CN103721432B - 抗蚀剂剥离液的再生方法以及再生装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及抗蚀剂剥离液的再生方法以及再生装置。在分离使用完毕的抗蚀剂剥离液时,需要预先检出水分量,调整分离工序中的水分的粗分离的处理速率,但使用完毕的抗蚀剂剥离液由于浮游有抗蚀剂成分和无机固形物,因此无法通过吸光度计测定。本发明提供一种抗蚀剂剥离液的再生方法,其特征在于,其具有下述减少工序:通过超声波传感器对使用完毕的抗蚀剂剥离液中的水分量进行检测,在前述水分量比规定值大的情况下,减少处理量。

Description

抗蚀剂剥离液的再生方法以及再生装置
技术领域
本发明涉及从使用完毕的抗蚀剂剥离液将溶剂成分分离、并再生使用的剥离液的再生方法,特别是涉及一种抗蚀剂剥离液的再生方法以及装置,其通过超声波传感器检测使用完毕的抗蚀剂剥离液的水分浓度,掌握低沸点分离工序前的水分浓度,通过自动控制或者手动设定进行变更从而可实现低沸点分离工序中最适的运转状况。
背景技术
在半导体、液晶显示器、有机及无机的EL显示器的制造中,大多使用光刻的技术。在此,在基板上形成材料薄膜,在其上用抗蚀剂形成图案。接下来沿着该抗蚀剂图案进行蚀刻处理,将材料薄膜形成为期望的图案。接下来,将最后剩余的抗蚀剂剥离。
抗蚀剂为具有感光性的树脂材料,可适宜地利用例如酚醛清漆树脂等。因此,为了将抗蚀剂剥离,使用溶剂作为基体的剥离剂。例如,可使用单乙醇胺、二甲亚砜的混合物,丙二醇单甲基醚乙酸酯与丙二醇单甲基醚的混合物的所谓稀释剂(thinner)等,以及由多种溶剂成分和水分形成的水系剥离液。
这些溶剂被大量使用,绝不便宜。另外,从再资源化的观点出发,对于各溶剂成分而言分离并再资源化为最有效的方法,但从成本方面考虑,将个别溶剂成分离、精制至能够再利用化没有达到实用的方法。通常,将使用完毕的抗蚀剂剥离液用作助燃剂的情况较多,但存在还具有水分的情况,因此为了大量使用而通过燃烧使其分解时耗费成本。
因此,将使用完毕的抗蚀剂剥离液进行回收并气化分离、再使用。在专利文献1中,公开了这样的溶剂的再生方法。在专利文献1的再生方法中,首先从使用完毕的抗蚀剂剥离液中去除树脂成分,接着蒸发去除低沸点杂质。然后蒸馏该残留液,使溶剂成分蒸发并作为冷凝液回收。
为了从回收的使用完毕的抗蚀剂剥离液得到再生液,需要测定存在于使用完毕的抗蚀剂剥离液中的成分,相应地变更分离、调整工序。在专利文献2中,公开了在光致抗蚀剂的显影工序中接收显影液的使用完毕的液体时的来自二氧化碳气体的化学物质的浓度测定中利用了吸光度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2002-014475号公报(日本特许第3409028号)
专利文献2:日本特开2005-070351号公报
发明内容
发明要解决的问题
在使用完毕的抗蚀剂剥离液的再生中,为了提高后续工序中的气化分离效率,会在最初进行水的粗分离。即,预先将低沸点分离工序之后的工序中的水分量设为规定的值以下对于效率高的再生而言是必要的。由于抗蚀剂剥离液在最初的调制时各成分的比率得到准确地调整,因此即使在使用后,水分量也大致恒定。
然而,由于各种各样的原因,存在使用后的抗蚀剂剥离液中混入有比预计更多的水分的情况。另外,也存在水分比预计反而变少的情况。由于抗蚀剂剥离液的再生装置在分离规定浓度的水分的条件下进行运转,因此如果使用后的抗蚀剂剥离液的水分浓度变化,则会存在变成运转异常的状态的担心。
为了回避这样的运转异常的状态,或者为了即使变成运转异常时也能够把握其原因,需要监视水溶性的使用完毕的抗蚀剂剥离液中的水分量。以往在使用后的抗蚀剂剥离液中的成分的分析中如专利文献2那样使用了基于光透射或者红外光谱(IR)的方法。
