微影製程中使用光罩(photomask)(或遮罩(mask))，遮罩包含基底以及圖案化層，其中圖案化層於光微影製程中定義將被轉移至半導體基底之積體電路。在遮罩的形成或光微影製程利用遮罩時，許多遮罩汙染物，例如：化學汙染物，被引入且難以移除。當前的清理方法並未有效地移除遮罩汙染物且可能進而損害遮罩。
根據本揭露的一些實施例中，提供一種半導體裝置的形成方法，包括：提供一承載晶圓；形成一內縮(indented) 部分於承載晶圓上，內縮部分具有一傾斜部分於內縮部分的一邊緣；接合一表層(pellicle)晶圓於承載晶圓上，以形成一開放區域於內縮部分內；圖案化表層晶圓，以形成一表層膜於內縮部分之上以及一表層膜支持結構於傾斜部分之上；以及施加一機械力，以使表層膜從表層晶圓分離。
根據本揭露的一些實施例中，亦提供一種半導體裝置的形成方法，包括：形成一內縮部分於一承載晶圓上，內縮部分的邊緣具有一傾斜部分，由內縮部分的一下部部分向一間隔層的一頂表面傾斜；接合一表層晶圓於承載晶圓上；圖案化表層晶圓，以形成一表層膜於內縮部分之上、一表層膜支持結構於傾斜部分之上、以及一中斷部於傾斜部分之上；以及施加一機械力，以斷開中斷部以及使表層膜及表層膜支持結構從表層晶圓分離。
根據本揭露的一些實施例中，更提供一種半導體裝置，包括：一光罩，具有一圖案化部分；一表層支架，連接至光罩、表層支架實質上圍繞(encompass)圖案化部分；以及一表層，包括：一表層膜支持結構，根據表層支架成形，表層膜支持結構的一第一末端被接合至表層支架；以及一表層膜，位於表層膜支持結構的一第二末端，表層膜實質上覆蓋圖案化部分。
102‧‧‧承載晶圓
103‧‧‧承載晶圓的背側
104‧‧‧間隔層
106‧‧‧內縮部分
108‧‧‧傾斜部分
109‧‧‧溝槽
110‧‧‧上視圖
112‧‧‧表層晶圓
114‧‧‧光阻層
116‧‧‧蝕刻製程
118‧‧‧中斷部
120‧‧‧表層膜支持結構
122‧‧‧表層膜
124‧‧‧光罩
125‧‧‧圖案化側
126‧‧‧表層支架
127‧‧‧保護區域
129‧‧‧表層
130‧‧‧機械力
131‧‧‧剩餘部分
150‧‧‧上視圖
202‧‧‧中斷部的寬度
204‧‧‧表層膜支持結構的寬度
206‧‧‧寬度
300‧‧‧方法
302~312‧‧‧方法之步驟
以下將配合所附圖式詳述本發明之實施例，應注意的是，依照工業上的標準實施，以下圖示並未按照比例繪製，事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸以便清楚表現 出本發明的特徵。
第1A至1K圖顯示根據所述原理之一例子中，形成表層於光罩上的步驟示意圖。
第2圖顯示根據所述原理之一例子中，表層以及其它用以形成表層的元件之尺寸示意圖。
第3圖顯示根據所述原理之一例子中，形成用於光罩的表層之形成方法的流程圖。
以下公開許多不同的實施方法或是例子來實行本發明之不同特徵，以下描述具體的元件及其排列的例子以闡述本發明。當然這些僅是例子且不該以此限定本發明的範圍。例如，在描述中提及第一個元件形成於第二個元件上時，其可以包括第一個元件與第二個元件直接接觸的實施例，也可以包括有其它元件形成於第一個元件與第二個元件之間的實施例，其中第一個元件與第二個元件並未直接接觸。此外，本揭露在不同實施例中可能使用重複的標號及/或標示，這些重複僅為了簡單清楚地敘述本揭露，不代表所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。
此外，其中可能用到與空間相關的用詞，像是“在...下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的”及類似的用詞，這些關係詞係為了便於描述圖示中一個(些)元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係，這些空間關係詞包括使用中或操作中的裝置之不同方位，以及圖示中所描述的方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度或其他方位)，則 其中使用的空間相關形容詞也可相同地照著解釋。
