TWI568034B - 發光裝置、發光裝置封裝件以及照明系統 - Google Patents

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Description

發光裝置、發光裝置封裝件以及照明系統
本發明主張於2009年12月29日所申請之韓國專利申請案號10-2009-0132731的優先權，此全文將併入本案以作為參考。
本發明係關於發光的一個或多個實施例之具體說明。
發光裝置(LED)由各種半導體材料所製成，相較於傳統照明有低功率消耗和高效率的優點，但是還有改善空間。
這裡所描述的一個或一個以上之實施例提供該發光裝置，其高效能之操作供給白光(或所需顏色的光)。包括如此該裝置之該發光裝置封裝件或照明系統亦於說明中。
在一實施例中，一發光裝置組成為：一發光結構，其包括一第一傳導型半導體層、一第二傳導型半導體層、和介於該第一傳導型半導體層和該第二傳導型半導體層之間之該活性層；在該發光結構之上之一第一非晶矽層、和一奈米結構其在該第一非晶矽層之上且具有奈米大小的粒子形狀。
在另一實施例中，一發光裝置封裝件組成為：一封裝體，且該封裝體中至少具有一個電極層；和一發光裝置，其組成為：一發光結構，其組成有一第一傳導型半導體層、一第二傳導型半導體層、介於該第一傳導型半導體層和該第二傳導型半導體層之間之一活性層；位於該發光結構之上的一第一非晶矽層；和位於該第一非晶矽層之上且具有奈米大小粒子形狀的一奈米結構。
在再一實施例中，一照明系統組成為：一發光模組，其由一基板和位於基板之上的一發光裝置封裝所構成，其該發光裝置封裝件由一封裝體所組成；在該封裝體中至少有一個電極層；和一發光裝置，其組成有一第一傳導型半導體層、一第二傳導型半導體層、介於該第一傳導型半導體層和該第二傳導型半導體層之間之一活性層；位於該發光結構之上的一第一非晶矽層；和位於該第一非晶矽層之上且具有奈米大小粒子形狀的一奈米結構，且發光裝置電性連接至該電極層。
根據另一實施例，一發光裝置由一光發射器所構成，其包括一第一傳導型之第一半導體層、一第二傳導型之第二半導體層、介於該第一和該第二半導體層之間之一活性層；和光發射器上至少一個粒子。光以一第一波長沿著相鄰於粒子之一第一路徑行進，和以一第二波長沿著通過粒子之一第二路徑行進。粒子將在第二路徑的光從該第一波長轉換成從第二波長，至少一個該粒子包括一半導體材料，且該第一波長的光混合該第二波長的光以形成一第三波長光。至少一個該粒子為奈米大小粒子，且導致該第三波長光為白光。
再者，複數個粒子可形成於該光發射器上。該光發射器發射該第一波長光，其沿著通過相鄰粒子對之間之路徑，且每一個該粒子將該第一波長光轉換成該第二波長光，該光沿著相鄰粒子對之間之路徑行進，且該第二波長光混合以形成該第三波長光。
該粒子彼此之間可存在間距或形成聚集。另外，該第二波長可長於或短於該第一波長。每一個該粒子可包含一氮化物材料，如氮化銦鎵(InGaN)。或每一個該粒子由鋁、銦、和鎵所製成。
除此之外，每一個該粒子可包括相鄰一第二部分之一第一部分，第一部分與第二部分有著不同的材料。舉例而言，該第一和第二部分可由不同的氮化物材料所形成。
除此之外，一第一分離層可形成於該光發射器上，而該粒子為位於該第一分離層之內或與其相鄰。該第一分離層可包括一介電質材料，且該第一分離層包括一第一非晶矽層。一第二非晶矽層可形成於該第一非晶矽層上，如此一來，至少一個該粒子會與該第一和第二非晶矽層接觸。
至少一個該粒子之物理屬性造成該粒子輸出該第二波長光。該物理屬性可為該粒子的銦組成。
另外，至少一個該粒子包括由不同材料製成之一第一部分和一第二部分，而該第一部分由鋁氮化物所製成且該第二部分由氮化銦鎵(InGaN)所製成。
根據另一個實施例，一發光裝置封裝件包括一封裝體，至少一電極與該封裝體耦合，如上所述之一發光裝置與至少一個該電極耦合。
根據一實施例，一照明系統包括一發光模組構件，其包括一基板和該基板上之一發光裝置封裝件，而該發光裝置封裝件包括：一封裝體、至少一個與該封裝體偶合之該電極、如上所述且與至少一該電極偶合之一發光裝置。
根據另一個實施例，一發光裝置包括一光發射器，其包括一第一傳導型之一第一半導體層、一第二傳導型之一第二半導體層、和位於該第一和該第二半導體層之間的一活化層；和該光發射器上的至少一該粒子，其中：光沿著相鄰於粒子之一第一路徑行進，該第一路徑之光為具有一第一波長，沿著通過該粒子之一第二路徑行進，且粒子將位於該第二路徑之該第一波長光轉換一第二波長，該至少一粒子包括一氮化物材料，該至少一粒子為奈米大小粒子，和該第一波長光與該第二波長光混合以形成一第三波長。
如上所述，該照明系統根據該實施例可包括該發光裝置封裝件，根據該實施例以改善該發光裝置之穩定性。文中提及之奈米大小表示粒子之大小位於2~9000 x 10-9公尺(2nm~9000nm)之範圍內。
雖然粒子為不連續的，一實施例中之粒子可成為聚集，在其它實施例中之粒子為以均勻、隨機、或以其它圖型隔開。
另外，根據一實施例，該每個粒子為由至少部分可透光之一半導體材料所製成，如氮化銦鎵(InGaN)和氮化鎵(GaN)。
另外，根據一實施例，該粒子可有不同於奈米大小的尺寸，如大於或小於奈米大小。
參閱圖1，根據本發明第一實施例包括發光結構110的發光裝置之剖視圖，該發光結構110亦包括一第一傳導型之一第一半導體層112、一活性層114、以及包括一第二傳導型之一第二半導體層116。該發光裝置更包括在發光結構上的一第一非晶矽層131、以及在該第一非晶矽層131上的一奈米結構140。圖1顯示為直立式裝置之發光裝置。但是在其它實施例中之裝置可以是橫向式或其他型式。
該第一非晶矽層131包含一非晶系氮化物層或一非晶系氧化物層。舉例而言，該第一非晶矽層131可以由氮化矽(Si3N4)、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、或二氧化矽(SiO2)所組成，但不限定於這些化合物。除此之外，該第一非晶矽層131也可以由透明材料所製成。
在某些情況下，很難於非晶矽層上形成含有薄膜形式的氮化物半導體。所以根據一實施例為在奈米大小的粒子上長成氮化物半導體。該粒子可以有不同的形狀，包括島形狀、任何規則或幾何形狀、或甚至不規則形狀。另外，該粒子可以是在空間上均勻排列、隨機排列，及/或以群集方式展現。而一實施例中可只提供一粒子。
該第一非晶矽層131利用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)法所形成，形成均勻分布的氮化矽(Si3N4)、氮化鋁(AlN)、或氮化鎵(GaN)奈米粒子，但實施例不限定於此。
根據本發明之一實施例，該奈米結構140可包括一氮化物半導體奈米結構。舉例而言，該奈米結構140由AlxInyGa(1-x-y)N(0x1，0y1，0x+y1)所形成。
