TWI564414B - Splash target assembly - Google Patents

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TWI564414B
TWI564414B TW101135804A TW101135804A TWI564414B TW I564414 B TWI564414 B TW I564414B TW 101135804 A TW101135804 A TW 101135804A TW 101135804 A TW101135804 A TW 101135804A TW I564414 B TWI564414 B TW I564414B
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Description

濺鍍靶組裝體
本發明係關於一種用於降低歸因於靶片黏接部之微粒產生所引起之不良的圓筒形濺鍍靶組裝體，尤其是關於一種FPD用濺鍍靶組裝體。
透明導電膜形成用ITO、ZnO系、In2O3-ZnO系、MgO系等薄膜作為以液晶顯示器、觸控面板、EL(electro-luminescence，電致發光)顯示器等為主之顯示裝置之透明電極得以廣泛應用。ITO等透明導電膜形成用氧化物薄膜多係藉由濺鍍而形成。
近年來，大型FPD用透明導電膜之形成係使用聯體(inline)方式之濺鍍裝置，於第8代以後，係排列數張至數十張寬度為150~300mm且長度為1500mm以上之靶板，於該靶前移動大型玻璃基板從而成膜。
由於難以將如此之大之靶製作成一整張靶板，因此一般而言，通常係將沿長度方向進行多次分割而得之靶片於支持材上加以黏接而作為單一之靶-支持材接合體，並將該靶-支持材接合體進一步沿寬度方向排列複數個而大型化。
然而，雖然可藉由沿寬度方向排列該靶-支持材接合體而大型化，但是關於上述沿長度方向進行數次分割而得之靶片，相鄰接之靶-支持材接合體之靶片間排列有分割線。該分割線處存在靶片間之間隙，而各靶片之高度存在微小之差異，因此會產生以分割線為邊界之階差，故於濺鍍過 程中易於自該分割線產生結球(nodule)，導致於膜上呈條狀地產生附著有較多稱為微粒之廢棄物之部分，從而造成良率下降。
自製造之容易度出發，通常係製造相同尺寸之靶片，並將其於支持材上進行黏接，於該情形時，靶片整齊排列，一眼看去十分美觀，然而，由於靶片與靶片間之分割線全部排列，故結球會集中於所排列之靶片部分，結果存在有稱為微粒之廢棄物於膜上集中附著在特定位置從而良率下降之問題。
於先前由於已致力於提高靶自身之生產率並且大型FPD之產量仍較少，故此種問題並不顯著從而長期被忽視，然而近年來，伴隨著大型FPD之產量增加，此種成膜不良變得經常發生，從而發生實際中關係到生產率下降之事例。
就先前技術來看，下述專利文獻1中記載有以下技術：利用由多個靶材板(tile)構成之靶組裝體構成長方形之大型靶板，各靶材板係以3個以下之靶材板間隙合併之方式構成，防止靶材板於熱循環中不整齊。於該情形時，亦可為長方形、正方形、六邊形、扇形。
於該文獻1中係緊密地配置多個靶材板，其目的在於使其等不錯位，而並沒有採取用於防止濺鍍過程中之結球之產生或膜上之微粒之對策。觀察表示該文獻1之靶組裝體之具體例之圖6、圖7、圖8、圖9、及圖10中之任一者，均係靶材板每隔至少一個，排列其接合部。此種靶組裝體結果會成為於濺鍍過程中產生結球或膜上之微粒增加之原 因。
下述專利文獻2中記載有圓盤型分割靶，中心為圓形分割片，周邊係由4個扇形(缺少中心部)分割片構成。提出有以下方案：於該各分割片之接合部設置階差而接合。此種圓盤型分割靶並不適於製造大型FPD(平板顯示器)用靶組裝體。
又，文獻2之分割靶每隔一個，排列靶材板之接合部。具有此種結構之靶結果存在會成為於濺鍍過程中產生結球或膜上之微粒增加之原因之問題。
下述專利文獻3中記載有圓盤型分割靶，中心為圓形分割片，周邊係由2個扇形(缺少中心部)分割片構成。提出有以下方案：於該各分割片之接合部加入切入口而傾斜接合。此種圓盤型分割靶與上述文獻2相同，並不適於製造大型FPD(平板顯示器)用靶組裝體。
又，文獻3之分割靶每隔一個，排列靶材板之接合部。具有此種結構之靶結果存在會成為於濺鍍過程中產生結球或膜上之微粒增加之原因之問題。