如同前述，在遮罩的形成或光微影製程利用遮罩時，許多遮罩汙染物，例如：化學汙染物，被引入且難以移除。當前的清理方法並未有效地移除遮罩汙染物且可能進而損害遮罩。根據本揭露的一些例子，形成表層(pellicle)以保護遮罩。具體而言，表層形成於晶圓之中且接著接合至與遮罩連接之表層支架(pellicle frame)。接著，表層機械地與表層所在之晶圓分離。
第1A至1K圖顯示形成表層於光罩上的步驟之示意圖。根據一些實施例，第1A圖顯示間隔層104形成於承載晶圓102上。承載晶圓102為用以支持另一膜層的犧牲結構，於此，用以支持間隔層104及接續形成的膜層，下文將詳細說明之。承載晶圓102可為圓形。承載晶圓102可由半導體材料或其它合適的材料形成。
間隔層104可藉由高密度電漿化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)製程沉積於承載晶圓102之上。在一例子中，間隔層104可具有大於500nm的厚度。在一例子中，間隔層104可具有約在500至600nm的範圍之厚度。間隔層104可由，例如：氮化矽或氮氧化矽之材料所形成。此種材料可被圖案化以產生想要的結構，下文將詳細說明之。
第1B圖顯示實行圖案化製程於間隔層104上。圖案化製程可使用光微影製程及蝕刻製程加以實行。此種蝕刻製程可能包含濕蝕刻及乾蝕刻的結合以達成想要的外形(profile)。如圖所示，圖案化間隔層104以形成內縮(indented)部分106。 在一些實施例中，藉由完全地移除間隔層104以暴露下方的承載晶圓102而形成內縮部分106。內縮部分106的邊緣被形成為具有傾斜部分108。
傾斜部分108的外形可使用濕蝕刻及乾蝕刻的各種組合加以達成。濕蝕刻為等向性(isotropic)，因此通常會於所有方向進行蝕刻。乾蝕刻，例如：電漿蝕刻，包含離子的撞擊(bombardment)以移除材料。乾蝕刻為非等向性(anisotropic)，因此主要於單一方向進行蝕刻。在一些實施例中，傾斜部分108實質上為線形。然而，在一些例子中，傾斜部分108可具有其它形狀。例如，傾斜部分可為微凸面或微凹面。在一些例子中，只有部分的傾斜部分108為凸面或凹面，而其它部分實質上為線形。
在一些實施例中，形成內縮部分106時，移除間隔層104以暴露下方的承載晶圓102。然而，在一些例子中，內縮部分106可能並未延伸至承載晶圓102。例如，內縮部分106可具有小於間隔層104的厚度之深度。在一些例子中，代替使用間隔層104，可形成內縮部分106於承載晶圓102之中。
第1C圖為間隔層104的上視圖110。根據一些實施例，內縮部分106的形狀為長方形。此外，傾斜部分108形成於環繞內縮部分106的所有邊緣。長方形的內縮部分106之尺寸是以將被表層貼附之光罩的尺寸為基準。在一些例子中，長方形的內縮部分106之尺寸稍大於光罩的圖案化部分之尺寸。雖然第1C圖繪示一長方形遮罩之例子，但亦可為其它形狀。例如，特定的光罩可為橢圓形、圓形、正方形或具有其它形狀。內縮 部分106被設計以與此種形狀相配(match)。
上視圖110亦顯示溝槽(groove)，其經圖案化於間隔層104之中。溝槽109從內縮部分106延伸至承載晶圓102的邊緣。溝槽109作為排氣口(exhaust port)使內縮部分106內的空氣得以排到承載晶圓102的側邊之外，下文將詳細說明之。在內縮部分106形成於承載晶圓102之中，而並未使用間隔層104的例子中，溝槽109亦可形成於承載晶圓102之中。
第1D圖顯示表層晶圓112被接合於承載晶圓102上。具體而言，表層晶圓112接合至間隔層104。在一例子中，表層晶圓112由半導體材料，例如：矽所形成。表層晶圓112的形狀實質上與承載晶圓102的形狀相似。
在一例子中，表層晶圓112藉由熔合接合製程(fusion bonding process)接合至間隔層104。這種接合製程可能包含放置表層晶圓112倚靠(against)間隔層104且施加高溫及高壓。例如，可使用在200至500℃範圍的溫度。高溫導致形成表層晶圓112的材料與形成間隔層104的材料接合。
接合表層晶圓112至間隔層104產生一開放區域於內縮部分106內。然而，由於溝槽109其形成於間隔層104內，開放區域並未被密封。換言之，開放區域與所示之裝置的外部環境相通。在內縮部分106形成於承載晶圓102之中，而並未使用間隔層104的例子中，表層晶圓112直接地接合至承載晶圓102。