同時，該奈米結構140包括在該第一非晶矽層131上的一第一奈米結構141，與在一第一奈米結構141上之一第二奈米結構142，如圖5所示。舉例而言，該奈米結構140包括由氮化鋁(AlN)或氮化鎵(GaN)所形成的第一奈米結構141，和該第一奈米結構141上氮化銦鎵(InGaN)形成的該第二奈米結構142。
本發明之一實施例提供可以重覆堆疊的該第一奈米結構141和該第二奈米結構142以形成該奈米結構140。舉例而言，該實施例可為多層氮化鎵/氮化銦鎵(GaN/InGaN)。因為當利用銦分凝(segregation)在奈米粒子上形成氮化銦鎵(InGaN)時會產生大量的銦組成。
該奈米粒子可以是基本上相容的或有不同尺寸及/或形狀，其可在不同的成長條件下形成。為了獲得對應不同波長之不同顏色，例如：藍色、綠色、黃色、或紅色，該奈米粒子也可以為相容的或有不同的組成。
該奈米結構將該活性層發出的光(較短波長)轉換成較長波長的光。該轉換光與從活性層發出的未轉換光混合從而形成白光或所需顏色的光。在另一實施例中的該奈米結構藉由混合或引導至不同路徑，可將較長波長的光轉換成較短波長的光。
一第二非晶矽層132可沉積於該奈米結構140上。該第二非晶矽層132可採用該第一非晶矽層131的技術性質。本實施例中之該第一非晶矽層131和該第二非晶矽層132的組合層稱為一非晶矽層130。
在實施例中之該第二非晶矽層132作用為該氮化物半導體奈米結構140的保護層。該第二非晶矽層132同時也可視為保護功能。
本實施例之該奈米結構140和該非晶矽層130可以重覆堆疊以改善發光效率。
而且可用該氮化物半導體奈米結構140替換現存黃磷(phosphor)。根據本實施例之該氮化物半導體奈米結構140經由金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)法沉積於該第一非晶矽層131上，該氮化物半導體140具有奈米尺寸的粒子形狀，而不是薄膜形式。舉例而言，該氮化物半導體奈米結構140為島形狀，且為多重沉積氮化銦鎵(InGaN)和氮化鎵(GaN)。
因為本實施例之該奈米結構140長成氮化物半導體粒子形狀，而不是薄膜形式，所以甚至包含大量銦成分也不會減損晶體品質。
根據本實施例之氮化銦鎵(InGaN)氮化物半導體形成之奈米結構，基本上相對於釔鋁石榴石(YAG)之有關技術黃磷有較佳的本身材料發光效率。
如圖2至7，根據本發明之一實施例說明製程的不同階段，該實施例運用對應至圖1所描述製造發光設備之方法。雖然該發光結構形成於非傳導基板上，且移除非傳導基板方法為根據圖2至7所描述，但是本發明並不限定於此說明。舉例而言，該發光結構可形成於例如氮化鎵(GaN)基板上。
首先準備一第一基板105，如同圖2所描述。該第一基板105可由至少以下其中一種之藍寶石(Al2O3)、碳化矽(SiC)、矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、矽(Si)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)、鍺(Ge)、和氧化鎵(Ga203)所形成。一不均結構可形成於該第一基板105，但實施例不限定於此。
該第一基板105上操作一濕蝕刻程序以移除該第一基板105表面上的雜質。
之後，發光結構110包括該第一傳導型半導體層112、該活性層114、和該第二傳導型半導體層116可於該第一基板105上形成。
舉例而言，可以利用金屬有機化學氣相沉積法(MOCVD)、化學氣相沉積法(CVD)、電漿增強化學氣相沉積法(PECVD)、分子束磊晶法(MBE)、氫化物氣相磊晶法(HVPE)、或類似的方法以形成該發光結構110。
該第一基板105上可形成一緩衝層(圖中未顯示)。該緩衝層可緩衝構成該發光結構110和該第一基板105之間的晶格不匹配，而且該緩衝層可由三五族化合物半導體所形成。舉例而言，可至少為以下所列之一所形成，氮化鎵(GaN)、氮化銦(InN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鋁鎵(InAlGaN)、和氮化鋁銦(AlInN)。該緩衝層上可形成一未摻雜半導體層，但實施例不限定於此。
該第一傳導型半導體層112可由摻雜一第一傳導摻雜物之三五族化合物半導體所形成。如果該第一傳導型半導體層112為N型半導體層，該第一傳導摻雜物為N型摻雜物，且可包括矽(Si)、鍺(Ge)、錫(Sn)、硒(Se)、和/或碲(Te)之N型摻雜物，但實施例不限定於此。
該第一傳導型半導體層112可由含有InxAlyGa1-x-yN(0x1，0y1，0x+y1)化學式之半導體材料所組成。該第一傳導型半導體層112由以下所列材料氮化鎵(GaN)、氮化銦(InN)、氮化鋁(AlN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鋁鎵(InAlGaN)、氮化鋁銦(AlInN)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、砷化銦鎵(InGaAs)、砷化鋁銦鎵(AlInGaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化鋁鎵(AlGaP)、磷化銦鎵(InGaP)、磷化鋁銦鎵(AlInGaP)、和磷化銦(InP)至少之一所形成，。
該第一傳導型半導體層112可為由化學氣相沉積(CVD)、分子束磊晶法(MBE)、氫化物氣相磊晶法(HVPE)、或類似方法形成的N型氮化鎵(GaN)層。另外，該第一傳導型半導體層112也可由將三甲基鎵(TMGa)氣、氨(NH3)氣、氮(N2)氣、和含有矽之n型雜質矽甲烷(SiH4)氣注入腔室中而形成。
該活性層114是注入穿透該第一傳導型半導體層112的電子與注入穿透(之後形成之)該第二傳導型半導體層116的電洞相遇所在層，其由組成活性層(即發光層)材料本質上之能帶所決定。
該活性層114有至少以下一種結構，一單量子結構、一多重量子井(MQW)結構、一量子線結構、或一量子點結構。舉例而言，該活性層114可包括有由注入三甲基鎵(TMGa)氣、氨(NH3)氣、氮(N2)氣、和三甲基銦(TMIn)氣而形成的多重量子井(MQW)結構，但實施例不限定於此。
該活性層114中的一井層/能障層有至少一對以下所述結構，氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)、氮化銦鎵/氮化銦鎵(InGaN/InGaN)、氮化鋁鎵/氮化鎵(AlGaN/GaN)、氮化銦鋁/氮化鎵(InAlGaN/GaN)、砷化鎵/砷化鋁鎵(砷化銦鎵)(GaAs/AlGaAs(InGaAs))、磷化鎵/磷化鋁鎵(磷化銦鎵)(GaP/AlGaP(InGaP))，但實施例不限定於此。該井層由能帶低於能障層之材料所形成。
一傳導包覆層(clad layer)形成於該活性層114之上或/和之下。該傳導包覆層由氮化鋁鎵基之半導體所形成，且其能帶間隙可大於該活性層114。
