TWI545211B - Improved mask - Google Patents

Description

改良型遮罩

本創作係關於一種遮罩，尤指一種應用於如濺鍍製程或蒸鍍等鍍膜沉積製程領域之改良型遮罩。

如圖6及圖7所示，如濺鍍或蒸鍍等鍍膜沉積製程中，為使基材30表面之預定位置沉積形成特定形狀之鍍膜，在沉積材料源20與基材30之間即會裝設一遮罩40，藉以在沉積材料源20藉由熱蒸發或高能量離子之撞擊而使沉積材料中的原子或分子解離時，通過遮罩40上所設的通孔的形狀與位置的控制，使沉積材料表面解離之原子或分子中之一部分通過遮罩40中之通孔，而沉積於基材30表面相應位置處形成特定形狀之鍍膜，沉積材料解離之其餘原子或分子則藉由遮罩40的板面遮蔽作用而被阻隔。

現有的遮罩為減少鍍膜沉積製程的熱膨脹變形而產生的形狀與尺寸的誤差，一般而言，遮罩主要係選用膨脹系數低的材料所製成的板材，例如鎳鐵合金等。金屬材質的遮罩40使用時，為精密控制基材30表面沉積之鍍膜形狀及尺寸，金屬材質的遮罩40一般係平貼於待鍍膜的基材30一側表面，一同平置於鍍膜沉積製程設備中進行基材30表面之鍍膜沉積步驟。

惟前述遮罩40應用於基材30鍍膜沉積製程中，因鎳鐵合金等材質的遮罩40的硬度大於玻璃等材質的基材30的硬度或是基材30側表面已沉積的鍍膜硬度，而金屬材質的遮罩40各通孔孔緣等係銳利邊緣，金屬材質的遮罩40平貼於基材30側表面、或金屬材質遮罩40自已沉積鍍膜之基材30側表面分離之操作過程中，金屬材質的遮罩40的銳利邊緣易刮傷基材30側表面或基材30側表面沉積的鍍膜。

本創作之主要目的在於提供一種改良型遮罩，解決現有遮罩易刮傷基板表面之問題。

為達成前揭目的，本創作所提出之改良型遮罩係包含： 一遮罩板體，其相對兩側分別為一沉積材迎接側與一基材迎接側，該遮罩板體中形成複數個間隔排列的鍍膜沉積通孔；以及 複數防刮墊塊，係分布設置於該遮罩板體的基材迎接側。

藉由前揭改良型遮罩創作，其主要係利用該複數防刮墊塊分布設置於遮罩板體的基材迎接側，以該複數防刮墊塊與玻璃基板接觸，使改良型遮罩貼抵在基材的操作過程中，遮罩板體的各鍍膜沉積通孔孔緣等係銳利邊緣，在遮罩平貼於基材側表面或遮罩自基材側表面分離之操作過程中，本創作改良型遮罩因有防刮墊塊的輔助，可使遮罩板體的銳利邊緣不易接觸刮傷基材側表面或基材側表面沉積的鍍膜，確保基材鍍膜沉積製程的品質。

本創作改良型遮罩還可進一步控制防刮墊塊之厚度為2μｍ~50μｍ，藉此控制防刮墊塊之厚度，避免遮罩板體與基板間之間隙過大而影響基材側表面沉積鍍膜之形狀與尺寸精度。

本創作改良型遮罩還可進一步令防刮墊塊為光阻劑成形製造之部件，其可以直接利用蝕刻相關製程常用之現有光阻成形技術成形於遮罩板體上，且能精密控制所述防刮墊塊的厚度，所述光阻劑成形的防刮墊塊可與鐵鎳合金等材質的遮罩板體具有良好的結合性。

如圖1所示，係揭示本創作改良型遮罩之一較佳實施例，所述改良型遮罩10包含一遮罩板體11以及複數防刮墊塊12。

如圖1及圖2所示，所述遮罩板體11相對兩側分別為一沉積材迎接側111與一基材迎接側112，所述遮罩板體11中形成複數個間隔排列的鍍膜沉積通孔113，該複數鍍膜沉積通孔113係為自遮罩板體11之沉積材迎接側111貫穿至基材迎接側112之貫穿孔，所述鍍膜沉積通孔113係用以提供沉積材通過的區間，所述鍍膜沉積通孔113之形狀、大小以及分布於該遮罩板體11的位置等係依鍍膜沉積製程所使用的基材而作相應之設定。

如圖1及圖2所示，於本較佳實施例，所述遮罩板體11可選用如鎳鐵合金等低膨脹係數之金屬板材，惟不以此為限。所述遮罩板體11還可進一步於沉積材迎接側111之全部表面或局部表面形成粗糙狀表面。所述粗糙狀表面之粗糙度可依不同的沉積材料而設定。