第1E圖顯示圖案化光阻層114的形成。在一例子中，光阻層114塗覆於表層晶圓112之上。接著藉由包含曝光步 驟及顯影步驟之微影製程，圖案化光阻層114。例如，通過圖案化光罩的使用，光阻層114暴露於光源。在曝光後，光阻層的特定部分可溶於顯影溶液，顯影溶液因此移除可溶部分，而保留圖案化光阻層114，如第1E圖所示。
在一些例子中，在實施光阻層之前，可薄化承載晶圓102的背側103。在一些例子中，承載晶圓102、間隔層104及表層晶圓112的結合可能過厚而不適用於一些光微影工具。因此，可薄化承載晶圓102使晶圓得以置於實行光微影製程的機台中。
第1F圖顯示蝕刻製程116。根據一些實施例，使用蝕刻製程116以薄化表層晶圓112以形成多種特徵。蝕刻製程116可為非等向性蝕刻製程，例如：乾蝕刻製程。被蝕刻掉的表層晶圓112的部分是通過圖案化光阻層114被曝光的部分。
通過光阻層114的曝光部分蝕刻表層晶圓112，產生許多特徵，包含中斷(break-off)部118、表層膜支持結構120及表層膜122。表層膜122形成於內縮部分106之上。表層膜122薄到足以讓與光罩一同使用之任何型式的光穿透，上述光罩被表層膜122保護，同時表層膜122亦機械地(mechanically)堅固到足以保持其本身結構。在一例子中，表層膜122小於200nm。
表層膜支持結構120連接表層膜122至光罩。更具體地，表層膜支持結構120連接表層膜122至貼附於光罩的表層支架，下文將詳細說明之。在上視圖中，表層膜支持結構120為曲折的(circuitous)結構，其跟隨內縮部分106的長方形形狀。
中斷部118位於表層膜支持結構120及表層晶圓 112剩餘的部分之間。中斷部118藉由形成環繞表層膜支持結構120之連續的凹槽(trench)而形成。中斷部118的厚度可與表層膜122相似。為了將表層膜122及表層膜支持結構120與表層晶圓112剩餘的部分分離，中斷部118被設計為在施加機械壓力的情況下，將會斷裂，下文將詳細說明之。因為中斷部118、表層膜支持結構120及表層膜122皆形成於相同的表層晶圓112內，它們形成單一的單片(monolithic)結構。在一些例子中，中斷部118垂直地與傾斜部分108的邊緣對齊。
第1G圖顯示表層晶圓112經圖案化之後的上視圖150。上視圖150顯示表層膜支持結構120圍繞表層膜122。連續的凹槽將表層膜支持結構120與表層晶圓112剩餘的部分分開。凹槽形成中斷部118。
第1H圖顯示移除圖案化光阻層114之示意圖。在一例子中，使用濕蝕刻製程移除圖案化光阻層。此種濕蝕刻製程為選擇性的，用以僅移除光阻層114，而保持下方的表層晶圓112實質上為完整的。
再者，第1H圖顯示在光罩連接至表層之前的光罩124。光罩124包含圖案化側125及表層支架126。圖案化側125亦可稱為圖案化部分。圖案化側125包含準備被轉移至基底(未繪示)的光阻層上以製造積體電路的實際圖案。光罩124為反射遮罩，因此，光源的光線導向圖案化側的表面。圖案化側125的部分將反射上述光線且其它部分將吸收上述光線。因此，當反射的光線在光微影曝光步驟中到達塗覆於半導體晶圓上的光阻層時，由圖案化側125所定義的圖案將轉移至光阻層。
光罩124的製造相對地昂貴。此外，小顆粒及汙染物可能損壞光罩124，其將導致通過光罩124的使用而形成之圖案中的缺陷。這種缺陷是難處理的，因為在經檢測之前，缺陷可能轉移至數千個晶圓。雖然可使用多種清理製程以移除此種顆粒及汙染物，但清理製程本身可能對光罩124造成損害，尤其是在重複的清理循環之後。因此，最好可防止此種汙染物到達光罩124的圖案化側125。
表層支架126可藉由多種方式固定於光罩124。例如，表層支架126可接合至光罩124。表層支架126可由金屬材料，例如：鋁或鋼所形成。在上視圖中，表層支架126可形成曲折的結構，其圍繞(encompass)光罩124的圖案化側125。此外，表層支架126可與表層膜支持結構120的尺寸及形狀匹配。
第1I圖顯示表層膜支持結構120接合至表層支架126。在一例子中，可藉由使用矽膠達成接合。承前述，表層膜支持結構120及表層支架126皆可具有匹配的曲折結構。因此，藉由接合表層膜支持結構120至表層支架126，保護區域127被形成於光罩124的圖案化側125周邊。