該第二傳導型半導體層116可由摻雜一第二傳導雜質之III-V族半導體所形成，例如化學式為InxAlyGa1-x-yN(0x1，0y1，0x+y1)之半導體材料。該第二傳導型半導體層116由以下所示成分中至少一種所形成，氮化鎵(GaN)、氮化鋁(AlN)、氮化鋁鎵(AlGaN)、氮化銦鎵(InGaN)、氮化銦(InN)、氮化銦鋁鎵(InAlGaN)、氮化鋁銦(AlInN)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵砷(GaAsP)、和磷化鋁鎵銦(AlGaInP)。在該第二傳導型半導體層116為P型半導體的範例中，該第二傳導雜質包括鎂(Mg)、鋅(Zn)、鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)或P型雜質類似物。該第二傳導型半導體層116可為單層或多層結構，但實施例不限定於此。
該第二傳導型半導體層116可為P型氮化鎵(GaN)，可由注入三甲基鎵(TMGa)氣體、氨氣(NH3)、氮氣(N2)、和含有鎂的一P型雜質之双乙酰環戊二烯基鎂進入腔室中所形成，但實施例不限定於此。
此實施例中的該第一傳導型半導體層112由N型半導體層製成，而該第二傳導型半導體層116則由P型半導體層所製成。
或者另一方法為在該第二半導體層116之上形成與其極性相反的一半導體層，例如，N型半導體層(未繪示)。導致該發光結構110有以下所列中至少一種結構，N-P接面結構、P-N接面結構、N-P-N接面結構、和P-N-P接面結構。
接下來如圖3所示，該第二傳導型半導體層116之上形成一第二電極層120。該第二電極層120包含一歐姆層(未繪示)、一反射層122、一接面層(未繪示)、和一支撐基板(未繪示)等。
舉例而言，該第二電極層120包含一歐姆層，該歐姆層(未繪示)與該發光結構110作歐姆接觸以平穩提供該發光結構110電力。另外，該歐姆層(未繪示)可由多層堆疊一單一金屬層或一金屬合金層和一金屬氧化層所形成。
舉例而言，該歐姆層可由以下所列中至少一種材料所形成，銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO),銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ATO)、鎵鋅氧化物(GZO)、銦鋅氧化氮化物(IZON)、鋁鎵氧化鋅(AGZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銥(IrOx)、氧化釕(RuOx)、氧化鎳(NiO)、氧化釕/銦錫氧化物(RuOx/ITO)、鎳/氧化銥/金(Ni/IrOx/Au)、鎳/氧化銥/金/銦錫氧化物(Ni/IrOx/Au/ITO)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鋁(Al)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、釕(Ru)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉑(Pt)、金(Au)、和鉿(Hf)，但實施例不限定於此。
除此之外，該第二電極層120亦包含可反射從該發光結構110入射光的該反射層(未繪示)以改善取光效率(light extraction efficiency)。舉例說明，該反射層可由金屬或包含以下所列之一的合金所形成，銀(Ag)、鎳(Ni)、鋁(Al)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、釕(Ru)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉑(Pt)、金(Au)、和鉿(Hf)。
另外，該反射層可由上述金屬或合金和一可穿透傳導材料形成多層結構，該可穿透傳導材料可為銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ATO)等。舉例說明，其可堆疊成銦鋅氧化物/鎳(IZO/Ni)、鋁鋅氧化物/銀(AZO/Ag)、銦鋅氧化物/銀/鎳(IZO/Ag/Ni)、鋁鋅氧化物/銀/鎳(AZO/Ag/Ni)或類似物。
同時，假使該第二電極層120包含接面層(未繪示)則該反射層功能為接面層(junction layer)，或包含障壁金屬或鍵結金屬。舉例說明，該接面層由以下所列中至少之一材料所形成，鈦(Ti)、金(Au)、錫(Sn)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鎵(Ga)、銦(In)、鉍(Bi)、銅(Cu)、銀(Ag)、和鉭(Ta)。
另外，該第二電極層120可包含該支撐基板。該支撐基板可支撐該發光結構110和提供該發光結構110電力。該支撐基板由一金屬、一金屬合金、或有較佳導電性之一傳導半導體材料所形成。
舉例說明，該支撐基板由至少以下所列之一所形成銅(Cu)、銅合金(Cu alloy)、金(Au)、鎳(Ni)、鉬(Mo)、銅鎢(Cu-W)、和一載體(carrier)晶圓(即為矽(Si)、鎵(Ge)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、鍺化矽(SiGe)、碳化矽(SiC)等)。
該支撐基板的厚度根據該發光裝置100的設計而不同，舉例說明，在範圍30至500微米之間。該支撐基板可由電化學金屬沈積法、電鍍方法、或使用共晶金屬之結合方法所形成。
接下來如圖4所示，移除該第一基板105以暴露出該第一傳導型半導體層112。利用雷射剝離技術或化學剝離方法以移除該第一基板105。另外，該第一基板105也可由物理研磨該第一基板105而移除。
接下來如圖4所示，一第一非晶矽層131形成於該發光結構110上方。舉例說明，由光阻材料形成一第一型P(first pattern P)，然後該第一非晶矽層131形成於非遮蔽的發光結構110上，但實施例不限定於此。又舉例說明，一第一非晶矽材料(未繪示)可形成於該發光結構110的整個表面上，可部分執行一蝕刻處理以形成該第一非晶矽層131。
該第一非晶矽層131可包含一非晶矽氮化層或一非晶矽氧化層。舉例說明，該第一非晶矽層131可由氮化矽(Si3N4)、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、或二氧化矽(SiO2)等所形成，但實施例不限定於此。
在一非晶矽層上很難形成薄膜形狀的一氮化物半導體，所以該氮化物半導體自動地以奈米大小結晶成粒子形狀，例如島形狀。舉例說明，該第一非晶矽層131利用金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)法，以均勻分佈氮化矽(Si3N4)、氮化鋁(AlN)或氮化鎵(GaN)之奈米粒子，但實施例不限定於此。
接下來如圖5所示，該奈米結構140形成於該第一非晶矽層131上。該奈米結構140可部分形成於該第一型P上，且當移除該第一型P時可同時移除該奈米結構140。
