TWI546415B - 含有稀土類元素之熔射用粉末及皮膜、以及具備前述皮膜之構件 - Google Patents
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Description
本發明係關於含有稀土類元素之熔射用粉末。本發明又關於含有稀土類元素之皮膜、及具備如此之皮膜的構件。
半導體裝置製造領域中，有時會藉由乾蝕刻之一種即電漿蝕刻來進行矽晶圓等半導體基板的微細加工。此蝕刻製程時，係有暴露於反應性電漿之半導體裝置製造裝置中的構件受到侵蝕(損傷)而產生微粒之虞。產生之微粒堆積於半導體基板上時，依照設計般實施微細加工會成為困難，或半導體基板被微粒中所含之元素污染。因而，蝕刻製程時，以往係進行於暴露於反應性電漿之構件設置含有稀土類元素之熔射皮膜，藉此保護該構件不受電漿侵蝕(plasma erosion)(例如參照專利文獻1)。
但是，即使含有稀土類元素之熔射皮膜，亦無法完全抑制微粒產生。為了極力減小微粒所致之弊害，將堆積於半導體基板上之微粒數減少係為首要，而將熔射皮膜受到電漿侵蝕時所產生之微粒的大小尺寸減小乃是有效的。因為，大小尺寸小之微粒，於蝕刻製程中一邊浮游，同時受到反應性電漿之侵蝕，最終容易因氣體化而消失，或隨著半導體裝置製造裝置內之氣流排出至外部，即可不堆積於半導體基板上。
[專利文獻1]日本特開2008-133528號公報
因而本發明之目的，係提供適於形成受到電漿侵蝕時不易產生大小尺寸大的微粒之熔射皮膜的熔射用粉末。又本發明之另一目的，係提供受到電漿侵蝕時不易產生大小尺寸大之微粒的皮膜、及於表面具備有如此皮膜之構件。
為了達成上述目的，本發明之第1態樣中，係提供含有稀土類元素、與稀土類元素以外且為氧以外之元素的第1稀釋元素之熔射用粉末。稀土類元素及第1稀釋元素係例如以氧化物之形態含於熔射用粉末中。第1稀釋元素之單一氧化物的燒結體，在於保持於133.3Pa之壓力的平行平板型電漿蝕刻裝置之腔室內，在一邊以1.055L/分鐘之流量供給將四氟化碳、氬與氧以95：950：10之體積比混合的蝕刻氣體，同時施加13.56MHz、1300W之高頻電力達20小時的蝕刻條件下之侵蝕速率，為相同蝕刻條件下之氧化釔燒結體之侵蝕速率的5倍以上。第1稀釋元素例如為由鋅、矽、硼、磷、鈦、鈣、鍶、鋇及鎂中選出之一者以上之元素。熔射用粉末亦可進一步以例如氧化物之形態含
有稀土類元素及第1稀釋元素以外且為氧以外之元素即第2稀釋元素。第2稀釋元素之單一氧化物的燒結體，在上述蝕刻條件下之侵蝕速率，為相同蝕刻條件下之氧化釔燒結體侵蝕速率之1.5倍以上、未達5倍。第2稀釋元素為例如由鋁、鋯、鉿、鈮及鉭中選出之一者以上之元素。
本發明之第2態樣中，提供將第1態樣之熔射用粉末熔射而得之皮膜。
本發明之第3態樣中，提供含有稀土類元素、與稀土類元素以外且為氧以外之元素之第1稀釋元素的皮膜。第1稀釋元素之單一氧化物之燒結體，在上述蝕刻條件下之侵蝕速率，為相同蝕刻條件下之氧化釔燒結體侵蝕速率之5倍以上。皮膜亦可進一步含有稀土類元素及第1稀釋元素以外且為氧以外之元素之第2稀釋元素。第2稀釋元素之單一氧化物之燒結體，在上述蝕刻條件下之侵蝕速率，為相同蝕刻條件下之氧化釔燒結體侵蝕速率之1.5倍以上、未達5倍。
