TWI574919B - The method of regenerating the photoresist stripping liquid and the regeneration device - Google Patents
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Description
本發明係關於將溶劑成分由使用完畢的光阻剝離液分離,且再生使用之光阻剝離液之再生方法,尤其係關於固著物不易產生在將來自高沸點分離器的含光阻殘留液進行濃縮的殘渣濃縮器內及配管之光阻剝離液之再生方法及裝置。
在半導體或液晶顯示器、有機及無機的EL顯示器的製造中係大多使用光微影技術。在此係在基板上形成材料薄膜,且在其上以光阻形成圖案。接著,按照該光阻圖案進行蝕刻處理,將材料薄膜形成為所希望的圖案。接著,將最後殘留下來的光阻剝離。
光阻係具感光性的樹脂材料,適於利用例如酚醛樹脂等。因此,為了使光阻剝離,使用溶劑成為基體的剝離劑。使用例如單乙醇胺、二甲基亞碸的混合物、或乙酸丙二醇單甲基醚酯與丙二醇單甲基醚的混合物亦即所謂稀釋劑等另外由複數溶劑成分與水分所成之水系剝離液。
該等溶劑係被大量使用,並不廉價。此外,由再資源化的觀點來看,分離/再資源化成各溶劑成分為最具效果的方法,但是至可將個別溶劑再利用化為止進行分離/精製,由成本面來看,並非為實用的方法。一般而言,使用完畢光阻剝離液作為助燃劑被使用的情形不少,但是亦會有具有水分的情形,由於被大量使用,因此亦因燃燒而分解而耗費成本。
因此,使用完畢光阻剝離液係進行回收而氣化分離,且再使用。在專利文獻1中,係揭示如上所示之溶劑之再生方法。在專利文獻1之再生方法中,係首先由使用完畢光阻剝離液去除樹脂成分,接著將低沸點不純物進行蒸發去除。接著,將該殘留液進行蒸餾,使溶劑成分蒸發而作為凝縮液來進行回收。
此外,在專利文獻1中係揭示出在將如上所示之使用完畢光阻剝離液進行再生的方法中,將水或溶劑進行氣化分離後的最終殘渣亦即光阻及其他成分進行凝集的樹脂去除裝置的利用方法。在該樹脂去除裝置中係記載具備有:具有內壁面作為可加熱的蒸發面的密閉狀的筒本體;及在被配置在筒本體內的外周面以放射狀具有刷子的旋轉體,在筒本體的蒸發面與刷子之間供給使用完畢溶劑,使低沸點物質與溶劑蒸發,而僅使樹脂成分流下。
[專利文獻1]日本專利第3409028號公報
在將高沸點分離工程的分離殘渣物另外進行濃縮的殘渣濃縮工程中,係獲得使用後的光阻成分(之後僅稱為「光阻成分」)、或金屬系配線材料(例如鋁)等無機固形物等作為殘渣物,溶劑及水作為氣化分離物而取出。但是,該光阻成分為有機物,一般該等光阻成分在常溫下為固體,在溶媒中則會溶解。但是,若在殘渣濃縮器的出口附近,溫度下降時,會有固體化而固著之虞。
若一度固著,即使形成為沸點以上的溫度,亦不容易使其剝離。在殘渣濃縮器內發生固著物,若該固著物成長,殘渣濃縮器內的熱傳達率會降低,並且有效容積會減少,變得無法確保預定的處理率,此外,若光阻成分固著而固著物增加時,會有將配管閉塞的課題。
本發明係鑑於上述課題而思及者,在殘渣濃縮器內,使形成為高溫的光阻成分由殘渣濃縮器的內壁流下,以在殘渣濃縮器的出口附近溫度下降而不會固體化而固著的方式,在預定時間區間(殘渣濃縮器運轉開始時及停止時),對殘渣濃縮器供給含有光阻成分的含光阻殘留液與溶劑、及含有水的低沸點成分,將在殘渣濃縮器的出
口附近固體化而固著的光阻成分進行洗淨,藉此防止光阻成分固著在殘渣濃縮器。
