JPH05263234A - ターゲット構造 - Google Patents
ターゲット構造Info
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- JPH05263234A JPH05263234A JP9338992A JP9338992A JPH05263234A JP H05263234 A JPH05263234 A JP H05263234A JP 9338992 A JP9338992 A JP 9338992A JP 9338992 A JP9338992 A JP 9338992A JP H05263234 A JPH05263234 A JP H05263234A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリング中のターゲットの表面の割れ
を防止することができるようにする。 【構成】 ターゲット１を同一の成膜材料を複数個に分
割した状態でバッキングプレート２上に形成する。例え
ば略円形状の分割片１ｅと、その分割片１ｅを除く部分
を扇状の４個の分割片１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄでターゲ
ット１を構成する。そして各分割片１ａ〜１ｅ相互がな
す隣接部分３には、ターゲット１の使用時に成膜材料が
熱応力により延びる分を考慮して所定寸法の隙間４を設
ける。さらに分割片１ａ〜１ｅの隣接部分３に対応する
各端部５は、ターゲット１を形成した際に、一方の分割
片１ａ〜１ｅが他方の隣接する分割片１ａ〜１ｅに重な
る状態となるように形成する。
を防止することができるようにする。 【構成】 ターゲット１を同一の成膜材料を複数個に分
割した状態でバッキングプレート２上に形成する。例え
ば略円形状の分割片１ｅと、その分割片１ｅを除く部分
を扇状の４個の分割片１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄでターゲ
ット１を構成する。そして各分割片１ａ〜１ｅ相互がな
す隣接部分３には、ターゲット１の使用時に成膜材料が
熱応力により延びる分を考慮して所定寸法の隙間４を設
ける。さらに分割片１ａ〜１ｅの隣接部分３に対応する
各端部５は、ターゲット１を形成した際に、一方の分割
片１ａ〜１ｅが他方の隣接する分割片１ａ〜１ｅに重な
る状態となるように形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング装置内
部のバッキングプレート上に形成された成膜材料からな
るターゲットの構造に関するものである。
部のバッキングプレート上に形成された成膜材料からな
るターゲットの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６、図７はそれぞれ、従来のスパッタ
リング装置のターゲット構造を示した平面図、側面図で
ある。図例の如くこのターゲット部分は、内部に水冷機
構（図示せず）を備えた円板状のバッキングプレート１
１と、バッキングプレート１１上に形成させた成膜材
料、例えば金属からなるターゲット１０とで構成されて
いる。上記バッキングプレート１１の利用は、使用済み
の成膜材料を交換することによりターゲット１０を再生
できるという利点と、成膜工程が容易になるという利点
を備え持っている。
リング装置のターゲット構造を示した平面図、側面図で
ある。図例の如くこのターゲット部分は、内部に水冷機
構（図示せず）を備えた円板状のバッキングプレート１
１と、バッキングプレート１１上に形成させた成膜材
料、例えば金属からなるターゲット１０とで構成されて
いる。上記バッキングプレート１１の利用は、使用済み
の成膜材料を交換することによりターゲット１０を再生
できるという利点と、成膜工程が容易になるという利点
を備え持っている。
【０００３】一方、ターゲット１０は、成膜の際のステ
ップカバレッジを向上させるため例えば平面視略円形の
プレーナ型（平板型）に形成されており、その直径Ｌは
ウエハ上に形成する膜厚の均一性を向上させるためにウ
エハの直径よりも大きく設定されている。例えば直径５
インチ（約１２５ｍｍ）のウエハの場合、ターゲット１
０の直径Ｌはおよそ２３０〜３００ｍｍ程度となってい
る。このようなターゲット部分を備えたスパッタリング
装置においては、良好なコンタクト埋め込みが実現で
き、しかも膜厚が均一な薄膜をウエハ上に安価に形成す
ることが可能となる。
ップカバレッジを向上させるため例えば平面視略円形の