本發明之第4態樣中，係提供於表面具備有第2態樣或第3態樣之皮膜的構件。
依照本發明，可提供適於形成受到電漿侵蝕時不易產生大小尺寸大之微粒的熔射皮膜的熔射用粉末。又，依照本發明，亦可提供受到電漿侵蝕時不易產生大小尺寸大之微粒的皮膜、及於表面具備有如此皮膜之構件。
以下、說明本發明之一實施形態。再者，本發明不受以下實施形態所限定，在不損及本發明之旨趣的範圍內可作適當變更。
本實施形態之熔射用粉末，係含有稀土類元素、與稀土類元素以外且為氧以外之元素的第1稀釋元素。第1稀釋元素係以使熔射用粉末中及將熔射用粉末熔射而得之皮膜中的稀土類元素含量之比率下降為目的來使用。
所謂稀土類元素，具體而言，係為鈧(元素符號Sc)、釔(元素符號Y)、鑭(元素符號La)、鈰(元素符號Ce)、鐠(元素符號Pr)、釹(元素符號Nd)、鉕(元素符號Pm)、釤(元素符號Sm)、銪(元素符號Eu)、釓(元素符號Gd)、鋱(元素符號Tb)、鏑(元素符號Dy)、鈥(元素符號Ho)、鉺(元素符號Er)、銩(元素符號Tm)、鐿(元素符號Yb)及鎦(元素符號Lu)。其中尤以在地殻中存在比較多之Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Gd、Dy、Er及Yb；特別是Sc、Y、La、Ce及Nd較適合。
所謂第1稀釋元素，係為例如鋅(元素符號Zn)、矽(元素符號Si)、硼(元素符號B)、磷(元素符號P)、鈦(元素符號Ti)、鈣(元素符號Ca)、鍶(元素符號Sr)、鋇(元素符號Ba)及鎂(元素符號Mg)。該等元素之氧化物之ZnO、SiO2、B2O3、P2O5、TiO2、
CaO、SrO、BaO及MgO的燒結體，在以下所說明之特定蝕刻條件下的侵蝕速率(亦即每單位時間之侵蝕量)，均為相同蝕刻條件下之氧化釔(Y2O3)燒結體之侵蝕速率的5倍以上。所謂特定之蝕刻條件，意指在保持於133.3Pa(1000mTorr)之壓力的平行平板型電漿蝕刻裝置之腔室內，一邊以1.055L/分鐘(1055sccm)之流量供給將四氟化碳(CF4)、氬與氧以95：950：10之體積比混合的蝕刻氣體，同時施加13.56MHz、1300W之高頻電力達20小時。
熔射用粉末中之稀土類元素的含量，較佳以氧化物換算為20mol%以上、更佳為25mol%以上、又更佳為30mol%以上、特佳為35mol%以上。稀土類元素氧化物等之稀土類元素的化合物其化學安定性高、耐電漿侵蝕性優良。因此，隨著熔射用粉末中之稀土類元素的含量增高，使熔射用粉末熔射而得之皮膜的耐電漿侵蝕性會有提高的傾向。
又，熔射用粉末中之稀土類元素的含量，較佳以氧化物換算為90mol%以下、更佳為80mol%以下、又更佳為70mol%以下、特佳為60mol%以下。稀土類元素為高價格，且產地集中少數地區，故於稀土類元素亦有供給不穩定的一面。此點，隨著熔射用粉末中之稀土類元素含量減低，熔射用粉末之原料供給風險會減少而有利。
熔射用粉末中之第1稀釋元素的含量，較佳以氧化物換算為5mol%以上、更佳為10mol%以上、又更佳為15mol%、特佳為20mol%以上。隨著熔射用粉末中之第1