然而,使用后的抗蚀剂剥离液呈现浓的葡萄酒色,存在光不能充分透射的情况,此外,抗蚀剂以碎屑状态浮游时,在使用光的测定中,背景的噪音变高,存在实质上难以测定这样的课题。
用于解决问题的方案
本发明是鉴于上述问题而想到的,其如下进行控制:在将使用后的抗蚀剂剥离液投入至低沸点分离工序前通过超声波传感器检测水分量,根据水分量来调整低沸点分离工序中的处理量等。或者通过手动来改变设定,使运转最适化。
更具体而言,本发明的抗蚀剂剥离液的再生方法的特征在于,其具有下述工序:
低沸点分离工序,从抗蚀剂的剥离中使用的至少含有溶剂、水和抗蚀剂成分的使用完毕的抗蚀剂剥离液气化分离并取出含前述水的低沸点成分的一部分作为废液A;
高沸点分离工序,将前述低沸点分离工序的分离残留液气化分离,取出含前述抗蚀剂成分的含抗蚀剂的残留液、并取出前述溶剂和含前述水的低沸点成分的剩余部分作为分离液;
精制工序,从前述高沸点分离工序的分离液气化分离含前述水的低沸点成分的剩余部分作为废液B,将分离残留液作为抗蚀剂剥离再生液取出,
并且具有下述减少工序:在前述低沸点分离工序的前段使用超声波传感器检测前述使用完毕的抗蚀剂剥离液中的水分量,在前述水分量比规定值大的情况下,减少使用完毕的抗蚀剂剥离液的处理量。
另外,本发明的抗蚀剂剥离液的再生装置的特征在于,其具有:
低沸点分离器,从抗蚀剂的剥离中使用的至少含有溶剂、水和抗蚀剂成分的使用完毕的抗蚀剂剥离液分离含前述水的低沸点成分的一部分并作为废液A气化分离并取出;
高沸点分离器,将前述低沸点分离器的分离残留液气化分离,取出含前述抗蚀剂成分的含抗蚀剂的残留液、并取出前述溶剂和含前述水的低沸点成分的剩余部分作为分离液;和
精制器,从前述高沸点分离器的分离液将含前述水的低沸点成分的剩余部分作为废液B气化分离,将分离残留液作为抗蚀剂剥离再生液取出,
并且具有控制装置,所述控制装置如下进行控制:在前述低沸点分离器的前段使用超声波传感器检测前述使用完毕的抗蚀剂剥离液中的水分量,在前述水分量比规定值大的情况下,减少使用完毕的抗蚀剂剥离液的处理量。
发明的效果
在本发明的抗蚀剂剥离液的再生方法中,由于通过超声波传感器对使用后的抗蚀剂剥离液中的水分量进行检测,因此即使在使用完毕的抗蚀剂剥离液的颜色深的情况下、或者抗蚀剂剥离液中抗蚀剂以碎屑状态浮游的情况下,也能够检测准确的水分量。另外,能够根据该水分量的信息,调整在低沸点分离工序中的处理时间,从而使后段的气化分离工序能够一直以高效率的状态进行运转。
另外,由于水分的分离不仅在低沸点分离工序中进行,在其后段的工序中也进行,因此在该时点下的水分测定不需要那么严格的精度。超声波传感器具有足够满足该状况下的测定精度的精度,并且能够在线使用,节省空间而且便宜,因此还有助于成本的削减。
附图说明
图1为示出本发明的抗蚀剂剥离液的再生装置的构成的图。
图2为示出分离装置的详细的构成的图。
附图标记说明
1 再生装置
10 分离装置
10i 入口
12 低沸点分离器
14 高沸点分离器
15 残渣浓缩器
16 精制器
17 回流罐
30 控制装置
35 超声波水分计
50 回收槽
52、53 泵
HL1、HL5、HL7 配管保温单元
LX、L0、L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7、L8、L9 配管
L10、L11 配管
VP 真空泵
具体实施方式
以下使用附图说明本发明的抗蚀剂剥离液的再生方法及装置。此外,下述的说明只是对本发明的一实施方式进行说明,并非限定于下述的说明,在不脱离本发明的宗旨的范围内可进行变更。
首先,图1中示出了本发明的抗蚀剂剥离液的再生装置1的概要。本发明的再生装置1包括:配管LX,用于从贮存有使用完毕的抗蚀剂剥离液的回收槽50移送使用完毕的抗蚀剂剥离液;分离装置10,用于从使用完毕的抗蚀剂剥离液排出抗蚀剂浓缩液、抗蚀剂剥离再生液、作为主要为水的废液A和废液B;超声波水分计35,与配管LX连结,检测配管LX中的溶液的水分量;控制装置30,基于来自超声波水分计35的信号Sw,控制包括泵52在内的分离装置10的各处。