更具體而言,本發明之光阻剝離液之再生方法之特徵為具有:低沸點分離工程,其係由被使用在光阻的剝離,至少含有溶劑、含有水的低沸點成分、及光阻成分的使用完畢光阻剝離液,使前述含有水的低沸點成分的一部分分離而作為廢液A進行氣化分離且取出;高沸點分離工程,其係將前述低沸點分離工程的分離殘留液進行氣化分離,前述含有水的低沸點成分的剩餘量與前述溶劑作為分離液取出,將含有前述光阻成分的含光阻殘留液作為分離殘留液;殘渣濃縮工程,其係將前述含光阻殘留液在殘渣濃縮器內另外進行濃縮,將前述溶劑及前述含有水的低沸點成分進行分離,且送回至前述高沸點分離工程;精製工程,其係由前述高沸點分離工程的分離液,將前述水的剩餘量作為廢液B進行氣化分離,且將分離殘留液取出作為光阻剝離再生液;及洗淨工程,其係使前述低沸點分離工程的分離殘留液均一地流下至前述殘渣濃縮器內。
此外,本發明之光阻剝離液之再生裝置之特徵為具有:低沸點分離器,其係由被使用在光阻的剝離,至少含有溶劑、含有水的低沸點成分、及光阻成分的使用完畢光
阻剝離液,使前述含有水的低沸點成分的一部分分離而作為廢液A進行氣化分離且取出;高沸點分離器,其係將前述低沸點分離器的分離殘留液進行氣化分離,前述含有水的低沸點成分的剩餘量與前述溶劑作為分離液取出,將含有前述光阻成分的含光阻殘留液作為分離殘留液;殘渣濃縮器,其係將前述含光阻殘留液另外進行濃縮,將前述溶劑及前述含有水的低沸點成分進行分離,且送回至前述高沸點分離器;精製器,其係由前述高沸點分離器的分離液,將前述含有水的低沸點成分的剩餘量作為廢液B進行氣化分離,且將分離殘留液取出作為光阻剝離再生液;及洗淨手段,其係使前述低沸點分離器的分離殘留液均一地流下至前述殘渣濃縮器內。
在本發明之光阻剝離液之再生裝置中,係具有使低沸點分離器的分離殘留液均一地流下至殘渣濃縮器內的洗淨手段。低沸點分離器的分離殘留液對光阻成分而言.可形成為溶媒,因此在殘渣濃縮器的內壁,即使光阻成分開始固著,若為完全固著之前,則可進行沖洗。因此,在殘渣濃縮器內不易產生固著物,可防止停止時當溫度降低時的固著,即使使裝置停止,亦可達成變得不需要特別的洗淨或清掃的效果。
1‧‧‧再生裝置
10‧‧‧分離裝置
10i‧‧‧入口
12‧‧‧低沸點分離器
14‧‧‧高沸點分離器
15‧‧‧殘渣濃縮器
16‧‧‧精製器
17‧‧‧回流槽
30‧‧‧馬達
32‧‧‧液體導入口
34‧‧‧加熱手段
35‧‧‧內壁面
36‧‧‧刷子
37‧‧‧承受部底部
38‧‧‧固著物
50‧‧‧回收槽
52‧‧‧泵
HL1、HL5、HL7‧‧‧配管保溫手段
LX、L0、L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9‧‧‧配管
L10、L11、L22‧‧‧配管
V20、V21、V22‧‧‧流路變更手段
VP‧‧‧真空泵
圖1係顯示本發明之光阻剝離液之再生裝置的構成圖。
圖2係顯示分離裝置的詳細構成圖。
圖3係顯示殘渣濃縮器的詳細構成圖。顯示光阻成分呈固著的樣子。
圖4係顯示以殘渣濃縮器使洗淨手段作動的樣子的圖。
以下使用圖示,說明本發明之光阻剝離液之再生方法及裝置。其中,下列說明係說明本發明之一實施形態,並非限定於下列說明,可在未脫離本發明之主旨的範圍內作變更。
首先,在圖1中顯示本發明之光阻剝離液之再生裝置1的概要。本發明之再生裝置1係包含:由貯留有使用完畢光阻剝離液的回收槽50移送使用完畢光阻剝離液的配管LX;及由使用完畢光阻剝離液,將光阻濃縮液、光阻剝離再生液、及主要為水的廢液A及廢液B排出的分離裝置10。此外,在分離裝置10內係配備有將廢液A(水分)分離的低沸點分離器12、及生成光阻濃縮液的殘渣濃縮器15。其中,分離裝置10的詳細內容係參照圖2容後詳述。
在製造半導體等時所使用的光微影中,以蝕刻形成電路或絕緣圖案。此時使光阻圖案形成在未蝕刻而殘留下來的部分。接著,蝕刻完成後,將該光阻去除。在該光阻去除工程中所使用的是光阻剝離液。光阻本身為感光性樹脂,將光阻去除的,基本上為有機溶劑。在此係將光阻剝離液設為溶劑與水的混合液來繼續說明。其中,為了提高金屬配線的防蝕效果,亦可使用添加劑。此外,在光阻剝離液亦可依所構成的鹼性溶劑的濃度或pH及藉由光微影所形成的金屬配線的材料,將剝離液組成物適當微量添加在純水。