稀釋元素的含量增高，將熔射用粉末熔射而得之皮膜受到電漿侵蝕時所產生之微粒的大小尺寸會變小。其理由可認為係相較於稀土類元素之化合物，第1稀釋元素之化合物的耐電漿侵蝕性低，故藉由添加此第1稀釋元素，於皮膜中容易受到電漿之攻撃的弱點係分散而存在之故。相對於此，於皮膜中弱點不分散的情況時，電漿之攻擊集中於皮膜中之少數的弱點，其結果，會有大小尺寸大之微粒產生的可能性。
又，熔射用粉末中之第1稀釋元素之含量，較佳以氧化物換算為60mol%以下、更佳為50mol%以下、又更佳為40mol%以下、特佳為30mol%以下。如先前亦有敘述者，第1稀釋元素之化合物其耐電漿侵蝕性較低。因此，隨著熔射用粉末中之第1稀釋元素的含量減低，將熔射用粉末熔射而得之皮膜之耐電漿侵蝕性會提高。
熔射用粉末，亦可進一步含有稀土類元素及第1稀釋元素以外且為氧以外之元素之第2稀釋元素。第2稀釋元素亦與第1稀釋元素同樣地，係以將熔射用粉末中及將熔射用粉末熔射而得之皮膜中之稀土類元素含量之比率下降為目的來使用。此第2稀釋元素，係為例如鋁(元素符號Al)、鋯(元素符號Zr)、鉿(元素符號Hf)、鈮(元素符號Nb)及鉭(元素符號Ta)。該等元素之氧化物之Al2O3、ZrO2、HfO2、Nb2O5及Ta2O5的燒結體，在如先前說明之特定蝕刻條件下之侵蝕速率，均為相同蝕刻條件下之氧化釔燒結體侵蝕速率之1.5倍以上、未達5倍。
熔射用粉末中之第2稀釋元素之含量，較佳以氧化物換算為10mol%以上、更佳為15mol%以上、又更佳為20mol%以上、特佳為25mol%以上。隨著熔射用粉末中之第2稀釋元素之含量增高，藉由具有稀土類元素之化合物與第1稀釋元素之化合物之間的耐電漿侵蝕性之第2稀釋元素之化合物的作用，皮膜中之弱點會進一步適度地被分散，藉此將熔射用粉末熔射而得之皮膜受到電漿侵蝕時所產生之微粒之大小尺寸會更加變小。
又，熔射用粉末中之第2稀釋元素之含量，較佳以氧化物換算為70mol%以下、更佳為60mol%以下、又更佳為50mol%以下、特佳為40mol%以下。隨著熔射用粉末中之第2稀釋元素之含量變低，藉由使熔射用粉末中之稀土類元素含量相對地增高，將熔射用粉末熔射而得之皮膜之耐電漿侵蝕性會有提高的傾向。
熔射用粉末係例如由稀土類元素之化合物與第1稀釋元素之化合物的混合物、或由含有稀土類元素與第1稀釋元素之化合物或固溶體所形成。稀土類元素之化合物之典型例為稀土類元素氧化物。第1稀釋元素之化合物的典型例為同元素之氧化物。含有稀土類元素與第1稀釋元素之化合物或固溶體的典型例為稀土類元素與第1稀釋元素之複合氧化物。若熔射用粉末含有第2稀釋元素的情況時，熔射用粉末係例如由稀土類元素之化合物、第1稀釋元素之化合物與第2稀釋元素之化合物的混合物；或由含有稀土類元素、第1稀釋元素與第2稀釋元素之化合物或固溶
體所形成。
熔射用粉末係例如藉由使由稀土類元素氧化物等之稀土類元素的化合物所構成的粉末與由第1稀釋元素之化合物(例如氧化物)所構成之粉末混合，且必要時進一步混合第2稀釋元素之化合物(例如氧化物)來製造。所使用之稀土類元素化合物的粉末，較佳為以雷射散射．繞射式之粒度分布測定器測定之粒子徑為10 μm以下、進一步而言為6 μm以下、3 μm以下或1 μm以下之粒子以粉末中之體積比計佔90%以上。藉由使用粒度細者作為稀土類元素化合物之粉末，可使將熔射用粉末熔射而得之皮膜受到電漿侵蝕時所產生之微粒的大小尺寸減小。其理由可認為係因為皮膜中之稀土類元素化合物部分及第2族元素化合物部分當中稀土類元素化合物部分之大小尺寸減小。