在半导体等的制造所使用的光刻中,通过蚀刻形成电路、绝缘图案。此时在未被蚀刻而留下的部分形成抗蚀层。接下来,在蚀刻结束后去除该抗蚀剂。在该抗蚀剂去除工序中使用的是抗蚀剂剥离液。抗蚀剂自身为感光性树脂,去除抗蚀剂的基本上为有机溶剂。在此,以溶剂和水的混合液作为抗蚀剂剥离液继续进行说明。
作为溶剂,可以含有多种溶剂。作为可适宜地利用的溶剂,有胺化合物以及二醇醚的混合物。另外,更具体而言胺化合物为单乙醇胺(MEA),二醇醚可适宜地使用二乙二醇单丁基醚(BDG)。另外具有防腐蚀功能的添加剂根据构成剥离液组合物的碱性的溶剂的浓度、pH,以及根据利用光刻形成的金属布线的材料,可以适当地在纯水中微量添加。使用添加剂是为了使得利用光刻形成的金属布线的图案不被侵蚀。主要为有机物,例如可列举出山梨糖醇、木糖醇。
抗蚀剂剥离液在未图示的蚀刻工序中使用,与剥离的抗蚀剂一起作为使用完毕的抗蚀剂剥离液而贮存于回收槽50。图1从该回收槽50开始记载。贮存于回收槽50的使用完毕的抗蚀剂剥离液通过泵52送往分离装置10。分离装置10内的详细情况使用图2进行后述。
由分离装置10分离排出下述物质:抗蚀剂、在电路图案中使用的铝、SiO2这样的物质被浓缩而得到的抗蚀剂浓缩液;作为多种溶剂的混合物的抗蚀剂剥离再生液;作为废液A和废液B取出的水分。
<分离装置的说明>
在此,参照图2,对分离装置10的详细情况进行说明。分离装置10由低沸点分离器12、高沸点分离器14、残渣浓缩器15和精制器16构成。另外,分离装置10的入口10i与低沸点分离器12之间通过配管L0连通。低沸点分离器12与高沸点分离器14通过配管L1连通。
配管L1配置有泵53。低沸点分离器12的分离残留液通过该泵53从配管L1中移送至高沸点分离器14。另外来自低沸点分离器12的蒸汽状分离液通过配管L2取出。该蒸汽状分离液为废液A。
高沸点分离器14通过配管L3和配管L4和残渣浓缩器15连通。高沸点分离器14的分离残留液(含抗蚀剂的残留液)通过配管L3移送至残渣浓缩器15。另外来自残渣浓缩器15的分离液通过配管L4再次送至高沸点分离器14。来自高沸点分离器14的蒸汽状分离液通过配管L5移送至精制器16。
通过配管L6取出来自精制器16的分离残留液。此时的分离残留液为抗蚀剂剥离液中的多种主溶剂的混合液。另外,精制器16的蒸汽状分离液通过配管L7移送至回流罐17。通过配管L11从回流罐17取出废液B。该废液B为沸点比主溶剂成分低的改性了的溶剂以及水分。回流罐17中的剩余部分介由配管L10再次回流至精制器16的顶部附近。另外配管L7引出支管配置有真空泵VP。
此外,贯穿本说明书,“改性了的溶剂”是指沸点位于比主溶剂成分低的一侧的溶剂,可以包括主溶剂成分的一部分。在气化分离中,沸点为分离温度左右的物质多少也会含于分离侧、残渣侧。因此,如果想要提高主溶剂的回收率,则主溶剂侧混入水分,如果想要提高回收的主溶剂的纯度,则水侧混入溶剂成分。即,这是因为,“改性了的溶剂”含有多少主溶剂根据装置的运转条件确定。
上述的控制装置30与超声波水分计35连结,基于来自超声波水分计35的信号Sw发送指令信号(以后也简称“指令”)。控制装置30能够向泵52发送指令Cp1,向泵53发送指令Cp2。或者,在泵52、泵53不是带逆变器(inverter)的泵的情况下,可以设为在它们的正后方插入流量调整阀、控制装置30控制流量调整阀的方式。
根据这些指令,控制装置30能够控制泵52和泵53的流量。即,能够控制从回收槽50向分离装置10移送的使用完毕的抗蚀剂剥离液的量、和从低沸点分离器12向高沸点分离器14移送的分离残留物的量。