上述任一文獻均為排列於一張支持材上者，且共通點為分割靶，然而其具有以下問題：並未解決藉由將靶-支持材接合體沿寬度方向排列而大型化之情形時之問題，並未採取減少於濺鍍過程中產生結球或膜上之微粒增加之原因之對策。
據此，本申請人申請以下專利：一種濺鍍靶組裝體，其係將寬度為100mm以上且長度為1000mm以上之矩形 靶板，以分割線為寬度方向之方式分割成3個以上之靶片A，並將該分割靶片A沿長度方向貼合於支持材上而構成濺鍍靶-支持體接合體B，進而將該接合體B沿寬度方向排列3個以上而成，該濺鍍靶組裝體於將各個接合體B排列為濺鍍靶組裝體時，以存在於接合體B之3個靶片間之分割線與相鄰接之分割靶片間之分割線不處於相同位置之方式而設置(參照下述專利文獻4)。
藉此，可獲得以下顯著效果：可降低歸因於靶片黏接部之微粒產生所引起之不良。然而，該濺鍍靶-支持體接合體之結構於需要較大之寬度方面存在些許問題。
專利文獻1：日本特開2006-22404號公報
專利文獻2：日本特開平5-263234號公報
專利文獻3：日本特開平5-17867號公報
專利文獻4：WO2011071418號
本發明係提供一種可降低歸因於靶片黏接部之微粒產生所引起之不良之大型化濺鍍靶-支持體接合體，尤其是提供一種FPD用濺鍍靶組裝體，其課題在於縮小濺鍍靶-支持體接合體之結構，並增加效率。
為了解決上述課題，本發明者等人進行銳意研究，結果獲得以下見解：由圓筒形之複數個靶片構成濺鍍靶，並將其安裝於同樣為柱狀或圓筒形之支持材上，且對該複數個靶片之形狀及排列加以設計，藉此製作濺鍍靶-支持體接合體，從而可提供一種可降低歸因於靶片黏接部之微粒產 生所引起之不良之由圓筒形濺鍍靶-支持體接合體所構成的組裝體，尤其可提供一種FPD用濺鍍靶組裝體。
基於此種見解，本發明提供：
1)一種濺鍍靶組裝體，其係將直徑為100mm以上且長度為1000mm以上之圓筒形靶以分割線在圓周方向上與支持體之長度方向垂直的方式分割成3個以上之圓筒形靶片A，並將該分割靶片A貼合或設置於圓筒狀或圓柱狀之支持體上而構成濺鍍靶-支持體接合體B，進而，將該接合體B沿寬度方向設有間隔地排列2個以上而成；該濺鍍靶組裝體於將各個接合體B於寬度方向整列而形成為濺鍍靶組裝體時，以接合體B所存在之靶片間的分割線與相鄰接之接合體B所存在之靶片間的分割線不處於相同位置之方式進行設置。
2)又，本發明提供：如上述1)之濺鍍靶組裝體，其中，於1個濺鍍靶-支持體接合體B中，一個分割靶片A之長度與其他任一分割靶片A之長度的差異為20mm以上。
3)又，本發明提供：如上述1)之濺鍍靶組裝體，其中，於1個濺鍍靶-支持體接合體B中，一個分割靶片A之長度與其他任一分割靶片A之長度的差異為50mm以上。
4)又，本發明提供：如上述1)之濺鍍靶組裝體，其中，於1個濺鍍靶-支持體接合體B中，一個分割靶片A之長度與其他任一分割 靶片A之長度的差異為100mm以上。
5)又，本發明提供：如上述1)~4)中任一項之濺鍍靶組裝體，其中，1個濺鍍靶-支持體接合體B之靶片間之分割線與相鄰接之濺鍍靶-支持體接合體B之靶片間之分割線平行，且該各別之分割線之平行間隔為20mm以上。
6)又，本發明提供：如上述1)~4)中任一項之濺鍍靶組裝體，其中，1個濺鍍靶-支持體接合體B之靶片間的分割線與相鄰接之濺鍍靶-支持體接合體B之靶片間的分割線平行，且該各別之分割線之平行間隔為50mm以上。
7)又，本發明提供：如上述1)~4)中任一項之濺鍍靶組裝體，其中，1個濺鍍靶-支持體接合體B之靶片間的分割線與相鄰接之濺鍍靶-支持體接合體B之靶片間的分割線平行，且該各別之分割線之平行間隔為100mm以上。
8)又，本發明提供：如上述1)之濺鍍靶組裝體，其中，於1個濺鍍靶-支持體接合體B以及與其相鄰之濺鍍靶-支持體接合體B中，一個接合體B中之任一個分割靶片A的長度與相鄰其之接合體B中之任一個分割靶片A的長度相差20mm以上
9)又，本發明提供：如上述1)之濺鍍靶組裝體，其中，於1個濺鍍靶-支持體接合體B以及與其相鄰之濺鍍靶-支持體接合體B中， 一個接合體B中之任一個分割靶片A的長度與相鄰其之接合體B中之任一個分割靶片A的長度相差50mm以上。