プレーナ型（平板型）に形成されており、その直径Ｌは
ウエハ上に形成する膜厚の均一性を向上させるためにウ
エハの直径よりも大きく設定されている。例えば直径５
インチ（約１２５ｍｍ）のウエハの場合、ターゲット１
０の直径Ｌはおよそ２３０〜３００ｍｍ程度となってい
る。このようなターゲット部分を備えたスパッタリング
装置においては、良好なコンタクト埋め込みが実現で
き、しかも膜厚が均一な薄膜をウエハ上に安価に形成す
ることが可能となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところがターゲット１
０を構成する成膜材料がＳｉのような高融点金属である
場合、成膜材料とバッキングプレート１１の材料との熱
伝導率及び熱膨張係数には大きな差が生じるため、上記
した如くターゲット部分が構成されていると、成膜材料
に成膜材料の降伏応力を越える応力が加わってしまうと
いう問題が発生していた。そして成膜材料に降伏応力を
越える応力が加わることによって、スパッタリング中に
ターゲット１０の表面が割れてしまい、これがパーティ
クル増加の大きな一因となっていた。またターゲット１
０の表面が割れると、割れた部分が優先的にスパッタリ
ングされていき、下のバッキングプレート１１までスパ
ッタリングされてしまうという問題も生じていた。さら
に、スパッタリング時においてはスパッタリング装置内
が高真空状態であることや、バッキングプレート１１内
部の水冷機構を循環する水の圧力がターゲット１０にせ
ん断応力として加わること等もターゲット１０の表面割
れの原因となっていた。本発明は上記課題に鑑みてなわ
れたものであり、スパッタリング中の表面の割れを防止
することができるターゲット構造を提供することを目的
としている。
０を構成する成膜材料がＳｉのような高融点金属である
場合、成膜材料とバッキングプレート１１の材料との熱
伝導率及び熱膨張係数には大きな差が生じるため、上記
した如くターゲット部分が構成されていると、成膜材料
に成膜材料の降伏応力を越える応力が加わってしまうと
いう問題が発生していた。そして成膜材料に降伏応力を
越える応力が加わることによって、スパッタリング中に
ターゲット１０の表面が割れてしまい、これがパーティ
クル増加の大きな一因となっていた。またターゲット１
０の表面が割れると、割れた部分が優先的にスパッタリ
ングされていき、下のバッキングプレート１１までスパ
ッタリングされてしまうという問題も生じていた。さら
に、スパッタリング時においてはスパッタリング装置内
が高真空状態であることや、バッキングプレート１１内
部の水冷機構を循環する水の圧力がターゲット１０にせ
ん断応力として加わること等もターゲット１０の表面割
れの原因となっていた。本発明は上記課題に鑑みてなわ
れたものであり、スパッタリング中の表面の割れを防止
することができるターゲット構造を提供することを目的
としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明のターゲット構造は、同一の成膜材料を複数個
に分割した状態でバッキングプレート上に形成するよう
にしたものである。また上記ターゲット構造において、
前記分割された成膜材料相互がなす隣接部分に所定寸法
の隙間を設け、かつ前記隣接部分においては一方の成膜
材料が他方の隣接する成膜材料に重なる状態で形成する
ようにしたものである。
に本発明のターゲット構造は、同一の成膜材料を複数個
に分割した状態でバッキングプレート上に形成するよう
にしたものである。また上記ターゲット構造において、
前記分割された成膜材料相互がなす隣接部分に所定寸法
の隙間を設け、かつ前記隣接部分においては一方の成膜
材料が他方の隣接する成膜材料に重なる状態で形成する
ようにしたものである。
【０００６】
【作用】本発明のターゲットによれば、成膜材料が複数
個に分割されているので、ターゲットに加わる冷却水圧
によるせん断応力が分散される。またターゲットとバッ
キングプレートの材料との熱伝導率及び熱膨張係数の差
によって生じる熱応力も分散される。すなわちターゲッ
トに応力が集中して加わらず、各分割された成膜材料の
湾曲や延びが少なくなる。しかも分割された成膜材料相
互がなす隣接部分には所定寸法の隙間が設けられている
ので、各分割された成膜材料のわずかな湾曲や延びが前
記隙間で吸収され、スパッタリング中に分割された成膜
材料同士が接触することが防止される。さらに前記隣接
部分においては一方の成膜材料が他方の隣接する成膜材
料に重なる状態で形成されているので、隙間からバッキ