以溶劑而言,亦可含有複數溶劑。以適於利用者而言,係有胺化合物及乙二醇醚的混合物。此外,更具體而言,胺化合物係適於使用單乙醇胺(MEA),乙二醇醚係適於使用二乙二醇一丁基醚(BDG)。
光阻剝離液係在未圖示之光阻剝離工程中被使用,連同所剝離的光阻一起形成為使用完畢光阻剝離液而被貯留在回收槽50。圖1係由該回收槽50予以記載。被貯留在回收槽50的使用完畢光阻剝離液係藉由泵52,透過配管LX而被送至分離裝置10。
由分離裝置10係被分離排出:在光阻或金屬配線的圖案所使用的鋁或SiO2等物質被濃縮的光阻濃縮液;作為主溶劑成分的混合液的光阻剝離再生液;及作為廢液A而以水分為主體的低沸點成分、及作為廢液B而比主溶劑成分為更低沸點之經改質的溶劑及水分。
其中,透過本說明書,「經改質的溶劑」係指比主溶劑成分為低沸點側的溶劑,亦可包含主溶劑成分的一部分。在氣化分離中,分離溫度前後的沸點的物質多少亦包含在分離側、殘渣側。因此,若欲提高主溶劑的回收率,若水分混入在主溶劑側,欲提高回收的主溶劑的純度時,溶劑成分會混入在水側。亦即,在「經改質的溶劑」含有多少左右的主溶劑,係以裝置的運轉條件決定。
在此,參照圖2,詳細說明分離裝置10。分離裝置10係由:低沸點分離器12、高沸點分離器14、殘渣濃縮器15、及精製器16所構成。此外,分離裝置10的入口10i與低沸點分離器12之間係以配管L0相連通。低沸點分離器12與高沸點分離器14係以配管L1相連通。低沸點分離器12的分離殘留液係以配管L1被移送至高沸點分離器14。此外,來自低沸點分離器12的蒸氣狀分離液係以配管L2被取出。該蒸氣狀分離液為廢液A。廢液A為光阻剝離液中的水的大部分。
高沸點分離器14係以配管L3及配管L4而與殘渣濃縮器15相連通。高沸點分離器14的分離殘留液亦即含光阻殘留液係以配管L3被移送至殘渣濃縮器15。此外,來自殘渣濃縮器15的蒸氣狀分離液係以配管L4被再次送至高沸點分離器14。來自高沸點分離器14的蒸氣狀分離液係以配管L5被移送至精製器16。
在移送低沸點分離器12的分離殘留液的配管L1的途中係配設有流路變更手段V20。流路變更手段V20係三向閥或自動閥的組合等,構成並未特別限定。該流路變更手段V20的分歧側係與將高沸點分離器14的分離殘留液(含光阻殘留液)移送至殘渣濃縮器15的配管L3相連通。
因此,藉由使流路變更手段V20在分歧側相連通,流路變更手段V21的分歧側成為開狀態,可將低沸點分離器12的分離殘留液直接移送至殘渣濃縮器15。該流路變更手段V20係藉由未圖示之控制裝置來控制開閉。
此外,在殘渣濃縮器15的排出配管亦即配管L8設有流路變更手段V22。由流路變更手段V22係可透過配管L22而使排出液送回至回收槽50。
由精製器16係以配管L6取出分離殘留液。此時的分離殘留液係光阻剝離液中的複數主溶劑的混合液,此為光阻剝離再生液。此外,精製器16的蒸氣狀分離液係以配管L7被移送至回流槽17。由回流槽17係藉由配管L11而被取出廢液B。該廢液B係比剝離液的主溶劑成分為低沸點之經改質的溶劑及水分。回流槽17的剩餘量係透過配管L10而再次回流至精製器16的頂點附近。此外,在配管L7係配置有真空泵VP。
針對如以上所示所構成的分離裝置10,說明其動作。在分離裝置10係被導入使用完畢光阻剝離液。使用完畢光阻剝離液係光阻剝離液、被剝離的光阻成分、
及鋁或SiO2等形成圖案的膜構成物質(無機固形物)形成為混合狀態。亦即,在分離裝置10係通過配管LX而被導入水、溶劑、光阻成分及無機固形物的混合液。