根據一實施例，該奈米結構140可包含一氮化物半導體奈米結構。舉例說明，該奈米結構140可由AlxInyGa(1-x-y)N(0x1，0y1，0x+y1)所形成。
該奈米結構140可包括該第一非晶矽層131上的該第一奈米結構141，而可包括該第一奈米結構141上的該第二奈米結構142。舉例說明，該奈米結構140可包括由氮化鋁(AlN)或氮化鎵(GaN)形成的該第一奈米結構141，和在該第一奈米結構141上由氮化銦鎵(InGaN)形成的該第二奈米結構142。
該第一奈米結構141和該第二奈米結構142可重覆堆疊數次以形成該奈米結構140。舉例說明，在目前的實施例中為多層氮化鎵/氮化銦鎵(GaN/InGaN)，但實施例不限定於此。因為氮化銦鎵的銦分凝現象為材料本身的特性，經由銦分凝而形成大量銦成分的高純度氮化銦鎵。可調整該奈米粒子的大小、形狀、成長狀態和銦成分，以得知各有對應波長的顏色，即為藍色、綠色、黃色、或紅色。
如圖6所示，本實施例中的該第二非晶矽層132可安裝於該奈米結構140上。該第二非晶矽層132延續該第一非晶矽層131技術性質。在本實施例中的該第一非晶矽層131和該第二非晶矽層132之組合層稱為該非晶矽層130。
本實施例中的該第二非晶矽層132作用為該氮化物半導體奈米結構140的一隔離層。而該第二非晶矽層則有保護層功能。該奈米結構140和該非晶矽層130可重複多層堆疊以增進發光效率。
接下來如圖7所示，移除在無遮蔽的該發光結構110上的該第一型P，以形成一第一電極層150，由此完成一垂直型發光裝置晶片100。
本實施例中的該第一電極層150形成於該發光結構110上。該第一電極層150包括執行導線結合過程的一墊片部分，和從該墊片部分延伸出來的一突指部分。該突指部分可分岐為預定的圖形形狀，也可以形成各種不同形狀。
可增進取光效率的一粗糙度圖形(未繪示)形成於該第一傳導型半導體層112之頂端面上。而該粗糙度圖形也可形成於該第一電極層150之頂端面上。
一隔離層(未繪示)形成於該發光結構110的至少一邊的側表面上。而該隔離層也可以形成於該第一傳導型半導體層112之頂端面上，但實施例不限定於此。
所形成的該隔離層可電性保護該發光結構110。舉例說明，該隔離層可由二氧化矽(SiO2)、矽氧化物(SiOx)、氮氧化矽(SiOxNy)、氮化矽(Si3N4)、或三氧化二鋁(Al2O3)所形成，但實施例不限定於此。
根據該發光裝置和該發光裝置之製程方法，可以該氮化物半導體奈米結構140取代現存的磷。本實施例中的該氮化物半導體奈米結構140根據本實施例為利用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)法安裝於該第一非晶矽層131，並具有奈米大小的一粒子形狀，而非薄膜形狀。舉例說明，該氮化物半導體奈米結構140具有一島形狀與氮化銦鎵(InGaN)和氮化鎵(GaN)多層沉積結構。
本實施例中因為該奈米結構140長成一氮化物半導體粒子形狀，而非薄膜形狀，所以甚至含有大量銦成分時也不會降低結晶品質。
同時，根據本實施例中形成該奈米結構之該氮化銦鎵(InGaN)氮化物半導體，其材料本質相較於釔鋁石榴石(YAG)中的磷有極佳的發光效率。
圖8說明一發光裝置100b之一第二實施例，該發光裝置100b包含具有該第一傳導型半導體層112之該發光結構110，該活性層114，和該第二傳導型半導體層116。該裝置也包括該發光結構110上之該第一非晶矽層131，和該第一非晶矽層131上之該奈米結構140。當圖8中之裝置適用於橫向型發光裝置晶片時，則該裝置可製成適用於不同實施例中的其他晶片。
該發光結構110可安裝於該第一基板105。另外，該發光結構110之該第一傳導型半導體層112經由蝕刻處理以暴露一部分的該第一傳導型半導體層112，然後該第一電極130可安裝於未遮蓋之該第一傳導型半導體層112，而一第二電極層160可安裝於一非晶矽層130上。
該第一非晶矽層131包括該第一歐姆介電層131，其含有該發光結構110和一歐姆特性。所以該第一歐姆介電層131作用為該發光結構110和具有歐姆電極功能。因為該第一歐姆介電層131為一介電質，所以具有一粒子形狀之該奈米結構140可安裝於該第一歐姆介電層131。
之後，該奈米結構140可安裝於該第一歐姆介電層131，且作用為一第二歐姆介電層132之一第二非晶矽層132則可安裝於該奈米結構140。
該第一歐姆介電層131或該第二歐姆介電層132可為可透光歐姆層。而且該第一歐姆介電層131或該第二歐姆介電層132可由以下所列中至少一種所形成，銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(IAZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO),銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ATO)、鎵鋅氧化物(GZO)、銦鋅氧化氮化物(IZON)、鋁鎵氧化鋅(AGZO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銥(IrOx)、氧化釕(RuOx)、氧化鎳(NiO)、氧化釕/銦錫氧化物(RuOx/ITO)、鎳/氧化銥/金(Ni/IrOx/Au)、鎳/氧化銥/金/銦錫氧化物(Ni/IrOx/Au/ITO)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鋁(Al)、銠(Rh)、鈀(Pd)、銥(Ir)、釕(Ru)、鎂(Mg)、鋅(Zn)、鉑(Pt)、金(Au)、和鉿(Hf)，但實施例不限定於此。
根據該發光裝置和該發光裝置之製程方法，可以該氮化物半導體奈米結構140取代現存的磷。
本實施例中因為該奈米結構140長成一氮化物半導體粒子形狀，而非薄膜形狀，所以甚至含有大量銦成分時也不會降低結晶品質。
同時，根據本實施例中形成該奈米結構之該氮化銦鎵(InGaN)氮化物半導體，其材料本質相較於釔鋁石榴石(YAG)中的磷有極佳的發光效率。
圖9說明一發光裝置封裝件200之一實施例，其包括該封裝體205、安裝於該封裝體205之上的該第三和該第四電極層213和214、安裝於該封裝體205之上且電性連接至該第三和該第四電極層213和214的一發光裝置100、和具有該LED 100的一模製件240。
其所形成之該封裝體205具有一矽材料、一合成樹脂材料、或一金屬材料、和可能含有該LED 100周圍的一傾斜面。
該第三電極層213和該第四電極層214為電性分離，功能為提供電力予該發光裝置100。另外，該第三和第四電極層213和214可反射從該發光裝置100產生之光以增加光效率，和射出從該發光裝置100產生之熱。
該發光裝置100為一垂直型發光裝置如圖1所示，但實施例不限定於此。舉例而言，圖8中之該橫向型發光裝置可施用於該發光裝置封裝件200。
該發光裝置100可安裝於該封裝體205，或安裝於該第三電極層213或該第四電極層214。