10)又，本發明提供：如上述1)之濺鍍靶組裝體，其中，於1個濺鍍靶-支持體接合體B以及與其相鄰之濺鍍靶-支持體接合體B中，一個接合體B中之任一個分割靶片A的長度與相鄰其之接合體B中之任一個分割靶片A的長度相差100mm以上。
經如此調整之本發明之濺鍍靶係由圓筒形之複數個靶片構成濺鍍靶，並將其貼附或設置於圓筒狀或柱狀之支持體上，且對該複數個靶片之形狀及排列加以設計，藉此製作濺鍍靶-支持體接合體，從而可提供一種能降低歸因於靶片黏接部之微粒產生所引起之不良之由濺鍍靶-支持體接合體構成的濺鍍靶組裝體，尤其可提供一種FPD用濺鍍靶組裝體，其具有可提高成膜良率從而提高產品品質之較大優點。
就本發明之濺鍍靶組裝體而言，係將一張直徑為100mm以上且長度為1000mm以上之圓筒形靶，以分割線為圓周方向之方式分割成3個以上之靶片A，並將該分割靶片A黏接或設置於圓筒狀或圓柱狀之支持體上，從而構成濺鍍靶-支持體接合體B。圓筒狀或圓柱狀之支持體通常係使用強度較高之鈦或不銹鋼(SUS，Steel Use Stainless)，但對材料並無特別限制。
進而，將該接合體B排列2個以上而作為濺鍍靶組裝體。該濺鍍靶組裝體係於將各個接合體B作為濺鍍靶組裝體排列時以存在於接合體B上之3個靶片間之分割線與相鄰接之分割靶片間之分割線不處於相同位置之方式(不排列)而設置，亦可謂之為於靶(靶片)之排列結構上具有特徵之靶組件。
於濺鍍時，將接合體B排列2個以上並旋轉濺鍍靶組裝體，並且於濺鍍靶組裝體之附近一面以固定間隔維持被覆用矩形基板相互平行(間隔)一面使其移動而進行濺鍍成膜。於基板為膜之情形時，亦可在捲繞於輥之基板(膜)上成膜。
濺鍍靶組裝體之旋轉速度與基板之移動速度通常為相同速度，但亦可變更該速度。當進行成膜時，濺鍍靶組裝體會發生磨耗，但於該情形時加快濺鍍靶組裝體之旋轉速度而可維持相同成膜速度。
通常係將柱狀濺鍍靶組裝體配置為縱型(垂直)，並且亦同樣呈縱型地移動基板而成膜，但亦可水平地配置柱狀濺鍍靶組裝體，同樣亦水平地移動基板而成膜。又，亦可使兩者傾斜而成膜。該配置之形態為任意。
以上發明適合作為FPD用濺鍍靶，其較少產生微粒，可提高良率，為具有與平板狀大型濺鍍靶組件同等之功能者。該發明之濺鍍靶組件之較大特徵在於可小型化。
圖1係表示將於圓筒狀支持體上安裝有長度相同之5個靶片之靶接合體X、及於圓筒狀支持體上安裝有長度相同 之9個靶片之靶接合體Y排列2個而得之濺鍍靶組裝體之代表例。
於各靶片之間，沿圓周方向存在分割線。該分割線係為了單個地製作靶片而出現之間隙。如此一來，於本發明中，係利用以下靶-支持材接合體以相錯離之方式進行組合，藉此可使歸因於分割線部分之微粒分散從而提高良率，該靶-支持材接合體係以改變靶片之長度使得排列靶時之靶片間之分割線相錯離之方式組合而成。
又，本發明之濺鍍裝置可於1個濺鍍靶-支持體接合體B中，將各分割靶片A之長度之差異設定為20mm以上或50mm以上，進而可設定為100mm以上。
本發明之濺鍍靶組裝體可達成該等條件。其目的在於根據靶之材質改變靶片之尺寸而進行組裝。濺鍍靶組裝體之尺寸並無特別限制，但自於靶片內側設置冷卻機構及濺鍍過程中之磁場控制用磁石之理由考慮，直徑通常為100~200mm。長度係根據成膜對象之基板尺寸而變化，但通常使用1000~3000mm左右者。
又，本發明之濺鍍靶組裝體，較佳為1個濺鍍靶-支持體接合體B之靶片間之分割線與相鄰接之濺鍍靶-支持體接合體B之靶片間之分割線平行，且將該鄰接之接合位置之平行間隔設定為20mm以上或50mm以上，進而設定為100mm以上。其目的亦在於儘量使靶片之接合位置不排列，而以相錯離之方式組合。
進而，本發明中，1個濺鍍靶-支持體接合體可由3個 以上之圓筒形靶片A，且為尺寸相同之3個以上之靶片A構成。
就靶之生產率來看，可謂較佳為相同形狀之靶片A。其原因在於不同形狀之靶片之製造會導致製造成本增加。本申請案發明之靶片A均為圓筒形，具有不存在如上述專利文獻所示般之煩雜及製造成本之增加之優點。
又，於本發明之情形時，具有以下優點：若相鄰之濺鍍靶-支持體接合體X、Y之分割線不重疊(不在同一直線上)，則圓筒形狀之靶片A為2種即可。
如下述實施例所示，可將靶片A製作為尺寸不同之圓筒形靶片A1、A2之2種，並將其等分別配置於圓筒形或圓柱狀之支持體。繼而，將該濺鍍靶-支持體接合體X、Y每隔開一個而配置便可。