在分離裝置10的初段設置有低沸點分離器12。低沸點分離器12係呈不銹鋼製的筒狀形狀,周圍係以玻璃棉等絕熱材包覆。此外,附屬未圖示之加熱器(再沸器),預先以熱交換器被加熱至40~60℃之來自回收槽50的使用完畢剝離液係透過前述加熱器進行加熱,而被導入至低沸點分離器12。低沸點分離器12的內部係在常壓下,以在塔底為被加熱至約115℃至140℃,在塔頂為被加熱至約85℃至115℃較為合適,更佳為在塔底為被加熱至120℃至135℃,在塔頂為被加熱至90℃至110℃。
在此主要將使用完畢光阻剝離液中的水分氣化而粗分離。在次段的高沸點分離器14內,係藉由減壓,構成液成分的蒸氣壓下降,因此沸點低的大量水分完全氣化,佔有高沸點分離器14的大部分容積,沸點更高的材料的分離效率會降低之故。因此,來自低沸點分離器12的蒸氣狀分離液亦即廢液A大致為水分。經氣化分離的水分係藉由配管L2而作為廢液A予以取出。
低沸點分離器12的底部的分離殘留液係藉由未圖示之加熱器(再沸器)而被加熱至大致120℃至150℃,透過配管L1而被移送至高沸點分離器14。配管L1係以玻璃棉等絕熱材包覆周圍。接著,配管L1中的分離
殘留液係被保溫在大致115℃至140℃。將保溫配管L1的絕熱材稱為配管保溫手段HL1。分離殘留液係會有形成為使用完畢光阻剝離液時,吸收空氣中的二氧化碳的情形。該二氧化碳若與溶劑(例如單乙醇胺等)起反應,即生成碳酸鹽。
該碳酸鹽在預定溫度以下係易於吸收碳酸而難以分離,因此在之後的高沸點分離工程中,係連同溶劑一起被分離。若將混入該碳酸鹽的溶劑再次作為光阻剝離液加以利用時,有損剝離性的功能,發生剝離不良,而形成為殘留殘渣等基板不良的原因。低沸點分離器12的分離殘留液移送時,將配管L1保溫在120℃至150℃係為了防止溶劑與二氧化碳的反應、或防止使用完畢光阻剝離液中的光阻成分析出。
高沸點分離器14係與低沸點分離器12同樣地呈不銹鋼製的筒狀形狀,而且為具有加熱器(再沸器)的方式。周圍係以電熱器、或來自鍋爐的蒸氣或者經加熱的油等予以加熱,以玻璃棉等絕熱材予以包覆。高沸點分離器14之中係被減壓至1.9至2.1kPa(14至16Torr)程度,進行在塔頂成為90℃至110℃、在塔底成為95℃至115℃的溫度調整。在該環境下,溶劑進行氣化分離。當然,所殘留的水及二氧化碳亦同時進行氣化分離。
該等蒸氣狀分離液係藉由配管L5而被移送至精製器16。配管L5係與配管L1同樣地,以絕熱材包覆周圍而以大致90℃至110℃予以保溫。將配管L5保溫的
是配管保溫手段HL5。配管保溫手段HL5的配設係為了防止溶劑與二氧化碳起反應。此外,配管L5內亦藉由由精製器16與回流槽17之間的配管L7取出所被配設之系統內的減壓手段亦即真空泵VP予以減壓。此外,藉由真空泵VP所致之減壓係及至高沸點分離器14內,內部的蒸氣狀分離液係被移送至精製器16。
殘留在高沸點分離器14內的分離殘留液為高沸點溶劑成分、光阻成分及無機固形物。該分離殘留液為含光阻殘留液。含光阻殘留液係透過配管L3而被移送至殘渣濃縮器15。殘渣濃縮器15係由從配管L3所被傳送的含光阻殘留液,將沸點在減壓下為125℃以下者再次氣化分離,將經氣化分離者以配管L4移送至高沸點分離器14。其中,在此被移送至高沸點分離器14的是水及溶劑。此外,殘渣濃縮器15的蒸氣狀分離液成為光阻濃縮液。
因此,由殘渣濃縮器15透過配管L8所得的光阻濃縮液係大致為光阻成分、及無機固形物。此外,在殘渣濃縮器15係亦配設有可由配管L1直接導入低沸點分離器12的分離殘留液的配管L9。來自配管L9的分離殘留液係如後所述使用在洗淨殘渣濃縮器15時。
來自高沸點分離器14的蒸氣狀分離液係被移送至精製器16。精製器16亦呈不銹鋼製的筒狀形狀,與低沸點分離器12及高沸點分離器14同樣地,採用具有加熱器(再沸器)的方式。周圍亦以玻璃棉等絕熱材予以包
覆。來自高沸點分離器14的蒸氣狀分離液係被放出至精製器16之中。精製器16內係以再沸器部以80~90℃被溫度調節,在中段以65~90℃被溫度調節,在塔頂以25~32℃被溫度調節。