如圖1至圖2所示，所述複數防刮墊塊12係分布設置於所述遮罩板體11的基材迎接側112，所述防刮墊塊12可選用光阻劑（或稱光刻膠）或聚四氟乙烯（Polytetrafluoroethene，商標名Teflon）等材料所製成部件。所述防刮墊塊12的數量、形狀及大小尺寸等依遮罩板體11實際的尺寸大小，以及防刮墊塊12設置於遮罩板體11的基材迎接側112上的位置等而設定，惟須因應基材鍍膜製程之尺寸精度需求控制防刮墊塊12之厚度。於本較佳實施例中，係控制防刮墊塊12之厚度為2μｍ~50μｍ為佳，其中以10μｍ、15μｍ或30μｍ等為最佳。藉此，使遮罩板體11利用防刮墊塊12架高的高度控制而處於較佳的使用狀態。於本較佳實施例中，防刮墊塊12以選用光阻劑為佳，使其可直接利用蝕刻製程常用之現有光阻成形技術成形於遮罩板體11上，且能精密控制所述防刮墊塊12的厚度與其幾何形狀。

如圖3至圖5所示，本創作改良型遮罩10應用於玻璃等基材30之蒸鍍或濺鍍等鍍膜沉積設備時，該改良型遮罩10係以遮罩板體11之基材迎接側112朝向基材30，且以防刮墊塊12貼抵於基材30表面，使遮罩板體11與基材30不接觸且兩者之間間隔對應防刮墊塊12厚度的間隙。於該改良型遮罩10結合基材30的操作過程中，利用防刮墊塊12接觸基材30側表面，故能有效避免遮罩板體11的銳利邊緣接觸刮傷基材30側表面之情事。之後，該改良型遮罩10結合基材30定位於鍍膜沉積設備中，遮罩板體11之沉積材迎接側111朝向沉積材料源20，即能進行基材30之蒸鍍或濺鍍等鍍膜沉積製程。

當進行蒸鍍或濺鍍等鍍膜沉積製程時，沉積材料源20經由熱蒸發或高能量離子撞擊而產生沉積材料表面的原子或分子解離，解離之沉積材料原子或分子中之一部分能通過遮罩板體11中之鍍膜沉積通孔113，而沉積於基材30表面特定位置形成鍍膜，其餘之沉積材原子或分子則因遮罩板體11之實體部分遮蔽而被阻隔。當遮罩板體11之沉積材迎接側111具有粗糙狀表面時，則能使沉積材料能穩固地附著其上。

當基材30完成鍍膜沉積製程後，該改良型遮罩10與已沉積鍍膜的基材30自蒸鍍或濺鍍等鍍膜沉積設備中取出，於該改良型遮罩10與已沉積鍍膜的基材30分離時，因有防刮墊塊12介於遮罩板體11與基材30之間，故能有效避免遮罩板體11的銳利邊緣接觸刮傷基材30側表面沉積的鍍膜。

10‧‧‧改良型遮罩
11‧‧‧遮罩板體
111‧‧‧沉積材迎接側
112‧‧‧基材迎接側
113‧‧‧鍍膜沉積通孔
12‧‧‧防刮墊塊
20‧‧‧沉積材料源
30‧‧‧基材
40‧‧‧遮罩

圖1係本創作改良型遮罩之一較佳實施例之剖面示意圖。 圖2係圖1所示改良型遮罩較佳實施例之側視平面示意圖。 圖3係圖1所示改良型遮罩較佳實施例貼合基材的剖面示意圖。 圖4係本創作改良型遮罩應用於蒸鍍製程之平面示意圖。 圖5係本創作改良型遮罩應用於濺鍍製程之平面示意圖。 圖6係習知蒸鍍製程之示意圖。 圖7係習知濺鍍製程之示意圖。

10‧‧‧改良型遮罩

11‧‧‧遮罩板體

111‧‧‧沉積材迎接側

112‧‧‧基材迎接側

113‧‧‧鍍膜沉積通孔

12‧‧‧防刮墊塊

30‧‧‧基材

Claims (7)

1. 一種改良型遮罩，係包含：一遮罩板體，其相對兩側分別為一沉積材迎接側與一基材迎接側，該遮罩板體中形成複數個間隔排列的鍍膜沉積通孔；以及複數防刮墊塊，係分布設置於該遮罩板體的基材迎接側，且所述防刮墊塊為光阻劑成形的部件。
2. 如請求項1所述之改良型遮罩，其中，所述遮罩板體為鐵鎳合金製造的部件。
3. 如請求項1或2所述之改良型遮罩，其中，所述防刮墊塊的厚度為2μm~50μm。
4. 如請求項1所述之改良型遮罩，其中，所述防刮墊塊的厚度為10μm、15μm或30μm。
5. 如請求項2所述之改良型遮罩，其中，所述防刮墊塊的厚度為10μm、15μm或30μm。
6. 如請求項1、2、4或5所述之改良型遮罩，其中，該遮罩板體之沉積材迎接側全部或局部表面形成粗糙狀表面。
7. 如請求項3所述之改良型遮罩，其中，該遮罩板體之沉積材迎接側全部或局部表面形成粗糙狀表面。