第1J圖顯示為了斷裂中斷部118以及將表層膜122及表層膜支持結構120從表層晶圓112剩餘的部分分離，施加機械力(mechanical force)130於光罩124。可以多種方式施加機械壓力，例如，可利用工具抵壓光罩124並將其往下壓。機械力130大到足以斷裂中斷部118，但不足以破壞表層膜122或表層膜支持結構120。
間隔層104的傾斜部分108被用於幫助中斷步驟。 具體而言，機械力130對著傾斜部分108加壓於斷裂部118。可調整中斷部118的寬度及傾斜部分108的斜度以有效斷裂中斷部118。此外，如下所述，因為間隔層104包含溝槽(109，第1C圖)，內縮部分106內的空間之空氣可藉由溝槽產生之排氣口排出。這可預防壓力施加於膜122，這種壓力可造成膜122的損壞。因此，溝槽109可最適化(optimize)分離步驟。
第1K圖顯示和表層129一起之光罩124從表層晶圓112的剩餘部分及其它結構分開。表層129為單片結構，其包含表層膜122及表層膜支持結構120。利用上述步驟，表層129亦包含中斷部118的剩餘部分131。中斷部118的剩餘部分131與表層膜122共平面且從相對於表層膜122的一側上的表層膜支持結構120延伸。剩餘部分131可具有由機械地斷裂中斷部118所產生之鋸齒狀或粗糙的邊緣。
表層129可保護光罩124的圖案化側125遠離可能造成損害之汙染物。此外，表層支架126可包含能夠使表層更有效地作用之特徵，例如，表層支架126可允許空氣在保護區域127及表層129外的環境之間流通。這是因為在一些光微影製程中，光罩124被置於真空中，若保護區域127被緊密地密封，則保護區域127及外在環境之間的壓力差可能產生有害的壓力於表層膜122上，且甚至可能使其破裂。此外，允許空氣在保護區域127及表層129外的環境之間流通的通道可包含濾器，以防止汙染物及其它物質到達保護區域127而造成光罩124之圖案化側125的損害。
在表層129之貼附下，光罩124可用於積體電路製 造製程的光阻層圖案化。在一例子中，極紫外線(Extreme UltraViolet,EUV)光線可被引導於光罩124的圖案化側125。此種光線將穿透表層膜122，接著，在反射出圖案化側125的一部分之後，光線將再次穿透表層膜122且最終將到達被曝光之光阻圖案。
上述例子說明從表層晶圓移除表層膜之前，光罩的表層支架接合於表層膜支持結構。然而，在一些例子中，在表層貼附於光罩之前，可使用機械力將表層膜及表層膜支持結構從表層晶圓分離。
第2圖顯示表層129及其它用以形成表層129之元件的尺寸示意圖。根據一些實施例，中斷部118的寬度202可約在1至10mm的範圍。表層膜支持結構120的寬度204可約在1至10mm的範圍。傾斜部分108的斜度是根據傾斜部分108的寬度206及間隔層104的厚度。或者，在內縮部分106並未向下延伸至承載晶圓102的例子中，傾斜部分108的斜度是根據寬度206及內縮部分106的深度。承前述，傾斜部分108可能不完全地為線形。這些尺寸提供表層129足夠的強度，在允許中斷部118有效斷裂的同時，不損害到表層膜122或表層膜支持結構120。
第3圖顯示用於光罩的表層之形成方法的流程圖。根據一些實施例，方法300包含用以提供承載晶圓(例如，102，第1A圖)之步驟302。承前述，承載晶圓為用於支持接續形成的膜層之暫時性結構。
根據一些實施例，方法300更包含用以形成間隔層(例如，104，第1A圖)於承載晶圓上之步驟304，間隔層包括內 縮部分(例如，106，第1B圖)，內縮部分具有傾斜部分(例如，108，第1B圖)於內縮部分的邊緣。可使用高密度電漿化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)製程沉積間隔層。間隔層可由材料，例如，氮化矽或氮氧化矽所形成。接著可圖案化間隔層以形成內縮部分。可使用蝕刻製程以移除部分的間隔層以產生內縮部分。亦可調整蝕刻製程以產生想要的傾斜部分。承前述，傾斜部分實質上可為線形、凸面或凹面。當圖案化間隔層時，溝槽可能形成於間隔層之中，其由內縮部分延伸至承載晶圓的邊緣。溝槽作為排氣口(exhaust port)使內縮部分中的空氣得以排到承載晶圓的側邊之外。