此外,藉由真空泵VP而被減壓至約1.9~2.1kPa(14~16Torr)程度。在此,溶劑係進行液化,作為殘留液而透過配管L6予以回收。其中,雖未圖示,配管L6係與配管LX作熱交換,以更為安定的溫度回收分離殘留液。該分離殘留液為光阻剝離再生液。亦即,光阻剝離再生液係指複數溶劑的混合物。
另一方面,水分與二氧化碳係形成為蒸氣狀分離液,藉由配管L7而被移送至回流槽17。該配管L7亦與配管L5、配管L1同樣地,以絕熱材包覆周圍,被保溫在約20~25℃。被配設在配管L7的配管保溫手段係稱為配管保溫手段HL7。由回流槽17係將水及碳酸鹽以配管L11作為廢液B取出,一部分係再次送回至精製器16。
圖3中顯示將圖2的殘渣濃縮器15周邊放大的圖。殘渣濃縮器15係薄膜流下式濃縮罐,在筒狀的本體的外側設有將內壁面35加熱的加熱手段34。在本體的中心配置有支持刷子36的軸心。軸心係在本體上部與馬達30的驅動軸相連結。刷子36的前端係與本體內部的內壁面35相接觸。亦即,刷子36係一面在本體內部的內壁面35的表面滑動一面旋轉。
在刷子36的上方,在液體導入口32的正下方設有與刷子36同步旋轉的圓形板。為了使由液體導入口32所被導入的液體均一地流下至內壁面35之故。在經加熱的內壁面35流下的液體係在承受部底部37接收液體,與成為排出管的配管L8相連通。
來自高沸點分離器14的分離殘留液(含光阻殘留液)係藉由配管L3而被移送至殘渣濃縮器15的液體導入口32。其中,在圖3中,以流路變更手段V20、V21、V22予以止水的閥係以黑三角表示。該分離殘留液係大部分為光阻成分與無機固形物,但是水分或溶劑等應以高沸點分離器14予以氣化分離的物質尚有若干量殘留。
由液體導入口32所被導入之來自高沸點分離器14的分離殘留液(含光阻殘留液)係流下至上部旋轉的圓形板之上,在殘渣濃縮器15之與加熱手段34相密接的內壁面35薄層地均一流下。所流下的分離殘留液(含光阻殘留液)係一面被加熱,一面以刷子36均一地薄膜化,所氣化的物質(水分或溶劑)係大部分被氣化分離。經氣化分離的分離物係藉由配管L4而被送回至高沸點分離器14。未氣化而殘留下來的分離殘留液係作為光阻濃縮液而被排出至配管L8。
殘渣濃縮器15的加熱手段34係將金屬製的內面加熱的套筒構造。將蒸氣導入至套筒部來加熱前述金屬製的內面,以可以氣化蒸氣溫度為95~125℃、更佳為
100~120℃進行管理的方式予以加熱。但是,在殘渣濃縮器15的內部,係亦有局部溫度下降的部分。例如,加熱手段34的上端或下端,尤其所被排出的配管L8的口附近的承受部底部37。在如上所示之場所,係會有光阻成分作為固著物38而固著的情形。光阻成分係有機物在常溫下為固體,在溶媒中則進行溶解。但是,具有高沸點物質的情形不少,光阻剝離液的組成中最難以氣化。
若在殘渣濃縮器15內生成固著物38時,亦會有殘渣濃縮器15內的有效面積減少、或者妨礙刷子36旋轉之虞。
因此,在本發明之再生裝置1的分離裝置10中,係設有用以將低沸點分離器12的分離殘留液作為洗淨液而直接導入至殘渣濃縮器15內的流路變更手段V20、V21及配管L9。亦即,流路變更手段V20與V21及配管L9係構成洗淨手段。分離裝置10係可透過被配設在配管L1的途中的流路變更手段V20及與其相連通的配管L9,接著透過設在配管L3的流路變更手段V21,來供給低沸點分離器12的分離殘留液。該低沸點分離器12的分離殘留液係由使用完畢光阻剝離液將水一部分分離者,為富溶劑的溶液。
作為該洗淨液的富溶劑的溶液的供給係當主要停止分離裝置10本身時,更具體而言在停止殘渣濃縮器15的運轉之前進行。若未在降低殘渣濃縮器15的溫度之前進行洗淨,即會發生固著物38之故。參照圖4,若
使洗淨手段作動時,流路變更手段V20及V21被安置在分歧側,將來自低沸點分離器12的富溶劑的溶液由配管L9透過配管L3而被送液至液體導入口32。