該發光裝置100可利用導線接合方法、覆晶晶片方法、或晶粒黏合方法，以電性連接至該第三電極層213和/或該第四電極層214。
可作為模範的本實施例說明該發光裝置100經由一導線230電性連接至該第四電極層214，和由直接與該第三電極層213接觸以與該第三電極層213進行電性連接，但實施例不限定於此。
該模製件240包含且保護該發光裝置100。而該模製件240也包括一螢光材料以改變由該發光裝置100所發出之光的波長。
本實施例中之該奈米結構140製造時可分離為獨立的零件，相同的，也可以該奈米結構140取代現存的磷。舉例而言，該奈米結構140在封裝過程中形成，與描述不同。舉例而言，一氮化鎵/氮化銦鎵(GaN/InGaN)奈米結構可於形成於溶液中以製成該奈米結構140。
根據該實施例之該發光裝置封裝件可以複數個的形式提供，且該複數個發光裝置封裝件排列於基板上。如導光板、稜鏡片、擴散片、或螢光片之光學構件則可置於由該發光裝置封裝件所發出之光的路徑上。該發光裝置封裝件、基板、光學構件作用為背光源裝置或照明單元。舉例而言，一照明系統包括一背光源裝置、一照明單元、一指示燈、一發光體、一路燈等。
圖10說明一照明單元1100之一實施例，其可包含於一照明系統中之範例。該照明單元1100包含一殼體1110、配備於該殼體1110之一發光模組構件1130、配備於該殼體1110之一接線終端1120、和經由外部電源供應器提供電力。
該殼體1110最好由具有良熱屏蔽特性的材料形成，例如，金屬材料或樹脂材料。
該發光模組構件1130包含一基板1132和至少一個安裝於該基板1132上之該發光裝置封裝件200。
該基板1132為印有電路圖型之絕緣體基板。舉例而言，該基板1132包括一一般印刷電路板(PCB)、一鋁基板、一軟性印刷電路板、和一陶瓷印刷電路板等。
另外，該基板1132由能夠有效率反射光線，或表面具有例如白色或銀色之顏色可有效率的反射光線之一材料所形成。
至少一個該發光裝置封裝件200可安裝於該基板1132。每一個該發光裝置封裝件200可包括至少一個發光二極體元件100。該發光二極體元件100包括一有顏色之發光二極體元件可發射紅光、綠光、藍光、或白光，和一紫外光(UV)發光二極體元件可發射紫外光。
該發光模組構件1130具有不同之該發光裝置封裝件200組合，以獲得所需的顏色和發光亮度。舉例而言，該發光模組構件1130包括一白色發光二極體(LED)、一紅色發光二極體(LED)、和一綠色發光二極體(LED)以獲得高演色性指數(CRI)。
該接線終端1120電性連接至該發光模組構件1130以提供電力。如圖10所示，該接線終端1120以插座型式螺合和耦接至外部電源。舉例說明，該接線終端1120製成插針型，且插入外部電源或經由電線與外部電源連接。
圖10說明一背光源裝置1200之一實施例，其為一照明系統的另一範例或包含於一照明系統中。該背光源裝置1200包括一導光板1210、可提供光至該導光板1210之一發光模組構件1240、位於該導光板1210下方之一反射構件1220、承接該導光板1210之一底蓋1230、該發光模組構件1240、和該反射構件1220。
該導光板1210擴散光以產生平面光，其由可透光材料所形成。舉例說明，該導光板1210由壓克力樹脂材料所形成，例如，聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)、聚對苯二甲酸二乙酯(PET)樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、環烯烴共聚物(COC)樹脂、或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹脂。
該發光模組構件1240提供光至該導光板1210之至少一側表面，其最終作用為具有該背光源裝置之顯示裝置之光源。
該發光模組構件1240可接觸該導光板1210，且包括一基板1242與安裝於該基板1242上之複數的發光裝置封裝件200。該基板1242可接觸導光板1210。
該基板1242可為包括電路圖型(未繪示)之印刷電路板(PCB)。該基板1242包括一金屬基材印刷電路板(MCPCB)、一軟性印刷電路板(FPCB)等，和一般印刷電路板(PCB)，但實施例不限定於此。
該複數個發光裝置封裝件200的安裝於該基板1242，以使該複數的發光裝置封裝件200之發光表面與該導光板1210之間相距一預定距離。
於該導光板1210之下可有該反射構件1220。該反射構件1220反射從該導光板底面所發出之光，以使反射光朝向一上部方向，如此一來可以增進背光源裝置亮度。該反射構件1220可由例如聚對苯二甲酸二乙酯(PET)樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚氯乙烯(PVC)樹脂、或類似物所構成，但實施例不限定於此。
該底蓋1230可承接該導光板1210、該發光模組構件1240、該反射構件1220、和類似物。所以該底蓋1230製成例如頂端面呈開放之箱形(box shape)以符合需求。
該底蓋1230可由金屬材料或樹脂材料，和利用模壓成形或射出成型製程所製造。
在此說明書中所提及的任何”一(one)實施例”，”一(an)實施例”，”範例實施例”等，代表被描述而與該實施例有關的一特徵、結構或特性其被包含在本發明的至少一實施例中。在說明書不同處出現如此片語並非全部必要參考至相同的實施例。進一步地，當一特徵、結構或特性被描述而與任何實施例相關，應提及的是，它包含在該領域的一技術範圍內以實現與其他實施例相關的該特徵、結構或特性。
雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解，熟習此項技術者可想出將落入本發明之原理的精神及範疇內的眾多其他修改及實施例。更特定言之，在本發明、圖式及所附申請專利範圍之範疇內，所主張組合配置之零部件及/或配置的各種變化及修改為可能的。對於熟悉此項技術者而言，除了零部件及/或配置之變化及修改外，替代用途亦將顯而易見。
100．．．發光裝置
100b．．．發光裝置
105．．．第一基板
110．．．發光結構
112．．．第一傳導型半導體層
114．．．活性層
116．．．第二傳導型半導體層
120．．．第二電極層
122．．．反射層
130．．．非晶矽層
131．．．第一非晶矽層
132．．．第二非晶矽層
140．．．奈米結構
141．．．第一奈米結構
142．．．第二奈米結構
150．．．第一電極層
160．．．第二電極層
200．．．發光裝置封裝件
205．．．封裝體
213．．．第三電極層
214．．．第四電極層
230．．．導線
240．．．模製件
1100．．．照明單元
1110．．．殼體
1120．．．接線終端
1130．．．發光模組構件
1132．．．基板
1200．．．背光源裝置
1210．．．導光板
1220．．．反射構件
1230．．．底蓋
1240．．．發光模組構件