另外,控制装置30能够向低沸点分离器12发送指令Ct1,向高沸点分离器14发送指令Ct2,并且能够向精制器16发送指令Ct3。另外,还能够向泵52发送指令Cp1,向泵53发送指令Cp2。根据这些的指令,控制装置30能够变更蒸气的流入量以及使用完毕的剥离液的移送量以维持低沸点分离器12以及高沸点分离器14的设定温度。
对于如上所述地构成的分离装置10,首先,说明对使用完毕的抗蚀剂剥离液进行常规处理的情况下的各部的操作。将其称为常规运转状态。从回收槽50向分离装置10导入使用完毕的抗蚀剂剥离液。使用完毕的抗蚀剂剥离液呈抗蚀剂剥离液、剥离的抗蚀剂成分、如铝、SiO2这样的形成图案的膜构成物质(无机固形物)的混合状态。即,通过配管LX向分离装置10导入水、溶剂、抗蚀剂成分以及无机固形物固形物的混合物。
从配管LX流过的使用完毕的抗蚀剂剥离液的水分量通过超声波水分计35测定水分量。在使用完毕的抗蚀剂剥离液中混入有大量的抗蚀剂,呈现与浓的葡萄酒色接近的颜色。另外,抗蚀剂并非一样地溶解的,存在一部分成为碎屑状而浮游的抗蚀剂。即,光不易透射,另外会被溶液中的浮游物散射。
然而,即使为这样的状态的使用完毕的抗蚀剂剥离液,超声波水分计35也能够通过测定溶液中的音速、并与预先测定的标准曲线进行比较,从而测定水分量。超声波水分计35将这样测得的使用完毕的抗蚀剂剥离液中的水分比率(或者水分量)作为信号Sw发送至控制装置30。在常规运转状态下,控制装置30控制使用完毕的抗蚀剂剥离液向分离装置10的供给以及各分离器的运转状态,使得按预先确定的量对使用完毕的抗蚀剂剥离液中的水分量进行气化分离。
在分离装置10的初段设置有低沸点分离器12。低沸点分离器12设为不锈钢制的筒状形状,周围通过蒸气等加热,并被玻璃棉等绝热材料覆盖。低沸点分离器12的内部适宜的是塔底为约115℃~140℃、塔顶为约85℃~115℃,更优选塔底加热至120℃~135℃、塔顶加热至90℃~110℃。
在此主要将使用完毕的抗蚀剂剥离液中的水分气化并粗分离。此外,低沸点分离器12根据来自控制装置30的指示Ct1而改变运转温度。这是因为,在后段的高沸点分离器14内,由于为减压下且升温,因此沸点低的大量的水分会完全气化,占据高沸点分离器14的大部分的容积,沸点更高的材料的分离效率降低。因此,作为来自低沸点分离器12的蒸汽状分离液的废液A大致为水分。被气化分离的水分(废液A)通过配管L2取出。
低沸点分离器12的分离残留液通过未图示的加热器(再沸腾器)加热成约120℃~150℃,介由配管L1移送至高沸点分离器14。配管L1的周围被玻璃棉等绝热材料覆盖。配管L1中的分离残留液保温于约115℃~140℃。
将对配管L1进行保温的绝热材料称为配管保温单元HL1。分离残留液在作为使用完毕的抗蚀剂剥离液时存在吸收空气中的二氧化碳气体的情况。如果该二氧化碳气体与溶剂(例如单乙醇胺等)反应,则会生成碳酸盐。
该碳酸盐的分解温度为约120℃以上,在以后的分离工序中也与溶剂一起分离。如果将混入了该碳酸盐的溶剂作为抗蚀剂剥离液再次利用,则会有损剥离性的功能,产生剥离不良,成为残渣残留等基板不良的原因。在低沸点分离器12的分离残留物的移送时将配管L1保温于约115℃~140℃,是为了有效利用传向后段的高沸点分离器14的热能,并且还具有防止二氧化碳气体的反应的效果。
另外,配管L1上配设有泵53。用于控制将低沸点分离器12的分离残留液移送至高沸点分离器14的移送速率(每单位时间的移送量)。此外,泵53能够根据来自控制装置30的指令Cp2改变移送速率。
高沸点分离器14与低沸点分离器12同样,设为不锈钢制的筒状形状。其周围配设有加热单元,并被玻璃棉等绝热材料覆盖。高沸点分离器14中,借助真空泵VP减压至1.9~2.1kPa(14~16Torr)左右,并进行塔顶90~110℃、塔底95~115℃的温度调整。在该环境下作为剥离液的主成分的溶剂气化分离。毋庸置疑,残留的水以及二氧化碳气体也同时气化分离。此外,高沸点分离器14根据来自控制装置30的指示Ct2改变运转温度。