或，亦可藉由將含有稀土類元素之化合物或單質之粉末與第1稀釋元素之化合物或單質之粉末，且必要時進一步含有第2稀釋元素之化合物或單質的原料粉末造粒並燒結以製造熔射用粉末。此時，即使稀土類元素、第1稀釋元素及第2稀釋元素分別以氧化物以外之形態、例如單質或氫氧化物、鹽之形態存在於原料粉末中的情況，亦可於燒結之過程將該等轉換為氧化物。
在製造由藉由原料粉末之造粒及燒結而得之造粒-燒結粒子所構成之熔射用粉末時，原料粉末之造粒，可將藉由使適當的分散媒與原料粉末混合，依照需要添加黏合劑而成之糊漿噴霧造粒來進行、亦可藉由轉動造粒或壓縮造
粒由原料粉末直接進行。造粒後之原料粉末的燒結，可於大氣中、氧環境中、真空中及惰性氣體環境中之任意者中進行。惟，為了使以氧化物以外之形態存在之原料粉末中的元素轉換為氧化物，較佳為在大氣中或氧環境中進行。燒結溫度雖無特殊限定，但較佳為1000~1700℃、更佳為1100~1700℃、又更佳為1200~1700℃。燒結時之最高溫度保持時間雖亦無特殊限定，但較佳為10分鐘~24小時、更佳為30分鐘~24小時、又更佳為1~24小時。
本實施形態之熔射用粉末，係以藉由電漿熔射法、高速火焰熔射法、火焰熔射法、爆發熔射法、氣溶膠沈積法等熔射法於半導體裝置製造裝置中之構件或其他構件之表面形成皮膜的用途中使用。將含有稀土類元素與第1稀釋元素之熔射用粉末熔射而得之皮膜中，稀土類元素與第1稀釋元素係以氧化物等之化合物的形態而含有。將含有稀土類元素、第1稀釋元素與第2稀釋元素之熔射用粉末熔射而得之皮膜中，稀土類元素、第1稀釋元素與第2稀釋元素係以氧化物等之化合物的形態而含有。
熔射皮膜中之稀土類元素化合物部分，較佳為以場致發射型掃描電子顯微鏡之反射電子像觀察的大小尺寸為20 μm2以下、更佳為2 μm2以下、又更佳為0.2 μm2以下、特佳為0.02 μm2以下。隨著稀土類元素化合物部分之大小尺寸減小，可使受到電漿侵蝕時由熔射皮膜所產生之微粒的大小尺寸減小。
熔射皮膜之厚度並無特殊限定，可為例如30~1000 μm
。惟較佳為50~500 μm、更佳為80~300 μm。
依照本實施形態可得到以下之作用及效果。
．本實施形態之熔射用粉末，係含有稀土類元素、與稀土類元素以外且為氧以外之第1稀釋元素。第1稀釋元素之單一氧化物之燒結體，在特定蝕刻條件下之侵蝕速率，係為相同蝕刻條件下之氧化釔燒結體侵蝕速率之5倍以上。因此，含有將此熔射用粉末熔射而得之稀土類元素與第1稀釋元素之皮膜，在作為稀土類元素所致效果而具有高耐電漿侵蝕性的另一方面，作為第1稀釋元素所致效果而具有不易產生大小尺寸大之微粒之性質。換言之，依照本實施形態，可提供適於形成受到電漿侵蝕時不易產生大小尺寸大之微粒的熔射皮膜的熔射用粉末。又，亦可提供受到電漿侵蝕時不易產生大小尺寸大之微粒的皮膜、及於表面具備有如此皮膜之構件。
．本實施形態之熔射用粉末，於稀土類元素之外，係含有第1稀釋元素，依情況不同係進一步含有稀土類元素及第1稀釋元素以外且為氧以外之第2稀釋元素。因此，可進一步較佳地抑制大小尺寸大之微粒的產生。又，可抑制高價格且具有供給不安定之面的稀土類元素之使用量，可減少熔射用粉末之原料供給風險。