其中,在圖4中,與圖3同樣地,在流路變更手段V20、V21、V22中,止水方向係以黑三角表示。一面使刷子36旋轉,一面使洗淨液在殘渣濃縮器15的內壁面35流下,藉此防止添加物等的固著化,沖洗固著物38(參照圖3)。承受部底部37亦在光阻成分低溫固著前,以富溶劑的溶液進行沖洗。
此時,將加熱手段34的溫度降低至至少洗淨液(富溶劑的溶液的溶劑成分)之中沸點最高的成分的溫度以下。降低溫度係藉由調整加熱手段34來進行。例如加熱手段34利用蒸氣、加熱油等加熱媒體的供給來進行時,係停止該等流入。洗淨液(富溶劑的溶液中的溶劑成分)不會蒸發之故。
此外,在殘渣濃縮器15的排出管亦即配管L8配設有流路變更手段V22。接著,在殘渣濃縮器15的運轉開始時及運轉停止時,由液體導入口32被供給富溶劑的溶液(洗淨液)時,係以殘渣濃縮器15與和回收槽50相連通的配管L22連通的方式選擇流路。因此,所被沖洗的固著物38係透過配管L22而被回流至回收槽50。在洗淨所使用的富溶劑的溶液,係含有多數可再生使用的溶劑份之故。如上所示,在殘渣濃縮器15內供給使用完畢光阻剝離液的工程譬如亦可稱為殘渣濃縮器15的洗淨工
程。
高沸點分離器14係以預定時間進行繼續運轉,將分離殘留液(含光阻殘留液)排出至殘渣濃縮器15。停止高沸點分離器14的運轉,來自配管L3的分離殘留液(含光阻殘留液)的排出一停止,使洗淨手段作動,且一面將洗淨液(富溶劑的溶液)供給至殘渣濃縮器15,一面另外繼續預定時間運轉且進行洗淨工程。亦即洗淨工程係至少在殘渣濃縮器15的運轉結束前進行。其中,該等預定時間的繼續運轉亦可構成為以計時器來進行切換。
此外,該洗淨工程亦可在殘渣濃縮器15的運轉開始前進行。即使在運轉結束前進行洗淨工程,亦會有若干固著物殘留,驅動部分固著的情形。如上所示之情形下,若急速地開始殘渣濃縮器15,亦會有在驅動部分發生損傷的情形之故。洗淨工程係來自低沸點分離器12的大致120℃至150℃的分離殘留液,因此藉由將此一面流至內壁面35一面進行起動程序,殘留濃縮器15即可平順地起動。
如以上所示,本發明之再生裝置1係藉由低沸點分離器12的分離殘留液(富溶劑的溶液)來洗淨殘渣濃縮器15的內部,因此不會有在殘渣濃縮器15內產生固著物的情形。因此,在停止後的再開始時,即使未進行供防止因固著物所造成的運轉不良情形之用的特別的洗淨/清掃,亦可平順地開始。
本發明之光阻剝離液之再生裝置及再生方法係可適於利用在具有利用光微影來形成配線圖案等的工程的電子機器等之製造工廠中的光阻剝離液的再生利用。
10‧‧‧分離裝置
10i‧‧‧入口
12‧‧‧低沸點分離器
14‧‧‧高沸點分離器
15‧‧‧殘渣濃縮器
16‧‧‧精製器
17‧‧‧回流槽
50‧‧‧回收槽
HL1、HL5、HL7‧‧‧配管保溫手段
LX、L0、L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9‧‧‧配管
L10、L11、L22‧‧‧配管
V20、V21、V22‧‧‧流路變更手段
VP‧‧‧真空泵
Claims (12)
- 一種光阻剝離液之再生方法,其特徵為具有:低沸點分離工程,其係由被使用在光阻的剝離,至少含有溶劑、含有水的低沸點成分、及光阻成分的使用完畢光阻剝離液,使前述含有水的低沸點成分的一部分分離而作為廢液A進行氣化分離且取出;高沸點分離工程,其係將前述低沸點分離工程的分離殘留液進行氣化分離,將前述含有水的低沸點成分的剩餘量與前述溶劑作為分離液取出,將含有前述光阻成分的含光阻殘留液作為分離殘留液;殘渣濃縮工程,其係將前述含光阻殘留液在殘渣濃縮器內另外進行濃縮,將前述溶劑及前述含有水的低沸點成分進行分離,且送回至前述高沸點分離工程;精製工程,其係由前述高沸點分離工程的分離液,將前述水的剩餘量作為廢液B進行氣化分離,且將分離殘留液取出作為光阻剝離再生液;及洗淨工程,其係使前述低沸點分離工程的分離殘留液均一地流下至前述殘渣濃縮器內,前述洗淨工程係至少在前述殘渣濃縮器的運轉結束前進行。