根據一些實施例，方法300更包含用以接合表層晶圓(例如，112，第1D圖)至間隔層以形成開放區域於內縮部分內之步驟306。表層晶圓可由半導體材料，例如，矽所形成。表層晶圓為用以形成表層的材料物件。
在一些例子中，可薄化承載晶圓的背側。在一些例子中，承載晶圓、間隔層及表層晶圓的結合可能過厚而不適用於一些光微影工具。因此，可薄化承載晶圓使晶圓得以置於實行接續的光微影製程的機台中。
根據一些實施例，方法300更包含用以圖案化表層晶圓以形成表層膜(例如，122，第1F圖)於內縮部分之上以及形成表層膜支持結構(例如，120，第1F圖)於傾斜部分之上的步驟308。此可藉由各種光微影技術加以完成。藉由蝕刻掉位於內縮部分上的一部分表層晶圓使得薄膜存留，以形成表層膜。藉由蝕刻掉位於將形成表層膜支持結構的表層晶圓區域的 兩側之表層晶圓部分，以形成表層膜支持結構。表層膜支持結構形成於傾斜部分之上。
上述方法亦可包含形成中斷部。中斷部位於表層膜支持結構及表層晶圓剩餘的部分之間。中斷部的厚度可與表層膜相似。為了將表層膜及表層膜支持結構從表層晶圓剩餘的部分分離，中斷部被設計為在施加機械壓力的情況下，將會斷裂，下文將更詳細說明之。因為中斷部、表層膜支持結構及表層膜皆形成於相同的表層晶圓內，它們形成單一的單片(monolithic)結構，其可稱作表層。
根據一些實施例，方法300更包含用以接合光罩(例如，124，第1H圖)至表層膜支持結構的步驟310。具體而言，表層膜支持結構接合至將貼附於光罩的表層支架上。可藉由使用矽膠達成此種接合。在上視圖中，表層支架可具有長方形的形狀。表層支架被設置以圍繞(encompass)光罩的圖案化部分。表層膜支持結構可與表層支架的形狀相配。具體而言，表層膜支持結構可為與表層支架的尺寸及形狀相符之長方形、曲折特徵。因此，當接合至表層支架時，表層膜支持結構、表層膜以及表層支架提供了位於光罩的圖案化部分之上的保護區域。
根據一些實施例，方法300更包含用以施加機械力以從表層晶圓分離表層膜之步驟310。具體而言，機械力可對著傾斜部分加壓於中斷部使它們斷裂。接著，可移除包含表層膜及表層膜支持結構的表層。因此，表層產生位於光罩的圖案化部分之上的保護區域。
利用前述之步驟，表層亦可包含中斷部的剩餘部 分。中斷部的剩餘部分與表層膜共平面且從相對於(opposite to)表層膜的一側上的表層膜支持結構延伸。剩餘部分可具有由機械地斷裂中斷部所產生之鋸齒狀(jagged)或粗糙的邊緣。
雖然於此已敘述方法的使用，但可有效地形成表層以保護光罩的圖案化部分。因此，可保護光罩的圖案化部分遠離顆粒及其它汙染物。表層可形成於表層晶圓之中且接著被機械地分離。這種技術可有效率地製造有效的表層以保護光罩。
根據一例子，方法包含：提供承載晶圓；形成內縮部分於承載晶圓上，內縮部分具有傾斜部分於內縮部分的邊緣；接合一表層晶圓於承載晶圓上，以形成開放區域於內縮部分之內；圖案化表層晶圓，以形成表層膜於內縮部分之上以及表層膜支持結構於傾斜部分之上；以及施加機械力，以使表層膜從該表層晶圓分離。
根據一例子，方法包含：形成內縮部分於承載晶圓上，內縮部分的邊緣具有傾斜部分，由內縮部分的下部部分(lower portion)向間隔層的頂表面傾斜；接合表層晶圓於承載晶圓上；圖案化表層晶圓，以形成表層膜於內縮部分之上、表層膜支持結構於傾斜部分之上、以及中斷部於傾斜部分之上；以及施加機械力，以斷開中斷部以及使表層膜及表層膜支持結構從表層晶圓分離。
根據一例子，裝置包含：光罩，具有圖案化部分；表層支架，連接至光罩，表層支架實質上圍繞圖案化部分；以及表層，其包含：表層膜支持結構，是根據表層支架成形 (shaped)，表層膜支持結構的第一末端被接合至表層支架；以及表層膜，位於表層膜支持結構的第二末端，表層膜實質上覆蓋圖案化部分。
前述內文概述了許多實施例的特徵，使本技術領域中具有通常知識者可以更佳的了解本發明的各個方面。本技術領域中具有通常知識者應該可理解，他們可以很容易的以本發明為基礎來設計或修飾其它製程及結構，並以此達到相同的目的及/或達到與本發明介紹的實施例相同的優點。本技術領域中具有通常知識者也應該了解這些相等的結構並不會背離本發明的發明精神與範圍。本發明可以作各種改變、置換、修改而不會背離本發明的發明精神與範圍。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
