TWM451367U - 遮罩 - Google Patents

Description

遮罩

本創作係關於一種遮罩，尤指一種應用於如蒸鍍或濺鍍等鍍膜沉積製程之遮罩。

在鍍膜沉積製程中，為使沉積材料精確地沉積於基材的預定位置形成特定形狀之鍍膜，如圖8及圖9所示，在沉積材料源30與基材20之間即會裝設遮罩40，藉以在沉積材料源30經由熱蒸發或高能量離子撞擊而使沉積材料中原子或分子解離時，利用遮罩40上所設的鍍膜區位孔，使解離之沉積材料中原子或分子之一部分通過遮罩40中之鍍膜區位孔，而沉積於基材20表面預定位置形成特定形狀之鍍膜，其餘之沉積材料原子或分子則因遮罩40之遮蔽而被阻隔，如此，達到控制基材20沉積之鍍膜位置及形狀之目的。

惟前述應用於蒸鍍或濺鍍等鍍膜沉積製程時，被遮罩阻隔之沉積材料會附著遮罩表面，由於一般之遮罩係選用具有光滑表面之金屬薄板所製成，附著於遮罩表面之沉積材料與遮罩之光滑表面間不具穩固的結合性，以致後續鍍膜沉積製程中，易發生原附著於遮罩表面之沉積材料剝離而污染鍍膜，以致影響基材鍍膜沉積的品質。

本創作之主要目的在於提供一種遮罩，希藉此創作，解決現有鍍膜沉積製程中，附著於遮罩上的沉積材料無法 與遮罩之光滑表面間形成穩固的結合，而致沉積材料易剝離而污染鍍膜，影響基材鍍膜品質之問題。

為達成前揭目的，本創作所提出之遮罩係包含一板體，板體中形成複數個鍍膜區位孔，所述板體包含一沉積材迎接側，所述沉積材迎接側形成粗糙化沉積材附著表面。

藉此遮罩之創作，使其應用於蒸鍍或濺鍍等鍍膜沉積製程中，該遮罩係設置於沉積材料源與基材之間，藉以在蒸鍍或濺鍍等鍍膜沉積製程中，沉積材料源經由熱蒸發或高能量離子撞擊產生的沉積材料中原子或分子解離後，解離之沉積材料原子或分子中之一部分通過遮罩中之鍍膜區位孔，而沉積於基材表面特定位置形成鍍膜，其餘之沉積材原子或分子則因遮罩之遮蔽而被阻隔且附著於粗糙化沉積材附著表面上，其中藉由粗糙化沉積材附著表面之粗糙化表面提升沉積材料附著之結合力，使附著於粗糙化沉積材附著表面上的沉積材料不易剝離，如此，於後續的鍍膜沉積製程中，不易發生原附著於遮罩表面之沉積材料剝離而污染基材上的鍍膜等情事，確保基材鍍膜沉積製程的良好品質。

如圖1或圖2所示，係揭示本創作遮罩之數種較佳實施例，所述遮罩包含一遮罩板體10，所述遮罩板體10可為薄板，所述薄板可為金屬薄板或其他材質之板材，所述遮罩板體10中形成複數鍍膜區位孔11，所述複數鍍膜區位孔11係用以提供沉積材通過，所述鍍膜區位孔11之形狀、大小以及分布於遮罩板體10之位置，係依鍍膜沉積製程所使 用之基材而作相應之設定，所述遮罩板體10包含有一沉積材迎接側12，所述遮罩板體10於該沉積材迎接側12形成一粗糙化沉積材附著表面13。

所述遮罩板體10可為厚度0.01~1.5mm的金屬薄板，所述遮罩板體10之沉積材迎接側12可依鍍膜沉積製程之需要，而令遮罩板體10之沉積材迎接側12全面或局部形成粗糙化沉積材附著表面13。

所述粗糙化沉積材附著表面13可使用蝕刻、電鑄、雷射加工、噴砂或其他機械加工手段(如研磨、壓花)等表面加工手段施加於該遮罩板體10之表面而形成規則狀或不規則狀之粗糙化表面，其中以蝕刻手段形成粗糙化沉積材附著表面13為佳，因為蝕刻手段形成之粗糙化沉積材附著表面13幾乎不會造成遮罩板體10之表面應力。

如圖3所示，係揭示本創作遮罩利用蝕刻手段形成之規則狀粗糙化沉積材附著表面13之一較佳實施例，且當所述粗糙化沉積材附著表面13係選用蝕刻手段成形時，其中可藉由蝕刻時間或蝕刻深度的控制，改變粗糙化沉積材附著表面13之粗糙度，且蝕刻手段能夠精確控制粗糙化沉積材附著表面13之凹凸形狀與凹凸形狀分布的密度，使該粗糙化沉積材附著表面13之粗糙度可依不同的沉積材料而設定。其中藉由粗糙化沉積材附著表面13之凹凸形狀與凹凸形狀分布的密度等蝕刻圖案的變更，如圖3所示，可顯著提高粗糙化沉積材附著表面13之粗糙度。