1242．．．基板
圖1為根據第一實施例之發光裝置視圖；
圖2至圖7為根據發光裝置製造方法一實施例中不同製程階段之視圖；
圖8為根據發光裝置的第二實施例之視圖；
圖9為根據實施例之包含一或多個上述實施例之照明單元的發光裝置封裝件之視圖；
圖10為根據實施例之包括一或多個上述實施例之發光裝置或封裝的照明單元之視圖；以及
圖11為根據實施例之包括一或多個上述實施例之發光裝置、封裝或照明單元的背光單元之視圖。
100．．．發光裝置
110．．．發光結構
112．．．第一傳導型半導體層
114．．．活性層
116．．．第二傳導型半導體層
120．．．第二電極層
130．．．非晶矽層
131．．．第一非晶矽層
132．．．第二非晶矽層
140．．．奈米結構
150．．．第一電極層

Claims (20)

  1. 一種發光裝置，包括：一發光結構包含一第一傳導型之第一半導體層、一第二傳導型之第二半導體層、以及一活性層位於該第一半導體層和該第二半導體層之間；至少一奈米結構位於該發光結構的一頂表面上方，一第一非晶矽層位於該發光結構的一頂表面上，一第一電極位於位於該第一傳導型之第一半導體層的一頂表面上；一第二電極位於該第一非晶矽層的頂表面上；其中：光沿著相鄰該奈米結構之一第一路徑行進，位於該第一路徑的光具有一第一波長，光沿著通過該奈米結構之一第二路徑行進，以及該奈米結構將位於該第二路徑的光從該第一波長光轉換成一第二波長光，其中該至少一奈米結構包括一半導體材料且其中該第一波長光與該第二波長光混合形成一第三波長光，其中該奈米結構包含由GaN形成之第一奈米結構及由InGaN形成於該第一奈米結構上的第二奈米結構； 其中該奈米結構位於該第一非晶矽層的一頂表面；其中該奈米結構位於該第一電極層及該活性層的上方。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，包括該至少一奈米結構為奈米大小粒子，其中該第一非晶矽層包括一第一歐姆介電材料。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第三波長的光基本上為白光。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該發光結構所發出之該第一波長光沿著通過相鄰奈米結構對的路徑，以及每一該奈米結構將該第一波長光轉換成該第二波長光，該光沿著介於相鄰奈米結構對之間的路徑行進，並與該第二波長光混合以形成該第三波長光。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該奈米結構互相間隔。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該第二波長為長於該第一波長。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，該奈米結構包括一氮化物材料。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之發光裝置，其中該氮化物材料為氮化銦鎵(InGaN)。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該奈米結構是由鋁、銦、和鎵組合所形成。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該奈米結構包含該第一奈米結構位於該第一非晶矽層上，而該第二奈米結構位於該第一奈米結構上。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括：一第一分離層在該發光結構之上，其中該奈米結構位於或相鄰於該第一分離層。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置，其中該第一分離層包括一介電質材料。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置，其中該第一分離層包括該第一非晶矽層，其中該第一非晶矽層包括一非晶氧化層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之發光裝置，更包括：一第二非晶矽層位於該第一非晶矽層之上，其中該至少一奈米結構接觸該第一非晶矽層及該非第二晶矽層，其中該第二非晶矽層包括一第二歐姆介電材料。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該至少一奈米結構之物理屬性導致輸出該第二波長光。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之發光裝置，其中該物理屬性為該奈米結構之銦成分。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該至少一奈米結構包括由不同材料製成之一第一部分及一第二部分，其中該第一部分由鋁氮化物製成及該第二部分由氮化銦鎵所製成。
  18. 一種發光裝置封裝件，包括：一封裝體；至少一電極與該封裝體耦合；以及如申請專利範圍第1項所述之一發光裝置耦合該至少一電極。
  19. 一種照明系統，包括：一發光模組包括一基板及該基板上之一發光裝置封裝件，其中該發光裝置封裝件包括：一封裝體；至少一電極與該封裝體耦合；與該至少一電極耦合的如申請專利範圍第1項所述之一發光裝置。
  20. 一種發光裝置，其包括：一發光結構包含一第一傳導型之一第一半導體層、一第二傳導型之一第二半導體層、以及一活性層位於該第一半導體層和該第二半導體層之間；以及至少一奈米結構位於該發光結構之的一頂表面上， 一第一電極位於位於該第一傳導型之第一半導體層的一頂表面上；一第二電極位於該第一非晶矽層的頂表面上；其中：光沿著相鄰於該奈米結構之一第一路徑行進，位於該第一路徑的光具有一第一波長，光沿著通過該奈米結構之一第二路徑行進，以及該奈米結構將位於該第二路徑之該第一波長光轉換成一第二波長光，其中該至少一奈米結構包括一氮化物材料，其中該至少一奈米結構為一奈米大小粒子，其中該第一波長光與該第二波長光混合以形成一第三波長光，其中該奈米結構包含由GaN形成之第一奈米結構及由InGaN形成於該第一奈米結構上的第二奈米結構，其中該奈米結構位於該第一非晶矽層的一頂表面；其中該奈米結構位於該第一電極層及該活性層的上方。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI720846B (zh) * 2018-02-01 2021-03-01 美商谷歌有限責任公司 用於保護半導體晶粒之封裝加強件

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW541710B (en) * 2001-06-27 2003-07-11 Epistar Corp LED having transparent substrate and the manufacturing method thereof