該等組合與相鄰接之濺鍍靶-支持體接合體之位置關係為各靶片間之分割線並不排列。該情況表示於本發明之情形時，相同形狀之靶片A最少為2種即可，從而可降低製造成本者。
又，亦可製作3種以上分割線不排列之不同尺寸之圓筒形靶片而排列圓筒形靶片A。該配置形態為任意。
實施例
以下，基於實施例及比較例進行說明。再者，本實施例僅為一例，並不藉由該例加以任何限制。即，本發明僅由申請專利範圍限制，並包含本發明所含之實施例以外之各種變形。
(實施例1)
藉由黏接長度為將內徑φ 135×外徑φ 153、長度1364mm之圓筒靶分割成5等分(1個靶片之長度為272mm)及分割成9等分(長度為151mm)之靶片而如圖1所示般接合至圓筒形支持體(於圖1中表示為支持管。)，製作出2種濺鍍靶-支持體接合體X、Y。
如圖1左側之圖所示，於將其等並列時，靶片間之分割線相錯離。組裝該2種濺鍍靶-支持體接合體X、Y而作為濺鍍靶組裝體。
使用該濺鍍靶組裝體且利用輥對輥(Roll to Roll)法於膜上進行成膜，並切出1200×3000mm之範圍而測定微粒數。將膜基板分為均等之4個區域而測定微粒數。
其結果，如圖1之右側所示般，微粒數處於12~16個之範圍內，可作為產品充分使用。
(比較例1)
藉由黏接長度為將內徑φ 135×外徑φ 153、長度1364mm之圓筒靶分割成7等分(1個靶片之長度為194mm)之靶片而如圖2所示般接合至圓筒形支持體(於圖2中表示為支持管。)，製作出2個相同形態之濺鍍靶-支持體接合體。
如圖2之左側之圖所示，於將其等並列時，靶片間之分割線處於同一條線上。組裝該2個濺鍍靶-支持體接合體而作為濺鍍靶組裝體。
使用該濺鍍靶組裝體且利用輥對輥法於膜上進行成 膜，並切出1200×3000mm之範圍而測定微粒數。將膜基板分為均等之4個區域而測定微粒數。
其結果，如圖2之右側所示，微粒數分散為7個、10個、18個、24個。微粒產生數較少之部分較好，但較多之處則不佳。作為產品並不充分。
(實施例2)
圖3係表示將由內徑為φ 100~135mm、壁厚為5~20mm且長度為100~500mm之ITO所構成之圓筒靶分割為7等分而得之靶片嵌合於圓筒形支持體上而作為濺鍍靶-支持體接合體之例。於該情形時，在相鄰之靶片間，圓周方向之分割線(接口部)於20~50mm之範圍內錯離而作為濺鍍靶-支持體接合體。然而，其係每隔一個即為相同結構之濺鍍靶-支持體接合體。於該例中，微粒之產生亦與實施例1相同。
(比較例2)
圖4係表示將由內徑為φ 100~135mm、壁厚為5~20mm且長度為100~500mm之ITO所構成之圓筒靶分割為7等分而得之靶片嵌合於圓筒形支持體上而作為濺鍍靶-支持體接合體之例。於該情形時，在相鄰之靶片間，圓周方向之分割線(接口部)處於同一條線上而作為濺鍍靶-支持體接合體。於該例中，微粒之產生亦與比較例1相同。
根據上述實施例及比較例可知，藉由改變構成圓筒形濺鍍靶之各靶片之長度使得於各支持體上排列靶時之靶片間之分割線針對各靶相錯離地進行組合，而使歸因於各靶 片圓周方向之分割線之微粒分散之事宜極為重要，具有可提高產品良率之較大優點。只要排列靶時之相鄰靶片間之分割線不處於同一條線上，則濺鍍靶-支持體接合體之個數可任意設定。
[產業上之可用性]
本發明之由濺鍍靶-支持材所構成之大型濺鍍靶組裝體係以矩形之複數個靶片A之形式將濺鍍靶黏接於各支持材上從而構成接合體B，並對該複數個靶片之形狀及排列加以設計，藉此具有可降低歸因於靶片間之分割線之微粒產生所引起之不良率之優異效果，因此作為用於製造大型FPD之聯體方式濺鍍裝置用濺鍍靶組件尤其有用。
A‧‧‧靶片
B‧‧‧濺鍍靶-支持體接合體
X、Y‧‧‧濺鍍靶-支持體接合體(靶組裝體)
圖1係表示使用實施例1之由濺鍍靶-支持體接合體所構成之濺鍍靶組裝體進行成膜之情形時之微粒產生狀況的圖。
圖2係表示使用比較例1之由濺鍍靶-支持體接合體所構成之濺鍍靶組裝體進行成膜之情形時之微粒產生狀況的圖。
圖3係表示實施例2之為由4個濺鍍靶-支持體接合體所構成之濺鍍靶組裝體且為每隔一個即具有相同形態之組裝體之例的圖。
圖4係表示比較例2之為由4個濺鍍靶-支持體接合體所構成之濺鍍靶組裝體且為全部具有相同形態之組裝體之例的圖。
X、Y‧‧‧濺鍍靶-支持體接合體(靶組裝體)

Claims (10)