120‧‧‧表層膜支持結構
122‧‧‧表層膜
124‧‧‧光罩
125‧‧‧圖案化側
126‧‧‧表層支架
127‧‧‧保護區域
129‧‧‧表層
131‧‧‧剩餘部分

Claims (12)

  1. 一種半導體裝置的形成方法，包括：提供一承載晶圓；形成一內縮部分(indented portion)於該承載晶圓上，該內縮部分具有一傾斜部分於該內縮部分的一邊緣；接合一表層(pellicle)晶圓於該承載晶圓上，以形成一開放區域於該內縮部分內；圖案化該表層晶圓，以形成一表層膜於該內縮部分之上以及一表層膜支持結構於該傾斜部分之上；以及施加一機械力，以使該表層膜從該表層晶圓分離。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置的形成方法，其中形成該內縮部分包括：形成一間隔層於該承載晶圓上；以及圖案化該間隔層以形成該內縮部分。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置的形成方法，其中圖案化該表層晶圓更包括：形成一中斷(break-off)部於該傾斜部分之上，於該表層膜支持結構相對於該表層膜的一側上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置的形成方法，更包括：接合一光罩至該表層膜支持結構；形成一排氣口，由該內縮部分延伸至該承載晶圓的一邊緣；以及於圖案化該表層晶圓之前，薄化該承載晶圓的一背側，其 中該光罩包括：一表層支架貼附於其上，以及其中接合該光罩至該表層膜支持結構的步驟包括：接合該表層膜支持結構至該光罩的表層支架。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置的形成方法，其中該內縮部分在上視圖中，具有一實質上為長方形的形狀，其中該內縮部分的一第一尺寸約在132至137mm的範圍，以及該內縮部分的一第二尺寸約在104至110mm的範圍。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體裝置的形成方法，其中形成該間隔層包括：沉積一間隔層材料；以及實行一蝕刻製程以形成該內縮部分。
  7. 一種半導體裝置的形成方法，包括：形成一內縮部分於一承載晶圓上，該內縮部分的邊緣具有一傾斜部分，由該內縮部分的一下部部分向一間隔層的一頂表面傾斜；接合一表層晶圓於該承載晶圓上；圖案化該表層晶圓，以形成一表層膜於該內縮部分之上、一表層膜支持結構於該傾斜部分之上、以及一中斷部於該傾斜部分之上；以及施加一機械力，以斷開該中斷部以及使該表層膜及該表層膜支持結構從該表層晶圓分離。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之半導體裝置的形成方法，其中形成該內縮部分包括：沉積一間隔層材料於該承載晶圓上，以形成一間隔層於該 承載晶圓上；以及圖案化該間隔層，以形成該內縮部分，其中該間隔層的厚度約在500至600nm的範圍，及其中該間隔層包括：氮化矽或氮氧化矽之至少其一。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之半導體裝置的形成方法，其中該中斷部及該表層膜具有一相同厚度，其中該中斷部包括：一凹槽於該表層晶圓內，該凹槽環繞該表層膜支持結構。
  10. 一種半導體裝置，包括：一光罩，具有一圖案化部分；一表層支架，連接至該光罩，該表層支架實質上圍繞該圖案化部分；以及一表層，包括：一表層膜支持結構，係根據該表層支架成形，該表層膜支持結構的一第一末端被接合至該表層支架；以及一表層膜，位於該表層膜支持結構的一第二末端，該表層膜實質上覆蓋該圖案化部分。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之半導體裝置，其中該表層膜支持結構及該表層膜形成一單片(monolithic)結構。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之半導體裝置，更包括：一中斷部的一部分，從該表層膜支持結構延伸且與該表層膜共平面。
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