- 如申請專利範圍第1項之光阻剝離液之再生方法,其中,在前述洗淨工程中,係將前述殘渣濃縮器內的溫度,形成為前述低沸點分離工程的分離殘留液的至少溶劑的沸點以下的溫度。
- 如申請專利範圍第1項之光阻剝離液之再生方法,其中,前述低沸點分離工程的分離殘留液當由前述低沸點分離工程被移送至前述高沸點分離工程時一面被保溫一面移送。
- 如申請專利範圍第1項之光阻剝離液之再生方法,其中,前述高沸點分離工程的分離液當由前述高沸點分離工程被移送至前述精製工程時,一面被減壓且另外被保溫一面移送。
- 如申請專利範圍第1項之光阻剝離液之再生方法,其中,前述洗淨工程係在前述殘渣濃縮工程停止前進行。
- 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項之光阻剝離液之再生方法,其中,前述清淨工程係在前述殘渣濃縮工程開始前進行。
- 一種光阻剝離液之再生裝置,其特徵為具有:低沸點分離器,其係由被使用在光阻的剝離,至少含有溶劑、含有水的低沸點成分、及光阻成分的使用完畢光阻剝離液,使前述含有水的低沸點成分的一部分分離而作為廢液A進行氣化分離且取出;高沸點分離器,其係將前述低沸點分離器的分離殘留液進行氣化分離,前述含有水的低沸點成分的剩餘量與前述溶劑作為分離液取出,將含有前述光阻成分的含光阻殘留液作為分離殘留液;殘渣濃縮器,其係將前述含光阻殘留液另外進行濃縮,將前述溶劑及前述含有水的低沸點成分進行分離,且 送回至前述高沸點分離器;精製器,其係由前述高沸點分離器的分離液,將前述含有水的低沸點成分的剩餘量作為廢液B進行氣化分離,且將分離殘留液取出作為光阻剝離再生液;及洗淨手段,其係使前述低沸點分離器的分離殘留液均一地流下至前述殘渣濃縮器內。
- 如申請專利範圍第7項之光阻剝離液之再生裝置,其中,具有加熱手段,其係在使前述洗淨手段作動時,將前述殘渣濃縮器內的溫度形成為前述低沸點分離器的分離殘留液的至少溶劑的沸點以下的溫度。
- 如申請專利範圍第7項之光阻剝離液之再生裝置,其中,在將前述低沸點分離器的分離殘留液,由前述低沸點分離器移送至前述高沸點分離器的配管,係配設有將前述配管保溫的配管保溫手段。
- 如申請專利範圍第7項之光阻剝離液之再生裝置,其中,在將前述高沸點分離器的分離液,由前述高沸點分離器移送至前述精製器的配管,係配設有:將前述配管內減壓的減壓手段、及將前述配管保溫的配管保溫手段。
- 如申請專利範圍第7項之光阻剝離液之再生裝置,其中,前述洗淨手段係在前述殘渣濃縮器停止前進行作動。
- 如申請專利範圍第7項至第11項中任一項之光阻剝離液之再生裝置,其中,前述洗淨手段係在前述殘渣濃 縮器起動前進行作動。
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101030046A (zh) * | 2006-03-03 | 2007-09-05 | 东进世美肯株式会社 | 抗蚀剂剥离废液再生方法和再生装置 |
CN101424889A (zh) * | 2007-10-26 | 2009-05-06 | 日本瑞环化工株式会社 | 由剥离液废液再生剥离液的方法和再生装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5281723A (en) * | 1992-08-04 | 1994-01-25 | International Business Machines | Propylene carbonate recovery process |