ングプレートが直接スパッタリングされることがない。
個に分割されているので、ターゲットに加わる冷却水圧
によるせん断応力が分散される。またターゲットとバッ
キングプレートの材料との熱伝導率及び熱膨張係数の差
によって生じる熱応力も分散される。すなわちターゲッ
トに応力が集中して加わらず、各分割された成膜材料の
湾曲や延びが少なくなる。しかも分割された成膜材料相
互がなす隣接部分には所定寸法の隙間が設けられている
ので、各分割された成膜材料のわずかな湾曲や延びが前
記隙間で吸収され、スパッタリング中に分割された成膜
材料同士が接触することが防止される。さらに前記隣接
部分においては一方の成膜材料が他方の隣接する成膜材
料に重なる状態で形成されているので、隙間からバッキ
ングプレートが直接スパッタリングされることがない。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係るターゲット構造の実施例
を図面に基づいて説明する。図１は本発明のスパッタリ
ング装置のターゲット構造の一例を示した平面図であ
り、図２は図１におけるＡ−Ａ線断面図である。図中１
は例えばＳｉの成膜材料からなるターゲット１であり、
ターゲット１はＳｉが複数個、例えば５個に分割された
状態でＣｕ等からなるバッキングプレート２上に形成さ
れている。そして、全体として例えば直径Ｌ３００ｍｍ
程度の平面視略円形のプレーナ型（平板型）となってい
る。すなわちターゲット１は、バッキングプレート２の
略中心に配された直径約１００ｍｍの略円形状の分割片
１ｅと、その分割片１ｅを除く部分を略９０°ずつ分割
した扇状の４個の分割片１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄとから
なっている。また各分割片１ａ〜１ｅ相互がなす隣接部
分３には、ターゲット１の使用時に成膜材料が熱応力に
より延びる分を考慮して所定寸法、例えば２．０ｍｍ程
度の隙間４が設けられている。
を図面に基づいて説明する。図１は本発明のスパッタリ
ング装置のターゲット構造の一例を示した平面図であ
り、図２は図１におけるＡ−Ａ線断面図である。図中１
は例えばＳｉの成膜材料からなるターゲット１であり、
ターゲット１はＳｉが複数個、例えば５個に分割された
状態でＣｕ等からなるバッキングプレート２上に形成さ
れている。そして、全体として例えば直径Ｌ３００ｍｍ
程度の平面視略円形のプレーナ型（平板型）となってい
る。すなわちターゲット１は、バッキングプレート２の
略中心に配された直径約１００ｍｍの略円形状の分割片
１ｅと、その分割片１ｅを除く部分を略９０°ずつ分割
した扇状の４個の分割片１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄとから
なっている。また各分割片１ａ〜１ｅ相互がなす隣接部
分３には、ターゲット１の使用時に成膜材料が熱応力に
より延びる分を考慮して所定寸法、例えば２．０ｍｍ程
度の隙間４が設けられている。
【０００８】各分割片１ａ〜１ｄの概略平面図、内側側
面図、外側側面図をそれぞれ図３、図４、図５に示す。
なお、ここでは分割片１ａを例にとって説明する。図例
の如く分割片１ａの隣接部分３に対応する端部５は、上
記の如くターゲット１を形成した際に、分割片１ａと分
割片１ａに隣接する他方の分割片１ｄ、１ｂ、１ｅとが
重なり合うように形成されている。つまり、分割片１ａ
の隣接部分３に対応する端部５は階段状に形成され、分
割片１ａには同様に隣接部分３に対応する端部５が階段
状に形成された分割片１ｄ、１ｂ、１ｅが、隙間４を隔
てて重なった状態で配され、全体として平板状となるよ
うに形成されている。
面図、外側側面図をそれぞれ図３、図４、図５に示す。
なお、ここでは分割片１ａを例にとって説明する。図例
の如く分割片１ａの隣接部分３に対応する端部５は、上
記の如くターゲット１を形成した際に、分割片１ａと分
割片１ａに隣接する他方の分割片１ｄ、１ｂ、１ｅとが
重なり合うように形成されている。つまり、分割片１ａ
の隣接部分３に対応する端部５は階段状に形成され、分
割片１ａには同様に隣接部分３に対応する端部５が階段
状に形成された分割片１ｄ、１ｂ、１ｅが、隙間４を隔
てて重なった状態で配され、全体として平板状となるよ
うに形成されている。
【０００９】従って、例えば分割片１ａと分割片１ｄと
の隣接部分３において、分割片１ａの端部５の下面に分
割片１ｄの端部５が重ね合わされた場合では、ターゲッ
ト１の使用中にこの隣接部分３の分割片１ａの端部５が