本創作之新型創作人曾對所述粗糙化沉積材附著表面13之粗糙度進一步實物測試，其結果如下：

當遮罩板體10之沉積材迎接側12全面蝕刻時，由圖4所示的圖表當可看出，以蝕刻手段施加於遮罩板體10之沉積材迎接側12時，隨著蝕刻的時間增加，可使小幅度提高表面粗糙度。

當控制遮罩板體10之粗糙化沉積材附著表面13的蝕刻深度時，隨著蝕刻深度的增加，能使粗糙度相對增加，其中參看圖3及圖5，其中定義蝕刻之凹部寬度為C1，凹部與凹部間之凸部寬度為C2，C1與C2相等，蝕刻深度為D，D=D1、D2及D3，D1<D2<D3，C1不等於C2，當其蝕刻深度D=D1時，其表面粗糙度介於2~8μm之間；當其蝕刻深度D=D2時，其表面粗糙度介於8~12μm之間，當其蝕刻深度D=D3時，其表面粗糙度介於14~16μm之間，由此可見，隨著蝕刻深度的增加，能使粗糙度相對增加。

當控制遮罩板體10粗糙化沉積材附著表面13利用蝕刻圖案以及蝕刻深度等因素，更能顯著提高粗糙化沉積材附著表面13之粗糙度。以圖3及圖6為例，其中定義蝕刻之凹部寬度為C1，凹部與凹部間之凸部寬度為C2，C1可與C2相等，蝕刻之凹部深度為D，D=D1、D2及D3，D1<D2<D3，當C=0.05mm、0.10mm、0.15mm、0.20mm及0.25mm時，其粗糙度由圖6所示之圖表中當可清楚看出利用蝕刻圖案以及蝕刻深度蝕度的改變，能顯著提高粗糙化沉積材附著表面13之粗糙度。

本創作之遮罩應用於蒸鍍或濺鍍等鍍膜沉積設備中，係將該遮罩設置於沉積材料源與基材之間，並使遮罩之沉積材迎接側朝向沉積材料源，當進行蒸鍍或濺鍍等鍍膜沉 積製程時，沉積材料源經由熱蒸發或高能量離子撞擊產生的沉積材料中原子或分子解離後，解離之沉積材料原子或分子中之一部分能通過遮罩中之鍍膜區位孔，而沉積於基材表面特定位置形成鍍膜，其餘之沉積材原子或分子則因遮罩之遮蔽而被阻隔，且附著於粗糙化沉積材附著表面上，此時，如圖7所示，因遮罩之粗糙化沉積材附著表面13增加沉積材料31附著的表面積，且利用粗糙化沉積材附著表面13之多數凹凸形狀使沉積材料31能穩固地固著其上而不易剝離，如此，於後續的鍍膜沉積製程中，即不易發生原附著於遮罩表面之沉積材料剝離而掉落於基材表面的情事，確保基材鍍膜沉積製程的良好品質。

10‧‧‧遮罩板體

11‧‧‧鍍膜區位孔

12‧‧‧沉積材迎接側

13‧‧‧粗糙化沉積材附著表面

20‧‧‧基材

30‧‧‧沉積材料源

31‧‧‧沉積材料

40‧‧‧遮罩

圖1係本創作遮罩之一較佳實施例的平面示意圖。

圖2係本創作遮罩之另一較佳實施例的平面示意圖。

圖3係以蝕刻手段於遮罩板體之沉積材迎接側形成粗糙化沉積材附著表面之剖面示意圖。

圖4係遮罩板體全面蝕刻之蝕刻時間與粗糙度關係之折線圖。

圖5係遮罩板體部分蝕刻之蝕刻深度與粗糙度之折線圖。

圖6係遮罩板體部分蝕刻之蝕刻寬度與與粗糙度之折線圖。

圖7係本創作遮罩之粗糙化沉積材附著表面附著沉積材之剖面示意圖。

圖8係已知蒸鍍製程之示意圖。

圖9係已知濺鍍製程之示意圖。

10‧‧‧遮罩板體

11‧‧‧鍍膜區位孔

12‧‧‧沉積材迎接側

13‧‧‧粗糙化沉積材附著表面

Claims (4)

1. 一種遮罩，其包含一遮罩板體，遮罩板體中形成複數個鍍膜區位孔，該遮罩板體包含有一沉積材迎接側，該沉積材迎接側形成一粗糙化沉積材附著表面。
2. 如請求項1所述之遮罩，其中，所述遮罩板體為薄板。
3. 如請求項2所述之遮罩，其中，所述遮罩板體為金屬薄板。
4. 如請求項3所述之遮罩，其中，所述金屬薄板的厚度為0.01~1.5mm。