US5310428A (en) * | 1992-12-22 | 1994-05-10 | Inernational Business Machines Corporation | Solvent stabilization process and method of recovering solvent |
US5753135A (en) * | 1995-10-23 | 1998-05-19 | Jablonsky; Julius James | Apparatus and method for recovering photoresist developers and strippers |
US6074561A (en) * | 1995-10-23 | 2000-06-13 | Phoenankh Corp. | Apparatus and method for recovering photoresist developers and strippers |
JP3409005B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2003-05-19 | 松下環境空調エンジニアリング株式会社 | 剥離液の再生方法および装置 |
JP3409028B2 (ja) * | 2000-04-28 | 2003-05-19 | 松下環境空調エンジニアリング株式会社 | 溶剤の再生方法及び装置 |
CN1298636C (zh) * | 2002-11-29 | 2007-02-07 | 长濑产业株式会社 | 废显影液再生装置和废显影液再生方法 |
JP4080449B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2008-04-23 | 日本リファイン株式会社 | 溶剤の回収装置および溶剤の回収方法 |
KR101266883B1 (ko) * | 2006-03-03 | 2013-05-23 | 주식회사 동진쎄미켐 | 레지스트 박리페액 재생방법 및 재생장치 |
WO2009004988A1 (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-08 | Toagosei Co., Ltd. | ナノろ過によるレジスト剥離液連続使用システム |
WO2009031731A1 (en) * | 2007-09-05 | 2009-03-12 | Korex Corporation | Method and apparatus for recycling photoresist stripper waste |
TWI577641B (zh) * | 2011-03-09 | 2017-04-11 | 友達光電股份有限公司 | 光阻剝離劑廢液回收系統及其方法 |
-
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-
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101030046A (zh) * | 2006-03-03 | 2007-09-05 | 东进世美肯株式会社 | 抗蚀剂剥离废液再生方法和再生装置 |
CN101424889A (zh) * | 2007-10-26 | 2009-05-06 | 日本瑞环化工株式会社 | 由剥离液废液再生剥离液的方法和再生装置 |
Also Published As
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TW201427905A (zh) | 2014-07-16 |
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