US20140021444A1 (en) * 2010-05-31 2014-01-23 Snu R&Db Foundation Electronic device and manufacturing method thereof
EP2500951A1 (en) 2011-03-17 2012-09-19 Valoya Oy Plant illumination device and method
EP2499900A1 (en) * 2011-03-17 2012-09-19 Valoya Oy Method and means for enhancing greenhouse lights
TWM436224U (zh) * 2011-10-28 2012-08-21 Rgb Consulting Co Ltd
WO2013109908A1 (en) * 2012-01-18 2013-07-25 The Penn State Research Foundation Application of semiconductor quantum dot phosphors in nanopillar light emitting diodes
KR101232069B1 (ko) 2012-03-21 2013-02-12 고려대학교 산학협력단 발광 소자 및 그 제조 방법
CN103367584B (zh) * 2012-03-30 2017-04-05 清华大学 发光二极管及光学元件
KR101309258B1 (ko) * 2012-04-05 2013-09-17 영남대학교 산학협력단 발광 다이오드 및 그 제조 방법
CN103474549B (zh) * 2012-06-07 2016-12-14 清华大学 半导体结构
US8993998B2 (en) * 2012-07-02 2015-03-31 The Regents Of The University Of California Electro-optic device having nanowires interconnected into a network of nanowires
CN103022287A (zh) * 2012-11-15 2013-04-03 璨圆光电股份有限公司 多波长发光二极管芯片
DE102013112490A1 (de) * 2013-11-13 2015-05-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterschichtenfolge und Verfahren zu deren Herstellung
TWI581452B (zh) * 2014-10-24 2017-05-01 Nat Chunghsing Univ High light extraction rate of light-emitting diodes, conductive films, and conductive films The production method
US10374127B2 (en) * 2015-09-17 2019-08-06 Nxp Usa, Inc. Electronic devices with nanorings, and methods of manufacture thereof
CN112086548A (zh) * 2018-07-16 2020-12-15 厦门三安光电有限公司 微发光装置及其显示器
EP3893280A4 (en) * 2018-12-06 2022-09-14 LG Electronics Inc. DISPLAY DEVICE USING SEMICONDUCTOR ELECTROLUMINESCENT ELEMENTS AND METHOD OF MANUFACTURING IT
US11637219B2 (en) 2019-04-12 2023-04-25 Google Llc Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040094756A1 (en) * 2002-11-15 2004-05-20 Moon Yong Tae Method for fabricating light-emitting diode using nanosize nitride semiconductor multiple quantum wells
TW200742135A (en) * 2006-03-14 2007-11-01 Samsung Electro Mech Light emitting diode package
TW200901400A (en) * 2006-12-28 2009-01-01 Showa Denko Kk Resin composition for encapsulating light-emitting diode and lamp
TW200917520A (en) * 2007-10-05 2009-04-16 Delta Electronics Inc Epitaxial substrate and manufacturing method thereof and manufacturing method of light emitting diode apparatus
US20090101934A1 (en) * 2006-03-13 2009-04-23 Centre National De La Recherche Scientifique-Cnrs Monolithic White Light-Emitting Diode
TW200941766A (en) * 2007-10-12 2009-10-01 Agency Science Tech & Res Light emitting diode structure, multiple quantum well structure thereof, and method for fabricating the multiple quantum well structure

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001041225A2 (en) 1999-12-03 2001-06-07 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in leds through the use of internal and external optical elements
JP3872327B2 (ja) * 2000-12-04 2007-01-24 日本碍子株式会社 半導体発光素子