这些蒸汽状分离液通过配管L5移送至精制器16。配管L5与配管L1同样,周围被绝热材料覆盖,保温于约120℃~150℃。对配管L5进行保温的是配管保温单元HL5。另外,配管L5内通过配设于精制器16与回流罐17之间的配管L7的作为体系内的减压单元的真空泵VP进行减压。另外,基于真空泵VP的减压影响至高沸点分离器14内,内部的蒸汽状分离液被移送至精制器16。
在高沸点分离器14内残留的分离残留液为抗蚀剂成分以及无机固态物。将其称为含抗蚀剂的残留液。含抗蚀剂的残留液介由配管L3被移送至残渣浓缩器15。残渣浓缩器15将从配管L3送来的含抗蚀剂的残留液中沸点在减压下为125℃以下的物质再次气化分离,将气化分离的物质通过配管L4返回至高沸点分离器14。此外,在此被返回至高沸点分离器14的是水和溶剂。另外,残渣浓缩器15的分离残留液称为抗蚀剂浓缩液。
因此,从残渣浓缩器15介由配管L8而得到的抗蚀剂浓缩液大致为抗蚀剂成分和无机固形物。另外,残渣浓缩器15上还配设有能够从配管L1直接导入低沸点分离器12的分离残留液的配管L9。其在洗涤残渣浓缩器15时使用。
来自高沸点分离器14的蒸汽状分离液被移送至精制器16。精制器16也设为不锈钢制的筒状形状。另外,周围也通过蒸气等加热,被玻璃棉等绝热材料覆盖。来自高沸点分离器14的蒸汽状分离液在精制器16的中部放出。
精制器16内被温度调整为未图示的再沸腾器部为80℃~90℃、精制器16中段部为65℃~90℃、精制器16塔顶为25℃~32℃。并通过真空泵VP减压至1.9~2.1kPa(14~16Torr)左右。在此,由于溶剂为沸点以下的温度,因此会液化并作为分离残留液介由配管L6回收。该分离残留液为抗蚀剂剥离再生液。
抗蚀剂剥离再生液是多种溶剂的混合物。此外,虽未图示,但配管L6会与配管LX进行热交换,以更稳定的温度作为抗蚀剂剥离再生液回收。此外,精制器16根据来自控制装置30的指示Ct3改变运转温度。
另一方面,水分和二氧化碳气体作为蒸汽状分离液通过配管L7被移送至回流罐17。该配管L7也与配管L5、配管L1同样,周围被绝热材料覆盖,保温于约120℃~150℃。配设于配管L7的配管保温单元被称为配管保温单元HL7。配管L7通过配管保温单元HL7保温,通过真空泵VP减压。通过配管L11将来自回流罐17的水和二氧化碳气体作为废液B取出,一部分介由配管L10再次返回至精制器16。另外,在废液B中还含有水以外的其他低沸点成分。
在此,向分离装置10供给的使用完毕的抗蚀剂剥离液中的水分量设为较多。由超声波水分计35检测从配管LX中流过的使用完毕的抗蚀剂剥离液中的水分量、通过信号Sw向控制装置30传递。
由于在高沸点分离器14中处理具有规定的水分量的分离残留液是效率最佳的,因此想要使得移送至高沸点分离器14的低沸点分离器12的分离残留物中的水分量为规定的比率。因此,控制装置30按在低沸点分离器12中的水分分离量较多的方式进行控制。
具体而言,延长使用完毕的抗蚀剂剥离液在低沸点分离器12中的滞留时间。由此,能够将较多水分粗分离,因此能够向高沸点分离器14送出规定的值的水分比率的分离残留物。
为了延长在低沸点分离器12中的使用完毕的抗蚀剂剥离液的滞留时间,控制装置30减少泵52的移送量并且将泵53的移送量也降低至比常规运转状态低。由此,通过减少高沸点分离器14和精制器16的处理量,结果,能够得到品质良好的抗蚀剂剥离再生液而不会降低在各分离器中分离的温度。此外,可以降低高沸点分离器14和精制器16的处理温度。
另外,也可以增加低沸点分离器12的处理量。具体而言,提高低沸点分离器12的运转温度。然而,如果低沸点分离器12的运转温度过高,则本来作为分离残留物被移送至高沸点分离器14的溶剂等也会气化分离。即,溶剂的回收率降低。