前述實施形態亦可作如下變更。
．前述實施形態之熔射用粉末，可含有2種以上、較佳為3種以上之稀土類元素。亦即，可含有由Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、
Tm、Yb及Lu中選出之二者以上、較佳為三者以上之元素。此時，將熔射用粉末熔射而得之皮膜受到電漿侵蝕時所產生之微粒中之稀土類元素的含量係隨各個稀土類元素之種類而被分散，因此可使堆積於半導體基板上之微粒中之各稀土類元素的含量超過容許等級的可能性減少。熔射用粉末中之各稀土類元素的含量，較佳以氧化物換算為5mol%以上、更佳為10mol%以上、又更佳為15mol%以上。又，熔射用粉末中之各稀土類元素的含量，較佳以氧化物換算為50mol%以下、更佳為40mol%以下、又更佳為30mol%以下、特佳為25mol%以下。
．前述實施形態之熔射用粉末，可含有2種以上、較佳為3種以上之第1稀釋元素。例如，可含有由Zn、Si、B、P、Ti、Ca、Sr、Ba及Mg中選出之二者以上、較佳為三者以上之元素。此時，將熔射用粉末熔射而得之皮膜受到電漿侵蝕時所產生之微粒中的第1稀釋元素之含量係隨各個第1稀釋元素之種類而被分散，因此可使堆積於半導體基板上之微粒中之各第1稀釋元素的含量超過容許等級的可能性減少。熔射用粉末中之各第1稀釋元素的含量，較佳以氧化物換算為2mol%以上、更佳為5mol%以上、又更佳為8mol%以上、特佳為10mol%以上。又，熔射用粉末中之各第1稀釋元素之含量，較佳以氧化物換算為40mol%以下、更佳為30mol%以下、又更佳為20mol%以下、特佳為10mol%以下。
．前述實施形態之熔射用粉末，可含有2種以上、
較佳為3種以上之第2稀釋元素。例如，可含有由Al、Zr、Hf、Nb及Ta中選出之二者以上、較佳為三者以上之元素。此時，將熔射用粉末熔射而得之皮膜受到電漿侵蝕時所產生之微粒中的第2稀釋元素之含量係隨各個第2稀釋元素之種類而被分散，因此可使堆積於半導體基板上之微粒中各第2稀釋元素的含量超過容許等級的可能性減少。熔射用粉末中之各第2稀釋元素之含量，較佳以氧化物換算為5mol%以上、更佳為7mol%以上、又更佳為10mol%以上、特佳為12mol%以上。又熔射用粉末中之各第2稀釋元素之含量，較佳以氧化物換算為50mol%以下、更佳為40mol%以下、又更佳為30mol%以下、特佳為20mol%以下。
．含有稀土類元素與第1稀釋元素之皮膜或含有稀土類元素、第1稀釋元素與第2稀釋元素之皮膜，並不限於藉由將如前述實施形態之熔射用粉末熔射而形成，亦可以例如化學氣相成長法(CVD)或物理氣相成長法(PVD)之熔射以外的手法來形成。以熔射以外之手法形成之含有稀土類元素與第2族元素之皮膜的厚度，例如可為0.1~100 μm、較佳為0.5~50 μm、更佳為1~30 μm。
接著，列舉實施例及比較例進一步具體說明本發明。
準備含有稀土類元素之實施例1~5及比較例1,2之熔射用粉末以及不含稀土類元素之比較例3的熔射用粉末。實施例1,3~5之熔射用粉末，係藉由混合稀土類元素之氧化物的粉末、稀土類元素以外且為氧以外之第1稀釋元素