スパッタリングされても、その下面の分割片１ｄの端部
５がスパッタリングされることとなるので、バッキング
プレート２が直接スパッタリングされることはない。な
お分割片１ａの隣接部分３に対応する端部５を階段状に
形成するのは、成形し易いという点及びスパッタリング
時の耐久性という点で有効である。
の隣接部分３において、分割片１ａの端部５の下面に分
割片１ｄの端部５が重ね合わされた場合では、ターゲッ
ト１の使用中にこの隣接部分３の分割片１ａの端部５が
スパッタリングされても、その下面の分割片１ｄの端部
５がスパッタリングされることとなるので、バッキング
プレート２が直接スパッタリングされることはない。な
お分割片１ａの隣接部分３に対応する端部５を階段状に
形成するのは、成形し易いという点及びスパッタリング
時の耐久性という点で有効である。
【００１０】このように構成されたスパッタリング装置
のターゲット１と、図６に示した従来のターゲット１０
とについて、スパッタリング時における延びの比較と、
湾曲量の比較を行った結果を以下に述べる。例えば本実
施例のターゲット１と同様に、従来のターゲット１０の
成膜材料をＳｉ、バッキングプレート１１の材料をＣ
ｕ、ターゲット１０の直径を３００ｍｍとし、またスパ
ッタリング中のターゲット１、１０の表面温度を７０℃
とする。すると、従来のターゲット１０ではＳｉ中の歪
みが（線膨張係数）×（温度差）より最大で２．４×１
０-3となり、ターゲット１０の直径は約０．７１ｍｍ延
びることとなる。これに対し本実施例のターゲット１で
は、スパッタリング中のターゲット１の分割片１ｅのＳ
ｉの歪みは２．４×１０-3となり、分割片１ｅの直径は
約０．２４ｍｍ延びる。同様に分割片１ａ〜１ｄは約
０．５ｍｍ延びることになるが、各分割片１ａ〜１ｅ相
互がなす隣接部分３には、約２．０ｍｍ程度の隙間４が
設けられているので、スパッタリング中において各分割
片１ａ〜１ｅは互いに接触しない。
のターゲット１と、図６に示した従来のターゲット１０
とについて、スパッタリング時における延びの比較と、
湾曲量の比較を行った結果を以下に述べる。例えば本実
施例のターゲット１と同様に、従来のターゲット１０の
成膜材料をＳｉ、バッキングプレート１１の材料をＣ
ｕ、ターゲット１０の直径を３００ｍｍとし、またスパ
ッタリング中のターゲット１、１０の表面温度を７０℃
とする。すると、従来のターゲット１０ではＳｉ中の歪
みが（線膨張係数）×（温度差）より最大で２．４×１
０-3となり、ターゲット１０の直径は約０．７１ｍｍ延
びることとなる。これに対し本実施例のターゲット１で
は、スパッタリング中のターゲット１の分割片１ｅのＳ
ｉの歪みは２．４×１０-3となり、分割片１ｅの直径は
約０．２４ｍｍ延びる。同様に分割片１ａ〜１ｄは約
０．５ｍｍ延びることになるが、各分割片１ａ〜１ｅ相
互がなす隣接部分３には、約２．０ｍｍ程度の隙間４が
設けられているので、スパッタリング中において各分割
片１ａ〜１ｅは互いに接触しない。
【００１１】従って、各分割片１ａ〜１ｅの隣接部分３
に対応する端部５同士が接触することがなく、接触によ
るパーティクルの発生が防止される。またバッキングプ
レート２、１１内部の冷却機構の冷却水圧を３×１０8
ｄｙｎ／ｃｍ2 とすると、Ｃｕの剛性率が５．２×１０
11ｄｙｎ／ｃｍ2 、（せん断応力）＝（剛性率）×（歪
み）より、バッキングプレート２、１１は８．６×１０
-3ｃｍ湾曲する。従来のターゲット１０では、成膜材料
であるＳｉが分割されていないため、Ｓｉは最大で８．
６×１０-3ｃｍ湾曲する。一方、本実施例のターゲット
１ではＳｉが５個に分割された状態で形成されているの
で、冷却水圧によるせん断応力が分散され、各分割片１
ａ〜１ｅにおける湾曲量は小さくなる。例えば分割片１
ｅにおける湾曲量は、直径が１００ｍｍ程度であること
から、最大２．９×１０-3ｃｍである。
に対応する端部５同士が接触することがなく、接触によ
るパーティクルの発生が防止される。またバッキングプ
レート２、１１内部の冷却機構の冷却水圧を３×１０8
ｄｙｎ／ｃｍ2 とすると、Ｃｕの剛性率が５．２×１０
11ｄｙｎ／ｃｍ2 、（せん断応力）＝（剛性率）×（歪
み）より、バッキングプレート２、１１は８．６×１０
-3ｃｍ湾曲する。従来のターゲット１０では、成膜材料
であるＳｉが分割されていないため、Ｓｉは最大で８．
６×１０-3ｃｍ湾曲する。一方、本実施例のターゲット
１ではＳｉが５個に分割された状態で形成されているの
で、冷却水圧によるせん断応力が分散され、各分割片１
ａ〜１ｅにおける湾曲量は小さくなる。例えば分割片１