JP2004083653A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Sharp Corp 発光装置ならびに蛍光体およびその製造方法
JP2005072096A (ja) * 2003-08-20 2005-03-17 ▲さん▼圓光電股▲ふん▼有限公司 発光ダイオード装置及びその製造方法
KR100601945B1 (ko) 2004-03-10 2006-07-14 삼성전자주식회사 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
KR100634503B1 (ko) 2004-03-12 2006-10-16 삼성전자주식회사 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
JP2006083219A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Sharp Corp 蛍光体およびこれを用いた発光装置
US7602116B2 (en) * 2005-01-27 2009-10-13 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light apparatus capable of emitting light of multiple wavelengths using nanometer fluorescent material, light device and manufacturing method thereof
JP2006261554A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Kyocera Corp 発光ダイオード装置
CN101208810B (zh) * 2005-03-24 2010-05-12 科技研究局 Ⅲ族氮化物白光发光二极管
JP4778745B2 (ja) * 2005-07-27 2011-09-21 パナソニック株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
KR100706796B1 (ko) 2005-08-19 2007-04-12 삼성전자주식회사 질화물계 탑에미트형 발광소자 및 그 제조 방법
JP4749803B2 (ja) 2005-08-26 2011-08-17 住友化学株式会社 半導体積層基板およびその製造方法
KR100779078B1 (ko) * 2005-12-09 2007-11-27 한국전자통신연구원 빛의 방출 효율을 향상시킬 수 있는 실리콘 발광 소자 및그 제조방법
KR100801617B1 (ko) 2006-02-24 2008-02-11 서울옵토디바이스주식회사 광추출을 위한 나노구조체들을 갖는 발광 다이오드 및그것을 제조하는 방법
US20100110728A1 (en) * 2007-03-19 2010-05-06 Nanosys, Inc. Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals
KR20090044790A (ko) 2007-11-01 2009-05-07 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
JP5117422B2 (ja) * 2008-07-15 2013-01-16 富士フイルム株式会社 発光装置及びその製造方法
KR20090009176A (ko) 2008-12-17 2009-01-22 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자
KR101603777B1 (ko) * 2009-04-16 2016-03-15 삼성전자주식회사 백색 발광 다이오드

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040094756A1 (en) * 2002-11-15 2004-05-20 Moon Yong Tae Method for fabricating light-emitting diode using nanosize nitride semiconductor multiple quantum wells
US20090101934A1 (en) * 2006-03-13 2009-04-23 Centre National De La Recherche Scientifique-Cnrs Monolithic White Light-Emitting Diode
TW200742135A (en) * 2006-03-14 2007-11-01 Samsung Electro Mech Light emitting diode package
TW200901400A (en) * 2006-12-28 2009-01-01 Showa Denko Kk Resin composition for encapsulating light-emitting diode and lamp
TW200917520A (en) * 2007-10-05 2009-04-16 Delta Electronics Inc Epitaxial substrate and manufacturing method thereof and manufacturing method of light emitting diode apparatus
TW200941766A (en) * 2007-10-12 2009-10-01 Agency Science Tech & Res Light emitting diode structure, multiple quantum well structure thereof, and method for fabricating the multiple quantum well structure

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI720846B (zh) * 2018-02-01 2021-03-01 美商谷歌有限責任公司 用於保護半導體晶粒之封裝加強件

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Publication number Publication date
TW201131824A (en) 2011-09-16
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