的氧化物之粉末、與稀土類元素及第1稀釋元素以外且為氧以外之第2稀釋元素之氧化物的粉末，並造粒及燒結而製造。實施例2之熔射用粉末，係藉由混合稀土類元素之氧化物的粉末與第1稀釋元素之氧化物的粉末，並造粒及燒結而製造。比較例1之熔射用粉末，係藉由將稀土類元素之氧化物的粉末造粒及燒結而製造。比較例2之熔射用粉末，係藉由混合稀土類元素之氧化物的粉末、第2稀釋元素之氧化物的粉末，並造粒及燒結而製造。比較例3之熔射用粉末，係藉由混合第1稀釋元素之氧化物的粉末與第2稀釋元素之氧化物的粉末，並造粒及燒結而製造。各熔射用粉末之詳細係如表1所示。
表1之“稀土類元素之種類”欄中，係顯示各熔射用粉末中所含之稀土類元素之種類。表1之“稀土類元素氧化物之比率”欄中，係以各稀土類元素之種類來顯示各熔射用粉末中之稀土類元素氧化物之莫耳比率。
表1之“第1稀釋元素之種類”欄中，係顯示各熔射用粉末中所含之第1稀釋元素之種類。表1之“第1稀釋元素氧化物之比率”欄中，係以各第1稀釋元素之種類來顯示各熔射用粉末中之第1稀釋元素氧化物之莫耳比率。
表1之“第2稀釋元素之種類”欄中，係顯示各熔射用粉末中所含之第2稀釋元素之種類。表1之“第2稀釋元素氧化物之比率”欄中，係以各第2稀釋元素之種類來顯示各熔射用粉末中之第2稀釋元素氧化物之莫耳比率。
將實施例1~5及比較例1~3之各熔射用粉末以表2所
示之熔射條件進行大氣壓電漿熔射，於經褐色氧化鋁研磨材(A#40)進行噴砂處理後之20mm×20mm×2mm尺寸的Al合金(A6061)板表面形成厚度200 μm之熔射皮膜。評估所得之熔射皮膜之耐電漿侵蝕性的結果示於表1之“耐電漿侵蝕性”欄。具體而言，首先，使用平均粒子徑0.06 μm之膠體二氧化矽對各熔射皮膜之表面進行鏡面研磨，將研磨後之熔射皮膜表面的一部分以聚醯亞胺帶遮蔽。接著，於保持於133.3Pa之壓力的平行平板型電漿蝕刻裝置之腔室內，在一邊以1.055L/分鐘之流量供給將四氟化碳、氬與氧以95：950：10之體積比混合之蝕刻氣體，同時施加13.56MHz、1300W之高頻電力達20小時的條件下對各熔射皮膜進行電漿蝕刻。之後，使用KLA-Tencor公司之段差測定裝置“Alpha-Step”，測定遮蔽之部分與未遮蔽之部分之間的段差大小，藉由將測定之段差大小除以蝕刻時間算出侵蝕速率。於“耐電漿侵蝕性”欄中，“良”表示侵蝕速率對比較例1時之侵蝕速率的比未達1.5、“不良”表示其為1.5以上。
將實施例1~5及比較例1~3之各熔射用粉末以表2所示之熔射條件進行大氣壓電漿熔射，於設置於矽晶圓周圍而使用的聚焦環表面形成厚度200 μm之熔射皮膜。將評估於各聚焦環上自所得之熔射皮膜藉由電漿侵蝕產生而堆積於矽晶圓上的微粒數之結果示於表1之“微粒數”欄。具體而言，首先，將各聚焦環上之熔射皮膜表面使用研磨紙研磨至表面粗度Ra成為0.5 μm以下。接著，將各聚焦