ｅにおける湾曲量は、直径が１００ｍｍ程度であること
から、最大２．９×１０-3ｃｍである。
【００１２】以上の結果から明らかなように本実施例の
ターゲット１は、成膜材料であるＳｉが複数個に分割さ
れているので、冷却水圧によりターゲット１に加わるせ
ん断応力や、ターゲット１とバッキングプレート２の材
料との熱伝導率及び熱膨張係数の差によって生じる熱応
力を分散することができる。すなわち、これら応力がタ
ーゲット１に集中して加わるのを防止することができる
こととなり、応力によって生じるターゲット１の各分割
片１ａ〜１ｅの延びや湾曲を減少させることができる。
また、各分割片１ａ〜１ｅの隣接部分３には所定寸法の
隙間４が形成されているので、ターゲット１の各分割片
１ａ〜１ｅのわずかな延びや湾曲を吸収することがで
き、スパッタリング中の各分割片１ａ〜１ｅの接触を防
ぐことができる。従って、スパッタリング中に発生して
いたターゲット１の表面割れを防止することができ、タ
ーゲット１からのパーティクルの発生を抑制することが
できる。
ターゲット１は、成膜材料であるＳｉが複数個に分割さ
れているので、冷却水圧によりターゲット１に加わるせ
ん断応力や、ターゲット１とバッキングプレート２の材
料との熱伝導率及び熱膨張係数の差によって生じる熱応
力を分散することができる。すなわち、これら応力がタ
ーゲット１に集中して加わるのを防止することができる
こととなり、応力によって生じるターゲット１の各分割
片１ａ〜１ｅの延びや湾曲を減少させることができる。
また、各分割片１ａ〜１ｅの隣接部分３には所定寸法の
隙間４が形成されているので、ターゲット１の各分割片
１ａ〜１ｅのわずかな延びや湾曲を吸収することがで
き、スパッタリング中の各分割片１ａ〜１ｅの接触を防
ぐことができる。従って、スパッタリング中に発生して
いたターゲット１の表面割れを防止することができ、タ
ーゲット１からのパーティクルの発生を抑制することが
できる。
【００１３】さらに分割片１ａ〜１ｅの隣接部分３に対
応する各端部５は、ターゲット１を形成した際に、一方
の分割片１ａ〜１ｅが他方の隣接する分割片１ａ〜１ｅ
に重なる状態で形成されているので、たとえスパッタリ
ング中に隣接部分３の隙間４から優先的にスパッタリン
グされてしまっても、バッキングプレート２が直接スパ
ッタリングされることがない。従って、バッキングプレ
ート２の維持費の増加を抑制することができる。なお、
本実施例ではターゲット１を例えば５個に分割した状態
でバッキングプレート２上に形成した場合を述べたが、
本実施例に限定されるものでなく、ターゲット１はその
大きさや材料等に応じていくつにも分割した状態で、し
かも種々の形状に分割した状態で形成することができ
る。また、本実施例では各分割片１ａ〜１ｅの連結部分
間に設けられる隙間を２．０ｍｍ程度としたが、例えば
直径３００ｍｍ程度のターゲット１の場合では、０．４
ｍｍ以上形成されていれば良く、この実施例に限定され
ないのは言うまでもない。
応する各端部５は、ターゲット１を形成した際に、一方
の分割片１ａ〜１ｅが他方の隣接する分割片１ａ〜１ｅ
に重なる状態で形成されているので、たとえスパッタリ
ング中に隣接部分３の隙間４から優先的にスパッタリン
グされてしまっても、バッキングプレート２が直接スパ
ッタリングされることがない。従って、バッキングプレ
ート２の維持費の増加を抑制することができる。なお、
本実施例ではターゲット１を例えば５個に分割した状態
でバッキングプレート２上に形成した場合を述べたが、
本実施例に限定されるものでなく、ターゲット１はその
大きさや材料等に応じていくつにも分割した状態で、し
かも種々の形状に分割した状態で形成することができ
る。また、本実施例では各分割片１ａ〜１ｅの連結部分
間に設けられる隙間を２．０ｍｍ程度としたが、例えば
直径３００ｍｍ程度のターゲット１の場合では、０．４
ｍｍ以上形成されていれば良く、この実施例に限定され
ないのは言うまでもない。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明のターゲット
構造においては、成膜材料が複数個に分割された状態で
形成されているので、冷却水圧によるせん断応力や、タ
ーゲットとバッキングプレートの材料との熱伝導率及び
熱膨張係数の差によって生じる熱応力がターゲットに集
中して加わるのを防止することができる。この結果、応
力によって生じる各分割された成膜材料の湾曲や延びが
少なくなるため、スパッタリング中のターゲットの表面
割れを防ぐことができ、ターゲットからのパーティクル