  1. 一種濺鍍靶組裝體，其係將直徑為100mm以上且長度為1000mm以上之圓筒形靶以分割線在圓周方向上與支持體之長度方向垂直的方式分割成3個以上之圓筒形靶片A，並將該分割靶片A貼合或設置於圓筒狀或圓柱狀之支持體上而構成濺鍍靶-支持體接合體B，進而，將該接合體B沿寬度方向設有間隔地排列2個以上而成；該濺鍍靶組裝體於將各個接合體B於寬度方向整列而形成為濺鍍靶組裝體時，以接合體B所存在之靶片間的分割線與相鄰接之接合體B所存在之靶片間的分割線不處於相同位置之方式進行設置。
  2. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶組裝體，其中，於1個濺鍍靶-支持體接合體B中，一個分割靶片A之長度與其他任一分割靶片A之長度的差異為20mm以上。
  3. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶組裝體，其中，於1個濺鍍靶-支持體接合體B中，一個分割靶片A之長度與其他任一分割靶片A之長度的差異為50mm以上。
  4. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶組裝體，其中，於1個濺鍍靶-支持體接合體B中，一個分割靶片A之長度與其他任一分割靶片A之長度的差異為100mm以上。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之濺鍍靶組裝體，其中，1個濺鍍靶-支持體接合體B之靶片間之分割線與相鄰接之濺鍍靶-支持體接合體B之靶片間之分割線平行，且該各別之分割線之平行間隔為20mm以上。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之濺鍍靶組裝體，其中，1個濺鍍靶-支持體接合體B之靶片間的分割線與相鄰接之濺鍍靶-支持體接合體B之靶片間的分割線平行，且該各別之分割線之平行間隔為50mm以上。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之濺鍍靶組裝體，其中，1個濺鍍靶-支持體接合體B之靶片間的分割線與相鄰接之濺鍍靶-支持體接合體B之靶片間的分割線平行，且該各別之分割線之平行間隔為100mm以上。
  8. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶組裝體，其中，於1個濺鍍靶-支持體接合體B以及與其相鄰之濺鍍靶-支持體接合體B中，一個接合體B中之任一個分割靶片A的長度與相鄰其之接合體B中之任一個分割靶片A的長度相差20mm以上。
  9. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶組裝體，其中，於1個濺鍍靶-支持體接合體B以及與其相鄰之濺鍍靶-支持體接合體B中，一個接合體B中之任一個分割靶片A的長度與相鄰其之接合體B中之任一個分割靶片A的長度相差50mm以上。
  10. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶組裝體，其中，於1個濺鍍靶-支持體接合體B以及與其相鄰之濺鍍靶-支持體接合體B中，一個接合體B中之任一個分割靶片A的長度與相鄰其之接合體B中之任一個分割靶片A的長度相差100mm以上。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6491859B2 (ja) * 2013-11-25 2019-03-27 株式会社フルヤ金属 スパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲット
CN109468600B (zh) * 2018-12-25 2021-03-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 溅射系统和沉积方法
KR102191721B1 (ko) 2019-05-02 2020-12-16 주식회사 디엔텍 트윈 구동방식의 비드밀

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1380440A (zh) * 2001-01-19 2002-11-20 W.C.贺利氏股份有限及两合公司 管形靶及生产该靶的方法