環與矽晶圓一起設置於平行平板型電漿蝕刻裝置之腔室內，一邊將腔室內之壓力保持於133.3Pa，同時將使四氟化碳、氬與氧以95：950：10之體積比混合的蝕刻氣體以1.055L/分鐘之流量供給至腔室內，以於該狀態下施加13.56MHz、1300W之高頻電力達20小時的條件對各矽晶圓進行電漿蝕刻。之後，測定自各聚焦環上之熔射皮膜藉由電漿侵蝕產生而堆積於矽晶圓上之微粒數。“微粒數”欄中，“良”表示將於電漿蝕刻之前後使用KLA-Tencor公司之微粒計數器SurfscanSP3所計算之矽晶圓上之微粒數的差，視為自聚焦環上之熔射皮膜產生而堆積於矽晶圓上之微粒數時，微粒數對比較例1時的微粒數之比未達1.0、“不良”表示其為1.0以上。
表1之“風險”欄中，係顯示各熔射用粉末之原料供給風險、亦即原料之獲得風險。熔射用粉末中所含之稀土類元素氧化物之比率為95mol%以下時評估為“良”、其較95mol%大時評估為“不良”。
Claims (11)
- 一種熔射用粉末，其係含有稀土類元素、與稀土類元素以外且為氧以外之元素之第1稀釋元素的熔射用粉末，其中前述第1稀釋元素之單一氧化物的燒結體，在於保持於133.3Pa之壓力的平行平板型電漿蝕刻裝置之腔室內，一邊以1.055L/分鐘之流量供給將四氟化碳、氬與氧以95：950：10之體積比混合之蝕刻氣體，同時施加1356MHz、1300W之高頻電力達20小時之蝕刻條件下之侵蝕速率，為相同蝕刻條件下之氧化釔燒結體侵蝕速率之5倍以上，且前述稀土類元素之含量，以氧化物換算為20mol%以上。
- 如申請專利範圍第1項之熔射用粉末，其中前述第1稀釋元素係為由鋅、矽、硼、磷、鈦、鈣、鍶、鋇及鎂中選出之一者以上之元素。
- 如申請專利範圍第1項之熔射用粉末，其係以氧化物之形態含有前述稀土類元素及前述第1稀釋元素。
- 如申請專利範圍第1項之熔射用粉末，其係進一步含有稀土類元素及前述第1稀釋元素以外且為氧以外之元素的第2稀釋元素，且前述第2稀釋元素之單一氧化物之燒結體，在前述蝕刻條件下之侵蝕速率，為相同蝕刻條件下之氧化釔燒結體侵蝕速率之1.5倍以上、未達5倍。
- 如申請專利範圍第4項之熔射用粉末，其中前述第2稀釋元素為由鋁、鋯、鉿、鈮及鉭中選出之一者以上之元素。
- 如申請專利範圍第4項之熔射用粉末，其係以氧化物之形態含有前述第2稀釋元素。
- 一種皮膜，其係將如申請專利範圍第1~6項中任一項之熔射用粉末熔射而得。
- 一種構件，其係於表面具備有如申請專利範圍第7項之皮膜。
- 一種皮膜，其係含有稀土類元素、與稀土類元素以外且為氧以外之元素的第1稀釋元素之皮膜，其中前述第1稀釋元素之單一氧化物的燒結體，在於保持於133.3Pa之壓力的平行平板型電漿蝕刻裝置之腔室內，一邊以1.055L/分鐘之流量供給將四氟化碳、氬與氧以95：950：10之體積比混合之蝕刻氣體，同時施加13.56MHz、1300W之高頻電力達20小時之蝕刻條件下之侵蝕速率，為相同蝕刻條件下之氧化釔燒結體侵蝕速率之5倍以上，且前述稀土類元素之含量，以氧化物換算為20mol%以上。
- 如申請專利範圍第9項之皮膜，其係進一步含有稀土類元素及前述第1稀釋元素以外且為氧以外之元素的第2稀釋元素，且前述第2稀釋元素之單一氧化物之燒結體，在前述蝕刻條件下之侵蝕速率，為相同蝕刻條件下之氧化釔燒結體侵蝕速率之1.5倍以上、未達5倍。
- 一種構件，其係於表面具備有如申請專利範圍第9項之皮膜。
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