の発生を防止することができる。また分割された成膜材
料相互がなす隣接部分に所定寸法の隙間が設けられてい
ることによって、各分割された成膜材料のわずかな湾曲
や延びが前記隙間で吸収され、分割された成膜材料同士
がスパッタリング中に接触しないため、スパッタリング
中のターゲットの表面割れが確実に防止される。従っ
て、ターゲットからのパーティクルの発生をより確実に
防止することができ、良好な半導体素子を形成すること
ができる。
構造においては、成膜材料が複数個に分割された状態で
形成されているので、冷却水圧によるせん断応力や、タ
ーゲットとバッキングプレートの材料との熱伝導率及び
熱膨張係数の差によって生じる熱応力がターゲットに集
中して加わるのを防止することができる。この結果、応
力によって生じる各分割された成膜材料の湾曲や延びが
少なくなるため、スパッタリング中のターゲットの表面
割れを防ぐことができ、ターゲットからのパーティクル
の発生を防止することができる。また分割された成膜材
料相互がなす隣接部分に所定寸法の隙間が設けられてい
ることによって、各分割された成膜材料のわずかな湾曲
や延びが前記隙間で吸収され、分割された成膜材料同士
がスパッタリング中に接触しないため、スパッタリング
中のターゲットの表面割れが確実に防止される。従っ
て、ターゲットからのパーティクルの発生をより確実に
防止することができ、良好な半導体素子を形成すること
ができる。
【図１】本発明のターゲット構造の一例を示した平面図
である。
である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線断面図である。
【図３】分割片の概略平面図である。
【図４】分割片の内側側面図である。
【図５】分割片の外側側面図である。
【図６】従来のターゲット構造の一例を示した平面図で
ある。
ある。
【図７】従来のターゲット構造の側面図である。
１ ターゲット １ａ〜１ｅ 分割片 ２ バッキングプレート ３ 隣接部分 ４ 隙間
Claims (2)
- 【請求項１】 バッキングプレート上に形成された成膜
材料からなるターゲットの構造において、 同一の成膜材料が複数個に分割された状態で前記バッキ
ングプレート上に形成されていることを特徴とするター
ゲット構造。 - 【請求項２】 前記分割された成膜材料相互がなす隣接
部分には所定寸法の隙間が設けられ、かつ前記隣接部分
においては一方の成膜材料が他方の隣接する成膜材料に
重なる状態で形成されていることを特徴とする請求項１
記載のターゲット構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9338992A JPH05263234A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | ターゲット構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9338992A JPH05263234A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | ターゲット構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05263234A true JPH05263234A (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=14080960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9338992A Pending JPH05263234A (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | ターゲット構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05263234A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6143149A (en) * | 1998-05-15 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Magnetron with plurality of targets in correspondence to shield members |
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