US20110031117A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Samsung Electronics Co., Ltd Sputtering target apparatus

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4443318A (en) 1983-08-17 1984-04-17 Shatterproof Glass Corporation Cathodic sputtering apparatus
JPH0517867A (ja) 1991-07-12 1993-01-26 Canon Inc スパツタリング装置のターゲツト
JPH05263234A (ja) 1992-03-19 1993-10-12 Oki Electric Ind Co Ltd ターゲット構造
JP2000328241A (ja) 1999-05-21 2000-11-28 Tosoh Corp 多分割スパッタリングターゲット
US20060006064A1 (en) 2004-07-09 2006-01-12 Avi Tepman Target tiles in a staggered array
US7550066B2 (en) * 2004-07-09 2009-06-23 Applied Materials, Inc. Staggered target tiles
JP2007119824A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Kohatsu Kogaku:Kk 回転円筒型マグネトロンスパッタリングカソード用ターゲット組立体、それを用いたスパッタリングカソード組立体及びスパッタリング装置並びに薄膜作成方法
KR101137906B1 (ko) * 2006-08-03 2012-05-03 삼성코닝정밀소재 주식회사 회전식 타겟 어셈블리
JP5103911B2 (ja) 2007-01-29 2012-12-19 東ソー株式会社 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法
US8349156B2 (en) * 2008-05-14 2013-01-08 Applied Materials, Inc. Microwave-assisted rotatable PVD
JP5482020B2 (ja) * 2008-09-25 2014-04-23 東ソー株式会社 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2011071418A1 (ru) 2009-12-09 2011-06-16 Kudriashov Vladimir Vasilievich Электросталеплавильный цех
CN103380228B (zh) 2011-02-08 2016-02-03 吉坤日矿日石金属株式会社 溅射靶组装体
JP2012255194A (ja) * 2011-06-09 2012-12-27 Panasonic Corp スパッタリング装置
DE202011104768U1 (de) * 2011-08-24 2011-11-22 Fhr Anlagenbau Gmbh Befestigung für ein längs geteiltes Rohrtarget

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1380440A (zh) * 2001-01-19 2002-11-20 W.C.贺利氏股份有限及两合公司 管形靶及生产该靶的方法
US20110031117A1 (en) * 2009-08-07 2011-02-10 Samsung Electronics Co., Ltd Sputtering target apparatus

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