由于低沸点分离器12的运转温度保持在能够实现水分的粗分离的范围,在需要该范围以上的水分的分离的情况下,可以进行滞留时间的延长这样的控制。这样,在通过超声波水分计35测得使用完毕的抗蚀剂剥离液中的水分较多的情况下,控制装置30进行控制使得分离装置10中的每单位时间的处理量与常规运转状态相比减少。将该工序称为减少工序。
如上所述在本发明的抗蚀剂剥离液的再生装置1中,由于通过超声波水分计35测定从回收槽50向分离装置10移送的使用完毕的抗蚀剂剥离液,因此即使使用完毕的抗蚀剂剥离液由于抗蚀剂成分、无机固形物而浑浊,也能够测量水分量。其结果,由于会恰当地进行分离装置10的低沸点分离器12中的水分的粗分离,因此能够有效地进行分离处理。
产业上的可利用性
本发明的抗蚀剂剥离液的再生装置以及再生方法能够在具有利用光刻形成布线图案等的工序的电子设备等的制造工厂中的、抗蚀剂剥离液的再生利用中适宜地利用。

Claims (8)

1.一种抗蚀剂剥离液的再生方法,其特征在于,其具有下述工序:
低沸点分离工序,从抗蚀剂的剥离中使用的至少含有溶剂、水和抗蚀剂成分的使用完毕的抗蚀剂剥离液气化分离并取出含所述水的低沸点成分的一部分作为废液A;
高沸点分离工序,将所述低沸点分离工序的分离残留液气化分离,取出含所述抗蚀剂成分的含抗蚀剂的残留液、并取出所述溶剂和含所述水的低沸点成分的剩余部分作为分离液;和,
精制工序,从所述高沸点分离工序的分离液气化分离含所述水的低沸点成分的剩余部分作为废液B,将分离残留液作为抗蚀剂剥离再生液取出,
并且具有下述减少工序:在所述低沸点分离工序的前段使用超声波传感器检测所述使用完毕的抗蚀剂剥离液中的水分量,在所述水分量比规定值大的情况下减少使用完毕的抗蚀剂剥离液的处理量,
所述减少工序减少供给至所述低沸点分离工序的所述使用完毕的抗蚀剂剥离液的移送量、和从所述低沸点分离工序移送至所述高沸点分离工序的所述分离残留液的移送量。
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液的再生方法,其特征在于,所述减少工序将所述高沸点分离工序和所述精制工序的处理温度降低至比常规运转状态低。
3.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离液的再生方法,其特征在于,所述低沸点分离工序的分离残留物在从所述低沸点分离工序移送至所述高沸点分离工序时,在保温状态下被移送。
4.根据权利要求1~3中的任一项权利要求所述的抗蚀剂剥离液的再生方法,其特征在于,所述高沸点分离工序的分离液在从所述高沸点分离工序移送至所述精制工序时,在减压并且保温状态下被移送。
5.一种抗蚀剂剥离液的再生装置,其特征在于,其具有:
低沸点分离器,从抗蚀剂的剥离中使用的至少含有溶剂、水和抗蚀剂成分的使用完毕的抗蚀剂剥离液分离含所述水的低沸点成分的一部分并作为废液A气化分离并取出;
高沸点分离器,将所述低沸点分离器的分离残留液气化分离,取出含所述抗蚀剂成分的含抗蚀剂的残留液、并取出所述溶剂和含所述水的低沸点成分的剩余部分作为分离液;和
精制器,从所述高沸点分离器的分离液气化分离含所述水的低沸点成分的剩余部分作为废液B,将分离残留液作为抗蚀剂剥离再生液取出,
并且具有控制装置,所述控制装置如下进行控制:在所述低沸点分离器的前段使用超声波传感器检测所述使用完毕的抗蚀剂剥离液中的水分量,在所述水分量比规定值大的情况下,减少使用完毕的抗蚀剂剥离液的处理量,
所述控制装置减少供给至所述低沸点分离器的所述使用完毕的抗蚀剂剥离液的移送量、和从所述低沸点分离器移送至所述高沸点分离器的所述分离残留液的移送量。
6.根据权利要求5所述的抗蚀剂剥离液的再生装置,其特征在于,所述控制装置将所述高沸点分离器和所述精制器的处理温度降低至比常规运转状态低。
7.根据权利要求5所述的抗蚀剂剥离液的再生装置,其特征在于,在将所述低沸点分离器的分离残留液从所述低沸点分离器移送至所述高沸点分离器的配管上配设有对所述配管进行保温的配管保温单元。
8.根据权利要求5~7中的任一项权利要求所述的抗蚀剂剥离液的再生装置,其特征在于,在将所述高沸点分离器的分离液从所述高沸点分离器移送至所述精制器的配管上配设有对所述配管内进行减压的减压单元、和对所述配管进行保温的配管保温单元。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104292182B (zh) * 2013-11-27 2016-01-20 克瑞科斯公司 从光致抗蚀剂高沸点剥离废液回收1-哌嗪乙醇的装置以及方法
CN108837546A (zh) * 2018-05-29 2018-11-20 四川久远化工技术有限公司 一种剥离液再生工艺段的水分去除方法
CN109589632B (zh) * 2018-12-24 2021-11-19 上海盛剑环境系统科技股份有限公司 一种剥离液的回收方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1322005A (zh) * 2000-04-28 2001-11-14 松下环境空调工程技术株式会社 废溶剂的再生方法和装置
TW480547B (en) * 1999-01-29 2002-03-21 Matsushita Env Aircond Eng Co Recycling method and device of stripping solution
CN1530757A (zh) * 1998-08-11 2004-09-22 东进化成工业株式会社 剥离剂、及其剥离方法、剥离剂循环设备及剥离剂控制装置
CN101424889A (zh) * 2007-10-26 2009-05-06 日本瑞环化工株式会社 由剥离液废液再生剥离液的方法和再生装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08318263A (ja) * 1995-05-23 1996-12-03 Hitachi Ltd レジスト剥離廃液の処理装置、及びこれを備えているレジスト剥離・廃液処理設備
JP2005215627A (ja) * 2004-02-02 2005-08-11 Japan Organo Co Ltd レジスト剥離廃液の再生処理方法及び装置
JP4923882B2 (ja) * 2006-09-07 2012-04-25 三菱化学エンジニアリング株式会社 フォトレジスト供給装置およびフォトレジスト供給方法
JP4476356B2 (ja) * 2007-09-05 2010-06-09 コレックス コーポレーション フォトレジストストリッパー廃液の再生方法及び再生装置、並びにその再生回収率の改善方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1530757A (zh) * 1998-08-11 2004-09-22 东进化成工业株式会社 剥离剂、及其剥离方法、剥离剂循环设备及剥离剂控制装置
TW480547B (en) * 1999-01-29 2002-03-21 Matsushita Env Aircond Eng Co Recycling method and device of stripping solution
CN1322005A (zh) * 2000-04-28 2001-11-14 松下环境空调工程技术株式会社 废溶剂的再生方法和装置
CN101424889A (zh) * 2007-10-26 2009-05-06 日本瑞环化工株式会社 由剥离液废液再生剥离液的方法和再生装置

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